JPH0772208A - Easy output voltage measurement semiconductor integrated circuit - Google Patents
Easy output voltage measurement semiconductor integrated circuitInfo
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 出力バッファのDC特性測定を容易に行うこ
とができる半導体集積回路を得る。
【構成】 内部回路10の出力信号と電源電圧VDDとの
いずれか一方を選択し、後続する出力バッファ14に出
力するマルチプレクサ12を備えている。出力バッファ
14は出力端子16に出力信号を供給する。各出力端子
16−1…16−nにはそれぞれダイオード接続された
FETのソース端子が接続されている。各FET18−
1…18−nのドレイン端子は共通に最大電圧端子20
に接続されている。TEST端子からハイレベルの選択
信号が供給されると、マルチプレクサ12−1…12−
nは電源電圧VDDを選択し、この電圧を出力バッファ1
4−1…14−nに供給する。そのため、全出力バッフ
ァ14−1…14−nのうち最も出力電圧の高い信号が
最大電圧端子20に出力される。
(57) [Summary] [Object] To obtain a semiconductor integrated circuit capable of easily measuring the DC characteristics of an output buffer. [Configuration] A multiplexer 12 is provided which selects one of the output signal of the internal circuit 10 and the power supply voltage VDD and outputs the selected signal to a subsequent output buffer 14. The output buffer 14 supplies an output signal to the output terminal 16. Source terminals of diode-connected FETs are connected to the output terminals 16-1 ... 16-n, respectively. Each FET 18-
The drain terminals of 1 ... 18-n are commonly connected to the maximum voltage terminal 20.
It is connected to the. When a high-level selection signal is supplied from the TEST terminal, the multiplexers 12-1 ... 12-
n selects the power supply voltage VDD and outputs this voltage to the output buffer 1
4-1 ... 14-n are supplied. Therefore, the signal with the highest output voltage of all the output buffers 14-1 ... 14-n is output to the maximum voltage terminal 20.
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路に関す
る。特に、出力電圧を容易に測定することが可能な半導
体集積回路に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor integrated circuit. In particular, it relates to a semiconductor integrated circuit capable of easily measuring an output voltage.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来、完成した半導体集積回路の試験
は、一般にLSIテスタと呼ばれる試験装置を用いて行
われている。製造ラインから出てきた半導体集積回路の
性能試験だけでなく、ユーザにおいても、必要によりこ
のLSIテスタを用いて半導体集積回路の機能の確認や
出力電圧値、及び遅延時間等の試験が行われている。2. Description of the Related Art Conventionally, a completed semiconductor integrated circuit is tested by using a test device generally called an LSI tester. Not only the performance test of the semiconductor integrated circuit that has come out from the manufacturing line, but also the user can use this LSI tester to confirm the function of the semiconductor integrated circuit and to test the output voltage value, delay time, etc., if necessary. There is.
【0003】このうち、出力電圧の測定は、被測定物で
ある半導体集積回路にバイアスを印加した状態で直流電
圧または電流を測定する方法が従来から行われてきた。
このいわゆる直流測定法は、直流電圧を直接測定する直
流測定器が用いられ、直流測定すべき半導体集積回路の
測定端子ごとに直流測定器を接続して、この半導体集積
回路へバイアスを印加した時における各測定端子の出力
電圧を測定することにより実施されている。ここで、バ
イアスとは、その被測定端子に、現実の使用に合わせて
電流を印加することである。これによって、現実の使用
状態において、その(被測定)端子の現実の使用におけ
る出力電圧が測定される。Among them, the output voltage is conventionally measured by measuring a DC voltage or a current in a state where a bias is applied to a semiconductor integrated circuit as an object to be measured.
This so-called direct current measuring method uses a direct current measuring device for directly measuring a direct current voltage. When a direct current measuring device is connected to each measuring terminal of a semiconductor integrated circuit to be subjected to direct current measurement and a bias is applied to this semiconductor integrated circuit. It is carried out by measuring the output voltage of each measurement terminal in. Here, the bias means to apply a current to the measured terminal according to actual use. As a result, in the actual use state, the output voltage of the (measured) terminal in the actual use is measured.
【0004】従来のこのような測定方法においては、出
力端子の1ピンずつ測定条件の所定の電流を印加して、
その電圧値が測定されていた。従って、1ピンごとに測
定が行われていたため、測定が面倒でかつ時間が長くな
ってしまうという問題があった。このため、半導体集積
回路における被測定端子のそれぞれに直流測定するテス
タを設ける等して、複数の測定端子を同時に測定する方
法が考えられる。しかし、この場合には測定器全体が大
型化してしまうという問題がある。In such a conventional measuring method, a predetermined current under the measuring condition is applied for each pin of the output terminal,
The voltage value was measured. Therefore, since the measurement is performed for each pin, there is a problem that the measurement is troublesome and takes a long time. Therefore, a method of simultaneously measuring a plurality of measurement terminals by providing a tester for measuring the direct current to each of the terminals to be measured in the semiconductor integrated circuit is conceivable. However, in this case, there is a problem that the entire measuring device becomes large.
【0005】以上のような問題を解決するために、従来
の改良された試験方法が、例えば特開平1−24087
3号公報に記載されている。ここに記載されている方法
によれば、バイアスを印加し、すなわち出力電流を印加
した測定端子の出力電圧が所定の上限値または下限値と
比較されている。すなわち、この方法においては、被測
定端子の出力電圧の値を測定するのではなく、所定の上
限値または下限値との大きさの比較が行われるのであ
る。従って、この方法においてはいわゆる電流計ではな
くコンパレータを使用することにより簡易に測定端子の
出力電圧が所定の規格値の範囲にあることが試験され得
る。In order to solve the above problems, a conventional improved test method is disclosed in, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 1-24087.
No. 3 publication. According to the method described here, the output voltage of the measuring terminal to which the bias is applied, that is, the output current is applied, is compared with a predetermined upper limit value or lower limit value. That is, in this method, the value of the output voltage of the terminal to be measured is not measured, but the magnitude is compared with a predetermined upper limit value or lower limit value. Therefore, in this method, it is possible to easily test that the output voltage of the measurement terminal is within the predetermined standard value range by using the comparator instead of the so-called ammeter.
【0006】[0006]
【発明が解決しようとする課題】このように、上記従来
の改良された試験方法によれば、コンパレータによる迅
速な出力電圧の測定が行われる。しかしながら、各測定
端子ごとに測定を行わなければならない点に変わりはな
く、近年のように半導体集積回路の多ピン化が進展して
いる状況の下では、測定時間の短縮化には限界があっ
た。As described above, according to the above-mentioned conventional and improved test method, the output voltage is measured quickly by the comparator. However, there is no change in the point that measurement must be performed for each measurement terminal, and under the situation where the number of pins of semiconductor integrated circuits is increasing in recent years, there is a limit to the reduction of measurement time. It was
【0007】本発明は上記課題に鑑みなされたものであ
り、その目的は、全ての測定端子の出力電圧値が所定の
電圧範囲にあることを迅速に測定することが可能な半導
体集積回路を提供することである。The present invention has been made in view of the above problems, and an object thereof is to provide a semiconductor integrated circuit capable of quickly measuring that the output voltage values of all measurement terminals are within a predetermined voltage range. It is to be.
【0008】[0008]
【課題を解決するための手段】第一の本発明は上記課題
を解決するために、外部に出力信号を出力する複数の出
力端子と、前記出力端子に出力される信号のうち最も高
い電圧と等しい電圧の信号を出力する最大電圧端子と、
前記各出力端子ごとに設けられ、前記出力端子に出力信
号を供給する出力バッファと、前記各出力バッファの出
力信号を、ハイレベルに強制設定するハイレベル設定手
段と、前記各出力端子に出力される信号のうち最も高い
電圧を検出し、その電圧を前記最大電圧端子に出力する
最大電圧検出手段と、を含むことを特徴とする半導体集
積回路である。In order to solve the above-mentioned problems, the first aspect of the present invention provides a plurality of output terminals for outputting an output signal to the outside and a highest voltage among the signals output to the output terminals. A maximum voltage terminal that outputs a signal of equal voltage,
An output buffer provided for each of the output terminals, which supplies an output signal to the output terminal, a high level setting means for forcibly setting the output signal of the output buffer to a high level, and output to the output terminals. Maximum voltage detecting means for detecting the highest voltage of the signals and outputting the voltage to the maximum voltage terminal.
【0009】第二の本発明は上記課題を解決するため
に、外部に出力信号を出力する複数の出力端子と、前記
出力端子に出力される信号のうち最も低い電圧と等しい
電圧の信号を出力する最小電圧端子と、前記各出力端子
ごとに設けられ、前記出力端子に出力信号を供給する出
力バッファと、前記各出力バッファの出力信号を、ロウ
レベルに強制設定するロウレベル設定手段と、前記各出
力端子に出力される信号のうち最も低い電圧を検出し、
その電圧を前記最小電圧端子に出力する最小電圧検出手
段と、を含むことを特徴とする半導体集積回路である。In order to solve the above-mentioned problems, the second aspect of the present invention outputs a plurality of output terminals for outputting an output signal to the outside and a signal having a voltage equal to the lowest voltage of the signals output to the output terminals. A minimum voltage terminal, an output buffer provided for each output terminal and supplying an output signal to the output terminal, a low level setting means for forcibly setting the output signal of each output buffer to a low level, and each output Detect the lowest voltage among the signals output to the terminals,
And a minimum voltage detecting means for outputting the voltage to the minimum voltage terminal.
【0010】第三の本発明は上記課題を解決するため
に、外部に出力信号を出力する複数の出力端子と、前記
出力端子に出力される信号のうち最も高い電圧と等しい
電圧の信号を出力する最大電圧端子と、前記各出力端子
ごとに設けられ、前記出力端子に出力信号を供給する出
力バッファと、前記各出力バッファの出力信号を、順番
にハイレベルに強制設定する第二のハイレベル設定手段
と、前記各出力端子に出力される信号のうち最も高い電
圧を検出し、その電圧を前記最大電圧端子に出力する最
大電圧検出手段と、を含むことを特徴とする半導体集積
回路である。In order to solve the above problems, a third aspect of the present invention outputs a plurality of output terminals for outputting an output signal to the outside and a signal having a voltage equal to the highest voltage among the signals output to the output terminals. A maximum voltage terminal, an output buffer provided for each of the output terminals and supplying an output signal to the output terminal, and a second high level for forcibly setting the output signals of the output buffers to the high level in order. A semiconductor integrated circuit comprising: setting means; and maximum voltage detecting means for detecting the highest voltage of the signals output to the output terminals and outputting the voltage to the maximum voltage terminal. .
【0011】第四の本発明は上記課題を解決するため
に、外部に出力信号を出力する複数の出力端子と、前記
出力端子に出力される信号のうち最も低い電圧と等しい
電圧の信号を出力する最小電圧端子と、前記各出力端子
ごとに設けられ、前記出力端子に出力信号を供給する出
力バッファと、前記各出力バッファの出力信号を、順番
にロウレベルに強制設定する第二のロウレベル設定手段
と、前記各出力端子に出力される信号のうち最も低い電
圧を検出し、その電圧を前記最小電圧端子に出力する最
小電圧検出手段と、を含むことを特徴とする半導体集積
回路である。In order to solve the above problems, a fourth aspect of the present invention outputs a plurality of output terminals for outputting an output signal to the outside and a signal having a voltage equal to the lowest voltage among the signals output to the output terminals. Minimum voltage terminal, an output buffer provided for each of the output terminals and supplying an output signal to the output terminal, and second low level setting means for forcibly setting the output signals of the output buffers to the low level in order. And a minimum voltage detecting means for detecting the lowest voltage of the signals output to the output terminals and outputting the voltage to the minimum voltage terminal.
【0012】第五、第六の本発明は上記課題を解決する
ために、上記第一、第三の本発明において、前記最大電
圧検出手段は、前記各出力端子ごとに設けられている整
流器を含み、前記各整流器のカソードは前記最大電圧端
子に接続され、前記各整流器のアノードは前記出力端子
に接続されていることを特徴とする半導体集積回路であ
る。In order to solve the above-mentioned problems, the fifth and sixth aspects of the present invention are the same as the first and third aspects of the present invention, wherein the maximum voltage detecting means is a rectifier provided for each of the output terminals. In the semiconductor integrated circuit, the cathode of each of the rectifiers is connected to the maximum voltage terminal, and the anode of each of the rectifiers is connected to the output terminal.
【0013】第七の本発明は上記課題を解決するため
に、上記第六の本発明において、前記最大電圧検出手段
が、前記最大電圧端子と接地との間に接続されているコ
ンデンサを含むこと特徴とする半導体集積回路である。In order to solve the above-mentioned problems, the seventh invention is the sixth invention, wherein the maximum voltage detecting means includes a capacitor connected between the maximum voltage terminal and ground. It is a featured semiconductor integrated circuit.
【0014】第八、第九の本発明は上記課題を解決する
ために、上記第二または第四の本発明において、前記最
小電圧検出手段は、前記各出力端子ごとに設けられてい
る整流器を含み、前記各整流器のアノードは前記最小電
圧端子に接続され、前記各整流器のカソードは前記出力
端子に接続されていることを特徴とする半導体集積回路
である。In order to solve the above-mentioned problems, the eighth and ninth aspects of the present invention are the same as those of the second or fourth aspect of the invention, wherein the minimum voltage detecting means is a rectifier provided for each of the output terminals. In the semiconductor integrated circuit, the anode of each of the rectifiers is connected to the minimum voltage terminal, and the cathode of each of the rectifiers is connected to the output terminal.
【0015】第十の本発明は上記課題を解決するため
に、上記第九の本発明において、前記最小電圧検出手段
が、前記最小電圧端子と接地との間に接続されているコ
ンデンサを含むこと特徴とする半導体集積回路である。In order to solve the above problems, the tenth invention is the ninth invention, wherein the minimum voltage detecting means includes a capacitor connected between the minimum voltage terminal and ground. It is a featured semiconductor integrated circuit.
【0016】[0016]
【作用】第一の本発明における最大電圧検出手段は、各
出力端子に出力される信号中、最大電圧の信号と等しい
電圧を検出する。そしてこの検出された電圧が最大電圧
端子に出力される。従って、この最大電圧端子に接続さ
れた外部の測定装置は、出力端子に出力されている信号
のうち最も高い電圧を検出する。The maximum voltage detecting means in the first aspect of the present invention detects a voltage equal to the maximum voltage signal among the signals output to the respective output terminals. Then, the detected voltage is output to the maximum voltage terminal. Therefore, the external measuring device connected to the maximum voltage terminal detects the highest voltage among the signals output to the output terminal.
【0017】第二の本発明における最小電圧検出手段
は、全ての出力端子に出力される電圧のうち最も低い電
圧を検出する。そしてこの検出された電圧が最小電圧対
しに出力されている。従って、この最小電圧端子に接続
された外部の測定装置は各出力端子に出力される信号の
うち最も低い電圧を測定する。The minimum voltage detecting means in the second aspect of the present invention detects the lowest voltage among the voltages output to all the output terminals. Then, the detected voltage is output to the minimum voltage. Therefore, the external measuring device connected to this minimum voltage terminal measures the lowest voltage of the signals output to each output terminal.
【0018】第三の本発明における第2のハイレベル設
定手段は、各出力端子に接続されている出力バッファを
順にハイレベルに強制的に設定する。そして、最大電圧
検出手段は、この各出力端子に出力される信号のうち最
も高い電圧、最大電圧端子に出力する。従って、最大電
圧端子に最大値ホールド回路を有し所定周期の間の最大
電圧を検出する電圧測定装置を接続すれば、その測定装
置には各出力端子が出力する信号のうち最も高い電圧が
測定される。The second high level setting means in the third aspect of the present invention forcibly sets the output buffers connected to the respective output terminals in order to the high level. Then, the maximum voltage detecting means outputs the highest voltage among the signals output to the respective output terminals to the maximum voltage terminal. Therefore, if a voltage measuring device that has a maximum value hold circuit at the maximum voltage terminal and detects the maximum voltage during a predetermined period is connected, the measuring device measures the highest voltage among the signals output from each output terminal. To be done.
【0019】第四の本発明における第2のロウレベル設
定手段は、各出力バッファの出力を順番にロウレベルに
強制的に設定する。一方、最小電圧検出手段は、各出力
端子に出力される信号のうち最も低い電圧を最小電圧端
子に出力しているので、最小電圧端子に、最小値ホール
ド回路を備えた電圧測定装置を接続すれば、全ての出力
バッファの出力信号がロウレベルになる周期における最
小の電圧を測定することにより、各出力バッファの中で
最も低い電圧を検出することが可能である。The second low level setting means in the fourth aspect of the invention forcibly sets the output of each output buffer to the low level in order. On the other hand, since the minimum voltage detecting means outputs the lowest voltage among the signals output to the output terminals to the minimum voltage terminal, the minimum voltage terminal may be connected to a voltage measuring device equipped with a minimum value holding circuit. For example, it is possible to detect the lowest voltage in each output buffer by measuring the minimum voltage in the cycle in which the output signals of all the output buffers are at the low level.
【0020】第五及び第六の本発明における最大電圧検
出手段は、いわゆるダイオードネットワークにより構成
されている。従って、各整流器のカソードが共通に接続
されている最大電圧端子には、各整流器のアノードに印
加されている電圧のうち最も大きな値の電圧が現れる。The maximum voltage detecting means in the fifth and sixth aspects of the present invention is constituted by a so-called diode network. Therefore, the largest voltage among the voltages applied to the anode of each rectifier appears at the maximum voltage terminal to which the cathode of each rectifier is commonly connected.
【0021】第七の本発明における最大電圧検出手段
は、更に、最大電圧端子と接地との間に接続されている
コンデンサを含んでいる。従って、この最大電圧端子に
接続される電圧測定装置に最大値ホールド回路がなくて
も、この最大電圧端子には、全ての出力端子がハイレベ
ルに設定される所定の周期における最大の電圧が保持さ
れることになる。The maximum voltage detecting means in the seventh aspect of the present invention further includes a capacitor connected between the maximum voltage terminal and the ground. Therefore, even if the voltage measuring device connected to this maximum voltage terminal does not have a maximum value hold circuit, this maximum voltage terminal holds the maximum voltage in a predetermined cycle in which all output terminals are set to high level. Will be done.
【0022】第八及び第九の本発明における最小電圧検
出手段は、いわゆるダイオードネットワークにより構成
されている。このダイオードネットワークのアノードが
共通に接続されている最小電圧端子には、ダイオードネ
ットワークのカソードに印加される電圧のうち最も小さ
な電圧が現れる。The minimum voltage detecting means in the eighth and ninth aspects of the present invention is constituted by a so-called diode network. The smallest voltage among the voltages applied to the cathode of the diode network appears at the minimum voltage terminal to which the anodes of the diode network are commonly connected.
【0023】第十の本発明における最小電圧検出手段
は、最小電圧端子と接地との間に接続されているコンデ
ンサを含んでいる。従って、最小電圧端子に出力される
各出力端子の中で最も小さな電圧の信号は、このコンデ
ンサに保持される。従って、最小値ホールド回路を有し
ない電圧測定装置が前記最小電圧端子に接続された場合
においても、各出力端子にロウレベルが強制的に設定さ
れる所定の周期における最小の出力信号の電圧が測定さ
れ得る。The minimum voltage detecting means in the tenth aspect of the present invention includes a capacitor connected between the minimum voltage terminal and the ground. Therefore, the signal having the smallest voltage among the output terminals output to the minimum voltage terminal is held in this capacitor. Therefore, even when a voltage measuring device having no minimum value hold circuit is connected to the minimum voltage terminal, the voltage of the minimum output signal in a predetermined cycle in which a low level is forcibly set at each output terminal is measured. obtain.
【0024】[0024]
【実施例】以下、本発明の好適な実施例を図面に基づい
て説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENT A preferred embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【0025】実施例1 実施例1による半導体集積回路の回路図が図1に示され
ている。図1に示されているように、内部回路10の各
出力信号はマルチプレクサ12−1…12−nを介して
出力バッファ14−1…14−nに接続されている。そ
して、出力バッファ14−1…14−nの各出力信号は
出力端子16−1…16−nにそれぞれ供給されてい
る。本実施例において特徴的なことは内部回路10の出
力信号がマルチプレクサ12を介して出力バッファ14
に供給されていることである。このマルチプレクサ12
−1…12−nは、内部回路10からの出力信号と電源
電圧VDDとのいずれかの信号を選択して出力バッファ1
4に供給する。全てのマルチプレクサ12−1…12−
nの選択状態は、外部からの選択信号により制御され
る。本実施例1においてはこの選択信号は、TEST端
子を通じて外部から供給される。そして、このTEST
端子を介して入力された選択信号がロウレベルである場
合には各マルチプレクサ12−1…12−nは内部回路
10からの出力信号を選択して出力バッファ14−1…
14−nに供給する。しかし、この選択信号がハイレベ
ルである場合には各マルチプレクサ12−1…12−n
は電源電圧VDDを選択する。すなわち、後続する出力バ
ッファ14−1…14−nに強制的にハイレベルの信号
を供給するのである。これによって、本実施例1によれ
ば外部からの選択信号により出力バッファ14−1…1
4−nにハイレベルの信号を出力させることが可能であ
る。 Embodiment 1 A circuit diagram of a semiconductor integrated circuit according to Embodiment 1 is shown in FIG. As shown in FIG. 1, each output signal of the internal circuit 10 is connected to the output buffers 14-1 ... 14-n via the multiplexers 12-1 ... 12-n. The output signals of the output buffers 14-1 ... 14-n are supplied to the output terminals 16-1 ... 16-n, respectively. A feature of this embodiment is that the output signal of the internal circuit 10 is output via the multiplexer 12 to the output buffer 14
Is being supplied to. This multiplexer 12
-1 ... 12-n selects one of the output signal from the internal circuit 10 and the power supply voltage VDD to output the output buffer 1
Supply to 4. All multiplexers 12-1 ... 12-
The selection state of n is controlled by a selection signal from the outside. In the first embodiment, this selection signal is externally supplied through the TEST terminal. And this TEST
When the selection signal input through the terminal is low level, each multiplexer 12-1 ... 12-n selects the output signal from the internal circuit 10 and outputs the output buffer 14-1.
14-n. However, when this selection signal is at high level, each multiplexer 12-1 ... 12-n
Selects the power supply voltage VDD. That is, a high level signal is forcibly supplied to the subsequent output buffers 14-1 ... 14-n. As a result, according to the first embodiment, the output buffers 14-1 ... 1 according to the selection signal from the outside.
It is possible to output a high level signal to 4-n.
【0026】更に、本実施例における出力バッファ14
−1…14−nの各出力端子にはFET18のソース端
子がそれぞれ接続されている。このFET18−1…1
8−nのドレインは共通に最大電圧端子20に接続され
ている。これらのFET18−1…18−nのゲート端
子はそれぞれノソース端子に接続されている。すなわ
ち、各FET18−1…18−nはいわゆるダイオード
接続されており、その結果各出力バッファ14−1…1
4−nの出力信号のうち最も電圧の高い信号が上記最大
電圧端子20に出力されるのである。Further, the output buffer 14 in the present embodiment.
The source terminals of the FETs 18 are connected to the respective output terminals of -1 ... 14-n. This FET 18-1 ... 1
The drains of 8-n are commonly connected to the maximum voltage terminal 20. The gate terminals of these FETs 18-1 ... 18-n are respectively connected to the source terminals. That is, each FET 18-1 ... 18-n is so-called diode-connected, and as a result, each output buffer 14-1 ... 18-n.
The signal with the highest voltage among the output signals of 4-n is output to the maximum voltage terminal 20.
【0027】本実施例1による半導体集積回路はTES
T端子にロウレベルの信号が印加されている場合には、
前記マルチプレクサ12−1…12−nは内部回路10
からの信号を選択し、この信号をそれぞれ対応する出力
バッファ14−1…14−nに供給する。そして各信号
は出力端子16−1…16−nを介して外部に出力され
る。The semiconductor integrated circuit according to the first embodiment is TES
When a low level signal is applied to the T terminal,
The multiplexers 12-1 ... 12-n are internal circuits 10
Signal is selected and supplied to the corresponding output buffers 14-1 ... 14-n. Then, each signal is output to the outside through the output terminals 16-1 ... 16-n.
【0028】一方、TEST端子にハイレベルの信号が
印加された場合には、各マルチプレクサ12−1…12
−nは全て電源電圧VDDを選択し、この電圧の信号を各
出力バッファ14−1…14−nに供給する。従って、
各出力端子16−1…16−nにはすべてハイレベルの
信号が強制的に出力されることになる。On the other hand, when a high level signal is applied to the TEST terminal, each multiplexer 12-1 ... 12
-N selects the power supply voltage VDD, and supplies a signal of this voltage to each output buffer 14-1 ... 14-n. Therefore,
A high level signal is forcibly output to each of the output terminals 16-1 ... 16-n.
【0029】本実施例において特徴的なことは、このよ
うに外部からの選択信号により半導体集積回路の出力信
号を全てハイレベルに強制的に設定することができるこ
とである。そして、本実施例1においてさらに特徴的な
ことは各出力端子16−1…16−nにそれぞれ対応し
てダイオード接続されたFET18−1…18−nが接
続されていることである。この構成により、各出力端子
16−1…16−nに出力されている信号のうち最も電
圧の高い信号と等しい電圧の信号が最大電圧端子20に
現れることになる。従って、この最大電圧端子20に電
圧測定装置を接続しその電圧を測定すれば、全ての出力
端子16−1…16−nのうち最大の電圧を測定するこ
とができる。従って、出力端子16−1…16−n信号
が所定の上限の規定値以下であるか否かが、前記最大電
圧端子20に現れる電圧を1度測定するのみで確認する
ことが可能である。A feature of this embodiment is that all the output signals of the semiconductor integrated circuit can be forcibly set to a high level by the selection signal from the outside as described above. Further, the present embodiment 1 is further characterized in that the diode-connected FETs 18-1 to 18-n are connected to the output terminals 16-1 to 16-n, respectively. With this configuration, a signal having the same voltage as the highest voltage signal among the signals output to the output terminals 16-1 ... 16-n appears at the maximum voltage terminal 20. Therefore, if a voltage measuring device is connected to the maximum voltage terminal 20 and the voltage is measured, the maximum voltage of all the output terminals 16-1 ... 16-n can be measured. Therefore, it is possible to confirm whether or not the signals at the output terminals 16-1 ... 16-n are equal to or less than the specified value of the predetermined upper limit by only once measuring the voltage appearing at the maximum voltage terminal 20.
【0030】多くの場合、半導体集積回路の規格として
はその出力信号の上限値と下限値とが定められている場
合が多い。従って、本実施例1によれば、ある所定の上
限値未満に全ての出力端子16−1…16−nの出力信
号が収まっていることが、最大電圧端子20の電圧を1
度測定するのみで可能である。In many cases, the upper limit value and the lower limit value of the output signal of the semiconductor integrated circuit are set as the standard. Therefore, according to the first embodiment, when the output signals of all the output terminals 16-1 ... 16-n are less than a predetermined upper limit value, the voltage of the maximum voltage terminal 20 is 1
It is possible only by measuring the degree.
【0031】このように、本実施例1によれば半導体集
積回路の出力信号の上限値に対する試験が極めて短時間
で行われるという効果を有する。なお、実際に負荷を接
続した状態での出力電圧が必要である場合には各出力端
子16−1…16−nに所望の負荷を接続しておけばそ
の状態における出力電圧が最大電圧端子20に現れるこ
とになる。これによって、任意の負荷条件における試験
が容易に行えるという効果を有する。As described above, according to the first embodiment, there is an effect that the test for the upper limit value of the output signal of the semiconductor integrated circuit is performed in an extremely short time. If an output voltage in a state where a load is actually connected is required, if a desired load is connected to each output terminal 16-1 ... 16-n, the output voltage in that state is the maximum voltage terminal 20. Will appear in. This has an effect that a test can be easily performed under an arbitrary load condition.
【0032】本実施例1においてはマルチプレクサ12
−1…12−nにより強制的にハイレベルの信号を出力
させるためのハイレベル設定手段を設け、各出力端子1
6−1…16−nに出力される出力信号が所定の上限値
未満に収まっているかどうかを検査できた。しかし、強
制的に出力信号をロウレベルに設定するロウレベル設定
手段を用いて、かつ、ダイオード接続されたFET18
−1…18−nの接続関係を逆にすることによって各出
力端子16−1…16−nに出力される信号のうち最も
電圧の低い信号を取り出すことも可能である。これによ
って、各出力端子16−1…16−nに出力される信号
が所定の規格の下限値以上あることを検査させることが
可能である。この場合、上記最大電圧端子20は、出力
端子16−1…16−nに出力される信号のうち最小の
電圧の信号を出力する最小電圧端子20´となることは
いうまでもない。このような場合においても、上述した
実施例1の効果である迅速に規格の値を満足しているか
否かを判断できるということは同様に達成されている。In the first embodiment, the multiplexer 12
-1 ... 12-n is provided with a high level setting means for forcibly outputting a high level signal, and each output terminal 1
It was possible to inspect whether the output signals output to 6-1 ... 16-n are below a predetermined upper limit value. However, by using the low level setting means for forcibly setting the output signal to the low level, the diode-connected FET 18 is used.
It is also possible to take out the signal having the lowest voltage among the signals output to the output terminals 16-1 ... 16-n by reversing the connection relationship of -1 ... 18-n. Thereby, it is possible to inspect that the signals output to the output terminals 16-1 ... 16-n are equal to or more than the lower limit value of the predetermined standard. In this case, it goes without saying that the maximum voltage terminal 20 becomes the minimum voltage terminal 20 'which outputs the signal of the minimum voltage among the signals output to the output terminals 16-1 ... 16-n. Even in such a case, it is similarly achieved that the effect of the above-described first embodiment is that it is possible to quickly determine whether or not the standard value is satisfied.
【0033】実施例2 図2に、本実施例2の半導体集積回路の回路図が示され
ている。図2に示されているように、本実施例2の半導
体集積回路は、上記実施例1と同様に内部回路30から
出力される各出力信号に対しマルチプレクサ32−1…
32−nが備えられている。そして、各マルチプレクサ
32−1…32−nにはそれぞれ出力バッファ34−1
…34−nが接続されており、その各出力信号は出力端
子36−1…36−nに出力されている。 Second Embodiment FIG. 2 shows a circuit diagram of a semiconductor integrated circuit of the second embodiment. As shown in FIG. 2, in the semiconductor integrated circuit of the second embodiment, the multiplexers 32-1 ... For the output signals output from the internal circuit 30 as in the first embodiment.
32-n are provided. Then, the output buffer 34-1 is provided to each of the multiplexers 32-1 ... 32-n.
34-n are connected, and their output signals are output to the output terminals 36-1 ... 36-n.
【0034】本実施例2において特徴的なことは、マル
チプレクサ32−1…32−nに供給されている選択信
号が、外部から供給されているのではなく、各マルチプ
レクサ32−1…32−nにそれぞれ設けられているフ
リップフロップ38−1…38−nからそれぞれ供給さ
れていることである。このフリップフロップ38−1…
38−nは、直列に接続されており、全体としてシフト
レジスタを構成している。すなわち、フリップフロップ
38−1の出力信号はフリップフロップ38−2の入力
端子に供給され、フリップフロップ38−2の出力信号
はフリップフロップ38−3の入力端子に供給されてい
る。各フリップフロップ38−1…38−nには共通の
クロック信号が発振回路40から供給されている。これ
によって、各フリップフロップ38−1…38−nはい
わゆる前段の他のフリップフロップが保持しているデー
タを前記クロック信号に同期して受取、更に後段のフリ
ップフロップにクロック信号に同期してデータを送出す
る。最初の段のフリップフロップ38−1には、パター
ン発生器42からの信号が供給されている。このパター
ン発生器42は、前記クロック信号の周期のn倍の期間
の間で1クロック周期だけハイレベルとなるような信号
を出力する。そして、このパターン発生器42から出力
される信号は各フリップフロップ38を伝搬していき、
最後のフリップフロップ38−nまで伝搬される。従っ
て、パターン発生器42から出力された前記ハイレベル
の信号は各クロック周期ごとに各フリップフロップ38
−1…38−nを伝搬していき、最後にフリップフロッ
プ38−nに保持される。そして次のクロック周期にお
いてはこのフリップフロップ38−nにはロウレベルの
信号が供給されるためフリップフロップ38−nの保持
する信号の値はロウレベルとなるが、それと同時に、新
たなハイレベルの信号がパターン発生器42から出力さ
れフリップフロップ38−1に保持される。このよう
に、本実施例においてはフリップフロップ38−1…3
8−nのうちいずれか1つのフリップフロップ38が常
にハイレベルの信号を保持するように構成されている。
従って、本実施例2におけるマルチプレクサ32−1…
32−nのうちいずれか1つのみが電源電圧VDDを選択
することになる。The characteristic feature of the second embodiment is that the selection signals supplied to the multiplexers 32-1 to 32-n are not supplied from the outside but to the multiplexers 32-1 to 32-n. 38-n provided in each of the flip-flops 38-1 to 38-n. This flip-flop 38-1 ...
38-n are connected in series and constitute a shift register as a whole. That is, the output signal of the flip-flop 38-1 is supplied to the input terminal of the flip-flop 38-2, and the output signal of the flip-flop 38-2 is supplied to the input terminal of the flip-flop 38-3. A common clock signal is supplied from the oscillation circuit 40 to each of the flip-flops 38-1 ... 38-n. As a result, each of the flip-flops 38-1 ... 38-n receives the data held by the so-called other flip-flop in the previous stage in synchronization with the clock signal, and further receives the data in the subsequent flip-flop in synchronization with the clock signal. Is sent. The signal from the pattern generator 42 is supplied to the flip-flop 38-1 in the first stage. The pattern generator 42 outputs a signal that becomes high level for one clock period during a period of n times the period of the clock signal. The signal output from the pattern generator 42 propagates through each flip-flop 38,
It is propagated to the last flip-flop 38-n. Therefore, the high level signal output from the pattern generator 42 is output to each flip-flop 38 for each clock cycle.
-1 ... 38-n is propagated and finally held in the flip-flop 38-n. In the next clock cycle, the low-level signal is supplied to the flip-flop 38-n, so that the value of the signal held by the flip-flop 38-n becomes low level, but at the same time, a new high-level signal is output. It is output from the pattern generator 42 and held in the flip-flop 38-1. Thus, in the present embodiment, the flip-flops 38-1 ... 3
Any one of 8-n flip-flops 38 is configured to always hold a high level signal.
Therefore, the multiplexer 32-1 in the second embodiment ...
Only one of the 32-n selects the power supply voltage VDD.
【0035】上述した実施例1においては、外部からの
選択信号によって全てのマルチプレクサ12−1…12
−nが電源電圧VDDを選択した。しかし、このように構
成した場合、全ての出力端子16−1…16−nがハイ
レベルとなり、電源電流の急激な変化が生じる。これは
しばしば電源電圧の瞬間的な低下や、ノイズの発生を引
き起こす可能性があり、測定の対象である出力バッファ
14以外の回路にも影響を与えてしまう恐れがある。本
実施例2においては、強制的にハイレベルに設定される
マルチプレクサ32をただ1つとすることにより、この
ようなノイズの発生を防止している。In the first embodiment described above, all the multiplexers 12-1 ... 12 are selected by an external selection signal.
-N selects the power supply voltage VDD. However, in the case of such a configuration, all the output terminals 16-1 ... 16-n become high level, and a sudden change in the power supply current occurs. This often causes a momentary drop in the power supply voltage and the generation of noise, and may affect circuits other than the output buffer 14 that is the object of measurement. In the second embodiment, such noise is prevented by using only one multiplexer 32 which is forcibly set to the high level.
【0036】本実施例2において、パターン発生器42
から出力されるパターン信号が、フリップフロップ38
−1…38−nを伝搬されていく様子が図3のタイムチ
ャートに示されている。図3のタイムチャートに示され
ているように、外部からのTEST信号がハイレベルに
なると、クロック発生器40とパターン発生器42とが
それぞれイネーブルされる。すると、前述したように、
クロック発生器40は、クロック信号をフリップフロッ
プ38−1…38−nにそれぞれ共通に供給し始める。
このクロック信号は、図3に示されているような信号で
ある。また、パターン発生器42が出力するパターン信
号は図3に示されているように一定の間隔をもってハイ
レベルとなる信号である。このようなクロック信号及び
パターン信号がフリップフロップ38−1…38−nに
供給されることにより、これらのフリップフロップ38
のうちいずれか1つのフリップフロップ38のみがハイ
レベルの信号を出力する。その結果、図3に示されてい
るようにあるクロック周期では出力端子a(36−1)
にハイレベルの信号が出力され、その次のクロック周期
においては出力端子b(36−2)にハイレベルの信号
が強制的に出力される。そして、さらに次のクロック周
期においては出力端子c(36−3)に強制的にハイレ
ベルの信号が強制的に出力される。このようにして、出
力バッファ34−1…34−nの出力信号が次々にハイ
レベルに設定され、それらの出力信号のうち最も高い電
圧を有する信号がダイオードネットワークを介して最大
電圧端子46に出力される。In the second embodiment, the pattern generator 42
The pattern signal output from the flip-flop 38
The time chart of FIG. 3 shows how the signals are propagated through -1 ... 38-n. As shown in the time chart of FIG. 3, when the TEST signal from the outside goes to high level, the clock generator 40 and the pattern generator 42 are enabled respectively. Then, as mentioned above,
The clock generator 40 starts to commonly supply the clock signal to the flip-flops 38-1 ... 38-n.
This clock signal is a signal as shown in FIG. Further, the pattern signal output from the pattern generator 42 is a signal which becomes a high level at a constant interval as shown in FIG. By supplying such a clock signal and a pattern signal to the flip-flops 38-1 ... 38-n, these flip-flops 38-1.
Only one of the flip-flops 38 outputs a high level signal. As a result, as shown in FIG. 3, in a certain clock cycle, the output terminal a (36-1)
To the output terminal b (36-2) in the next clock cycle. Then, in the next clock cycle, a high level signal is forcibly output to the output terminal c (36-3). In this way, the output signals of the output buffers 34-1 ... 34-n are sequentially set to the high level, and the signal having the highest voltage among those output signals is output to the maximum voltage terminal 46 via the diode network. To be done.
【0037】最も高い電圧を有する信号が最大電圧端子
46に出力されることは上記実施例1と同様である。し
かし、本実施例2においてさらに特徴的なことはこの最
大電圧端子46と接地との間に保持コンデンサ48が接
続されていることである。この保持コンデンサ48と、
上述したFET44−1…44−nとから最大値ホール
ド回路が形成されている。すなわち、所定の周期で出力
バッファ34−1…34−nは順番にハイレベルに強制
的に設定されるがそれらの出力信号のうち最も高い電圧
がこのダイオードネットワークと保持コンデンサ48と
の働きにより検出される。これは、保持コンデンサ48
にダイオードネットワークを通じて供給される信号のう
ち最も高い電圧が保持されることにより達成される。こ
のようにして保持コンデンサ48に保持された最も高い
電圧は、最大電圧端子46を介して外部から計測され
る。Similar to the first embodiment, the signal having the highest voltage is output to the maximum voltage terminal 46. However, what is more characteristic of the second embodiment is that the holding capacitor 48 is connected between the maximum voltage terminal 46 and the ground. This holding capacitor 48,
A maximum value hold circuit is formed from the above-mentioned FETs 44-1 ... 44-n. That is, the output buffers 34-1 ... 34-n are forcibly set to a high level in order at a predetermined cycle, but the highest voltage among those output signals is detected by the action of this diode network and the holding capacitor 48. To be done. This is a holding capacitor 48
This is achieved by holding the highest voltage of the signals supplied through the diode network. The highest voltage held by the holding capacitor 48 in this manner is measured from the outside via the maximum voltage terminal 46.
【0038】以上述べたように、本実施例2によれば、
出力バッファ34−1…34−nの出力信号を順番にハ
イレベルに設定し、かつそれらの出力信号のうち最も高
い電圧を保持コンデンサ48に保持させ、この保持され
た電圧を最大電圧端子46を介して外部に出力させた。
従って、本実施例2によれば、最大電圧端子46から出
力される信号の電圧を測定することにより各出力バッフ
ァ34−1…34−nから出力される信号が所定の最大
値未満であることを容易に検査することが可能である。
更に全ての出力バッファ34−1…34−nを1度にハ
イレベルにするのではなく順にハイレベルに強制的に設
定し、その中の最も高い電圧を保持コンデンサ48に保
持させたので、実施例1と異なり電源電流の急激な変化
を引き起こすことなく、ノイズを引き起こす恐れも少な
くなる。As described above, according to the second embodiment,
The output signals of the output buffers 34-1 ... 34-n are sequentially set to the high level, and the highest voltage among these output signals is held in the holding capacitor 48, and the held voltage is set to the maximum voltage terminal 46. It was output to the outside via.
Therefore, according to the second embodiment, by measuring the voltage of the signal output from the maximum voltage terminal 46, the signal output from each output buffer 34-1 ... 34-n is less than the predetermined maximum value. Can be easily inspected.
Further, all the output buffers 34-1 ... 34-n are not set to the high level at once but are forcibly set to the high level in order, and the highest voltage among them is held in the holding capacitor 48. Unlike Example 1, the risk of causing noise is reduced without causing a sudden change in the power supply current.
【0039】なお、上記実施例2においては最大の電圧
を有する信号を検出したが、上記ダイオード44−1…
44−nの向きを逆にし、最も低い電圧を検出するよう
にしても好適である。この場合、保持コンデンサ48に
は、最低の電圧が保持されることになり、外部からはこ
の最低電圧を測定することになるので各出力バッファ3
4−1…34−nが所定の下限値以上の出力を有してい
るか否かが容易に測定可能である。なお、このように最
低電圧を検出する場合には、フリップフロップ32−1
…32−nは、内部回路30からの信号と、接地とを切
り替える構成とする。このように構成した場合にも上記
最大の電圧を測定する場合と同様の作用効果を有する。Although the signal having the maximum voltage is detected in the second embodiment, the diodes 44-1 ...
It is also suitable to reverse the direction of 44-n and detect the lowest voltage. In this case, the holding capacitor 48 holds the lowest voltage, and this lowest voltage is measured from the outside.
It is possible to easily measure whether or not 4-1 ... 34-n has an output equal to or higher than a predetermined lower limit value. When the lowest voltage is detected in this way, the flip-flop 32-1
32-n are configured to switch between the signal from the internal circuit 30 and the ground. Even in the case of such a configuration, the same operational effect as in the case of measuring the maximum voltage is obtained.
【0040】また、上記実施例2においては保持コンデ
ンサ48を使用することにより、最大の電圧の値を保持
したが、この保持コンデンサとして配線の浮遊容量を用
いることも好適である。すなわち、上述したクロック信
号の周期を十分に短く設定すれば、最大の電圧を保持す
るためのコンデンサに必要な容量はそのぶん少なくな
る。従って、十分に上記クロック信号の周期を短くする
とわざわざコンデンサとしての回路を設けなくとも、最
大電圧端子46からの配線に生じる浮遊容量で十分電圧
が保持できる場合も多い。この浮遊容量は、出力端子3
6の個数にもよるが数10nFから数百nF程度となる
ものが多い。更に、この保持コンデンサ48をわざわざ
集積回路装置内部に設けなくとも、外部に設けることも
可能である。In the second embodiment, the holding capacitor 48 is used to hold the maximum voltage value, but it is also preferable to use the stray capacitance of the wiring as the holding capacitor. That is, if the cycle of the clock signal is set to be sufficiently short, the capacity required for the capacitor for holding the maximum voltage is reduced accordingly. Therefore, if the cycle of the clock signal is sufficiently shortened, it is often the case that the stray capacitance generated in the wiring from the maximum voltage terminal 46 can hold a sufficient voltage without the need to provide a circuit as a capacitor. This stray capacitance is output terminal 3
Although depending on the number of 6's, many of them are about several tens nF to several hundreds nF. Further, the holding capacitor 48 may be provided outside without being provided inside the integrated circuit device.
【0041】以上のように保持コンデンサ48を用い
ず、最大電圧端子46からの配線の浮遊容量を利用した
り、又は最大電圧端子46の外部にコンデンサを設ける
ようにしたりしても上記実施例2と同様の作用効果を奏
する。As described above, even if the holding capacitor 48 is not used and the stray capacitance of the wiring from the maximum voltage terminal 46 is used, or the capacitor is provided outside the maximum voltage terminal 46, the above-described second embodiment is used. The same action and effect are obtained.
【0042】[0042]
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、半
導体集積回路に1ピンまたは2ピンを付加するだけで、
全出力端子の最大電圧又は最小電圧を測定することが可
能である。As described above, according to the present invention, it is possible to add 1 pin or 2 pins to the semiconductor integrated circuit.
It is possible to measure the maximum or minimum voltage at all output terminals.
【0043】すなわち、本発明によれば、全出力端子を
同時にDC測定することができるという効果を有する。That is, according to the present invention, it is possible to perform DC measurement on all output terminals at the same time.
【図1】本発明の好適な実施例1の半導体集積回路の回
路図である。FIG. 1 is a circuit diagram of a semiconductor integrated circuit according to a first preferred embodiment of the present invention.
【図2】本発明の好適な実施例2の半導体集積回路の回
路図である。FIG. 2 is a circuit diagram of a semiconductor integrated circuit according to a second preferred embodiment of the present invention.
【図3】上記実施例2の動作を表すタイムチャートであ
る。.FIG. 3 is a time chart showing the operation of the second embodiment. .
10 内部回路 12−1…12−n マルチプレクサ 14−1…14−n 出力バッファ 16−1…16−n 出力端子 18−1…18−n FET 20 最大電圧端子 10 internal circuit 12-1 ... 12-n multiplexer 14-1 ... 14-n output buffer 16-1 ... 16-n output terminal 18-1 ... 18-n FET 20 maximum voltage terminal
Claims (10)
子と、 前記出力端子に出力される信号のうち最も高い電圧と等
しい電圧の信号を出力する最大電圧端子と、 前記各出力端子ごとに設けられ、前記出力端子に出力信
号を供給する出力バッファと、 前記各出力バッファの出力信号を、ハイレベルに強制設
定するハイレベル設定手段と、 前記各出力端子に出力される信号のうち最も高い電圧を
検出し、その電圧を前記最大電圧端子に出力する最大電
圧検出手段と、 を含むことを特徴とする半導体集積回路。1. A plurality of output terminals for outputting an output signal to the outside, a maximum voltage terminal for outputting a signal having a voltage equal to the highest voltage among the signals output to the output terminal, and each of the output terminals An output buffer which is provided and supplies an output signal to the output terminal, a high level setting means for forcibly setting the output signal of each output buffer to a high level, and the highest of the signals output to the output terminals And a maximum voltage detecting unit that detects a voltage and outputs the voltage to the maximum voltage terminal.
子と、 前記出力端子に出力される信号のうち最も低い電圧と等
しい電圧の信号を出力する最小電圧端子と、 前記各出力端子ごとに設けられ、前記出力端子に出力信
号を供給する出力バッファと、 前記各出力バッファの出力信号を、ロウレベルに強制設
定するロウレベル設定手段と、 前記各出力端子に出力される信号のうち最も低い電圧を
検出し、その電圧を前記最小電圧端子に出力する最小電
圧検出手段と、 を含むことを特徴とする半導体集積回路。2. A plurality of output terminals for outputting an output signal to the outside, a minimum voltage terminal for outputting a signal having a voltage equal to the lowest voltage among the signals output to the output terminal, and each of the output terminals An output buffer provided to supply an output signal to the output terminal, a low level setting means for forcibly setting the output signal of each output buffer to a low level, and a lowest voltage of the signals output to the output terminals. A minimum voltage detecting means for detecting and outputting the voltage to the minimum voltage terminal.
子と、 前記出力端子に出力される信号のうち最も高い電圧と等
しい電圧の信号を出力する最大電圧端子と、 前記各出力端子ごとに設けられ、前記出力端子に出力信
号を供給する出力バッファと、 前記各出力バッファの出力信号を、順番にハイレベルに
強制設定する第二のハイレベル設定手段と、 前記各出力端子に出力される信号のうち最も高い電圧を
検出し、その電圧を前記最大電圧端子に出力する最大電
圧検出手段と、 を含むことを特徴とする半導体集積回路。3. A plurality of output terminals for outputting an output signal to the outside, a maximum voltage terminal for outputting a signal having a voltage equal to the highest voltage among the signals output to the output terminal, and each of the output terminals An output buffer provided to supply an output signal to the output terminal, a second high level setting means for forcibly setting the output signals of the output buffers to a high level in sequence, and output to the output terminals A maximum voltage detecting means for detecting the highest voltage of the signals and outputting the detected voltage to the maximum voltage terminal.
子と、 前記出力端子に出力される信号のうち最も低い電圧と等
しい電圧の信号を出力する最小電圧端子と、 前記各出力端子ごとに設けられ、前記出力端子に出力信
号を供給する出力バッファと、 前記各出力バッファの出力信号を、順番にロウレベルに
強制設定する第二のロウレベル設定手段と、 前記各出力端子に出力される信号のうち最も低い電圧を
検出し、その電圧を前記最小電圧端子に出力する最小電
圧検出手段と、 を含むことを特徴とする半導体集積回路。4. A plurality of output terminals for outputting an output signal to the outside, a minimum voltage terminal for outputting a signal having a voltage equal to the lowest voltage among the signals output to the output terminal, and each of the output terminals An output buffer provided to supply an output signal to the output terminal, a second low level setting means for forcibly setting the output signal of each output buffer to a low level in order, and a signal output to each output terminal A minimum voltage detecting means for detecting the lowest voltage and outputting the voltage to the minimum voltage terminal.
て、 前記最大電圧検出手段は、前記各出力端子ごとに設けら
れている整流器を含み、 前記各整流器のカソードは前記最大電圧端子に接続さ
れ、前記各整流器のアノードは前記出力端子に接続され
ていることを特徴とする半導体集積回路。5. The semiconductor integrated circuit according to claim 1, wherein the maximum voltage detecting means includes a rectifier provided for each output terminal, and a cathode of each rectifier is connected to the maximum voltage terminal. A semiconductor integrated circuit, wherein an anode of each of the rectifiers is connected to the output terminal.
て、 前記最大電圧検出手段は、前記各出力端子ごとに設けら
れている整流器を含み、 前記各整流器のカソードは前記最大電圧端子に接続さ
れ、前記各整流器のアノードは前記出力端子に接続され
ていることを特徴とする半導体集積回路。6. The semiconductor integrated circuit according to claim 3, wherein the maximum voltage detecting means includes a rectifier provided for each of the output terminals, and a cathode of each rectifier is connected to the maximum voltage terminal, A semiconductor integrated circuit, wherein an anode of each of the rectifiers is connected to the output terminal.
て、 前記最大電圧検出手段は、前記最大電圧端子と接地との
間に接続されているコンデンサ、を含むことを特徴とす
る半導体集積回路。7. The semiconductor integrated circuit according to claim 6, wherein the maximum voltage detecting means includes a capacitor connected between the maximum voltage terminal and ground.
て、 前記最小電圧検出手段は、前記各出力端子ごとに設けら
れている整流器を含み、 前記各整流器のアノードは前記最小電圧端子に接続さ
れ、前記各整流器のカソードは前記出力端子に接続され
ていることを特徴とする半導体集積回路。8. The semiconductor integrated circuit according to claim 2, wherein the minimum voltage detection unit includes a rectifier provided for each output terminal, and an anode of each rectifier is connected to the minimum voltage terminal, The cathode of each of the rectifiers is connected to the output terminal.
て、 前記最小電圧検出手段は、前記各出力端子ごとに設けら
れている整流器を含み、 前記各整流器のアノードは前記最小電圧端子に接続さ
れ、前記各整流器のカソードは前記出力端子に接続され
ていることを特徴とする半導体集積回路。9. The semiconductor integrated circuit according to claim 4, wherein the minimum voltage detection unit includes a rectifier provided for each output terminal, and an anode of each rectifier is connected to the minimum voltage terminal, The cathode of each of the rectifiers is connected to the output terminal.
て、 前記最小電圧検出手段は、前記最小電圧端子と接地とに
接続されているコンデンサを含むことを特徴とする半導
体集積回路。10. The semiconductor integrated circuit according to claim 9, wherein the minimum voltage detecting means includes a capacitor connected to the minimum voltage terminal and ground.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5159889A JPH0772208A (en) | 1993-06-30 | 1993-06-30 | Easy output voltage measurement semiconductor integrated circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5159889A JPH0772208A (en) | 1993-06-30 | 1993-06-30 | Easy output voltage measurement semiconductor integrated circuit |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0772208A true JPH0772208A (en) | 1995-03-17 |
Family
ID=15703397
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5159889A Pending JPH0772208A (en) | 1993-06-30 | 1993-06-30 | Easy output voltage measurement semiconductor integrated circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0772208A (en) |
-
1993
- 1993-06-30 JP JP5159889A patent/JPH0772208A/en active Pending
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