JPH10274839A - 修正用マスク及びハーフトーン位相シフトマスクの修正方法 - Google Patents
修正用マスク及びハーフトーン位相シフトマスクの修正方法Info
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- JPH10274839A JPH10274839A JP8070897A JP8070897A JPH10274839A JP H10274839 A JPH10274839 A JP H10274839A JP 8070897 A JP8070897 A JP 8070897A JP 8070897 A JP8070897 A JP 8070897A JP H10274839 A JPH10274839 A JP H10274839A
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 修正用マスク及びハーフトーン位相シフトマ
スクの修正方法に関し、一回の修正作業によって複数箇
所の欠陥を修正する。 【解決手段】 透明基板１上に、被修正用のハーフトー
ン位相シフトマスク４のデバイス領域８が透光領域とな
るように、デバイス領域８に対応する領域以外の領域に
遮光膜３を設けた修正用マスク１を用いて遮光膜残渣１
０を除去する。
スクの修正方法に関し、一回の修正作業によって複数箇
所の欠陥を修正する。 【解決手段】 透明基板１上に、被修正用のハーフトー
ン位相シフトマスク４のデバイス領域８が透光領域とな
るように、デバイス領域８に対応する領域以外の領域に
遮光膜３を設けた修正用マスク１を用いて遮光膜残渣１
０を除去する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は修正用マスク及びハ
ーフトーン位相シフトマスクの修正方法に関するもので
あり、特に、ハーフトーン膜上に残存するＣｒ膜残渣を
効率的に除去する方法に特徴のある修正用マスク及びハ
ーフトーン位相シフトマスクの修正方法に関するもので
ある。
ーフトーン位相シフトマスクの修正方法に関するもので
あり、特に、ハーフトーン膜上に残存するＣｒ膜残渣を
効率的に除去する方法に特徴のある修正用マスク及びハ
ーフトーン位相シフトマスクの修正方法に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体装置等の製造工程において
は、絶縁膜或いは導電膜のパターニングの際に、フォト
マスクを用いてフォトレジストを露光したのち現像し、
この現像されたフォトレジストパターンをマスクとして
用いて絶縁膜或いは導電膜をエッチングによりパターニ
ングしている。
は、絶縁膜或いは導電膜のパターニングの際に、フォト
マスクを用いてフォトレジストを露光したのち現像し、
この現像されたフォトレジストパターンをマスクとして
用いて絶縁膜或いは導電膜をエッチングによりパターニ
ングしている。
【０００３】この場合のフォトマスクは、石英ガラス基
板上に、例えば、実パターンの１０×１０倍の寸法のＣ
ｒ膜パターンを設けたレチクルを形成し、これをステッ
パで縮小露光することによって形成したワーキングマス
ク、或いは、ウェハ上に複数ショットを転写するための
レチクルを意味し、このフォトマスクを用いて半導体装
置の製造工程における露光を行っている。
板上に、例えば、実パターンの１０×１０倍の寸法のＣ
ｒ膜パターンを設けたレチクルを形成し、これをステッ
パで縮小露光することによって形成したワーキングマス
ク、或いは、ウェハ上に複数ショットを転写するための
レチクルを意味し、このフォトマスクを用いて半導体装
置の製造工程における露光を行っている。
【０００４】そして、近年における半導体装置の高集積
化、大チップ化に伴って、フォトマスク及びレチクルに
対しても高精度化が要請されており、そのために寸法精
度に悪影響を与える感光材のコーティングムラ、露光量
のムラ、現像のムラ、或いは、エッチングのムラをでき
る限りなくすように改善が試みられている。
化、大チップ化に伴って、フォトマスク及びレチクルに
対しても高精度化が要請されており、そのために寸法精
度に悪影響を与える感光材のコーティングムラ、露光量
のムラ、現像のムラ、或いは、エッチングのムラをでき
る限りなくすように改善が試みられている。
【０００５】このような改善の一つとして、Ｃｒ膜を用
いたフォトマスク或いはレチクルの代わりに、半透明な
ハーフトーン膜を用い、ハーフトーン膜による位相シフ
トを利用してパターンエッヂ部を強調して微細パターン
を形成するようにしたハーフトーン位相シフトマスク或
いはハーフトーン位相シフトレチクルの開発が行われて
いる。
いたフォトマスク或いはレチクルの代わりに、半透明な
ハーフトーン膜を用い、ハーフトーン膜による位相シフ
トを利用してパターンエッヂ部を強調して微細パターン
を形成するようにしたハーフトーン位相シフトマスク或
いはハーフトーン位相シフトレチクルの開発が行われて
いる。
【０００６】なお、本明細書におけるハーフトーン位相
シフトマスクとは、所謂フォト工程に用いるフォトマス
クとしてのハーフトーン位相シフトマスク、及び、フォ
ト工程に用いるハーフトーン位相シフトマスクを形成す
るためにマスターマスク的に用いるハーフトーン位相シ
フトレチクルの両方を含む広義のハーフトーン位相シフ
トマスクを意味する。
シフトマスクとは、所謂フォト工程に用いるフォトマス
クとしてのハーフトーン位相シフトマスク、及び、フォ
ト工程に用いるハーフトーン位相シフトマスクを形成す
るためにマスターマスク的に用いるハーフトーン位相シ
フトレチクルの両方を含む広義のハーフトーン位相シフ
トマスクを意味する。
【０００７】このハーフトーン位相シフトマスクにおい
ては、ハーフトーン膜の屈折率ｎ及び膜厚ｄが、露光に
用いる光の波長λに対してｄ＝λ／〔２（ｎ−１）〕の
条件を満すようにして、パターンエッヂ部において、石
英ガラス基板を透過してきた光とハーフトーン膜を透過
してきた光とが干渉により互いに打ち消し合うようにし
て、パターンエッヂ部近傍における光強度を略０とし、
従来の不透明パターンを用いたマスクよりもパターンエ
ッヂ部を強調するものである。
ては、ハーフトーン膜の屈折率ｎ及び膜厚ｄが、露光に
用いる光の波長λに対してｄ＝λ／〔２（ｎ−１）〕の
条件を満すようにして、パターンエッヂ部において、石
英ガラス基板を透過してきた光とハーフトーン膜を透過
してきた光とが干渉により互いに打ち消し合うようにし
て、パターンエッヂ部近傍における光強度を略０とし、
従来の不透明パターンを用いたマスクよりもパターンエ
ッヂ部を強調するものである。
【０００８】ここで、図４及び図５を参照して、従来の
ハーフトーン位相シフトマスクの製造工程を説明する。 図４（ａ）参照 まず、石英ガラス基板４１上に酸素と窒素とを含む雰囲
気中でＭｏＳｉターゲットを用いてスパッタリングする
ことによってハーフトーン膜となるＭｏＳｉＯＮ膜４２
を堆積させたのち、遮光膜となるＣｒ膜４３を堆積さ
せ、次いで、電子線レジスト４４を塗布したのち、電子
線により所定パターンに露光して露光領域４５を形成す
る。なお、この場合、雰囲気中の酸素と窒素の濃度によ
りＭｏＳｉＯＮ膜４２の屈折率を制御する。
ハーフトーン位相シフトマスクの製造工程を説明する。 図４（ａ）参照 まず、石英ガラス基板４１上に酸素と窒素とを含む雰囲
気中でＭｏＳｉターゲットを用いてスパッタリングする
ことによってハーフトーン膜となるＭｏＳｉＯＮ膜４２
を堆積させたのち、遮光膜となるＣｒ膜４３を堆積さ
せ、次いで、電子線レジスト４４を塗布したのち、電子
線により所定パターンに露光して露光領域４５を形成す
る。なお、この場合、雰囲気中の酸素と窒素の濃度によ
りＭｏＳｉＯＮ膜４２の屈折率を制御する。
【０００９】図４（ｂ）参照 次いで、ポジ型の電子線レジスト４４を現像して形成し
た電子線レジストパターン４６をマスクとして、硝酸第
二セリウムアンモニウム，過塩素酸，界面活性剤，及
び、純水の混合液をエッチャントとしたエッチングを行
うことによって、Ｃｒ膜４３をパターニングしてＣｒ膜
パターン４７を形成する。
た電子線レジストパターン４６をマスクとして、硝酸第
二セリウムアンモニウム，過塩素酸，界面活性剤，及
び、純水の混合液をエッチャントとしたエッチングを行
うことによって、Ｃｒ膜４３をパターニングしてＣｒ膜
パターン４７を形成する。
【００１０】図４（ｃ）参照 次いで、電子線レジストパターン４６を除去したのち、
Ｃｒ膜パターン４７をマスクとしてＣＦ4 ，ＣＨＦ3 等
とＯ2 の混合ガスを用いたドライ・エッチングにより、
ＭｏＳｉＯＮ膜４２をパターニングすることによってＭ
ｏＳｉＯＮ膜パターン４８を形成する。
Ｃｒ膜パターン４７をマスクとしてＣＦ4 ，ＣＨＦ3 等
とＯ2 の混合ガスを用いたドライ・エッチングにより、
ＭｏＳｉＯＮ膜４２をパターニングすることによってＭ
ｏＳｉＯＮ膜パターン４８を形成する。
【００１１】図５（ｄ）参照 次いで、紫外線照射、希硫酸と純水による洗浄、及び、
超音波洗浄を組み合わせて洗浄を行い、ベークしたの
ち、ポジ型の電子線レジスト４９、及び、チャージアッ
プ防止のための導電性高分子ポリマーからなる導電性膜
５０を塗布し、遮光領域５２にＣｒ膜パターン４７が残
るように電子線露光を行い露光領域５３を形成する。
超音波洗浄を組み合わせて洗浄を行い、ベークしたの
ち、ポジ型の電子線レジスト４９、及び、チャージアッ
プ防止のための導電性高分子ポリマーからなる導電性膜
５０を塗布し、遮光領域５２にＣｒ膜パターン４７が残
るように電子線露光を行い露光領域５３を形成する。
【００１２】なお、この場合の遮光領域５２とは、デバ
イス領域５１以外の領域を意味し、例えば、スクライブ
ライン部或いはレチクルカバー部等の領域を構成するも
のであり、この遮光領域にＣｒ膜パターン４７が残存し
ないと、この様なハーフトーン位相シフトマスクを用い
て複数ショット転写を行った場合、スクライブライン或
いはレチクルカバー部が多重露光されて、光の干渉によ
って不所望なレジスト減膜が発生することになる。
イス領域５１以外の領域を意味し、例えば、スクライブ
ライン部或いはレチクルカバー部等の領域を構成するも
のであり、この遮光領域にＣｒ膜パターン４７が残存し
ないと、この様なハーフトーン位相シフトマスクを用い
て複数ショット転写を行った場合、スクライブライン或
いはレチクルカバー部が多重露光されて、光の干渉によ
って不所望なレジスト減膜が発生することになる。
【００１３】図５（ｅ）参照 次いで、電子線レジスト４９を現像して電子線レジスト
マスク５４を形成し、この電子線レジストマスク５４を
マスクとして、硝酸第二セリウムアンモニウム，過塩素
酸，界面活性剤，及び、純水の混合液をエッチャントと
したウェット・エッチングを施すことによって、デバイ
ス領域５１のＭｏＳｉＯＮ膜パターン４８上のＣｒ膜パ
ターン４７を除去する。
マスク５４を形成し、この電子線レジストマスク５４を
マスクとして、硝酸第二セリウムアンモニウム，過塩素
酸，界面活性剤，及び、純水の混合液をエッチャントと
したウェット・エッチングを施すことによって、デバイ
ス領域５１のＭｏＳｉＯＮ膜パターン４８上のＣｒ膜パ
ターン４７を除去する。
【００１４】図５（ｆ）参照 次いで、電子線レジストパターン５４を除去することに
よって、デバイス領域５１においては、ＭｏＳｉＯＮ膜
パターン４８のみからなるハーフトーン膜パターンが残
存し、周囲の遮光領域５２においてはＣｒ膜パターン４
７が残存するハーフトーン位相シフトマスク５５が完成
する。
よって、デバイス領域５１においては、ＭｏＳｉＯＮ膜
パターン４８のみからなるハーフトーン膜パターンが残
存し、周囲の遮光領域５２においてはＣｒ膜パターン４
７が残存するハーフトーン位相シフトマスク５５が完成
する。
【００１５】しかし、この様なハーフトーン位相シフト
マスクにおいては、Ｃｒ膜のパターニング工程における
レジスト残渣や異物がマスクとなってＣｒ膜残渣が発生
するという問題があるので、この問題及び修正方法を図
６及び図７を参照して説明する。
マスクにおいては、Ｃｒ膜のパターニング工程における
レジスト残渣や異物がマスクとなってＣｒ膜残渣が発生
するという問題があるので、この問題及び修正方法を図
６及び図７を参照して説明する。
【００１６】図６（ａ）及び（ｂ）参照 図６（ａ）は、図６（ｂ）に示すハーフトーン位相シフ
トマスクの平面図のＡ−Ａ′を結ぶ一点鎖線に沿った断
面図であり、デバイス領域５１の一部において、ＭｏＳ
ｉＯＮ膜パターン４８上の一部にＣｒ膜残渣５７，５８
が発生している状況を示している。
トマスクの平面図のＡ−Ａ′を結ぶ一点鎖線に沿った断
面図であり、デバイス領域５１の一部において、ＭｏＳ
ｉＯＮ膜パターン４８上の一部にＣｒ膜残渣５７，５８
が発生している状況を示している。
【００１７】この様なＣｒ膜残渣５７，５８について
は、遮光部分と透光部分とを２値化して、透光領域５６
を透光部分とし、その他の領域を遮光部分とする設計デ
ータと比較してパターン欠陥を検査するハード欠陥検査
法では、遮光部分となるＭｏＳｉＯＮ膜パターン４８上
にＣｒ膜残渣５７，５８が存在してもしなくても遮光部
分と判断され、Ｃｒ膜残渣５７，５８を検出できないた
め、表面異物検査装置を用いて検査を行いＣｒ膜残渣５
７，５８を検出している。
は、遮光部分と透光部分とを２値化して、透光領域５６
を透光部分とし、その他の領域を遮光部分とする設計デ
ータと比較してパターン欠陥を検査するハード欠陥検査
法では、遮光部分となるＭｏＳｉＯＮ膜パターン４８上
にＣｒ膜残渣５７，５８が存在してもしなくても遮光部
分と判断され、Ｃｒ膜残渣５７，５８を検出できないた
め、表面異物検査装置を用いて検査を行いＣｒ膜残渣５
７，５８を検出している。
【００１８】図７参照 この様な表面異物検査の結果、Ｃｒ膜残渣５７，５８を
検出したハーフトーン位相シフトマスク５５について
は、Ｃｒ膜残渣５７，５８を除去するために、全面にフ
ォトレジストを塗布したのち、Ｃｒ膜残渣５７，５８の
存在する領域にスポット露光を行い、現像することによ
ってフォトレジストマスク５９を形成し、露出した領域
に硝酸第二セリウムアンモニウム，過塩素酸，界面活性
剤，及び、純水の混合液をエッチャントとしたウェット
・エッチングを施すことによって、Ｃｒ膜残渣５７，５
８を除去する。
検出したハーフトーン位相シフトマスク５５について
は、Ｃｒ膜残渣５７，５８を除去するために、全面にフ
ォトレジストを塗布したのち、Ｃｒ膜残渣５７，５８の
存在する領域にスポット露光を行い、現像することによ
ってフォトレジストマスク５９を形成し、露出した領域
に硝酸第二セリウムアンモニウム，過塩素酸，界面活性
剤，及び、純水の混合液をエッチャントとしたウェット
・エッチングを施すことによって、Ｃｒ膜残渣５７，５
８を除去する。
【００１９】なお、Ｃｒ膜残渣５７，５８の発生の原因
となったレジスト残渣や異物は、上述の図５（ｄ）の洗
浄工程においてほぼ１００％除去されるが、もし、除去
されない場合には、表面異物検査工程においてＣｒ膜残
渣５７，５８とＣｒ膜残渣５７，５８上のレジスト残渣
や異物の区別は可能であるので、レジスト残渣や異物が
除去されていないハーフトーン位相シフトマスクは不良
品として廃棄する。
となったレジスト残渣や異物は、上述の図５（ｄ）の洗
浄工程においてほぼ１００％除去されるが、もし、除去
されない場合には、表面異物検査工程においてＣｒ膜残
渣５７，５８とＣｒ膜残渣５７，５８上のレジスト残渣
や異物の区別は可能であるので、レジスト残渣や異物が
除去されていないハーフトーン位相シフトマスクは不良
品として廃棄する。
【００２０】
【発明が解決しようとする課題】しかし、近年の半導体
装置における集積度の向上、或いは、微細化に伴うパタ
ーン密度の増加やドライ・エッチング工程の採用により
パターン欠陥の発生率が高くなり、スポット露光を行う
回数が増加し、手番の面で問題となっている。
装置における集積度の向上、或いは、微細化に伴うパタ
ーン密度の増加やドライ・エッチング工程の採用により
パターン欠陥の発生率が高くなり、スポット露光を行う
回数が増加し、手番の面で問題となっている。
【００２１】なお、パターン密度が低く、ウェット・エ
ッチング工程を用いていた場合には、欠陥箇所が少な
く、また、欠陥があっても修正しなくても良い欠陥であ
る場合もあったので、修正箇所自体が少なかった。
ッチング工程を用いていた場合には、欠陥箇所が少な
く、また、欠陥があっても修正しなくても良い欠陥であ
る場合もあったので、修正箇所自体が少なかった。
【００２２】したがって、本発明は、一回の修正作業に
よってハーフトーン位相シフトマスクに発生した複数箇
所の欠陥を修正することを目的とする。
よってハーフトーン位相シフトマスクに発生した複数箇
所の欠陥を修正することを目的とする。
【００２３】
【課題を解決するための手段】図１は本発明の原理的構
成の説明図であり、この図１を参照して本発明における
課題を解決するための手段を説明する。 図１参照 （１）本発明は、修正用マスクにおいて、透明基板１上
に、被修正用のハーフトーン位相シフトマスク４のデバ
イス領域８が透光領域となるように、デバイス領域８に
対応する領域以外の領域に遮光膜３を設けたことを特徴
とする。
成の説明図であり、この図１を参照して本発明における
課題を解決するための手段を説明する。 図１参照 （１）本発明は、修正用マスクにおいて、透明基板１上
に、被修正用のハーフトーン位相シフトマスク４のデバ
イス領域８が透光領域となるように、デバイス領域８に
対応する領域以外の領域に遮光膜３を設けたことを特徴
とする。
【００２４】ハーフトーン位相シフトマスク４の修正の
際に、ポジ型のレジスト１１を用いた場合には、ハーフ
トーン位相シフトマスク４のデバイス領域８が透光領域
となるように、透明基板１のデバイス領域８に対応する
領域以外の領域に遮光膜３を設けることにより、一回の
修正工程において全欠陥、即ち、全遮光膜残渣１０を除
去することができる。
際に、ポジ型のレジスト１１を用いた場合には、ハーフ
トーン位相シフトマスク４のデバイス領域８が透光領域
となるように、透明基板１のデバイス領域８に対応する
領域以外の領域に遮光膜３を設けることにより、一回の
修正工程において全欠陥、即ち、全遮光膜残渣１０を除
去することができる。
【００２５】（２）本発明は、修正用マスクにおいて、
透明基板１上に、被修正用のハーフトーン位相シフトマ
スク４のデバイス領域８が遮光領域となるように、デバ
イス領域８に対応する領域に遮光膜３を設けたことを特
徴とする。
透明基板１上に、被修正用のハーフトーン位相シフトマ
スク４のデバイス領域８が遮光領域となるように、デバ
イス領域８に対応する領域に遮光膜３を設けたことを特
徴とする。
【００２６】ハーフトーン位相シフトマスク４の修正の
際に、ネガ型レジストを用いた場合には、ハーフトーン
位相シフトマスク４のデバイス領域８が遮光領域となる
ように、透明基板１のデバイス領域８に対応する領域に
遮光膜３を設けることにより、一回の修正工程において
全欠陥、即ち、全遮光膜残渣１０を除去することができ
る。
際に、ネガ型レジストを用いた場合には、ハーフトーン
位相シフトマスク４のデバイス領域８が遮光領域となる
ように、透明基板１のデバイス領域８に対応する領域に
遮光膜３を設けることにより、一回の修正工程において
全欠陥、即ち、全遮光膜残渣１０を除去することができ
る。
【００２７】（３）本発明は、ハーフトーン位相シフト
マスクの修正方法において、上記（１）または（２）の
修正用マスク１を用いてハーフトーン位相シフトマスク
４上に設けたレジスト１１を露光し、レジスト１１を現
像して形成したレジストマスクをマスクとしてデバイス
領域８のハーフトーン膜６上に残存する遮光膜残渣１０
をエッチング除去することを特徴とする。
マスクの修正方法において、上記（１）または（２）の
修正用マスク１を用いてハーフトーン位相シフトマスク
４上に設けたレジスト１１を露光し、レジスト１１を現
像して形成したレジストマスクをマスクとしてデバイス
領域８のハーフトーン膜６上に残存する遮光膜残渣１０
をエッチング除去することを特徴とする。
【００２８】この様に、上記（１）または（２）の修正
用マスク１を用いることにより、遮光膜３を残存させる
必要がある領域にのみレジストマスクが残存するように
することができ、それによって、一回の修正工程におい
て全欠陥、即ち、全遮光膜残渣１０を除去することがで
きるので、作製手番及び製造歩留りが向上する。
用マスク１を用いることにより、遮光膜３を残存させる
必要がある領域にのみレジストマスクが残存するように
することができ、それによって、一回の修正工程におい
て全欠陥、即ち、全遮光膜残渣１０を除去することがで
きるので、作製手番及び製造歩留りが向上する。
【００２９】（４）また、本発明は、上記（３）におい
て、ハーフトーン膜６がＭｏＳｉＯＮ膜であり、且つ、
遮光膜残渣１０がＣｒ膜残渣であることを特徴とする。
て、ハーフトーン膜６がＭｏＳｉＯＮ膜であり、且つ、
遮光膜残渣１０がＣｒ膜残渣であることを特徴とする。
【００３０】この様なＭｏＳｉＯＮ膜とＣｒ膜との組合
せは、ウェット・エッチング液及びドライ・エッチング
ガスの双方に対する選択エッチング性が高いので、Ｃｒ
膜或いはＣｒ膜残渣の選択的除去が容易になる。
せは、ウェット・エッチング液及びドライ・エッチング
ガスの双方に対する選択エッチング性が高いので、Ｃｒ
膜或いはＣｒ膜残渣の選択的除去が容易になる。
【００３１】
【発明の実施の形態】ここで、本発明の第１の実施の形
態を図２を参照して説明する。 図２（ａ）参照 まず、上述の図６に示すようにデバイス領域２５のハー
フトーン膜となるＭｏＳｉＯＮ膜パターン２２上にＣｒ
膜残渣２７が存在するハーフトーン位相シフトマスク２
４の全面にポジ型フォトレジスト２８を塗布したのち、
石英ガラス基板２９上に、ハーフトーン位相シフトマス
ク２４の遮光領域２６に対応する位置に遮光膜となるＣ
ｒ膜パターン３０を設けた修正用マスク３１を用いて紫
外線３２により露光する。
態を図２を参照して説明する。 図２（ａ）参照 まず、上述の図６に示すようにデバイス領域２５のハー
フトーン膜となるＭｏＳｉＯＮ膜パターン２２上にＣｒ
膜残渣２７が存在するハーフトーン位相シフトマスク２
４の全面にポジ型フォトレジスト２８を塗布したのち、
石英ガラス基板２９上に、ハーフトーン位相シフトマス
ク２４の遮光領域２６に対応する位置に遮光膜となるＣ
ｒ膜パターン３０を設けた修正用マスク３１を用いて紫
外線３２により露光する。
【００３２】図２（ｂ）参照 次いで、ポジ型フォトレジスト２８を現像してレジスト
マスク３３を形成したのち、このレジストマスク３３を
マスクとして、硝酸第二セリウムアンモニウム，過塩素
酸，界面活性剤，及び、純水の混合液をエッチャントと
したウェット・エッチングを施すことによって、Ｃｒ膜
残渣２７を除去する。
マスク３３を形成したのち、このレジストマスク３３を
マスクとして、硝酸第二セリウムアンモニウム，過塩素
酸，界面活性剤，及び、純水の混合液をエッチャントと
したウェット・エッチングを施すことによって、Ｃｒ膜
残渣２７を除去する。
【００３３】図２（ｃ）参照 次いで、レジストマスク３３を除去することによって、
デバイス領域２５においては、ＭｏＳｉＯＮ膜パターン
２２のみからなるハーフトーン膜パターンが残存し、周
囲の遮光領域２６においてはＣｒ膜パターン２３が残存
するようにしてハーフトーン位相シフトマスク２４の修
正が終了する。
デバイス領域２５においては、ＭｏＳｉＯＮ膜パターン
２２のみからなるハーフトーン膜パターンが残存し、周
囲の遮光領域２６においてはＣｒ膜パターン２３が残存
するようにしてハーフトーン位相シフトマスク２４の修
正が終了する。
【００３４】この様に、本発明の第１の実施の形態にお
いては、Ｃｒ膜パターン２３を残存させる必要のある遮
光領域２６に対応するＣｒ膜パターン３０を設けた修正
用マスク３１を用いて修正のための露光を行っているの
で、一度の工程によってデバイス領域２５を全て露出さ
せることができ、したがって、デバイス領域２５に複数
のＣｒ膜残渣２７が存在しても一度のエッチング工程に
よって全てのＣｒ膜残渣２７を確実に除去することがで
き、修正工程が簡素化される。
いては、Ｃｒ膜パターン２３を残存させる必要のある遮
光領域２６に対応するＣｒ膜パターン３０を設けた修正
用マスク３１を用いて修正のための露光を行っているの
で、一度の工程によってデバイス領域２５を全て露出さ
せることができ、したがって、デバイス領域２５に複数
のＣｒ膜残渣２７が存在しても一度のエッチング工程に
よって全てのＣｒ膜残渣２７を確実に除去することがで
き、修正工程が簡素化される。
【００３５】なお、この場合の修正用マスク３１は、修
正用マスク３１の製造工程において、レジストとしてポ
ジ型の電子線レジストを用い、上述の図５（ｄ）の工程
の様に、デバイス領域２５のＣｒ膜パターンを除去する
工程において用いた電子線露光データをそのまま用いて
露光することにより、遮光領域２６に正確に対応するＣ
ｒ膜パターン３０を簡単に形成することができる。
正用マスク３１の製造工程において、レジストとしてポ
ジ型の電子線レジストを用い、上述の図５（ｄ）の工程
の様に、デバイス領域２５のＣｒ膜パターンを除去する
工程において用いた電子線露光データをそのまま用いて
露光することにより、遮光領域２６に正確に対応するＣ
ｒ膜パターン３０を簡単に形成することができる。
【００３６】また、この様な修正用マスク３１は、ハー
フトーン位相シフトマスク２４のデバイス領域２５のＭ
ｏＳｉＯＮ膜パターン２２の形状が互いに異なっていて
も、ハーフトーン位相シフトマスク２４の外観が同一で
あれば、１枚の修正用マスク３１を各種のハーフトーン
位相シフトマスクに対して共通して使用することができ
る。
フトーン位相シフトマスク２４のデバイス領域２５のＭ
ｏＳｉＯＮ膜パターン２２の形状が互いに異なっていて
も、ハーフトーン位相シフトマスク２４の外観が同一で
あれば、１枚の修正用マスク３１を各種のハーフトーン
位相シフトマスクに対して共通して使用することができ
る。
【００３７】次に、図３を参照して本発明の第２の実施
の形態を説明する。 図３参照 この第２の実施の形態の場合には、修正工程においてネ
ガ型フォトレジストを用いた場合であり、デバイス領域
２５のハーフトーン膜となるＭｏＳｉＯＮ膜パターン２
２上にＣｒ膜残渣２７が存在するハーフトーン位相シフ
トマスク２４の全面にネガ型フォトレジスト３４を塗布
したのち、石英ガラス基板３５上に、ハーフトーン位相
シフトマスク２４のデバイス領域２５に対応する位置に
遮光膜となるＣｒ膜パターン３６を設けた修正用マスク
３７を用いて紫外線３２により露光するものである。
の形態を説明する。 図３参照 この第２の実施の形態の場合には、修正工程においてネ
ガ型フォトレジストを用いた場合であり、デバイス領域
２５のハーフトーン膜となるＭｏＳｉＯＮ膜パターン２
２上にＣｒ膜残渣２７が存在するハーフトーン位相シフ
トマスク２４の全面にネガ型フォトレジスト３４を塗布
したのち、石英ガラス基板３５上に、ハーフトーン位相
シフトマスク２４のデバイス領域２５に対応する位置に
遮光膜となるＣｒ膜パターン３６を設けた修正用マスク
３７を用いて紫外線３２により露光するものである。
【００３８】以降は図示しないものの、上記の第１の実
施の形態と同様に、ネガ型フォトレジスト３４を現像し
てレジストマスクを形成したのち、このレジストマスク
をマスクとして、硝酸第二セリウムアンモニウム，過塩
素酸，界面活性剤，及び、純水の混合液をエッチャント
としたウェット・エッチングを施し、Ｃｒ膜残渣２７を
除去することによってハーフトーン位相シフトマスク２
４を修正する。
施の形態と同様に、ネガ型フォトレジスト３４を現像し
てレジストマスクを形成したのち、このレジストマスク
をマスクとして、硝酸第二セリウムアンモニウム，過塩
素酸，界面活性剤，及び、純水の混合液をエッチャント
としたウェット・エッチングを施し、Ｃｒ膜残渣２７を
除去することによってハーフトーン位相シフトマスク２
４を修正する。
【００３９】この場合も、上記の第１の実施の形態と同
様に、一度の工程によってデバイス領域２５を全て露出
させることができ、したがって、デバイス領域２５に複
数のＣｒ膜残渣２７が存在しても一度のエッチング工程
によって全てのＣｒ膜残渣２７を確実に除去することが
でき、修正工程が簡素化される。
様に、一度の工程によってデバイス領域２５を全て露出
させることができ、したがって、デバイス領域２５に複
数のＣｒ膜残渣２７が存在しても一度のエッチング工程
によって全てのＣｒ膜残渣２７を確実に除去することが
でき、修正工程が簡素化される。
【００４０】なお、この場合の修正用マスク３７は、修
正用マスク３７の製造工程において、レジストとしてネ
ガ型の電子線レジストを用い、上述の図５（ｄ）の工程
の様に、デバイス領域２５のＣｒ膜パターンを除去する
工程において用いた電子線露光データをそのまま用いて
露光することにより、デバイス２６に正確に対応するＣ
ｒ膜パターン３６を簡単に形成することができる。
正用マスク３７の製造工程において、レジストとしてネ
ガ型の電子線レジストを用い、上述の図５（ｄ）の工程
の様に、デバイス領域２５のＣｒ膜パターンを除去する
工程において用いた電子線露光データをそのまま用いて
露光することにより、デバイス２６に正確に対応するＣ
ｒ膜パターン３６を簡単に形成することができる。
【００４１】以上、本発明の各実施の形態を説明してき
たが、本発明は実施の形態において説明した製造条件・
製造工程に限られるものではなく、各種の変更が可能で
ある。
たが、本発明は実施の形態において説明した製造条件・
製造工程に限られるものではなく、各種の変更が可能で
ある。
【００４２】例えば、上記の各実施の形態の説明におい
ては、Ｃｒ膜のパターニング及びＣｒ膜の除去工程にお
いては、硝酸第二セリウムアンモニウム，過塩素酸，界
面活性剤，及び、純水の混合液をエッチャントとしたウ
ェット・エッチング法を用いているが、Ｃｌ2 ＋Ｏ2 の
混合ガス、或いは、ＨＣｌ3 ＋Ｏ2 の混合ガスを用いた
ドライ・エッチング法を用いても良いものである。
ては、Ｃｒ膜のパターニング及びＣｒ膜の除去工程にお
いては、硝酸第二セリウムアンモニウム，過塩素酸，界
面活性剤，及び、純水の混合液をエッチャントとしたウ
ェット・エッチング法を用いているが、Ｃｌ2 ＋Ｏ2 の
混合ガス、或いは、ＨＣｌ3 ＋Ｏ2 の混合ガスを用いた
ドライ・エッチング法を用いても良いものである。
【００４３】また、上記の各実施の形態の説明において
は、ハーフトーン膜として、ドライ・エッチング及びウ
ェット・エッチングの双方において、Ｃｒ膜との選択エ
ッチング性が良好なＭｏＳｉＯＮ膜を用いているが、Ｍ
ｏＳｉＯＮ膜に限られるものでなく、ＣｒＯＮ膜を用い
ても良いものであり、この場合にはＣｒ膜との選択エッ
チング性が低くなるので、遮光膜としてＣｒ膜以外の金
属膜を用いる必要がある。
は、ハーフトーン膜として、ドライ・エッチング及びウ
ェット・エッチングの双方において、Ｃｒ膜との選択エ
ッチング性が良好なＭｏＳｉＯＮ膜を用いているが、Ｍ
ｏＳｉＯＮ膜に限られるものでなく、ＣｒＯＮ膜を用い
ても良いものであり、この場合にはＣｒ膜との選択エッ
チング性が低くなるので、遮光膜としてＣｒ膜以外の金
属膜を用いる必要がある。
【００４４】
【発明の効果】本発明によれば、被修正用のハーフトー
ン位相シフトマスクのデバイス領域以外の遮光領域に対
応する遮光パターンを有する修正用マスクを用いて、被
修正用のハーフトーン位相シフトマスク上に修正エッチ
ング用のフォトレジストマスクパターンを形成している
ので、ハーフトーン膜上のＣｒ膜残渣を１回の工程で効
果的に除去することができ、ハーフトーン位相シフトマ
スクの作製手番及び製造歩留り向上に寄与するところが
大きい。
ン位相シフトマスクのデバイス領域以外の遮光領域に対
応する遮光パターンを有する修正用マスクを用いて、被
修正用のハーフトーン位相シフトマスク上に修正エッチ
ング用のフォトレジストマスクパターンを形成している
ので、ハーフトーン膜上のＣｒ膜残渣を１回の工程で効
果的に除去することができ、ハーフトーン位相シフトマ
スクの作製手番及び製造歩留り向上に寄与するところが
大きい。
【図１】本発明の原理的構成の説明図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態の説明図である。
【図３】本発明の第２の実施の形態の説明図である。
【図４】従来のハーフトーン位相シフトマスクの途中ま
での製造工程の説明図である。
での製造工程の説明図である。
【図５】従来のハーフトーン位相シフトマスクの図４以
降の製造工程の説明図である。
降の製造工程の説明図である。
【図６】従来のハーフトーン位相シフトマスクの問題点
の説明図である。
の説明図である。
【図７】従来のハーフトーン位相シフトマスクの修正方
法の説明図である。
法の説明図である。
【符号の説明】 １ 修正用マスク ２ 透明基板 ３ 遮光膜 ４ ハーフトーン位相シフトマスク ５ 透明基板 ６ ハーフトーン膜 ７ 遮光膜 ８ デバイス領域 ９ 遮光領域 １０ 遮光膜残渣 １１ レジスト １２ 露光用光 ２１ 石英ガラス基板 ２２ ＭｏＳｉＯＮ膜パターン ２３ Ｃｒ膜パターン ２４ ハーフトーン位相シフトマスク ２５ デバイス領域 ２６ 遮光領域 ２７ Ｃｒ膜残渣 ２８ ポジ型フォトレジスト ２９ 石英ガラス基板 ３０ Ｃｒ膜パターン ３１ 修正用マスク ３２ 紫外線 ３３ レジストマスク ３４ ネガ型フォトレジスト ３５ 石英ガラス基板 ３６ Ｃｒ膜パターン ３７ 修正用マスク ４１ 石英ガラス基板 ４２ ＭｏＳｉＯＮ膜 ４３ Ｃｒ膜 ４４ 電子線レジスト ４５ 露光領域 ４６ 電子線レジストパターン ４７ Ｃｒ膜パターン ４８ ＭｏＳｉＯＮ膜パターン ４９ 電子線レジスト ５０ 導電性膜 ５１ デバイス領域 ５２ 遮光領域 ５３ 露光領域 ５４ 電子線レジストパターン ５５ ハーフトーン位相シフトマスク ５６ 透光領域 ５７ Ｃｒ膜残渣 ５８ Ｃｒ膜残渣 ５９ フォトレジストマスク
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/30 ５２８
Claims (4)
- 【請求項１】 透明基板上に、被修正用のハーフトーン
位相シフトマスクのデバイス領域が透光領域となるよう
に、前記デバイス領域に対応する領域以外の領域に遮光
膜を設けたことを特徴とする修正用マスク。 - 【請求項２】 透明基板上に、被修正用のハーフトーン
位相シフトマスクのデバイス領域が遮光領域となるよう
に、前記デバイス領域に対応する領域に遮光膜を設けた
ことを特徴とする修正用マスク。 - 【請求項３】 請求項１または２に記載した修正用マス
クを用いてハーフトーン位相シフトマスク上に設けたレ
ジストを露光し、前記レジストを現像して形成したレジ
ストマスクをマスクとしてデバイス領域のハーフトーン
膜上に残存する遮光膜残渣をエッチング除去することを
特徴とするハーフトーン位相シフトマスクの修正方法。 - 【請求項４】 上記ハーフトーン膜がＭｏＳｉＯＮ膜で
あり、且つ、上記遮光膜残渣がＣｒ膜残渣であることを
特徴とする請求項３記載のハーフトーン位相シフトマス
クの修正方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8070897A JPH10274839A (ja) | 1997-03-31 | 1997-03-31 | 修正用マスク及びハーフトーン位相シフトマスクの修正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8070897A JPH10274839A (ja) | 1997-03-31 | 1997-03-31 | 修正用マスク及びハーフトーン位相シフトマスクの修正方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10274839A true JPH10274839A (ja) | 1998-10-13 |
Family
ID=13725840
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8070897A Withdrawn JPH10274839A (ja) | 1997-03-31 | 1997-03-31 | 修正用マスク及びハーフトーン位相シフトマスクの修正方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10274839A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005326773A (ja) * | 2004-05-17 | 2005-11-24 | Dainippon Printing Co Ltd | フォトマスクの欠陥修正方法 |
| JP2007514205A (ja) * | 2003-12-16 | 2007-05-31 | コミツサリア タ レネルジー アトミーク | 薄膜に形成されたパターンの誤りの修正方法 |
| JP2008102402A (ja) * | 2006-10-20 | 2008-05-01 | Toppan Printing Co Ltd | ハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法 |
| KR20080062001A (ko) * | 2006-12-28 | 2008-07-03 | 주식회사 하이닉스반도체 | 위상 반전 마스크의 제조 방법 |
| JP2009205146A (ja) * | 2008-01-31 | 2009-09-10 | Hoya Corp | フォトマスクの欠陥修正方法、フォトマスクの製造方法、位相シフトマスクの製造方法、フォトマスク、位相シフトマスク、フォトマスクセット及びパターン転写方法 |
| JP2010217918A (ja) * | 2010-05-18 | 2010-09-30 | Dainippon Printing Co Ltd | フォトマスクの欠陥修正方法 |
-
1997
- 1997-03-31 JP JP8070897A patent/JPH10274839A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007514205A (ja) * | 2003-12-16 | 2007-05-31 | コミツサリア タ レネルジー アトミーク | 薄膜に形成されたパターンの誤りの修正方法 |
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| JP2009205146A (ja) * | 2008-01-31 | 2009-09-10 | Hoya Corp | フォトマスクの欠陥修正方法、フォトマスクの製造方法、位相シフトマスクの製造方法、フォトマスク、位相シフトマスク、フォトマスクセット及びパターン転写方法 |
| JP2010217918A (ja) * | 2010-05-18 | 2010-09-30 | Dainippon Printing Co Ltd | フォトマスクの欠陥修正方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20040601 |