JPH0770461B2 - 重ね合わせ露光方法 - Google Patents
重ね合わせ露光方法Info
- Publication number
- JPH0770461B2 JPH0770461B2 JP62103992A JP10399287A JPH0770461B2 JP H0770461 B2 JPH0770461 B2 JP H0770461B2 JP 62103992 A JP62103992 A JP 62103992A JP 10399287 A JP10399287 A JP 10399287A JP H0770461 B2 JPH0770461 B2 JP H0770461B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- projection
- distortion
- exposure
- exposure apparatuses
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
- G03F7/70525—Controlling normal operating mode, e.g. matching different apparatus, remote control or prediction of failure
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
- G03F7/70458—Mix-and-match, i.e. multiple exposures of the same area using a similar type of exposure apparatus, e.g. multiple exposures using a UV apparatus
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/70633—Overlay, i.e. relative alignment between patterns printed by separate exposures in different layers, or in the same layer in multiple exposures or stitching
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、投影露光装置を用いた重ね合わせ露光方法に
関し、特に半導体ウェハ等の感光基板上に異なるパター
ンを順次重ね合わせて転写していくときの露光方法に関
する。
関し、特に半導体ウェハ等の感光基板上に異なるパター
ンを順次重ね合わせて転写していくときの露光方法に関
する。
（従来の技術） 半導体集積回路（超LSI等）の製造工程には、マスクや
レチクルに形成された回路の原画パターンを投影光学系
を介して半導体ウェハ（以下ウェハとする）上のレジス
ト層の露光する工程、所謂フォトリソグラフィ工程があ
る。その工程においては、ウェハ上にすでに形成された
回路パターンに対して新たな回路パターンを重ね合わせ
て転写する必要があるが、その重ね合わせの精度が悪化
すると製造された回路素子の特性不良等の欠陥が発生
し、極端な場合は動作そのものが不能になるといった重
大な問題が発生する。通常、１枚のウェハに対する重ね
合わせ露光は同一タイプの異なる投影露光装置を用いて
行なわれる。例えばウェハ上に作り込む回路素子が＋数
層程度のパターンの重ね合わせからなっている場合、各
層のパターンは別々の露光装置で転写され、一般に数台
以上の同一の露光装置で製造ラインが構築される。この
ように１枚のウェハにおける重ね合わせ露光に使用され
る複数の投影露光装置にあっては、各装置間で投影光学
系（縮小投影レンズ）のディストーション誤差が極力小
さくなるように定められる。各装置間でのディストーシ
ョン誤差は重ね合わせ精度に直接影響を与えることにな
る。近年、回路の集積度の増加に伴ってパターンの最小
線幅は増々小さくなり、露光装置間のディストーション
差が大きな問題となってきている。
レチクルに形成された回路の原画パターンを投影光学系
を介して半導体ウェハ（以下ウェハとする）上のレジス
ト層の露光する工程、所謂フォトリソグラフィ工程があ
る。その工程においては、ウェハ上にすでに形成された
回路パターンに対して新たな回路パターンを重ね合わせ
て転写する必要があるが、その重ね合わせの精度が悪化
すると製造された回路素子の特性不良等の欠陥が発生
し、極端な場合は動作そのものが不能になるといった重
大な問題が発生する。通常、１枚のウェハに対する重ね
合わせ露光は同一タイプの異なる投影露光装置を用いて
行なわれる。例えばウェハ上に作り込む回路素子が＋数
層程度のパターンの重ね合わせからなっている場合、各
層のパターンは別々の露光装置で転写され、一般に数台
以上の同一の露光装置で製造ラインが構築される。この
ように１枚のウェハにおける重ね合わせ露光に使用され
る複数の投影露光装置にあっては、各装置間で投影光学
系（縮小投影レンズ）のディストーション誤差が極力小
さくなるように定められる。各装置間でのディストーシ
ョン誤差は重ね合わせ精度に直接影響を与えることにな
る。近年、回路の集積度の増加に伴ってパターンの最小
線幅は増々小さくなり、露光装置間のディストーション
差が大きな問題となってきている。
この種の微細加工用投影レンズは、製造されたレンズご
とのディストーション値のばらつきが非常に小さいこと
が要求されている。従来、この投影レンズを製造するメ
ーカー側では、そのレンズの光学上の理想結像位置を調
整目標として、実際の投影像の位置が理想結像位置に近
ずくように、ディストーション調整を行なっていた。し
かし、実際のレンズは設計上でもディストーション値を
零にすることはできないから、理想結像位置（ディスト
ーション零）を基準として、要求されるばらつきに基づ
いて該レンズのディストーション計測値の合格範囲を設
定すると、投影レンズの製造歩留りが非常に悪くなると
いった問題があった。
とのディストーション値のばらつきが非常に小さいこと
が要求されている。従来、この投影レンズを製造するメ
ーカー側では、そのレンズの光学上の理想結像位置を調
整目標として、実際の投影像の位置が理想結像位置に近
ずくように、ディストーション調整を行なっていた。し
かし、実際のレンズは設計上でもディストーション値を
零にすることはできないから、理想結像位置（ディスト
ーション零）を基準として、要求されるばらつきに基づ
いて該レンズのディストーション計測値の合格範囲を設
定すると、投影レンズの製造歩留りが非常に悪くなると
いった問題があった。
第２図は従来のディストーション調整の判定方法を示す
特性図であり、横軸は理想結像位置を基準とした動径方
向のずれ量（ディストーション量）を表わし、縦軸は投
影レンズの光軸を基準にした像高を表わす。第２図中、
実線で示した特性DSPは、投影レンズの設計上のディス
トーション特性（以下設計特性DSPと呼ぶ）を示し、２
本の破線で表わした直線l1、l2は合格範囲を示す。すな
わち、実際に製造された投影レンズのディストーション
特性（以下実特性と呼ぶ）が、この２本の直接l1、l2で
はさまれた範囲内に納まる場合は、その投影レンズを良
品とし、範囲外になる場合は不合格として再調整を必要
とすると判断するものである。合格範囲の幅は設計特性
DSPの動径方向のずれ量の程度、要求されるばらつきの
程度等を考慮して、なるべく狭くなるように努力されて
いる。第２図中の丸印は、製造された投影レンズのディ
ストーション実特性を計測したときの結像位置を示し、
黒丸で示した計測値は合格範囲を超えているため、この
レンズは再調整を要すると判定される。この第２図の特
性からもわかるように、設計特性DSP上でディストーシ
ョン量（動径方向のずれ量）の絶対値が大きくなる部分
は、合格範囲の限界にもっとも近づくため、この部分で
不合格となる確率が大きくなる。
特性図であり、横軸は理想結像位置を基準とした動径方
向のずれ量（ディストーション量）を表わし、縦軸は投
影レンズの光軸を基準にした像高を表わす。第２図中、
実線で示した特性DSPは、投影レンズの設計上のディス
トーション特性（以下設計特性DSPと呼ぶ）を示し、２
本の破線で表わした直線l1、l2は合格範囲を示す。すな
わち、実際に製造された投影レンズのディストーション
特性（以下実特性と呼ぶ）が、この２本の直接l1、l2で
はさまれた範囲内に納まる場合は、その投影レンズを良
品とし、範囲外になる場合は不合格として再調整を必要
とすると判断するものである。合格範囲の幅は設計特性
DSPの動径方向のずれ量の程度、要求されるばらつきの
程度等を考慮して、なるべく狭くなるように努力されて
いる。第２図中の丸印は、製造された投影レンズのディ
ストーション実特性を計測したときの結像位置を示し、
黒丸で示した計測値は合格範囲を超えているため、この
レンズは再調整を要すると判定される。この第２図の特
性からもわかるように、設計特性DSP上でディストーシ
ョン量（動径方向のずれ量）の絶対値が大きくなる部分
は、合格範囲の限界にもっとも近づくため、この部分で
不合格となる確率が大きくなる。
（発明が解決しようとする問題点） このため同一タイプの複数台の投影露光装置によって１
つの回路素子を作るリソグラフィ工程の生産ラインで
は、上記の通り合格範囲に入った投影レンズを用いて、
複数台の投影露光装置を製造する必要があり、これは装
置メーカー側に多大な負荷を強いることになるととも
に、装置の製造コストが増大することにもつながるとい
った不都合が生じる。
つの回路素子を作るリソグラフィ工程の生産ラインで
は、上記の通り合格範囲に入った投影レンズを用いて、
複数台の投影露光装置を製造する必要があり、これは装
置メーカー側に多大な負荷を強いることになるととも
に、装置の製造コストが増大することにもつながるとい
った不都合が生じる。
（問題点を解決する為の手法） そこで、本発明においては、重ね合わせ露光に使われる
複数台の投影露光装置の各投影光学系のディストーショ
ン特性が、設計上のディストーション特性に対して像高
によらずほぼ一定の偏差内に納まるように定めた。すな
わち従来のように理想結像位置を基準とするものではな
く、設計上のディストーション値を基準にして、ほぼ一
定の合格範囲を設定するようにした。
複数台の投影露光装置の各投影光学系のディストーショ
ン特性が、設計上のディストーション特性に対して像高
によらずほぼ一定の偏差内に納まるように定めた。すな
わち従来のように理想結像位置を基準とするものではな
く、設計上のディストーション値を基準にして、ほぼ一
定の合格範囲を設定するようにした。
（作用） 一般に同一タイプの投影レンズ同志ではディストーショ
ン特性の傾向が類似している。本発明ではその類似性に
着目し、ディストーション特性上、極端に許容範囲の狭
くなる部分が生じないようにすることによって、同一タ
イプの複数の投影露光装置による重ね合わせ露光の精度
を低下させることなく、露光装置（投影レンズ）の生産
留歩りを向上させるようにした。
ン特性の傾向が類似している。本発明ではその類似性に
着目し、ディストーション特性上、極端に許容範囲の狭
くなる部分が生じないようにすることによって、同一タ
イプの複数の投影露光装置による重ね合わせ露光の精度
を低下させることなく、露光装置（投影レンズ）の生産
留歩りを向上させるようにした。
（実施例） 第３図は本発明の実施例による方法が適用される投影露
光装置による生産ラインの一例を模式的に示す斜視図で
ある。第３図においてラインを構成する投影露光装置
（以下ステッパーとする）はSTP1、STP2、STP3、STP4、
STP5の５台とし、各ステッパーには露光フィールド、縮
小率、N.A.等が同一の投影レンズPL1、PL2、PL3、PL4、
PL5が設けられ、それぞれ各層に対応した異なる回路パ
ターンを有するレチクルR1、R2、R3、R4、R5が装着され
ているものとする。また各ステッパーのウェハステージ
ST1、ST2、ST3、ST4、ST5の各々には各層の露光が行な
われるウェハＷが載置されている。ここでステッパーST
P1は第１層の露光（ファーストプリント）を行なうもの
とし、ステッパーSTP1では重ね合わせ露光が行なわれな
い。そしてステッパーSTP2〜STP5において順次第２層、
第３層、第４層、第５層を形成するための重ね合わせ露
光が行なわれる。また第２図中に各ブロックのうちC
T1、CT2、CT3、CT4、CT5の夫々はウェハＷへレジストを
塗布するコーティング工程を表わし、DV1、DV2、DV3、D
V4、DV5の夫々は露光後のウェハＷを現像するデベロッ
プ工程を表わす。尚、CTnとDVn（ただしｎ＝１、２…
５）とは一体化されたコータ・デベロッパー装置によっ
て処理されるのが一般的である。さらに第２図中のブロ
ックのうちのPRC1、PRC2、PRC3、PRC4、PRC5の夫々はウ
ェハＷ上に各層を形成するためのプロセス（エッチン
グ、拡散、蒸着等）工程を表わす。ウェハＷは工程CT1
から同図中の矢印に従ってCTn→STPn→DVn→PRCn（ただ
しｎ＝１、２…５）を１つの処理ブロックとして流され
る。
光装置による生産ラインの一例を模式的に示す斜視図で
ある。第３図においてラインを構成する投影露光装置
（以下ステッパーとする）はSTP1、STP2、STP3、STP4、
STP5の５台とし、各ステッパーには露光フィールド、縮
小率、N.A.等が同一の投影レンズPL1、PL2、PL3、PL4、
PL5が設けられ、それぞれ各層に対応した異なる回路パ
ターンを有するレチクルR1、R2、R3、R4、R5が装着され
ているものとする。また各ステッパーのウェハステージ
ST1、ST2、ST3、ST4、ST5の各々には各層の露光が行な
われるウェハＷが載置されている。ここでステッパーST
P1は第１層の露光（ファーストプリント）を行なうもの
とし、ステッパーSTP1では重ね合わせ露光が行なわれな
い。そしてステッパーSTP2〜STP5において順次第２層、
第３層、第４層、第５層を形成するための重ね合わせ露
光が行なわれる。また第２図中に各ブロックのうちC
T1、CT2、CT3、CT4、CT5の夫々はウェハＷへレジストを
塗布するコーティング工程を表わし、DV1、DV2、DV3、D
V4、DV5の夫々は露光後のウェハＷを現像するデベロッ
プ工程を表わす。尚、CTnとDVn（ただしｎ＝１、２…
５）とは一体化されたコータ・デベロッパー装置によっ
て処理されるのが一般的である。さらに第２図中のブロ
ックのうちのPRC1、PRC2、PRC3、PRC4、PRC5の夫々はウ
ェハＷ上に各層を形成するためのプロセス（エッチン
グ、拡散、蒸着等）工程を表わす。ウェハＷは工程CT1
から同図中の矢印に従ってCTn→STPn→DVn→PRCn（ただ
しｎ＝１、２…５）を１つの処理ブロックとして流され
る。
さて、このような重ね合わせ露光の処理において、投影
レンズPLn（ｎ＝１、２…５）の夫々のディストーショ
ン特性は、本実施例の場合第１図に示すように定められ
る。第１図は第２図と同様の特性図であり、縦軸は像高
ｈを表わし、横軸は動径方向のずれ量（ディストーショ
ン量）Δｒを表わす。ずれ量Δｒの正方向はレンズ動径
方向で中心（光軸）から遠ざかる向きを表わし、負方向
は同様に中心に近づく向きを表わす。また第１図中の丸
印は投影レンズPLnのうちの１つの実測されたディスト
ーション値（結像位置のずれ）を示してある。本実施例
では、設計上のディストーション特性DSPに対して一定
の偏差（ずれ量）±βを加えた線（特性DSPと相似の曲
線）l3、l4ではさまれた合格範囲を設定し、各投影レン
ズPLn（ｎ＝１、２…５）のディストーション特性の実
測値が、全てこの線l3、l4ではさまれた範囲内に納まる
ように調整されている。通常、レンズの製造上の誤差、
あるいはディストーション量の計測上の誤差によって実
測したディストーション特性は設計上のディストーショ
ン特性をほぼ平均値としてばらつくため、理想結像位置
を基準とした場合（第２図参照）に比べて、合格となる
レンズの個数が増えるといった利点がある。これは装置
メーカー側にとったは投影レンズの生産歩留りが上がる
点で有利なことである。一方、露光装置のユーザ側から
みた場合においても、所望の重ね合わせ精度が露光フィ
ールド内全面で得られる点で、従来の方法と比べて何ら
変わることはない。
レンズPLn（ｎ＝１、２…５）の夫々のディストーショ
ン特性は、本実施例の場合第１図に示すように定められ
る。第１図は第２図と同様の特性図であり、縦軸は像高
ｈを表わし、横軸は動径方向のずれ量（ディストーショ
ン量）Δｒを表わす。ずれ量Δｒの正方向はレンズ動径
方向で中心（光軸）から遠ざかる向きを表わし、負方向
は同様に中心に近づく向きを表わす。また第１図中の丸
印は投影レンズPLnのうちの１つの実測されたディスト
ーション値（結像位置のずれ）を示してある。本実施例
では、設計上のディストーション特性DSPに対して一定
の偏差（ずれ量）±βを加えた線（特性DSPと相似の曲
線）l3、l4ではさまれた合格範囲を設定し、各投影レン
ズPLn（ｎ＝１、２…５）のディストーション特性の実
測値が、全てこの線l3、l4ではさまれた範囲内に納まる
ように調整されている。通常、レンズの製造上の誤差、
あるいはディストーション量の計測上の誤差によって実
測したディストーション特性は設計上のディストーショ
ン特性をほぼ平均値としてばらつくため、理想結像位置
を基準とした場合（第２図参照）に比べて、合格となる
レンズの個数が増えるといった利点がある。これは装置
メーカー側にとったは投影レンズの生産歩留りが上がる
点で有利なことである。一方、露光装置のユーザ側から
みた場合においても、所望の重ね合わせ精度が露光フィ
ールド内全面で得られる点で、従来の方法と比べて何ら
変わることはない。
例えば、第２図中の丸印で示した実測値を持つ投影レン
ズの場合、ディストーションの設計値からのずれ（偏
差）は、どの像高点においても平均して小さく、実用上
は何ら問題はないにもかかわらず、設計上のディストー
ション量が最大（極大）となる部分で合格範囲を超えて
しまっているため、無条件に不合格とされてしまう。し
かしながら同じ投影レンズであっても、本実施例のよう
に合格範囲を設定すると、無条件に良品として合格す
る。
ズの場合、ディストーションの設計値からのずれ（偏
差）は、どの像高点においても平均して小さく、実用上
は何ら問題はないにもかかわらず、設計上のディストー
ション量が最大（極大）となる部分で合格範囲を超えて
しまっているため、無条件に不合格とされてしまう。し
かしながら同じ投影レンズであっても、本実施例のよう
に合格範囲を設定すると、無条件に良品として合格す
る。
本実施例では、投影レンズのディストーションの実特性
が設計特性を平均値としてばらつくことに着目して、合
格範囲の幅（±β）を定めるため、従来の場合にくらべ
て幅の絶対値を小さくすることが可能となる。
が設計特性を平均値としてばらつくことに着目して、合
格範囲の幅（±β）を定めるため、従来の場合にくらべ
て幅の絶対値を小さくすることが可能となる。
以上のようにして製造された投影レンズPLnを有するス
テッパーSTPnを用いて重ね合わせ露光を行なうと、各種
アライメント精度、ウェハステージSTnのステッピング
精度等を除外して考えた場合、ウェハＷ上の１つのショ
ット領域内における重ね合わせ精度は、５台のステッパ
ーSTPnの相互間で生じるディストーション量の幅±β以
内に押えられる。
テッパーSTPnを用いて重ね合わせ露光を行なうと、各種
アライメント精度、ウェハステージSTnのステッピング
精度等を除外して考えた場合、ウェハＷ上の１つのショ
ット領域内における重ね合わせ精度は、５台のステッパ
ーSTPnの相互間で生じるディストーション量の幅±β以
内に押えられる。
（発明の効果） 以上のように本発明によれば、同一設計の投影光学系毎
のディストーションのばらつきの許容範囲が厳しいもの
となっても、従来の調整方法によって製造された投影光
学系に比べて、生産の歩留りの向上が期待でき、より集
積度の高い半導体回路の製造工程に対応できる複数の投
影露光装置を容易に提供することが可能となる。特に本
発明による方法は、生産ラインにおいてマッチングを必
要とする投影露光装置の台数が多くなる程、顕著な効果
が得られる。
のディストーションのばらつきの許容範囲が厳しいもの
となっても、従来の調整方法によって製造された投影光
学系に比べて、生産の歩留りの向上が期待でき、より集
積度の高い半導体回路の製造工程に対応できる複数の投
影露光装置を容易に提供することが可能となる。特に本
発明による方法は、生産ラインにおいてマッチングを必
要とする投影露光装置の台数が多くなる程、顕著な効果
が得られる。
第１図は本発明の実施例による方法を適用した場合の投
影レンズのディストーション調整の手法を示す特性図、
第２図は従来のディストーション調整の手法を示す特性
図、第３図は投影露光装置（ステッパー）を複数台用い
たリソグラフィ工程の生産ラインを模式的に表わした斜
視図である。 各図中において、 DSP……設計上のディストーション特性 α、β……偏差（ずれ量） l1、l2、l3、l4……合格範囲 STP1、STP2、STP3、STP4、STP5……ステッパー R1、R2、R3、R4、R5……レクチル Ｗ……ウェハ
影レンズのディストーション調整の手法を示す特性図、
第２図は従来のディストーション調整の手法を示す特性
図、第３図は投影露光装置（ステッパー）を複数台用い
たリソグラフィ工程の生産ラインを模式的に表わした斜
視図である。 各図中において、 DSP……設計上のディストーション特性 α、β……偏差（ずれ量） l1、l2、l3、l4……合格範囲 STP1、STP2、STP3、STP4、STP5……ステッパー R1、R2、R3、R4、R5……レクチル Ｗ……ウェハ
Claims (3)
- 【請求項１】複数の投影露光装置を用いて感光基板上の
所定領域に互いに異なるマスクのパターンを順次重ね合
わせて露光する方法において、 前記感光基板上の１つの所定領域に対して露光を行う複
数の投影露光装置の各投影光学系のディストーション特
性を比較したとき、各投影光学系のディストーション特
性が設計上のディストーション特性を基準にしたほぼ一
定の偏差内に納まるような複数の投影露光装置を用いる
ことを特徴とする重ね合わせ露光方法。 - 【請求項２】前記複数の投影露光装置の各々に設けられ
た投影光学系は、露光フィールドと投影倍率が同一に設
計されたものであることを特徴とする特徴請求の範囲第
１項に記載の方法。 - 【請求項３】前記複数の投影露光装置のうちの１台は前
記感光基板上に第１層のパターンを形成するためのファ
ーストプリントに使用することを特徴とする特許請求の
範囲第１項に記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62103992A JPH0770461B2 (ja) | 1987-04-27 | 1987-04-27 | 重ね合わせ露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62103992A JPH0770461B2 (ja) | 1987-04-27 | 1987-04-27 | 重ね合わせ露光方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63269517A JPS63269517A (ja) | 1988-11-07 |
| JPH0770461B2 true JPH0770461B2 (ja) | 1995-07-31 |
Family
ID=14368793
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62103992A Expired - Lifetime JPH0770461B2 (ja) | 1987-04-27 | 1987-04-27 | 重ね合わせ露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0770461B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02257640A (ja) * | 1989-03-30 | 1990-10-18 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体素子の製造方法 |
| JP3336436B2 (ja) * | 1991-04-02 | 2002-10-21 | 株式会社ニコン | リソグラフィシステム、情報収集装置、露光装置、及び半導体デバイス製造方法 |
-
1987
- 1987-04-27 JP JP62103992A patent/JPH0770461B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63269517A (ja) | 1988-11-07 |
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