JPH0772797B2 - ポジ型写真材料のネガチブ画像の製法 - Google Patents
ポジ型写真材料のネガチブ画像の製法Info
- Publication number
- JPH0772797B2 JPH0772797B2 JP61187952A JP18795286A JPH0772797B2 JP H0772797 B2 JPH0772797 B2 JP H0772797B2 JP 61187952 A JP61187952 A JP 61187952A JP 18795286 A JP18795286 A JP 18795286A JP H0772797 B2 JPH0772797 B2 JP H0772797B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bis
- seconds
- composition
- resin
- diazide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 59
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims abstract description 44
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 38
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 38
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 28
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 claims abstract description 25
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 19
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 18
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 claims abstract description 13
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 10
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims abstract description 10
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims abstract description 9
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 9
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 claims abstract description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 7
- 229920001665 Poly-4-vinylphenol Polymers 0.000 claims abstract description 6
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 6
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 claims abstract description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 36
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 22
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 16
- -1 phenylenedioxy Chemical group 0.000 claims description 14
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 claims description 13
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 13
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 12
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 11
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 9
- DSLRVRBSNLHVBH-UHFFFAOYSA-N 2,5-furandimethanol Chemical compound OCC1=CC=C(CO)O1 DSLRVRBSNLHVBH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- FHIVAFMUCKRCQO-UHFFFAOYSA-N diazinon Chemical compound CCOP(=S)(OCC)OC1=CC(C)=NC(C(C)C)=N1 FHIVAFMUCKRCQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- IWDCLRJOBJJRNH-UHFFFAOYSA-N p-cresol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1 IWDCLRJOBJJRNH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical group CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000003504 photosensitizing agent Substances 0.000 claims description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 5
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 5
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims description 4
- LTOKTCJUEYLBCU-UHFFFAOYSA-N [4-[hydroxy(phenyl)methyl]phenyl]-phenylmethanol Chemical compound C=1C=C(C(O)C=2C=CC=CC=2)C=CC=1C(O)C1=CC=CC=C1 LTOKTCJUEYLBCU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000975 dye Substances 0.000 claims description 4
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 claims description 4
- 239000001294 propane Substances 0.000 claims description 4
- BDWINMYKMOTUNB-UHFFFAOYSA-N 2,5-bis(ethoxymethyl)thiophene Chemical compound CCOCC1=CC=C(COCC)S1 BDWINMYKMOTUNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- IFGNAVHGUKSSOI-UHFFFAOYSA-N [3-(hydroxymethyl)-2-methoxy-5-methylphenyl]methanol Chemical compound COC1=C(CO)C=C(C)C=C1CO IFGNAVHGUKSSOI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000002318 adhesion promoter Substances 0.000 claims description 3
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 claims description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N diphenyl ether Chemical compound C=1C=CC=CC=1OC1=CC=CC=C1 USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 claims description 3
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 claims description 3
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000002252 acyl group Chemical group 0.000 claims description 2
- 150000005215 alkyl ethers Chemical class 0.000 claims description 2
- 125000005530 alkylenedioxy group Chemical group 0.000 claims description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 2
- 125000006615 aromatic heterocyclic group Chemical group 0.000 claims description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 claims description 2
- 125000002950 monocyclic group Chemical group 0.000 claims description 2
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 125000005575 polycyclic aromatic hydrocarbon group Chemical group 0.000 claims description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 claims description 2
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 claims 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 abstract description 43
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 17
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 16
- FUGYGGDSWSUORM-UHFFFAOYSA-N 4-hydroxystyrene Chemical compound OC1=CC=C(C=C)C=C1 FUGYGGDSWSUORM-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 abstract 1
- 238000006303 photolysis reaction Methods 0.000 abstract 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 51
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 24
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 16
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 8
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 8
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 6
- 238000011161 development Methods 0.000 description 5
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 4
- 239000008247 solid mixture Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 125000000472 sulfonyl group Chemical group *S(*)(=O)=O 0.000 description 3
- HTQNYBBTZSBWKL-UHFFFAOYSA-N 2,3,4-trihydroxbenzophenone Chemical compound OC1=C(O)C(O)=CC=C1C(=O)C1=CC=CC=C1 HTQNYBBTZSBWKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004971 Cross linker Substances 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229930192627 Naphthoquinone Natural products 0.000 description 2
- PVNIIMVLHYAWGP-UHFFFAOYSA-N Niacin Chemical compound OC(=O)C1=CC=CN=C1 PVNIIMVLHYAWGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 239000003518 caustics Substances 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 2
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 2
- 239000003623 enhancer Substances 0.000 description 2
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 2
- QVEIBLDXZNGPHR-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,4-dione;diazide Chemical compound [N-]=[N+]=[N-].[N-]=[N+]=[N-].C1=CC=C2C(=O)C=CC(=O)C2=C1 QVEIBLDXZNGPHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002791 naphthoquinones Chemical class 0.000 description 2
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 description 2
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 2
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- HJIAMFHSAAEUKR-UHFFFAOYSA-N (2-hydroxyphenyl)-phenylmethanone Chemical class OC1=CC=CC=C1C(=O)C1=CC=CC=C1 HJIAMFHSAAEUKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N (3-aminopropyl)triethoxysilane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCN WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N 1,1-Diethoxyethane Chemical compound CCOC(C)OCC DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCAPZHQQRGOTEL-UHFFFAOYSA-N 1,3,5-tris(methoxymethyl)-2,4,6-trimethylbenzene Chemical compound COCC1=C(C)C(COC)=C(C)C(COC)=C1C ZCAPZHQQRGOTEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LBBFAXWBHAXRFY-UHFFFAOYSA-N 1,3-bis(ethoxymethyl)-2,4,5,6-tetramethylbenzene Chemical compound CCOCC1=C(C)C(C)=C(C)C(COCC)=C1C LBBFAXWBHAXRFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XZCZNIGIIGZSPV-UHFFFAOYSA-N 1,3-bis[4-(methoxymethyl)phenoxy]benzene Chemical compound C1=CC(COC)=CC=C1OC1=CC=CC(OC=2C=CC(COC)=CC=2)=C1 XZCZNIGIIGZSPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 1,4-benzoquinone Chemical compound O=C1C=CC(=O)C=C1 AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DAJPMKAQEUGECW-UHFFFAOYSA-N 1,4-bis(methoxymethyl)benzene Chemical compound COCC1=CC=C(COC)C=C1 DAJPMKAQEUGECW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XRXLTFYZSLXTHI-UHFFFAOYSA-N 1,5-bis(methoxymethyl)-2,4-di(propan-2-yl)benzene Chemical compound COCC1=CC(COC)=C(C(C)C)C=C1C(C)C XRXLTFYZSLXTHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XGMKQCNWNQDKDW-UHFFFAOYSA-N 1-(methoxymethyl)-4-[2-[4-(methoxymethyl)phenyl]propan-2-yl]benzene Chemical compound C1=CC(COC)=CC=C1C(C)(C)C1=CC=C(COC)C=C1 XGMKQCNWNQDKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMILKBPUYWHZDV-UHFFFAOYSA-N 1-(methoxymethyl)-4-[3-[4-(methoxymethyl)phenoxy]propoxy]benzene Chemical compound C1=CC(COC)=CC=C1OCCCOC1=CC=C(COC)C=C1 SMILKBPUYWHZDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NLWCWEGVNJVLAX-UHFFFAOYSA-N 1-methoxy-2-phenylbenzene Chemical compound COC1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 NLWCWEGVNJVLAX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KGWYICAEPBCRBL-UHFFFAOYSA-N 1h-indene-1-carboxylic acid Chemical compound C1=CC=C2C(C(=O)O)C=CC2=C1 KGWYICAEPBCRBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XRUGBBIQLIVCSI-UHFFFAOYSA-N 2,3,4-trimethylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C(C)=C1C XRUGBBIQLIVCSI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CJWNFAKWHDOUKL-UHFFFAOYSA-N 2-(2-phenylpropan-2-yl)phenol Chemical class C=1C=CC=C(O)C=1C(C)(C)C1=CC=CC=C1 CJWNFAKWHDOUKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WUKVTUHYWUYAMG-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxy-5-methoxy-1,3-bis(methoxymethyl)benzene Chemical compound CCOC1=C(COC)C=C(OC)C=C1COC WUKVTUHYWUYAMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethyl acetate Chemical compound CCOCCOC(C)=O SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QMFYFZXAIOLDGN-UHFFFAOYSA-N 2-ethyl-9,10-bis(methoxymethyl)anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=C(COC)C3=CC(CC)=CC=C3C(COC)=C21 QMFYFZXAIOLDGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZBCUAKGMUDYGFU-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-1,3-bis(methoxymethyl)-5-phenylbenzene Chemical compound COCC1=C(OC)C(COC)=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1 ZBCUAKGMUDYGFU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YVLNDCLPPGIRCP-UHFFFAOYSA-N 2-nitro-3-phenylprop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C([N+]([O-])=O)=CC1=CC=CC=C1 YVLNDCLPPGIRCP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PRLGPYSLOOQBTG-UHFFFAOYSA-N 3-ethoxy-2-methylphenol Chemical compound CCOC1=CC=CC(O)=C1C PRLGPYSLOOQBTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGMITUYZIACKHB-UHFFFAOYSA-N 4-chloro-2,6-bis(hydroxymethyl)phenol Chemical compound OCC1=CC(Cl)=CC(CO)=C1O OGMITUYZIACKHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WTQZSMDDRMKJRI-UHFFFAOYSA-N 4-diazoniophenolate Chemical compound [O-]C1=CC=C([N+]#N)C=C1 WTQZSMDDRMKJRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZINIYKYKZIWNET-UHFFFAOYSA-N 5-bromo-2-ethoxy-1,3-bis(methoxymethyl)benzene Chemical compound CCOC1=C(COC)C=C(Br)C=C1COC ZINIYKYKZIWNET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- APOZPDWCRDYRMW-UHFFFAOYSA-N 5-fluoro-2-methoxy-1,3-bis(methoxymethyl)benzene Chemical compound COCC1=CC(F)=CC(COC)=C1OC APOZPDWCRDYRMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DEOGHVFJGTYJMJ-UHFFFAOYSA-N 9,10-bis(methoxymethyl)anthracene Chemical compound C1=CC=C2C(COC)=C(C=CC=C3)C3=C(COC)C2=C1 DEOGHVFJGTYJMJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M Bisulfite Chemical compound OS([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001522296 Erithacus rubecula Species 0.000 description 1
- 240000009200 Macaranga tanarius Species 0.000 description 1
- 235000000487 Macaranga tanarius Nutrition 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 235000021355 Stearic acid Nutrition 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CHUSXKDMLOSENJ-UHFFFAOYSA-N [2,5-diethoxy-3-(hydroxymethyl)phenyl]methanol Chemical compound CCOC1=CC(CO)=C(OCC)C(CO)=C1 CHUSXKDMLOSENJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YORPVEDHGRVBJT-UHFFFAOYSA-N [2-ethoxy-3-(hydroxymethyl)-5-methylsulfanylphenyl]methanol Chemical compound CCOC1=C(CO)C=C(SC)C=C1CO YORPVEDHGRVBJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TVIWZPUZJZWRAU-UHFFFAOYSA-N [2-ethoxy-3-(hydroxymethyl)-5-phenoxyphenyl]methanol Chemical compound C1=C(CO)C(OCC)=C(CO)C=C1OC1=CC=CC=C1 TVIWZPUZJZWRAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ANFFRACWOIAIMW-UHFFFAOYSA-N [2-ethoxy-5-[4-ethoxy-3-(hydroxymethyl)-5-methylphenyl]sulfonyl-3-methylphenyl]methanol Chemical compound C1=C(CO)C(OCC)=C(C)C=C1S(=O)(=O)C1=CC(C)=C(OCC)C(CO)=C1 ANFFRACWOIAIMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYUQVJSLASETGX-UHFFFAOYSA-N [2-ethoxy-5-ethyl-3-(hydroxymethyl)phenyl]methanol Chemical compound CCOC1=C(CO)C=C(CC)C=C1CO VYUQVJSLASETGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXUIAFOEBMISHC-UHFFFAOYSA-N [3-(acetyloxymethyl)-2,5-dimethoxyphenyl]methyl acetate Chemical compound COC1=CC(COC(C)=O)=C(OC)C(COC(C)=O)=C1 KXUIAFOEBMISHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HFAXZWJVNIXZEQ-UHFFFAOYSA-N [3-(acetyloxymethyl)-2-methoxy-5-phenylsulfanylphenyl]methyl acetate Chemical compound C1=C(COC(C)=O)C(OC)=C(COC(C)=O)C=C1SC1=CC=CC=C1 HFAXZWJVNIXZEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YUKMKAWLXLWULR-UHFFFAOYSA-N [3-(acetyloxymethyl)-5-chloro-2-methoxyphenyl]methyl acetate Chemical compound COC1=C(COC(C)=O)C=C(Cl)C=C1COC(C)=O YUKMKAWLXLWULR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WVLJNXPJJCMMIB-UHFFFAOYSA-N [3-(acetyloxymethyl)-5-tert-butyl-2-ethoxyphenyl]methyl acetate Chemical compound CCOC1=C(COC(C)=O)C=C(C(C)(C)C)C=C1COC(C)=O WVLJNXPJJCMMIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NWAIYLFAGPKYBZ-UHFFFAOYSA-N [3-(hydroxymethyl)-2,4,6-trimethylphenyl]methanol Chemical compound CC1=CC(C)=C(CO)C(C)=C1CO NWAIYLFAGPKYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XFUXGAKMVKJPCG-UHFFFAOYSA-N [3-(hydroxymethyl)-2-methoxy-5-(2-phenylpropan-2-yl)phenyl]methanol Chemical compound C1=C(CO)C(OC)=C(CO)C=C1C(C)(C)C1=CC=CC=C1 XFUXGAKMVKJPCG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YWMLORGQOFONNT-UHFFFAOYSA-N [3-(hydroxymethyl)phenyl]methanol Chemical compound OCC1=CC=CC(CO)=C1 YWMLORGQOFONNT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LZAUWWQKFQBPAD-UHFFFAOYSA-N [3-[3-[3-(hydroxymethyl)phenoxy]propoxy]phenyl]methanol Chemical compound OCC1=CC=CC(OCCCOC=2C=C(CO)C=CC=2)=C1 LZAUWWQKFQBPAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VAKSLULWQRAVPS-UHFFFAOYSA-N [4-(acetyloxymethyl)-2,3,5,6-tetramethylphenyl]methyl acetate Chemical compound CC(=O)OCC1=C(C)C(C)=C(COC(C)=O)C(C)=C1C VAKSLULWQRAVPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GHTKWFYSNXROMD-UHFFFAOYSA-N [4-(hydroxymethyl)-5-methoxy-2-methylphenyl]methanol Chemical compound COC1=CC(CO)=C(C)C=C1CO GHTKWFYSNXROMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JAKLGXVFNYYOSU-UHFFFAOYSA-N [4-(hydroxymethyl)naphthalen-1-yl]methanol Chemical compound C1=CC=C2C(CO)=CC=C(CO)C2=C1 JAKLGXVFNYYOSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BWVAOONFBYYRHY-UHFFFAOYSA-N [4-(hydroxymethyl)phenyl]methanol Chemical compound OCC1=CC=C(CO)C=C1 BWVAOONFBYYRHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NWZVTPPGUQQRFS-UHFFFAOYSA-N [4-[2-[2-[4-(hydroxymethyl)phenoxy]ethoxy]ethoxy]phenyl]methanol Chemical compound C1=CC(CO)=CC=C1OCCOCCOC1=CC=C(CO)C=C1 NWZVTPPGUQQRFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HVRBRFHPXGZOMF-UHFFFAOYSA-N [5-(acetyloxymethyl)-6-methylnaphthalen-1-yl]methyl acetate Chemical compound CC1=CC=C2C(COC(=O)C)=CC=CC2=C1COC(C)=O HVRBRFHPXGZOMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IRFYDHBVCSSUHI-UHFFFAOYSA-N [5-(acetyloxymethyl)naphthalen-1-yl]methyl acetate Chemical compound C1=CC=C2C(COC(=O)C)=CC=CC2=C1COC(C)=O IRFYDHBVCSSUHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCSRMKWFMUDWAH-UHFFFAOYSA-N [5-(hydroxymethyl)-2,4-di(propan-2-yl)phenyl]methanol Chemical compound CC(C)C1=CC(C(C)C)=C(CO)C=C1CO ZCSRMKWFMUDWAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KDSNMBNNCZRNPP-UHFFFAOYSA-N [5-(hydroxymethyl)-2,4-dimethylphenyl]methanol Chemical compound CC1=CC(C)=C(CO)C=C1CO KDSNMBNNCZRNPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UTMZDGIQSRLHOJ-UHFFFAOYSA-N [5-benzyl-2-[3-[4-benzyl-2-(hydroxymethyl)-6-methylphenoxy]propoxy]-3-methylphenyl]methanol Chemical compound C=1C(CO)=C(OCCCOC=2C(=CC(CC=3C=CC=CC=3)=CC=2C)CO)C(C)=CC=1CC1=CC=CC=C1 UTMZDGIQSRLHOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OSAZTXTVPPRJMD-UHFFFAOYSA-N [5-benzyl-3-(hydroxymethyl)-2-methoxyphenyl]methanol Chemical compound C1=C(CO)C(OC)=C(CO)C=C1CC1=CC=CC=C1 OSAZTXTVPPRJMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LNRIBAMFJNURQO-UHFFFAOYSA-N [5-bromo-3-(hydroxymethyl)-2-methoxyphenyl]methanol Chemical compound COC1=C(CO)C=C(Br)C=C1CO LNRIBAMFJNURQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XTQROGLRKLHQHN-UHFFFAOYSA-N [5-hexyl-3-(hydroxymethyl)-2-methoxyphenyl]methanol Chemical compound CCCCCCC1=CC(CO)=C(OC)C(CO)=C1 XTQROGLRKLHQHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SSFGHKDDKYEERH-UHFFFAOYSA-N [6-(hydroxymethyl)naphthalen-2-yl]methanol Chemical compound C1=C(CO)C=CC2=CC(CO)=CC=C21 SSFGHKDDKYEERH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RISQRMSSRWWBNR-UHFFFAOYSA-N [N-]=[N+]=[N-].[N-]=[N+]=[N-].C1(C(C=CC2=CC=CC=C12)=O)=O.OC1=C(C(=C(C(=O)C2=CC=CC=C2)C=C1)O)O Chemical compound [N-]=[N+]=[N-].[N-]=[N+]=[N-].C1(C(C=CC2=CC=CC=C12)=O)=O.OC1=C(C(=C(C(=O)C2=CC=CC=C2)C=C1)O)O RISQRMSSRWWBNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011354 acetal resin Substances 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N anthraquinone Natural products CCC(=O)c1c(O)c2C(=O)C3C(C=CC=C3O)C(=O)c2cc1CC(=O)OC PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004056 anthraquinones Chemical class 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N benzene Substances C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N benzophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012965 benzophenone Substances 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- IDBQAPPDOFOSAE-UHFFFAOYSA-N bis[4-(methoxymethyl)phenyl]methanone Chemical compound C1=CC(COC)=CC=C1C(=O)C1=CC=C(COC)C=C1 IDBQAPPDOFOSAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 125000000664 diazo group Chemical group [N-]=[N+]=[*] 0.000 description 1
- WDBGNIUHRVFUCF-UHFFFAOYSA-N dimethylsilyl(trimethyl)silane methyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound C(C(=C)C)(=O)OC.C[SiH]([Si](C)(C)C)C WDBGNIUHRVFUCF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- SLGWESQGEUXWJQ-UHFFFAOYSA-N formaldehyde;phenol Chemical compound O=C.OC1=CC=CC=C1 SLGWESQGEUXWJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- IYZHKJGXWMEXDO-UHFFFAOYSA-N methyl 3,5-bis(hydroxymethyl)-4-phenylmethoxybenzoate Chemical compound OCC1=CC(C(=O)OC)=CC(CO)=C1OCC1=CC=CC=C1 IYZHKJGXWMEXDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- PGSADBUBUOPOJS-UHFFFAOYSA-N neutral red Chemical compound Cl.C1=C(C)C(N)=CC2=NC3=CC(N(C)C)=CC=C3N=C21 PGSADBUBUOPOJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960003512 nicotinic acid Drugs 0.000 description 1
- 235000001968 nicotinic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000011664 nicotinic acid Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Natural products CCCCCCCC(C)CCCCCCCCC(O)=O OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 239000003791 organic solvent mixture Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 239000013034 phenoxy resin Substances 0.000 description 1
- 229920006287 phenoxy resin Polymers 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 208000017983 photosensitivity disease Diseases 0.000 description 1
- 231100000434 photosensitization Toxicity 0.000 description 1
- OXNIZHLAWKMVMX-UHFFFAOYSA-N picric acid Chemical compound OC1=C([N+]([O-])=O)C=C([N+]([O-])=O)C=C1[N+]([O-])=O OXNIZHLAWKMVMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920006324 polyoxymethylene Polymers 0.000 description 1
- 235000013824 polyphenols Nutrition 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000013557 residual solvent Substances 0.000 description 1
- 230000001235 sensitizing effect Effects 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000008117 stearic acid Substances 0.000 description 1
- 230000000153 supplemental effect Effects 0.000 description 1
- GQIUQDDJKHLHTB-UHFFFAOYSA-N trichloro(ethenyl)silane Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)C=C GQIUQDDJKHLHTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQUQLFOMPYWACS-UHFFFAOYSA-N tris(2-chloroethyl) phosphate Chemical compound ClCCOP(=O)(OCCCl)OCCCl HQUQLFOMPYWACS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LLWJPGAKXJBKKA-UHFFFAOYSA-N victoria blue B Chemical compound [Cl-].C1=CC(N(C)C)=CC=C1C(C=1C=CC(=CC=1)N(C)C)=C(C=C1)C2=CC=CC=C2C1=[NH+]C1=CC=CC=C1 LLWJPGAKXJBKKA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005050 vinyl trichlorosilane Substances 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03C—PHOTOSENSITIVE MATERIALS FOR PHOTOGRAPHIC PURPOSES; PHOTOGRAPHIC PROCESSES, e.g. CINE, X-RAY, COLOUR, STEREO-PHOTOGRAPHIC PROCESSES; AUXILIARY PROCESSES IN PHOTOGRAPHY
- G03C1/00—Photosensitive materials
- G03C1/005—Silver halide emulsions; Preparation thereof; Physical treatment thereof; Incorporation of additives therein
- G03C1/485—Direct positive emulsions
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/022—Quinonediazides
- G03F7/0226—Quinonediazides characterised by the non-macromolecular additives
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/38—Treatment before imagewise removal, e.g. prebaking
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は一般に放射線感応性フオトレジスト組成物、詳
述すればナフトキノンジアジド増感剤と一緒に水性アル
カリ可溶性樹脂を含む組成物に関する。
述すればナフトキノンジアジド増感剤と一緒に水性アル
カリ可溶性樹脂を含む組成物に関する。
従来の技術 米国特許第3,666,473号、同第4,115,128号及び同第4,17
3,470号明細書に記載されているようなポジチブフオト
レジスト組成物を製造することは文献からよく知られて
いる。このものは通常置換ナフトキノンジアジド化合物
である感光材料と共にアルカリ可溶性フエノール−ホル
ムアルデヒドノボラツク樹脂を含む。樹脂及び増感剤は
有機溶剤及び溶剤混合物に溶解されており、所望の特殊
な用途に適した基板に薄いフイルム又は皮膜として施さ
れる。
3,470号明細書に記載されているようなポジチブフオト
レジスト組成物を製造することは文献からよく知られて
いる。このものは通常置換ナフトキノンジアジド化合物
である感光材料と共にアルカリ可溶性フエノール−ホル
ムアルデヒドノボラツク樹脂を含む。樹脂及び増感剤は
有機溶剤及び溶剤混合物に溶解されており、所望の特殊
な用途に適した基板に薄いフイルム又は皮膜として施さ
れる。
これらのフオトレジスト組成物の樹脂成分はアルカリ水
溶液に可溶であるが、ナフトキノン増感剤は樹脂に関し
て溶解速度抑制剤として作用する。しかし塗布された基
板の選択された表面を化学線で露光した際、増感剤は化
学線で誘発された構造変化を生じ、皮膜の露光された表
面は未露光部分よりも一層可溶性になる。溶解速度にお
けるこの差は、基板をアルカリ現像液に浸漬した際にフ
オトレジスト皮膜の露光された表面を溶解させるが、未
露光部分はほとんど変化せず、従つて基板上にポジチブ
レリーフパターンが生じる。
溶液に可溶であるが、ナフトキノン増感剤は樹脂に関し
て溶解速度抑制剤として作用する。しかし塗布された基
板の選択された表面を化学線で露光した際、増感剤は化
学線で誘発された構造変化を生じ、皮膜の露光された表
面は未露光部分よりも一層可溶性になる。溶解速度にお
けるこの差は、基板をアルカリ現像液に浸漬した際にフ
オトレジスト皮膜の露光された表面を溶解させるが、未
露光部分はほとんど変化せず、従つて基板上にポジチブ
レリーフパターンが生じる。
多くの場合露光されまた現像された基板は、基板−腐食
液で処理される。フオトレジスト皮膜は基板の塗布され
た表面を腐食剤から保護し、従つて腐食剤は基板の塗布
されていない表面（これはポジチブフオトレジストの場
合、化学線に曝された部分に相当する）を腐食し得るに
すぎない。その結果腐食されたパターンが基板に施され
るが、これは現像処理前に塗布基板に選択性の露光パタ
ーンを施すために使用したマスク、ステンシル、型板等
のパターンに相当するものである。
液で処理される。フオトレジスト皮膜は基板の塗布され
た表面を腐食剤から保護し、従つて腐食剤は基板の塗布
されていない表面（これはポジチブフオトレジストの場
合、化学線に曝された部分に相当する）を腐食し得るに
すぎない。その結果腐食されたパターンが基板に施され
るが、これは現像処理前に塗布基板に選択性の露光パタ
ーンを施すために使用したマスク、ステンシル、型板等
のパターンに相当するものである。
上記方法で製造した基板上のフオトレジストのレリーフ
パターンは、小型化された集積電子成分の製造で使用さ
れるような露光マスク又はパターンとして種々の適用分
野に有用である。
パターンは、小型化された集積電子成分の製造で使用さ
れるような露光マスク又はパターンとして種々の適用分
野に有用である。
営業的観点から重要なフオトレジスト組成物の特性はレ
ジストの写真速度、現像コントラスト、レジスト分解能
及びレジスト付着力である。
ジストの写真速度、現像コントラスト、レジスト分解能
及びレジスト付着力である。
レジスト分解能は、現像された露光空間に高度な画像縁
鮮鋭度で露光中使用されるマスクの、最小の等間隔線対
及び中央空間を再生するレジスト系の能力である。
鮮鋭度で露光中使用されるマスクの、最小の等間隔線対
及び中央空間を再生するレジスト系の能力である。
多くの工業分野、特に小型電子成分の製造分野におい
て、フオトレジストは極めて小さな線及び空間幅（１ミ
クロン以下）に対し高度の分解能を有することが要求さ
れている。
て、フオトレジストは極めて小さな線及び空間幅（１ミ
クロン以下）に対し高度の分解能を有することが要求さ
れている。
１ミクロン以下の極めて小さな寸法を再生するレジスト
能力は、シリコンチツプ及び同様の成分に大規模集積回
路を製造するのに極めて重要である。この種チツプ上の
回路密度は例えば写真製版技術を使用してレジストの分
解能を高めることによつて、増すことができるにすぎな
い。
能力は、シリコンチツプ及び同様の成分に大規模集積回
路を製造するのに極めて重要である。この種チツプ上の
回路密度は例えば写真製版技術を使用してレジストの分
解能を高めることによつて、増すことができるにすぎな
い。
フオトレジストは一般にポジ型又はネガ型に分類され
る。ネガ型のレジスト組成物では画像に応じて光の当つ
た表面を硬化し、現像剤で未露光部分を除去した後、レ
ジストの画像表面が生じる。ポジ型レジストでは未露光
部分が画像表面である。光の当つた部分は水性のアルカ
リ現像液に可溶性になる。ネガチブレジストは印刷回路
板を工業的に製造するために最も広く使用されている
が、ポジチブレジストはより微細な分解能及びより小さ
な画像面を可能とする。従つてポジチブレジストは濃密
な集積回路を製造するのに選択される。
る。ネガ型のレジスト組成物では画像に応じて光の当つ
た表面を硬化し、現像剤で未露光部分を除去した後、レ
ジストの画像表面が生じる。ポジ型レジストでは未露光
部分が画像表面である。光の当つた部分は水性のアルカ
リ現像液に可溶性になる。ネガチブレジストは印刷回路
板を工業的に製造するために最も広く使用されている
が、ポジチブレジストはより微細な分解能及びより小さ
な画像面を可能とする。従つてポジチブレジストは濃密
な集積回路を製造するのに選択される。
多くの工業分野においてネガ型を適用するために高分解
能のキノンジアジド型ポジチブレジストを変えることが
望まれる。
能のキノンジアジド型ポジチブレジストを変えることが
望まれる。
この方法を実際の装置製造に利用するには画像の反転分
解が重要である。画像反転の実際的な問題点はポジチブ
及びネガチブの両画像を得るための二重補足マスクの必
要性の除去、ポジチブ画像単独の場合よりも大きい分解
能及び処理寛容度、定在波効果の減少及び高い熱安定性
である。この点ではいくつかの方法がこの種画像反転に
ついて提案されている。例えば“Imege Reversal:The P
roduction of a Negative Image in a Positive Photor
esist"マクドナルド（S.A.Mac Donald）その他著、第11
4頁、IBM Research Disclosure,1982年；“Image Rever
sal of Positive Photoresist"。“A New Tool for Adv
ancing Integrated Circuit Fabrication"アーリング
（E.Alling）その他著、“Journal of the Society of
Photo−Imaging Engineers"第539巻、第194頁、1985
年；ソ連特許第1,109,708号明細書“Producing a Negat
ive Image on a Positive Photoresist"（発明者、M.V.
Buzuev.その他）；西ドイツ国特許第2529054号明細書
“Making a Negative Image"（C2,1975年、H,Moritz,G.
Paal）；米国特許第4,104,070号、同第4,576,901号及び
同第4,581,321号明細書。
解が重要である。画像反転の実際的な問題点はポジチブ
及びネガチブの両画像を得るための二重補足マスクの必
要性の除去、ポジチブ画像単独の場合よりも大きい分解
能及び処理寛容度、定在波効果の減少及び高い熱安定性
である。この点ではいくつかの方法がこの種画像反転に
ついて提案されている。例えば“Imege Reversal:The P
roduction of a Negative Image in a Positive Photor
esist"マクドナルド（S.A.Mac Donald）その他著、第11
4頁、IBM Research Disclosure,1982年；“Image Rever
sal of Positive Photoresist"。“A New Tool for Adv
ancing Integrated Circuit Fabrication"アーリング
（E.Alling）その他著、“Journal of the Society of
Photo−Imaging Engineers"第539巻、第194頁、1985
年；ソ連特許第1,109,708号明細書“Producing a Negat
ive Image on a Positive Photoresist"（発明者、M.V.
Buzuev.その他）；西ドイツ国特許第2529054号明細書
“Making a Negative Image"（C2,1975年、H,Moritz,G.
Paal）；米国特許第4,104,070号、同第4,576,901号及び
同第4,581,321号明細書。
これらの分献のそれぞれはいくつかの欠点を有してい
る。現今の画像反転法の最大の欠点は、塩形成化合物か
又は電子ビームのような高エネルギー露光源での処理を
伴なうか又は化学光線での付加的な露光工程を要求する
付加処理工程が必要なことである。
る。現今の画像反転法の最大の欠点は、塩形成化合物か
又は電子ビームのような高エネルギー露光源での処理を
伴なうか又は化学光線での付加的な露光工程を要求する
付加処理工程が必要なことである。
発明が解決しようとする問題点 本発明は、露光された範囲で樹脂を架橋する放射線発生
酸の触媒量を形成する機構を提案することにある。
酸の触媒量を形成する機構を提案することにある。
本発明は、写真製版処理での通常慣用の方法に僅かな改
良手段を程した際に、別の結果が予想されたポジ型を光
増感剤からまつたく予測し得なかつたネガチブの反転色
調像を生じる、新規な化学組成物を得ることにある。
良手段を程した際に、別の結果が予想されたポジ型を光
増感剤からまつたく予測し得なかつたネガチブの反転色
調像を生じる、新規な化学組成物を得ることにある。
この極めて好ましい効果によつて得られた利点は、露光
エネルギーと生じる線幅との関係の改良、改善された処
理寛容度、現像された像分解能の改良、反射性のくぼみ
の実質的除去、増大した光増感性、生じる画像の改善さ
れた熱安定性及びフオトレジストと通常使用される基板
との間の改善された付着性である。
エネルギーと生じる線幅との関係の改良、改善された処
理寛容度、現像された像分解能の改良、反射性のくぼみ
の実質的除去、増大した光増感性、生じる画像の改善さ
れた熱安定性及びフオトレジストと通常使用される基板
との間の改善された付着性である。
問題点を解決するための手段 本発明は、 ａ） ｉ）式： 〔式中R1は1,2−ベンゾキノン−２−ジアジド−４−ス
ルホニル、1,2−ナフトキノン−２−ジアジド−４−ス
ルホニル、又は1,2−アントラキノン−２−ジアジド−
４−スルホニルを表わし、R2はＨ、R5、OR6又は を表わし、R3はＨ、R5、OR6又は を表わし、R4はＨ、R5、OR6又は を表わし、R6はＨ、アルキル、アリール、アルアルキル
又はR1を表わし、R5、R7はアルキル、アリール又はアル
アルキルを表わす〕を有する感光性化合物約１〜約25重
量％（組成物の固体分に対して）、 ii）ノボラツク、及び／又はポリビニルフエノール樹
脂、特にポリ−ｐ−ビニルフエノール樹脂約75〜約99重
量％（組成物の固体分に対して）、及び iii）前記ジアジドを化学線に曝した際に生じる酸の量
及び強さの存在で工程（ｅ）の加熱条件の適用下に前記
樹脂を架橋することのできる架橋化合物約0.5〜約20重
量％（組成物の固体分に対して）、 該架橋化合物は式： （R1O−CHR3）ｎ−Ａ−（CHR3−OR2）ｍ ［式中ＡはＢ又はＢ−Ｙ−Ｂを表わし、Ｂは置換又は非
置換の単環式又は縮合した多環式芳香族炭化水素或いは
酸素又は硫黄を含むヘテロ環式芳香族化合物を表わし、
Ｙは単結合、C1〜C4−アルキレン又は−アルキレンジオ
キシを表わし、その鎖は−Ｏ−，−Ｓ−，−SO2−，−C
O−，−CO2−，−Ｏ−CO2−,CONH−又はフェニレンジオ
キシによって中断されていてもよく、R1及びR2は同一又
は異なっており、それぞれ水素、C1〜C6−アルキル−シ
クロアルキル、置換又は非置換のアリール、アルアルキ
ル又はアシルを表わし、R3は水素、C1〜C4−アルキル或
いは、置換又は非置換のフェニルを表わし、ｎは１〜３
であり、ｍは０〜３であり、ｎ＋ｍは少なくとも２であ
る］を有する化合物又はエポキシクレゾールノボラック
である、 iv）前記の各組成物成分を溶解するのに十分な溶剤、 からなる組成物を形成させ、 ｂ） この組成物を適当な基板に塗布し、 ｃ） 塗布した基板を約20℃〜約100℃の温度で、実質
的に前記の溶剤のすべてが乾燥除去されるまで加熱し、 ｄ） 組成物を画像に応じて化学線に曝らし、 ｅ） 塗布した基板を少なくとも約95℃〜約160℃の温
度で約10秒間以上加熱して、前記樹脂を架橋し、 ｆ） 前記組成物の露光されなかつた非画像部分を適当
な現像剤で除去する、 ことからなる、ポジ型写真材料のネガチブ画像の製法に
関する。
ルホニル、1,2−ナフトキノン−２−ジアジド−４−ス
ルホニル、又は1,2−アントラキノン−２−ジアジド−
４−スルホニルを表わし、R2はＨ、R5、OR6又は を表わし、R3はＨ、R5、OR6又は を表わし、R4はＨ、R5、OR6又は を表わし、R6はＨ、アルキル、アリール、アルアルキル
又はR1を表わし、R5、R7はアルキル、アリール又はアル
アルキルを表わす〕を有する感光性化合物約１〜約25重
量％（組成物の固体分に対して）、 ii）ノボラツク、及び／又はポリビニルフエノール樹
脂、特にポリ−ｐ−ビニルフエノール樹脂約75〜約99重
量％（組成物の固体分に対して）、及び iii）前記ジアジドを化学線に曝した際に生じる酸の量
及び強さの存在で工程（ｅ）の加熱条件の適用下に前記
樹脂を架橋することのできる架橋化合物約0.5〜約20重
量％（組成物の固体分に対して）、 該架橋化合物は式： （R1O−CHR3）ｎ−Ａ−（CHR3−OR2）ｍ ［式中ＡはＢ又はＢ−Ｙ−Ｂを表わし、Ｂは置換又は非
置換の単環式又は縮合した多環式芳香族炭化水素或いは
酸素又は硫黄を含むヘテロ環式芳香族化合物を表わし、
Ｙは単結合、C1〜C4−アルキレン又は−アルキレンジオ
キシを表わし、その鎖は−Ｏ−，−Ｓ−，−SO2−，−C
O−，−CO2−，−Ｏ−CO2−,CONH−又はフェニレンジオ
キシによって中断されていてもよく、R1及びR2は同一又
は異なっており、それぞれ水素、C1〜C6−アルキル−シ
クロアルキル、置換又は非置換のアリール、アルアルキ
ル又はアシルを表わし、R3は水素、C1〜C4−アルキル或
いは、置換又は非置換のフェニルを表わし、ｎは１〜３
であり、ｍは０〜３であり、ｎ＋ｍは少なくとも２であ
る］を有する化合物又はエポキシクレゾールノボラック
である、 iv）前記の各組成物成分を溶解するのに十分な溶剤、 からなる組成物を形成させ、 ｂ） この組成物を適当な基板に塗布し、 ｃ） 塗布した基板を約20℃〜約100℃の温度で、実質
的に前記の溶剤のすべてが乾燥除去されるまで加熱し、 ｄ） 組成物を画像に応じて化学線に曝らし、 ｅ） 塗布した基板を少なくとも約95℃〜約160℃の温
度で約10秒間以上加熱して、前記樹脂を架橋し、 ｆ） 前記組成物の露光されなかつた非画像部分を適当
な現像剤で除去する、 ことからなる、ポジ型写真材料のネガチブ画像の製法に
関する。
本発明による写真材料を製造する第一工程として適当な
基板に前記の感光性組成物を塗布し、乾燥する。組成物
は溶剤、架橋剤、結合樹脂及び1,2−キノン−ジアジド
−４−スルホニル基含有光増感剤を含む。結合樹脂はノ
ボラツク、ポリビニルフエノール及び基本的なポリパラ
ビニルフエノールとして公知のものを含む。
基板に前記の感光性組成物を塗布し、乾燥する。組成物
は溶剤、架橋剤、結合樹脂及び1,2−キノン−ジアジド
−４−スルホニル基含有光増感剤を含む。結合樹脂はノ
ボラツク、ポリビニルフエノール及び基本的なポリパラ
ビニルフエノールとして公知のものを含む。
感光性組成物を製造するために使用することのできるノ
ボラツク樹脂の製造は文献に十分に記載されている。そ
して製造工程は“Chemistry and Application of Pheno
lic Resins"、ノツプ（Knop.A）及びシヤイブ（Scheib.
W.）著、Springer Verlag社版、New York在、1979年、
第４章、に記載されている。ポリビニルフエノール及び
特にポリパラビニルフエノールは米国特許第3,869,292
号及び同第4,439,516号明細書に開示されている。同様
にｏ−キノンジアジドの使用は、“Light Sensitive Sy
stems"コザール（Kosar.J.）著、John Wiley ＆ Sons社
版、New York在、1965年、第7,4章の記載から当業者の
熟知するところである。本発明のレジスト組成物の１成
分をなすこれらの増感剤はポジチブフオトレジスト組成
物で実地において通常使用されている置換ナフトキノン
ジアジド増感剤の群から有利に選択される。この種の増
感化合物は例えば米国特許第2,797,213号、同第3,106,4
65号、同第3,148,983号、同第3,130,047号、同第3,201,
329号同第3,785,825号、及び同第3,802,885号明細書に
記載されている。
ボラツク樹脂の製造は文献に十分に記載されている。そ
して製造工程は“Chemistry and Application of Pheno
lic Resins"、ノツプ（Knop.A）及びシヤイブ（Scheib.
W.）著、Springer Verlag社版、New York在、1979年、
第４章、に記載されている。ポリビニルフエノール及び
特にポリパラビニルフエノールは米国特許第3,869,292
号及び同第4,439,516号明細書に開示されている。同様
にｏ−キノンジアジドの使用は、“Light Sensitive Sy
stems"コザール（Kosar.J.）著、John Wiley ＆ Sons社
版、New York在、1965年、第7,4章の記載から当業者の
熟知するところである。本発明のレジスト組成物の１成
分をなすこれらの増感剤はポジチブフオトレジスト組成
物で実地において通常使用されている置換ナフトキノン
ジアジド増感剤の群から有利に選択される。この種の増
感化合物は例えば米国特許第2,797,213号、同第3,106,4
65号、同第3,148,983号、同第3,130,047号、同第3,201,
329号同第3,785,825号、及び同第3,802,885号明細書に
記載されている。
光増感剤はフエノール系誘導体の1,2−キノンジアジド
−４−スルホン酸エステルである。縮合環の数は本発明
にとつて重要ではないが、スルホニル基の位置は重要で
あることを指摘する。酸素が１位にあり、ジアゾが２位
にありまたスルホニル基が４位にある限り、ベンゾキノ
ン、ナフトキノン又はアントラキノンを使用することも
できる。同様にこれが結合するフエノール系も重要では
ない。例えば米国特許第3,640,992号明細書に記載され
ているようなクミルフエノール誘導体であるか、又は米
国特許第4,499,171号明細書に示されているようなモノ
−、ジ−又はトリ−ヒドロキシフエニルアルキルケトン
又はベンゾフエノンであつてもよい。
−４−スルホン酸エステルである。縮合環の数は本発明
にとつて重要ではないが、スルホニル基の位置は重要で
あることを指摘する。酸素が１位にあり、ジアゾが２位
にありまたスルホニル基が４位にある限り、ベンゾキノ
ン、ナフトキノン又はアントラキノンを使用することも
できる。同様にこれが結合するフエノール系も重要では
ない。例えば米国特許第3,640,992号明細書に記載され
ているようなクミルフエノール誘導体であるか、又は米
国特許第4,499,171号明細書に示されているようなモノ
−、ジ−又はトリ−ヒドロキシフエニルアルキルケトン
又はベンゾフエノンであつてもよい。
本発明によるキノンジアジドは一般式： 〔式中R1は1,2−ベンゾキノン−２−ジアジド−４−ス
ルホニル、1,2−ナフトキノン−２−ジアジド−４−ス
ルホニル又は1,2−アントラキノン−２−ジアジド４−
スルホニルを表わし、R2はＨ、R5、OR6又は を表わし、R3はＨ、R5、OR6又は を表わし、R4はＨ、R5、OR6又は を表わし、R6はＨ、アルキル、アリール、アルアルキ
ル、又はR1を表わし、R5、R7はアルキル、アリール又は
アルアルキルを表わす〕によつて表わすことができる。
ルホニル、1,2−ナフトキノン−２−ジアジド−４−ス
ルホニル又は1,2−アントラキノン−２−ジアジド４−
スルホニルを表わし、R2はＨ、R5、OR6又は を表わし、R3はＨ、R5、OR6又は を表わし、R4はＨ、R5、OR6又は を表わし、R6はＨ、アルキル、アリール、アルアルキ
ル、又はR1を表わし、R5、R7はアルキル、アリール又は
アルアルキルを表わす〕によつて表わすことができる。
有用な光増感剤は、ヒドロキシベンゾフエノン、特にト
リヒドロキシベンゾフエノン、より有利には2,3,4−ト
リヒドロキシベンゾフエノンのようなフエノール系化合
物で縮合された（1,2）−ナフトキノンジアジド−４−
スルホニルクロリド;2,3,4−トリヒドロキシフエニルペ
ンチルケトン−1,2−ナフトキノン−２−ジアジド−４
−スルホン酸トリスエステル又は他のアルキルフエノ
ン;2,3,4−トリヒドロキシ−３′−メトキシベンゾフエ
ノン−1,2−ナフトキノン−２−ジアジド−４−スルホ
ン酸トリエステル;2,3,4−トリヒドロキシ−３′−メチ
ルベンゾフエノン−1,2,−ナフトキノン−２−ジアジド
−４−スルホン酸トリスエステル：及び2,3,4−トリヒ
ドロキシベンゾフエノン−1,2−ナフトキノンジアジド
−４−スルホン酸トリエステルを含む。
リヒドロキシベンゾフエノン、より有利には2,3,4−ト
リヒドロキシベンゾフエノンのようなフエノール系化合
物で縮合された（1,2）−ナフトキノンジアジド−４−
スルホニルクロリド;2,3,4−トリヒドロキシフエニルペ
ンチルケトン−1,2−ナフトキノン−２−ジアジド−４
−スルホン酸トリスエステル又は他のアルキルフエノ
ン;2,3,4−トリヒドロキシ−３′−メトキシベンゾフエ
ノン−1,2−ナフトキノン−２−ジアジド−４−スルホ
ン酸トリエステル;2,3,4−トリヒドロキシ−３′−メチ
ルベンゾフエノン−1,2,−ナフトキノン−２−ジアジド
−４−スルホン酸トリスエステル：及び2,3,4−トリヒ
ドロキシベンゾフエノン−1,2−ナフトキノンジアジド
−４−スルホン酸トリエステルを含む。
架橋化合物は、ジアジドを化学線に曝した際に発生した
酸の量及び強さの存在で、前記のノボラツク、ポリビニ
ルフエノール又はポリ−ｐ−ビニルフエノール樹脂を架
橋することのできる化合物である。架橋は架橋成分に酸
を融合させるために十分であるが、ジアジドを分解する
よりは低い熱を施した際に生じる。この種の化合物の一
般的なものは、前記の酸及び加熱条件下にカルボニウム
イオンを生じることのできるものである。
酸の量及び強さの存在で、前記のノボラツク、ポリビニ
ルフエノール又はポリ−ｐ−ビニルフエノール樹脂を架
橋することのできる化合物である。架橋は架橋成分に酸
を融合させるために十分であるが、ジアジドを分解する
よりは低い熱を施した際に生じる。この種の化合物の一
般的なものは、前記の酸及び加熱条件下にカルボニウム
イオンを生じることのできるものである。
これらの架橋化合物の適当なものは、例えば次のもので
ある； 1,4−ビス−ヒドロキシメチル−ベンゼン、 1,3−ビス−ヒドロキシメチル−ベンゼン、 1,4−ビス−メトキシメチル−ベンゼン、 1,5−ビス−アセトキシメチル−ナフタレン、 1,4−ビス−ヒドロキシメチル−ナフタレン、 9,10−ビス−メトキシメチル−アントラセン、 2,5−ビス−（ヒドロキシメチル）−フラン、 2,5−ビス−エトキシメチル−チオフエン、 ビス−メトキシメチル−ジフエニレン−オキシド、 ビス−メトキシメチル−ジメチルジフエニレン−オキシ
ド、 2,6−ビス−ヒドロキシメチル−ナフタレン、 1,4−ビス−（α−ヒドロキシメチル）−ベンゼン、 1,4−ビス−（α−ヒドロキシベンジル）−ベンゼン、 4,6−ジメチル−1,3−ビス−ヒドロキシメチル−ベンゼ
ン、 2,5−ジメチル−1,4−ビス−ヒドロキシメチル−ベンゼ
ン、 2,4,6−トリメチル−1,3−ビス−ヒドロキシメチル−ベ
ンゼン、 2,4,6−トリメチル−1,3,5−トリス−メトキシメチル−
ベンゼン、 2,3,5,6−テトラメチル−1,4−ビス−アセトキシメチル
−ベンゼン、 2,4,5,6−テトラメチル−1,3−ビス−エトキシメチル−
ベンゼン、 4,4′−ビス−アセトキシメチル−ジフエニルメタン、 4,4′−ビス−メトキシメチル−ジフエニル、 ２−メチル−1,5−ビス−アセトキシメチル−ナフタレ
ン、 ２−エチル−9,10−ビス−メトキシメチル−アントラセ
ン、 4,6−ジイソプロピル−1,3−ビス−ヒドロキシメチル−
ベンゼン、 4,6−ジイソプロピル−1,3−ビス−メトキシメチル−ベ
ンゼン、 4,4′−ビス−アセトキシメチル−ジフエニル−スルホ
ン、 4,4′−ビス−メトキシメチル−ベンゾフエノン、 2,6−ビス−ヒドロキシメチル−４−クロルフエノー
ル、 2,6−ビス−ヒドロキシメチル−４−メチル−アニソー
ル、 1,3−ビス−（３−ヒドロキシメチル−フエノキシ）−
プロパン、 1,3−ジヒドロキシメチル−２−メトキシ−５−ｎ−ヘ
キシル−ベンゼン、 1,3−ジヒドロキシメチル−２−エトキシ−５−エチル
−ベンゼン、 1,3−ジヒドロキシメチル−２−ベンジルオキシ−５−
メトキシカルボニル−ベンゼン、 1,3−ジヒドロキシメチル−２−メトキシ−５−ブロム
ベンゼン、 1,3−ジヒドロキシメチル−２−メトキシ−５−クミル
−ベンゼン、 1,3−ジヒドロキシメチル−２−エトキシ−５−メチル
メルカプト−ベンゼン、 1,3−ジヒドロキシメチル−２−エトキシ−５−フエノ
キシ−ベンゼン、 1,3−ジヒドロキシメチル−2,5−ジエトキシ−ベンゼ
ン、 1,3−ジヒドロキシメチル−２−メトキシ−５−ベンジ
ル−ベンゼン、 1,3−ジメトキシメチル−２−メトキシ−５−フルオロ
ベンゼン、 1,3−ジメトキシメチル−２−エトキシ−５−メトキシ
−ベンゼン、 1,3−ジメトキシメチル−２−メトキシ−５−フエニル
−ベンゼン、 ビス−〔２−（４−ヒドロキシメチル−フエノキシ）−
エチル〕−エーテル、 1,3−ジメトキシメチル−２−エトキシ−５−ブロムベ
ンゼン、 1,3−ジアセトキシメチル−２−エトキシ−５−３級ブ
チル−ベンゼン、 1,3−ジアセトキシメチル−２−メトキシ−５−フエニ
ルメルカプト−ベンゼン、 1,3−ジアセトキシメチル−２−メトキシ−５−クロル
ベンゼン、 1,3−ジアセトキシメチル−2,5−ジメトキシ−ベンゼ
ン、 1,3−ビス−（２−メチル−４−ベンジル−６−ヒドロ
キシメチル−フエノキシ）−プロパン、 ビス−（3,5−ヒドロキシメチル−４−ヒドロキシフエ
ニル）−メタン、 ジヒドロキシメチル−ヒドロキノン−ジメチルエーネ
ル、 ４−メトキシ−3,5−ビス−ヒドロキシメチル−ジフエ
ニルエーテル、 ビス−（４−エトキシ−５−メチル−３−ヒドロキシメ
チル−フエニル）−スルホン、 4,4′−ビス−ヒドロキシメチル−ジフエニルエーテ
ル、 4,4′−ビス−アセトキシメチル−ジフエニルエーテ
ル、 4,4′−ビス−メトキシメチル−ジフエニルエーテル、 4,4′−ビス−エトキシメチル−ジフエニルエーテル、 2,4′−ビス−メトキシメチル−ジフエニルエーテル、 2,4,4′−トリス−メトキシメチル−ジフエニルエーテ
ル、 2,4,2′−トリス−メトキシメチル−ジフエニルエーテ
ル、 2,4,2′,4′−テトラキス−メトキシメチル−ジフエニ
ルエーテル、 ビス−メトキシメチル−4,4′−ジメチル−ジフエニル
エーテル、 ビス−メトキシメチル−2,4−ジメトキシ−５−メチル
−ジフエニルエーテル、 ビス−メトキシメチル−3,3′−ジメチル−ジフエニル
サルフアイド、 ビス−メトキシメチル−2,4′−ジメトキシ−ジフエニ
ルサルフアイド、 2,2′−ビス−（４−ヒドロキシメチル−フエノキシ）
−ジエチルエーテル、 2,2′−ジメチル−4,4′−ビス−ヒドロキシメチル−ジ
フエニルエーテル、 1,3−ビス−（４−メトキシメチル−フエノキシ）−ベ
ンゼン、 1,3−ビス−（４−メトキシメチル−フエノキシ）−プ
ロパン、 4,4′−ビス−メトキシメチル−ジフエニルサルフアイ
ド、 2,2−ビス−（４−メトキシメチル−フエニル）−プロ
パン、 4,4′−ビス−フエノキシメチル−ジフエニルエーテ
ル、 ビス−メトキシメチル−４−フエノキシジフエニルサル
フアイド、 ビス−メトキシメチル−２−イソプロピル−５−メチル
−ジフエニルエーテル、 ビス−メトキシメチル−３−ブロム−４−メトキシ−ジ
フエニルエーテル、 ビス−メトキシメチル−４−ニトロ−ジフエニルエーテ
ル及び 2,2′−ビス−（3,5−ヒドロキシメチル−４−ヒドロキ
シフエニル）−プロパン。
ある； 1,4−ビス−ヒドロキシメチル−ベンゼン、 1,3−ビス−ヒドロキシメチル−ベンゼン、 1,4−ビス−メトキシメチル−ベンゼン、 1,5−ビス−アセトキシメチル−ナフタレン、 1,4−ビス−ヒドロキシメチル−ナフタレン、 9,10−ビス−メトキシメチル−アントラセン、 2,5−ビス−（ヒドロキシメチル）−フラン、 2,5−ビス−エトキシメチル−チオフエン、 ビス−メトキシメチル−ジフエニレン−オキシド、 ビス−メトキシメチル−ジメチルジフエニレン−オキシ
ド、 2,6−ビス−ヒドロキシメチル−ナフタレン、 1,4−ビス−（α−ヒドロキシメチル）−ベンゼン、 1,4−ビス−（α−ヒドロキシベンジル）−ベンゼン、 4,6−ジメチル−1,3−ビス−ヒドロキシメチル−ベンゼ
ン、 2,5−ジメチル−1,4−ビス−ヒドロキシメチル−ベンゼ
ン、 2,4,6−トリメチル−1,3−ビス−ヒドロキシメチル−ベ
ンゼン、 2,4,6−トリメチル−1,3,5−トリス−メトキシメチル−
ベンゼン、 2,3,5,6−テトラメチル−1,4−ビス−アセトキシメチル
−ベンゼン、 2,4,5,6−テトラメチル−1,3−ビス−エトキシメチル−
ベンゼン、 4,4′−ビス−アセトキシメチル−ジフエニルメタン、 4,4′−ビス−メトキシメチル−ジフエニル、 ２−メチル−1,5−ビス−アセトキシメチル−ナフタレ
ン、 ２−エチル−9,10−ビス−メトキシメチル−アントラセ
ン、 4,6−ジイソプロピル−1,3−ビス−ヒドロキシメチル−
ベンゼン、 4,6−ジイソプロピル−1,3−ビス−メトキシメチル−ベ
ンゼン、 4,4′−ビス−アセトキシメチル−ジフエニル−スルホ
ン、 4,4′−ビス−メトキシメチル−ベンゾフエノン、 2,6−ビス−ヒドロキシメチル−４−クロルフエノー
ル、 2,6−ビス−ヒドロキシメチル−４−メチル−アニソー
ル、 1,3−ビス−（３−ヒドロキシメチル−フエノキシ）−
プロパン、 1,3−ジヒドロキシメチル−２−メトキシ−５−ｎ−ヘ
キシル−ベンゼン、 1,3−ジヒドロキシメチル−２−エトキシ−５−エチル
−ベンゼン、 1,3−ジヒドロキシメチル−２−ベンジルオキシ−５−
メトキシカルボニル−ベンゼン、 1,3−ジヒドロキシメチル−２−メトキシ−５−ブロム
ベンゼン、 1,3−ジヒドロキシメチル−２−メトキシ−５−クミル
−ベンゼン、 1,3−ジヒドロキシメチル−２−エトキシ−５−メチル
メルカプト−ベンゼン、 1,3−ジヒドロキシメチル−２−エトキシ−５−フエノ
キシ−ベンゼン、 1,3−ジヒドロキシメチル−2,5−ジエトキシ−ベンゼ
ン、 1,3−ジヒドロキシメチル−２−メトキシ−５−ベンジ
ル−ベンゼン、 1,3−ジメトキシメチル−２−メトキシ−５−フルオロ
ベンゼン、 1,3−ジメトキシメチル−２−エトキシ−５−メトキシ
−ベンゼン、 1,3−ジメトキシメチル−２−メトキシ−５−フエニル
−ベンゼン、 ビス−〔２−（４−ヒドロキシメチル−フエノキシ）−
エチル〕−エーテル、 1,3−ジメトキシメチル−２−エトキシ−５−ブロムベ
ンゼン、 1,3−ジアセトキシメチル−２−エトキシ−５−３級ブ
チル−ベンゼン、 1,3−ジアセトキシメチル−２−メトキシ−５−フエニ
ルメルカプト−ベンゼン、 1,3−ジアセトキシメチル−２−メトキシ−５−クロル
ベンゼン、 1,3−ジアセトキシメチル−2,5−ジメトキシ−ベンゼ
ン、 1,3−ビス−（２−メチル−４−ベンジル−６−ヒドロ
キシメチル−フエノキシ）−プロパン、 ビス−（3,5−ヒドロキシメチル−４−ヒドロキシフエ
ニル）−メタン、 ジヒドロキシメチル−ヒドロキノン−ジメチルエーネ
ル、 ４−メトキシ−3,5−ビス−ヒドロキシメチル−ジフエ
ニルエーテル、 ビス−（４−エトキシ−５−メチル−３−ヒドロキシメ
チル−フエニル）−スルホン、 4,4′−ビス−ヒドロキシメチル−ジフエニルエーテ
ル、 4,4′−ビス−アセトキシメチル−ジフエニルエーテ
ル、 4,4′−ビス−メトキシメチル−ジフエニルエーテル、 4,4′−ビス−エトキシメチル−ジフエニルエーテル、 2,4′−ビス−メトキシメチル−ジフエニルエーテル、 2,4,4′−トリス−メトキシメチル−ジフエニルエーテ
ル、 2,4,2′−トリス−メトキシメチル−ジフエニルエーテ
ル、 2,4,2′,4′−テトラキス−メトキシメチル−ジフエニ
ルエーテル、 ビス−メトキシメチル−4,4′−ジメチル−ジフエニル
エーテル、 ビス−メトキシメチル−2,4−ジメトキシ−５−メチル
−ジフエニルエーテル、 ビス−メトキシメチル−3,3′−ジメチル−ジフエニル
サルフアイド、 ビス−メトキシメチル−2,4′−ジメトキシ−ジフエニ
ルサルフアイド、 2,2′−ビス−（４−ヒドロキシメチル−フエノキシ）
−ジエチルエーテル、 2,2′−ジメチル−4,4′−ビス−ヒドロキシメチル−ジ
フエニルエーテル、 1,3−ビス−（４−メトキシメチル−フエノキシ）−ベ
ンゼン、 1,3−ビス−（４−メトキシメチル−フエノキシ）−プ
ロパン、 4,4′−ビス−メトキシメチル−ジフエニルサルフアイ
ド、 2,2−ビス−（４−メトキシメチル−フエニル）−プロ
パン、 4,4′−ビス−フエノキシメチル−ジフエニルエーテ
ル、 ビス−メトキシメチル−４−フエノキシジフエニルサル
フアイド、 ビス−メトキシメチル−２−イソプロピル−５−メチル
−ジフエニルエーテル、 ビス−メトキシメチル−３−ブロム−４−メトキシ−ジ
フエニルエーテル、 ビス−メトキシメチル−４−ニトロ−ジフエニルエーテ
ル及び 2,2′−ビス−（3,5−ヒドロキシメチル−４−ヒドロキ
シフエニル）−プロパン。
優れた化合物又は化合物の混合物は、ジメチルパラクレ
ゾール、4,4′−ビス−メトキシメチルジフエニルエー
テル、エトキシクレゾールノボラツク樹脂、2,5−ビス
−（ヒドロキシメチル）−フラン、2,5−ビス−（エト
キシ−メチル）−チオフエン、2,5−ビス−（3,5−ヒド
ロキシメチル−４−ヒドロキシフエニル）−メタン、4,
4−ビス−アセトキシメチル−ジフエニルエーテル、1,4
−ビス−（α−ヒドロキシベンジル）−ベンゼン、2,5
−ビス−ヒドロキシメチル−４−メチル−アニソール及
び2,2−ビス−（3,5−ヒドロキシメチル−４−ヒドロキ
シフエニル）−プロパンの群から選択される。優れた化
合物は米国特許第4,404,272号明細書に記載されている
ようなジメチロールパラクレゾール、4,4′−ビス−メ
トキシメチルジフエニルエーテル及びエポキシクレゾー
ルノボラツク樹脂である。
ゾール、4,4′−ビス−メトキシメチルジフエニルエー
テル、エトキシクレゾールノボラツク樹脂、2,5−ビス
−（ヒドロキシメチル）−フラン、2,5−ビス−（エト
キシ−メチル）−チオフエン、2,5−ビス−（3,5−ヒド
ロキシメチル−４−ヒドロキシフエニル）−メタン、4,
4−ビス−アセトキシメチル−ジフエニルエーテル、1,4
−ビス−（α−ヒドロキシベンジル）−ベンゼン、2,5
−ビス−ヒドロキシメチル−４−メチル−アニソール及
び2,2−ビス−（3,5−ヒドロキシメチル−４−ヒドロキ
シフエニル）−プロパンの群から選択される。優れた化
合物は米国特許第4,404,272号明細書に記載されている
ようなジメチロールパラクレゾール、4,4′−ビス−メ
トキシメチルジフエニルエーテル及びエポキシクレゾー
ルノボラツク樹脂である。
エポキシクレゾールノボラツク樹脂は次の一般式を有す
る： 〔式中ｎは１〜10である〕 感光性組成物は各成分を適当な溶剤組成物に配合するこ
とによつて形成される。優れた実施例では樹脂は組成物
の固体、すなわち非溶剤分に対して約75〜約99重量％の
量で全組成物に存在するのが有利である。樹脂のより優
れた範囲は固体組成物分の約80〜約90重量％、より有利
には約82〜約85重量％である。ジアジドは有利には組成
物の固体、すなわち非溶剤分に対して約１〜約25重量％
の量範囲で存在する。ジアジドの一層優れた範囲は固体
組成物分に対して約１〜約20重量％、一層有利には約10
〜約18重量％である。架橋剤は有利には組成物の固体、
すなわち非溶剤分に対して約0.5〜約20重量％の量範囲
で存在する。より優れた範囲は固体組成物分に対して約
１〜約10重量％、一層有利には約３〜約６重量％であ
る。組成物の製造過程で樹脂、架橋剤及びジアジドを溶
剤例えばプロピレングリコールアルキルエーテルアセテ
ート、ブチルアセテート、キシレン、エチレングリコー
ルモノエチルエーテルアセテート、及びプロピレングリ
コールメチルエーテルアセテート、その他と混合する。
る： 〔式中ｎは１〜10である〕 感光性組成物は各成分を適当な溶剤組成物に配合するこ
とによつて形成される。優れた実施例では樹脂は組成物
の固体、すなわち非溶剤分に対して約75〜約99重量％の
量で全組成物に存在するのが有利である。樹脂のより優
れた範囲は固体組成物分の約80〜約90重量％、より有利
には約82〜約85重量％である。ジアジドは有利には組成
物の固体、すなわち非溶剤分に対して約１〜約25重量％
の量範囲で存在する。ジアジドの一層優れた範囲は固体
組成物分に対して約１〜約20重量％、一層有利には約10
〜約18重量％である。架橋剤は有利には組成物の固体、
すなわち非溶剤分に対して約0.5〜約20重量％の量範囲
で存在する。より優れた範囲は固体組成物分に対して約
１〜約10重量％、一層有利には約３〜約６重量％であ
る。組成物の製造過程で樹脂、架橋剤及びジアジドを溶
剤例えばプロピレングリコールアルキルエーテルアセテ
ート、ブチルアセテート、キシレン、エチレングリコー
ルモノエチルエーテルアセテート、及びプロピレングリ
コールメチルエーテルアセテート、その他と混合する。
着色剤、染料、抗条線剤、均染剤、可塑剤、接着促進
剤、増速剤、溶剤及び非イオン界面活性剤のような界面
活性剤等の添加物は溶液を基板に塗布する前に、樹脂、
増感剤、架橋剤及び溶剤の溶液に添加することができ
る。
剤、増速剤、溶剤及び非イオン界面活性剤のような界面
活性剤等の添加物は溶液を基板に塗布する前に、樹脂、
増感剤、架橋剤及び溶剤の溶液に添加することができ
る。
本発明によるフオトレジスト組成物と一緒に使用するこ
とのできる染料添加物の例には、組成物の固体分の合計
重量に対して１〜10重量％のメチル・バイオレツト2B
（C.I.No.42535）、クリスタル・バイオレツト（C.I.N
o.42555）、マラチツト・グリーン（C.I.No.42000）、
ビクトリア・ブルーＢ（C.I.No.44045）及びニユートラ
ル・レツド（C.I.No.50040）を含む。染料添加物は基板
を離れる光の後方散乱を抑制することによつて分解能を
増大させる。
とのできる染料添加物の例には、組成物の固体分の合計
重量に対して１〜10重量％のメチル・バイオレツト2B
（C.I.No.42535）、クリスタル・バイオレツト（C.I.N
o.42555）、マラチツト・グリーン（C.I.No.42000）、
ビクトリア・ブルーＢ（C.I.No.44045）及びニユートラ
ル・レツド（C.I.No.50040）を含む。染料添加物は基板
を離れる光の後方散乱を抑制することによつて分解能を
増大させる。
抗条線剤は固体の合計重量に対して５重量％までの量で
使用することができる。
使用することができる。
使用することのできる可塑剤には例えば、固体の合計重
量に対して１〜10重量％の量の燐酸トリ−（β−クロル
エチル）−エステル；ステアリン酸；ジ樟脳、ポリプロ
ピレン；アセタール樹脂；フエノキシ樹脂；及びアルキ
ル樹脂が含まれる。可塑剤添加物は材料の塗布特性を改
良し、基板に滑らかでかつ均一な厚さのフイルムを施す
ことを可能にする。
量に対して１〜10重量％の量の燐酸トリ−（β−クロル
エチル）−エステル；ステアリン酸；ジ樟脳、ポリプロ
ピレン；アセタール樹脂；フエノキシ樹脂；及びアルキ
ル樹脂が含まれる。可塑剤添加物は材料の塗布特性を改
良し、基板に滑らかでかつ均一な厚さのフイルムを施す
ことを可能にする。
使用することのできる接着促進剤には例えば、固体の合
計重量に対して４重量％までのβ−（3,4−エポキシ−
シクロヘキシル）−エチルトリメトキシシラン；ペンタ
メチルジシラン−メチルメタクリレート；ビニルトリク
ロルシラン；及びγ−アミノ−プロピルトリエトキシシ
ランが含まれる。
計重量に対して４重量％までのβ−（3,4−エポキシ−
シクロヘキシル）−エチルトリメトキシシラン；ペンタ
メチルジシラン−メチルメタクリレート；ビニルトリク
ロルシラン；及びγ−アミノ−プロピルトリエトキシシ
ランが含まれる。
使用することのできる増速剤には例えば、樹脂及び固体
の合計重量に対して20重量％までの量のピクリン酸、ニ
コチン酸又はニトロ桂皮酸が含まれる。これらの増速剤
は露光された表面及び未露光表面の双方におけるフオト
レジスト皮膜の安定性を増大させる。従つて増速剤は、
たとえコントラストを或程度犠牲にしても現像速度を優
先させたい場合、すなわちフオトレジスト皮膜の露光部
分を現像剤でより急速に溶解したい場合に使用され、ま
た増速剤は未露光表面からフオトレジスト皮膜の大部分
を失わせる。
の合計重量に対して20重量％までの量のピクリン酸、ニ
コチン酸又はニトロ桂皮酸が含まれる。これらの増速剤
は露光された表面及び未露光表面の双方におけるフオト
レジスト皮膜の安定性を増大させる。従つて増速剤は、
たとえコントラストを或程度犠牲にしても現像速度を優
先させたい場合、すなわちフオトレジスト皮膜の露光部
分を現像剤でより急速に溶解したい場合に使用され、ま
た増速剤は未露光表面からフオトレジスト皮膜の大部分
を失わせる。
塗布溶剤は組成物中の固体に対して95重量％までの量で
全組成物中に存在していてもよい。
全組成物中に存在していてもよい。
使用することのできる非イオン性界面活性剤には例え
ば、固体の合計重量に対して10重量％までの量のノニル
フエノキシポリ（エチレンオキシ）エタノール；オクチ
ルフエノキシ（エチレンオキシ）エタノール；及びジノ
ニルフエノキシポリ（エチレンオキシ）エタノールが含
まれる。
ば、固体の合計重量に対して10重量％までの量のノニル
フエノキシポリ（エチレンオキシ）エタノール；オクチ
ルフエノキシ（エチレンオキシ）エタノール；及びジノ
ニルフエノキシポリ（エチレンオキシ）エタノールが含
まれる。
優れたレジスト溶液は浸漬塗布、吹付塗布、低速及び高
速回転塗布をも含めてフオトレジスト分野で使用される
任意の常法で基板に施すことができる。高速回転塗布の
場合例えばレジスト溶液は、利用される回転装置の型及
び回転処理の時間によつて付与される所望の厚さの塗布
を得るため固体含有量（％）につき調整される。適当な
基板にはシリコン、アルミニウム又はポリマー樹脂、二
酸化ケイ素、ドープした二酸化ケイ素、窒化ケイ素、ポ
リシリコン、タンタル、銅、セラミツク及びアルミニウ
ム／銅混合物が含まれる。
速回転塗布をも含めてフオトレジスト分野で使用される
任意の常法で基板に施すことができる。高速回転塗布の
場合例えばレジスト溶液は、利用される回転装置の型及
び回転処理の時間によつて付与される所望の厚さの塗布
を得るため固体含有量（％）につき調整される。適当な
基板にはシリコン、アルミニウム又はポリマー樹脂、二
酸化ケイ素、ドープした二酸化ケイ素、窒化ケイ素、ポ
リシリコン、タンタル、銅、セラミツク及びアルミニウ
ム／銅混合物が含まれる。
上記の方法で製造したフオトレジスト皮膜は、マイクロ
プロセツサー及び他の小型集積回路成分の製造に使用さ
れるような、加熱酸化されたシリコンウエハに施すのに
特に適している。アルミニウム／酸化アルミニウムウエ
ハは良好なものとして使用可能である。更に基板は種々
のポリマー樹脂、特にポリエステルのような透明のポリ
マーからなつていてもよい。
プロセツサー及び他の小型集積回路成分の製造に使用さ
れるような、加熱酸化されたシリコンウエハに施すのに
特に適している。アルミニウム／酸化アルミニウムウエ
ハは良好なものとして使用可能である。更に基板は種々
のポリマー樹脂、特にポリエステルのような透明のポリ
マーからなつていてもよい。
レジスト組成物溶液を基板に塗布した後、基板を約20℃
〜100℃の温度で処理する。この温度処理は、フオトレ
ジスト中の残溶剤の濃度を減少及びコントロールするた
めに選択するが、光感増幅剤の実質的な熱崩壊を生ぜし
めるものではない。一般に溶剤の濃度は最小にすること
が望ましく、従つてこの最初の温度処理は、実際にすべ
ての溶剤が蒸発し、ミクロン単位の厚さのフォトレジス
ト組成物の薄い皮膜が基板上に残るまで実施する。この
処理は通常約20℃〜約100℃の範囲の温度で行なう。優
れた実施例では温度は約50℃〜約90℃で実施する。より
優れた範囲は約70℃〜約90℃である。この処理は溶剤除
去の変化速度が相対的に無意味になるまで行なう。温度
及び時間の選択は利用者によつて所望されるレジスト特
性並びに使用した装備及び経済的に望ましい塗布時間に
依る。ホツトプレート処理の経済的に許容される処理時
間は約３分以内、より有利には約１分までである。１実
施例では90℃で30秒間の処理が有利である。次いで塗布
基板を当業者の熟知する方法で、適当なマスク、ネガ、
ステンシル、型板等を使用して製造した任意の所望のパ
ターンを介して化学線、特に紫外線で露光することがで
きる。更に化学線での露光は短かい波長の可視光、電子
ビーム、イオンビーム及びＸ−線での露光と組合わせる
ことができる。
〜100℃の温度で処理する。この温度処理は、フオトレ
ジスト中の残溶剤の濃度を減少及びコントロールするた
めに選択するが、光感増幅剤の実質的な熱崩壊を生ぜし
めるものではない。一般に溶剤の濃度は最小にすること
が望ましく、従つてこの最初の温度処理は、実際にすべ
ての溶剤が蒸発し、ミクロン単位の厚さのフォトレジス
ト組成物の薄い皮膜が基板上に残るまで実施する。この
処理は通常約20℃〜約100℃の範囲の温度で行なう。優
れた実施例では温度は約50℃〜約90℃で実施する。より
優れた範囲は約70℃〜約90℃である。この処理は溶剤除
去の変化速度が相対的に無意味になるまで行なう。温度
及び時間の選択は利用者によつて所望されるレジスト特
性並びに使用した装備及び経済的に望ましい塗布時間に
依る。ホツトプレート処理の経済的に許容される処理時
間は約３分以内、より有利には約１分までである。１実
施例では90℃で30秒間の処理が有利である。次いで塗布
基板を当業者の熟知する方法で、適当なマスク、ネガ、
ステンシル、型板等を使用して製造した任意の所望のパ
ターンを介して化学線、特に紫外線で露光することがで
きる。更に化学線での露光は短かい波長の可視光、電子
ビーム、イオンビーム及びＸ−線での露光と組合わせる
ことができる。
次いでレジストを露光後約95℃〜約160℃、有利には95
℃〜150℃、特に有利には112℃〜120℃で第２のベーキ
ング又は熱処理する。この熱処理はホツトプレート系で
約10秒から樹脂を架橋するのに必要な時間行なう。これ
らは通常約10秒から90秒、より有利には約30秒から約90
秒、最も好ましくは15〜45秒である。90秒よりも長い時
間でもよいが、一般に何の利益も生じない。選択される
時間は組成物成分の選択及び使用した基板に依る。加熱
処理は生じた酸を架橋成分に拡散する。更にベーキング
処理はジアジドを、アルカリ水溶液に可溶性のカルボン
酸含有化合物、例えばインデンカルボン酸に変える。
℃〜150℃、特に有利には112℃〜120℃で第２のベーキ
ング又は熱処理する。この熱処理はホツトプレート系で
約10秒から樹脂を架橋するのに必要な時間行なう。これ
らは通常約10秒から90秒、より有利には約30秒から約90
秒、最も好ましくは15〜45秒である。90秒よりも長い時
間でもよいが、一般に何の利益も生じない。選択される
時間は組成物成分の選択及び使用した基板に依る。加熱
処理は生じた酸を架橋成分に拡散する。更にベーキング
処理はジアジドを、アルカリ水溶液に可溶性のカルボン
酸含有化合物、例えばインデンカルボン酸に変える。
第１及び第２の加熱処理温度並びに第１及び第２の加熱
処理時間の選択は、最終利用者によつて所望される特性
により選択され、また最高に利用することができる。必
要な場合にはレジストを、第２加熱処理後フオトマスク
を用いずに化学線で付加的に露光することができる。次
いで露光したレジストを塗布基盤を適当な現像液に十分
に浸漬する。溶液を例えば窒素噴出撹拌によつて有利に
撹拌する。次いでレジスト皮膜のすべて又は実際にすべ
てが未露光部分から溶解するまで、基板を現像液に留め
る。適当な現像液は水酸化ナトリウムを含むアルカリ水
溶液及び実地において良く知られているテトラメチルア
ンモニウムヒドロキシドである。
処理時間の選択は、最終利用者によつて所望される特性
により選択され、また最高に利用することができる。必
要な場合にはレジストを、第２加熱処理後フオトマスク
を用いずに化学線で付加的に露光することができる。次
いで露光したレジストを塗布基盤を適当な現像液に十分
に浸漬する。溶液を例えば窒素噴出撹拌によつて有利に
撹拌する。次いでレジスト皮膜のすべて又は実際にすべ
てが未露光部分から溶解するまで、基板を現像液に留め
る。適当な現像液は水酸化ナトリウムを含むアルカリ水
溶液及び実地において良く知られているテトラメチルア
ンモニウムヒドロキシドである。
塗布したウエハを現像液から除去した後、任意の後−現
像加熱処理又はベーキング処理を行なつて、皮膜の接着
性を高めまた腐食液及び他の物質に対する化学抵抗性を
高めることもできる。後−現像加熱処理は、皮膜の軟化
点以下で皮膜及び基板をオーブンベーキングするもので
あつてよい。工業的用途、特にシリコン／二酸化シリコ
ン型基板へのマイクロ回路ユニツトの製造分野では、現
像した基板を弗化水素酸をベースとする緩衝腐食液で処
理することができる。本発明のレジスト組成物は酸−塩
基腐食液に対して耐性であり、基板の露光されたレジス
ト皮膜部分を効果的に保護する。
像加熱処理又はベーキング処理を行なつて、皮膜の接着
性を高めまた腐食液及び他の物質に対する化学抵抗性を
高めることもできる。後−現像加熱処理は、皮膜の軟化
点以下で皮膜及び基板をオーブンベーキングするもので
あつてよい。工業的用途、特にシリコン／二酸化シリコ
ン型基板へのマイクロ回路ユニツトの製造分野では、現
像した基板を弗化水素酸をベースとする緩衝腐食液で処
理することができる。本発明のレジスト組成物は酸−塩
基腐食液に対して耐性であり、基板の露光されたレジス
ト皮膜部分を効果的に保護する。
実施例 次に実施例に基づき本発明による組成物の製法及び用途
を詳述する。しかしこれらの実施例はいかなる点でも本
発明の範囲を規定又は限定するものではなく、また本発
明を実施するに当つてもつぱら使用するべき条件、変数
又は数値を示すものでもない。
を詳述する。しかしこれらの実施例はいかなる点でも本
発明の範囲を規定又は限定するものではなく、また本発
明を実施するに当つてもつぱら使用するべき条件、変数
又は数値を示すものでもない。
下記に詳述する非限定実施例に基づき本発明を説明す
る。
る。
例１ フオトレジストをプロピレングリコールモノメチルエー
テルアセテート中にジメチロールパラクレゾールの固体
５％、2,3,4−トリヒドロキシ３′−メチルベンゾフエ
ノン−1,2−ナフトキノン−２−ジアジド−４−スルホ
ン酸トリスエステルの固体６％及びクレゾールノボラツ
ク樹脂の固体89％を含む溶液から作る。
テルアセテート中にジメチロールパラクレゾールの固体
５％、2,3,4−トリヒドロキシ３′−メチルベンゾフエ
ノン−1,2−ナフトキノン−２−ジアジド−４−スルホ
ン酸トリスエステルの固体６％及びクレゾールノボラツ
ク樹脂の固体89％を含む溶液から作る。
この組成物を使用してシリコンウエハを4000rpmで塗布
し、次いで穿孔対流オーブン中で90℃で30分間ソフトベ
ーキングする。化学線露光はパーキン−エルマ−220ミ
クラリンアリグナー（Perkin Elmer 220Micralignalign
er）を使用して分解テストパターンを含むガラスフオト
マスクを介して行なう。アパーチヤ＃４（Aperature＃
４）を使用した場合、走査スピードは200〜400任意エネ
ルギ単位（arbitrary energy units）の間で可変であ
る。これらの異なる走査スピード（各走査スピードは異
なる実験を表わす）は、波長365〜436nm用のOAIラジオ
メータで測定した際のそれぞれ20〜10mJ/cm2に相当す
る。フオトマスクは単線、等線及びスペースが現わされ
ている分解テストパターンからなる。これらの特性の幅
は0.25μｍの増加量で1.0〜3.0μｍの範囲内で可変であ
る。露光後ウエハを引続きMTI Inc社製のホツトプレー
ト上で110℃〜150℃の温度範囲で60秒以内でハードベー
キングする。ウエハを単色照度520nmの光学顕微鏡下に
置いた場合、レリーフ像が観察される。
し、次いで穿孔対流オーブン中で90℃で30分間ソフトベ
ーキングする。化学線露光はパーキン−エルマ−220ミ
クラリンアリグナー（Perkin Elmer 220Micralignalign
er）を使用して分解テストパターンを含むガラスフオト
マスクを介して行なう。アパーチヤ＃４（Aperature＃
４）を使用した場合、走査スピードは200〜400任意エネ
ルギ単位（arbitrary energy units）の間で可変であ
る。これらの異なる走査スピード（各走査スピードは異
なる実験を表わす）は、波長365〜436nm用のOAIラジオ
メータで測定した際のそれぞれ20〜10mJ/cm2に相当す
る。フオトマスクは単線、等線及びスペースが現わされ
ている分解テストパターンからなる。これらの特性の幅
は0.25μｍの増加量で1.0〜3.0μｍの範囲内で可変であ
る。露光後ウエハを引続きMTI Inc社製のホツトプレー
ト上で110℃〜150℃の温度範囲で60秒以内でハードベー
キングする。ウエハを単色照度520nmの光学顕微鏡下に
置いた場合、レリーフ像が観察される。
露光しかつハードベーキング処理したウエハをAmerican
Hoechst Corporation社製（Somerville,New Jersey
在）のAZフオトレジスト群から得られるAZ433MIF現像剤
（テトラメチルアンモニウムヒドロキシドの0.33N溶
液）中で浸漬法で３分間緩かに撹拌しながら現像した
後、ウエハをDI（脱イオン化）水で洗い、回転乾燥す
る。ウエハを10,000倍率の走査電子顕微鏡で検査する
と、１μｍ以上の単一間隔が完全に解放されていること
が明らかに見てとれる。
Hoechst Corporation社製（Somerville,New Jersey
在）のAZフオトレジスト群から得られるAZ433MIF現像剤
（テトラメチルアンモニウムヒドロキシドの0.33N溶
液）中で浸漬法で３分間緩かに撹拌しながら現像した
後、ウエハをDI（脱イオン化）水で洗い、回転乾燥す
る。ウエハを10,000倍率の走査電子顕微鏡で検査する
と、１μｍ以上の単一間隔が完全に解放されていること
が明らかに見てとれる。
例２ フオトレジストを、プロピレングリコールモノメチルエ
ーテルアセテート中にジメチロールパラクレゾールの固
体５％、2,3,4−トリヒドロキシ−３′−メトキシベン
ゾフエノン−1,2−ナフトキノン−２−ジアジド−４−
スルホン酸トリスエステルの固体６％及びクレゾールノ
ボラツク樹脂の固体89％を含む溶液から作る。
ーテルアセテート中にジメチロールパラクレゾールの固
体５％、2,3,4−トリヒドロキシ−３′−メトキシベン
ゾフエノン−1,2−ナフトキノン−２−ジアジド−４−
スルホン酸トリスエステルの固体６％及びクレゾールノ
ボラツク樹脂の固体89％を含む溶液から作る。
この組成物を使用してシリコンウエハを4000rpm塗布
し、次いで穿孔対流オーブン中で90℃で30分間ソフトベ
ーキングする。化学線露光はパーキン−エルマー220ミ
クラリンアリグナー（Perkin Elmer 220Micralignallig
ner）を使用して分解テストパターンを含むガラスフオ
トマスクを介して行なう。アパーチヤ＃４（Aperature
＃４）を使用した場合、走査スピードは200〜400任意エ
ネルギ単位（arbitray energy units）の間で可変であ
る。これらの異なる走査スピード（各走査スピードは異
なる実験を表す）は、波長365〜436nm用のOAIラジオメ
ータで測定した際のそれぞれ20〜10mJ/cm2に相当する。
フオトマスクは単線、等線及びスペースが現わされてい
る分解テストパターンからなる。これらの特性の幅は0.
25μｍの増加量で1.0〜3.0μｍの範囲内で可変である。
露光後ウエハを引続きMTI Inc社製のホツトプレート上
で110℃〜150℃の温度範囲で60秒以内でハードベーキン
グする。ウエハを単色照度520nmの光学顕微鏡下に置い
た場合、レリーフ像が観察される。
し、次いで穿孔対流オーブン中で90℃で30分間ソフトベ
ーキングする。化学線露光はパーキン−エルマー220ミ
クラリンアリグナー（Perkin Elmer 220Micralignallig
ner）を使用して分解テストパターンを含むガラスフオ
トマスクを介して行なう。アパーチヤ＃４（Aperature
＃４）を使用した場合、走査スピードは200〜400任意エ
ネルギ単位（arbitray energy units）の間で可変であ
る。これらの異なる走査スピード（各走査スピードは異
なる実験を表す）は、波長365〜436nm用のOAIラジオメ
ータで測定した際のそれぞれ20〜10mJ/cm2に相当する。
フオトマスクは単線、等線及びスペースが現わされてい
る分解テストパターンからなる。これらの特性の幅は0.
25μｍの増加量で1.0〜3.0μｍの範囲内で可変である。
露光後ウエハを引続きMTI Inc社製のホツトプレート上
で110℃〜150℃の温度範囲で60秒以内でハードベーキン
グする。ウエハを単色照度520nmの光学顕微鏡下に置い
た場合、レリーフ像が観察される。
露光しかつハードベーキング処理したウエハをAmerican
Hoechst Corporation社製（Somerville,New Jersey
在）のAZフオトレジスト群から得られるAZ433MIF現像剤
（テトラメチルアンモニウムヒドロキシドの0.33N溶
液）中で浸漬法で３分間緩かに撹拌しながら現像した
後、ウエハをDI（脱イオン化）水で洗い、回転乾燥す
る。ウエハを倍率10,000、単空間１μｍ及びより大きな
面を有する走査型電子顕微鏡を用いて検査した場合、完
全に解放されていることが明らかに見てとれる。
Hoechst Corporation社製（Somerville,New Jersey
在）のAZフオトレジスト群から得られるAZ433MIF現像剤
（テトラメチルアンモニウムヒドロキシドの0.33N溶
液）中で浸漬法で３分間緩かに撹拌しながら現像した
後、ウエハをDI（脱イオン化）水で洗い、回転乾燥す
る。ウエハを倍率10,000、単空間１μｍ及びより大きな
面を有する走査型電子顕微鏡を用いて検査した場合、完
全に解放されていることが明らかに見てとれる。
例３ フオトレジストを、プロピレングリコールモノメチルエ
ーテルアセテート中にジメチロールパラクレゾールの固
体５％、2,3,4−トリヒドロキシフエニペンチルケトン
−1,2−ナフトキノン−２−ジアジド−４−スルホン酸
トリスエステルの固体６％及びクレゾールノボラツク樹
脂の固体89％を含む溶液から作る。
ーテルアセテート中にジメチロールパラクレゾールの固
体５％、2,3,4−トリヒドロキシフエニペンチルケトン
−1,2−ナフトキノン−２−ジアジド−４−スルホン酸
トリスエステルの固体６％及びクレゾールノボラツク樹
脂の固体89％を含む溶液から作る。
この組成物を使用してシリコンウエハを4000rpmで塗布
し、次いで穿孔対流オーブン中で90℃で30分間ソフトベ
ーキングする。化学線露光はパーキン−エルマ−220ミ
クラリンアライナー（Perkin Elmer 220Micralignalign
er）を使用して分解テストパターンを含むガラスフオト
マスクを介して行なう。アパーチヤ＃４（Aperature＃
４）を使用した場合、走査スピードは200〜400任意エネ
ルギ単位（arbitrary energy units）の間で可変であ
る。これらの異なる走査スピード（各走査スピードは異
なる実験を表わす）は、波長365〜436nm用のOAIラジオ
メータで測定した際のそれぞれの20〜10mJ/cm2に相当す
る。フオトマスクは単線、等線及びスペースが現わされ
ている分解テストパターンからなる。これらの特性の幅
は0.25μｍの増加量で1.0〜3.0μｍの範囲内で可変であ
る。露光後ウエハを引続きMTI Inc社製のホツトプレー
ト上で110℃〜150℃の温度範囲で60秒以内でハードベー
キングする。ウエハを単色照度520nmの光学顕微鏡下に
置いた場合、レリーフ像が観察される。
し、次いで穿孔対流オーブン中で90℃で30分間ソフトベ
ーキングする。化学線露光はパーキン−エルマ−220ミ
クラリンアライナー（Perkin Elmer 220Micralignalign
er）を使用して分解テストパターンを含むガラスフオト
マスクを介して行なう。アパーチヤ＃４（Aperature＃
４）を使用した場合、走査スピードは200〜400任意エネ
ルギ単位（arbitrary energy units）の間で可変であ
る。これらの異なる走査スピード（各走査スピードは異
なる実験を表わす）は、波長365〜436nm用のOAIラジオ
メータで測定した際のそれぞれの20〜10mJ/cm2に相当す
る。フオトマスクは単線、等線及びスペースが現わされ
ている分解テストパターンからなる。これらの特性の幅
は0.25μｍの増加量で1.0〜3.0μｍの範囲内で可変であ
る。露光後ウエハを引続きMTI Inc社製のホツトプレー
ト上で110℃〜150℃の温度範囲で60秒以内でハードベー
キングする。ウエハを単色照度520nmの光学顕微鏡下に
置いた場合、レリーフ像が観察される。
露光しかつハードベーキング処理したウエハをAmerican
Hoechest Corporation社製（Somerville,New Jersey
在）のAZフオトレジスト群から得られるAZ433MIF現像剤
（テトラメチルアンモニウムヒドロキシドの0.33N溶
液）中で浸漬法で３分間緩かに撹拌しながら現像した
後、ウエハをDI（脱イオン化）水で洗い、回転乾燥す
る。ウエハを10,000倍率の走査電子顕微鏡で検査する
と、１μｍ以上の単一間隔が完全に解放されていること
が明らかに見てとれる。
Hoechest Corporation社製（Somerville,New Jersey
在）のAZフオトレジスト群から得られるAZ433MIF現像剤
（テトラメチルアンモニウムヒドロキシドの0.33N溶
液）中で浸漬法で３分間緩かに撹拌しながら現像した
後、ウエハをDI（脱イオン化）水で洗い、回転乾燥す
る。ウエハを10,000倍率の走査電子顕微鏡で検査する
と、１μｍ以上の単一間隔が完全に解放されていること
が明らかに見てとれる。
例４ フオトレジストを、プロピレングリコールモノメチルエ
ーテルアセテート中に4,4′−ビスメトキシメチルジフ
エニルエーテルの固体５％、2,3,4−トリヒドロキシ−
ベンゾフエノン−1,2−ナフトキノン−２−ジアジド−
４−スルホン酸トリスエステルの固体６％及びクレゾー
ルノボラツク樹脂の固体89％を含む溶液から作る。
ーテルアセテート中に4,4′−ビスメトキシメチルジフ
エニルエーテルの固体５％、2,3,4−トリヒドロキシ−
ベンゾフエノン−1,2−ナフトキノン−２−ジアジド−
４−スルホン酸トリスエステルの固体６％及びクレゾー
ルノボラツク樹脂の固体89％を含む溶液から作る。
この組成物を使用してシリコンウエハを4000rpmで塗布
し、次いで穿孔対流オーブン中で90℃で30分間ソフトベ
ーキングする。化学線露光はパーキン−エルマ−220ミ
クラリンアライナー（Perkin Elmer 220Micralignalign
er）を使用して分解テストパターンを含むガラスフオト
マスクを介して行なう。アパーチヤ＃４（Aperature＃
４）を使用した場合、走査スピードは200〜400任意エネ
ルギ単位（arbitrary energy units）の間で可変であ
る。これらの異なる走査スピード（各走査スピードは異
なる実験を表わす）は、波長365〜436nm用のOAIラジオ
メータで測定した際のそれぞれ20〜10mJ/cm2に相当す
る。フオトマスクは単線、等線及びスペースが現わされ
ている分解テストパターンからなる。これらの特性の幅
は0.25μｍの増加量で1.0〜3.0μｍの範囲内で可変であ
る。露光後ウエハを引続きMTI Inc社製のホツトプレー
ト上で110℃〜150℃の温度範囲で60秒以内でハードベー
キングする。ウエハを単色照度520nmの光学顕微鏡化に
置いた場合、レリーフ像が観察される。
し、次いで穿孔対流オーブン中で90℃で30分間ソフトベ
ーキングする。化学線露光はパーキン−エルマ−220ミ
クラリンアライナー（Perkin Elmer 220Micralignalign
er）を使用して分解テストパターンを含むガラスフオト
マスクを介して行なう。アパーチヤ＃４（Aperature＃
４）を使用した場合、走査スピードは200〜400任意エネ
ルギ単位（arbitrary energy units）の間で可変であ
る。これらの異なる走査スピード（各走査スピードは異
なる実験を表わす）は、波長365〜436nm用のOAIラジオ
メータで測定した際のそれぞれ20〜10mJ/cm2に相当す
る。フオトマスクは単線、等線及びスペースが現わされ
ている分解テストパターンからなる。これらの特性の幅
は0.25μｍの増加量で1.0〜3.0μｍの範囲内で可変であ
る。露光後ウエハを引続きMTI Inc社製のホツトプレー
ト上で110℃〜150℃の温度範囲で60秒以内でハードベー
キングする。ウエハを単色照度520nmの光学顕微鏡化に
置いた場合、レリーフ像が観察される。
露光しかつハードベーキング処理したウエハをAmerican
Hoechst Corporation社製（Somerville,New Jersey
在）のAZフオトレジスト群から得られるAZ433MIF現像剤
（テトラメチルアンモニウムヒドロキシドの0.33N溶
液）中で浸漬法で３分間緩かに撹拌しながら現像した
後、ウエハをDI（脱イオン化）水で洗い、回転乾燥す
る。ウエハを10,000倍率の走査電子顕微鏡で検査する
と、１μｍ以上の単一間隔が完全に解放されていること
が明らかに見てとれる。
Hoechst Corporation社製（Somerville,New Jersey
在）のAZフオトレジスト群から得られるAZ433MIF現像剤
（テトラメチルアンモニウムヒドロキシドの0.33N溶
液）中で浸漬法で３分間緩かに撹拌しながら現像した
後、ウエハをDI（脱イオン化）水で洗い、回転乾燥す
る。ウエハを10,000倍率の走査電子顕微鏡で検査する
と、１μｍ以上の単一間隔が完全に解放されていること
が明らかに見てとれる。
例５ フオトレジストを、プロピレングリコールモノメチルエ
ーテルアセテート中に4,4′−ビスメトキシメチルジフ
エニルエーテルの固体５％、2,3,4−トリヒドロキシ−
３′−メチルベンゾフエノン−1,2−ナフトキノン−２
−ジアジド−４−スルホン酸トリスエステルの固体６％
及びクレゾールノボラツク樹脂の固体89％を含む溶液か
ら作る。
ーテルアセテート中に4,4′−ビスメトキシメチルジフ
エニルエーテルの固体５％、2,3,4−トリヒドロキシ−
３′−メチルベンゾフエノン−1,2−ナフトキノン−２
−ジアジド−４−スルホン酸トリスエステルの固体６％
及びクレゾールノボラツク樹脂の固体89％を含む溶液か
ら作る。
この組成物を使用してシリコンウエハを4000rpmで塗布
し、次いで穿孔対流オーブン中で90℃で30分間ソフトベ
ーキングする。化学線露光はパーキン−エルマー220ミ
クラリンアライナー（Perkin Elmer 220Micralignalign
er）を使用して分解テストパターンを含むガラスフオト
マスクを介して行なう。アパーチヤ＃４（Aperature＃
４）を使用した場合、走査スピードは200〜400任意エネ
ルギ単位（arbitrary energy units）の間で可変であ
る。これらの異なる走査スピード（各走査スピードは異
なる実験を表わす）は、波長365〜436nm用のOAIラジオ
メータで測定した際のそれぞれ20〜10mJ/cm2に相当す
る。フオトマスクは単線、等線及びスペースが現わされ
ている分解テストパターンからなる。これらの特性の幅
は0.25μｍの増加量で1.0〜3.0μｍの範囲内で可変であ
る。露光後ウエハを引続きMTI Inc社製のホツトプレー
ト上で110℃〜150℃の温度範囲で60秒以内でハードベー
キングする。ウエハを単色照度520nmの光学顕微鏡下に
置いた場合、レリーフ像が観察される。
し、次いで穿孔対流オーブン中で90℃で30分間ソフトベ
ーキングする。化学線露光はパーキン−エルマー220ミ
クラリンアライナー（Perkin Elmer 220Micralignalign
er）を使用して分解テストパターンを含むガラスフオト
マスクを介して行なう。アパーチヤ＃４（Aperature＃
４）を使用した場合、走査スピードは200〜400任意エネ
ルギ単位（arbitrary energy units）の間で可変であ
る。これらの異なる走査スピード（各走査スピードは異
なる実験を表わす）は、波長365〜436nm用のOAIラジオ
メータで測定した際のそれぞれ20〜10mJ/cm2に相当す
る。フオトマスクは単線、等線及びスペースが現わされ
ている分解テストパターンからなる。これらの特性の幅
は0.25μｍの増加量で1.0〜3.0μｍの範囲内で可変であ
る。露光後ウエハを引続きMTI Inc社製のホツトプレー
ト上で110℃〜150℃の温度範囲で60秒以内でハードベー
キングする。ウエハを単色照度520nmの光学顕微鏡下に
置いた場合、レリーフ像が観察される。
露光しかつハードベーキング処理したウエハをAmerican
Hoechst Corporation社製（Somerville,New Jersey
在）のAZフオトレジスト群から得られるAZ433MIF現像剤
（テトラメチルアンモニウムヒドロキシドの0.33N溶
液）中で浸漬法で３分間緩かに撹拌しながら現像した
後、ウエハをDI（脱イオン化）水で洗い、回転乾燥す
る。ウエハを10,000倍率の走査電子顕微鏡で検査する
と、１μｍ以上の単一間隔が完全に解放されていること
が明らかに見てとれる。
Hoechst Corporation社製（Somerville,New Jersey
在）のAZフオトレジスト群から得られるAZ433MIF現像剤
（テトラメチルアンモニウムヒドロキシドの0.33N溶
液）中で浸漬法で３分間緩かに撹拌しながら現像した
後、ウエハをDI（脱イオン化）水で洗い、回転乾燥す
る。ウエハを10,000倍率の走査電子顕微鏡で検査する
と、１μｍ以上の単一間隔が完全に解放されていること
が明らかに見てとれる。
例６ フオトレジストを、プロピレングリコールモノメチルエ
ーテルアセテート中に4,4′−ビスメトキシメチルジフ
エニルエーテルの固体５％、2,3,4−トリヒドロキシ−
３′−メチルベンゾフエノン−1,2−ナフトキノン−２
−ジアジド−４−スルホン酸トリスエステルの固体６％
及びクレゾールノボラツク樹脂の固体89％を含む溶液か
ら作る。
ーテルアセテート中に4,4′−ビスメトキシメチルジフ
エニルエーテルの固体５％、2,3,4−トリヒドロキシ−
３′−メチルベンゾフエノン−1,2−ナフトキノン−２
−ジアジド−４−スルホン酸トリスエステルの固体６％
及びクレゾールノボラツク樹脂の固体89％を含む溶液か
ら作る。
この組成物を使用してシリコンウエハを4000rpmで塗布
し、次いで穿孔対流オーブン中で90℃で30分間ソフトベ
ーキングする。化学線露光はパーキン−エルマ−220ミ
クラリンアライナー（Perkin Elmer 220Micralignalign
er）を使用して分解テストパターンを含むガラスフオト
マスクを介して行なう。アパーチヤ＃４（Aperature＃
４）を使用した場合、走査スピードは200〜400任意エネ
ルギ単位（arbitrary energy units）の間で可変であ
る。これらの異なる走査スピード（各走査スピードは異
なる実験を表わす）は、波長365〜436nm用のOAIラジオ
メータで測定した際のそれぞれ20〜10mJ/cm2に相当す
る。フオトマスクは単線、等線及びスペースが現わされ
ている分解テストパターンからなる。これらの特性の幅
は0.25μｍの増加量で1.0〜3.0μｍの範囲内で可変であ
る。露光後ウエハを引続きMTI Inc社製のホツトプレー
ト上で110℃〜150℃の温度範囲で60秒以内でハードベー
キングする。ウエハを単色照度520nmの光学顕微鏡化に
置いた場合、レリーフ像が観察される。
し、次いで穿孔対流オーブン中で90℃で30分間ソフトベ
ーキングする。化学線露光はパーキン−エルマ−220ミ
クラリンアライナー（Perkin Elmer 220Micralignalign
er）を使用して分解テストパターンを含むガラスフオト
マスクを介して行なう。アパーチヤ＃４（Aperature＃
４）を使用した場合、走査スピードは200〜400任意エネ
ルギ単位（arbitrary energy units）の間で可変であ
る。これらの異なる走査スピード（各走査スピードは異
なる実験を表わす）は、波長365〜436nm用のOAIラジオ
メータで測定した際のそれぞれ20〜10mJ/cm2に相当す
る。フオトマスクは単線、等線及びスペースが現わされ
ている分解テストパターンからなる。これらの特性の幅
は0.25μｍの増加量で1.0〜3.0μｍの範囲内で可変であ
る。露光後ウエハを引続きMTI Inc社製のホツトプレー
ト上で110℃〜150℃の温度範囲で60秒以内でハードベー
キングする。ウエハを単色照度520nmの光学顕微鏡化に
置いた場合、レリーフ像が観察される。
露光しかつハードベーキング処理したウエハをAmerican
Hoechst Corporation社製（Somerville,New Jersey
在）のAZフオトレジスト群から得られるAZ433MIF現像剤
（テトラメチルアンモニウムヒドロキシドの0.33N溶
液）中で浸漬法で３分間緩かに撹拌しながら現像した
後、ウエハをDI（脱イオン化）水で洗い、回転乾燥す
る。ウエハを10,000倍率の走査電子顕微鏡で検査する
と、１μｍ以上の単一間隔が完全に解放されていること
が明らかに見てとれる。
Hoechst Corporation社製（Somerville,New Jersey
在）のAZフオトレジスト群から得られるAZ433MIF現像剤
（テトラメチルアンモニウムヒドロキシドの0.33N溶
液）中で浸漬法で３分間緩かに撹拌しながら現像した
後、ウエハをDI（脱イオン化）水で洗い、回転乾燥す
る。ウエハを10,000倍率の走査電子顕微鏡で検査する
と、１μｍ以上の単一間隔が完全に解放されていること
が明らかに見てとれる。
例７ フオトレジストを、プロピレングリコールモノメチルエ
ーテルアセテート中に4,4′−ビスメトキシメチルジフ
エニルエーテルの固体５％、2,3,4−トリヒドロキシフ
エニルペンチルケトン−1,2−ナフトキノン−２−ジア
ジド−４−スルホン酸トリスエステルの固体６％及びク
レゾールノボラツク樹脂の固体89％を含む溶液から作
る。
ーテルアセテート中に4,4′−ビスメトキシメチルジフ
エニルエーテルの固体５％、2,3,4−トリヒドロキシフ
エニルペンチルケトン−1,2−ナフトキノン−２−ジア
ジド−４−スルホン酸トリスエステルの固体６％及びク
レゾールノボラツク樹脂の固体89％を含む溶液から作
る。
この組成物を使用してシリコンウエハを4000rpm塗布
し、次いで穿孔対流オーブン中で90℃で30分間ソフトベ
ーキングする。化学線露光はパーキン−エルマ−220ミ
クラリンアライナー（Perkin Elmer 220Micralignalign
er）を使用して分解テストパターンを含むガラスフオト
マスクを介して行なう。アパーチヤ＃４（Aperature＃
４）を使用した場合、走査スピードは200〜400任意エネ
ルギ単位（arbitrary energy units）の間で可変であ
る。これらの異なる走査スピード（各走査スピードは異
なる実験を表わす）は、波長365〜436nm用のOAIラジオ
メータで測定した際のそれぞれ20〜10mJ/cm2に相当す
る。フオトマスクは単線、等線及びスペースが現わされ
ている分解テストパターンからなる。これらの特性の幅
は0.25μｍの増加量で1.0〜3.0μｍの範囲内で可変であ
る。露光後ウエハを引続きMTI Inc社製のホツトプレー
ト上で110℃〜150℃の温度範囲で60秒以内でハードベー
キングする。ウエハを単色照度520nmの光学顕微鏡下に
置いた場合、レリーフ像が観察される。
し、次いで穿孔対流オーブン中で90℃で30分間ソフトベ
ーキングする。化学線露光はパーキン−エルマ−220ミ
クラリンアライナー（Perkin Elmer 220Micralignalign
er）を使用して分解テストパターンを含むガラスフオト
マスクを介して行なう。アパーチヤ＃４（Aperature＃
４）を使用した場合、走査スピードは200〜400任意エネ
ルギ単位（arbitrary energy units）の間で可変であ
る。これらの異なる走査スピード（各走査スピードは異
なる実験を表わす）は、波長365〜436nm用のOAIラジオ
メータで測定した際のそれぞれ20〜10mJ/cm2に相当す
る。フオトマスクは単線、等線及びスペースが現わされ
ている分解テストパターンからなる。これらの特性の幅
は0.25μｍの増加量で1.0〜3.0μｍの範囲内で可変であ
る。露光後ウエハを引続きMTI Inc社製のホツトプレー
ト上で110℃〜150℃の温度範囲で60秒以内でハードベー
キングする。ウエハを単色照度520nmの光学顕微鏡下に
置いた場合、レリーフ像が観察される。
露光しかつハードベーキング処理したウエハをAmerican
Hoechst Corporation社製（Somerville,New Jersey
在）のAZフオトレジスト群から得られるAZ433MIF現像剤
（テトラメチルアンモニウムヒドロキシドの0.33N溶
液）中で浸漬法で３分間緩かに撹拌しながら現像した
後、ウエハをDI（脱イオン化）水で洗い、回転乾燥す
る。ウエハを10,000倍率の走査電子顕微鏡で検査する
と、１μｍ以上の単一間隔が完全に解放されていること
が明らかに見てとれる。
Hoechst Corporation社製（Somerville,New Jersey
在）のAZフオトレジスト群から得られるAZ433MIF現像剤
（テトラメチルアンモニウムヒドロキシドの0.33N溶
液）中で浸漬法で３分間緩かに撹拌しながら現像した
後、ウエハをDI（脱イオン化）水で洗い、回転乾燥す
る。ウエハを10,000倍率の走査電子顕微鏡で検査する
と、１μｍ以上の単一間隔が完全に解放されていること
が明らかに見てとれる。
例８ フオトレジストを、プロピレングリコールモノメチルエ
ーテルアセテート中にエポキシクレゾールノボラツク樹
脂の固体５％、2,3,4−トリヒドロキシベンゾフエノン
−1,2−ナフトキノン−２−ジアジド−４−スルホン酸
トリスエステルの固体６％及びクレゾールノボラツク樹
脂の固体89％を含む溶液から作る。
ーテルアセテート中にエポキシクレゾールノボラツク樹
脂の固体５％、2,3,4−トリヒドロキシベンゾフエノン
−1,2−ナフトキノン−２−ジアジド−４−スルホン酸
トリスエステルの固体６％及びクレゾールノボラツク樹
脂の固体89％を含む溶液から作る。
この組成物を使用してシリコンウエハを4000rpmで塗布
し、次いで穿孔対流オーブン中で90℃で30分間ソフトベ
ーキングする。化学線露光はパーキン−エルマ−220ミ
クラリンアライナー（Perkin Elmer 220Micralignalign
er）を使用して分解テストパターンを含むガラスフオト
マスクを介して行なう。アパーチヤ＃４（Aperature＃
４）を使用した場合、走査スピードは200〜400任意エネ
ルギ単位（arbitrary energy units）の間で可変であ
る。これらの異なる走査スピード（各走査スピードは異
なる実験を表わす）は、波長365〜436nm用のOAIラジオ
メータで測定した際のそれぞれ20〜10mJ/cm2に相当す
る。フオトマスクは単線、等線及びスペースが現わされ
ている分解テストパターンからなる。これらの特性の幅
は0.25μｍの増加量で1.0〜3.0μｍの範囲内で可変であ
る。露光後ウエハを引続きMTI Inc社製のホツトプレー
ト上で110℃〜150℃の温度範囲で60秒以内でハードベー
キングする。ウエハを単色照度520nmの光学顕微鏡下に
置いた場合、レリーフ像が観察される。
し、次いで穿孔対流オーブン中で90℃で30分間ソフトベ
ーキングする。化学線露光はパーキン−エルマ−220ミ
クラリンアライナー（Perkin Elmer 220Micralignalign
er）を使用して分解テストパターンを含むガラスフオト
マスクを介して行なう。アパーチヤ＃４（Aperature＃
４）を使用した場合、走査スピードは200〜400任意エネ
ルギ単位（arbitrary energy units）の間で可変であ
る。これらの異なる走査スピード（各走査スピードは異
なる実験を表わす）は、波長365〜436nm用のOAIラジオ
メータで測定した際のそれぞれ20〜10mJ/cm2に相当す
る。フオトマスクは単線、等線及びスペースが現わされ
ている分解テストパターンからなる。これらの特性の幅
は0.25μｍの増加量で1.0〜3.0μｍの範囲内で可変であ
る。露光後ウエハを引続きMTI Inc社製のホツトプレー
ト上で110℃〜150℃の温度範囲で60秒以内でハードベー
キングする。ウエハを単色照度520nmの光学顕微鏡下に
置いた場合、レリーフ像が観察される。
露光しかつハードベーキング処理したウエハをAmerican
Hoechst Corporation社製（Somerville,New Jersey
在）のAZフオトレジスト群から得られるAZ433MIF現像剤
（テトラメチルアンモニウムヒドロキシドの0.33N溶
液）中で浸漬法で３分間緩かに撹拌しながら現像した
後、ウエハをDI（脱イオン化）水で洗い、回転乾燥す
る。ウエハを10,000倍率の走査電子顕微鏡で検査する
と、１μｍ以上の単一間隔が完全に解放されていること
が明らかに見てとれる。
Hoechst Corporation社製（Somerville,New Jersey
在）のAZフオトレジスト群から得られるAZ433MIF現像剤
（テトラメチルアンモニウムヒドロキシドの0.33N溶
液）中で浸漬法で３分間緩かに撹拌しながら現像した
後、ウエハをDI（脱イオン化）水で洗い、回転乾燥す
る。ウエハを10,000倍率の走査電子顕微鏡で検査する
と、１μｍ以上の単一間隔が完全に解放されていること
が明らかに見てとれる。
例９〜14 例１の処方を繰返すが、フオトレジストはプロピレング
リコールモノメチルエーテルアセテート中にクレゾール
ノボラツク樹脂の固体89％及び、 （９） 2,5−ビス−（ヒドロキシメチル）−フラン５
％、 2,3,4−トリヒドロキシ−３′−メチル−ベンゾフエノ
ン−1,2−ナフトキノン−２−ジアジド−４−スルホン
酸トリエステル６％、 （10） 2,5−ビス−（エトキシメチル）−チオフエン
５％、 2,3,4−トリヒドロキシ−３′−メチルベンゾフエノン
−1,2−ナフトキノン−２−ジアジド−４−スルホン酸
トリエステル６％、 （11） ビス−（3,5−ヒドロキシメチル−４−ヒドロ
キシフエニル）−メタン５％ 2,3,4−トリヒドロキシ−３′−メチルベンゾフエノン
−1,2−ナフトキノン−２−ジアジド−４−スルホン酸
トリエステル６％、 （12） 4,4′−ビス−アセトキシメチル−ジフエニル
エーテル５％、 2,3,4−トリヒドロキシ−ベンゾフエノン−1,2−ナフト
キノン−２−ジアジド−４−スルホン酸トリエステル６
％ （13） 1,4−ビス−（α−ヒドロキシベンジル）−ベ
ンゼン５％、 2,3,4−トリヒドロキシ−ベンゾフエノン−1,2−ナフト
キノン−２−ジアジド−４−スルホン酸トリエステル６
％、 （14） 2,6−ビス−ヒドロキシメチル−４−メチル−
アニソール2.5％ 2,2−ビス−（3,5−ヒドロキシメチル−４−ヒドロキシ
フエニル）−プロパン2.5％ 2,3,4−トリヒドロキシ−ベンゾフエノン−1,2−ナフト
キノン−２−ジアジド−４−スルホン酸トリエステル６
％ を含む溶液から作る。
リコールモノメチルエーテルアセテート中にクレゾール
ノボラツク樹脂の固体89％及び、 （９） 2,5−ビス−（ヒドロキシメチル）−フラン５
％、 2,3,4−トリヒドロキシ−３′−メチル−ベンゾフエノ
ン−1,2−ナフトキノン−２−ジアジド−４−スルホン
酸トリエステル６％、 （10） 2,5−ビス−（エトキシメチル）−チオフエン
５％、 2,3,4−トリヒドロキシ−３′−メチルベンゾフエノン
−1,2−ナフトキノン−２−ジアジド−４−スルホン酸
トリエステル６％、 （11） ビス−（3,5−ヒドロキシメチル−４−ヒドロ
キシフエニル）−メタン５％ 2,3,4−トリヒドロキシ−３′−メチルベンゾフエノン
−1,2−ナフトキノン−２−ジアジド−４−スルホン酸
トリエステル６％、 （12） 4,4′−ビス−アセトキシメチル−ジフエニル
エーテル５％、 2,3,4−トリヒドロキシ−ベンゾフエノン−1,2−ナフト
キノン−２−ジアジド−４−スルホン酸トリエステル６
％ （13） 1,4−ビス−（α−ヒドロキシベンジル）−ベ
ンゼン５％、 2,3,4−トリヒドロキシ−ベンゾフエノン−1,2−ナフト
キノン−２−ジアジド−４−スルホン酸トリエステル６
％、 （14） 2,6−ビス−ヒドロキシメチル−４−メチル−
アニソール2.5％ 2,2−ビス−（3,5−ヒドロキシメチル−４−ヒドロキシ
フエニル）−プロパン2.5％ 2,3,4−トリヒドロキシ−ベンゾフエノン−1,2−ナフト
キノン−２−ジアジド−４−スルホン酸トリエステル６
％ を含む溶液から作る。
結果は先の各実施例における結果と同じである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/027 (72)発明者 ドナルド・マーマト アメリカ合衆国ニユー・ジヤージイ・レバ ノン・フアーン・ドライブ・エル・デー・ ナンバー１ (72)発明者 サンヤ・ジエイン アメリカ合衆国ニユー・ジヤージイ・サマ ーヴイル・ロビン・ロード 988 (56)参考文献 特開 昭55−32088（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−60537（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−202462（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−114031（ＪＰ，Ａ) 特開 昭49−84638（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−263143（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−97647（ＪＰ，Ａ)
Claims (17)
- 【請求項１】ポジ型写真材料のネガチブ画像を製造する
方法において、 ａ）ｉ）式： ［式中R1は1,2−ベンゾキノン−２−ジアジド−４−ス
ルホニル、1,2−ナフトキノン−２−ジアジド−４−ス
ルホニル、又は1,2−アントラキノン−２−ジアジド−
４−スルホニルを表わし、R2はH,R5,OR6又は を表わし、R3はH,R5,OR6又は を表わし、R4はH,R5,OR6又は を表わし、R6はH,アルキル，アリール，アルアルキル又
はR1を表わし、R5,R7はアルキル，アリール又はアルア
ルキルを表わす］を有する感光性化合物約１〜約25重量
％（組成物の固体分に対して）、 ii）ノボラック、及び／又はポリビニルフェノール、特
にポリパラビニルフェノール樹脂約75〜約99重量％（組
成物の固体分に対して）、及び iii）前記ジアジドを化学線に曝した際に生じる酸の量
及び強さの存在で、工程（ｅ）の加熱条件の適用下に前
記樹脂を架橋することのできる架橋化合物約0.5〜約20
重量％（組成物の固体分に対して）、該架橋化合物は
式： （R1O−CHR3）ｎ−Ａ−（CHR3−OR2）ｍ ［式中ＡはＢ又はＢ−Ｙ−Ｂを表わし、Ｂは置換又は非
置換の単環式又は縮合した多環式芳香族炭化水素或いは
酸素又は硫黄を含むヘテロ環式芳香族化合物を表わし、
Ｙは単結合、C1〜C4−アルキレン又は−アルキレンジオ
キシを表わし、その鎖は−Ｏ−，−Ｓ−，−SO2−，−C
O−，−CO2−，−Ｏ−CO2−,CONH−又はフェニレンジオ
キシによって中断されていてもよく、R1及びR2は同一又
は異なっており、それぞれ水素、C1〜C6−アルキル、−
シクロアルキル、置換又は非置換のアリール、アルアル
キル又はアシルを表わし、R3は水素、C1〜C4−アルキル
或いは、置換又は非置換のフェニルを表わし、ｎは１〜
３であり、ｍは０〜３であり、ｎ＋ｍは少なくとも２で
ある］を有する化合物又はエポキシクレゾールノボラッ
クである、 iv）前記の各組成物成分を溶解するのに十分な溶剤、 からなる組成物を形成し、 ａ） この組成物を適当な基板に塗布し、 ｃ） 塗布した基板を約20℃〜約100℃の温度で、実質
的に前記のすべての溶剤が乾燥除去されるまで加熱し、 ｄ） 組成物を画像に応じて化学線に曝らし、 ｅ） 塗布した基板を少なくとも約95℃〜約160℃の温
度で約10秒以上加熱して、前記樹脂を架橋し、 ｆ） 前記組成物の露光されなかった非画像部分を適当
な現像剤で除去する、 ことからなる、ポジ型写真材料のネガ画像の製法。 - 【請求項２】光増感剤が2,3,4−トリヒドロキシベンゾ
フェノン−1,2−ナフトキノン−２−ジアジド−４−ス
ルホン酸トリスエステルである、特許請求の範囲第１項
記載の方法。 - 【請求項３】架橋剤がジメチロールパラクレゾール、4,
4′−ビスメトキシメチルジフェニルエーテル、エポキ
シクレゾールノボラック樹脂、2,5−ビス−（ヒドロキ
シメチル）−フラン、2,5−ビス−（エトキシメチル）
−チオフェン、ビス−（3,5−ヒドロキシメチル−４−
ヒドロキシフェニル）−メタン、4,4′−ビス−アセト
キシ−メチルジフェニルエーテル、1,4−ビス−（α−
ヒドロキシベンジル）−ベンゼン、2,6−ビス−ヒドロ
キシメチル−４−メチル−アニソール及び2,2−ビス−
（3,5−ヒドロキシメチル−４−ヒドロキシフェニル）
−プロパンの群から選択される化合物又は該化合物の混
合物である、特許請求の範囲第１項記載の方法。 - 【請求項４】架橋剤がジメチロールパラクレゾールであ
る、特許請求の範囲第１項記載の方法。 - 【請求項５】架橋剤が4,4′−ビス−メトキシメチルジ
フェニルエーテルである、特許請求の範囲第１項記載の
方法。 - 【請求項６】架橋剤がエポキシクレゾールノボラック樹
脂である、特許請求の範囲第１項記載の方法。 - 【請求項７】溶剤がプロピレングリコールアルキルエー
テルアセテートである、特許請求の範囲第１項記載の方
法。 - 【請求項８】基板がシリコン、アルミニウム又はポリマ
ー樹脂、二酸化ケイ素、ドープした二酸化ケイ素、窒化
ケイ素、タンタル、銅、ポリシリコン、セラミック及び
アルミニウム／銅混合物からなる群から選択される、特
許請求の範囲第１項記載の方法。 - 【請求項９】組成物が更に着色剤、染料、抗条線剤、均
染剤、可塑剤、接着促進剤、増速剤及び界面活性剤から
なる群から選択される１種以上の化合物からなる、特許
請求の範囲第１項記載の方法。 - 【請求項１０】工程（ｅ）を約95℃〜約150℃の温度で
実施する、特許請求の範囲第１項記載の方法。 - 【請求項１１】工程（ｅ）を約112℃〜約120℃の温度で
実施する、特許請求の範囲第１項記載の方法。 - 【請求項１２】工程（ｅ）を約10秒〜約90秒で実施す
る、特許請求の範囲第１項記載の方法。 - 【請求項１３】工程（ｅ）を約10秒〜約90秒で実施す
る、特許請求の範囲第10項記載の方法。 - 【請求項１４】工程（ｅ）を約10秒〜約90秒で実施す
る、特許請求の範囲第11項記載の方法。 - 【請求項１５】現像剤がアルカリ水溶液である、特許請
求の範囲第１項記載の方法。 - 【請求項１６】現像剤が水酸化ナトリウム及び／又はテ
トラメチル水酸化アンモニウムからなる、特許請求の範
囲第15項記載の方法。 - 【請求項１７】樹脂がノボラックであり、架橋剤がジメ
チロ−ルパラクレゾールからなり、加熱工程（ｅ）を約
112℃〜約120℃の温度で、90秒以内に実施し、現像剤が
水酸化ナトリウム及び／又はテトラメチルアンモニウム
ヒドロキシドの水溶液からなる、特許請求の範囲第１項
記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US76470085A | 1985-08-12 | 1985-08-12 | |
| US764700 | 1996-12-04 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6238448A JPS6238448A (ja) | 1987-02-19 |
| JPH0772797B2 true JPH0772797B2 (ja) | 1995-08-02 |
Family
ID=25071504
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61187952A Expired - Fee Related JPH0772797B2 (ja) | 1985-08-12 | 1986-08-12 | ポジ型写真材料のネガチブ画像の製法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0212482B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0772797B2 (ja) |
| KR (1) | KR950000236B1 (ja) |
| AT (1) | ATE42419T1 (ja) |
| CA (1) | CA1282627C (ja) |
| DE (1) | DE3662952D1 (ja) |
| HK (1) | HK71490A (ja) |
Families Citing this family (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| ATE45228T1 (de) * | 1985-10-25 | 1989-08-15 | Hoechst Celanese Corp | Verfahren zur herstellung eines positiv arbeitenden photoresists. |
| JP2598059B2 (ja) * | 1987-03-27 | 1997-04-09 | ホーセル グラフィック インダストリーズ リミッティッド | 露光式石版の製造方法 |
| EP0298393A3 (de) * | 1987-07-10 | 1990-06-20 | Hoechst Celanese Corporation | Verfahren zur Herstellung negativer Bilder aus einem positiv arbeitenden Photoresist mit einem Gehalt an Curcumin und lichtemfindlichen Gemisch enthaltend Curcumin |
| DE3837500A1 (de) * | 1988-11-04 | 1990-05-23 | Hoechst Ag | Neue, strahlungsempfindliche verbindungen, hiermit hergestelltes strahlungsempfindliches gemisch und aufzeichnungsmaterial |
| JP2645587B2 (ja) * | 1989-03-29 | 1997-08-25 | 富士写真フイルム株式会社 | 微細パターン形成材料及び微細パターン形成方法 |
| JPH02281257A (ja) * | 1989-04-21 | 1990-11-16 | Konica Corp | 着色画像形成材料 |
| DE3926776A1 (de) * | 1989-08-12 | 1991-02-14 | Hoechst Ag | Substituierte 1,2-naphthochinon-(2)-diazid-4-sulfonsaeuren, verfahren zu ihrer herstellung und ihre verwendung |
| CA2042735A1 (en) * | 1990-05-25 | 1991-11-26 | Mark A. Spak | Image reversal negative working photoresist |
| DE4111444A1 (de) * | 1991-04-09 | 1992-10-15 | Hoechst Ag | Naphthochinondiazid-sulfonsaeure-mischester enthaltendes gemisch und damit hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial |
| DE4111443A1 (de) * | 1991-04-09 | 1992-10-15 | Hoechst Ag | Strahlungsempfindlicher ester sowie verfahren zu dessen herstellung |
| JP3010607B2 (ja) * | 1992-02-25 | 2000-02-21 | ジェイエスアール株式会社 | 感放射線性樹脂組成物 |
| US5580695A (en) * | 1992-02-25 | 1996-12-03 | Japan Synthetic Rubber Co., Ltd. | Chemically amplified resist |
| JP3259263B2 (ja) * | 1992-06-22 | 2002-02-25 | ジェイエスアール株式会社 | ネガ型感放射線性樹脂組成物 |
| US5389491A (en) * | 1992-07-15 | 1995-02-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Negative working resist composition |
| TW439016B (en) * | 1996-09-20 | 2001-06-07 | Sumitomo Chemical Co | Positive resist composition |
| KR100518626B1 (ko) * | 1996-09-20 | 2005-12-13 | 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 | 포지티브형레지스트조성물 |
| JP4645789B2 (ja) | 2001-06-18 | 2011-03-09 | Ｊｓｒ株式会社 | ネガ型感放射線性樹脂組成物 |
| EP1491952B1 (en) | 2003-06-23 | 2015-10-07 | Sumitomo Bakelite Co., Ltd. | Positive-working photosensitive resin composition, method for producing pattern-formed resin film, semiconductor device, display device, and method for producing the semiconductor device and the display device |
| US20080241745A1 (en) | 2007-03-29 | 2008-10-02 | Fujifilm Corporation | Negative resist composition and pattern forming method using the same |
| CN101855026A (zh) | 2007-11-14 | 2010-10-06 | 富士胶片株式会社 | 干燥涂布膜的方法和制造平版印刷版前体的方法 |
| JP2009236355A (ja) | 2008-03-26 | 2009-10-15 | Fujifilm Corp | 乾燥方法及び装置 |
| JP5743783B2 (ja) | 2011-07-27 | 2015-07-01 | 富士フイルム株式会社 | 感光性組成物、平版印刷版原版、及びポリウレタン |
| JP6167016B2 (ja) | 2013-10-31 | 2017-07-19 | 富士フイルム株式会社 | 積層体、有機半導体製造用キットおよび有機半導体製造用レジスト組成物 |
| TWI851818B (zh) | 2019-09-26 | 2024-08-11 | 日商富士軟片股份有限公司 | 導熱層的製造方法、積層體的製造方法及半導體器件的製造方法 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1375461A (ja) * | 1972-05-05 | 1974-11-27 | ||
| JPS4984638A (ja) * | 1972-12-20 | 1974-08-14 | ||
| GB1494640A (en) * | 1974-12-24 | 1977-12-07 | Fuji Photo Film Co Ltd | Image-forming on light-sensitive element containing a quinone diazide |
| JPS5532088A (en) * | 1978-08-30 | 1980-03-06 | Fuji Photo Film Co Ltd | Photo mask forming method |
| US4247616A (en) * | 1979-07-27 | 1981-01-27 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Positive-acting photoresist composition |
| DE3134123A1 (de) * | 1981-08-28 | 1983-03-17 | Hoechst Ag, 6000 Frankfurt | Durch strahlung polymerisierbares gemisch und daraushergestelltes photopolymerisierbares kopiermaterial |
| JPS5860537A (ja) * | 1981-10-07 | 1983-04-11 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 乾式パタ−ン形成方法 |
| DE3151078A1 (de) * | 1981-12-23 | 1983-07-28 | Hoechst Ag, 6230 Frankfurt | Verfahren zur herstellung von reliefbildern |
| JPS59202462A (ja) * | 1983-05-02 | 1984-11-16 | Oki Electric Ind Co Ltd | ネガ型レジストのパタ−ン形成方法 |
| IE57143B1 (en) * | 1984-06-01 | 1992-05-06 | Rohm & Haas | Photosensitive coating compositions,thermally stable coating prepared from them,and the use of such coatings in forming thermally stable polymer images |
| DE3437687A1 (de) * | 1984-10-15 | 1986-04-17 | Hoechst Ag, 6230 Frankfurt | Verfahren zum herstellen negativer kopien mittels eines materials auf basis von 1,2-chinondiaziden |
| US4600683A (en) * | 1985-04-22 | 1986-07-15 | International Business Machines Corp. | Cross-linked polyalkenyl phenol based photoresist compositions |
-
1986
- 1986-08-08 AT AT86110953T patent/ATE42419T1/de not_active IP Right Cessation
- 1986-08-08 EP EP86110953A patent/EP0212482B1/de not_active Expired
- 1986-08-08 DE DE8686110953T patent/DE3662952D1/de not_active Expired
- 1986-08-12 KR KR1019860006618A patent/KR950000236B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 1986-08-12 CA CA000515742A patent/CA1282627C/en not_active Expired - Lifetime
- 1986-08-12 JP JP61187952A patent/JPH0772797B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1990
- 1990-09-13 HK HK714/90A patent/HK71490A/xx not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0212482B1 (de) | 1989-04-19 |
| CA1282627C (en) | 1991-04-09 |
| EP0212482A2 (de) | 1987-03-04 |
| KR950000236B1 (ko) | 1995-01-12 |
| DE3662952D1 (en) | 1989-05-24 |
| KR870002479A (ko) | 1987-03-31 |
| JPS6238448A (ja) | 1987-02-19 |
| EP0212482A3 (en) | 1987-12-09 |
| HK71490A (en) | 1990-09-21 |
| ATE42419T1 (de) | 1989-05-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0772797B2 (ja) | ポジ型写真材料のネガチブ画像の製法 | |
| US4863827A (en) | Postive working multi-level photoresist | |
| US4529682A (en) | Positive photoresist composition with cresol-formaldehyde novolak resins | |
| US4587196A (en) | Positive photoresist with cresol-formaldehyde novolak resin and photosensitive naphthoquinone diazide | |
| US4931381A (en) | Image reversal negative working O-quinone diazide and cross-linking compound containing photoresist process with thermal curing treatment | |
| US5399456A (en) | Image reversal negative working photoresist containing O-quinone diazide and cross-linking compound | |
| US5215856A (en) | Tris-(hydroxyphenyl) lower alkane compounds as sensitivity enhancers for o-quinonediazide containing radiation-sensitive compositions and elements | |
| US4596763A (en) | Positive photoresist processing with mid U-V range exposure | |
| US4885232A (en) | High temperature post exposure baking treatment for positive photoresist compositions | |
| KR950001004B1 (ko) | 방사선 감응성 포지티브 작용성 감광성 내식막 조성물 및 감광성 내식막을 제조하는 방법 | |
| JPH0627654A (ja) | 画像反転陰画作用フォトレジスト | |
| US4929536A (en) | Image reversal negative working O-napthoquinone diazide and cross-linking compound containing photoresist process with thermal curing | |
| JP3707793B2 (ja) | 光活性化合物 | |
| US5069996A (en) | Process for developing selected positive photoresists | |
| KR100551934B1 (ko) | 포지티브 포토레지스트용 혼합 용제계 | |
| JPH0727202B2 (ja) | フォトレジスト並びに該フォトレジストを有する製品の製法 | |
| JP3765582B2 (ja) | ポジ型フォトレジスト用の混合溶剤系 | |
| JP2628615B2 (ja) | 迅速なジアゾキノンポジレジスト | |
| US5221592A (en) | Diazo ester of a benzolactone ring compound and positive photoresist composition and element utilizing the diazo ester | |
| US5719004A (en) | Positive photoresist composition containing a 2,4-dinitro-1-naphthol | |
| JPH0210348A (ja) | ポジ型感光性組成物及びレジストパターンの形成方法 | |
| KR100213589B1 (ko) | 나프토퀴논 디아지드 설폰산 혼합 에스테르를 함유하는 조성물 및 이를 사용하여 제조한 감방사선 기록 물질 | |
| JP3361624B2 (ja) | ポジ型感光性組成物 | |
| JP3066068B2 (ja) | 陽画フォトレジスト組成物 | |
| EP0788620B1 (en) | Positive photosensitive composition |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |