JPS63100728A - Ｘ線露光方法、及びそれに用いられるｘ線発生源 - Google Patents
Ｘ線露光方法、及びそれに用いられるｘ線発生源Info
- Publication number
- JPS63100728A JPS63100728A JP61245267A JP24526786A JPS63100728A JP S63100728 A JPS63100728 A JP S63100728A JP 61245267 A JP61245267 A JP 61245267A JP 24526786 A JP24526786 A JP 24526786A JP S63100728 A JPS63100728 A JP S63100728A
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- ray
- rays
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
- G03F7/70033—Production of exposure light, i.e. light sources by plasma extreme ultraviolet [EUV] sources
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はＬＳＩ製造用ＸＭリソグラフィ装置のＸ線源に
係わり、特にＸＳ、輝度向上を図ったＸ線露光装置に関
する。
係わり、特にＸＳ、輝度向上を図ったＸ線露光装置に関
する。
近年、より高性能な半導体集積回路を製造するために、
０．５μｍ以下の寸法を有する微細パターンを、半導体
基板上に形成する要求が高まっている。Ｘ線（主に４〜
１３人の軟Ｘ線）を使用したパターン転写技術であるＸ
線露光法は、転写されたパターンの精度が極めて高く、
特にサブミクロンパターン形成において有力な技術とさ
れている。
０．５μｍ以下の寸法を有する微細パターンを、半導体
基板上に形成する要求が高まっている。Ｘ線（主に４〜
１３人の軟Ｘ線）を使用したパターン転写技術であるＸ
線露光法は、転写されたパターンの精度が極めて高く、
特にサブミクロンパターン形成において有力な技術とさ
れている。
ところで、Ｘ線露光法を実施するには高出力で安定なＸ
線発生装置を必要とする。そこで最近。
線発生装置を必要とする。そこで最近。
放電プラズマをＸ線源とするＸ線発生装置が研究されて
いる。この装置は第６図に示す如く高電圧電源１により
充電されたコンデンサ２の電荷を一対の電極３・４間で
放電させ、電極３・４間に放電プラズマを生成し、プラ
ズマ中で起こるエネルギ遷移によって放射されるＸ線を
利用するものである。なお、第６図中５はトリガー電極
を示す。
いる。この装置は第６図に示す如く高電圧電源１により
充電されたコンデンサ２の電荷を一対の電極３・４間で
放電させ、電極３・４間に放電プラズマを生成し、プラ
ズマ中で起こるエネルギ遷移によって放射されるＸ線を
利用するものである。なお、第６図中５はトリガー電極
を示す。
［−このような従来技術としては、例えば、特開昭□、
ル ５ｇ−１８８０４０号公報に示される。
ル ５ｇ−１８８０４０号公報に示される。
上記従来技術は、プラズマ中のエネルギー遷移の制御の
点について配慮がされておらず、弱いＸ線出力しか得ら
れないことに問題があった。すなわちＸ線発生メカニズ
ムを説明すると、原子は、原子核とその回りを一定のエ
ネルギーレベルを持つた誘導を回る電子とから成る。入
射電子の運動エネルギーが電子の結合エネルギーより大
きくなれば、その殻から電子をたたき出す（光電効果）
。
点について配慮がされておらず、弱いＸ線出力しか得ら
れないことに問題があった。すなわちＸ線発生メカニズ
ムを説明すると、原子は、原子核とその回りを一定のエ
ネルギーレベルを持つた誘導を回る電子とから成る。入
射電子の運動エネルギーが電子の結合エネルギーより大
きくなれば、その殻から電子をたたき出す（光電効果）
。
その空席に外殻軌道の電子が入りこむ時、電子の保有す
るエネルギー差分をＸ線として放出する。
るエネルギー差分をＸ線として放出する。
第７図にその様子を示す、高エネルギーの電子は自然放
出され、遷移が偶発的に起こるもので、Ｘ線は不規則に
放出される１以上の様に、自然放出のエネルギー遷移を
利用しているため、制御が困難であった。
出され、遷移が偶発的に起こるもので、Ｘ線は不規則に
放出される１以上の様に、自然放出のエネルギー遷移を
利用しているため、制御が困難であった。
本発明の目的は、上記した従来技術の欠点を除去し、高
輝度のＸ線出力の得られるＸ線源を有する露光装置を提
供することにある。
輝度のＸ線出力の得られるＸ線源を有する露光装置を提
供することにある。
本発明では上記目的を達成するために、Ｘ線発生源に、
励起状態にあるプラズマにＸ線を入射し、誘導放出を利
用するＸ線レーザーを使用した。
励起状態にあるプラズマにＸ線を入射し、誘導放出を利
用するＸ線レーザーを使用した。
第８図にＭＭを示す、励起状態にある原子に入射ｘ腺が
作用すると、入射Ｘ線と同じ方向に、同じ周波数位相、
さらに同じ偏光特性のＸ線が誘導放出され、入射Ｘ線の
強さに比例して放出される現象を利用するものである。
作用すると、入射Ｘ線と同じ方向に、同じ周波数位相、
さらに同じ偏光特性のＸ線が誘導放出され、入射Ｘ線の
強さに比例して放出される現象を利用するものである。
この現象を作り出すＸ線レーザは、複数のＸ線発生部を
一直線上に配設し、高速大電流放電により上記励起状態
を形成する。この時、Ｘ線が入射されると誘導放出によ
り高輝度のＸ線出力を得ることができる。
一直線上に配設し、高速大電流放電により上記励起状態
を形成する。この時、Ｘ線が入射されると誘導放出によ
り高輝度のＸ線出力を得ることができる。
以下、本発明の一実施例を第１図により説明する。ここ
で第６図の従来例と同一構成要素には同一番号を付けで
ある。真空容器６内に絶縁物１５を介して、対向する電
極対３１・４１．３２・４２、・・・３６，４６を設け
、電極４１，４２．・・・４６は各々円筒状の導電路８
１．８２・・・、８６に接合されている。（第２図にひ
とつの電極対の構成外観を示す、１６はＸ線の通る開孔
部）電極３１．３２．・・・３６の一方とトリガー電極
５を介してコンデンサ２に、また導電路８１，８２．・
・・８６の一方もコンデンサ２に接合されている。トリ
ガー電極５の放電時間制御はトリガ一時間制御器７によ
って調整する。真空容器６の図面下部にはＸ線取出し窓
１０を設置しである。
で第６図の従来例と同一構成要素には同一番号を付けで
ある。真空容器６内に絶縁物１５を介して、対向する電
極対３１・４１．３２・４２、・・・３６，４６を設け
、電極４１，４２．・・・４６は各々円筒状の導電路８
１．８２・・・、８６に接合されている。（第２図にひ
とつの電極対の構成外観を示す、１６はＸ線の通る開孔
部）電極３１．３２．・・・３６の一方とトリガー電極
５を介してコンデンサ２に、また導電路８１，８２．・
・・８６の一方もコンデンサ２に接合されている。トリ
ガー電極５の放電時間制御はトリガ一時間制御器７によ
って調整する。真空容器６の図面下部にはＸ線取出し窓
１０を設置しである。
Ｘ線発生にあたっては、高電圧電源１によって充電され
たコンデンサ２の電荷をトリガー電極５を作動させるこ
とによって、電極対３１・４１間、３２・４２間、・・
・３６・４６間で放電させる。これにより各電極間で放
電プラズマを形成し、プラズマ中の原子は励起状態とな
る。電極３１・４１間でのスポットプラズマ中から発生
したＸ線の一部は電極３２・３３間への入射Ｘ線となり
、誘導、゛発生する。順次電極対３３・４３間、３４・
４４間、・・・３６・４６間で誘導放出し、Ｘ線９を発
生する。微細パターンを転写するため、上記発生Ｘｌ１
９を窓１０を通して露光部に取り出す、支持体１１に支
持されたマスク１２のパターンを、アライナ１４上のシ
リコンウェハ１３上に転写する。
たコンデンサ２の電荷をトリガー電極５を作動させるこ
とによって、電極対３１・４１間、３２・４２間、・・
・３６・４６間で放電させる。これにより各電極間で放
電プラズマを形成し、プラズマ中の原子は励起状態とな
る。電極３１・４１間でのスポットプラズマ中から発生
したＸ線の一部は電極３２・３３間への入射Ｘ線となり
、誘導、゛発生する。順次電極対３３・４３間、３４・
４４間、・・・３６・４６間で誘導放出し、Ｘ線９を発
生する。微細パターンを転写するため、上記発生Ｘｌ１
９を窓１０を通して露光部に取り出す、支持体１１に支
持されたマスク１２のパターンを、アライナ１４上のシ
リコンウェハ１３上に転写する。
以上説明した様にＸ線露光用の光源に誘導放出現象を利
用したＸ線レーザーを使用しているため、高輝度のＸ線
出力を得ることができる。誘導放出のための入射ＸＭ発
生部は第１図のどの電極対から発生しても、同様に高輝
度のＸ線出力を得られる。
用したＸ線レーザーを使用しているため、高輝度のＸ線
出力を得ることができる。誘導放出のための入射ＸＭ発
生部は第１図のどの電極対から発生しても、同様に高輝
度のＸ線出力を得られる。
第３図は別の発明であり、電極対にガスパフ式を適用し
た場合である。各電極対３１・４１゜３２・４２．３３
・４３．３４・４４を一直線上に配置し、各電極の中心
部にはＸ線の通路である開孔部が設けである。各電ｐｉ
４３１，３２，３３゜３４の内部にはガス吹き出し孔１
８を設けている。
た場合である。各電極対３１・４１゜３２・４２．３３
・４３．３４・４４を一直線上に配置し、各電極の中心
部にはＸ線の通路である開孔部が設けである。各電ｐｉ
４３１，３２，３３゜３４の内部にはガス吹き出し孔１
８を設けている。
Ｘ線発生にあたっては、最初にガス導入バイブ１７より
、ガス１９を電極間に吹き出す、一定の一？′偏する。
、ガス１９を電極間に吹き出す、一定の一？′偏する。
電極間のガスは電流の磁気ピンチ効果により、高温・高
密度のプラズマとなり、励起状態を形成する。この時、
各プラズマ中にＸ線が入射すると、誘導放出したＸ線は
増幅され、Ｘ線９を発生する０本発明も第１図と同様に
、高輝度ＸＭを発生させる効果がある。
密度のプラズマとなり、励起状態を形成する。この時、
各プラズマ中にＸ線が入射すると、誘導放出したＸ線は
増幅され、Ｘ線９を発生する０本発明も第１図と同様に
、高輝度ＸＭを発生させる効果がある。
第４図・第５図は他の発明例を示す、励起状態をレーザ
ーコンド２０内部で形成し、高輝度Ｘ線を発生させる例
である。紫外線のレーザ光２３は集光レンズ２２を介し
て、回転ターゲット２４に照射される。ターゲット３０
上で高温・高密度のプラズマが形成し、Ｘ線２１を発生
する。このＸ線は円柱形のレーザーロッド２０中に入射
され、レーザーロッドの結晶内部で、誘導放出する。こ
のため増幅されたＸ線９を発生する。第４図はレーザー
ロッド２０の軸方向からＸ線を入射した場合であるが、
さらに、Ｘ線輝度向上のため、径方向から入射した例を
第５図に示す、第４図・第５図の発明共、高輝度Ｘ線出
力が得られる。
ーコンド２０内部で形成し、高輝度Ｘ線を発生させる例
である。紫外線のレーザ光２３は集光レンズ２２を介し
て、回転ターゲット２４に照射される。ターゲット３０
上で高温・高密度のプラズマが形成し、Ｘ線２１を発生
する。このＸ線は円柱形のレーザーロッド２０中に入射
され、レーザーロッドの結晶内部で、誘導放出する。こ
のため増幅されたＸ線９を発生する。第４図はレーザー
ロッド２０の軸方向からＸ線を入射した場合であるが、
さらに、Ｘ線輝度向上のため、径方向から入射した例を
第５図に示す、第４図・第５図の発明共、高輝度Ｘ線出
力が得られる。
本発明によれば、励起状態にあるプラズマにＸ線を入射
し、誘導放出を利用するＸ線レーザーをＸ線源として用
いたものであるから、高輝度Ｘ線出力を得られ、スルー
ブツトを向上する効果がある。
し、誘導放出を利用するＸ線レーザーをＸ線源として用
いたものであるから、高輝度Ｘ線出力を得られ、スルー
ブツトを向上する効果がある。
第１図は本発明の一実施例の縦断面図、第２図は本発明
の一実施例の部分構造、第３図は本発明の他の実施例の
縦断面図、第４図・第５図は本発明のさらに別の実施例
の縦断面図、第６図は従来例、第７図は従来例の原理図
、第８図は本発明の原理図。 ３１・４１．３２・４２．〜３６・４６・・・電極対、
２・・・コンデンサ、５・・・トリガー電極、２０・・
・レー第 １目 峯Ｊ の Ａ 寮４ 図 を５図
の一実施例の部分構造、第３図は本発明の他の実施例の
縦断面図、第４図・第５図は本発明のさらに別の実施例
の縦断面図、第６図は従来例、第７図は従来例の原理図
、第８図は本発明の原理図。 ３１・４１．３２・４２．〜３６・４６・・・電極対、
２・・・コンデンサ、５・・・トリガー電極、２０・・
・レー第 １目 峯Ｊ の Ａ 寮４ 図 を５図
Claims (1)
- １、Ｘ線発生源よりのＸ線を利用して、微細パターンを
半導体基板上に形成するＸ線露光装置において、上記Ｘ
線発生源よりのＸ線を励起状態にあるプラズマに入射す
ることにより誘導放出するＸ線レーザーを上記半導体基
板上に導びく構成としたことを特徴とするＸ線露光装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61245267A JPH0770457B2 (ja) | 1986-10-17 | 1986-10-17 | Ｘ線露光方法、及びそれに用いられるｘ線発生源 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61245267A JPH0770457B2 (ja) | 1986-10-17 | 1986-10-17 | Ｘ線露光方法、及びそれに用いられるｘ線発生源 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63100728A true JPS63100728A (ja) | 1988-05-02 |
| JPH0770457B2 JPH0770457B2 (ja) | 1995-07-31 |
Family
ID=17131138
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61245267A Expired - Lifetime JPH0770457B2 (ja) | 1986-10-17 | 1986-10-17 | Ｘ線露光方法、及びそれに用いられるｘ線発生源 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0770457B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007059706A (ja) * | 2005-08-25 | 2007-03-08 | Takayasu Mochizuki | 半導体結晶膜の製造方法とそれを用いた装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56111223A (en) * | 1980-02-01 | 1981-09-02 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | X-ray exposuring device |
| JPS607130A (ja) * | 1983-06-06 | 1985-01-14 | ザ・ユニヴア−シテイ−・オブ・ロチエスタ− | Ｘ線リソグラフイ法およびその装置 |
| JPS62273727A (ja) * | 1986-04-15 | 1987-11-27 | ハンプシヤ− インスツルメンツ，インコ−ポレ−テツド | Ｘ線リソグラフイ装置及び処理方法 |
-
1986
- 1986-10-17 JP JP61245267A patent/JPH0770457B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56111223A (en) * | 1980-02-01 | 1981-09-02 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | X-ray exposuring device |
| JPS607130A (ja) * | 1983-06-06 | 1985-01-14 | ザ・ユニヴア−シテイ−・オブ・ロチエスタ− | Ｘ線リソグラフイ法およびその装置 |
| JPS62273727A (ja) * | 1986-04-15 | 1987-11-27 | ハンプシヤ− インスツルメンツ，インコ−ポレ−テツド | Ｘ線リソグラフイ装置及び処理方法 |
| JPS62273728A (ja) * | 1986-04-15 | 1987-11-27 | ハンプシヤ− インスツルメンツ，インコ−ポレ−テツド | Ｘ線リソグラフイ装置及び方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007059706A (ja) * | 2005-08-25 | 2007-03-08 | Takayasu Mochizuki | 半導体結晶膜の製造方法とそれを用いた装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0770457B2 (ja) | 1995-07-31 |
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