JPH0770639A - 方向性珪素鋼板の製造方法 - Google Patents
方向性珪素鋼板の製造方法Info
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- JPH0770639A JPH0770639A JP5216600A JP21660093A JPH0770639A JP H0770639 A JPH0770639 A JP H0770639A JP 5216600 A JP5216600 A JP 5216600A JP 21660093 A JP21660093 A JP 21660093A JP H0770639 A JPH0770639 A JP H0770639A
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- JP
- Japan
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- annealing
- subjected
- steel sheet
- silicon steel
- grain
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 方向性珪素鋼板の脱炭焼鈍を省略して安価に
製造することを目的とする。 【構成】 C:0.0005〜0.004%、Sn:
0.01〜0.1%含んだ珪素鋼スラブを熱延→冷延→
一次再結晶焼鈍→窒化処理→仕上げ焼鈍から構成され
る。 【効果】 脱炭焼鈍を省略した安価な製造工程で、通常
のGO(2回法)より優れた磁気特性が得られる。
製造することを目的とする。 【構成】 C:0.0005〜0.004%、Sn:
0.01〜0.1%含んだ珪素鋼スラブを熱延→冷延→
一次再結晶焼鈍→窒化処理→仕上げ焼鈍から構成され
る。 【効果】 脱炭焼鈍を省略した安価な製造工程で、通常
のGO(2回法)より優れた磁気特性が得られる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、方向性珪素鋼板(以下
方向性電磁鋼板という)の製造方法に関するものであ
る。
方向性電磁鋼板という)の製造方法に関するものであ
る。
【0002】
【従来の技術】方向性電磁鋼板の製造においては熱延鋼
帯は必要に応じて焼鈍後1回または中間焼鈍をはさむ2
回以上の冷間圧延を行い、所定の板厚とし、次いで一次
再結晶焼鈍を行った後焼鈍分離剤を塗布し、仕上げ焼鈍
を施すことで行われている。この一次再結晶焼鈍では脱
炭も行われているのが一般である。
帯は必要に応じて焼鈍後1回または中間焼鈍をはさむ2
回以上の冷間圧延を行い、所定の板厚とし、次いで一次
再結晶焼鈍を行った後焼鈍分離剤を塗布し、仕上げ焼鈍
を施すことで行われている。この一次再結晶焼鈍では脱
炭も行われているのが一般である。
【0003】しかるに近年溶鋼の状態で脱炭した素材を
使い、一次再結晶焼鈍工程での脱炭を省略した技術が数
多く報告されている。例えば特開昭54−11231
7、特開昭55−073818、特開昭57−1146
14、特開昭57−207114、特開昭58−100
627、特開昭61−91319、特開昭62−834
21、特開平1−119644、特開平1−21272
1、特開平1−309923、特開平1−30992
4、特開平2−30714、特開平2−141532、
特開平3−111516、特開平3−287721、特
開平5−9666号公報等数多く存在する。しかしなが
らこれらの技術で方向性電磁鋼板を安定して製造するた
めには製造条件を厳密に制御する必要がある。
使い、一次再結晶焼鈍工程での脱炭を省略した技術が数
多く報告されている。例えば特開昭54−11231
7、特開昭55−073818、特開昭57−1146
14、特開昭57−207114、特開昭58−100
627、特開昭61−91319、特開昭62−834
21、特開平1−119644、特開平1−21272
1、特開平1−309923、特開平1−30992
4、特開平2−30714、特開平2−141532、
特開平3−111516、特開平3−287721、特
開平5−9666号公報等数多く存在する。しかしなが
らこれらの技術で方向性電磁鋼板を安定して製造するた
めには製造条件を厳密に制御する必要がある。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、方向性電磁
鋼板を安定して製造する方法を提供するものである。
鋼板を安定して製造する方法を提供するものである。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明の要旨は、C:
0.0005〜0.004重量%、Si:2.0〜4.
5重量%、酸可溶性Al:0.010〜0.080重量
%、N:0.001〜0.020重量%、S:0.00
20〜0.060重量%、Sn:0.01〜0.1重量
%(以後重量%は単に%と記述する)の成分を含んだ珪
素鋼スラブを1000℃〜1200℃の温度域で粗圧延
後仕上げ圧延を行って熱延鋼帯とした後、必要に応じ7
00℃〜1100℃の温度域で短時間焼鈍を行った後1
回の冷間圧延で所定の板厚とし、800℃〜1050℃
の温度域で1秒以上200秒以内加熱後鋼板を走行せし
める状態で窒化処理をし、焼鈍分離剤を塗布し、仕上げ
焼鈍を施すことにある。
0.0005〜0.004重量%、Si:2.0〜4.
5重量%、酸可溶性Al:0.010〜0.080重量
%、N:0.001〜0.020重量%、S:0.00
20〜0.060重量%、Sn:0.01〜0.1重量
%(以後重量%は単に%と記述する)の成分を含んだ珪
素鋼スラブを1000℃〜1200℃の温度域で粗圧延
後仕上げ圧延を行って熱延鋼帯とした後、必要に応じ7
00℃〜1100℃の温度域で短時間焼鈍を行った後1
回の冷間圧延で所定の板厚とし、800℃〜1050℃
の温度域で1秒以上200秒以内加熱後鋼板を走行せし
める状態で窒化処理をし、焼鈍分離剤を塗布し、仕上げ
焼鈍を施すことにある。
【0006】この場合一次再結晶焼鈍の少なくとも加熱
後段の雰囲気のP H2 0 /P H2 を0.06以上4.0
以下とした後、窒化処理を行うことで、所望の窒化が効
率的に行われる。即ち本発明においては窒化処理後の窒
素含有量は150ppm 〜1500ppm の範囲にあること
が磁気特性の優れた二次再結晶方位を発現させ、そのた
めに、一次再結晶焼鈍鋼板の雰囲気をこのように制御す
ることが好ましい。
後段の雰囲気のP H2 0 /P H2 を0.06以上4.0
以下とした後、窒化処理を行うことで、所望の窒化が効
率的に行われる。即ち本発明においては窒化処理後の窒
素含有量は150ppm 〜1500ppm の範囲にあること
が磁気特性の優れた二次再結晶方位を発現させ、そのた
めに、一次再結晶焼鈍鋼板の雰囲気をこのように制御す
ることが好ましい。
【0007】またこのように窒化を行っても、仕上げ焼
鈍の雰囲気の窒素分圧が50%以下では形成された窒化
物がインヒビターとして有効に働かない場合があるの
で、該仕上げ焼鈍の昇温過程800℃以上で窒素分圧5
0%以上とすることが好ましい。
鈍の雰囲気の窒素分圧が50%以下では形成された窒化
物がインヒビターとして有効に働かない場合があるの
で、該仕上げ焼鈍の昇温過程800℃以上で窒素分圧5
0%以上とすることが好ましい。
【0008】以下本発明について詳細に説明する。一次
再結晶焼鈍工程では脱炭を行わないで一方向性電磁鋼板
を製造する方法として、発明者らは、特開昭57−11
4614号公報で開示した技術を開発したが、この方法
では磁束密度が比較的低いという欠点があった(実施例
B8 =1.88)。また磁束密度が高い鋼板を製造する
技術として特開昭57−89439号公報(実施例B8
=1.97)や、特開昭57−207114号公報(実
施例B8 =1.94)も開発されたが、安定してこのよ
うな高い磁束密度が得られない場合が存在した。
再結晶焼鈍工程では脱炭を行わないで一方向性電磁鋼板
を製造する方法として、発明者らは、特開昭57−11
4614号公報で開示した技術を開発したが、この方法
では磁束密度が比較的低いという欠点があった(実施例
B8 =1.88)。また磁束密度が高い鋼板を製造する
技術として特開昭57−89439号公報(実施例B8
=1.97)や、特開昭57−207114号公報(実
施例B8 =1.94)も開発されたが、安定してこのよ
うな高い磁束密度が得られない場合が存在した。
【0009】その原因について鋭意研究し、C:0.0
005〜0.004%、Si:2.0〜4.5%、酸可
溶性Al:0.010〜0.080%、N:0.001
〜0.020%、S:0.0020〜0.060%、S
n:0.01〜0.1%の成分を含有した珪素鋼スラブ
を1000℃〜1200℃の温度域で粗圧延を開始し、
仕上げ圧延を行って熱延鋼帯とした後、必要に応じて7
00℃〜1100℃の温度域で短時間焼鈍を行った後1
回の冷間圧延を行い所定の板厚とし、800℃〜105
0℃の温度域で1秒以上200秒以内加熱後鋼板を走行
せしめる状態で窒化処理をし、焼鈍分離剤を塗布し、仕
上げ焼鈍を施すことにより、安価にしかも安定して優れ
た磁気特性を得る本発明を完成するに至った。
005〜0.004%、Si:2.0〜4.5%、酸可
溶性Al:0.010〜0.080%、N:0.001
〜0.020%、S:0.0020〜0.060%、S
n:0.01〜0.1%の成分を含有した珪素鋼スラブ
を1000℃〜1200℃の温度域で粗圧延を開始し、
仕上げ圧延を行って熱延鋼帯とした後、必要に応じて7
00℃〜1100℃の温度域で短時間焼鈍を行った後1
回の冷間圧延を行い所定の板厚とし、800℃〜105
0℃の温度域で1秒以上200秒以内加熱後鋼板を走行
せしめる状態で窒化処理をし、焼鈍分離剤を塗布し、仕
上げ焼鈍を施すことにより、安価にしかも安定して優れ
た磁気特性を得る本発明を完成するに至った。
【0010】この場合一次再結晶焼鈍の加熱後段の雰囲
気のP H2 O /P H2 を0.06以上4.0以下とした
後、窒化処理を行うことで、所望の窒化が効率的に行わ
れる。先に述べたように本発明においては窒化処理後の
窒素含有量は150ppm 〜1500ppm の範囲にあるこ
とが磁気特性の優れた二次再結晶方位が発現させそのた
め、一次再結晶焼鈍の加熱後段の雰囲気のP H2 O /P
H2 を0.06以上4.0以下とすることが好ましい。
気のP H2 O /P H2 を0.06以上4.0以下とした
後、窒化処理を行うことで、所望の窒化が効率的に行わ
れる。先に述べたように本発明においては窒化処理後の
窒素含有量は150ppm 〜1500ppm の範囲にあるこ
とが磁気特性の優れた二次再結晶方位が発現させそのた
め、一次再結晶焼鈍の加熱後段の雰囲気のP H2 O /P
H2 を0.06以上4.0以下とすることが好ましい。
【0011】窒素量の下限を150ppm としたのはこれ
以下の窒素量では時として二次再結晶が発現しない場合
や、発現しても磁気特性の著しく悪い結晶方位を持った
二次再結晶粒が発現するためであり、1500ppm 以下
としたのはこれ以上の窒素量としても二次再結晶は安定
して発現するが、これ以上の窒素量とするためには窒化
に特別の工夫が必要であるので1500ppm としたもの
である。
以下の窒素量では時として二次再結晶が発現しない場合
や、発現しても磁気特性の著しく悪い結晶方位を持った
二次再結晶粒が発現するためであり、1500ppm 以下
としたのはこれ以上の窒素量としても二次再結晶は安定
して発現するが、これ以上の窒素量とするためには窒化
に特別の工夫が必要であるので1500ppm としたもの
である。
【0012】また仕上げ焼鈍の雰囲気の窒素分圧が50
%以下では形成された窒化物がインヒビターとして有効
に働かない場合があるので、該仕上げ焼鈍の昇温過程8
00℃以上で窒素分圧50%以上とすることが好ましい
ことを発見し、本発明を完成させた。必要に応じて70
0℃〜1100℃の温度域で短時間焼鈍を行う理由は、
インヒビターとしてのAlNの析出が不十分な場合、こ
の熱処理で析出させるのが第1の目的であり、AlNが
熱延板で析出していればこの熱処理は本質的には不要で
ある。
%以下では形成された窒化物がインヒビターとして有効
に働かない場合があるので、該仕上げ焼鈍の昇温過程8
00℃以上で窒素分圧50%以上とすることが好ましい
ことを発見し、本発明を完成させた。必要に応じて70
0℃〜1100℃の温度域で短時間焼鈍を行う理由は、
インヒビターとしてのAlNの析出が不十分な場合、こ
の熱処理で析出させるのが第1の目的であり、AlNが
熱延板で析出していればこの熱処理は本質的には不要で
ある。
【0013】またこの熱処理で再結晶させることは、二
次再結晶粒成長過程でマトリクス粒が二次再結晶粒に食
べられ易くする効果もある。この温度を700℃以上と
したのはこれ以下ではAlNの析出効果が少なく、11
00℃以下としたのは、これ以上高温でもAlNの析出
効果が不十分なことによる。
次再結晶粒成長過程でマトリクス粒が二次再結晶粒に食
べられ易くする効果もある。この温度を700℃以上と
したのはこれ以下ではAlNの析出効果が少なく、11
00℃以下としたのは、これ以上高温でもAlNの析出
効果が不十分なことによる。
【0014】本発明とほぼ同じ構成の方向性電磁鋼板の
製造法について特開平2−77525号公報で開示され
た先行技術がある。その先行技術においては、脱炭焼鈍
後鋼板を走行せしめる状態下で窒化処理をし、焼鈍分離
剤を塗布した後高温仕上げ焼鈍をすることを特徴として
いる。本発明における粗熱延開始温度は1200℃以下
であり、この条件もこの先行技術と同一である。本発明
とこの先行技術が構成上最も異なる点は先ず第1に鋼成
分であり、第2に一次再結晶焼鈍条件である。
製造法について特開平2−77525号公報で開示され
た先行技術がある。その先行技術においては、脱炭焼鈍
後鋼板を走行せしめる状態下で窒化処理をし、焼鈍分離
剤を塗布した後高温仕上げ焼鈍をすることを特徴として
いる。本発明における粗熱延開始温度は1200℃以下
であり、この条件もこの先行技術と同一である。本発明
とこの先行技術が構成上最も異なる点は先ず第1に鋼成
分であり、第2に一次再結晶焼鈍条件である。
【0015】先行発明においてはSnは添加されていな
いが、本発明においてはSnを0.01〜0.1%の範
囲で添加されており、Snを積極的に活用しているとこ
ろが成分で異なる第1の点である。またこの先行発明で
はSが0.012%以上含まれている場合は二次再結晶
不良になるので、Sは好ましくは0.007%以下とし
ている。しかるに本発明においてSは0.010%以上
でも良好な二次再結晶が発現し、0.04%程度までは
Sは高いほど二次再結晶が安定する。本発明とこの先行
技術がSの作用効果の点で全く異なる。Sの範囲及びそ
の作用効果が異なる点が成分で異なる第2の点である。
いが、本発明においてはSnを0.01〜0.1%の範
囲で添加されており、Snを積極的に活用しているとこ
ろが成分で異なる第1の点である。またこの先行発明で
はSが0.012%以上含まれている場合は二次再結晶
不良になるので、Sは好ましくは0.007%以下とし
ている。しかるに本発明においてSは0.010%以上
でも良好な二次再結晶が発現し、0.04%程度までは
Sは高いほど二次再結晶が安定する。本発明とこの先行
技術がSの作用効果の点で全く異なる。Sの範囲及びそ
の作用効果が異なる点が成分で異なる第2の点である。
【0016】先行発明ではCは0.025%以下では二
次再結晶が不安定になり、かつ二次再結晶した場合でも
製品の磁束密度が1.8Tesla と低下するとしている。
本発明においては熱間圧延以前の状態ですでにCが0.
004%以下であるが、二次再結晶は安定であり、磁束
密度も1.8Tesla 以上の高い値を示す。一次再結晶前
のC量が異なる点が先行発明と成分で異なる第3の点で
ある。本発明のインヒビターとしては硫化物と窒化物の
双方及び、固溶Snを活用するところが本発明と先行発
明で成分構成が異なってくる理由である。
次再結晶が不安定になり、かつ二次再結晶した場合でも
製品の磁束密度が1.8Tesla と低下するとしている。
本発明においては熱間圧延以前の状態ですでにCが0.
004%以下であるが、二次再結晶は安定であり、磁束
密度も1.8Tesla 以上の高い値を示す。一次再結晶前
のC量が異なる点が先行発明と成分で異なる第3の点で
ある。本発明のインヒビターとしては硫化物と窒化物の
双方及び、固溶Snを活用するところが本発明と先行発
明で成分構成が異なってくる理由である。
【0017】本発明では一次再結晶焼鈍前にCが0.0
04%以下、Sが0.0020%以上でSnが0.01
〜0.1%の範囲で含有されている鋼板を、800℃以
上の温度で脱炭焼鈍することなく一次再結晶焼鈍させた
後窒化処理することに特徴がある。先行技術では一次再
結晶焼鈍前にC:0.025〜0.075%以下含有さ
れている鋼板を再結晶させ、引続き水蒸気を含んだ雰囲
気中で800℃〜850℃の温度で120秒以上加熱し
て脱炭を行いしかる後に窒化処理を行っている。
04%以下、Sが0.0020%以上でSnが0.01
〜0.1%の範囲で含有されている鋼板を、800℃以
上の温度で脱炭焼鈍することなく一次再結晶焼鈍させた
後窒化処理することに特徴がある。先行技術では一次再
結晶焼鈍前にC:0.025〜0.075%以下含有さ
れている鋼板を再結晶させ、引続き水蒸気を含んだ雰囲
気中で800℃〜850℃の温度で120秒以上加熱し
て脱炭を行いしかる後に窒化処理を行っている。
【0018】即ち本発明と先願発明においては、鋼成
分、一次再結晶焼鈍の目的が異なる。本発明鋼では脱炭
が不必要であるので、再結晶焼鈍は非脱炭雰囲気で完了
させればよい。この場合再結晶粒成長が完了するまで
は、できるだけ還元性の雰囲気とした後、引続き窒化処
理を連続的に行うが、この窒化処理前の雰囲気のP H2
O/P H2 を0.06以上4.0以下とすることで、二
次再結晶が安定し、かつ良好な磁気特性が得られる。
分、一次再結晶焼鈍の目的が異なる。本発明鋼では脱炭
が不必要であるので、再結晶焼鈍は非脱炭雰囲気で完了
させればよい。この場合再結晶粒成長が完了するまで
は、できるだけ還元性の雰囲気とした後、引続き窒化処
理を連続的に行うが、この窒化処理前の雰囲気のP H2
O/P H2 を0.06以上4.0以下とすることで、二
次再結晶が安定し、かつ良好な磁気特性が得られる。
【0019】即ちこのような雰囲気制御を行うことで窒
化処理後の窒素量を150ppm 〜1500ppm に容易に
制御可能となる。この理由は、このような雰囲気で熱処
理することで、窒化しやすい表面性状となり、窒化が容
易となるためである。
化処理後の窒素量を150ppm 〜1500ppm に容易に
制御可能となる。この理由は、このような雰囲気で熱処
理することで、窒化しやすい表面性状となり、窒化が容
易となるためである。
【0020】以上成分及び一次再結晶焼鈍の各条件及び
窒化処理後の窒素量を組み合わせることで、本発明では
なぜ先行技術では不可能であった二次再結晶を安定さ
せ、かつ磁束密度を1.8Tesla 以上確保できるのかと
いう冶金学的原理については、現時点では必ずしも明確
ではない。現時点では実験事実からその組み合わせ効果
が生じる理由を以下の如く解釈している。
窒化処理後の窒素量を組み合わせることで、本発明では
なぜ先行技術では不可能であった二次再結晶を安定さ
せ、かつ磁束密度を1.8Tesla 以上確保できるのかと
いう冶金学的原理については、現時点では必ずしも明確
ではない。現時点では実験事実からその組み合わせ効果
が生じる理由を以下の如く解釈している。
【0021】先ず成分について述べる。Snが0.01
〜0.1%含まれると(110)〔001〕方位二次
再結晶核となる可能性のある結晶粒が増加し、二次再
結晶粒以外の結晶粒の成長を阻止する作用効果があるこ
とが分かった。この場合,の効果はSnが0.01
%以上あれば顕著となり、Snが増すほどその効果が大
きくなることが分かった。
〜0.1%含まれると(110)〔001〕方位二次
再結晶核となる可能性のある結晶粒が増加し、二次再
結晶粒以外の結晶粒の成長を阻止する作用効果があるこ
とが分かった。この場合,の効果はSnが0.01
%以上あれば顕著となり、Snが増すほどその効果が大
きくなることが分かった。
【0022】従ってSnは多いほどよいが上限を0.1
%としたのはこれ以上の添加では一次再結晶焼鈍後の窒
化が阻害され、結果としてインヒビターの強度が弱まる
ためである。本発明における窒化処理後の窒素含有量は
分析値で150ppm 〜1500ppm あれば、二次再結晶
が安定し、良好な磁気特性が得られる。従ってSnの添
加量が0.1%を超えても、窒化処理後150ppm 以上
あればSnの添加量は0.1%以上あってもよいのはい
うまでもない。
%としたのはこれ以上の添加では一次再結晶焼鈍後の窒
化が阻害され、結果としてインヒビターの強度が弱まる
ためである。本発明における窒化処理後の窒素含有量は
分析値で150ppm 〜1500ppm あれば、二次再結晶
が安定し、良好な磁気特性が得られる。従ってSnの添
加量が0.1%を超えても、窒化処理後150ppm 以上
あればSnの添加量は0.1%以上あってもよいのはい
うまでもない。
【0023】次にSを0.002〜0.060%範囲に
限定したのはの効果が発現するためである。即ち本発
明素材成分においてはSが0.002%未満では二次再
結晶粒が発現しにくくなったり、二次再結晶した場合も
(110)〔001〕からはずれた二次再結晶粒の発現
が多くなることを見いだした。即ち本成分系においては
Sはの効果を与えると解釈される。そのメカニズムは
明瞭ではないが、Sが0.002%以上存在する場合は
固溶Sと微細な硫化物がの効果を発現するものと解釈
している。Sは0.06%でも効果があるが、Sが多い
場合熱延工程で割れが発生し易いので本発明では上限を
0.060%としたものである。
限定したのはの効果が発現するためである。即ち本発
明素材成分においてはSが0.002%未満では二次再
結晶粒が発現しにくくなったり、二次再結晶した場合も
(110)〔001〕からはずれた二次再結晶粒の発現
が多くなることを見いだした。即ち本成分系においては
Sはの効果を与えると解釈される。そのメカニズムは
明瞭ではないが、Sが0.002%以上存在する場合は
固溶Sと微細な硫化物がの効果を発現するものと解釈
している。Sは0.06%でも効果があるが、Sが多い
場合熱延工程で割れが発生し易いので本発明では上限を
0.060%としたものである。
【0024】次に先行発明と異なる一次再結晶焼鈍条件
を選択した冶金学的理由を述べる。先にも述べた如く、
先行技術では一次再結晶焼鈍工程において820℃〜8
60℃で120秒以上、脱炭性雰囲気下での加熱が必要
である。この場合加熱温度が900℃以上では、脱炭に
有害な層が鋼板表面に形成され、脱炭しにくくなるの
で、加熱温度は900℃以下に抑えられている。この脱
炭焼鈍工程では鋼板表面部に内部酸化層が形成され、こ
の内部酸化層は仕上げ焼鈍工程で形態を変化させるが最
終製品まで残存し、磁気特性、特に鉄損を劣化させる。
を選択した冶金学的理由を述べる。先にも述べた如く、
先行技術では一次再結晶焼鈍工程において820℃〜8
60℃で120秒以上、脱炭性雰囲気下での加熱が必要
である。この場合加熱温度が900℃以上では、脱炭に
有害な層が鋼板表面に形成され、脱炭しにくくなるの
で、加熱温度は900℃以下に抑えられている。この脱
炭焼鈍工程では鋼板表面部に内部酸化層が形成され、こ
の内部酸化層は仕上げ焼鈍工程で形態を変化させるが最
終製品まで残存し、磁気特性、特に鉄損を劣化させる。
【0025】しかるに本発明鋼板では一次再結晶焼鈍で
は再結晶させることが主目的であるので、このような製
品の鉄損に悪影響を与える原因となる内部酸化の形成を
抑える雰囲気で再結晶温度以上で加熱すればよいので、
良好な磁気特性を得ることが容易となる。このため加熱
温度の上限はなく、加熱時間も短時間でよい。
は再結晶させることが主目的であるので、このような製
品の鉄損に悪影響を与える原因となる内部酸化の形成を
抑える雰囲気で再結晶温度以上で加熱すればよいので、
良好な磁気特性を得ることが容易となる。このため加熱
温度の上限はなく、加熱時間も短時間でよい。
【0026】加熱温度は再結晶さえすればよいので70
0℃以上であればよいが、加熱温度を800℃以上とし
たのは、これ以下の温度で一次再結晶させた場合、加熱
時間が短いと一次再結晶粒径が小さいため、結果として
製品の磁束密度が低下する場合があるからである。加熱
温度の上限を1050℃以下としたのはこれ以上の加熱
温度でも良好な磁気特性が得られるが、時として磁気特
性が劣化する等安定して良好な特性が得られない場合が
あることと、このような高温で加熱することは不経済な
ためである。
0℃以上であればよいが、加熱温度を800℃以上とし
たのは、これ以下の温度で一次再結晶させた場合、加熱
時間が短いと一次再結晶粒径が小さいため、結果として
製品の磁束密度が低下する場合があるからである。加熱
温度の上限を1050℃以下としたのはこれ以上の加熱
温度でも良好な磁気特性が得られるが、時として磁気特
性が劣化する等安定して良好な特性が得られない場合が
あることと、このような高温で加熱することは不経済な
ためである。
【0027】加熱時間を1秒以上としたのは、これ以上
の時間であれば良好な磁気特性が得られるためであり、
上限を200秒以下としたのは、これはこれ以上の加熱
時間でも良好な磁気特性が得られるが、加熱時間が長す
ぎると引続く窒化処理に不利な表面性状となり、結果と
して製品の磁気特性が劣化する等安定して良好な特性が
得られない場合があることと、長時間加熱することは不
経済であるためである。
の時間であれば良好な磁気特性が得られるためであり、
上限を200秒以下としたのは、これはこれ以上の加熱
時間でも良好な磁気特性が得られるが、加熱時間が長す
ぎると引続く窒化処理に不利な表面性状となり、結果と
して製品の磁気特性が劣化する等安定して良好な特性が
得られない場合があることと、長時間加熱することは不
経済であるためである。
【0028】この場合加熱前段の雰囲気のP H2 O /P
H2 は0.06以下とし、しかる後に窒化処理開始前の
雰囲気のP H2 O /P H2 を0.06以上4.0以下と
することが好ましい。このような雰囲気で処理すること
で製品の磁気特性が向上することと、引続き窒化工程で
窒化しやすくなるので、成分的に窒化されにくい元素が
添加されている場合特に有効である。以上成分効果と一
次再結晶焼鈍の効果が相まって、先行技術では不可能な
C;0.005%以下の素材を出発材として二次再結晶
が安定し、かつ磁束密度が1.8Tesla 以上の方向性珪
素鋼板の製造が可能となったと考えている。
H2 は0.06以下とし、しかる後に窒化処理開始前の
雰囲気のP H2 O /P H2 を0.06以上4.0以下と
することが好ましい。このような雰囲気で処理すること
で製品の磁気特性が向上することと、引続き窒化工程で
窒化しやすくなるので、成分的に窒化されにくい元素が
添加されている場合特に有効である。以上成分効果と一
次再結晶焼鈍の効果が相まって、先行技術では不可能な
C;0.005%以下の素材を出発材として二次再結晶
が安定し、かつ磁束密度が1.8Tesla 以上の方向性珪
素鋼板の製造が可能となったと考えている。
【0029】以下本発明法におけるその他の成分、熱延
条件、熱延以降の処理条件について述べる。Siは含有
量が多いほど固有抵抗が増加して製品の渦流損を減少さ
せるので、渦流損を減少させるためにはSiが多いほど
よい。Siを2%以上と限定したのは、これ以下では渦
流損が大きく好ましくないので下限を2%としたもので
ある。しかしSiは添加量が増すほど冷間圧延工程で割
れやすくなる。この傾向はCが高いほど顕著となる。本
発明鋼は冷間圧延工程ではCが既に0.004%以下で
あるので、従来の素材と較べ割れにくいが、Si4.5
%以上では冷間圧延に特別の工夫が必要で、経済的に製
造するという本発明の目的にそれるので上限を4.5%
とした。
条件、熱延以降の処理条件について述べる。Siは含有
量が多いほど固有抵抗が増加して製品の渦流損を減少さ
せるので、渦流損を減少させるためにはSiが多いほど
よい。Siを2%以上と限定したのは、これ以下では渦
流損が大きく好ましくないので下限を2%としたもので
ある。しかしSiは添加量が増すほど冷間圧延工程で割
れやすくなる。この傾向はCが高いほど顕著となる。本
発明鋼は冷間圧延工程ではCが既に0.004%以下で
あるので、従来の素材と較べ割れにくいが、Si4.5
%以上では冷間圧延に特別の工夫が必要で、経済的に製
造するという本発明の目的にそれるので上限を4.5%
とした。
【0030】Alは(Al,Si)Nを形成しインヒビ
ターとして働くが、酸可溶性Alとして0.01%以上
ないとその効果が発揮されないので下限を0.01%と
した。上限を0.08%としたのはこれ以上のAlが存
在するとインヒビターとして有効に働かなくなるためで
ある。
ターとして働くが、酸可溶性Alとして0.01%以上
ないとその効果が発揮されないので下限を0.01%と
した。上限を0.08%としたのはこれ以上のAlが存
在するとインヒビターとして有効に働かなくなるためで
ある。
【0031】Nは(Al,Si)Nを形成しインヒビタ
ーとして働くが、スラブの段階で0.001%以上ない
とその効果が発揮されないので下限を0.001%とし
た。上限を0.02%としたのは、これ以上含まれると
ブリスタと呼ばれる表面傷が発生するためである。
ーとして働くが、スラブの段階で0.001%以上ない
とその効果が発揮されないので下限を0.001%とし
た。上限を0.02%としたのは、これ以上含まれると
ブリスタと呼ばれる表面傷が発生するためである。
【0032】粗熱延開始温度が1200℃以上となる
と、本発明成分では二次再結晶が不安定になり、二次再
結晶が安定して製品の磁束密度は1.80Tesla 以下に
なる確率が増加し工業的な製造方法として採用できな
い。二次再結晶が不安定となるのは、高温熱延では結晶
粒径が大きいため、熱延工程での再結晶が不十分なこと
に起因し、二次再結晶しても磁束密度が低いのは、高温
加熱に起因して、一次再結晶粒が小さくなり、その結果
二次再結晶温度が低下し方位の悪い二次再結晶粒が発現
することによる。
と、本発明成分では二次再結晶が不安定になり、二次再
結晶が安定して製品の磁束密度は1.80Tesla 以下に
なる確率が増加し工業的な製造方法として採用できな
い。二次再結晶が不安定となるのは、高温熱延では結晶
粒径が大きいため、熱延工程での再結晶が不十分なこと
に起因し、二次再結晶しても磁束密度が低いのは、高温
加熱に起因して、一次再結晶粒が小さくなり、その結果
二次再結晶温度が低下し方位の悪い二次再結晶粒が発現
することによる。
【0033】粗熱延開始温度が1000℃以下でも良好
な磁気特性が得られるが、熱延に要するエネルギーが多
く必要で、かつ熱延時に鋼板表面に傷が入りやすくなる
ので経済的でないため、粗熱延開始温度を1000℃以
上とした。必要に応じて熱延板焼鈍を行うのは先に述べ
た如く、AlNの析出を狙ったものである。
な磁気特性が得られるが、熱延に要するエネルギーが多
く必要で、かつ熱延時に鋼板表面に傷が入りやすくなる
ので経済的でないため、粗熱延開始温度を1000℃以
上とした。必要に応じて熱延板焼鈍を行うのは先に述べ
た如く、AlNの析出を狙ったものである。
【0034】仕上げ焼鈍の雰囲気は従来の方向性電磁鋼
板の仕上げ焼鈍同様でよい。しかし仕上げ焼鈍昇温過程
の窒素を50%以上の雰囲気で焼鈍すると、安定して良
好な磁気特性が得られるので、仕上げ焼鈍の昇温過程に
おける800℃以上の領域で窒素50%以上の雰囲気で
加熱することが好ましい。この場合800℃以上と限定
したのは、これ以下の温度では影響が少ないためであ
る。窒素量は100%でもよいが、全く水素を含まない
場合雰囲気中に酸素等が混入すると、鋼板が酸化される
場合もあり、好ましくないので数%の水素を混入させて
おくことが好ましい。
板の仕上げ焼鈍同様でよい。しかし仕上げ焼鈍昇温過程
の窒素を50%以上の雰囲気で焼鈍すると、安定して良
好な磁気特性が得られるので、仕上げ焼鈍の昇温過程に
おける800℃以上の領域で窒素50%以上の雰囲気で
加熱することが好ましい。この場合800℃以上と限定
したのは、これ以下の温度では影響が少ないためであ
る。窒素量は100%でもよいが、全く水素を含まない
場合雰囲気中に酸素等が混入すると、鋼板が酸化される
場合もあり、好ましくないので数%の水素を混入させて
おくことが好ましい。
【0035】ところで本発明鋼の窒素含有量は、先に説
明した如く熱延鋼帯の状態では0.001%以上、0.
020%以下の範囲であればよいが、仕上げ焼鈍前の状
態では0.006%以上が望ましい。これは仕上げ焼鈍
前の状態で窒素が0.006%以下では二次再結晶が発
現しにくくなる傾向が生じたり、二次再結晶が発現して
も磁束密度が著しく悪くなるためである。
明した如く熱延鋼帯の状態では0.001%以上、0.
020%以下の範囲であればよいが、仕上げ焼鈍前の状
態では0.006%以上が望ましい。これは仕上げ焼鈍
前の状態で窒素が0.006%以下では二次再結晶が発
現しにくくなる傾向が生じたり、二次再結晶が発現して
も磁束密度が著しく悪くなるためである。
【0036】窒素含有量が低い場合二次再結晶が発現し
にくくなるのは窒化物としてのインヒビターが不足する
ため、色々の方位を持った結晶粒が成長するためであ
り、二次再結晶が発現しても磁束密度が低いのは、窒化
物としてのインヒビターが不足するため、二次再結晶が
低温で発現し、その場合の二次再結晶方位は(110)
〔001〕方位以外の二次再結晶粒である確率が高くな
るためである。
にくくなるのは窒化物としてのインヒビターが不足する
ため、色々の方位を持った結晶粒が成長するためであ
り、二次再結晶が発現しても磁束密度が低いのは、窒化
物としてのインヒビターが不足するため、二次再結晶が
低温で発現し、その場合の二次再結晶方位は(110)
〔001〕方位以外の二次再結晶粒である確率が高くな
るためである。
【0037】以下本発明の実施態様を述べる。C:0.
0005〜0.004%、Si:2.0〜4.5%、酸
可溶性Al:0.010〜0.080%、N:0.00
1〜0.020%、Sn:0.010〜0.01%、
S:0.002〜0.060%、残部Fe及び不可避的
不純物からなる溶鋼を通常の工程もしくは、連続鋳造し
てスラブとした後、1200℃〜1000℃の温度域か
ら熱間圧延して熱延鋼板あるいは、熱延鋼帯とする。こ
の熱延鋼板あるいは、熱延鋼帯は、750℃〜1200
℃の温度域での焼鈍が行われる。
0005〜0.004%、Si:2.0〜4.5%、酸
可溶性Al:0.010〜0.080%、N:0.00
1〜0.020%、Sn:0.010〜0.01%、
S:0.002〜0.060%、残部Fe及び不可避的
不純物からなる溶鋼を通常の工程もしくは、連続鋳造し
てスラブとした後、1200℃〜1000℃の温度域か
ら熱間圧延して熱延鋼板あるいは、熱延鋼帯とする。こ
の熱延鋼板あるいは、熱延鋼帯は、750℃〜1200
℃の温度域での焼鈍が行われる。
【0038】またこのような熱延板焼鈍なしでこれらの
熱延鋼板あるいは、熱延鋼帯は、冷間圧延される。次い
で冷間圧延後の材料は800℃〜1050℃の温度域で
一次再結晶焼鈍される。この焼鈍の後段でインヒビター
強化のためアンモニア含有雰囲気による窒化処理を行
う。次いで再結晶板は、焼鈍分離剤が塗布されて仕上げ
焼鈍炉に入る。仕上げ焼鈍の昇温速度は、通常の一方向
性電磁鋼板のそれと同様である。
熱延鋼板あるいは、熱延鋼帯は、冷間圧延される。次い
で冷間圧延後の材料は800℃〜1050℃の温度域で
一次再結晶焼鈍される。この焼鈍の後段でインヒビター
強化のためアンモニア含有雰囲気による窒化処理を行
う。次いで再結晶板は、焼鈍分離剤が塗布されて仕上げ
焼鈍炉に入る。仕上げ焼鈍の昇温速度は、通常の一方向
性電磁鋼板のそれと同様である。
【0039】仕上げ焼鈍の昇温時の雰囲気も通常の一方
向性電磁鋼板のそれと同様、中性或いは還元性である
が、800℃を超える温度域では窒素分圧を50%以上
とすることが好ましい。なお、窒素分圧調整のためアル
ゴン、ヘリウム等の不活性ガスを混合することは何等差
障りない。二次再結晶完了後、純化のため100%水素
で高温(約1200℃)保持される。仕上げ焼鈍終了
後、必要に応じてレーザービーム照射等の磁区細分化処
理を行う。
向性電磁鋼板のそれと同様、中性或いは還元性である
が、800℃を超える温度域では窒素分圧を50%以上
とすることが好ましい。なお、窒素分圧調整のためアル
ゴン、ヘリウム等の不活性ガスを混合することは何等差
障りない。二次再結晶完了後、純化のため100%水素
で高温(約1200℃)保持される。仕上げ焼鈍終了
後、必要に応じてレーザービーム照射等の磁区細分化処
理を行う。
【0040】
実施例 C:0.0035%、Si:3.29%、Mn:0.0
98%、P:0.026%、Al:0.027%、S:
0.0072%、Cr:0.118%、Cu:0.01
1%、Sn:0.052%、N:0.001%を主成分
としたスラブAと比較のためSnを含有せずS<0.0
01のスラブB(表1参照)を1100℃の温度で2時
間加熱後、粗圧延、仕上げ圧延を経て厚さ2.3mmの熱
延板とした。次いで900℃で2分間加熱し水冷した。
98%、P:0.026%、Al:0.027%、S:
0.0072%、Cr:0.118%、Cu:0.01
1%、Sn:0.052%、N:0.001%を主成分
としたスラブAと比較のためSnを含有せずS<0.0
01のスラブB(表1参照)を1100℃の温度で2時
間加熱後、粗圧延、仕上げ圧延を経て厚さ2.3mmの熱
延板とした。次いで900℃で2分間加熱し水冷した。
【0041】酸洗後冷間圧延を行い厚さ0.30mmとし
た。次に表1に示した温度、時間で一次再結晶後、冷却
過程でN2 −H2 −NH3 の雰囲気で連続的に窒化処理
した。次にMgOを塗布し95%N2 −H2 の雰囲気で
昇温速度15℃/hrで1200℃まで加熱後、100%
H2 雰囲気で20時間加熱後冷却した。次いで歪取り焼
鈍を行い磁気特性を測定した。結果を表1に示す。表に
も示したように比較材は二次再結晶が不十分(20%)
で特性が著しく悪かったが、本発明品は何れの条件でも
良好な特性を示した。
た。次に表1に示した温度、時間で一次再結晶後、冷却
過程でN2 −H2 −NH3 の雰囲気で連続的に窒化処理
した。次にMgOを塗布し95%N2 −H2 の雰囲気で
昇温速度15℃/hrで1200℃まで加熱後、100%
H2 雰囲気で20時間加熱後冷却した。次いで歪取り焼
鈍を行い磁気特性を測定した。結果を表1に示す。表に
も示したように比較材は二次再結晶が不十分(20%)
で特性が著しく悪かったが、本発明品は何れの条件でも
良好な特性を示した。
【0042】
【表1】
【0043】
【発明の効果】本発明により、スラブの状態で0.00
4%以下のCを含有した珪素鋼を素材として磁気特性の
優れた珪素鋼板が安価に容易に得られる技術が提供され
る。
4%以下のCを含有した珪素鋼を素材として磁気特性の
優れた珪素鋼板が安価に容易に得られる技術が提供され
る。
Claims (2)
- 【請求項1】 C:0.0005〜0.004重量%、 Si:2.0〜4.5重量%、 酸可溶性Al:0.010〜0.080重量%、 N :0.001〜0.020重量%、 S :0.0020〜0.060重量%、 Sn:0.01〜0.1重量% 残部Fe及び不可避的不純物を含んだ珪素鋼スラブを1
000℃〜1200℃の温度域で粗圧延を開始し、引続
き仕上げ圧延を行って熱延鋼帯とした後、必要に応じて
700℃〜1100℃の温度域で短時間焼鈍を行った後
1回の冷間圧延で所定の板厚とし、800℃〜1000
℃の温度域で1秒以上200秒以内加熱後鋼板を走行せ
しめる状態で窒化処理をし、焼鈍分離剤を塗布し、仕上
げ焼鈍を施すことを特徴とする方向性珪素鋼板の製造方
法。 - 【請求項2】 窒化処理後の窒素量を150ppm 〜15
00ppm とすることを特徴とする請求項1記載の方向性
珪素鋼板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5216600A JPH0770639A (ja) | 1993-08-31 | 1993-08-31 | 方向性珪素鋼板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5216600A JPH0770639A (ja) | 1993-08-31 | 1993-08-31 | 方向性珪素鋼板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0770639A true JPH0770639A (ja) | 1995-03-14 |
Family
ID=16690971
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5216600A Withdrawn JPH0770639A (ja) | 1993-08-31 | 1993-08-31 | 方向性珪素鋼板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0770639A (ja) |
-
1993
- 1993-08-31 JP JP5216600A patent/JPH0770639A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20001031 |