JPH0772792B2 - フオトマスク - Google Patents
フオトマスクInfo
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- JPH0772792B2 JPH0772792B2 JP15918783A JP15918783A JPH0772792B2 JP H0772792 B2 JPH0772792 B2 JP H0772792B2 JP 15918783 A JP15918783 A JP 15918783A JP 15918783 A JP15918783 A JP 15918783A JP H0772792 B2 JPH0772792 B2 JP H0772792B2
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- JP
- Japan
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- pattern
- mask pattern
- metal
- mask
- substrate
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/72—Repair or correction of mask defects
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 この発明は、写真製版工程に使用されるフォトマスクに
関するものである。
関するものである。
集積回路等の半導体装置を製造する場合、一般にフォト
リソグラフィー技術によりパターン形成が行われる。近
年、この装置の集積度が高くなる一方、パターン精度，
重ね合せ精度等、ますますフォトマスクの品質精度が向
上し、製造工程も煩雑化している。このため、微細加工
が容易で高精度高速マスクメーキングが可能な電子ビー
ム露光装置により作成されはじめている。
リソグラフィー技術によりパターン形成が行われる。近
年、この装置の集積度が高くなる一方、パターン精度，
重ね合せ精度等、ますますフォトマスクの品質精度が向
上し、製造工程も煩雑化している。このため、微細加工
が容易で高精度高速マスクメーキングが可能な電子ビー
ム露光装置により作成されはじめている。
従来のフォトマスク作成方法を第１図（ａ）〜（ｆ）に
より説明する。第１図において、１はガラス等からなる
基板で、上面に金属クロム等の金属薄膜２が施されてい
るこれらで、フォトマスク用プレート10が構成される。
３は前記金属薄膜２面に施されたレジストである。所望
のマスクパターンを得るために、第１図（ａ）のように
基板１の上部より紫外線Ｐを照射する。照射後現像し、
第１図（ｂ）のようにレジストパターン４が得られる。
得られたレジストパターン４をマスクにして、第１図
（ｃ）のように金属薄膜２をエッチングする。エッチン
グ後、レジストパターン４を剥離除去し、マスクパター
ン５が第１図（ｄ）のように得られる。ブラシ等を用い
てマスクパターン５表面を洗浄した後、得られたマスク
パターン５を検査し、所望のマスクパターンが形成され
ているかどうかを確認する。マスクパターン５に対して
異物等の介在により過剰にパターンが存在している場合
は、第１図（ｅ）のようにレーザビームＢを照射し、そ
の過剰箇所を溶融除去している。一方、マスクパターン
５に対してパターンが欠落している場合、第１図（ｆ）
のようにリフトオフ法等によりマスクパターンを修正し
ている。
より説明する。第１図において、１はガラス等からなる
基板で、上面に金属クロム等の金属薄膜２が施されてい
るこれらで、フォトマスク用プレート10が構成される。
３は前記金属薄膜２面に施されたレジストである。所望
のマスクパターンを得るために、第１図（ａ）のように
基板１の上部より紫外線Ｐを照射する。照射後現像し、
第１図（ｂ）のようにレジストパターン４が得られる。
得られたレジストパターン４をマスクにして、第１図
（ｃ）のように金属薄膜２をエッチングする。エッチン
グ後、レジストパターン４を剥離除去し、マスクパター
ン５が第１図（ｄ）のように得られる。ブラシ等を用い
てマスクパターン５表面を洗浄した後、得られたマスク
パターン５を検査し、所望のマスクパターンが形成され
ているかどうかを確認する。マスクパターン５に対して
異物等の介在により過剰にパターンが存在している場合
は、第１図（ｅ）のようにレーザビームＢを照射し、そ
の過剰箇所を溶融除去している。一方、マスクパターン
５に対してパターンが欠落している場合、第１図（ｆ）
のようにリフトオフ法等によりマスクパターンを修正し
ている。
このように形成されたマスクパターンの上記欠陥修正方
法においては、欠陥修正精度は十分ではなく、レーザ修
正部分が過剰に溶出したり、基板１にレーザによる損傷
を与えるなどしていた。また、リフトオフ法においても
同様であり、その修正精度が問題となっていた。
法においては、欠陥修正精度は十分ではなく、レーザ修
正部分が過剰に溶出したり、基板１にレーザによる損傷
を与えるなどしていた。また、リフトオフ法においても
同様であり、その修正精度が問題となっていた。
そのため、マスクパターンの位置決め用マークを基板上
に突出して形成していたが、マスクパターンの修正にお
いてマスク洗浄時の力により、この位置決め用マークの
欠落・欠損を生ずる恐れがあった。
に突出して形成していたが、マスクパターンの修正にお
いてマスク洗浄時の力により、この位置決め用マークの
欠落・欠損を生ずる恐れがあった。
この発明によるフォトマスクは、上記従来の方法の欠点
を除くためになされたもので、基板に被着して形成され
た金属からなるマスクパターンと、上記マスクパターン
の被着されない基板領域の所定箇所に被着して形成さ
れ、上記マスクパターンとは異なる金属元素を含んだ金
属からなるターゲットパターンとを備え、上記ターゲッ
トパターンの基板被着面の反対側の面は、上記マスクパ
ターンの基板被着面の反対側の面とほぼ同一平面となる
ように形成されたことを特徴とするものである。
を除くためになされたもので、基板に被着して形成され
た金属からなるマスクパターンと、上記マスクパターン
の被着されない基板領域の所定箇所に被着して形成さ
れ、上記マスクパターンとは異なる金属元素を含んだ金
属からなるターゲットパターンとを備え、上記ターゲッ
トパターンの基板被着面の反対側の面は、上記マスクパ
ターンの基板被着面の反対側の面とほぼ同一平面となる
ように形成されたことを特徴とするものである。
また、このフォトマスクにおいて、マスクパターンはク
ロムからなり、ターゲットパターンはタングステン、モ
リブデンまたはアルミニウムを含んだ金属からなるもの
である。
ロムからなり、ターゲットパターンはタングステン、モ
リブデンまたはアルミニウムを含んだ金属からなるもの
である。
このようなフォトマスクにおいて、ターゲットパターン
をマスクパターン修正時の位置合わせマークとして用い
ることにより、精度のよいマスクパターン形成が行わ
れ、ターゲットパターンの基板被着面の反対側の面が、
マスクパターンの基板被着面の反対側の面とほぼ同一平
面とするすることで、マスク洗浄等でターゲットパター
ンがマスクパターンより突出することにより加わる力を
受けないようにすることができる。
をマスクパターン修正時の位置合わせマークとして用い
ることにより、精度のよいマスクパターン形成が行わ
れ、ターゲットパターンの基板被着面の反対側の面が、
マスクパターンの基板被着面の反対側の面とほぼ同一平
面とするすることで、マスク洗浄等でターゲットパター
ンがマスクパターンより突出することにより加わる力を
受けないようにすることができる。
第２図（ａ）〜（ｇ）はこの発明の一実施例を示すもの
である。第２図において１はガラス等からなる基板で、
上面に金属クロム等の金属薄膜２が施されている。一
方、基板１上の端部に、金属クロム等の金属薄膜にタン
グステン等の不純物を含む金属薄膜21を金属薄膜２と同
一膜厚で被着する。以上でフォトマスク用プレート10A
が構成される。
である。第２図において１はガラス等からなる基板で、
上面に金属クロム等の金属薄膜２が施されている。一
方、基板１上の端部に、金属クロム等の金属薄膜にタン
グステン等の不純物を含む金属薄膜21を金属薄膜２と同
一膜厚で被着する。以上でフォトマスク用プレート10A
が構成される。
次に、上記フォトマスク用プレート10Aを用いてフォト
マスクを作成する手順について説明する。まず、第２図
（ａ）のように金属薄膜２、21の上部にレジスト（例え
ばAZ1350）３を約4000Åの厚さに被着し、上部より所望
のパターンを露光する。露光後、現像し（HMK−５）レ
ジストパターン４が第２図（ｂ）のように得られる。得
られたレジストパターン４をマスクにして金属薄膜２を
第２図（ｃ）のようにエッチングする。エッチング後、
レジストパターン４を剥離除去すると、マスクパターン
５が第２図（ｄ）のように得られる。金属薄膜21は、あ
らかじめ平面パターンが「＋」のようなターゲットパタ
ーン６が得られるように作成しておく。また、第２図
（ａ）のように、金属薄膜２、21は同一膜厚で基板に被
着させているので、マスクパターン５とターゲットパタ
ーン６における基板被着面と反対の面は一平面をなす。
マスクを作成する手順について説明する。まず、第２図
（ａ）のように金属薄膜２、21の上部にレジスト（例え
ばAZ1350）３を約4000Åの厚さに被着し、上部より所望
のパターンを露光する。露光後、現像し（HMK−５）レ
ジストパターン４が第２図（ｂ）のように得られる。得
られたレジストパターン４をマスクにして金属薄膜２を
第２図（ｃ）のようにエッチングする。エッチング後、
レジストパターン４を剥離除去すると、マスクパターン
５が第２図（ｄ）のように得られる。金属薄膜21は、あ
らかじめ平面パターンが「＋」のようなターゲットパタ
ーン６が得られるように作成しておく。また、第２図
（ａ）のように、金属薄膜２、21は同一膜厚で基板に被
着させているので、マスクパターン５とターゲットパタ
ーン６における基板被着面と反対の面は一平面をなす。
従来と同様にマスクパターン５の形成面をブラシ等を用
いて洗浄した後、得られたパターンを検査し、マスクパ
ターン５が形成されているかどうかを確認する。マスク
パターン５に対して、過剰にパターンが存在している場
合には除去する必要があるが、その部分のみ除去する精
度が従来では問題となっている。またリフトオフ法によ
りマスクパターン５の欠落個所をパターン修正する場合
にも、その精度が問題となっている。しかし、この発明
では、まず第２図（ｅ）のようにマスクパターン５上に
レジストを被着させ、次いで得られたターゲットパター
ン６をアライメントマークとし、第２図（ｆ）のようパ
ターン修正個所を基板１上に被着させたレジスト７上よ
り電子ビーム露光する。電子ビーム露光後現像し、得ら
れたレジストパターン８、81をマスクにして、金属薄膜
２の過剰部分をエッチングし、レジストパターン81のよ
うな金属薄膜２の欠落部分をリフトオフ法により第２図
（ｇ）のように修正する。
いて洗浄した後、得られたパターンを検査し、マスクパ
ターン５が形成されているかどうかを確認する。マスク
パターン５に対して、過剰にパターンが存在している場
合には除去する必要があるが、その部分のみ除去する精
度が従来では問題となっている。またリフトオフ法によ
りマスクパターン５の欠落個所をパターン修正する場合
にも、その精度が問題となっている。しかし、この発明
では、まず第２図（ｅ）のようにマスクパターン５上に
レジストを被着させ、次いで得られたターゲットパター
ン６をアライメントマークとし、第２図（ｆ）のようパ
ターン修正個所を基板１上に被着させたレジスト７上よ
り電子ビーム露光する。電子ビーム露光後現像し、得ら
れたレジストパターン８、81をマスクにして、金属薄膜
２の過剰部分をエッチングし、レジストパターン81のよ
うな金属薄膜２の欠落部分をリフトオフ法により第２図
（ｇ）のように修正する。
以上のようにして、パターン欠落部分をおよび過剰部分
は、アライメントマークであるターゲットパターン６を
基準にして非常に精度よ修正することができる。このタ
ーゲットパターン６にタングステン等の金属を使用して
いるため、電子ビームによる二次電子検出が容易とな
り、ターゲットパターン６の検出精度は良好となる。こ
のようにして金属クロム等からなる金属薄膜２が全面に
被着された従来のフォトマスク用プレート10を使用する
場合には、以上のような修正方法が不可能であったが、
この発明により精度のよい欠陥修正が可能となった。
は、アライメントマークであるターゲットパターン６を
基準にして非常に精度よ修正することができる。このタ
ーゲットパターン６にタングステン等の金属を使用して
いるため、電子ビームによる二次電子検出が容易とな
り、ターゲットパターン６の検出精度は良好となる。こ
のようにして金属クロム等からなる金属薄膜２が全面に
被着された従来のフォトマスク用プレート10を使用する
場合には、以上のような修正方法が不可能であったが、
この発明により精度のよい欠陥修正が可能となった。
また、マスクパターン５とターゲットパターン６とは同
一平面をなしているので、ターゲットパターン６がマス
クパターン５より突出することにより加わる力、例えば
上記マスク洗浄時のブラシにより直接加わる力を受けな
いようにすることができ、ターゲットパターン６の欠
陥、欠落を防ぐ。
一平面をなしているので、ターゲットパターン６がマス
クパターン５より突出することにより加わる力、例えば
上記マスク洗浄時のブラシにより直接加わる力を受けな
いようにすることができ、ターゲットパターン６の欠
陥、欠落を防ぐ。
次に、他の実施例について説明する。異種金属を含む金
属薄膜21の部分に作成されたターゲットパターン６は、
基板１上に作成されたマスクパターン５をウエハ上に一
括電子ビーム転写する場合のアライメントマークとして
使用できる。この場合、金属薄膜２と21がクロムなどの
単一金属のみで構成される場合、アライメントができ
ず、一括転写が不可能である。この場合異種金属は、ア
ルミニウムあるいはモリブデンなどでもよく、同様の効
果を奏する。また、ターゲットパターン６の部分は、は
じめから形成してもよく、マスクパターン５形成後、タ
ーゲットパターン６のみ、被着形成してもよい。
属薄膜21の部分に作成されたターゲットパターン６は、
基板１上に作成されたマスクパターン５をウエハ上に一
括電子ビーム転写する場合のアライメントマークとして
使用できる。この場合、金属薄膜２と21がクロムなどの
単一金属のみで構成される場合、アライメントができ
ず、一括転写が不可能である。この場合異種金属は、ア
ルミニウムあるいはモリブデンなどでもよく、同様の効
果を奏する。また、ターゲットパターン６の部分は、は
じめから形成してもよく、マスクパターン５形成後、タ
ーゲットパターン６のみ、被着形成してもよい。
さらに、他の実施例について説明する。従来のパターン
修正方法は、第１図に示したような方法をとっていた
が、最近、レーザビームを使用した金属結晶成長方法に
より局所的に、ある種の金属（例えばアルミ、窒化膜）
を付着させ、欠陥修正する方法が開発されている。この
場合も、レーザビームを使用するため非常に精度のよい
修正が可能である。
修正方法は、第１図に示したような方法をとっていた
が、最近、レーザビームを使用した金属結晶成長方法に
より局所的に、ある種の金属（例えばアルミ、窒化膜）
を付着させ、欠陥修正する方法が開発されている。この
場合も、レーザビームを使用するため非常に精度のよい
修正が可能である。
また、さらに他の実施例について説明する。最近、第３
図（ｂ）のようにフォトマスク10Bの端部に、コード番
号９あるいはバーコード付のフォトマスクが作成されは
じめているが、レーザビームの反射あるいは透過等によ
り検出する場合、必ずしも金属クロムが最適ではない場
合も起り得る。そのため、その検出能力にあった反射率
あるいは透過率を持ったマスクパターン５とは異なった
金属が必要とされる。この場合も、第３図（ｂ）のフォ
トマスク10Bのコード番号９等に用いる異種金属は、第
３図（ａ）のように当初より形成されている金属薄膜21
を使用してもよいし、この部分のみ、後から被着しても
よい。
図（ｂ）のようにフォトマスク10Bの端部に、コード番
号９あるいはバーコード付のフォトマスクが作成されは
じめているが、レーザビームの反射あるいは透過等によ
り検出する場合、必ずしも金属クロムが最適ではない場
合も起り得る。そのため、その検出能力にあった反射率
あるいは透過率を持ったマスクパターン５とは異なった
金属が必要とされる。この場合も、第３図（ｂ）のフォ
トマスク10Bのコード番号９等に用いる異種金属は、第
３図（ａ）のように当初より形成されている金属薄膜21
を使用してもよいし、この部分のみ、後から被着しても
よい。
なお、上記実施例では、金属薄膜２を金属クロムを用い
て作成する場合について説明したが、他の金属でもよ
く、また、異種金属としてタングステンを含む化合物に
限らず、他の金属でもよく、同様の効果を奏する。
て作成する場合について説明したが、他の金属でもよ
く、また、異種金属としてタングステンを含む化合物に
限らず、他の金属でもよく、同様の効果を奏する。
さらに、上記実施例では、金属クロムタングステン等の
化合物の例について述べたが、２種類以上の異なった化
合物との組み合せでもよく、同様の効果を奏する。ま
た、上記実施例では、当初より被着されている異種金属
の例について述べたが、フォトマスク作成後、金属金属
を被着させる方法でもよく、同様の効果を奏する。
化合物の例について述べたが、２種類以上の異なった化
合物との組み合せでもよく、同様の効果を奏する。ま
た、上記実施例では、当初より被着されている異種金属
の例について述べたが、フォトマスク作成後、金属金属
を被着させる方法でもよく、同様の効果を奏する。
以上説明したように、この発明によれば、基板上にマス
クパターンとは異なる金属を含んだものからなるターゲ
ットパターンを形成しているので、このターゲットパタ
ーンをアライメントマークにし、高精度な欠陥修正がで
き、また、ウエハへの電子ビーム一括転写の際、アライ
メントマークとして利用できるため高精度な転写がで
き、さらにこのターゲットパターンをバーコード等とし
て用いた場合でもこのバーコード等の高精度検出ができ
るという利点を有する。また、ターゲットパターンの基
板被着面と反対側の面が、マスクパターン基板被着面と
反対側の面とほぼ同一平面をなすことにより、マスク洗
浄等、ターゲットパターンがマスクパターンより突出す
ることで加わる力を受けないようにするので、ターゲッ
トパターンの欠陥、欠落を防ぐことができる。
クパターンとは異なる金属を含んだものからなるターゲ
ットパターンを形成しているので、このターゲットパタ
ーンをアライメントマークにし、高精度な欠陥修正がで
き、また、ウエハへの電子ビーム一括転写の際、アライ
メントマークとして利用できるため高精度な転写がで
き、さらにこのターゲットパターンをバーコード等とし
て用いた場合でもこのバーコード等の高精度検出ができ
るという利点を有する。また、ターゲットパターンの基
板被着面と反対側の面が、マスクパターン基板被着面と
反対側の面とほぼ同一平面をなすことにより、マスク洗
浄等、ターゲットパターンがマスクパターンより突出す
ることで加わる力を受けないようにするので、ターゲッ
トパターンの欠陥、欠落を防ぐことができる。
第１図（ａ）〜（ｆ）は従来のパターン形成方法および
欠陥修正方法を示す工程図、第２図（ａ）〜（ｇ）はこ
の発明の一実施例によるパターン形成方法および欠陥修
正方法を示す工程図、第３図（ａ）、（ｂ）はこの発明
の他の実施例によるパターン形成方法を示す説明図であ
る。 図中、１は基板、２は金属薄膜、3,7はレジスト、4,8は
レジストパターン、５はマスクパターン、６はターゲッ
トパターン、10Aはフォトマスク用プレート、10Bはフォ
トマスクである。 なお、図中の同一符号は同一または相当部分を示す。
欠陥修正方法を示す工程図、第２図（ａ）〜（ｇ）はこ
の発明の一実施例によるパターン形成方法および欠陥修
正方法を示す工程図、第３図（ａ）、（ｂ）はこの発明
の他の実施例によるパターン形成方法を示す説明図であ
る。 図中、１は基板、２は金属薄膜、3,7はレジスト、4,8は
レジストパターン、５はマスクパターン、６はターゲッ
トパターン、10Aはフォトマスク用プレート、10Bはフォ
トマスクである。 なお、図中の同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (2)
- 【請求項１】基板に被着して形成された金属からなるマ
スクパターンと、上記マスクパターンの被着されない基
板領域の所定個所に被着して形成され、上記マスクパタ
ーンとは異なる金属元素を含んだ金層からなるターゲッ
トパターンとを備え、上記ターゲットパターンの基板被
着面と反対側の面は、上記マスクパターンの基板被着面
と反対側の面とほぼ同一平面となるように形成されたこ
とを特徴とするフォトマスク。 - 【請求項２】マスクパターンはクロムからなり、ターゲ
ットパターンはタングステン、モリブデンまたはアルミ
ニウムを含んだ金属からなることを特徴とする請求項第
１項記載のフォトマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15918783A JPH0772792B2 (ja) | 1983-08-29 | 1983-08-29 | フオトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15918783A JPH0772792B2 (ja) | 1983-08-29 | 1983-08-29 | フオトマスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6049627A JPS6049627A (ja) | 1985-03-18 |
| JPH0772792B2 true JPH0772792B2 (ja) | 1995-08-02 |
Family
ID=15688211
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15918783A Expired - Fee Related JPH0772792B2 (ja) | 1983-08-29 | 1983-08-29 | フオトマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0772792B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5560949A (en) * | 1978-10-31 | 1980-05-08 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Positioning mark for radiation working |
-
1983
- 1983-08-29 JP JP15918783A patent/JPH0772792B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6049627A (ja) | 1985-03-18 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |