JPH0770918B2 - 同調発振器 - Google Patents
同調発振器Info
- Publication number
- JPH0770918B2 JPH0770918B2 JP59114793A JP11479384A JPH0770918B2 JP H0770918 B2 JPH0770918 B2 JP H0770918B2 JP 59114793 A JP59114793 A JP 59114793A JP 11479384 A JP11479384 A JP 11479384A JP H0770918 B2 JPH0770918 B2 JP H0770918B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- yig
- circuit
- magnetic resonance
- mode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
- H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/18—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance
- H03B5/1882—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a magnetic-field sensitive resonator, e.g. a Yttrium Iron Garnet or a magnetostatic surface wave resonator
- H03B5/1888—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a magnetic-field sensitive resonator, e.g. a Yttrium Iron Garnet or a magnetostatic surface wave resonator the active element in the amplifier being a semiconductor device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
- H01P1/215—Frequency-selective devices, e.g. filters using ferromagnetic material
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B2201/00—Aspects of oscillators relating to varying the frequency of the oscillations
- H03B2201/02—Varying the frequency of the oscillations by electronic means
- H03B2201/0225—Varying the frequency of the oscillations by electronic means the means being associated with an element comprising distributed inductances and capacitances
- H03B2201/0241—Varying the frequency of the oscillations by electronic means the means being associated with an element comprising distributed inductances and capacitances the element being a magnetically variable element, e.g. an Yttrium Iron Garnet
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/18—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance
- H03B5/1841—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a strip line resonator
- H03B5/1847—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a strip line resonator the active element in the amplifier being a semiconductor device
Landscapes
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、ラジア受信機，テレビジョン受信機等のチュ
ーナの局部発振器、スペクトルアナライザの掃引発振
器、マイクロ波測定器等に使用して好適な同調発振器に
関する。
ーナの局部発振器、スペクトルアナライザの掃引発振
器、マイクロ波測定器等に使用して好適な同調発振器に
関する。
背景技術とその問題点 同調発振器として先にYIG（ここでYIGとはイットリウ
ム、鉄、ガーネットを指称するが、これに各種添付物を
有するものも含んで指称する。）球を使用したものが提
案されている（特公昭53−32671号）。このYIG球はマイ
クロ波帯で共振特性のＱが高いこと、共振周波数がYIG
の体積によらないから小型に構成できること、YIG球に
印加するバイアス磁界を変えることによってその共振周
波数を広帯域で直線的に変えることができることなどの
特長を有する。
ム、鉄、ガーネットを指称するが、これに各種添付物を
有するものも含んで指称する。）球を使用したものが提
案されている（特公昭53−32671号）。このYIG球はマイ
クロ波帯で共振特性のＱが高いこと、共振周波数がYIG
の体積によらないから小型に構成できること、YIG球に
印加するバイアス磁界を変えることによってその共振周
波数を広帯域で直線的に変えることができることなどの
特長を有する。
然しながら斯るYIG球を使用した同調発振器に於いてはY
IG球を用いるため、この同調発振器のMIC基板上に一体
化し難く、またこのため構成の自由度が減る。又この同
調発振器は夫々このYIG球のカップリングループを構成
するリードワイヤ又はリボンの調整及びカップリングル
ープとYIG球との位置調整をして結合強度を合わせる必
要があると共に振動に弱い不都合があった。
IG球を用いるため、この同調発振器のMIC基板上に一体
化し難く、またこのため構成の自由度が減る。又この同
調発振器は夫々このYIG球のカップリングループを構成
するリードワイヤ又はリボンの調整及びカップリングル
ープとYIG球との位置調整をして結合強度を合わせる必
要があると共に振動に弱い不都合があった。
発明の目的 本発明は斯る点に鑑み、上述不都合を改善する様にした
同調発振器を提案せんとするものである。
同調発振器を提案せんとするものである。
発明の概要 本発明は能動素子と、この能動素子に電気的に結合さ
れ、且つ磁気共鳴現象を利用する磁性体で形成された共
振器と、この発振器に磁界を与える磁気回路とより成る
同調発振器に於いて、この共振器を薄膜形成技術により
形成されたYIG薄膜のユニフォームモードの磁気共鳴を
用いたものである。
れ、且つ磁気共鳴現象を利用する磁性体で形成された共
振器と、この発振器に磁界を与える磁気回路とより成る
同調発振器に於いて、この共振器を薄膜形成技術により
形成されたYIG薄膜のユニフォームモードの磁気共鳴を
用いたものである。
実施例 以下図面を参照しながら本発明同調発振器の一実施例に
つき説明しよう。
つき説明しよう。
本例に於いては第１図に示すようにパーマロイ等の磁性
体より成るヨーク（１）を設け、その磁気ギャップ
（２）に発振回路が組込まれた基板（３）を配置する如
くする。このヨーク（１）の磁気ギャップ（２）を構成
する相対向する磁極（４）及び（５）の少なくとも一方
にコイル（６）を巻装し、このコイル（６）に可変電流
を供給する如くして可変磁界印加手段を構成する。
体より成るヨーク（１）を設け、その磁気ギャップ
（２）に発振回路が組込まれた基板（３）を配置する如
くする。このヨーク（１）の磁気ギャップ（２）を構成
する相対向する磁極（４）及び（５）の少なくとも一方
にコイル（６）を巻装し、このコイル（６）に可変電流
を供給する如くして可変磁界印加手段を構成する。
この発振回路が組込まれた基板（３）は、例えば第２図
にその具体的構造の一例の平面図を示し、第３図にその
Ａ−Ａ線上の断面図を示すように、例えばアルミナ等の
誘電体基板（31）の第１主面に接地導体（32）が被着形
成さると共に、他方の第２の主面上にマイクロストリッ
プライン（33）が被着形成され、その一端が接続導体
（34）によって接地導体（32）に接続される。そして、
これにYIG薄膜磁気共鳴素子（35）が、電磁的に結合さ
れる。このYIG薄膜磁気共鳴素子（35）は、例えばGGG基
板（36）の１主面に、薄膜形成技術例えばスパッタリン
グ或いは化学気相成長法（CVD法）液相成長法（LPE法）
等によってフェリ磁性薄膜のYIG薄膜を形成し、これを
フォトリソグラフィーによって例えば円形にパターン化
して構成する。図において、（37）は、高周波用バイポ
ーラトランジスタで、（38）はインピーダンス整合回路
を示し、（39）はその直流ブロックMOSキャパシタを示
す。この例では、トランジスタ（37）のベースＢが接地
導体（32）に接続された接地パッド（40）にリアクタン
スを構成するワイヤ（41）によって接続され、エミッタ
ＥをYIG薄膜磁気共鳴素子（35）側に、コレクタＣをイ
ンピーダンス整合回路（38）側に接続したいわゆるコモ
ンベースの直列帰還型発振器を構成した場合である。
にその具体的構造の一例の平面図を示し、第３図にその
Ａ−Ａ線上の断面図を示すように、例えばアルミナ等の
誘電体基板（31）の第１主面に接地導体（32）が被着形
成さると共に、他方の第２の主面上にマイクロストリッ
プライン（33）が被着形成され、その一端が接続導体
（34）によって接地導体（32）に接続される。そして、
これにYIG薄膜磁気共鳴素子（35）が、電磁的に結合さ
れる。このYIG薄膜磁気共鳴素子（35）は、例えばGGG基
板（36）の１主面に、薄膜形成技術例えばスパッタリン
グ或いは化学気相成長法（CVD法）液相成長法（LPE法）
等によってフェリ磁性薄膜のYIG薄膜を形成し、これを
フォトリソグラフィーによって例えば円形にパターン化
して構成する。図において、（37）は、高周波用バイポ
ーラトランジスタで、（38）はインピーダンス整合回路
を示し、（39）はその直流ブロックMOSキャパシタを示
す。この例では、トランジスタ（37）のベースＢが接地
導体（32）に接続された接地パッド（40）にリアクタン
スを構成するワイヤ（41）によって接続され、エミッタ
ＥをYIG薄膜磁気共鳴素子（35）側に、コレクタＣをイ
ンピーダンス整合回路（38）側に接続したいわゆるコモ
ンベースの直列帰還型発振器を構成した場合である。
次に、このYIG薄膜磁気共鳴素子（35）を共振器として
用いた発振回路の発振原理及び発振条件等について説明
する。今、共振器、すなわちYIG薄膜磁気共鳴素子（3
5）を、出力回路でない帰還回路に挿入した発振回路に
ついて説明する。第４図Ａ及び第４図Ｂは、この発振回
路のブロック図で、（42）はYIG薄膜共振回路、（43）
は負性抵抗回路、（44）はインピーダンス整合回路、
（45）は負荷である。但し、第４図Ｂにおいて（46）
は、インピーダンス整合回路も含めた負荷インピーダン
スである。
用いた発振回路の発振原理及び発振条件等について説明
する。今、共振器、すなわちYIG薄膜磁気共鳴素子（3
5）を、出力回路でない帰還回路に挿入した発振回路に
ついて説明する。第４図Ａ及び第４図Ｂは、この発振回
路のブロック図で、（42）はYIG薄膜共振回路、（43）
は負性抵抗回路、（44）はインピーダンス整合回路、
（45）は負荷である。但し、第４図Ｂにおいて（46）
は、インピーダンス整合回路も含めた負荷インピーダン
スである。
第４図において、端子ＡからみたYIG薄膜共振回路側、
すなわちYIG帰還回路側と、能動素子側、すなわち負性
抵抗回路側の各反射係数ΓＹ及びΓＮは、端子Ａからみ
た夫々のインピーダンスZY及びZNを用いて次式で表わさ
れる。
すなわちYIG帰還回路側と、能動素子側、すなわち負性
抵抗回路側の各反射係数ΓＹ及びΓＮは、端子Ａからみ
た夫々のインピーダンスZY及びZNを用いて次式で表わさ
れる。
但し、Zoは回路の特性インピーダンス（50Ω）である。
そして、定常発振の条件は、ΓＹ及びΓＮを用いて次式
で表わされる。
で表わされる。
ΓＹΓＮ＝１ ‥‥（３） ΓＹ及びΓＮは、共に複数素であるから、（３）式は振
幅及び位相に別けて次のようになる。
幅及び位相に別けて次のようになる。
すなわち、 ｜ΓY||ΓN|＝１ ‥‥（４） θＹ＋θＮ＝０ ‥‥（５） 受動素子回路であるYIG帰還回路は、YIG薄膜共振器の損
失分の正の実抵抗を持つから、（１）式より｜ΓY|＜１
となる。したがって、（４）式の発振条件が成立するに
は、｜ΓN|＞１となる必要があり、（２）式よりZnは負
の実抵抗を持つ必要があるころがわかる。
失分の正の実抵抗を持つから、（１）式より｜ΓY|＜１
となる。したがって、（４）式の発振条件が成立するに
は、｜ΓN|＞１となる必要があり、（２）式よりZnは負
の実抵抗を持つ必要があるころがわかる。
第４図における負性抵抗回路は負性抵抗素子である２端
子能動素子であってもよいし、または３端子能動素子及
び帰還素子からなる回路であってもよいが、第２図及び
第３図で説明した例では３端子能動素子の高周波用バイ
ポーラトランジスタを用いた場合であり、第５図に示す
ようにコモンベースの直列帰還型発振回路構成をとった
場合である。Ｘはリアクティブ回路である。
子能動素子であってもよいし、または３端子能動素子及
び帰還素子からなる回路であってもよいが、第２図及び
第３図で説明した例では３端子能動素子の高周波用バイ
ポーラトランジスタを用いた場合であり、第５図に示す
ようにコモンベースの直列帰還型発振回路構成をとった
場合である。Ｘはリアクティブ回路である。
上述の発振回路についての説明は、定常発振の条件につ
いての説明であるが、発振が立ち上るためには、次式の
条件が成立つ必要がある。
いての説明であるが、発振が立ち上るためには、次式の
条件が成立つ必要がある。
｜ΓY||ΓN S|＞１ ‥‥（６） すなわち、 但し、ΓN Sは小信号でのΓＮの値である。発振が立ち上
り能動素子が大振幅動作するようになると、負性抵抗の
絶対値が小さくなり、1/|ΓN|は徐々に大きくなり、
（２）式が成立すると発振が定常状態となる。
り能動素子が大振幅動作するようになると、負性抵抗の
絶対値が小さくなり、1/|ΓN|は徐々に大きくなり、
（２）式が成立すると発振が定常状態となる。
以上のことに基いてYIG発振回路の動作原理を第６図の
スミスチャートを用いて説明する。
スミスチャートを用いて説明する。
1/ΓＮは、小信号では、スミスチャートの比較的内側の
Ｃの状態にあるが、能動素子が大振幅動作するにしたが
ってＤの状態を経過して矢印の方向に移動する。
Ｃの状態にあるが、能動素子が大振幅動作するにしたが
ってＤの状態を経過して矢印の方向に移動する。
一方、前述した第２図及び第３図に示した構成によるYI
G発振回路ではYIG薄膜磁気共鳴素子（35）が、共振しな
いときは、単なる先端短絡ストリップラインとなるか
ら、ΓＹは、第６図中のＡに示す軌跡をを示す。この第
６図から明らかなように、前記（５）式に示した発振の
位相条件は、いかなる振幅のΓＮについても満されない
から、発振は起らない。
G発振回路ではYIG薄膜磁気共鳴素子（35）が、共振しな
いときは、単なる先端短絡ストリップラインとなるか
ら、ΓＹは、第６図中のＡに示す軌跡をを示す。この第
６図から明らかなように、前記（５）式に示した発振の
位相条件は、いかなる振幅のΓＮについても満されない
から、発振は起らない。
次にYIG薄膜磁気共鳴素子（35）に、直流磁界を印加し
てf1とf2の間の周波数f0で共鳴するようにすると、ΓＹ
は、f0の近くの周波数で第６図中Ｂのような軌跡を示
す。このとき、f0近傍の周波数において、発振が立ち上
るための前記（７）式の振幅条件と、前記（５）式の位
相条件が同時に成立する。そして、発振が立ち上り、1/
ΓＮがＣからＤに移動すると、周波数f0で前記（４）式
及び（５）式が同時に成立つため、発振周波数f0で定常
発振することになる。
てf1とf2の間の周波数f0で共鳴するようにすると、ΓＹ
は、f0の近くの周波数で第６図中Ｂのような軌跡を示
す。このとき、f0近傍の周波数において、発振が立ち上
るための前記（７）式の振幅条件と、前記（５）式の位
相条件が同時に成立する。そして、発振が立ち上り、1/
ΓＮがＣからＤに移動すると、周波数f0で前記（４）式
及び（５）式が同時に成立つため、発振周波数f0で定常
発振することになる。
このような原理で直流印加磁界を変化させてYIG素子の
共鳴周波数をf1からf2の間で変えてやると、発振回路
は、共鳴周波数の近傍の周波数に同調して発振すること
になる。
共鳴周波数をf1からf2の間で変えてやると、発振回路
は、共鳴周波数の近傍の周波数に同調して発振すること
になる。
又本例に於いては共振器を薄膜形成技術によって形成し
たYIG薄膜磁気共鳴素子によって構成するものである
が、この場合、スプリアス（静磁モード）の抑制が望ま
れる。すなわち、単結晶球による磁気共鳴素子（YIG単
結晶球）においては、静磁モードが励磁されにくく、一
様歳差モードによる唯一の共振モードが得られるという
利点があるがYIG薄膜では、たとえ高周波磁界の一様性
の良い場所に置かれても、内部直流磁界が一様でないた
めに、静磁モードが多数励振されてしまうという問題点
がある。円板状フェリ磁性体試料の試料面に垂直に直流
磁界を印加したときの静磁モードについては文献（Jour
nal of Applied Physics,Vol.48,July1977,PP.3001〜30
07）で解析されており、各モードは（n,N）ｍで表示さ
れる。だたし、（n,N）ｍモードは円周方向にｎ個の節
を持ち、直径方向にＮ個の節をもち、厚さ方向に（ｍ−
１）個の節をもつモードである。試料にわたって高周波
磁界の一様性が良い場合には、（1,N）１系列が主要な
静磁モードとなる。第７図は、9GHzの空洞共振器中で測
定された円形YIG薄膜試料のフェリ磁性共鳴の測定結果
で、（1,N）１系列の静磁モードが多数励振されている
様子が示されている。この試料を用いて上述したフィル
タなどのマイクロ波素子を構成する場合には、ユニフォ
ームモードである（1,1）１モードを利用することにな
り、このとき他の静磁モードはすべてスプリアス・レス
ポンスとなり、これによってスプリアス発振やモードジ
ヤンプを起すおそれが生じる。そこで、各フェリ磁性薄
膜（YIG薄膜）磁気共鳴素子において、ユニフォームモ
ードを損うことなく、スプリング・レスポンスとなる静
磁モードの励振を抑制する手段が講じられることが望ま
れる。次に、これについて説明する。
たYIG薄膜磁気共鳴素子によって構成するものである
が、この場合、スプリアス（静磁モード）の抑制が望ま
れる。すなわち、単結晶球による磁気共鳴素子（YIG単
結晶球）においては、静磁モードが励磁されにくく、一
様歳差モードによる唯一の共振モードが得られるという
利点があるがYIG薄膜では、たとえ高周波磁界の一様性
の良い場所に置かれても、内部直流磁界が一様でないた
めに、静磁モードが多数励振されてしまうという問題点
がある。円板状フェリ磁性体試料の試料面に垂直に直流
磁界を印加したときの静磁モードについては文献（Jour
nal of Applied Physics,Vol.48,July1977,PP.3001〜30
07）で解析されており、各モードは（n,N）ｍで表示さ
れる。だたし、（n,N）ｍモードは円周方向にｎ個の節
を持ち、直径方向にＮ個の節をもち、厚さ方向に（ｍ−
１）個の節をもつモードである。試料にわたって高周波
磁界の一様性が良い場合には、（1,N）１系列が主要な
静磁モードとなる。第７図は、9GHzの空洞共振器中で測
定された円形YIG薄膜試料のフェリ磁性共鳴の測定結果
で、（1,N）１系列の静磁モードが多数励振されている
様子が示されている。この試料を用いて上述したフィル
タなどのマイクロ波素子を構成する場合には、ユニフォ
ームモードである（1,1）１モードを利用することにな
り、このとき他の静磁モードはすべてスプリアス・レス
ポンスとなり、これによってスプリアス発振やモードジ
ヤンプを起すおそれが生じる。そこで、各フェリ磁性薄
膜（YIG薄膜）磁気共鳴素子において、ユニフォームモ
ードを損うことなく、スプリング・レスポンスとなる静
磁モードの励振を抑制する手段が講じられることが望ま
れる。次に、これについて説明する。
第８図は厚さｔ、直径Ｄ（半径Ｒ）のYIG円形薄膜の面
に垂直な方向に直流磁界を印加したときの内部直流磁界
Hiの様子を示したものである。ただし、ここではアスペ
クト比t/Dが十分に小さい場合を考えるもので試料の厚
さ方向での磁界分布は無視する。反磁界は円板の内側で
大きく周辺になるほど急に小さくなるため、内部直流磁
界は中央付近で小さく外周付近で急に大きくなってい
る。ところで上記文献の解析結果によれば、Hi＝ω／γ
となる位置でのr/Rの値をξとすれば、静磁モードは０
≦r/R≦ξの領域に存在する。ただしωは静磁モードの
共鳴角周波数であり、γは磁気回転比である。磁界を固
定したときにはモードナンバーＮが大きくなるにつれて
共鳴周波数は高くなり、第９図Ａに示したように静磁モ
ードの領域はだんだん外側まで広がることになる。第９
図Ｂは、（1,N）１モードの低次の３個のモードについ
て高周波磁化の試料内分布を示したもので、絶対値は高
周波磁化の大きさを、符号は高周波磁化の位相関係を示
している。第９図から理解されるように静磁モードの間
で高周波磁化成分は異なった態様となっており、これを
利用すれば、ユニフォームモードにほとんど影響を与え
ることなく、スプリアス・レスポンスとなる静磁モード
の励振を抑圧することが可能となる。
に垂直な方向に直流磁界を印加したときの内部直流磁界
Hiの様子を示したものである。ただし、ここではアスペ
クト比t/Dが十分に小さい場合を考えるもので試料の厚
さ方向での磁界分布は無視する。反磁界は円板の内側で
大きく周辺になるほど急に小さくなるため、内部直流磁
界は中央付近で小さく外周付近で急に大きくなってい
る。ところで上記文献の解析結果によれば、Hi＝ω／γ
となる位置でのr/Rの値をξとすれば、静磁モードは０
≦r/R≦ξの領域に存在する。ただしωは静磁モードの
共鳴角周波数であり、γは磁気回転比である。磁界を固
定したときにはモードナンバーＮが大きくなるにつれて
共鳴周波数は高くなり、第９図Ａに示したように静磁モ
ードの領域はだんだん外側まで広がることになる。第９
図Ｂは、（1,N）１モードの低次の３個のモードについ
て高周波磁化の試料内分布を示したもので、絶対値は高
周波磁化の大きさを、符号は高周波磁化の位相関係を示
している。第９図から理解されるように静磁モードの間
で高周波磁化成分は異なった態様となっており、これを
利用すれば、ユニフォームモードにほとんど影響を与え
ることなく、スプリアス・レスポンスとなる静磁モード
の励振を抑圧することが可能となる。
具体的には、第10図に示すように、GGG基板（51）上に
例えば円形状に形成したYIG薄膜磁気共振素子（52）に
環状の溝（53）を、例えば選択的エッチングによって形
成して、環状の肉薄部を形成する。この場合、YIG薄膜
磁気共振素子（52）は厚さが十分小さくされているもの
とする。
例えば円形状に形成したYIG薄膜磁気共振素子（52）に
環状の溝（53）を、例えば選択的エッチングによって形
成して、環状の肉薄部を形成する。この場合、YIG薄膜
磁気共振素子（52）は厚さが十分小さくされているもの
とする。
溝（53）は（1,1）１モードの高周波磁化がゼロになる
位置に同心円状に形成する。溝（53）は全体が連続して
いても、不連続であってもよい。また、溝（53）で囲ま
れる領域を、第11図に示すように外側領域に比して薄く
なるようにしてもよい。この場合、溝（53）に近接する
内側領域で反磁界が持ち上げられ、この範囲まで反磁界
がほぼ一様になる。換言すれば、第９図Ａに一点鎖線で
示すような内部直流磁界が径方向の広範囲にわたってほ
ぼ一様になる。したがって、ユニフォームモード以外の
静磁モードの励振を一層抑圧することが可能となる。
位置に同心円状に形成する。溝（53）は全体が連続して
いても、不連続であってもよい。また、溝（53）で囲ま
れる領域を、第11図に示すように外側領域に比して薄く
なるようにしてもよい。この場合、溝（53）に近接する
内側領域で反磁界が持ち上げられ、この範囲まで反磁界
がほぼ一様になる。換言すれば、第９図Ａに一点鎖線で
示すような内部直流磁界が径方向の広範囲にわたってほ
ぼ一様になる。したがって、ユニフォームモード以外の
静磁モードの励振を一層抑圧することが可能となる。
このような磁気共鳴素子では、溝（53）によって磁化が
拘束（pin）される。この場合、（1,1）１モードに対し
ては高周波磁化がゼロになる位置に溝（53）があるた
め、（1,1）１モードの励振は影響を受けない。他方、
他の静磁モードに対しては溝（53）の位置が本来高周波
磁化がゼロでない位置にあるため、部分的に磁化が高速
されることとなり、この結果、これらのモードの励振が
弱められることとなる。したがって、ユニフォームモー
ドを損うことなくスプリアス・レスポンスを抑圧するこ
とができる。
拘束（pin）される。この場合、（1,1）１モードに対し
ては高周波磁化がゼロになる位置に溝（53）があるた
め、（1,1）１モードの励振は影響を受けない。他方、
他の静磁モードに対しては溝（53）の位置が本来高周波
磁化がゼロでない位置にあるため、部分的に磁化が高速
されることとなり、この結果、これらのモードの励振が
弱められることとなる。したがって、ユニフォームモー
ドを損うことなくスプリアス・レスポンスを抑圧するこ
とができる。
尚、YIG薄膜における高周波磁化の分布（第９図Ｂ参
照）は試料の飽和磁化の大きさに全く依存せず、しかも
アスペクト比にも大きく依存しないのでフェリ磁性層
（52）の飽和磁化や膜厚が異っても、溝（53）の位置を
それに応じて変える必要はない。
照）は試料の飽和磁化の大きさに全く依存せず、しかも
アスペクト比にも大きく依存しないのでフェリ磁性層
（52）の飽和磁化や膜厚が異っても、溝（53）の位置を
それに応じて変える必要はない。
因みに、YIG薄膜から作製した膜厚20μｍ、半径1mmのYI
G薄膜素子に、半径0.8mmの位置に深さ２μｍの溝（53）
を形成し、これについてマイクロストリップラインを用
いてフェリ磁性共鳴の測定を行ったところ、その挿入損
失の測定結果は第12図に示す結果が得られた。また、無
負荷Ｑ値は775であった。
G薄膜素子に、半径0.8mmの位置に深さ２μｍの溝（53）
を形成し、これについてマイクロストリップラインを用
いてフェリ磁性共鳴の測定を行ったところ、その挿入損
失の測定結果は第12図に示す結果が得られた。また、無
負荷Ｑ値は775であった。
なお、円形状のYIG薄膜共鳴素子ではr/R＝0.8の位置で
（1,1）１モードの高周波磁化がゼロになった。
（1,1）１モードの高周波磁化がゼロになった。
これに比し、同一のYIG薄膜から作製した膜厚20μｍ、
半径1mmのYIG薄膜素子（溝なし）についてマイクロスト
リップラインを用いてフェリ磁性共鳴の測定を行った。
このときの挿入損失の測定結果は第13図に示すようにな
った。また、無負荷Ｑ値は660であった。これらの比較
から理解されるように、本例では（1,1）１モード以外
の静磁モードの励振を抑えられ、スプリアス・レスポン
スを抑圧することができることがわかる。またユニフォ
ームモードを損うことがないので無負荷Ｑ値を損うこと
もない。
半径1mmのYIG薄膜素子（溝なし）についてマイクロスト
リップラインを用いてフェリ磁性共鳴の測定を行った。
このときの挿入損失の測定結果は第13図に示すようにな
った。また、無負荷Ｑ値は660であった。これらの比較
から理解されるように、本例では（1,1）１モード以外
の静磁モードの励振を抑えられ、スプリアス・レスポン
スを抑圧することができることがわかる。またユニフォ
ームモードを損うことがないので無負荷Ｑ値を損うこと
もない。
また、同様にYIG薄膜すなわちフェリ磁性薄膜による磁
気共鳴素子におけるスプリアス・レスポンスとなる静磁
モードの励振を十分に抑えることのできる他の構成とし
ては、フェリ磁性薄膜の内側領域を外側領域に比して薄
くすることが考えられる。これについて説明するに、
今、厚さｔ、直径Ｄ（半径Ｒ）のYIG円形薄膜に、その
膜面に対して垂直な方向に直流磁界Hoを印加したときの
内部直流磁界Hiは、Hi＝Ho−Hd（r/R）−Haとなる。こ
こでHdは反磁界、Haは異方性磁界である。ただし、ここ
ではアスペクト比t/Dが十分に小さい場合を考えるもの
で試料の厚さ方向での磁界分布は無視する。第14図は、
膜厚20μｍ、半径1mmのYIG円板の反磁界Hdを計算により
求めたものである。反磁界は円板の内側で大きく周辺に
なるほど急に小さくなるため、内部直流磁界は中央付近
で小さく外周付近で急に大きくなっている。他方、第15
図は同じYIG溝膜の内側半径0.8mm以内の領域の膜厚を１
μｍ薄くした場合の反磁界分布を計算により求めたもの
である。これをみると、内側の膜厚を少し薄くすること
により、薄くした領域の周辺付近の反磁界が少し持ち上
げられ、反磁界の平坦な領域が広がることがわかる。
気共鳴素子におけるスプリアス・レスポンスとなる静磁
モードの励振を十分に抑えることのできる他の構成とし
ては、フェリ磁性薄膜の内側領域を外側領域に比して薄
くすることが考えられる。これについて説明するに、
今、厚さｔ、直径Ｄ（半径Ｒ）のYIG円形薄膜に、その
膜面に対して垂直な方向に直流磁界Hoを印加したときの
内部直流磁界Hiは、Hi＝Ho−Hd（r/R）−Haとなる。こ
こでHdは反磁界、Haは異方性磁界である。ただし、ここ
ではアスペクト比t/Dが十分に小さい場合を考えるもの
で試料の厚さ方向での磁界分布は無視する。第14図は、
膜厚20μｍ、半径1mmのYIG円板の反磁界Hdを計算により
求めたものである。反磁界は円板の内側で大きく周辺に
なるほど急に小さくなるため、内部直流磁界は中央付近
で小さく外周付近で急に大きくなっている。他方、第15
図は同じYIG溝膜の内側半径0.8mm以内の領域の膜厚を１
μｍ薄くした場合の反磁界分布を計算により求めたもの
である。これをみると、内側の膜厚を少し薄くすること
により、薄くした領域の周辺付近の反磁界が少し持ち上
げられ、反磁界の平坦な領域が広がることがわかる。
したがって上述したように、YIG薄膜素子において内側
領域を外側領域に比して薄くすれば内側領域の反磁界の
平坦な範囲を広げ、これによってスプリアス・レスポン
スを招来する静磁モードを抑圧することができる。例え
ば第16図に示すように、GGG基板（51）上にフェリ磁性
のYIG薄膜素子（52）を形成する。YIG薄膜素子（52）の
上面には凹部（54）を形成し、これによって内側領域を
外側領域に比し薄くする。このYIG薄膜素子（52）の厚
さは十分に小さくしてその厚さ方向での磁界分布を一様
とする。
領域を外側領域に比して薄くすれば内側領域の反磁界の
平坦な範囲を広げ、これによってスプリアス・レスポン
スを招来する静磁モードを抑圧することができる。例え
ば第16図に示すように、GGG基板（51）上にフェリ磁性
のYIG薄膜素子（52）を形成する。YIG薄膜素子（52）の
上面には凹部（54）を形成し、これによって内側領域を
外側領域に比し薄くする。このYIG薄膜素子（52）の厚
さは十分に小さくしてその厚さ方向での磁界分布を一様
とする。
凹部（54）はスプリアス・レスポンスとなる静磁モード
の励振を十分に抑圧しうる程度の位置まで延在させる。
好ましくは、（1,1）１モードの振幅がゼロになるあた
り、たとえば、YIG薄膜素子（52）が円形の場合には、
その径の0.75〜0.85倍の位置まで延在させる。
の励振を十分に抑圧しうる程度の位置まで延在させる。
好ましくは、（1,1）１モードの振幅がゼロになるあた
り、たとえば、YIG薄膜素子（52）が円形の場合には、
その径の0.75〜0.85倍の位置まで延在させる。
因みに、膜厚20μｍ、半径1mmのYIG薄膜磁界共鳴素子
に、これと同心的に深さ1.7μm,半径0.75mmの円形の凹
部（54）を形成し、これについてマイクロストリップラ
インを用いてフェリ磁性共鳴測定を行った挿入損失の測
定結果を、第17図に示す。尚、このときの無深Ｑ値は86
5であった。
に、これと同心的に深さ1.7μm,半径0.75mmの円形の凹
部（54）を形成し、これについてマイクロストリップラ
インを用いてフェリ磁性共鳴測定を行った挿入損失の測
定結果を、第17図に示す。尚、このときの無深Ｑ値は86
5であった。
尚、磁気共鳴素子、例えば上述したYIG薄膜素子による
共振周波数は、素子の飽和磁化に依存するので飽和磁化
の温度特性の影響を直接受けるが、上述した共振回路に
おいて、そのYIG薄膜素子の共振周波数が、例えばその
外囲温度の変化によって変動するようなことがあると、
共振周波数に狂いが生じてしまう。このような不都合を
回避するには、例えばヨーク（１）の磁極（４）（５）
の少なくとも一方に、Y1G薄膜素子（52）とその温度特
性が同一の材料の例えばYIGより成る整磁板を配するこ
とによって、磁気ギャップ（２）における磁界の温度依
存性が、丁度YIG薄膜素子自体の温度依存性を補償する
ように使用させて、結果的にYIG薄膜素子の特性の温度
による変化を減少させることができる。
共振周波数は、素子の飽和磁化に依存するので飽和磁化
の温度特性の影響を直接受けるが、上述した共振回路に
おいて、そのYIG薄膜素子の共振周波数が、例えばその
外囲温度の変化によって変動するようなことがあると、
共振周波数に狂いが生じてしまう。このような不都合を
回避するには、例えばヨーク（１）の磁極（４）（５）
の少なくとも一方に、Y1G薄膜素子（52）とその温度特
性が同一の材料の例えばYIGより成る整磁板を配するこ
とによって、磁気ギャップ（２）における磁界の温度依
存性が、丁度YIG薄膜素子自体の温度依存性を補償する
ように使用させて、結果的にYIG薄膜素子の特性の温度
による変化を減少させることができる。
斯る本例に依れはコイル（６）に供給する電流値により
磁極（４）（５）間に発生する磁束を変化することがで
き、これにより発振周波数を変化することができる。こ
の場合、発振周波数の最低周波数ｆminは ｆmin＝γ（NT・４πMs＋Hs） であり（ここでγは磁気回転比、NTは反磁界係数、Msは
飽和磁化、Hsは飽和磁界である。）、YIG球のNTはNT＝1
/3であり、YIG薄膜のNTはNT≪１であるので、このYIG薄
膜を使用した同調発振器の可変周波数の下限がYIG球を
使用したものより低くなり、それだけ可変周波数範囲が
広くなる。更にYIG球では供給する直流磁界を変えてい
くと、主モードの（110）と他の静磁モードとが同じ周
波数になる場合があり、スプリアス発振、同調ずれの原
因となるが、本例に依るYIG薄膜では直流磁界を変えた
とき（1,N）１モードは揃って周波数変化するため、モ
ードが交差することがなく斯る不都合はない。又一般に
バルクから加工されたYIG円板では両面を鏡面研磨しな
いと無負荷Ｑを高く出来ないが薄膜形成技術により形成
したYIG薄膜では研磨加工の必要がなくまたGGG基板をそ
のまま同調発振器の基板として利用することができる。
磁極（４）（５）間に発生する磁束を変化することがで
き、これにより発振周波数を変化することができる。こ
の場合、発振周波数の最低周波数ｆminは ｆmin＝γ（NT・４πMs＋Hs） であり（ここでγは磁気回転比、NTは反磁界係数、Msは
飽和磁化、Hsは飽和磁界である。）、YIG球のNTはNT＝1
/3であり、YIG薄膜のNTはNT≪１であるので、このYIG薄
膜を使用した同調発振器の可変周波数の下限がYIG球を
使用したものより低くなり、それだけ可変周波数範囲が
広くなる。更にYIG球では供給する直流磁界を変えてい
くと、主モードの（110）と他の静磁モードとが同じ周
波数になる場合があり、スプリアス発振、同調ずれの原
因となるが、本例に依るYIG薄膜では直流磁界を変えた
とき（1,N）１モードは揃って周波数変化するため、モ
ードが交差することがなく斯る不都合はない。又一般に
バルクから加工されたYIG円板では両面を鏡面研磨しな
いと無負荷Ｑを高く出来ないが薄膜形成技術により形成
したYIG薄膜では研磨加工の必要がなくまたGGG基板をそ
のまま同調発振器の基板として利用することができる。
更に、YIG薄膜の静磁モード（1,N）１の主モードである
Ｎ＝１のユニフォームモードを用いているので無負荷Ｑ
が高くSSB位相雑音を下げることができ、外部Ｑが低く
出来るので可変周波数発振範囲を広く出来る。又更に本
例に依ればYIG薄膜を使用しているのでYIG球を使用した
ときの冒頭で述べた不都合はない。
Ｎ＝１のユニフォームモードを用いているので無負荷Ｑ
が高くSSB位相雑音を下げることができ、外部Ｑが低く
出来るので可変周波数発振範囲を広く出来る。又更に本
例に依ればYIG薄膜を使用しているのでYIG球を使用した
ときの冒頭で述べた不都合はない。
又第18図〜第25図は本発明の他の実施例の発振回路を示
す。この第18図〜第25図につき説明するに第５図に対応
する部分には同一符号を付し、その詳細説明は省略す
る。第18図〜第22図は能動素子としてバイポーラトラン
ジスタ（37）を使用した例であり、第23図〜第25図は能
動素子としてガンダイオード、インパットダイオード等
の２端子素子を使用した例である。
す。この第18図〜第25図につき説明するに第５図に対応
する部分には同一符号を付し、その詳細説明は省略す
る。第18図〜第22図は能動素子としてバイポーラトラン
ジスタ（37）を使用した例であり、第23図〜第25図は能
動素子としてガンダイオード、インパットダイオード等
の２端子素子を使用した例である。
第18図は第５図の変形であり結合用のストリップライン
（33）を特性インピーダンスZoを介して接地する様にし
たものでYIG薄膜磁気共鳴素子（35）が共鳴しないとき
はΓＹ＝０即ちΓＹはスミスチャートの中心にくるため
発振が立上るための振幅条件が成立せず寄生発振の可能
性が非常に小さいものである。
（33）を特性インピーダンスZoを介して接地する様にし
たものでYIG薄膜磁気共鳴素子（35）が共鳴しないとき
はΓＹ＝０即ちΓＹはスミスチャートの中心にくるため
発振が立上るための振幅条件が成立せず寄生発振の可能
性が非常に小さいものである。
第19図はYIG薄膜磁気共鳴素子（35）を２つの結合用ス
トリップライン（33）及び（33a）で挟んで構成し、ト
ランジスタ（37）のエミッタをストリップライン（33）
を介して接地すると共にこのトランジスタ（37）のベー
スをストリップライン（33a）を介して接地したもの
で、YIG溝膜磁気共鳴素子（35）を出力回路でない帰還
回路にバンドパスフィルタとしておき、このYIG薄膜磁
気共鳴素子（35）が共鳴したときだけ正帰還がかかり｜
ΓN|＞１の条件が成立するようにしたものである。特に
ベース又はエミッタに接続するストリップラインの一方
の特性インピーダンスZoで終端すると寄生発振の可能性
が小さくなる。
トリップライン（33）及び（33a）で挟んで構成し、ト
ランジスタ（37）のエミッタをストリップライン（33）
を介して接地すると共にこのトランジスタ（37）のベー
スをストリップライン（33a）を介して接地したもの
で、YIG溝膜磁気共鳴素子（35）を出力回路でない帰還
回路にバンドパスフィルタとしておき、このYIG薄膜磁
気共鳴素子（35）が共鳴したときだけ正帰還がかかり｜
ΓN|＞１の条件が成立するようにしたものである。特に
ベース又はエミッタに接続するストリップラインの一方
の特性インピーダンスZoで終端すると寄生発振の可能性
が小さくなる。
第20図はトランジスタ（37）のエミッタをリアクティブ
回路X1を介して接地すると共にこのトランジスタ（37）
のベースをリアクティブ回路X3を介して接地し、このト
ランジスタ（37）のコレクタをYIG薄膜磁気共鳴素子（3
5）の結合用ストリップライン（33）、インピーダンス
整合回路（38）及び負荷（45）の直列回路を介して接地
したもので、YIG薄膜磁気共鳴素子（35）は出力端子に
バンド阻止フイルタとして置かれ、YIG共鳴周波数で信
号の一部が負性抵抗回路に戻されるため自己注入同期型
発振として動作する。
回路X1を介して接地すると共にこのトランジスタ（37）
のベースをリアクティブ回路X3を介して接地し、このト
ランジスタ（37）のコレクタをYIG薄膜磁気共鳴素子（3
5）の結合用ストリップライン（33）、インピーダンス
整合回路（38）及び負荷（45）の直列回路を介して接地
したもので、YIG薄膜磁気共鳴素子（35）は出力端子に
バンド阻止フイルタとして置かれ、YIG共鳴周波数で信
号の一部が負性抵抗回路に戻されるため自己注入同期型
発振として動作する。
第21図はYIG薄膜磁気共鳴素子（35）を２つの結合用ス
トリップライン（33）及び（33a）で挟んで構成し、ト
ランジスタ（37）のコレクタをストリップライン（33
a）を介して接地すると共にインピーダンス整合回路（3
8）の入力端子をストリップライン（33）を介して接地
し、その他は第20図と同様に構成したもので、YIG薄膜
磁気共鳴素子（35）は出力端子にバンドパスフィルタと
して置かれ、このYIG薄膜磁気共鳴素子（35）が共鳴し
ない場合には負荷（45）はショートとなり発振の位相条
件が成立しないが、YIG薄膜磁気共鳴素子（35）が共鳴
したときにはこのYIG薄膜磁気共鳴素子（35）を通して
負荷（45）及びインピーダンス整合回路（38）をみるこ
とになり、発振条件が満たされる。
トリップライン（33）及び（33a）で挟んで構成し、ト
ランジスタ（37）のコレクタをストリップライン（33
a）を介して接地すると共にインピーダンス整合回路（3
8）の入力端子をストリップライン（33）を介して接地
し、その他は第20図と同様に構成したもので、YIG薄膜
磁気共鳴素子（35）は出力端子にバンドパスフィルタと
して置かれ、このYIG薄膜磁気共鳴素子（35）が共鳴し
ない場合には負荷（45）はショートとなり発振の位相条
件が成立しないが、YIG薄膜磁気共鳴素子（35）が共鳴
したときにはこのYIG薄膜磁気共鳴素子（35）を通して
負荷（45）及びインピーダンス整合回路（38）をみるこ
とになり、発振条件が満たされる。
第22図は第５図を並列帰還発振器構成としたものであ
る。第20図及び第21図の夫々についても同様にして並列
帰還発振器構成とすることができる。
る。第20図及び第21図の夫々についても同様にして並列
帰還発振器構成とすることができる。
又第23図はYIG薄膜磁気共鳴素子（35）の結合用ストリ
ップライン（33）の一端を２端子能動素子（37a）を介
して接地する様にすると共にこのストリップライン（3
3）の他端をインピーダンス整合回路（38）及び負荷（4
5）の直列回路を介して接地したものでＡ端子からの
ΓN,ΓＹについて上述の発振条件が成立する。この場合
YIG薄膜磁気共鳴素子（35）は出力端子にバンド阻止フ
ィルタとして置かれYIG共鳴周波数で信号の一部が２端
子能動素子（37a）に戻されるため自己注入同期型発振
器となる。
ップライン（33）の一端を２端子能動素子（37a）を介
して接地する様にすると共にこのストリップライン（3
3）の他端をインピーダンス整合回路（38）及び負荷（4
5）の直列回路を介して接地したものでＡ端子からの
ΓN,ΓＹについて上述の発振条件が成立する。この場合
YIG薄膜磁気共鳴素子（35）は出力端子にバンド阻止フ
ィルタとして置かれYIG共鳴周波数で信号の一部が２端
子能動素子（37a）に戻されるため自己注入同期型発振
器となる。
第24図はYIG薄膜磁気共鳴素子（35）の結合用ストリッ
プライン（33）の一端を接地すると共にこのストリップ
ライン（33）の他端を２端子能動素子（37a）を介して
接地し、このストリップライン（33）の他端をインピー
ダンス整合回路（38）及び負荷（45）の直列回路を介し
て接地したもので、この第24図は第４図の負性抵抗回路
（43）がこの２端子能動素子（37a）としたものであ
る。
プライン（33）の一端を接地すると共にこのストリップ
ライン（33）の他端を２端子能動素子（37a）を介して
接地し、このストリップライン（33）の他端をインピー
ダンス整合回路（38）及び負荷（45）の直列回路を介し
て接地したもので、この第24図は第４図の負性抵抗回路
（43）がこの２端子能動素子（37a）としたものであ
る。
第25図はYIG薄膜磁気共鳴素子（35）を２つの結合用ス
トリップライン（33）及び（33a）で挟んで構成し、２
端子能動素子（37a）の一端を接地すると共にこの他端
をこのストリップライン（33a）を介して接地し、イン
ピーダンス整合回路（38）の入力端子をストリップライ
ン（33）を介して接地し、その他は第23図と同様に構成
したもので、YIG薄膜磁気共鳴素子（35）は出力端子に
バンドパスフィルタとして置かれ、このYIG薄膜磁気共
鳴素子（35）が共鳴しない場合には負荷はショートとな
り発振の位相条件が成立しないが、YIG薄膜磁気共鳴素
子（35）が共鳴したときはYIG薄膜磁気共鳴素子（35）
を通して負荷（45）及びインピーダンス整合回路（38）
をみることになり発振条件が満たされる。
トリップライン（33）及び（33a）で挟んで構成し、２
端子能動素子（37a）の一端を接地すると共にこの他端
をこのストリップライン（33a）を介して接地し、イン
ピーダンス整合回路（38）の入力端子をストリップライ
ン（33）を介して接地し、その他は第23図と同様に構成
したもので、YIG薄膜磁気共鳴素子（35）は出力端子に
バンドパスフィルタとして置かれ、このYIG薄膜磁気共
鳴素子（35）が共鳴しない場合には負荷はショートとな
り発振の位相条件が成立しないが、YIG薄膜磁気共鳴素
子（35）が共鳴したときはYIG薄膜磁気共鳴素子（35）
を通して負荷（45）及びインピーダンス整合回路（38）
をみることになり発振条件が満たされる。
尚、本発明に使用される発振回路は上述実施例に限ら
ず、その他の発振回路が適用できることは勿論である。
又上述実施例では３端子の能動素子としてバイポーラト
ランジスタを使用した例につき述べたが、この３端子能
動素子として電界効果トランジスタが使用できることは
勿論である。又本発明は上述実施例に限らず本発明の要
旨を逸脱することなくその他種々の構成が取り得る。
ず、その他の発振回路が適用できることは勿論である。
又上述実施例では３端子の能動素子としてバイポーラト
ランジスタを使用した例につき述べたが、この３端子能
動素子として電界効果トランジスタが使用できることは
勿論である。又本発明は上述実施例に限らず本発明の要
旨を逸脱することなくその他種々の構成が取り得る。
発明の効果 本発明に依れば例えば液相エピタキシー、スパッタリン
グ、化学的液相成長法等による所謂薄膜技術によるYIG
薄膜磁気共鳴素子を共振器として使用したので、YIGの
利点を有効に生かすと共にYIG薄膜のユニフォームモー
ドの磁気共鳴を用いているので、ユニフォームモード以
外の静磁モードの励振を抑圧し、安定な発振動作をす
る、またYIG球を使用したとき不都合を改善できる利益
がある。
グ、化学的液相成長法等による所謂薄膜技術によるYIG
薄膜磁気共鳴素子を共振器として使用したので、YIGの
利点を有効に生かすと共にYIG薄膜のユニフォームモー
ドの磁気共鳴を用いているので、ユニフォームモード以
外の静磁モードの励振を抑圧し、安定な発振動作をす
る、またYIG球を使用したとき不都合を改善できる利益
がある。
【図面の簡単な説明】 第１図は本発明同調発振器の一実施例を示す断面図、第
２図は発振回路の具体的構造の一例を示す平面図、第３
図は第２図のＡ−Ａ線断面図、第４図は発振回路の説明
に供するブロック図、第５図は発振回路の一例を示す構
成図、第６図は発振動作の説明に供するスミスチャー
ト、第７図、第８図、第９図、第12図、第13図、第14
図、第15図及び第17図は夫々本発明の説明に供する線
図、第10図及び第16図は夫々YIG薄膜磁気共鳴素子の例
を示す斜視図、第11図は第10図の断面図、第18図、第19
図、第20図、第21図、第22図、第23図、第24図及び第25
図は夫々発振回路の例を示す構成図である。 （１）はヨーク、（２）はギャップ、（３）は発振回路
の基板、（４）及び（５）は夫々磁極、（６）はコイ
ル、（33）はストリップライン、（35）はYIG薄膜磁気
共鳴素子、（37）はトランジスタ、（38）はインピーダ
ンス整合回路である。
２図は発振回路の具体的構造の一例を示す平面図、第３
図は第２図のＡ−Ａ線断面図、第４図は発振回路の説明
に供するブロック図、第５図は発振回路の一例を示す構
成図、第６図は発振動作の説明に供するスミスチャー
ト、第７図、第８図、第９図、第12図、第13図、第14
図、第15図及び第17図は夫々本発明の説明に供する線
図、第10図及び第16図は夫々YIG薄膜磁気共鳴素子の例
を示す斜視図、第11図は第10図の断面図、第18図、第19
図、第20図、第21図、第22図、第23図、第24図及び第25
図は夫々発振回路の例を示す構成図である。 （１）はヨーク、（２）はギャップ、（３）は発振回路
の基板、（４）及び（５）は夫々磁極、（６）はコイ
ル、（33）はストリップライン、（35）はYIG薄膜磁気
共鳴素子、（37）はトランジスタ、（38）はインピーダ
ンス整合回路である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭58−182302（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−100702（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−103403（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】能動素子と、該能動素子に電気的に結合さ
れ且つ磁気共鳴現象を利用する磁性体で形成された共振
器と、該共振器に磁界を与える磁気回路とより成る同調
発振器に於いて、上記共振器を薄膜形成技術により形成
されたYIG薄膜のユニフォームモードの磁気共鳴を用い
たことを特徴とする同調発振器。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59114793A JPH0770918B2 (ja) | 1984-06-05 | 1984-06-05 | 同調発振器 |
| CA000483024A CA1268827A (en) | 1984-06-05 | 1985-06-03 | Tuned oscillator |
| US06/740,813 US4626800A (en) | 1984-06-05 | 1985-06-03 | YIG thin film tuned MIC oscillator |
| DE8585106912T DE3585639D1 (de) | 1984-06-05 | 1985-06-04 | Abgestimmter oszillator. |
| EP85106912A EP0164684B1 (en) | 1984-06-05 | 1985-06-04 | Tuned oscillator |
| KR1019850003927A KR940000428B1 (ko) | 1984-06-05 | 1985-06-05 | 동조 발진기 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59114793A JPH0770918B2 (ja) | 1984-06-05 | 1984-06-05 | 同調発振器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60257607A JPS60257607A (ja) | 1985-12-19 |
| JPH0770918B2 true JPH0770918B2 (ja) | 1995-07-31 |
Family
ID=14646825
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59114793A Expired - Lifetime JPH0770918B2 (ja) | 1984-06-05 | 1984-06-05 | 同調発振器 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4626800A (ja) |
| EP (1) | EP0164684B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0770918B2 (ja) |
| KR (1) | KR940000428B1 (ja) |
| CA (1) | CA1268827A (ja) |
| DE (1) | DE3585639D1 (ja) |
Families Citing this family (40)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0628332B2 (ja) * | 1984-06-05 | 1994-04-13 | ソニー株式会社 | 受信機 |
| US4751480A (en) * | 1986-11-14 | 1988-06-14 | Hewlett-Packard Company | One port magnetostatic wave resonator |
| JP2523600B2 (ja) * | 1987-03-18 | 1996-08-14 | 株式会社日立製作所 | 静磁波発振回路 |
| US4887052A (en) * | 1987-11-27 | 1989-12-12 | Sony Corporation | Tuned oscillator utilizing thin film ferromagnetic resonator |
| JP2646594B2 (ja) * | 1987-12-14 | 1997-08-27 | ソニー株式会社 | 同調発振器 |
| JPH0633699Y2 (ja) * | 1987-12-28 | 1994-08-31 | ソニー株式会社 | 同調発振器 |
| JPH0287705A (ja) * | 1988-09-24 | 1990-03-28 | Mitsubishi Electric Corp | 同調形発振器 |
| JP2666910B2 (ja) * | 1989-03-24 | 1997-10-22 | 日立金属株式会社 | 静磁波素子 |
| US4988959A (en) * | 1989-10-31 | 1991-01-29 | Avantek, Inc. | YIG tuned oscillator using composite feedback |
| US5204641A (en) * | 1992-03-11 | 1993-04-20 | Space Systems/Loral, Inc. | Conducting plane resonator stabilized oscillator |
| US6179976B1 (en) * | 1999-12-03 | 2001-01-30 | Com Dev Limited | Surface treatment and method for applying surface treatment to suppress secondary electron emission |
| JP3768789B2 (ja) * | 2000-09-07 | 2006-04-19 | アルプス電気株式会社 | 超音波振動子及びウエット処理用ノズル並びにウエット処理装置 |
| EP1344076A1 (en) * | 2000-10-09 | 2003-09-17 | Regents Of The University Of Minnesota | Method and apparatus for magnetic resonance imaging and spectroscopy using microstrip transmission line coils |
| US6690251B2 (en) | 2001-04-11 | 2004-02-10 | Kyocera Wireless Corporation | Tunable ferro-electric filter |
| US7221243B2 (en) | 2001-04-11 | 2007-05-22 | Kyocera Wireless Corp. | Apparatus and method for combining electrical signals |
| US6937195B2 (en) * | 2001-04-11 | 2005-08-30 | Kyocera Wireless Corp. | Inverted-F ferroelectric antenna |
| US7164329B2 (en) | 2001-04-11 | 2007-01-16 | Kyocera Wireless Corp. | Tunable phase shifer with a control signal generator responsive to DC offset in a mixed signal |
| US7154440B2 (en) | 2001-04-11 | 2006-12-26 | Kyocera Wireless Corp. | Phase array antenna using a constant-gain phase shifter |
| US7746292B2 (en) | 2001-04-11 | 2010-06-29 | Kyocera Wireless Corp. | Reconfigurable radiation desensitivity bracket systems and methods |
| US7394430B2 (en) | 2001-04-11 | 2008-07-01 | Kyocera Wireless Corp. | Wireless device reconfigurable radiation desensitivity bracket systems and methods |
| US7174147B2 (en) | 2001-04-11 | 2007-02-06 | Kyocera Wireless Corp. | Bandpass filter with tunable resonator |
| US7071776B2 (en) | 2001-10-22 | 2006-07-04 | Kyocera Wireless Corp. | Systems and methods for controlling output power in a communication device |
| US7176845B2 (en) | 2002-02-12 | 2007-02-13 | Kyocera Wireless Corp. | System and method for impedance matching an antenna to sub-bands in a communication band |
| US7184727B2 (en) | 2002-02-12 | 2007-02-27 | Kyocera Wireless Corp. | Full-duplex antenna system and method |
| US7180467B2 (en) | 2002-02-12 | 2007-02-20 | Kyocera Wireless Corp. | System and method for dual-band antenna matching |
| US7720443B2 (en) | 2003-06-02 | 2010-05-18 | Kyocera Wireless Corp. | System and method for filtering time division multiple access telephone communications |
| WO2005086817A2 (en) * | 2004-03-08 | 2005-09-22 | New York University | Active radio frequency coil for high field magnetic resonance imaging |
| US7248845B2 (en) | 2004-07-09 | 2007-07-24 | Kyocera Wireless Corp. | Variable-loss transmitter and method of operation |
| US20060080414A1 (en) * | 2004-07-12 | 2006-04-13 | Dedicated Devices, Inc. | System and method for managed installation of a computer network |
| WO2006029649A1 (en) * | 2004-09-15 | 2006-03-23 | Commissariat A L'energie Atomique | Microwave oscillator tuned with a ferromagnetic thin film |
| US7548762B2 (en) | 2005-11-30 | 2009-06-16 | Kyocera Corporation | Method for tuning a GPS antenna matching network |
| US7520325B2 (en) * | 2006-02-27 | 2009-04-21 | Geosierra Llc | Enhanced hydrocarbon recovery by in situ combustion of oil sand formations |
| US7986454B1 (en) | 2006-07-03 | 2011-07-26 | Terahertz Technologies Llc | Tunable terahertz generator using a magnon gain medium with an antenna |
| US7706056B2 (en) | 2006-07-03 | 2010-04-27 | Terahertz Technologies Llc | Modulation of terahertz radiation |
| US8031397B1 (en) | 2006-07-03 | 2011-10-04 | Terahertz Technologies, Llc | Three-level magnon laser at room temperatures |
| US7430074B2 (en) * | 2006-07-03 | 2008-09-30 | Terahertz Technologies, Llc | Generation of Terahertz waves |
| US8427740B1 (en) | 2010-03-10 | 2013-04-23 | Terahertz Technologies Llc | Modulation of terahertz radiation at room temperatures |
| JP6691622B1 (ja) | 2019-04-11 | 2020-04-28 | 株式会社フジクラ | 導波路装置 |
| CN113540717B (zh) * | 2021-09-15 | 2021-12-03 | 成都威频科技有限公司 | 一种可调带通滤波器 |
| CN118646371B (zh) * | 2024-08-09 | 2024-11-15 | 成都威频科技有限公司 | 一种低谐波相噪yig振荡器及振荡实现方法 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5132252B1 (ja) * | 1970-05-21 | 1976-09-11 | ||
| GB1356260A (en) * | 1970-11-05 | 1974-06-12 | Nat Res Dev | Tunable microwave filters |
| FR2116223B1 (ja) * | 1970-11-06 | 1974-06-21 | Lignes Telegraph Telephon | |
| US3879677A (en) * | 1973-07-20 | 1975-04-22 | Varian Associates | Tuned oscillator circuit having a tuned filter output |
| US4152676A (en) * | 1977-01-24 | 1979-05-01 | Massachusetts Institute Of Technology | Electromagnetic signal processor forming localized regions of magnetic wave energy in gyro-magnetic material |
| FR2419609A1 (fr) * | 1978-03-07 | 1979-10-05 | Thomson Csf | Oscillateur du type " tri-porte ", accordable electroniquement sur une tres large bande de frequences |
| FR2447641A1 (fr) * | 1979-01-26 | 1980-08-22 | Thomson Csf | Oscillateur accordable hyperfrequence a ondes magnetostatiques |
| JPS58182302A (ja) * | 1982-04-19 | 1983-10-25 | Sony Corp | 磁性共鳴装置 |
| CA1204181A (en) * | 1982-12-06 | 1986-05-06 | Yoshikazu Murakami | Ferromagnetic resonator |
| US4528529A (en) * | 1983-12-12 | 1985-07-09 | Hewlett-Packard Company | Magnetostatic wave resonator |
| JPH0628332B2 (ja) * | 1984-06-05 | 1994-04-13 | ソニー株式会社 | 受信機 |
-
1984
- 1984-06-05 JP JP59114793A patent/JPH0770918B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1985
- 1985-06-03 US US06/740,813 patent/US4626800A/en not_active Expired - Lifetime
- 1985-06-03 CA CA000483024A patent/CA1268827A/en not_active Expired - Lifetime
- 1985-06-04 DE DE8585106912T patent/DE3585639D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1985-06-04 EP EP85106912A patent/EP0164684B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1985-06-05 KR KR1019850003927A patent/KR940000428B1/ko not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR940000428B1 (ko) | 1994-01-20 |
| EP0164684B1 (en) | 1992-03-18 |
| DE3585639D1 (de) | 1992-04-23 |
| JPS60257607A (ja) | 1985-12-19 |
| CA1268827A (en) | 1990-05-08 |
| EP0164684A2 (en) | 1985-12-18 |
| US4626800A (en) | 1986-12-02 |
| KR860000746A (ko) | 1986-01-30 |
| EP0164684A3 (en) | 1988-04-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0770918B2 (ja) | 同調発振器 | |
| Murakami et al. | A 0.5-4.0-GHz tunable bandpass filter using YIG film grown by LPE | |
| US4704739A (en) | Receiving circuit for converting signals comprising at least two ferromagnetic resonators | |
| EP0320825A2 (en) | Yig tuned oscillator | |
| US4743874A (en) | Magnetostatic wave tunable resonator | |
| Du et al. | A magnetically tunable bandpass filter with high out-of-band suppression | |
| US5801591A (en) | Microwave linear oscillator/amplifier utilizing a multicoupled ferrite resonator | |
| US4992760A (en) | Magnetostatic wave device and chip therefor | |
| US4751480A (en) | One port magnetostatic wave resonator | |
| JP2000151228A (ja) | 共振器装置、発振器、フィルタ、デュプレクサ、通信機装置 | |
| US4983936A (en) | Ferromagnetic resonance device | |
| US5512868A (en) | Magnetostatic microwave device having large impedance change at resonance | |
| KR20000068615A (ko) | 정자파 디바이스 | |
| US5053734A (en) | Magnetostatic wave device | |
| CN1003971B (zh) | 调谐振荡器 | |
| JPH061886B2 (ja) | 受信機 | |
| JP2595660B2 (ja) | フェリ磁性共鳴装置 | |
| Kinoshita et al. | Planar resonator and integrated oscillator using magnetostatic waves | |
| CN120377862A (zh) | 一种多物理场耦合高q值磁声谐振器 | |
| JP2517913B2 (ja) | 強磁性共鳴装置 | |
| JPS60260202A (ja) | 帯域通過フイルタ | |
| GB2194685A (en) | Ferromagnetic resonance devices | |
| JPH05199015A (ja) | 静磁波素子 | |
| JP2508424B2 (ja) | 強磁性共鳴装置 | |
| JP2658306B2 (ja) | フェリ磁性体薄膜フィルタ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |