JPH0770553A - 研磨液及び基体の研磨方法 - Google Patents
研磨液及び基体の研磨方法Info
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- JPH0770553A JPH0770553A JP21721093A JP21721093A JPH0770553A JP H0770553 A JPH0770553 A JP H0770553A JP 21721093 A JP21721093 A JP 21721093A JP 21721093 A JP21721093 A JP 21721093A JP H0770553 A JPH0770553 A JP H0770553A
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- polishing
- acid
- polishing liquid
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- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】アルミニウムを含有するガラス基体等の研磨に
おいて、初期の研磨速度を長期にわたり維持できる、新
規な研磨液及び研磨方法を提供する。 【構成】アルミニウムと錯体を形成する有機酸及び／又
はキレート剤を、通常用いられる研磨液中に含有させ、
アルミニウム成分をマスキングして、砥粒の分散性を向
上させる。
おいて、初期の研磨速度を長期にわたり維持できる、新
規な研磨液及び研磨方法を提供する。 【構成】アルミニウムと錯体を形成する有機酸及び／又
はキレート剤を、通常用いられる研磨液中に含有させ、
アルミニウム成分をマスキングして、砥粒の分散性を向
上させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ガラス基体やセラミッ
クス基体等のアルミニウムを含有する基体の研磨に用い
られる研磨液及びこの研磨液を用いた基体の研磨方法に
関する。
クス基体等のアルミニウムを含有する基体の研磨に用い
られる研磨液及びこの研磨液を用いた基体の研磨方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ガラス基体やセラミックス基体等
の表面を平滑にするために、研磨砥粒を含有する研磨液
を利用して基体表面を研磨することが行われている。こ
の方法の問題点として、同じ研磨液を繰り返し使用して
いると、研磨速度が次第に低下することが指摘されてい
る。
の表面を平滑にするために、研磨砥粒を含有する研磨液
を利用して基体表面を研磨することが行われている。こ
の方法の問題点として、同じ研磨液を繰り返し使用して
いると、研磨速度が次第に低下することが指摘されてい
る。
【０００３】研磨速度が低下する原因の一つとして、研
磨液中に蓄積された基体成分が研磨砥粒を凝集させ、こ
の凝集物が研磨パッドの目詰まりを発生させることが指
摘されている。特に、研磨液中に蓄積されたアルミニウ
ムは、数十ｐｐｍの濃度で研磨砥粒を凝集させる効果が
あるため、その影響は重大である。
磨液中に蓄積された基体成分が研磨砥粒を凝集させ、こ
の凝集物が研磨パッドの目詰まりを発生させることが指
摘されている。特に、研磨液中に蓄積されたアルミニウ
ムは、数十ｐｐｍの濃度で研磨砥粒を凝集させる効果が
あるため、その影響は重大である。
【０００４】上記のようなアルミニウムの凝集効果を抑
制するために、研磨液のｐＨを調整して、強酸性又は強
アルカリ性にする方法が提案されているが、この方法
は、研磨作業の操作性を著しく損ねるため、実用的とは
言い難い。このため、従来においては、研磨液の交換や
研磨パッドのドレッシング処理を頻繁に行うことで、研
磨速度の低下に対処しており、生産性低下の一因をなし
ていた。
制するために、研磨液のｐＨを調整して、強酸性又は強
アルカリ性にする方法が提案されているが、この方法
は、研磨作業の操作性を著しく損ねるため、実用的とは
言い難い。このため、従来においては、研磨液の交換や
研磨パッドのドレッシング処理を頻繁に行うことで、研
磨速度の低下に対処しており、生産性低下の一因をなし
ていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記従来技
術の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、
特にアルミニウムを含有するガラス基体やセラミックス
基体等の研磨に用いる研磨液において、初期の研磨速度
を長期にわたって維持できる、新規な研磨液及び研磨方
法を提供することにある。
術の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、
特にアルミニウムを含有するガラス基体やセラミックス
基体等の研磨に用いる研磨液において、初期の研磨速度
を長期にわたって維持できる、新規な研磨液及び研磨方
法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の研磨液は、アルミニウムを含有する基体の
研磨に用いられる研磨液において、アルミニウムと錯体
を形成する有機酸及び／又はキレート剤が含有されてい
ることを特徴とする。また、本発明の研磨方法はアルミ
ニウムを含有する基体を研磨する研磨液に有機酸及び／
又はキレート剤を添加し、研磨液中のアルミニウム鉄分
をマスキングし、基体の研磨速度の低下を改善すること
を特徴とする。
め、本発明の研磨液は、アルミニウムを含有する基体の
研磨に用いられる研磨液において、アルミニウムと錯体
を形成する有機酸及び／又はキレート剤が含有されてい
ることを特徴とする。また、本発明の研磨方法はアルミ
ニウムを含有する基体を研磨する研磨液に有機酸及び／
又はキレート剤を添加し、研磨液中のアルミニウム鉄分
をマスキングし、基体の研磨速度の低下を改善すること
を特徴とする。
【０００７】以下、本発明について、更に詳細に説明す
る。本発明に用いる有機酸及び／又はキレート剤は、ア
ルミニウムに対して錯体を形成する能力のあるものを使
用する。具体的には、有機酸として、クエン酸、リンゴ
酸、酒石酸等のオキシカルボン酸類や、蓚酸、フマル
酸、コハク酸、マロン酸などのジカルボン酸類などを好
ましく用いることができ、また、キレート剤として、エ
チレンジアミン四酢酸（ＥＤＴＡ）、シクロヘキサンジ
アミン四酢酸（ＣｙＤＴＡ）、ジエチレントリアミン五
酢酸（ＤＴＰＡ）、トリエチレンテトラミン六酢酸（Ｔ
ＴＨＡ）などを好ましく用いることができる。
る。本発明に用いる有機酸及び／又はキレート剤は、ア
ルミニウムに対して錯体を形成する能力のあるものを使
用する。具体的には、有機酸として、クエン酸、リンゴ
酸、酒石酸等のオキシカルボン酸類や、蓚酸、フマル
酸、コハク酸、マロン酸などのジカルボン酸類などを好
ましく用いることができ、また、キレート剤として、エ
チレンジアミン四酢酸（ＥＤＴＡ）、シクロヘキサンジ
アミン四酢酸（ＣｙＤＴＡ）、ジエチレントリアミン五
酢酸（ＤＴＰＡ）、トリエチレンテトラミン六酢酸（Ｔ
ＴＨＡ）などを好ましく用いることができる。
【０００８】上記有機酸及び／又はキレート剤の添加濃
度は、５ｍＭ以上が好ましく、１０〜２００ｍＭがより
好ましく、２０〜５０ｍＭが最も好ましい。添加濃度が
５ｍＭ以上であれば、本発明の効果が得られるが、１０
ｍＭ以上とすることにより、より確実な効果が得られ
る。また、２００ｍＭを超えると、液の粘性が高くなっ
て操作性が悪くなる傾向がある。
度は、５ｍＭ以上が好ましく、１０〜２００ｍＭがより
好ましく、２０〜５０ｍＭが最も好ましい。添加濃度が
５ｍＭ以上であれば、本発明の効果が得られるが、１０
ｍＭ以上とすることにより、より確実な効果が得られ
る。また、２００ｍＭを超えると、液の粘性が高くなっ
て操作性が悪くなる傾向がある。
【０００９】また、研磨液に含有される研磨剤の種類
は、特に制限はなく、例えば、酸化セリウム系、ジルコ
ニア系、アルミナ系、ガーネット系等の研磨剤を用いる
ことができる。この他、本発明の研磨液には、通常用い
られる他の成分を添加して使用することができる。
は、特に制限はなく、例えば、酸化セリウム系、ジルコ
ニア系、アルミナ系、ガーネット系等の研磨剤を用いる
ことができる。この他、本発明の研磨液には、通常用い
られる他の成分を添加して使用することができる。
【００１０】本発明の研磨液は、いずれのｐＨ域でも使
用可能であるが、操作性の点から、ｐＨ７〜９に調整し
て用いるのが好ましい。
用可能であるが、操作性の点から、ｐＨ７〜９に調整し
て用いるのが好ましい。
【００１１】本発明の研磨液は、アルミニウム成分を含
有する基体、例えばガラス基体、セラミックス基体、ガ
ラス・セラミックス基体等の研磨に用いられる。
有する基体、例えばガラス基体、セラミックス基体、ガ
ラス・セラミックス基体等の研磨に用いられる。
【００１２】
【作用】本発明の研磨液は、アルミニウムと錯体を形成
する有機酸及び／又はキレート剤を含有させたことによ
り、研磨速度の低下が防止され、初期の研磨速度を長期
にわたって維持することができる。このような効果が得
られる理由は、上記有機酸及び／又はキレート剤が、研
磨時に発生するアルミニウム等の基体成分をマスキング
するため、研磨砥粒の凝集による研磨パッドの目詰まり
が防止されるためと考えられる。更に、上記有機酸及び
／又はキレート剤には、研磨砥粒の分散性を改善する効
果があると考えられ、このことも研磨速度の低下防止に
寄与していると推測される。
する有機酸及び／又はキレート剤を含有させたことによ
り、研磨速度の低下が防止され、初期の研磨速度を長期
にわたって維持することができる。このような効果が得
られる理由は、上記有機酸及び／又はキレート剤が、研
磨時に発生するアルミニウム等の基体成分をマスキング
するため、研磨砥粒の凝集による研磨パッドの目詰まり
が防止されるためと考えられる。更に、上記有機酸及び
／又はキレート剤には、研磨砥粒の分散性を改善する効
果があると考えられ、このことも研磨速度の低下防止に
寄与していると推測される。
【００１３】
（実施例１）酸化セリウム系研磨剤を含有するガラス研
磨液２５リットルに、クエン酸ナトリウムを２０ｍＭ添
加し、次いでｐＨを約８に調整して、研磨液を得た。こ
の研磨液を使用して、３０×３２ｃｍのガラス板（アル
ミニウム含有率６％）を常法により研磨したところ、５
０枚以上研磨しても、研磨速度は初期速度の９０〜９５
％を保っていた。
磨液２５リットルに、クエン酸ナトリウムを２０ｍＭ添
加し、次いでｐＨを約８に調整して、研磨液を得た。こ
の研磨液を使用して、３０×３２ｃｍのガラス板（アル
ミニウム含有率６％）を常法により研磨したところ、５
０枚以上研磨しても、研磨速度は初期速度の９０〜９５
％を保っていた。
【００１４】なお、比較のために、クエン酸ナトリウム
を添加しない研磨液を用いて上記と同様にガラス板を研
磨したところ、５０枚以上研磨すると、研磨速度は初期
速度の５０〜６０％に低下した。
を添加しない研磨液を用いて上記と同様にガラス板を研
磨したところ、５０枚以上研磨すると、研磨速度は初期
速度の５０〜６０％に低下した。
【００１５】（実施例２）酸化セリウム系研磨剤を含有
するガラス研磨液２５リットルに、エチレンジアミン四
酢酸ナトリウムを２０ｍＭ添加し、次いでｐＨを約８に
調整して、研磨液を得た。この研磨液を使用した場合に
おいても、研磨速度の低下はほとんど見られなかった。
するガラス研磨液２５リットルに、エチレンジアミン四
酢酸ナトリウムを２０ｍＭ添加し、次いでｐＨを約８に
調整して、研磨液を得た。この研磨液を使用した場合に
おいても、研磨速度の低下はほとんど見られなかった。
【００１６】（実施例３）酸化セリウム系研磨剤を含有
するガラス研磨液２５リットルに、酒石酸を２０ｍＭ添
加し、次いでｐＨを約８に調整して、研磨液を得た。こ
の研磨液を使用した場合においても、研磨速度の低下は
ほとんど見られなかった。
するガラス研磨液２５リットルに、酒石酸を２０ｍＭ添
加し、次いでｐＨを約８に調整して、研磨液を得た。こ
の研磨液を使用した場合においても、研磨速度の低下は
ほとんど見られなかった。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
アルミニウムと錯体を形成する有機酸及び／又はキレー
ト剤を研磨液に含有させたことで、研磨パッドの目詰ま
りなどによる研磨速度の低下が防止される。このため、
研磨液の交換回数や、研磨パッドのドレッシング処理回
数を低減でき、生産性を向上させることができる。
アルミニウムと錯体を形成する有機酸及び／又はキレー
ト剤を研磨液に含有させたことで、研磨パッドの目詰ま
りなどによる研磨速度の低下が防止される。このため、
研磨液の交換回数や、研磨パッドのドレッシング処理回
数を低減でき、生産性を向上させることができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 杉崎 満壽雄 神奈川県横浜市神奈川区羽沢町1150番地 旭硝子株式会社中央研究所内
Claims (6)
- 【請求項１】アルミニウムを含有する基体の研磨に用い
られる研磨液において、アルミニウムと錯体を形成する
有機酸及び／又はキレート剤が含有されていることを特
徴とする研磨液。 - 【請求項２】前記有機酸及び／又はキレート剤を１０〜
２００ｍＭ含有する請求項１記載の研磨液。 - 【請求項３】ｐＨを７〜９に調整された請求項１又は２
記載の研磨液。 - 【請求項４】前記有機酸が、クエン酸、リンゴ酸、酒石
酸、蓚酸、フマル酸、コハク酸、マロン酸から選ばれた
少なくとも１種である請求項１〜３のいずれか１つに記
載の研磨液。 - 【請求項５】前記キレート剤が、エチレンジアミン四酢
酸（ＥＤＴＡ）、シクロヘキサンジアミン四酢酸（Ｃｙ
ＤＴＡ）、ジエチレントリアミン五酢酸（ＤＴＰＡ）、
トリエチレンテトラミン六酢酸（ＴＴＨＡ）から選ばれ
た少なくとも１種である請求項１〜４のいずれか１つに
記載の研磨液。 - 【請求項６】請求項１〜６のいずれか１項記載の研磨液
を用いてアルミニウムを含有する基体を研磨することを
特徴とする基体の研磨方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21721093A JPH0770553A (ja) | 1993-09-01 | 1993-09-01 | 研磨液及び基体の研磨方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21721093A JPH0770553A (ja) | 1993-09-01 | 1993-09-01 | 研磨液及び基体の研磨方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0770553A true JPH0770553A (ja) | 1995-03-14 |
Family
ID=16700596
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21721093A Pending JPH0770553A (ja) | 1993-09-01 | 1993-09-01 | 研磨液及び基体の研磨方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0770553A (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0982668A (ja) * | 1995-09-20 | 1997-03-28 | Sony Corp | 研磨用スラリー及びこの研磨用スラリーを用いる研磨方法 |
| EP0751553A3 (en) * | 1995-06-29 | 1998-10-28 | Delco Electronics Corporation | No coat backside wafer grinding process |
| JP2001244224A (ja) * | 1999-10-19 | 2001-09-07 | Applied Materials Inc | アルミニウムの化学的機械研磨におけるパッドグレージングの除去 |
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| US7666238B2 (en) | 2001-06-21 | 2010-02-23 | Kao Corporation | Polishing composition |
| US7708788B2 (en) | 1996-09-30 | 2010-05-04 | Hitachi Chemical Co, Ltd. | Cerium oxide abrasive and method of polishing substrates |
| US7871308B2 (en) | 1997-12-18 | 2011-01-18 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Abrasive, method of polishing target member and process for producing semiconductor device |
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| WO2016043088A1 (ja) * | 2014-09-16 | 2016-03-24 | 山口精研工業株式会社 | サファイア基板用研磨剤組成物 |
-
1993
- 1993-09-01 JP JP21721093A patent/JPH0770553A/ja active Pending
Cited By (19)
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| US7963825B2 (en) | 1997-12-18 | 2011-06-21 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Abrasive, method of polishing target member and process for producing semiconductor device |
| US8616936B2 (en) | 1997-12-18 | 2013-12-31 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Abrasive, method of polishing target member and process for producing semiconductor device |
| US8162725B2 (en) | 1997-12-18 | 2012-04-24 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Abrasive, method of polishing target member and process for producing semiconductor device |
| US8137159B2 (en) | 1997-12-18 | 2012-03-20 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Abrasive, method of polishing target member and process for producing semiconductor device |
| US7871308B2 (en) | 1997-12-18 | 2011-01-18 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Abrasive, method of polishing target member and process for producing semiconductor device |
| JP2001244224A (ja) * | 1999-10-19 | 2001-09-07 | Applied Materials Inc | アルミニウムの化学的機械研磨におけるパッドグレージングの除去 |
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| WO2016043088A1 (ja) * | 2014-09-16 | 2016-03-24 | 山口精研工業株式会社 | サファイア基板用研磨剤組成物 |
| JPWO2016043088A1 (ja) * | 2014-09-16 | 2017-08-10 | 山口精研工業株式会社 | サファイア基板用研磨剤組成物 |
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