JPH0770505B2 - 半導体装置支持キャリヤ - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） 本発明は半導体装置、例えば半導体ウェハの液相処理中
に用いる半導体装置支持キャリヤに係り、とりわけ半導
体装置表面へのゴミ付着を防止することができる半導体
装置支持キャリヤに関する。

（従来の技術） 半導体装置の製造工程において、半導体装置、例えば半
導体ウェハは種々の液相処理を受ける。例えば、半導体
ウェハは、半導体ウェハ表面の不純物による汚染を除去
するために洗浄液により洗浄処理を受けたり、あるいは
過飽和溶液からの析出反応により半導体ウェハ表面にシ
リコン酸化物の膜を形成するために、過飽和溶液による
処理（LPD法）を受けたりする。

このような液相処理は、半導体ウェハを半導体装置支持
キャリヤによって支持し、この半導体装置支持キャリヤ
を各種処理液に出入れすることにより行なわれる。しか
しながら、半導体装置支持キャリヤを引上げる際、半導
体ウェハ表面にゴミが付着することがあり、このゴミが
障害となってそれ以後の半導体装置の微細パタン形成に
重大な影響を及ぼすことがある。

以下、図面により従来技術について詳述する。

第12図は従来の液相処理装置を示す。第12図において、
液相処理装置１内に、処理液２が入っており、この処理
液２中に半導体装置、例えば半導体ウェハ３が半導体装
置支持キャリヤ４に支えられて浸されている。処理液２
の液面にはゴミ５が浮遊している。

液相処理終了後に、その半導体ウェハ３が半導体装置支
持キャリヤ４によって処理液２から引き上げられる際、
第13図に示すように液面のゴミ５が半導体ウェハ３に付
着する。液相処理が、処理液の洗浄度を確保しやすい半
導体ウェハ洗浄処理の場合、液面で付着するゴミの数
は、例えば径0.3μｍ以上のものが５インチ半導体ウェ
ハ１枚当たり数十個から300個程度となる。一方、液相
処理が処理液中にゴミが発生しやすい、例えばレジスト
剥離やLPD法の場合、ゴミの数は100〜1000個にもなる。

このような半導体ウェハ３表面についたゴミは、それ以
後の半導体装置の微細パターン形成において顕著な不都
合を生じさせる。これを第14図乃至第16図に基づいて説
明する。

第14図は半導体ウェハの側断面図であり、この図におい
て符号６は半導体ウェハの下地膜である。この半導体ウ
ェハを液相処理した際、下地膜６上に処理液表面のゴミ
５が付着する。この状態で下地膜６上に配線物質７が形
成されている。

続いて、第14図に示す配線物質７をエッチングすること
により、下地膜６表面に配線部８が設けられる（第15
図，第16図）。ここで第15図および第16図は半導体ウェ
ハの平面図である。

ところで、第14図の状態からエッチングすると、第15図
に示すようにゴミ５の部分において配線部８が欠落し、
本来接続しているべき配線部8aと8bとが接続しなくなる
場合がある。これにより配線部8aと8bとの間の導通がな
くなり、この半導体装置の配線形成が良好に行われなく
なる。

また、第14図の状態からエッチングすると、第16図に示
すように、ゴミ５の部分において配線物質７のエッチン
グ残り8cが発生し、本来非接続であるべき配線部8dと8e
とが接続してしまう場合もある。このことにより配線部
8dと8e間が短絡し、やはりこの半導体装置の配線形成に
不都合が生じる。

このような液面のゴミ５の付着を防ぐために、処理液２
をオーバーフローさせて、ゴミ５を処理液２と共に流出
させる方法が一般的に行なわれている。

このようなオーバーフローによって、ゴミはある程度低
減するが、その効果は顕著ではない。その理由は第17図
に示すように、液面下の部分の処理液２は流れ去るが、
液面のゴミ５は残ることが多いためである。

このように、従来の液相処理においては、処理液２から
半導体装置支持キャリヤ４によって半導体ウェハ３を引
き上げる際に、処理液２の液面に浮遊しているゴミ５が
半導体ウェハ３に付着し、それ以後の半導体装置の微細
パターン形成に顕著な悪影響を及ぼすという難点があっ
た。

本発明はこのような点を考慮してなされたものであり、
液相処理において、半導体ウェハを処理液から引き上げ
る時に、液面のゴミが半導体ウェハに付着しないような
半導体装置支持キャリヤを提供することを目的とする。

〔発明の構成〕

（課題を解決するための手段） 本発明は、半導体装置の液相処理中に前記半導体装置を
支持する支持台を備え、処理液中への出入れを行なう半
導体装置支持キャリヤにおいて、前記半導体装置の上部
または側部を覆う位置に前記支持台に連結する防塵板を
設けたことを特徴とする半導体装置支持キャリヤであ
る。

（作 用） 本発明によれば、処理液中から半導体装置支持キャリヤ
を引上げる場合、処理液中のゴミは防塵板によって半導
体装置の外側に押しのけられる。

（実施例） 以下、図面を参照して本発明の実施例について説明す
る。第１図および第２図は、本発明による半導体装置支
持キャリヤの第１の実施例を示す図であり、第１図はそ
の側面図、第２図はその正面図である。

第１図および第２図に示すように、半導体装置支持キャ
リヤ40は、複数の半導体ウェハ43を収納する支持台41を
有している。この支持台41は半導体ウェハ43を四方から
取囲むようになっている。また支持台41には、半導体ウ
ェハ43の上方位置に、すべての半導体ウェハ43の上部を
覆う防塵板42が取付けられている。

次にこのような構成からなる本実施例の作用について説
明する。

液相処理において、処理液中から半導体支持キャリヤ40
を引上げる場合、液中のゴミは防塵板42によって半導体
ウェハ43の外側へ押しのけられる。このため、液相処理
中に半導体ウェハ43表面にゴミが付着することはない。
このため、その後の半導体装置製造工程における微細パ
タン形成等に悪影響を及ぼすことはない。

次に本実施例の具体例を第10図および第11図により説明
する。

第10図は液相処理として、半導体ウェハ表面の不純物に
よる汚染を除去する半導体ウェハ洗浄処理を行なった場
合の効果を示す。

第10図において、横軸に半導体ウェハの横方向の位置、
縦軸にゴミ数をとった。ここで半導体ウェハの横方向の
位置とは、例えば第１図の距離Ｌにおける横方向の位置
をいい、この位置における半導体ウェハの表面に付着し
た0.3μｍ径以上のゴミ数を測定した。また、半導体ウ
ェハは５インチ径のものを用いた。

第10図より明らかなように、本発明のように防塵板を設
けた場合は、従来のように防塵板を設けない場合に比較
して、大幅にゴミ量を減らす（数10〜300個のゴミを、3
0個程度に減らす）ことができる。

また、第11図は液相処理として、過飽和溶液からの析出
反応により半導体ウェハ表面にSiO₂膜を形成する処理
（LPD法）を行なった場合の効果を示す。

第11図も第10図と同様、横軸に半導体ウェハの横方向の
位置、縦軸にゴミ数をとった。第11図に示すゴミ数は、
５インチ径の半導体ウェハ表面に付着した0.3μｍ径以
上のゴミ数である。

第11図より明らかなように、防塵板を設けた場合は、防
塵板を設けない場合に比較して、大幅にゴミ量を減らす
（100〜1000個のゴミを数10個程度に減らす）ことがで
きる。

次に第３図におよび第４図により本発明の第２図の実施
例について説明する。

第３図および第４図に示すように、半導体装置支持キャ
リヤ50は、複数の半導体ウェハ43を四方から取囲んで収
納する支持台41を有している。そしてこの支持台41の半
導体ウェハ43の上方位置に、半導体ウェハ43の上部を覆
う防塵板52が取付けられている。この防塵板52は、スラ
イドして２分割可能となっている。

本実施例によれば、液相処理の前後に防塵板52を２分割
することにより（第４図参照）、半導体装置支持キャリ
ヤ50内への半導体ウェハ43の出し入れを容易に行なうこ
とができる。

次に第５図により本発明の第３図の実施例について説明
する。

第５図に示すように、半導体装置支持キャリヤ60は、複
数の半導体ウェハ43を四方から取囲んで収納する支持台
41を有している。そして、この支持台41に防塵板62が取
付けられている。この防塵板62は、半導体ウェハ43の上
部および側部を覆っている。このため、半導体ウェハ43
表面へのゴミの付着をより確実に防止することができ
る。

次に第６図により本発明の第４の実施例について説明す
る。

第６図に示すように、半導体装置支持キャリヤ70は、複
数の半導体ウェハ43を四方から取囲んで収納する支持台
41を有している。また、この支持台41には、半導体ウェ
ハ43の上部を覆う防塵板72が取付けられ、さらにこの防
塵板72には把手73が固着されている。防塵板72は支持台
41から着脱自在となっており、この場合把手73を把持す
ることにより防塵板72の着脱作用を容易に行なうことが
できる。

次に第７図により本発明の第５の実施例について説明す
る。

第７図に示すように、半導体装置支持キャリヤ80は、複
数の半導体ウェハ43を四方から取囲んで収納する支持台
41を有している。また支持台41には、一枚または数枚の
半導体ウェハ43の上部を覆う位置に、支持枠81を介して
防塵板82が複数取付けられている。このため、特定の半
導体ウェハ43表面へのゴミの付着を確実に防止すること
ができる。

次に第８図により本発明の第６の実施例について説明す
る。

第８図に示すように、半導体装置支持キャリヤ90は、半
導体ウェハ43を載置する支持台91を有している。また支
持台91には、連結部材（図示せず）を介して半導体ウェ
ハ43の側部を覆う位置に防塵板92が設けられ、さらにこ
の防塵板92の上端部93は内側に折曲げられて半導体ウェ
ハ41の上部を一部覆っている。

この半導体装置支持キャリヤ90を処理液中から引上げる
と、防塵板92の上端部93によって処理液が外方へ押出さ
れ、これに伴ってゴミも外方へ押出される。また半導体
装置支持キャリヤ90への半導体ウェハ43の出し入れは、
防塵板92の上端部93間の間隙から容易に行なうことがで
きる。

次に第９図により本発明の第７図の実施例について説明
する。

第９図に示すように、半導体装置支持キャリヤ95は、半
導体ウェハ43を載置する支持台91を有しており、この支
持台91には、連結部材を介して半導体ウェハ43の上部お
よび側部を覆う防塵板96が設けられている。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明によれば、処理液中から半
導体装置支持キャリヤを引上げる場合、処理液中のゴミ
は防塵板によって半導体装置の外側に押しのけられる。
このため、半導体装置の表面にゴミが付着することはな
く、その後の半導体装置製造工程における微細パタン形
成等に悪影響を及ぼすことはない。

【図面の簡単な説明】

第１図および第２図は本発明による半導体装置支持キャ
リヤの第１の実施例を示す図であり、第１図はその側面
図、第２図はその正面図であり、第３図および第４図は
本発明の第２の実施例を示す正面図であり、第５図は本
発明の第３の実施例を示す正面図であり、第６図は本発
明の第４の実施例を示す側面図であり、第７図は本発明
の第５の実施例を示す側面図であり、第８図は本発明の
第６の実施例を示す側面図であり、第９図は本発明の第
７の実施例を示す側面図であり、第10図および第11図は
本発明の効果を示す図であり、第12図および第13図は従
来の半導体装置支持キャリヤを示す側面図であり、第14
図はゴミが付着した半導体ウェハの側断面図であり、第
15図および第16図はゴミが付着した半導体ウェハの平面
図であり、第17図は処理液中のゴミの流れを示す側面図
である。 40……半導体装置支持キャリヤ、41……支持台、42……
防塵板、43……半導体ウェハ、50……半導体装置支持キ
ャリヤ、52……防塵板、60……半導体装置支持キャリ
ヤ、62……防塵板、70……半導体装置支持キャリヤ、72
……防塵板、73……把手、80……半導体装置支持キャリ
ヤ、81……支持枠、82……防塵板、90……半導体装置支
持キャリヤ、91……支持台、92……防塵板、93……防塵
板の上部、95……半導体装置支持キャリヤ、96……防塵
板。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】半導体装置の液相処理中に前記半導体装置
   を支持する支持台を備え、処理液中への出入れを行なう
   半導体装置支持キャリヤにおいて、前記半導体装置の上
   部または側部を覆う位置に前記支持台に連結する防塵板
   を設けたことを特徴とする半導体装置支持キャリヤ。