JPH077112A - Resin-sealed semiconductor device - Google Patents

Resin-sealed semiconductor device

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JPH077112A
JPH077112A JP5144561A JP14456193A JPH077112A JP H077112 A JPH077112 A JP H077112A JP 5144561 A JP5144561 A JP 5144561A JP 14456193 A JP14456193 A JP 14456193A JP H077112 A JPH077112 A JP H077112A
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JP
Japan
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resin
lead
semiconductor device
sealing body
resin sealing
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JP5144561A
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Japanese (ja)
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Hitoshi Matsui
仁 松井
Naomi Kagaya
直美 加賀谷
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Hitachi Ltd
Akita Electronics Systems Co Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Akita Electronics Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 樹脂封止体１からリード(インナーリード、
放熱リード)４が剥離するのを防止し、樹脂封止型半導
体装置の信頼性を高める。 【構成】 リード４の一表面上が樹脂封止体１で覆わ
れ、且つこのリード４の一表面と対向するその裏面４Ａ
が前記樹脂封止体１の一表面から露出されている樹脂封
止型半導体装置において、前記リード４に、このリード
４の一表面に比べて前記樹脂封止体１側に突出した突起
リード６を設ける。 (57) [Summary] [Purpose] Lead from the resin encapsulant 1 (inner lead,
It is possible to prevent the heat dissipation lead (4) from peeling and improve the reliability of the resin-sealed semiconductor device. [Structure] One surface of the lead 4 is covered with the resin sealing body 1, and its back surface 4A is opposed to the one surface of the lead 4.
In the resin-encapsulated semiconductor device in which is exposed from one surface of the resin encapsulation body 1, the lead 4 has a protruding lead 6 protruding toward the resin encapsulation body 1 side as compared with the one surface of the lead 4. To provide.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【０００１】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、樹脂封止型半導体装置
に関し、特に、リードの一表面上が樹脂封止体で覆わ
れ、且つこのリードの一表面と対向するその裏面が前記
樹脂封止体の一表面から露出されている樹脂封止型半導
体装置に適用して有効な技術に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a resin-encapsulated semiconductor device, and more particularly, one surface of a lead is covered with a resin encapsulant, and the back surface facing the one surface of the lead is the resin encapsulation. The present invention relates to a technique effectively applied to a resin-sealed semiconductor device exposed from one surface of a stopper.

【０００２】[0002]

【従来の技術】回路システムが塔載された半導体ペレッ
トを保護する目的として、半導体ペレットを樹脂封止体
で封止する樹脂封止型半導体装置がある。本発明者が開
発中の樹脂封止型半導体装置は、タブのペレット塔載面
上に接着層を介在して半導体ペレットが塔載され、タブ
のペレット塔載面と対向するその裏面が樹脂封止体の一
表面である実装面から露出された構造で構成される。こ
の種の樹脂封止型半導体装置は面実装型のフラットパッ
ケージ構造で構成される。2. Description of the Related Art There is a resin-sealed semiconductor device in which a semiconductor pellet is sealed with a resin sealing body for the purpose of protecting the semiconductor pellet on which a circuit system is mounted. In a resin-sealed semiconductor device under development by the present inventor, semiconductor pellets are mounted on a pellet tower mounting surface of a tab with an adhesive layer interposed, and the back surface of the tab facing the pellet mounting surface of the tab is sealed with a resin. The structure is exposed from the mounting surface, which is one surface of the stopper. This type of resin-encapsulated semiconductor device has a surface-mounted flat package structure.

【０００３】前記半導体ペレットは例えば平面が長方形
状に形成された単結晶珪素基板を主体にして構成され
る。この単結晶珪素基板の主面には回路システムとして
例えばパワーＭＯＳＦＥＴ（Ｍetal Ｏxide Ｓemicondu
ctor Ｆield Ｅffect Ｔransistor)が塔載される。ま
た、単結晶珪素基板の主面上には、長方形状の各辺に沿
って配列された複数個の外部端子(ボンディングパッド)
が配置される。The semiconductor pellet is mainly composed of, for example, a single crystal silicon substrate having a rectangular plane. The single crystal silicon for example, a power MOSFET as a circuit system on the main surface of the substrate (M etal O xide S emicondu
ctor F ield E ffect T ransistor) is the tower. Further, on the main surface of the single crystal silicon substrate, a plurality of external terminals (bonding pads) arranged along each side of the rectangular shape.
Are placed.

【０００４】前記半導体ペレットの外周囲の外側にはイ
ンナーリードが配置される。インナーリードは、例えば
半導体ペレットの各辺毎に１本づつ配置され、合計４本
配置される。この４本のインナーリードの夫々は、ボン
ディングワイヤを介して半導体ペレットの外部端子の夫
々に夫々毎に電気的に接続される。Inner leads are arranged outside the outer periphery of the semiconductor pellet. For example, one inner lead is arranged on each side of the semiconductor pellet, and a total of four inner leads are arranged. Each of the four inner leads is electrically connected to each of the external terminals of the semiconductor pellet via a bonding wire.

【０００５】前記樹脂封止体は、例えば平面が長方形状
に形成され、トランスファモールド法に基づいて成形さ
れる。この樹脂封止体は、低応力化を図るために例えば
フェノール系硬化剤、シリコーンゴム及びフィラーが添
加されると共に、トランスファモールド時における成形
金型からの離脱を容易にするために離型剤が添加された
絶縁性のエポキシ系樹脂で形成される。The resin encapsulant is formed, for example, in a rectangular plane shape, and is molded by the transfer molding method. The resin encapsulant is added with, for example, a phenolic curing agent, silicone rubber and a filler in order to reduce stress, and a release agent is added in order to facilitate release from the molding die during transfer molding. It is made of added insulating epoxy resin.

【０００６】前記樹脂封止体の外周囲の外側にはアウタ
ーリードが配置される。アウターリードは、例えば樹脂
止体の各辺毎に１本づつ配置され、合計４本配置され
る。この４本のアウターリードの夫々は、前記４本のイ
ンナーリードの夫々と夫々毎に一体に形成される。Outer leads are arranged outside the outer periphery of the resin sealing body. For example, one outer lead is arranged on each side of the resin stopper, and a total of four outer leads are arranged. Each of the four outer leads is integrally formed with each of the four inner leads.

【０００７】前記４本のインナーリードの夫々の一表面
であるボンディング面上は樹脂封止体で覆われている。
この４本のインナーリードの夫々のボンディング面と対
向するその夫々の裏面は樹脂封止体の実装面から露出し
ている。４本のインナーリードのうち、半導体ペレット
の互いに対向する短辺の夫々の辺側に配置される２本の
インナーリードの夫々はタブと一体に形成される。タブ
の裏面は樹脂封止体の実装面から露出している。タブ及
びこのタブと一体に形成されるインナーリードは、半導
体ペレットに塔載された回路システムの動作で発生する
熱が伝導され、この伝導された熱を外部に放出する放熱
リードとして構成される。The bonding surface, which is the surface of each of the four inner leads, is covered with a resin encapsulant.
The respective back surfaces of the four inner leads facing the respective bonding surfaces are exposed from the mounting surface of the resin sealing body. Of the four inner leads, each of the two inner leads arranged on each side of the opposing short sides of the semiconductor pellet is formed integrally with the tab. The back surface of the tab is exposed from the mounting surface of the resin sealing body. The tabs and the inner leads integrally formed with the tabs are configured as heat dissipation leads through which heat generated by the operation of the circuit system mounted on the semiconductor pellets is conducted and which releases the conducted heat to the outside.

【０００８】前記半導体ペレットの主面上は樹脂封止体
で覆われている。また、半導体ペレットの主面と対向す
る裏面はタブで覆われている。つまり、半導体ペレット
は樹脂封止体及びタブで封止される。The main surface of the semiconductor pellet is covered with a resin encapsulant. The back surface of the semiconductor pellet, which faces the main surface, is covered with a tab. That is, the semiconductor pellet is sealed with the resin sealing body and the tab.

【０００９】このように構成される樹脂封止型半導体装
置は、樹脂封止体の実装面を下にして実装基板の実装面
上に実装され、半導体ペレットに塔載された回路システ
ムの動作で発生する熱を放熱リード（タブ及びこのタブ
に一体に形成された２本のインナーリード）を介して実
装基板に伝導し、放熱効率を高めている。The resin-encapsulated semiconductor device configured as described above is mounted on the mounting surface of the mounting substrate with the mounting surface of the resin sealing body facing down, and is operated by the circuit system mounted on the semiconductor pellet. The generated heat is conducted to the mounting board through the heat radiation leads (the tab and the two inner leads formed integrally with the tab) to enhance the heat radiation efficiency.

【００１０】[0010]

【発明が解決しようとする課題】本発明者は、前述の樹
脂封止型半導体装置について検討した結果、以下の問題
点を見出した。The present inventor has found the following problems as a result of examining the above-mentioned resin-encapsulated semiconductor device.

【００１１】前記樹脂封止型半導体装置は、半導体ペレ
ットに塔載された回路システムの動作で発生する熱を放
出するために樹脂封止体の裏面から放熱リード（タブ及
びこのタブに一体に形成されたインナーリード）の裏面
が露出した構造で構成されると共に、放熱リードの裏面
を露出するために他のインナーリードの裏面も露出した
構造で構成されるので、樹脂封止体に支持される放熱リ
ード、他のインナーリードの夫々の支持力が低下する。
また、樹脂封止体にはトランスファモールド時における
成形金型からの離脱を容易にするために離型剤が添加さ
れているので、放熱リード、他のインナーリードの夫々
と樹脂封止体との界面の密着性が低下する。このため、
樹脂封止体から放熱リード、他のインナーリードの夫々
が剥離し、樹脂封止型半導体装置の信頼性が低下すると
いう問題があった。In the resin-encapsulated semiconductor device, in order to release heat generated by the operation of the circuit system mounted on the semiconductor pellets, heat radiation leads (tabs and integrally formed on the tabs are formed from the back surface of the resin encapsulation body. The inner back surface of the inner lead is exposed, and the back surface of the other inner lead is also exposed to expose the back surface of the heat dissipation lead, so that it is supported by the resin sealing body. The supporting force of each of the heat radiation lead and the other inner leads is reduced.
Further, since the mold release agent is added to the resin encapsulant for facilitating the release from the molding die during the transfer molding, the heat dissipation lead and the other inner leads are separated from the resin encapsulant. The adhesion at the interface is reduced. For this reason,
There has been a problem that the heat dissipation lead and other inner leads are peeled off from the resin encapsulation body, and the reliability of the resin encapsulation type semiconductor device is lowered.

【００１２】本発明の目的は、リードの一表面上が樹脂
封止体で覆われ、且つこのリードの一表面と対向するそ
の裏面が前記樹脂封止体の一表面から露出されている樹
脂封止体型半導体装置において、前記樹脂封止体からリ
ードが剥離するのを防止し、樹脂封止体型半導体装置の
信頼性を高めることが可能な技術を提供することにあ
る。An object of the present invention is to provide a resin encapsulation in which one surface of a lead is covered with a resin encapsulant, and the back surface of the lead facing the one surface is exposed from the one surface of the resin encapsulant. It is an object of the present invention to provide a technique capable of preventing the lead from peeling from the resin encapsulation body in the stationary body semiconductor device and improving the reliability of the resin encapsulation type semiconductor device.

【００１３】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らか
になるであろう。The above and other objects and novel features of the present invention will be apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.

【００１４】[0014]

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。Among the inventions disclosed in the present application, a brief description will be given to the outline of typical ones.
It is as follows.

【００１５】リードの一表面上が樹脂封止体で覆われ、
且つこのリードの一表面と対向するその裏面が前記樹脂
封止体の一表面から露出されている樹脂封止型半導体装
置において、前記リードに、このリードの一表面に比べ
て前記樹脂封止体側に突出した突起リードを設ける。One surface of the lead is covered with a resin sealing body,
In the resin-sealed semiconductor device, the back surface of which faces the one surface of the lead is exposed from the one surface of the resin-sealed body. Providing a protruding lead protruding to the.

【００１６】[0016]

【作用】上述した手段によれば、突起リードが樹脂封止
体で封止され、この突起リードで樹脂封止体に保持され
るリードの保持力を高めることができるので、樹脂封止
体からリードが剥離するのを防止できる。この結果、樹
脂封止型半導体装置の信頼性を高めることができる。According to the above-mentioned means, the protruding lead is sealed with the resin encapsulant, and the retaining force of the lead held by the resin encapsulant with the protruding lead can be increased. It is possible to prevent the leads from peeling. As a result, the reliability of the resin-sealed semiconductor device can be improved.

【００１７】以下、本発明の構成について、樹脂封止型
半導体装置に本発明を適用した一実施例とともに説明す
る。The structure of the present invention will be described below together with an embodiment in which the present invention is applied to a resin-sealed semiconductor device.

【００１８】なお、実施例を説明するための全図におい
て、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り
返しの説明は省略する。In all the drawings for explaining the embodiments, parts having the same functions are designated by the same reference numerals, and the repeated description thereof will be omitted.

【００１９】[0019]

【実施例】本発明の一実施例である樹脂封止型半導体装
置の概略構成を図２(斜視図)、図３(樹脂封止体の上部
を除去した状態の平面図)及び図４（図１に示すＡ−Ａ
切断線で切った断面図）に示す。EXAMPLE FIG. 2 (perspective view), FIG. 3 (plan view with the upper part of the resin encapsulant removed) and FIG. 4 (schematic view) of a resin-encapsulated semiconductor device according to an embodiment of the present invention. AA shown in FIG.
A cross-sectional view taken along the cutting line).

【００２０】図２、図３及び図４に示すように、本実施
例の樹脂封止型半導体装置は面実装型のフラットパッケ
ージ構造で構成される。この樹脂封止型半導体装置は、
タブ３のペレット塔載面３Ａ上に接着層８を介在して半
導体ペレット２が塔載され、タブ３のペレット塔載面３
Ａと対向するその裏面３Ｂが樹脂封止体１の一表面であ
る実装面１Ｂから露出された構造で構成される。接着層
４は例えば導電性のＡｕ膜、Ａｕ−Ｓｎ合金膜、Ｐｂ−
Ｓｎ合金膜等で形成される。As shown in FIGS. 2, 3 and 4, the resin-encapsulated semiconductor device of this embodiment has a surface mount type flat package structure. This resin-sealed semiconductor device is
The semiconductor pellets 2 are mounted on the pellet tower mounting surface 3A of the tab 3 with the adhesive layer 8 interposed therebetween.
The back surface 3B facing A is configured to be exposed from the mounting surface 1B which is one surface of the resin sealing body 1. The adhesive layer 4 is, for example, a conductive Au film, Au-Sn alloy film, Pb-
It is formed of a Sn alloy film or the like.

【００２１】前記半導体ペレット２は例えば平面が長方
形状に形成された単結晶珪素基板を主体にして構成され
る。この単結晶珪素基板の主面には回路システムとして
例えばパワーＭＩＳＦＥＴ(Ｍetal Ｉnsulator Ｓemico
nductor ＦＥＴ）が塔載される。また、単結晶珪素基板
の主面上には、方形状の各辺に沿って配列された複数個
の外部端子が配置される。The semiconductor pellet 2 is mainly composed of, for example, a single crystal silicon substrate having a rectangular plane. The single crystal silicon for example, a power MISFET as a circuit system on the main surface of the substrate (M etal I nsulator Semico
nductor FET ) is mounted. Further, on the main surface of the single crystal silicon substrate, a plurality of external terminals arranged along each side of the rectangular shape are arranged.

【００２２】前記半導体ペレット２の外周囲の外側には
インナーリード４が配置される。インナーリード４は、
例えば半導体ペレット２の各辺毎に１本づつ配置され、
合計４本配置される。この４本のインナーリード４の夫
々の一表面であるボンディング面４Ａには各ボンディン
グワイヤ７の一端が接続され、各ボンディングワイヤ７
の他端は半導体ペレット２の外部端子に接続される。つ
まり、４本のインナーリードの夫々は各ボンディングワ
イヤ７を介して半導体ペレット２の外部端子に夫々毎に
電気的に接続される。Inner leads 4 are arranged outside the outer periphery of the semiconductor pellet 2. The inner lead 4 is
For example, one is arranged on each side of the semiconductor pellet 2,
A total of four are arranged. One end of each bonding wire 7 is connected to the bonding surface 4A which is one surface of each of the four inner leads 4, and each bonding wire 7
The other end of is connected to the external terminal of the semiconductor pellet 2. That is, each of the four inner leads is electrically connected to the external terminal of the semiconductor pellet 2 via each bonding wire 7.

【００２３】前記樹脂封止体１は、例えば平面が長方形
状に形成され、トランスファモールド法に基づいて成形
される。この樹脂封止体１は、低応力化を図るために例
えばフェノール系硬化剤、シリコーン及びフィラーが添
加されると共に、トランスファモールド時における成形
金型からの離脱を容易にするために離型剤が添加された
絶縁性のエポキシ系樹脂で形成される。The resin encapsulant 1 is formed, for example, in a rectangular plane shape and is molded by the transfer molding method. The resin encapsulant 1 is added with, for example, a phenol-based curing agent, silicone, and a filler in order to reduce stress, and a release agent is added in order to facilitate release from the molding die during transfer molding. It is made of added insulating epoxy resin.

【００２４】前記樹脂封止体１の外周囲の外側にはアウ
ターリード５が配置される。アウターリード５は、例え
ば樹脂封止体１の各辺毎に１本づつ配置され、合計４本
配置される。この４本のアウターリード５の夫々は、前
記４本のインナーリード４の夫々と夫々毎に一体に形成
される。インナーリード４、アウターリード５の夫々
は、例えばＦｅ−Ｎｉ(例えばＮｉ含有率４２又は５０
［％］)合金、Ｃｕ系合金等で形成される。Outer leads 5 are arranged outside the outer periphery of the resin sealing body 1. For example, one outer lead 5 is arranged for each side of the resin sealing body 1, and a total of four outer leads 5 are arranged. Each of the four outer leads 5 is integrally formed with each of the four inner leads 4. Each of the inner lead 4 and the outer lead 5 is made of, for example, Fe-Ni (for example, Ni content of 42 or 50).
[%]) Alloy, Cu-based alloy, or the like.

【００２５】前記４本のインナーリード４の夫々のボン
ディング面４Ａ上は樹脂封止体１で覆われている。この
４本のインナーリード４の夫々のボンディング面４Ａと
対向するその夫々の裏面４Ｂは樹脂封止体１の実装面１
Ｂから露出された構造で構成される。４本のインナーリ
ード４のうち、半導体ペレット２の互いに対向する短辺
の夫々の辺側に配置される２本のインナーリード４の夫
々はタブ３と一体に形成される。このタブ３は、樹脂封
止体１の裏面１Ｂから露出した構造で構成される。タブ
３及びこのタブ３と一体に形成されるインナーリード４
は、半導体ペレット２に塔載された回路システムの動作
で発生する熱が伝導され、この伝導された熱を外部に放
出する放熱リードとして構成される。放熱リードには例
えば基準電圧(例えば０［Ｖ］)が印加される。The bonding surface 4A of each of the four inner leads 4 is covered with the resin sealing body 1. The back surfaces 4B of the four inner leads 4 facing the respective bonding surfaces 4A are mounted on the mounting surface 1 of the resin sealing body 1.
The structure is exposed from B. Of the four inner leads 4, each of the two inner leads 4 arranged on the side of each of the shorter sides of the semiconductor pellet 2 facing each other is formed integrally with the tab 3. The tab 3 has a structure exposed from the back surface 1B of the resin sealing body 1. The tab 3 and the inner lead 4 formed integrally with the tab 3
Is configured as a heat radiation lead through which the heat generated by the operation of the circuit system mounted on the semiconductor pellet 2 is conducted and which releases the conducted heat to the outside. A reference voltage (for example, 0 [V]) is applied to the heat radiation lead.

【００２６】前記半導体ペレット２の主面上は樹脂封止
体１で覆われた構造で構成される。また、半導体ペレッ
ト２の主面と対向するその裏面上はタブ３で覆われた構
造で構成される。つまり、半導体ペレット２は、樹脂封
止体１及びタブ３で封止される。The main surface of the semiconductor pellet 2 is constructed so as to be covered with the resin sealing body 1. The back surface of the semiconductor pellet 2 facing the main surface is covered with the tab 3. That is, the semiconductor pellet 2 is sealed with the resin sealing body 1 and the tab 3.

【００２７】前記放熱リードを構成するインナーリード
４には、図４及び図１(要部斜視図)に示すように、突起
リード６が形成される。突起リード６は、インナーリー
ド４のボンディング面４Ａに比べて樹脂封止体１側に突
出した構造で構成され、樹脂封止体１で封止されている
(樹脂封止体１内に埋め込まれている)。この突起リード
６は、例えばインナーリード４に一体に形成され、イン
ナーリード４のボンディング面４Ａに対して垂直方向に
突出した構造で構成される。このように、放熱リードを
構成するインナーリード４に樹脂封止体１で封止された
突起リード６を設けることにより、樹脂封止体１に保持
される放熱リード（タブ３及びこのタブ３に一体に形成
されたインナーリード４）の保持力を高めることができ
るので、樹脂封止体１から放熱リードが剥離するのを防
止できる。As shown in FIG. 4 and FIG. 1 (perspective view of a main part), a protruding lead 6 is formed on the inner lead 4 which constitutes the heat dissipation lead. The protruding lead 6 has a structure protruding toward the resin sealing body 1 side as compared with the bonding surface 4A of the inner lead 4 and is sealed with the resin sealing body 1.
(Embedded in the resin sealing body 1). The protruding lead 6 is formed integrally with the inner lead 4, for example, and has a structure protruding in a direction perpendicular to the bonding surface 4A of the inner lead 4. In this way, by providing the protruding leads 6 sealed with the resin sealing body 1 on the inner leads 4 constituting the heat radiating leads, the heat radiating leads (the tabs 3 and the tabs 3) held by the resin sealing body 1 are provided. Since the holding force of the integrally formed inner lead 4) can be increased, it is possible to prevent the heat dissipation lead from peeling off from the resin sealing body 1.

【００２８】前記半導体ペレット２の互いに対向する長
辺の夫々の辺側に配置されるインナーリード(単独のイ
ンナーリード)４には、前述と同様に突起リード６が形
成される。このように、インナーリード４に樹脂封止体
１で封止された突起リード６を設けることにより、樹脂
封止体１に保持されるインナーリード４の保持力を高め
ることができるので、樹脂封止体１からインナーリード
４が剥離するのを防止できる。なお、前記突起リード６
は、少なくとも樹脂封止体１内に封止されていればよい
ので、樹脂封止体１の実装面１Ｂに対して鋭角をなす角
度で構成してもよい。On the inner leads (single inner leads) 4 arranged on the respective long sides of the semiconductor pellet 2 facing each other, the protruding leads 6 are formed as described above. By thus providing the inner leads 4 with the protruding leads 6 sealed with the resin sealing body 1, the holding force of the inner leads 4 held by the resin sealing body 1 can be increased, so that the resin sealing It is possible to prevent the inner lead 4 from peeling off from the stopper 1. The protrusion lead 6
Since it has only to be sealed in the resin sealing body 1, it may be configured at an acute angle with respect to the mounting surface 1B of the resin sealing body 1.

【００２９】このように構成される樹脂封止型半導体装
置は、樹脂封止体１の実装面１Ｂを下にして実装基板の
実装面上に実装され、半導体ペレット２に塔載された回
路システムの動作で発生する熱を放熱リードを介して実
装基板に伝導し、放熱効率を高めている。The resin-encapsulated semiconductor device thus configured is mounted on the mounting surface of the mounting substrate with the mounting surface 1B of the resin sealing body 1 facing downward, and is mounted on the semiconductor pellet 2 in a circuit system. The heat generated by the operation of (3) is conducted to the mounting board through the heat radiation lead, and the heat radiation efficiency is improved.

【００３０】このように、インナーリード４の一表面で
あるボンディング面４Ａが樹脂封止体１で覆われ、且つ
このインナーリードのボンディング面４Ａと対向するそ
の裏面が前記樹脂封止体１の一表面である実装面１Ｂか
ら露出されている樹脂封止型半導体装置において、前記
インナーリード４に、このインナーリード４のボンディ
ング面４Ａに比べて樹脂封止体１側に突出した突起リー
ド６を設ける。この構成により、突起リード６が樹脂封
止体１で封止され、この突起リード６で樹脂封止体１に
保持されるインナーリード４の保持力を高めることがで
きるので、樹脂封止体１から放熱リード(タブ３及びこ
のタブ３に一体に形成されるインナーリード４)、他の
インナーリード(単独のインナーリード)４の夫々が剥離
するのを防止できる。この結果、樹脂封止型半導体装置
の信頼性を高めることができる。As described above, the bonding surface 4A, which is one surface of the inner lead 4, is covered with the resin sealing body 1, and the back surface of the inner lead 4 facing the bonding surface 4A is one of the resin sealing body 1. In the resin-sealed semiconductor device exposed from the mounting surface 1B, which is the surface, the inner lead 4 is provided with a protruding lead 6 protruding toward the resin sealing body 1 side as compared with the bonding surface 4A of the inner lead 4. . With this configuration, the protruding lead 6 is sealed with the resin sealing body 1, and the holding force of the inner lead 4 held by the resin sealing body 1 with the protruding lead 6 can be increased. It is possible to prevent the heat radiation lead (the tab 3 and the inner lead 4 formed integrally with the tab 3) and the other inner lead (independent inner lead) 4 from being separated from each other. As a result, the reliability of the resin-sealed semiconductor device can be improved.

【００３１】以上、本発明者によってなされた発明を、
前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前
記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱し
ない範囲において種々変更可能であることは勿論であ
る。As described above, the invention made by the present inventor is
Although the specific description has been given based on the above-described embodiments, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and it goes without saying that various modifications can be made without departing from the scope of the invention.

【００３２】[0032]

【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。The effects obtained by the typical ones of the inventions disclosed in the present application will be briefly described as follows.

【００３３】リードの一表面上が樹脂封止体で覆われ、
且つこのリードの一表面と対向するその裏面が前記樹脂
封止体の一表面から露出されている樹脂封止型半導体装
置の信頼性を高めることができる。One surface of the lead is covered with a resin sealing body,
Moreover, the reliability of the resin-encapsulated semiconductor device in which the back surface facing the one surface of the lead is exposed from the one surface of the resin encapsulant can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図１】 本発明の一実施例である樹脂封止型半導体装
置の概略構成を示す要部斜視図。FIG. 1 is a perspective view of a principal part showing a schematic configuration of a resin-sealed semiconductor device that is an embodiment of the present invention.

【図２】 前記樹脂封止型半導体装置の斜視図。FIG. 2 is a perspective view of the resin-sealed semiconductor device.

【図３】 前記樹脂封止型半導体装置の樹脂封止体の上
部を除去した状態を示す平面図。FIG. 3 is a plan view showing a state in which an upper portion of a resin sealing body of the resin sealing type semiconductor device is removed.

【図４】 図２に示すＡ−Ａ切断線の位置で切った断面
図。FIG. 4 is a sectional view taken along the line AA of FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１…樹脂封止体、１Ｂ…実装面（一表面）、２…半導体
ペレット、３…タブ、３Ａ…ペレット塔載面、３Ｂ…裏
面、４…インナーリード、４…ボンディング面(一表
面)、５…アウターリード、６…突起リード、７…ボン
ディングワイヤ、８…接着層。DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Resin sealing body, 1B ... Mounting surface (one surface), 2 ... Semiconductor pellet, 3 ... Tab, 3A ... Pellet tower mounting surface, 3B ... Back surface, 4 ... Inner lead, 4 ... Bonding surface (one surface), 5 ... Outer lead, 6 ... Projection lead, 7 ... Bonding wire, 8 ... Adhesive layer.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 リードの一表面上が樹脂封止体で覆わ
れ、且つこのリードの一表面と対向するその裏面が前記
樹脂封止体の一表面から露出されている樹脂封止型半導
体装置において、前記リードに、このリードの一表面に
比べて前記樹脂封止体側に突出した突起リードが設けら
れていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。1. A resin-encapsulated semiconductor device in which one surface of a lead is covered with a resin encapsulant, and a back surface of the lead facing the one surface is exposed from the one surface of the resin encapsulant. 2. The resin-encapsulated semiconductor device according to claim 1, wherein the lead is provided with a protruding lead protruding toward the resin-encapsulated body as compared with one surface of the lead.
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