JPH0772195A - 非接触電位測定装置 - Google Patents
非接触電位測定装置Info
- Publication number
- JPH0772195A JPH0772195A JP5220744A JP22074493A JPH0772195A JP H0772195 A JPH0772195 A JP H0772195A JP 5220744 A JP5220744 A JP 5220744A JP 22074493 A JP22074493 A JP 22074493A JP H0772195 A JPH0772195 A JP H0772195A
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- Japan
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- electrode
- light
- measurement surface
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- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 32
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 12
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
Landscapes
- Measurement Of Current Or Voltage (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】任意のコンデンサ構造をもたない物質の電位も
非接触で測定できるようにする。 【構成】被測定物の測定表面１に対し、一定の電位をも
つ対向電極２を設け、この電極２に対して一定の振動数
の光を照射する光源３を設置し、この光源３から電極２
に対して垂直に照射された光の反射光の強度を検出する
検出器４を設置する。また、電極２に対して垂直に光を
照射する場合には、この電極２により反射された反射光
を検出器４に導くビームスプリッタ５を電極２と光源３
との間に設ける。
非接触で測定できるようにする。 【構成】被測定物の測定表面１に対し、一定の電位をも
つ対向電極２を設け、この電極２に対して一定の振動数
の光を照射する光源３を設置し、この光源３から電極２
に対して垂直に照射された光の反射光の強度を検出する
検出器４を設置する。また、電極２に対して垂直に光を
照射する場合には、この電極２により反射された反射光
を検出器４に導くビームスプリッタ５を電極２と光源３
との間に設ける。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は物質の電位を非接触で測
定する非接触電位測定装置に関する。
定する非接触電位測定装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の非接触で物質のプラズマ
振動数変化による測定表面の光学的反射率変化を利用す
る方法がある。これは図２に示すように、被測定物の測
定表面１に対してビームスプリッタを介して光源３を設
置し、光源３からコンデンサ構造をもつ測定表面１に直
接光を照射し、被測定物の測定表面上のコンデンサ構造
に誘起された電荷６の表面電荷密度の変化を、照射され
た光の反射光の強度変化により検出器４で検出してその
電位の測定を行っていた。
振動数変化による測定表面の光学的反射率変化を利用す
る方法がある。これは図２に示すように、被測定物の測
定表面１に対してビームスプリッタを介して光源３を設
置し、光源３からコンデンサ構造をもつ測定表面１に直
接光を照射し、被測定物の測定表面上のコンデンサ構造
に誘起された電荷６の表面電荷密度の変化を、照射され
た光の反射光の強度変化により検出器４で検出してその
電位の測定を行っていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の被測定
物質の非接触電位測定方法では、測定表面１がコンデン
サ構造をもたない場合、必然的に測定表面上での表面電
荷密度の変化が発生せず、原理的にその効果を実現する
ことができなかった。また、測定表面上のコンデンサ構
造を構成する物質によっては電圧を印加していない状態
と印加した状態との表面電荷密度の測定ができないとい
う欠点があった。
物質の非接触電位測定方法では、測定表面１がコンデン
サ構造をもたない場合、必然的に測定表面上での表面電
荷密度の変化が発生せず、原理的にその効果を実現する
ことができなかった。また、測定表面上のコンデンサ構
造を構成する物質によっては電圧を印加していない状態
と印加した状態との表面電荷密度の測定ができないとい
う欠点があった。
【０００４】本発明の目的は、このような欠点を除き、
コンデンサ構造をもたない場合にもその表面電位を測定
できるようにした非接触電位測定装置を提供することに
ある。
コンデンサ構造をもたない場合にもその表面電位を測定
できるようにした非接触電位測定装置を提供することに
ある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の非接触電位測定
装置の構成は、被測定物の測定表面に対向して配設され
その測定表面との間にコンデンサ構造をつくる対向電極
と、この対向電極に光を照射する光源と、前記測定表面
と前記電極との間の電位差を前記測定表面に対向する前
記電極に誘起された電荷の表面電荷密度変化として前記
電極からの反射光を検出する光検出器と、この光検出器
と前記光源および前記電極の間で入出力光を分離するビ
ームスプリッタとを備え、前記物質の表面電荷密度変化
を光学的に測定することにより、非接触測定を行うこと
を特徴とする。
装置の構成は、被測定物の測定表面に対向して配設され
その測定表面との間にコンデンサ構造をつくる対向電極
と、この対向電極に光を照射する光源と、前記測定表面
と前記電極との間の電位差を前記測定表面に対向する前
記電極に誘起された電荷の表面電荷密度変化として前記
電極からの反射光を検出する光検出器と、この光検出器
と前記光源および前記電極の間で入出力光を分離するビ
ームスプリッタとを備え、前記物質の表面電荷密度変化
を光学的に測定することにより、非接触測定を行うこと
を特徴とする。
【０００６】
【実施例】図１（ａ），（ｂ）は本発明の一実施例を説
明する構成図およびそのブロック図である。本実施例
は、測定装置自体に被測定物の測定表面１と対向する対
向電極２を設置し、測定表面１とこの装置１０のもつ電
極２との間にコンデンサ構造をつくり出し、この装置に
設置された電極２は電位の測定が十分可能な表面電荷６
の密度変化を実現できるような物質により構成される。
明する構成図およびそのブロック図である。本実施例
は、測定装置自体に被測定物の測定表面１と対向する対
向電極２を設置し、測定表面１とこの装置１０のもつ電
極２との間にコンデンサ構造をつくり出し、この装置に
設置された電極２は電位の測定が十分可能な表面電荷６
の密度変化を実現できるような物質により構成される。
【０００７】この電極２に誘起された表面電荷密度変化
により、電極を構成する物質のプラズマ振動数が変化す
るので、光源２から一定の振動数をもつ光を電極２に照
射したとき、電極２の反射率が変化し、この電極２の表
面電荷密度変化を反射光強度変化として検出する。この
電極２の表面電荷密度は測定表面１と電極２との間の電
位差に依存することから、測定表面の電位を測定するこ
とができる。
により、電極を構成する物質のプラズマ振動数が変化す
るので、光源２から一定の振動数をもつ光を電極２に照
射したとき、電極２の反射率が変化し、この電極２の表
面電荷密度変化を反射光強度変化として検出する。この
電極２の表面電荷密度は測定表面１と電極２との間の電
位差に依存することから、測定表面の電位を測定するこ
とができる。
【０００８】図１の物質の電位を非接触で測定する装置
において、被測定物の測定表面１は電圧を印加しない状
態で表面電荷密度Ｑｃをもつ物質から構成されている。
測定表面１はコンデンサ構造をもたないとすると、測定
表面１に光を直接照射した場合の測定表面１の光学的反
射率変化による電位の測定は原理的に不可能である。
において、被測定物の測定表面１は電圧を印加しない状
態で表面電荷密度Ｑｃをもつ物質から構成されている。
測定表面１はコンデンサ構造をもたないとすると、測定
表面１に光を直接照射した場合の測定表面１の光学的反
射率変化による電位の測定は原理的に不可能である。
【０００９】しかし、本実施例の対向電極２を測定表面
１に平行に距離ｄを保って設置すると、この電極２は電
圧を印加しない状態で表面電荷密度Ｑｅをもつ物質から
構成されており、また測定表面１と対向する電極２との
間には空気が充満しており、測定表面１と電極２は接触
しない。このとき測定表面１と電極２は一定の容量Ｃを
もつコンデンサとして機能する。
１に平行に距離ｄを保って設置すると、この電極２は電
圧を印加しない状態で表面電荷密度Ｑｅをもつ物質から
構成されており、また測定表面１と対向する電極２との
間には空気が充満しており、測定表面１と電極２は接触
しない。このとき測定表面１と電極２は一定の容量Ｃを
もつコンデンサとして機能する。
【００１０】ここで電極２に対して垂直に振動数ωの光
を照射するように光源３を設置する。この光源３から照
射された光が、電極２によって反射されこの反射光を検
出器４に導くため電極２と光源３の間にビームスプリッ
タ５を設置する。対向する電極２の電位を一定に固定
し、測定表面１と電極２との間で電位差が生じた場合、
電極２の表面には表面電荷密度変化ΔＱｅが生じる。こ
のときの電極２を構成する物質のプラズマ振動数は測定
表面１と電極２との間に電位差が生じる前と生じた時と
で、それぞれωｅ，ωｅ＋Δωｅと表すことができる。
を照射するように光源３を設置する。この光源３から照
射された光が、電極２によって反射されこの反射光を検
出器４に導くため電極２と光源３の間にビームスプリッ
タ５を設置する。対向する電極２の電位を一定に固定
し、測定表面１と電極２との間で電位差が生じた場合、
電極２の表面には表面電荷密度変化ΔＱｅが生じる。こ
のときの電極２を構成する物質のプラズマ振動数は測定
表面１と電極２との間に電位差が生じる前と生じた時と
で、それぞれωｅ，ωｅ＋Δωｅと表すことができる。
【００１１】光源３より照射される光の振動数ωが、ω
ｅとωｅ＋Δωｅの間にあるか、もしくはωｅ，ωｅ＋
Δωｅのどちらか一方と十分近い値を示している場合、
光源３より照射される振動数ωをもつ光に対する電極２
の反射率は十分大きく変化し、ビームスプリッタ５を介
して検出器４に導かれた電極２からの反射光の強度の変
化を検出器４で検出することにより、電極２の表面電荷
密度変化を知ることができる。表面電荷密度変化は測定
表面の電位に依存することから測定表面１の電位を知る
ことができる。
ｅとωｅ＋Δωｅの間にあるか、もしくはωｅ，ωｅ＋
Δωｅのどちらか一方と十分近い値を示している場合、
光源３より照射される振動数ωをもつ光に対する電極２
の反射率は十分大きく変化し、ビームスプリッタ５を介
して検出器４に導かれた電極２からの反射光の強度の変
化を検出器４で検出することにより、電極２の表面電荷
密度変化を知ることができる。表面電荷密度変化は測定
表面の電位に依存することから測定表面１の電位を知る
ことができる。
【００１２】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、測定装置
自体に測定表面に対向する電極を設置することにより、
物質のプラズマ振動数変化による光の反射率変化を利用
して物質の電位を非接触で測定する場合に、コンデンサ
構造をもたない測定表面、及びプラズマ振動数変化が適
正でない物質から構成されている測定表面に対しても、
非接触電位測定を可能にするという効果がある。
自体に測定表面に対向する電極を設置することにより、
物質のプラズマ振動数変化による光の反射率変化を利用
して物質の電位を非接触で測定する場合に、コンデンサ
構造をもたない測定表面、及びプラズマ振動数変化が適
正でない物質から構成されている測定表面に対しても、
非接触電位測定を可能にするという効果がある。
【図１】本発明の一実施例の原理を説明する模式図およ
びその模式的ブロック図。
びその模式的ブロック図。
【図２】従来の非接触電位測定法を説明するブロック図
およびその模式図。
およびその模式図。
１ 測定表面 ２ 対向電極 ３ 光源 ４ 検出器 ５ ビームスプリッタ ６ 電荷
Claims (1)
- 【請求項１】 被測定物の測定表面に対向して配設され
その測定表面との間にコンデンサ構造をつくる対向電極
と、この対向電極に光を照射する光源と、前記測定表面
と前記電極との間の電位差を前記測定表面に対向する前
記電極に誘起された電荷の表面電荷密度変化として前記
電極からの反射光を検出する光検出器と、この光検出器
と前記光源および前記電極の間で入出力光を分離するビ
ームスプリッタとを備え、前記物質の表面電荷密度変化
を光学的に測定することにより、非接触測定を行うこと
を特徴とする非接触電位測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5220744A JPH0823569B2 (ja) | 1993-09-06 | 1993-09-06 | 非接触電位測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5220744A JPH0823569B2 (ja) | 1993-09-06 | 1993-09-06 | 非接触電位測定装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0772195A true JPH0772195A (ja) | 1995-03-17 |
| JPH0823569B2 JPH0823569B2 (ja) | 1996-03-06 |
Family
ID=16755857
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5220744A Expired - Lifetime JPH0823569B2 (ja) | 1993-09-06 | 1993-09-06 | 非接触電位測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0823569B2 (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH028756A (ja) * | 1988-02-26 | 1990-01-12 | Victor Co Of Japan Ltd | 表面電位分布の検出装置 |
-
1993
- 1993-09-06 JP JP5220744A patent/JPH0823569B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH028756A (ja) * | 1988-02-26 | 1990-01-12 | Victor Co Of Japan Ltd | 表面電位分布の検出装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0823569B2 (ja) | 1996-03-06 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19960820 |