JPH077116B2 - ガラス質保護層を有する放射線画像変換パネルの製造方法 - Google Patents

ガラス質保護層を有する放射線画像変換パネルの製造方法

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JPH077116B2 JP14424287A JP14424287A JPH077116B2 JP H077116 B2 JPH077116 B2 JP H077116B2 JP 14424287 A JP14424287 A JP 14424287A JP 14424287 A JP14424287 A JP 14424287A JP H077116 B2 JPH077116 B2 JP H077116B2
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は輝尽性蛍光体を用いた放射線画像変換パネルに
関するものであり、さらに詳しくは長期間の使用に耐え
うる放射線画像変換パネルに関するものである。
〔発明の背景〕
X線画像のような放射線画像は病気診断用などに多く用
いられている。
このX線画像を得るために、ハロゲン化銀感光材料に代
って蛍光体層から直接画像を取出すX線画像変換方法が
工夫されている。
この方法は、被写体を透過した放射線(一般にX線)を
蛍光体に吸収せしめ、しかる後、この蛍光体を例えば光
または熱エネルギーで励起することによりこの蛍光体が
上記吸収により蓄積している放射線エネルギーを蛍光と
して放射せしめ、この蛍光を検出して画像化する方法で
ある。
具体的には、例えば、米国特許3,859,527号及び特開昭5
5−12144号には輝尽性蛍光体を用い可視光線又は赤外線
を輝尽励起光とした放射線画像変換方法が示されてい
る。
この方法は、支持体上に輝尽性蛍光体層(以後輝尽層と
略称)を形成した放射線画像変換パネル(以後変換パネ
ルと略称)を使用するもので、この変換パネルの輝尽層
に被写体を透過した放射線を当てて被写体各部の放射線
透過度に対応する放射線エネルギーを蓄積させて潜像を
形成し、しかる後にこの輝尽層を輝尽励起光で走査する
ことによって各部の蓄積された放射線エネルギーを放射
させてこれを光に変換し、この光の強弱による光信号に
より画像を得るものである。
この最終的な画像はハードコピィとして再生してもよい
し、CRT上に再生してもよい。
この放射線画像変換方法において使用される変換パネル
は、放射線画像情報を蓄積した後輝尽励起光の走査によ
って蓄積エネルギーを放出するので、走査後再度放射線
画像の蓄積を行うことができ、繰返し使用が可能であ
る。
そこで、前記変換パネルは、得られる放射線画像の画質
を劣化させることなく長期間あるいは多数回繰返しの使
用の耐える性能を有することが望ましい。そのためには
前記変換パネル中の輝尽層が外部からの物理的あるいは
化学的刺激から十分に保護される必要がある。
従来の変換パネルにおいては、上記の問題の解決を図る
ため、変換パネルの支持体上の輝尽層面を被覆する保護
層を設ける方法がとられてきた。
この保護層は、たとえば特開昭59−42500号に記述され
ているように、保護層用塗布液を輝尽層上に直接塗布し
て形成されるか、あるいはあらかじめ別途形成した保護
層を輝尽層上に接着する方法により形成されている。
しかしながら、一般的に用いられる有機高分子から成る
保護層はある程度の水分及び/または湿気に対し透過性
であり、輝尽層が水分を吸収し、その結果変換パネルの
放射線感度の低下あるいは輝尽励起光照射を受けるまで
の蓄積エネルギーの減衰が大きく、得られる放射線画像
の画質のばらつき及び/または劣化をもたらしていた。
また、前述のような保護層を有する従来の変換パネルに
おいては、保護層の表面硬度が小さいため搬送時におけ
る搬送ローラ等の機械部分との接触により保護層表面に
傷を生じたり、緩衝性が不充分なため輝尽層中に亀裂、
折れを生じ易く、得られる放射線画像の画質が繰返し使
用回数の増大とともに劣化する欠点を有しており、透明
性を損うことなく防湿性、強度、緩衝性の面からの改良
が望まれていた。
〔発明の目的〕
輝尽性蛍光体を用いた変換パネルにおける前記要求に沿
い、本発明の目的は、輝尽層を外部からの化学的刺激、
特に水分に対して十分保護することができ、高感度、高
鮮鋭性及び高粒状性を長期間にわたり維持し、良好な状
態で使用することが可能である耐久性及び耐用性の高い
変換パネルを提供することにある。
また本発明の他の目的は、前記輝尽層を外部からの物理
的刺激に対して保護することにより長期及び繰返し使用
に対する耐久性及び耐用性を向上させた変換パネルを提
供することにある。
〔発明の構成〕
前記本発明の目的は、支持体上に輝尽層と少くとも一層
の保護層とを構成層として有する変換パネルに於て、前
記少くとも一層の保護層をガラス粉末を層状に施設し焼
成してガラス質層とすることを特徴とするガラス質保護
層を有する変換パネルの製造方法によって達成される。
次に本発明を詳しく説明する。
本発明に係る保護層に用いられるガラス質としては、輝
尽層の水分吸収による特性の低下を防ぐために耐湿性の
優れた物質が好ましい。
また変換パネルは搬送時における搬送ローラ等の機械部
分との接触により保護層表面に傷を生じ易く、繰返し使
用回数の増大とともに放射線画像の画質が劣化する。こ
れを防ぐために保護層の強度は硬いことが望まれる。
また輝尽起光、輝尽発光のいずれに対しても高い透過率
を有することが好ましい。これは輝尽励起光のエネルギ
ーをできるだけ有効に輝尽性蛍光体の輝尽発光発生に用
い、さらにその輝尽発光をできる限り高感度で検出する
ためである。
以上述べた保護層に対する要求に添いうるガラス質とし
ては、酸化物ガラス系素材があげられる。
即ち珪酸塩ガラス、燐酸塩ガラス更に硼酸塩ガラス等が
挙げられ、特に珪酸塩系ガラスが好しい。具合的には石
英ガラス(SiO2)、鉛珪酸ガラス(PbO・SiO2)、鉛硼
珪酸ガラス(PbO・B2O3・SiO2)、亜鉛硼珪酸ガラス(Z
nO・B2O3・SiO2)、アルミノ珪酸ガラス(Al2O3・Si
O2)、アルミノ石灰珪酸ガラス(CaO・Al2O3・SiO2)、
カルシウム硼珪酸ガラス(CaO・B2O3・SiO2)等が挙げ
られる。
またガラス質保護層の防湿性、耐酸性等の化学耐久性或
は透明安定性を損わない範囲でCaO組成の増量、Na2Oの
添加を行って鎔融点を下げてもよい。
またガラス粉末粒径は1〜100μmが好しい。第1図に
本発明に係る変換パネルの態様例を断面図で示す。
第1図(1)において11は支持体、12は輝尽層、13aは
本発明の方法により設けられたガラス質の保護層であ
る。
第1図(1)はガラス質保護層が一層の場合であるが、
第1図(2)のように二層構造あるいはそれ以上の多層
保護層構造としてもよい。
また第1図(3)のごとくガラス質保護層の上に特開昭
59−42500号に提案されている保護層用塗布液を直接塗
布した多層保護層を形成してもよいし、保護層の材質と
しては、特開昭61−176900号で提案されている、放射線
および/または熱によって硬化される樹脂を用いてもよ
い。
また、これら有機高分子物から成る保護層と本発明に係
るガラス質保護層はその組成及び層の上下順のいかなる
組合わせで用いられてもよい。
前記有機高分子物の保護層用材料としては、たとえば酢
酸セルロース、ニトロセルロース、エチルセルロースな
どのセルロース誘導体、あるいはポリメチルメタクリレ
ート、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、
ポリカーボネート、ポリ酢酸ビニル、ポリアクリロニト
リロニトリル、ポリメチルアリルアルコール、ポリメチ
ルビニルケトン、セルロースジアセテート、セルロース
トリアセテート、ポリビニルアルコール、ポリアクリル
酸、ポリメタクリル酸、ポリグリシン、ポリアクリルア
ミド、ポリビニルピロリドン、ポリビニルアミン、ポリ
エチレンテレフタレート、ポリエチレン、ポイ塩化ビニ
リデン、ポリ塩化ビニル、ポリアミド(ナイロン)、ポ
リ四弗化エチレン、ポリ三弗化−塩化エチレン、ポリプ
ロピレン、四弗化エチレン−六弗化プロピレン共重合
体、ポリビニルイソブチルエーテル、ポリスチレンなど
があげられる。
また前記放射線硬化型樹脂としては、不飽和二重結合を
有する化合物またはこれを含む組成物であればよく、こ
のような化合物は好ましくは不飽和二重結合を2個以上
有するプレポリマおよび/またはオリゴマであり、さら
に、これらに不飽和二重結合を有する単量体(ビニルモ
ノマ)を反応性希釈剤として含有させることができる。
次に、本発明に係るガラス質保護層の形成法について述
べる。
前述したガラス粉末を輝尽層上に散布し、焼成すればガ
ラス質層が得られる。あるいは、該ガラス粉末を適当な
ビヒクルと十分に混練してペーストとし、表−1に示し
た方法により輝尽層上に塗布し、乾燥後焼成することに
より、ガラス質層としてもよい。
前記ガラス質層の層厚は1〜100μm程度が好ましい。
また高分子物を用いた保護層は特開昭59−42500号に述
べられた方法、また硬化型樹脂を用いる場合は特開昭61
−176900号に述べられた方法を用いて設けることができ
る。
また高分子物を用い形成される保護層の一層の層厚は1
μm〜1000μm程度、さらに好ましくは2μm〜50μm
程度の範囲にあることが好ましい。
本発明において用いる輝尽性蛍光体は、最初の光もしく
は高エネルギー放射線が照射された後に、光的、熱的、
機械的、化学的または電気的等の刺激(輝尽励起)によ
り、最初の光もしくは高エネルギー放射線の照射量に対
応した輝尽発光を示す蛍光体であるが、実用的な面から
好ましくは500nm以上の輝尽励起光によって輝尽発光を
示す蛍光体である。該輝尽性蛍光体としては、例えば特
開昭48−80487号に記載されているBaSO4:AX、特開昭48
−80489号に記載されているSrSO4:AX、特開昭53−39277
号のLi2B4O7Cu,:Ag等、特開昭54−47883号のLi2O・(B2
O2)x:Cu及びLi2O・(B2O2)x:Cu,Ag等、米国特許3,85
9,527号のSrS:Ce,Sm,SrS:Eu,Sm,La2O2S:Eu,Sm及び(Zn,
Cd)S:Mn,Xで表される蛍光体が挙げられる。
また、特開昭55−12142号に記載されているZnS:Cu,Pb蛍
光体、一般式BaO・xAl2O3:Euで表されるアルミン酸バリ
ウム蛍光体、及び一般式M で表されるアルカリ土類金属珪酸塩系蛍光体が挙げられ
る。また、特開昭55−12143号に記載されている一般式 (Ba1−x−yMgxCay)FX:eEu2+ で表されるアルカリ土類弗化ハロゲン化物蛍光体、特開
昭55−12144号に記載されている一般式 LnOX:xA で表され蛍光体、特開昭55−12145号に記載されている
一般式 (Ba1−xMII)FX:yA で表される蛍光体、特開昭55−84389号に記載されてい
る一般式 BaFX:xCe,yA で表される蛍光体、特開昭55−160078号に記載されてい
る一般式 MIIFX・xA:yLn で表される希土類元素付活2価金属フルオロハライド蛍
光体、一般式ZnS:A,CdS:A,(Zn,Cd)S:A,ZnS:A,X及CdS:
A,Xで表される蛍光体、特開昭59−38278号に記載されて
いる下記いづれかの一般式 xM3(PO4・NX2:yA M3(PO42:yA で表される蛍光体、下記いづれかの一般式 nReX3・mAX′2:xEu nReX3・mAX′2:xEu,ySm 收 で表される蛍光体、及び下記一般式 MIX・aMIIX′・bMIIIX′′3:cA で表されるアルカリハライド蛍光体等が挙げられる。特
にアルカリハライド蛍光体は、蒸着・スパッタリング等
の方法で輝尽層を形成させやすく好ましい。
しかし、本発明に係る変換パネルに用いられる輝尽性蛍
光体は、前述の蛍光体に限られるものではなく、放射線
を照射した後輝尽励起光を照射した場合に輝尽発光を示
す蛍光体であればいかなる蛍光体であってもよい。
本発明に係る変換パネルは前記の輝尽性蛍光体の少なく
とも一種類を含む一つ若しくは二つ以上の輝尽層から成
る輝尽層群であってもよい。また、それぞれの輝尽層に
含まれる輝尽性蛍光体は同一であってもよいが異なって
いてもよい。
本発明の輝尽層は塗布方法、気相成長方法のいづれによ
ってもよいが、気相成長型の輝尽層を有するパネルの方
が塗布型よりも鮮鋭性に優れ好ましい。
前記輝尽性蛍光体を気相成長させる第1の方法としては
蒸着法がある。第2図に蒸着装置の概要図を示した。
該方法に於ては、まず支持体を蒸着装置内に設置した後
装置内を排気して10-6Torr程度の真空度とする。次い
で、前記輝尽層の少なくとも一つを抵抗加熱法、エレク
トロンビーム法等の方法で加熱蒸発させて前記支持体表
面に輝尽性蛍光体を所望の厚さに堆積させる。
この結果、結着剤を含有しない輝尽層が形成されるが、
前記蒸着工程では複数回に分けて輝尽層を形成すること
も可能である。また、前記蒸着工程では複数の抵抗加熱
器あるいはエレクトロンビームを用いて共蒸着を行うこ
とも可能である。また、前記蒸着法においては、輝尽性
蛍光体原料を複数の抵抗加熱器あるいはエレクトロンビ
ームを用いて共蒸着し、支持体上で目的とする輝尽性蛍
光体を合成すると同時に輝尽層を形成することも可能で
ある。
さらに前記蒸着法においては、蒸着時、必要に応じて被
蒸着物を冷却あるいは加熱してもよい。また、蒸着終了
後輝尽性蛍光体層を加熱処理してもよい。
更に第2の方法としてスパッタ法、第3の方法としてCV
D法が前記蒸着法同様有用である。
本発明に係るパネルの輝尽層の層厚は、目的とする交換
パネルの放射線に対する感度、輝尽性蛍光体の種類等に
よって異なるが、結着剤を含有しない場合1μm〜1000
μmの範囲、さらに好ましくは20μm〜800μmの範囲
から選ばれるのが好ましく、結着剤を有する場合で10μ
m〜1000μmの範囲、さらに好ましくは20μm〜500μ
mの範囲から選ばれるのが好ましい。
本発明に係る変換パネルにおいて用いられる支持体とし
ては例えばアルミナ等のセラミックス板、化学的強化ガ
ラス等のガラス板、アルミニウム、鉄、銅、クロム等の
金属板或は該金属酸化物の被覆層を有する金属板が好ま
しい。
また、これら支持体の層厚は用いる支持体の材質等によ
って異なるが、一般的には80μm〜3000μmであり、取
り扱いの上の点から、さらに好ましくは80μm〜1000μ
mである。
これら支持体の表面は滑面であってもよいし、輝尽層と
の接着性を向上させる目的でマット面としてもよい。ま
た、支持体の表面は第3図(a)に示すような凹凸面31
としてもよいし、(b)に示すように隔絶されたタイル
状板33を敷きつめた構造でもよい。
第3図(a)の場合には輝尽層が第3図(c)の断面図
に示すように凹凸面31によって細分化されるので画像の
鮮鋭性が一段と向上する。
第3図(b)の場合には輝尽層が支持体のタイル状板33
の輪郭を維持しながら堆積するので、結果的には輝尽層
は第3図(d)の断面図に示すように亀裂36によって隔
絶された輝尽性蛍光体の柱状ブロック35から成るため、
画像の鮮鋭性が一段と向上する。
また、変換パネルの端部の輝尽層を保護する目的で第3
図(e)に示すように、支持体32の周囲の縁に折立枠37
を設け、その中央部の凹部に輝尽層38を形成し、該輝尽
層上に蓋をするように保護層39を設けることもできる。
さらに、これら支持体上には、輝尽層との接着性を向上
させる目的で輝尽層が設けられる面に下引層を設けても
よいし、必要に応じて光反射層、光吸収層等を設けても
よい。
本発明による変換パネルは第4図に概略的に示される放
射線画像変換方法に用いられる。
すなわち、第4図において、41は放射線発生装置、42は
被写体、43は本発明に係る変換パネル、44は輝尽励起光
源、45は該変換パネルより放射された輝尽蛍光を検出す
る光電変換装置、46は45で検出された信号を画像として
再生する装置、47は再生された画像を表示する装置、48
は輝尽励起光と輝尽蛍光とを分離し、輝尽蛍光のみを透
過させるフィルタである。尚45以降は43からの光情報を
何らかの形で画像として再生できるものであればよく、
上記に限定されるものではない。
第4図に示されるように、放射線発生装置41からの放射
線は被写体42を通して変換パネル43に入射する。この入
射した放射線はパネル43の輝尽層に吸収され、そのエネ
ルギーが蓄積され、放射線透過像の蓄積像が形成され
る。
次にこの蓄積像を輝尽励起光源44からの輝尽励起光で励
起して輝尽発光として放出せしめる。
放射される輝尽発光の強弱は蓄積された放射線エネルギ
ー量に比例するので、この光信号を例えば光電子増倍管
等の光電変換装置45で光電変換し、画像再生装置46によ
って画像として再生し画像表示装置47によって表示する
ことにより、被写体の放射線透過像を観察することがで
きる。
〔実施例〕
次に実施例によって本発明を説明する。
実施例 1 500μm厚の石英ガラス支持体に、第2図に示した蒸着
装置でアルカリハライド蛍光体(RbBr;0.0006Tl)を300
μm蒸着した(パネルP)。
次に下記組成のペーストをスリーロールミルで十分混練
して調整し、上記パネルPにステンレス製のスクリーン
(150メッシュ,40μm厚)で印刷した。
鉛硼珪酸ガラス粉末(GA−1 日本電気硝子製) :75
重量部 エチルセルロース :2.5重量部 ブチルカルビトール :22.5重量部 その後、120℃で10分間乾燥し、600℃で60分間焼成し
て、ガラス質保護層厚20μmのパネルAを得た。
実施例 2 ガラス粉末として亜鉛硼珪酸ガラス(GA−12 日本電気
硝子製)を使用し、焼成を600℃,10分間とした以外は、
実施例1と同様にしてパネルBを得た。
実施例 3 実施例1で得られた変換パネルAに厚さ5μmのポリエ
チレンフィルムにポリエステル系接着剤を付与したもの
を接着して第2の保護層を形成し、変換パネルCを得
た。
比較例 1 実施例1で用いた変換パネルPの輝尽層面に実施例3同
様、厚さ5μmのポリエチレンフィルムにポリエステル
系接着剤を付与したものを接着して保護層を形成し、比
較の変換パネルEを得た。
比較例 2 実施例1で用いた変換パネルPの輝尽層面に厚さ10μm
の塩化ビニリデン−塩化ビニル共重合体フィルムの片面
にエポキシ変性ポリオレフィン系接着剤を付与したもの
を接着して保護層を作成し、比較の交換パネルFを得
た。
以上のように得られた本発明の変換パネルA,B,Cおよび
比較の変換パネルE,Fについて、それらの保護層の耐湿
性を次のようにして評価した。
前記パネルA,B,CおよびE,Fを気温50℃、相対湿度50%の
恒温恒湿槽内に350時間放置し、その処置前後での放射
線に対する感度を測定して放置後の放射線感度の、放置
前の放射線感度に対する比を求め、その比の値により耐
湿性を評価した。
その結果を表−2に示す。
表より明らかなように、本発明のパネルA,B,Cはいずれ
も比較のパネルE,Fに対し、2倍近い放射線角度比を得
た。このことは本パネル中に設けられたガラス質保護層
が耐湿性に対して著しく効果をもつことを示している。
更に前記のパネルの防傷性についてサンドブラストでチ
ェックした所ガラス質層を表面にもつパネルA,Bに何ら
の“曇”を生ずることはなかった。
また透明性については何らの支障はなかった。
〔発明の効果〕
本発明の変換パネルは、その保護層の少なくとも一部が
ガラス質で形成されていることから、強度に優れ、また
保護層を設けたことによる感度、鮮鋭性の低下を防ぎ、
なおかつ耐湿性が特に優れているため輝尽層の吸湿によ
る劣化を防ぐことができ、長期間にわたり良好な状態で
使用することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明に係る変換パネルの基本的構造を示す
断面図である。 第2図は本発明の実施例に用いられる気相堆積法の中の
一例である電子ビーム加熱蒸着装置の断面概要図であ
る。 第3図は支持体の蒸着素地表面の形状を例示した図であ
る。 第4図は放射線画像変換方法を説明する図である。 11……支持体 12……輝尽性蛍光体層 13a,13b及び14……保護層

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】支持体上に輝尽性蛍光体層と少くとも一層
    の保護層とを構成層として有する放射線画像変換パネル
    に於て、前記少くとも一層の保護層を、ガラス粉末を層
    状に敷設し焼成してガラス質層とすることを特徴とする
    ガラス質保護層を有する放射線画像変換パネルの製造方
    法。
JP14424287A 1987-06-09 1987-06-09 ガラス質保護層を有する放射線画像変換パネルの製造方法 Expired - Lifetime JPH077116B2 (ja)

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