JPH077112A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- JPH077112A JPH077112A JP5144561A JP14456193A JPH077112A JP H077112 A JPH077112 A JP H077112A JP 5144561 A JP5144561 A JP 5144561A JP 14456193 A JP14456193 A JP 14456193A JP H077112 A JPH077112 A JP H077112A
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 樹脂封止体１からリード(インナーリード、
放熱リード)４が剥離するのを防止し、樹脂封止型半導
体装置の信頼性を高める。 【構成】 リード４の一表面上が樹脂封止体１で覆わ
れ、且つこのリード４の一表面と対向するその裏面４Ａ
が前記樹脂封止体１の一表面から露出されている樹脂封
止型半導体装置において、前記リード４に、このリード
４の一表面に比べて前記樹脂封止体１側に突出した突起
リード６を設ける。
放熱リード)４が剥離するのを防止し、樹脂封止型半導
体装置の信頼性を高める。 【構成】 リード４の一表面上が樹脂封止体１で覆わ
れ、且つこのリード４の一表面と対向するその裏面４Ａ
が前記樹脂封止体１の一表面から露出されている樹脂封
止型半導体装置において、前記リード４に、このリード
４の一表面に比べて前記樹脂封止体１側に突出した突起
リード６を設ける。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、樹脂封止型半導体装置
に関し、特に、リードの一表面上が樹脂封止体で覆わ
れ、且つこのリードの一表面と対向するその裏面が前記
樹脂封止体の一表面から露出されている樹脂封止型半導
体装置に適用して有効な技術に関するものである。
に関し、特に、リードの一表面上が樹脂封止体で覆わ
れ、且つこのリードの一表面と対向するその裏面が前記
樹脂封止体の一表面から露出されている樹脂封止型半導
体装置に適用して有効な技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】回路システムが塔載された半導体ペレッ
トを保護する目的として、半導体ペレットを樹脂封止体
で封止する樹脂封止型半導体装置がある。本発明者が開
発中の樹脂封止型半導体装置は、タブのペレット塔載面
上に接着層を介在して半導体ペレットが塔載され、タブ
のペレット塔載面と対向するその裏面が樹脂封止体の一
表面である実装面から露出された構造で構成される。こ
の種の樹脂封止型半導体装置は面実装型のフラットパッ
ケージ構造で構成される。
トを保護する目的として、半導体ペレットを樹脂封止体
で封止する樹脂封止型半導体装置がある。本発明者が開
発中の樹脂封止型半導体装置は、タブのペレット塔載面
上に接着層を介在して半導体ペレットが塔載され、タブ
のペレット塔載面と対向するその裏面が樹脂封止体の一
表面である実装面から露出された構造で構成される。こ
の種の樹脂封止型半導体装置は面実装型のフラットパッ
ケージ構造で構成される。
【０００３】前記半導体ペレットは例えば平面が長方形
状に形成された単結晶珪素基板を主体にして構成され
る。この単結晶珪素基板の主面には回路システムとして
例えばパワーＭＯＳＦＥＴ（Ｍetal Ｏxide Ｓemicondu
ctor Ｆield Ｅffect Ｔransistor)が塔載される。ま
た、単結晶珪素基板の主面上には、長方形状の各辺に沿
って配列された複数個の外部端子(ボンディングパッド)
が配置される。
状に形成された単結晶珪素基板を主体にして構成され
る。この単結晶珪素基板の主面には回路システムとして
例えばパワーＭＯＳＦＥＴ（Ｍetal Ｏxide Ｓemicondu
ctor Ｆield Ｅffect Ｔransistor)が塔載される。ま
た、単結晶珪素基板の主面上には、長方形状の各辺に沿
って配列された複数個の外部端子(ボンディングパッド)
が配置される。
【０００４】前記半導体ペレットの外周囲の外側にはイ
ンナーリードが配置される。インナーリードは、例えば
半導体ペレットの各辺毎に１本づつ配置され、合計４本
配置される。この４本のインナーリードの夫々は、ボン
ディングワイヤを介して半導体ペレットの外部端子の夫
々に夫々毎に電気的に接続される。
ンナーリードが配置される。インナーリードは、例えば
半導体ペレットの各辺毎に１本づつ配置され、合計４本
配置される。この４本のインナーリードの夫々は、ボン
ディングワイヤを介して半導体ペレットの外部端子の夫
々に夫々毎に電気的に接続される。
【０００５】前記樹脂封止体は、例えば平面が長方形状
に形成され、トランスファモールド法に基づいて成形さ
れる。この樹脂封止体は、低応力化を図るために例えば
フェノール系硬化剤、シリコーンゴム及びフィラーが添
加されると共に、トランスファモールド時における成形
金型からの離脱を容易にするために離型剤が添加された
絶縁性のエポキシ系樹脂で形成される。
に形成され、トランスファモールド法に基づいて成形さ
れる。この樹脂封止体は、低応力化を図るために例えば
フェノール系硬化剤、シリコーンゴム及びフィラーが添
加されると共に、トランスファモールド時における成形
金型からの離脱を容易にするために離型剤が添加された
絶縁性のエポキシ系樹脂で形成される。
【０００６】前記樹脂封止体の外周囲の外側にはアウタ
ーリードが配置される。アウターリードは、例えば樹脂
止体の各辺毎に１本づつ配置され、合計４本配置され
る。この４本のアウターリードの夫々は、前記４本のイ
ンナーリードの夫々と夫々毎に一体に形成される。
ーリードが配置される。アウターリードは、例えば樹脂
止体の各辺毎に１本づつ配置され、合計４本配置され
る。この４本のアウターリードの夫々は、前記４本のイ
ンナーリードの夫々と夫々毎に一体に形成される。
【０００７】前記４本のインナーリードの夫々の一表面
であるボンディング面上は樹脂封止体で覆われている。
この４本のインナーリードの夫々のボンディング面と対
向するその夫々の裏面は樹脂封止体の実装面から露出し
ている。４本のインナーリードのうち、半導体ペレット
の互いに対向する短辺の夫々の辺側に配置される２本の
インナーリードの夫々はタブと一体に形成される。タブ
の裏面は樹脂封止体の実装面から露出している。タブ及
びこのタブと一体に形成されるインナーリードは、半導
体ペレットに塔載された回路システムの動作で発生する
熱が伝導され、この伝導された熱を外部に放出する放熱
リードとして構成される。
であるボンディング面上は樹脂封止体で覆われている。
この４本のインナーリードの夫々のボンディング面と対
向するその夫々の裏面は樹脂封止体の実装面から露出し
ている。４本のインナーリードのうち、半導体ペレット
の互いに対向する短辺の夫々の辺側に配置される２本の
インナーリードの夫々はタブと一体に形成される。タブ
の裏面は樹脂封止体の実装面から露出している。タブ及
びこのタブと一体に形成されるインナーリードは、半導
体ペレットに塔載された回路システムの動作で発生する
熱が伝導され、この伝導された熱を外部に放出する放熱
リードとして構成される。
【０００８】前記半導体ペレットの主面上は樹脂封止体
で覆われている。また、半導体ペレットの主面と対向す
る裏面はタブで覆われている。つまり、半導体ペレット
は樹脂封止体及びタブで封止される。
で覆われている。また、半導体ペレットの主面と対向す
る裏面はタブで覆われている。つまり、半導体ペレット
は樹脂封止体及びタブで封止される。
【０００９】このように構成される樹脂封止型半導体装
置は、樹脂封止体の実装面を下にして実装基板の実装面
上に実装され、半導体ペレットに塔載された回路システ
ムの動作で発生する熱を放熱リード（タブ及びこのタブ
に一体に形成された２本のインナーリード）を介して実
装基板に伝導し、放熱効率を高めている。
置は、樹脂封止体の実装面を下にして実装基板の実装面
上に実装され、半導体ペレットに塔載された回路システ
ムの動作で発生する熱を放熱リード（タブ及びこのタブ
に一体に形成された２本のインナーリード）を介して実
装基板に伝導し、放熱効率を高めている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】本発明者は、前述の樹
脂封止型半導体装置について検討した結果、以下の問題
点を見出した。
脂封止型半導体装置について検討した結果、以下の問題
点を見出した。
【００１１】前記樹脂封止型半導体装置は、半導体ペレ
ットに塔載された回路システムの動作で発生する熱を放
出するために樹脂封止体の裏面から放熱リード（タブ及
びこのタブに一体に形成されたインナーリード）の裏面
が露出した構造で構成されると共に、放熱リードの裏面
を露出するために他のインナーリードの裏面も露出した
構造で構成されるので、樹脂封止体に支持される放熱リ
ード、他のインナーリードの夫々の支持力が低下する。
また、樹脂封止体にはトランスファモールド時における
成形金型からの離脱を容易にするために離型剤が添加さ
れているので、放熱リード、他のインナーリードの夫々
と樹脂封止体との界面の密着性が低下する。このため、
樹脂封止体から放熱リード、他のインナーリードの夫々
が剥離し、樹脂封止型半導体装置の信頼性が低下すると
いう問題があった。
ットに塔載された回路システムの動作で発生する熱を放
出するために樹脂封止体の裏面から放熱リード（タブ及
びこのタブに一体に形成されたインナーリード）の裏面
が露出した構造で構成されると共に、放熱リードの裏面
を露出するために他のインナーリードの裏面も露出した
構造で構成されるので、樹脂封止体に支持される放熱リ
ード、他のインナーリードの夫々の支持力が低下する。
また、樹脂封止体にはトランスファモールド時における
成形金型からの離脱を容易にするために離型剤が添加さ
れているので、放熱リード、他のインナーリードの夫々
と樹脂封止体との界面の密着性が低下する。このため、
樹脂封止体から放熱リード、他のインナーリードの夫々
が剥離し、樹脂封止型半導体装置の信頼性が低下すると
いう問題があった。
【００１２】本発明の目的は、リードの一表面上が樹脂
封止体で覆われ、且つこのリードの一表面と対向するそ
の裏面が前記樹脂封止体の一表面から露出されている樹
脂封止体型半導体装置において、前記樹脂封止体からリ
ードが剥離するのを防止し、樹脂封止体型半導体装置の
信頼性を高めることが可能な技術を提供することにあ
る。
封止体で覆われ、且つこのリードの一表面と対向するそ
の裏面が前記樹脂封止体の一表面から露出されている樹
脂封止体型半導体装置において、前記樹脂封止体からリ
ードが剥離するのを防止し、樹脂封止体型半導体装置の
信頼性を高めることが可能な技術を提供することにあ
る。
【００１３】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らか
になるであろう。
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らか
になるであろう。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
【００１５】リードの一表面上が樹脂封止体で覆われ、
且つこのリードの一表面と対向するその裏面が前記樹脂
封止体の一表面から露出されている樹脂封止型半導体装
置において、前記リードに、このリードの一表面に比べ
て前記樹脂封止体側に突出した突起リードを設ける。
且つこのリードの一表面と対向するその裏面が前記樹脂
封止体の一表面から露出されている樹脂封止型半導体装
置において、前記リードに、このリードの一表面に比べ
て前記樹脂封止体側に突出した突起リードを設ける。
【００１６】
【作用】上述した手段によれば、突起リードが樹脂封止
体で封止され、この突起リードで樹脂封止体に保持され
るリードの保持力を高めることができるので、樹脂封止
体からリードが剥離するのを防止できる。この結果、樹
脂封止型半導体装置の信頼性を高めることができる。
体で封止され、この突起リードで樹脂封止体に保持され
るリードの保持力を高めることができるので、樹脂封止
体からリードが剥離するのを防止できる。この結果、樹
脂封止型半導体装置の信頼性を高めることができる。
【００１７】以下、本発明の構成について、樹脂封止型
半導体装置に本発明を適用した一実施例とともに説明す
る。
半導体装置に本発明を適用した一実施例とともに説明す
る。
【００１８】なお、実施例を説明するための全図におい
て、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り
返しの説明は省略する。
て、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り
返しの説明は省略する。
【００１９】
【実施例】本発明の一実施例である樹脂封止型半導体装
置の概略構成を図２(斜視図)、図３(樹脂封止体の上部
を除去した状態の平面図)及び図４（図１に示すＡ−Ａ
切断線で切った断面図）に示す。
置の概略構成を図２(斜視図)、図３(樹脂封止体の上部
を除去した状態の平面図)及び図４（図１に示すＡ−Ａ
切断線で切った断面図）に示す。
【００２０】図２、図３及び図４に示すように、本実施
例の樹脂封止型半導体装置は面実装型のフラットパッケ
ージ構造で構成される。この樹脂封止型半導体装置は、
タブ３のペレット塔載面３Ａ上に接着層８を介在して半
導体ペレット２が塔載され、タブ３のペレット塔載面３
Ａと対向するその裏面３Ｂが樹脂封止体１の一表面であ
る実装面１Ｂから露出された構造で構成される。接着層
４は例えば導電性のＡｕ膜、Ａｕ−Ｓｎ合金膜、Ｐｂ−
Ｓｎ合金膜等で形成される。
例の樹脂封止型半導体装置は面実装型のフラットパッケ
ージ構造で構成される。この樹脂封止型半導体装置は、
タブ３のペレット塔載面３Ａ上に接着層８を介在して半
導体ペレット２が塔載され、タブ３のペレット塔載面３
Ａと対向するその裏面３Ｂが樹脂封止体１の一表面であ
る実装面１Ｂから露出された構造で構成される。接着層
４は例えば導電性のＡｕ膜、Ａｕ−Ｓｎ合金膜、Ｐｂ−
Ｓｎ合金膜等で形成される。
【００２１】前記半導体ペレット２は例えば平面が長方
形状に形成された単結晶珪素基板を主体にして構成され
る。この単結晶珪素基板の主面には回路システムとして
例えばパワーＭＩＳＦＥＴ(Ｍetal Ｉnsulator Ｓemico
nductor ＦＥＴ）が塔載される。また、単結晶珪素基板
の主面上には、方形状の各辺に沿って配列された複数個
の外部端子が配置される。
形状に形成された単結晶珪素基板を主体にして構成され
る。この単結晶珪素基板の主面には回路システムとして
例えばパワーＭＩＳＦＥＴ(Ｍetal Ｉnsulator Ｓemico
nductor ＦＥＴ）が塔載される。また、単結晶珪素基板
の主面上には、方形状の各辺に沿って配列された複数個
の外部端子が配置される。
【００２２】前記半導体ペレット２の外周囲の外側には
インナーリード４が配置される。インナーリード４は、
例えば半導体ペレット２の各辺毎に１本づつ配置され、
合計４本配置される。この４本のインナーリード４の夫
々の一表面であるボンディング面４Ａには各ボンディン
グワイヤ７の一端が接続され、各ボンディングワイヤ７
の他端は半導体ペレット２の外部端子に接続される。つ
まり、４本のインナーリードの夫々は各ボンディングワ
イヤ７を介して半導体ペレット２の外部端子に夫々毎に
電気的に接続される。
インナーリード４が配置される。インナーリード４は、
例えば半導体ペレット２の各辺毎に１本づつ配置され、
合計４本配置される。この４本のインナーリード４の夫
々の一表面であるボンディング面４Ａには各ボンディン
グワイヤ７の一端が接続され、各ボンディングワイヤ７
の他端は半導体ペレット２の外部端子に接続される。つ
まり、４本のインナーリードの夫々は各ボンディングワ
イヤ７を介して半導体ペレット２の外部端子に夫々毎に
電気的に接続される。
【００２３】前記樹脂封止体１は、例えば平面が長方形
状に形成され、トランスファモールド法に基づいて成形
される。この樹脂封止体１は、低応力化を図るために例
えばフェノール系硬化剤、シリコーン及びフィラーが添
加されると共に、トランスファモールド時における成形
金型からの離脱を容易にするために離型剤が添加された
絶縁性のエポキシ系樹脂で形成される。
状に形成され、トランスファモールド法に基づいて成形
される。この樹脂封止体１は、低応力化を図るために例
えばフェノール系硬化剤、シリコーン及びフィラーが添
加されると共に、トランスファモールド時における成形
金型からの離脱を容易にするために離型剤が添加された
絶縁性のエポキシ系樹脂で形成される。
【００２４】前記樹脂封止体１の外周囲の外側にはアウ
ターリード５が配置される。アウターリード５は、例え
ば樹脂封止体１の各辺毎に１本づつ配置され、合計４本
配置される。この４本のアウターリード５の夫々は、前
記４本のインナーリード４の夫々と夫々毎に一体に形成
される。インナーリード４、アウターリード５の夫々
は、例えばＦｅ−Ｎｉ(例えばＮｉ含有率４２又は５０
［％］)合金、Ｃｕ系合金等で形成される。
ターリード５が配置される。アウターリード５は、例え
ば樹脂封止体１の各辺毎に１本づつ配置され、合計４本
配置される。この４本のアウターリード５の夫々は、前
記４本のインナーリード４の夫々と夫々毎に一体に形成
される。インナーリード４、アウターリード５の夫々
は、例えばＦｅ−Ｎｉ(例えばＮｉ含有率４２又は５０
［％］)合金、Ｃｕ系合金等で形成される。
【００２５】前記４本のインナーリード４の夫々のボン
ディング面４Ａ上は樹脂封止体１で覆われている。この
４本のインナーリード４の夫々のボンディング面４Ａと
対向するその夫々の裏面４Ｂは樹脂封止体１の実装面１
Ｂから露出された構造で構成される。４本のインナーリ
ード４のうち、半導体ペレット２の互いに対向する短辺
の夫々の辺側に配置される２本のインナーリード４の夫
々はタブ３と一体に形成される。このタブ３は、樹脂封
止体１の裏面１Ｂから露出した構造で構成される。タブ
３及びこのタブ３と一体に形成されるインナーリード４
は、半導体ペレット２に塔載された回路システムの動作
で発生する熱が伝導され、この伝導された熱を外部に放
出する放熱リードとして構成される。放熱リードには例
えば基準電圧(例えば０［Ｖ］)が印加される。
ディング面４Ａ上は樹脂封止体１で覆われている。この
４本のインナーリード４の夫々のボンディング面４Ａと
対向するその夫々の裏面４Ｂは樹脂封止体１の実装面１
Ｂから露出された構造で構成される。４本のインナーリ
ード４のうち、半導体ペレット２の互いに対向する短辺
の夫々の辺側に配置される２本のインナーリード４の夫
々はタブ３と一体に形成される。このタブ３は、樹脂封
止体１の裏面１Ｂから露出した構造で構成される。タブ
３及びこのタブ３と一体に形成されるインナーリード４
は、半導体ペレット２に塔載された回路システムの動作
で発生する熱が伝導され、この伝導された熱を外部に放
出する放熱リードとして構成される。放熱リードには例
えば基準電圧(例えば０［Ｖ］)が印加される。
【００２６】前記半導体ペレット２の主面上は樹脂封止
体１で覆われた構造で構成される。また、半導体ペレッ
ト２の主面と対向するその裏面上はタブ３で覆われた構
造で構成される。つまり、半導体ペレット２は、樹脂封
止体１及びタブ３で封止される。
体１で覆われた構造で構成される。また、半導体ペレッ
ト２の主面と対向するその裏面上はタブ３で覆われた構
造で構成される。つまり、半導体ペレット２は、樹脂封
止体１及びタブ３で封止される。
【００２７】前記放熱リードを構成するインナーリード
４には、図４及び図１(要部斜視図)に示すように、突起
リード６が形成される。突起リード６は、インナーリー
ド４のボンディング面４Ａに比べて樹脂封止体１側に突
出した構造で構成され、樹脂封止体１で封止されている
(樹脂封止体１内に埋め込まれている)。この突起リード
６は、例えばインナーリード４に一体に形成され、イン
ナーリード４のボンディング面４Ａに対して垂直方向に
突出した構造で構成される。このように、放熱リードを
構成するインナーリード４に樹脂封止体１で封止された
突起リード６を設けることにより、樹脂封止体１に保持
される放熱リード（タブ３及びこのタブ３に一体に形成
されたインナーリード４）の保持力を高めることができ
るので、樹脂封止体１から放熱リードが剥離するのを防
止できる。
４には、図４及び図１(要部斜視図)に示すように、突起
リード６が形成される。突起リード６は、インナーリー
ド４のボンディング面４Ａに比べて樹脂封止体１側に突
出した構造で構成され、樹脂封止体１で封止されている
(樹脂封止体１内に埋め込まれている)。この突起リード
６は、例えばインナーリード４に一体に形成され、イン
ナーリード４のボンディング面４Ａに対して垂直方向に
突出した構造で構成される。このように、放熱リードを
構成するインナーリード４に樹脂封止体１で封止された
突起リード６を設けることにより、樹脂封止体１に保持
される放熱リード（タブ３及びこのタブ３に一体に形成
されたインナーリード４）の保持力を高めることができ
るので、樹脂封止体１から放熱リードが剥離するのを防
止できる。
【００２８】前記半導体ペレット２の互いに対向する長
辺の夫々の辺側に配置されるインナーリード(単独のイ
ンナーリード)４には、前述と同様に突起リード６が形
成される。このように、インナーリード４に樹脂封止体
１で封止された突起リード６を設けることにより、樹脂
封止体１に保持されるインナーリード４の保持力を高め
ることができるので、樹脂封止体１からインナーリード
４が剥離するのを防止できる。なお、前記突起リード６
は、少なくとも樹脂封止体１内に封止されていればよい
ので、樹脂封止体１の実装面１Ｂに対して鋭角をなす角
度で構成してもよい。
辺の夫々の辺側に配置されるインナーリード(単独のイ
ンナーリード)４には、前述と同様に突起リード６が形
成される。このように、インナーリード４に樹脂封止体
１で封止された突起リード６を設けることにより、樹脂
封止体１に保持されるインナーリード４の保持力を高め
ることができるので、樹脂封止体１からインナーリード
４が剥離するのを防止できる。なお、前記突起リード６
は、少なくとも樹脂封止体１内に封止されていればよい
ので、樹脂封止体１の実装面１Ｂに対して鋭角をなす角
度で構成してもよい。
【００２９】このように構成される樹脂封止型半導体装
置は、樹脂封止体１の実装面１Ｂを下にして実装基板の
実装面上に実装され、半導体ペレット２に塔載された回
路システムの動作で発生する熱を放熱リードを介して実
装基板に伝導し、放熱効率を高めている。
置は、樹脂封止体１の実装面１Ｂを下にして実装基板の
実装面上に実装され、半導体ペレット２に塔載された回
路システムの動作で発生する熱を放熱リードを介して実
装基板に伝導し、放熱効率を高めている。
【００３０】このように、インナーリード４の一表面で
あるボンディング面４Ａが樹脂封止体１で覆われ、且つ
このインナーリードのボンディング面４Ａと対向するそ
の裏面が前記樹脂封止体１の一表面である実装面１Ｂか
ら露出されている樹脂封止型半導体装置において、前記
インナーリード４に、このインナーリード４のボンディ
ング面４Ａに比べて樹脂封止体１側に突出した突起リー
ド６を設ける。この構成により、突起リード６が樹脂封
止体１で封止され、この突起リード６で樹脂封止体１に
保持されるインナーリード４の保持力を高めることがで
きるので、樹脂封止体１から放熱リード(タブ３及びこ
のタブ３に一体に形成されるインナーリード４)、他の
インナーリード(単独のインナーリード)４の夫々が剥離
するのを防止できる。この結果、樹脂封止型半導体装置
の信頼性を高めることができる。
あるボンディング面４Ａが樹脂封止体１で覆われ、且つ
このインナーリードのボンディング面４Ａと対向するそ
の裏面が前記樹脂封止体１の一表面である実装面１Ｂか
ら露出されている樹脂封止型半導体装置において、前記
インナーリード４に、このインナーリード４のボンディ
ング面４Ａに比べて樹脂封止体１側に突出した突起リー
ド６を設ける。この構成により、突起リード６が樹脂封
止体１で封止され、この突起リード６で樹脂封止体１に
保持されるインナーリード４の保持力を高めることがで
きるので、樹脂封止体１から放熱リード(タブ３及びこ
のタブ３に一体に形成されるインナーリード４)、他の
インナーリード(単独のインナーリード)４の夫々が剥離
するのを防止できる。この結果、樹脂封止型半導体装置
の信頼性を高めることができる。
【００３１】以上、本発明者によってなされた発明を、
前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前
記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱し
ない範囲において種々変更可能であることは勿論であ
る。
前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前
記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱し
ない範囲において種々変更可能であることは勿論であ
る。
【００３２】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
【００３３】リードの一表面上が樹脂封止体で覆われ、
且つこのリードの一表面と対向するその裏面が前記樹脂
封止体の一表面から露出されている樹脂封止型半導体装
置の信頼性を高めることができる。
且つこのリードの一表面と対向するその裏面が前記樹脂
封止体の一表面から露出されている樹脂封止型半導体装
置の信頼性を高めることができる。
【図１】 本発明の一実施例である樹脂封止型半導体装
置の概略構成を示す要部斜視図。
置の概略構成を示す要部斜視図。
【図２】 前記樹脂封止型半導体装置の斜視図。
【図３】 前記樹脂封止型半導体装置の樹脂封止体の上
部を除去した状態を示す平面図。
部を除去した状態を示す平面図。
【図４】 図２に示すＡ−Ａ切断線の位置で切った断面
図。
図。
１…樹脂封止体、１Ｂ…実装面（一表面）、２…半導体
ペレット、３…タブ、３Ａ…ペレット塔載面、３Ｂ…裏
面、４…インナーリード、４…ボンディング面(一表
面)、５…アウターリード、６…突起リード、７…ボン
ディングワイヤ、８…接着層。
ペレット、３…タブ、３Ａ…ペレット塔載面、３Ｂ…裏
面、４…インナーリード、４…ボンディング面(一表
面)、５…アウターリード、６…突起リード、７…ボン
ディングワイヤ、８…接着層。
Claims (1)
- 【請求項１】 リードの一表面上が樹脂封止体で覆わ
れ、且つこのリードの一表面と対向するその裏面が前記
樹脂封止体の一表面から露出されている樹脂封止型半導
体装置において、前記リードに、このリードの一表面に
比べて前記樹脂封止体側に突出した突起リードが設けら
れていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5144561A JPH077112A (ja) | 1993-06-16 | 1993-06-16 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5144561A JPH077112A (ja) | 1993-06-16 | 1993-06-16 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH077112A true JPH077112A (ja) | 1995-01-10 |
Family
ID=15365121
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5144561A Pending JPH077112A (ja) | 1993-06-16 | 1993-06-16 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH077112A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6369777B1 (en) | 1999-07-23 | 2002-04-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Antenna device and method for manufacturing the same |
| JP2002184911A (ja) * | 2000-12-15 | 2002-06-28 | Nippon Inter Electronics Corp | 樹脂封止型電子部品 |
| JP2011134990A (ja) * | 2009-12-25 | 2011-07-07 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| WO2012108011A1 (ja) * | 2011-02-09 | 2012-08-16 | 三菱電機株式会社 | パワー半導体モジュール |
-
1993
- 1993-06-16 JP JP5144561A patent/JPH077112A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6369777B1 (en) | 1999-07-23 | 2002-04-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Antenna device and method for manufacturing the same |
| JP2002184911A (ja) * | 2000-12-15 | 2002-06-28 | Nippon Inter Electronics Corp | 樹脂封止型電子部品 |
| JP2011134990A (ja) * | 2009-12-25 | 2011-07-07 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| WO2012108011A1 (ja) * | 2011-02-09 | 2012-08-16 | 三菱電機株式会社 | パワー半導体モジュール |
| EP2674973A1 (en) | 2011-02-09 | 2013-12-18 | Mitsubishi Electric Corporation | Power semiconductor module |
| JP5669866B2 (ja) * | 2011-02-09 | 2015-02-18 | 三菱電機株式会社 | パワー半導体モジュール |
| US9129949B2 (en) | 2011-02-09 | 2015-09-08 | Mitsubishi Electric Corporation | Power semiconductor module |
| EP2674973B1 (en) | 2011-02-09 | 2019-12-11 | Mitsubishi Electric Corporation | Power semiconductor module |
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