JPH0772803B2 - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
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- JPH0772803B2 JPH0772803B2 JP61003134A JP313486A JPH0772803B2 JP H0772803 B2 JPH0772803 B2 JP H0772803B2 JP 61003134 A JP61003134 A JP 61003134A JP 313486 A JP313486 A JP 313486A JP H0772803 B2 JPH0772803 B2 JP H0772803B2
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- layer
- amorphous silicon
- carriers
- barrier
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08264—Silicon-based comprising seven or more silicon-based layers
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
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- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は、帯電特性、暗減衰特性、光感度特性及び耐
環境性等が優れた電子写真感光体に関する。
環境性等が優れた電子写真感光体に関する。
［従来の技術］ 水素Ｈを含有するアモルファシスシリコン（以下、ａ−
Si:Hと略す）は、近年、光電変換材料として注目されて
おり、太陽電池、薄膜トランジスタ、及びイメージセン
サ等のほか、電子写真プロセスの感光体として応用され
ている。
Si:Hと略す）は、近年、光電変換材料として注目されて
おり、太陽電池、薄膜トランジスタ、及びイメージセン
サ等のほか、電子写真プロセスの感光体として応用され
ている。
従来、電子写真感光体の光導電層を構成する材料とし
て、CdS、ZnO、Se、若しくはSe−Te等の無機材料又はポ
リ−Ｎ−ビニルカルバゾール（PVCz）若しくはトリニト
ロフルオレノン（TNF）等の有機材料が使用されてい
た。しかしながら、ａ−Si:Hはこれらの無機材料又は有
機材料に比して、無公害であるから回収処理の必要がな
いこと、可視光領域で高い分光感度を有すること、並び
に表面硬度が高く耐磨耗性及び耐衝撃性が優れているこ
と等の利点を有している。このため、ａ−Si:Hは電子写
真プロセスの感光体として注目されている。
て、CdS、ZnO、Se、若しくはSe−Te等の無機材料又はポ
リ−Ｎ−ビニルカルバゾール（PVCz）若しくはトリニト
ロフルオレノン（TNF）等の有機材料が使用されてい
た。しかしながら、ａ−Si:Hはこれらの無機材料又は有
機材料に比して、無公害であるから回収処理の必要がな
いこと、可視光領域で高い分光感度を有すること、並び
に表面硬度が高く耐磨耗性及び耐衝撃性が優れているこ
と等の利点を有している。このため、ａ−Si:Hは電子写
真プロセスの感光体として注目されている。
このａ−Si:Hは、カールソン方式に基づく感光体として
検討が進められているが、この場合に、感光体特性とし
て抵抗及び光感度が高いことが要求される。しかしなが
ら、この両特性を単一の感光体で満足させることが困難
であるため、光導電層と導電性支持体との間に障壁層を
設け、光導電層上に表面電荷保持層を設けた積層型の構
造にすることにより、このような要求を満足させてい
る。
検討が進められているが、この場合に、感光体特性とし
て抵抗及び光感度が高いことが要求される。しかしなが
ら、この両特性を単一の感光体で満足させることが困難
であるため、光導電層と導電性支持体との間に障壁層を
設け、光導電層上に表面電荷保持層を設けた積層型の構
造にすることにより、このような要求を満足させてい
る。
［発明が解決しようとする問題点］ ところで、ａ−Si:Hは、通常、シラン系ガスを使用した
グロー放電分解法により形成されるが、この際に、ａ−
Si:H膜中に水素が取り込まれ、水素量の差により電気的
及び光学的特性が大きく変動する。即ち、ａ−Si:H膜に
侵入する水素の量が多くなると、光学的バンドギャップ
が大きくなり、ａ−Si:Hの抵抗が高くなるが、それにと
もない。長波長光に遂する光感度が低下してしまうの
で、例えば、半導体レーザを搭載したレーザビームプリ
ンタに使用することが困難である。また、ａ−Si:H膜中
の水素の含有量が多い場合は、成膜条件によって、（Si
H2）ｎ及びSiH2等の結合構造を有するものが膜中で大部
分の領域を占める場合がある。そうすると、ボイドが増
加し、シリコンダングリングボンドが増加するため、光
導電特性が劣化し、電子写真感光体として使用不能にな
る。逆に、ａ−Si:H中に取込まれる水素の量が低下する
と、光学的バンドギャップが小さくなり、その抵抗が小
さくなるが、長波長光に対する光感度が増加する。しか
し、水素含有量が少ないと、シリコンダングリングボン
ドと結合してこれを減少させるべき水素が少なくなる。
このため、発生するキャリアの移動度が低下し、寿命が
短くなると共に、光導電特性が劣化してしまい、電子写
真感光体として使用し難いものとなる。
グロー放電分解法により形成されるが、この際に、ａ−
Si:H膜中に水素が取り込まれ、水素量の差により電気的
及び光学的特性が大きく変動する。即ち、ａ−Si:H膜に
侵入する水素の量が多くなると、光学的バンドギャップ
が大きくなり、ａ−Si:Hの抵抗が高くなるが、それにと
もない。長波長光に遂する光感度が低下してしまうの
で、例えば、半導体レーザを搭載したレーザビームプリ
ンタに使用することが困難である。また、ａ−Si:H膜中
の水素の含有量が多い場合は、成膜条件によって、（Si
H2）ｎ及びSiH2等の結合構造を有するものが膜中で大部
分の領域を占める場合がある。そうすると、ボイドが増
加し、シリコンダングリングボンドが増加するため、光
導電特性が劣化し、電子写真感光体として使用不能にな
る。逆に、ａ−Si:H中に取込まれる水素の量が低下する
と、光学的バンドギャップが小さくなり、その抵抗が小
さくなるが、長波長光に対する光感度が増加する。しか
し、水素含有量が少ないと、シリコンダングリングボン
ドと結合してこれを減少させるべき水素が少なくなる。
このため、発生するキャリアの移動度が低下し、寿命が
短くなると共に、光導電特性が劣化してしまい、電子写
真感光体として使用し難いものとなる。
この発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであっ
て、帯電能が優れており、残留電位が低く、近赤外領域
までの広い波長領域に亘って感度が高く、基板との密着
性が良く、耐環境性が優れた電子写真感光体を提供する
ことを目的とする。
て、帯電能が優れており、残留電位が低く、近赤外領域
までの広い波長領域に亘って感度が高く、基板との密着
性が良く、耐環境性が優れた電子写真感光体を提供する
ことを目的とする。
［問題点を解決するための手段］ この発明に係る電子写真感光体は、表面の電荷をキャリ
アにより中和する電子写真感光体において、導電性支持
体と、炭素およびホウ素を含むＰ型のアモルファスシリ
コン層からなり、前記導電性支持体からのキャリアの注
入を防止する障壁層と、前記障壁層の上に、0.01〜30原
子％の水素を含有し、30〜200オングストロームの厚み
を有する第１のアモルファスシリコン層と、30〜200オ
ングストロームの厚みを有し、かつ、窒素及び0.01〜30
原子％の水素を含有し、前記第１のアモルファスシリコ
ン層よりも光学的バンドギャップが大きい第２のアモル
ファスシリコン層とを交互に積層することにより、前記
第１のアモルファスシリコン層をポテンシャルの井戸と
し、前記第２のアモルファスシリコン層をポテンシャル
のバリアとして、周期的なポテンシャルの井戸が形成さ
れた、光を吸収することによりキャリアを発生させる電
荷発生層と、前記障壁層と電荷発生層との間に、ホウ素
を含むアモルファスシリコン層より構成され、電気電荷
発生層において発生したキャリアを前記導電性支持体側
に走行させる電荷輸送層と、前記電荷輸送層上に形成さ
れ、炭素を含むアモルファスシリコン層からなり、表面
に電荷を保持する表面層とを積層したことを特徴とす
る。
アにより中和する電子写真感光体において、導電性支持
体と、炭素およびホウ素を含むＰ型のアモルファスシリ
コン層からなり、前記導電性支持体からのキャリアの注
入を防止する障壁層と、前記障壁層の上に、0.01〜30原
子％の水素を含有し、30〜200オングストロームの厚み
を有する第１のアモルファスシリコン層と、30〜200オ
ングストロームの厚みを有し、かつ、窒素及び0.01〜30
原子％の水素を含有し、前記第１のアモルファスシリコ
ン層よりも光学的バンドギャップが大きい第２のアモル
ファスシリコン層とを交互に積層することにより、前記
第１のアモルファスシリコン層をポテンシャルの井戸と
し、前記第２のアモルファスシリコン層をポテンシャル
のバリアとして、周期的なポテンシャルの井戸が形成さ
れた、光を吸収することによりキャリアを発生させる電
荷発生層と、前記障壁層と電荷発生層との間に、ホウ素
を含むアモルファスシリコン層より構成され、電気電荷
発生層において発生したキャリアを前記導電性支持体側
に走行させる電荷輸送層と、前記電荷輸送層上に形成さ
れ、炭素を含むアモルファスシリコン層からなり、表面
に電荷を保持する表面層とを積層したことを特徴とす
る。
この発明は、前述の従来技術の欠点を解消し、優れた光
導電特性（電子写真特性）と耐環境性とを兼備した電子
写真感光体を開発すべく本願発明者等が種々実験研究を
重ねた結果、厚みが30乃至200オングストロームの薄い
半導体層であって、相互に光学的バンドギャップが異な
るものを積層したヘテロ接合超格子構造を、感光体の少
なくとも一部に使用することにより、この目的を達成す
ることができることに想到して、この発明を完成させた
ものである。
導電特性（電子写真特性）と耐環境性とを兼備した電子
写真感光体を開発すべく本願発明者等が種々実験研究を
重ねた結果、厚みが30乃至200オングストロームの薄い
半導体層であって、相互に光学的バンドギャップが異な
るものを積層したヘテロ接合超格子構造を、感光体の少
なくとも一部に使用することにより、この目的を達成す
ることができることに想到して、この発明を完成させた
ものである。
［発明の実施例］ 以下、この発明について具体的に説明する。この発明の
特徴は、光導電層又は機能分離型の感光体の場合には電
荷発生層の全て領域又は一部の領域を超格子構造にした
ことにある。この超格子構造は、厚みが30乃至200Åの
極めて薄い半導体層であって、相互に光学的バンドギャ
ップが異なるものを積層することにより得られる。この
薄層は結晶質又は非晶質のいずれでも良い。
特徴は、光導電層又は機能分離型の感光体の場合には電
荷発生層の全て領域又は一部の領域を超格子構造にした
ことにある。この超格子構造は、厚みが30乃至200Åの
極めて薄い半導体層であって、相互に光学的バンドギャ
ップが異なるものを積層することにより得られる。この
薄層は結晶質又は非晶質のいずれでも良い。
このような薄層を形成する材料としては、光学的バンド
ギャップが1.75eVであるａ−Si:H、光学的バンドギャッ
プが1.9eVであるａ−SiN:H、ａ−SiC:H、ａ−SiO:H、又
は光学的バンドギャップが1.5eVであるａ−SiGe:H、ａ
−GeN:H、ａ−GeC:H、ａ−GeO:H等がある（但し、ａ−G
eはアモルファスゲルマニウムを示す）。
ギャップが1.75eVであるａ−Si:H、光学的バンドギャッ
プが1.9eVであるａ−SiN:H、ａ−SiC:H、ａ−SiO:H、又
は光学的バンドギャップが1.5eVであるａ−SiGe:H、ａ
−GeN:H、ａ−GeC:H、ａ−GeO:H等がある（但し、ａ−G
eはアモルファスゲルマニウムを示す）。
第１図はこの発明の実施例に係る電子写真感光体の断面
図、第２図は同じく他の実施例に係る電位写真感光体の
断面図である。第１図においては、導電性支持体21の上
に障壁層22が形成され、障壁層22の上に光導電層23が形
成されている。光導電層23の上には表面層24が形成され
ている。第２図に示す感光体は光導電層が電荷発生層と
電荷輸送層とを有する機能分離型のものであって、導電
性支持体21及び障壁層22の上に電荷輸送層25が形成され
いる。この電荷輸送層25の上には、電荷発生層26が形成
されており、電荷発生層26の上に表面層24が形成されて
いる。光導電層23は光の入射により、キャリアを発生
し、このキャリアは一方の極性のものが感光体表面の帯
電電荷と中和し、他方のものが光導電層23を導電性支持
体21まで走行する。また、機能分離型の感光体（第２
図）においては、光の入射により、電荷発生層26にてキ
ャリアが発生し、このキャリアの一方は電荷輸送層25を
走行して導電性支持体21まで到達する。
図、第２図は同じく他の実施例に係る電位写真感光体の
断面図である。第１図においては、導電性支持体21の上
に障壁層22が形成され、障壁層22の上に光導電層23が形
成されている。光導電層23の上には表面層24が形成され
ている。第２図に示す感光体は光導電層が電荷発生層と
電荷輸送層とを有する機能分離型のものであって、導電
性支持体21及び障壁層22の上に電荷輸送層25が形成され
いる。この電荷輸送層25の上には、電荷発生層26が形成
されており、電荷発生層26の上に表面層24が形成されて
いる。光導電層23は光の入射により、キャリアを発生
し、このキャリアは一方の極性のものが感光体表面の帯
電電荷と中和し、他方のものが光導電層23を導電性支持
体21まで走行する。また、機能分離型の感光体（第２
図）においては、光の入射により、電荷発生層26にてキ
ャリアが発生し、このキャリアの一方は電荷輸送層25を
走行して導電性支持体21まで到達する。
この実施例においては、光導電層23及び電荷発生層26
は、第３図にその断面図を拡大して示すように、薄層31
及び32を交互に積層して構成されている。薄層31,32
は、光学的バンドギャップが相違し、夫々、厚みが30乃
至200Åの範囲にある。第４図及び第５図は横軸に厚み
方向をとり、縦軸に光学的バンドギャップをとって示す
超格子構造のエネルギバンド図である。例えば、薄層3
1,32がａ−Si:H及びａ−SiN:Hである場合には、第４図
に示すように、ａ−SiH:Hの光学的バンドギャップが1.9
eVであり、ａ−Si:Hの光学的バンドギャップが1.75eVで
あるから、ａ−SiN:Hがポテンシャルのバリアとなり、
ａ−Si:Hがポテンシャルの井戸となる。このようにし
て、ａ−Si:Hの薄層とａ−SiN:Hの薄層とを交互に積層
することによって、周期的なポテンシャルの井戸を形成
することができる。一方、薄層31,32が夫々ａ−SiGe:H
及びａ−Si:Hである場合には、第５図に示すように、ａ
−SiGe:Hの光学的バンドギャップが1.5eVであり、ａ−S
i:Hの光学的バンドギャップが1.75eVであるから、ａ−S
i:H薄層がバリアとなり、ａ−SiGe:H薄層が井戸とな
る。つまり、第４図においては、ａ−Si:Hの薄層が井戸
となっているのに対し、第５図においては、ａ−Si:Hの
薄層はバリアとなる。このように光学的バンドギャップ
が相互に異なる薄層を積層することによって、光学的バ
ンドギャップの大きさ自体に拘りなく、光学的バンドギ
ャップが小さい層を基準にして光学的バンドギャップが
大きな層がバリアとなる周期的なポテンシャルバリアを
有する超格子構造が形成される。この超格子構造におい
ては、バリア薄層が極めて薄いので、薄層におけるキャ
リアのトンネル効果により、キャリアはバリアを通過し
て超格子構造中を走行する。また、このような超格子構
造においては、光の入射により発生するキャリアの数が
多い。従って、光感度が高い。なお、超格子構造の薄層
のバンドギャップと層厚を変更することにより、ヘテロ
接合超格子構造を有する層のみかけのバンドギャップを
自由に調整することができる。
は、第３図にその断面図を拡大して示すように、薄層31
及び32を交互に積層して構成されている。薄層31,32
は、光学的バンドギャップが相違し、夫々、厚みが30乃
至200Åの範囲にある。第４図及び第５図は横軸に厚み
方向をとり、縦軸に光学的バンドギャップをとって示す
超格子構造のエネルギバンド図である。例えば、薄層3
1,32がａ−Si:H及びａ−SiN:Hである場合には、第４図
に示すように、ａ−SiH:Hの光学的バンドギャップが1.9
eVであり、ａ−Si:Hの光学的バンドギャップが1.75eVで
あるから、ａ−SiN:Hがポテンシャルのバリアとなり、
ａ−Si:Hがポテンシャルの井戸となる。このようにし
て、ａ−Si:Hの薄層とａ−SiN:Hの薄層とを交互に積層
することによって、周期的なポテンシャルの井戸を形成
することができる。一方、薄層31,32が夫々ａ−SiGe:H
及びａ−Si:Hである場合には、第５図に示すように、ａ
−SiGe:Hの光学的バンドギャップが1.5eVであり、ａ−S
i:Hの光学的バンドギャップが1.75eVであるから、ａ−S
i:H薄層がバリアとなり、ａ−SiGe:H薄層が井戸とな
る。つまり、第４図においては、ａ−Si:Hの薄層が井戸
となっているのに対し、第５図においては、ａ−Si:Hの
薄層はバリアとなる。このように光学的バンドギャップ
が相互に異なる薄層を積層することによって、光学的バ
ンドギャップの大きさ自体に拘りなく、光学的バンドギ
ャップが小さい層を基準にして光学的バンドギャップが
大きな層がバリアとなる周期的なポテンシャルバリアを
有する超格子構造が形成される。この超格子構造におい
ては、バリア薄層が極めて薄いので、薄層におけるキャ
リアのトンネル効果により、キャリアはバリアを通過し
て超格子構造中を走行する。また、このような超格子構
造においては、光の入射により発生するキャリアの数が
多い。従って、光感度が高い。なお、超格子構造の薄層
のバンドギャップと層厚を変更することにより、ヘテロ
接合超格子構造を有する層のみかけのバンドギャップを
自由に調整することができる。
ａ−Si:H、ａ−SiN:H及びａ−SiGe:H等には、水素Ｈを
0.01乃至30原子％、好ましくは１乃至25原子％含有させ
る。これにより、シリコンのダングリングボンドが補償
され、暗抵抗と明抵抗とが調和のとれたものになり、光
導電特性が向上する。薄層をグロー放電分解法により成
膜する場合には、原料としてSiH4及びSi2H6等のシラン
類ガスを反応質に導入し、高周波によりグロー放電する
ことにより薄層中にＨを添加することができる。ａ−Si
N:Hを形成するためには、原料ガスにN2ガス又はNH3ガス
を所要量添加すれば良い。ａ−SiGe:Hは、通常、SiH4と
ゲルマン（GeH4）との混合ガスをグロー放電することに
より成膜される。必要に応じて、シラン類のキャリアガ
スとして水素又はヘリウムをガスを使用することができ
る。一方、SiF4ガス及びSiCl4ガス等のハロゲン化ケイ
素を原料ガスとして使用することができる。また、シラ
ン類ガスとハロゲン化ケイ素ガスとの混合ガスで反応さ
せても、同様にＨを含有するａ−SiN:H及びａ−Si:Hを
成膜することができる。なお、グロー放電分解法による
ず、例えば、スパッタリング等の物理的な方法によって
もこれ等の薄層を形成することができる。
0.01乃至30原子％、好ましくは１乃至25原子％含有させ
る。これにより、シリコンのダングリングボンドが補償
され、暗抵抗と明抵抗とが調和のとれたものになり、光
導電特性が向上する。薄層をグロー放電分解法により成
膜する場合には、原料としてSiH4及びSi2H6等のシラン
類ガスを反応質に導入し、高周波によりグロー放電する
ことにより薄層中にＨを添加することができる。ａ−Si
N:Hを形成するためには、原料ガスにN2ガス又はNH3ガス
を所要量添加すれば良い。ａ−SiGe:Hは、通常、SiH4と
ゲルマン（GeH4）との混合ガスをグロー放電することに
より成膜される。必要に応じて、シラン類のキャリアガ
スとして水素又はヘリウムをガスを使用することができ
る。一方、SiF4ガス及びSiCl4ガス等のハロゲン化ケイ
素を原料ガスとして使用することができる。また、シラ
ン類ガスとハロゲン化ケイ素ガスとの混合ガスで反応さ
せても、同様にＨを含有するａ−SiN:H及びａ−Si:Hを
成膜することができる。なお、グロー放電分解法による
ず、例えば、スパッタリング等の物理的な方法によって
もこれ等の薄層を形成することができる。
障壁層22は、導電性支持体21と、光導電層23（又は電荷
発生層26）との間の電荷の流れを抑制することにより、
感光体の表面における電荷の保持機能を高め、感光体の
帯電能を高める。カールソン方式においては、感光体表
面に正帯電させる場合には、支持体側から光導電層へ電
子が注入されることを防止するために、障壁層をｐ型に
する。一方、感光体表面に負帯電させる場合には、支持
体側から光導電層へ正孔が注入されることを防止するた
めに、障壁層をｎ型にする。また、障壁層として、絶縁
性の膜を支持体の上に形成することも可能である。障壁
層22はマイクロクリスタリンシリコン（以下、μｃ−Si
と略す）を使用して形成してもよいし、ａ−Si:Hを使用
して障壁層を構成することも可能である。障壁層22の厚
みは100Å乃至10μｍが好ましい。
発生層26）との間の電荷の流れを抑制することにより、
感光体の表面における電荷の保持機能を高め、感光体の
帯電能を高める。カールソン方式においては、感光体表
面に正帯電させる場合には、支持体側から光導電層へ電
子が注入されることを防止するために、障壁層をｐ型に
する。一方、感光体表面に負帯電させる場合には、支持
体側から光導電層へ正孔が注入されることを防止するた
めに、障壁層をｎ型にする。また、障壁層として、絶縁
性の膜を支持体の上に形成することも可能である。障壁
層22はマイクロクリスタリンシリコン（以下、μｃ−Si
と略す）を使用して形成してもよいし、ａ−Si:Hを使用
して障壁層を構成することも可能である。障壁層22の厚
みは100Å乃至10μｍが好ましい。
μｃ−Siは、以下のような物性上の特徴により、ａ−S
i:H及びポリクリスタリンシリコン（多結晶シリコン）
から明確に区別される。即ち、Ｘ線回折測定において
は、ａ−Si:Hは、無定形であるため、ハローのみが現
れ、回折パターンを認めることができないが、μｃ−Si
は、２θが28乃至28.5゜付近にある結晶回折パターンを
示す。また、ポリクリスタリンシリコンは暗抵抗が106
Ω・cmであるのに対し、μｃ−Siは1010Ω・cm以上の暗
抵抗を有するように調整することができる。このμｃ−
Siは粒径が約数十オングストローム以上である微結晶の
シリコンと非晶質のシリコンとの混合相により形成され
ている。
i:H及びポリクリスタリンシリコン（多結晶シリコン）
から明確に区別される。即ち、Ｘ線回折測定において
は、ａ−Si:Hは、無定形であるため、ハローのみが現
れ、回折パターンを認めることができないが、μｃ−Si
は、２θが28乃至28.5゜付近にある結晶回折パターンを
示す。また、ポリクリスタリンシリコンは暗抵抗が106
Ω・cmであるのに対し、μｃ−Siは1010Ω・cm以上の暗
抵抗を有するように調整することができる。このμｃ−
Siは粒径が約数十オングストローム以上である微結晶の
シリコンと非晶質のシリコンとの混合相により形成され
ている。
このようなμｃ−Siを有する光導電は、ａ−Si:Hと同様
に、高周波グロー放電分解法により、シランガスを原料
として、導電性支持体上にμｃ−Si:Hを堆積させること
により製造することができる。この場合に、支持体の温
度をａ−Si:Hを形成する場合よりも高く設定し、高周波
電力もａ−Si:Hの場合よりも高く設定すると、μｃ−S
i:Hを形成しやすくなる。また、支持体温度及び高周波
電力を高くすることにより、シランガスなどの原料ガス
の流量を増大させることができ、その結果、成膜速度を
早くすることができる。また、原料ガスのSiH4及びSi2H
6等の高次のシランガスを水素で希釈したガスを使用す
ることにより、μｃ−Si:Hを一層高効率で形成すること
ができる。
に、高周波グロー放電分解法により、シランガスを原料
として、導電性支持体上にμｃ−Si:Hを堆積させること
により製造することができる。この場合に、支持体の温
度をａ−Si:Hを形成する場合よりも高く設定し、高周波
電力もａ−Si:Hの場合よりも高く設定すると、μｃ−S
i:Hを形成しやすくなる。また、支持体温度及び高周波
電力を高くすることにより、シランガスなどの原料ガス
の流量を増大させることができ、その結果、成膜速度を
早くすることができる。また、原料ガスのSiH4及びSi2H
6等の高次のシランガスを水素で希釈したガスを使用す
ることにより、μｃ−Si:Hを一層高効率で形成すること
ができる。
μｃ−Si:H及びａ−Si:Hをｐ型にするためには、周期律
表の第III族に属する元素、例えば、ホウ素Ｂ、アルミ
ニウムAl、ガリウムGa、インジウムIn、及びタリウムTl
等をドーピングすることが好ましく、μｃ−Si:H及びａ
−Si:Hをｎ型にするためには、周期律表の第Ｖ属に属す
る元素、例えば、窒素Ｎ、リンＰ、ヒ素As、アンチモン
Sb、及びビスマスBi等をドーピングすることが好まし
い。このｐ型不純物又はｎ型不純物のドーピングによ
り、支持体側から光導電層へ電荷が移動することが防止
される。一方、μｃ−Si:H及びａ−Si:Hに、炭素Ｃ、窒
素Ｎ及び酸素Ｏから選択された少なくとも１種の元素を
含有させることにより、高抵抗の絶縁性障壁層を形成す
ることができる。
表の第III族に属する元素、例えば、ホウ素Ｂ、アルミ
ニウムAl、ガリウムGa、インジウムIn、及びタリウムTl
等をドーピングすることが好ましく、μｃ−Si:H及びａ
−Si:Hをｎ型にするためには、周期律表の第Ｖ属に属す
る元素、例えば、窒素Ｎ、リンＰ、ヒ素As、アンチモン
Sb、及びビスマスBi等をドーピングすることが好まし
い。このｐ型不純物又はｎ型不純物のドーピングによ
り、支持体側から光導電層へ電荷が移動することが防止
される。一方、μｃ−Si:H及びａ−Si:Hに、炭素Ｃ、窒
素Ｎ及び酸素Ｏから選択された少なくとも１種の元素を
含有させることにより、高抵抗の絶縁性障壁層を形成す
ることができる。
光導電層23又は電荷発生層26の上に表面層24が設けられ
ている。光導電層23又は電荷発生層26のａ−Si:H等は、
その屈折率が３乃至3.4と比較的大きいため、表面での
光反射が起きやすい。このような光反射が生じると、光
導電層又は電荷発生層に吸収される光量の割合いが低下
し、光損失が大きくなる。このため、表面層24を設けて
反射を防止することが好ましい。また、表面層24を設け
ることにより、光導電層23又は電荷発生層が26が損傷か
ら保護される。さらに、表面層を形成することにより、
帯電能が向上し、表面に電荷がよくのるようになる。表
面層を形成する材料としては、ａ−SiN:H、ａ−SiO:H、
及びａ−SiC:H等の無機化合物並びにポリ塩化ビニル及
びポリアミド等の有機材料がある。
ている。光導電層23又は電荷発生層26のａ−Si:H等は、
その屈折率が３乃至3.4と比較的大きいため、表面での
光反射が起きやすい。このような光反射が生じると、光
導電層又は電荷発生層に吸収される光量の割合いが低下
し、光損失が大きくなる。このため、表面層24を設けて
反射を防止することが好ましい。また、表面層24を設け
ることにより、光導電層23又は電荷発生層が26が損傷か
ら保護される。さらに、表面層を形成することにより、
帯電能が向上し、表面に電荷がよくのるようになる。表
面層を形成する材料としては、ａ−SiN:H、ａ−SiO:H、
及びａ−SiC:H等の無機化合物並びにポリ塩化ビニル及
びポリアミド等の有機材料がある。
このように構成される電子写真感光体の表面を、コロナ
放電により約500Vの正電圧で帯電させると、例えば、第
２図に示す機能分離型の電子写真感光体の場合には、第
７図に示すように、ポテンシャルバリアが形成される。
本発明における電荷発生層は、ａ−Siとａ−SiNとを交
互に積層して形成されるので、ポテンシャルバリアはａ
−SiNからなる層であり、ポテンシャルの井戸層はａ−S
iからなる層である。この感光体に光（ｈν）が入射す
ると、電荷発生層26の超格子構造で電子と正孔のキャリ
アが発生する。この伝導帯の電子は、感光体中の電界に
より、表面層24側に向けて加速され、正孔は導電性支持
体21側に向けて加速される。この場合に、光学的バンド
ギャップが相違する薄層の境界で発生するキャリアの数
は、バルクで発生するキャリアの数よりも極めて多い。
このため、この超格子構造においては、光感度が高い。
また、ポテンシャルの井戸層においては、量子効果のた
めに、超格子構造でない単一層の場合に比して、キャリ
アの寿命が５乃至10倍と長い。なお、ここで、「量子効
果」とは、異なる層を交互に積層したことにより、キャ
リアの走行性が変化することを示す。通常、ａ−Si層中
における窒素の含有量が多くなるにしたがって、このａ
−Si層中のキャリアの寿命は短くなるので、走行性も小
さくなる。しかしながら、本発明のようにａ−Si層とａ
−SiN層を交互に積層した超格子構造は、ａ−SiNのみか
らなる単層中に含まれるのと、同量の窒素を含有して
も、そのキャリアの走行性は、単層の場合よりも高い。
すなわち、窒素を含有する層と窒素を含有しない層とを
交互に積層することによって周期的にポテンシャルの井
戸層が形成された超格子構造は、同等の厚さを有し、同
量の窒素を含有する単一層と比較して、キャリアの寿命
が長くなる。更に、超格子構造においては、バンドギャ
ップの不連続性により、周期的なバリア層が形成される
が、キャリアはトンネル効果で容易にバイアス層を通り
抜けるので、キャリアの実効移動度はバルクにおける移
動度と同等であり、キャリアの走行性が優れている。以
上のごとく、光学的バンドギャップが相違する薄層を積
層した超格子構造によれば、高光導電特性を得ることが
でき、従来の感光体よりも鮮明な画像を得ることができ
る。
放電により約500Vの正電圧で帯電させると、例えば、第
２図に示す機能分離型の電子写真感光体の場合には、第
７図に示すように、ポテンシャルバリアが形成される。
本発明における電荷発生層は、ａ−Siとａ−SiNとを交
互に積層して形成されるので、ポテンシャルバリアはａ
−SiNからなる層であり、ポテンシャルの井戸層はａ−S
iからなる層である。この感光体に光（ｈν）が入射す
ると、電荷発生層26の超格子構造で電子と正孔のキャリ
アが発生する。この伝導帯の電子は、感光体中の電界に
より、表面層24側に向けて加速され、正孔は導電性支持
体21側に向けて加速される。この場合に、光学的バンド
ギャップが相違する薄層の境界で発生するキャリアの数
は、バルクで発生するキャリアの数よりも極めて多い。
このため、この超格子構造においては、光感度が高い。
また、ポテンシャルの井戸層においては、量子効果のた
めに、超格子構造でない単一層の場合に比して、キャリ
アの寿命が５乃至10倍と長い。なお、ここで、「量子効
果」とは、異なる層を交互に積層したことにより、キャ
リアの走行性が変化することを示す。通常、ａ−Si層中
における窒素の含有量が多くなるにしたがって、このａ
−Si層中のキャリアの寿命は短くなるので、走行性も小
さくなる。しかしながら、本発明のようにａ−Si層とａ
−SiN層を交互に積層した超格子構造は、ａ−SiNのみか
らなる単層中に含まれるのと、同量の窒素を含有して
も、そのキャリアの走行性は、単層の場合よりも高い。
すなわち、窒素を含有する層と窒素を含有しない層とを
交互に積層することによって周期的にポテンシャルの井
戸層が形成された超格子構造は、同等の厚さを有し、同
量の窒素を含有する単一層と比較して、キャリアの寿命
が長くなる。更に、超格子構造においては、バンドギャ
ップの不連続性により、周期的なバリア層が形成される
が、キャリアはトンネル効果で容易にバイアス層を通り
抜けるので、キャリアの実効移動度はバルクにおける移
動度と同等であり、キャリアの走行性が優れている。以
上のごとく、光学的バンドギャップが相違する薄層を積
層した超格子構造によれば、高光導電特性を得ることが
でき、従来の感光体よりも鮮明な画像を得ることができ
る。
第６図は、この発明に係る電子写真感光体をグロー放電
法により製造する装置を示す図である。ガスボンベ1,2,
3,4には、例えば、夫々SiH4,B2H6,H2,CH4等の原料ガス
が収容されている。これらのガスボンベ1,2,3,4内のガ
スは、流量調整用のバルブ６及び配管７を介して混合器
８に供給されるようになっている。各ボンベには、圧力
計５が設置されており、この圧力計５を監視しつつ、バ
ルブ６を調整することにより、混合器８に供給する各原
料ガスの流量及び混合比を調節することができる。混合
器８にて混合されたガスは反応容器９に供給される。反
応容器９の底部11には、回転軸10が鉛直方向の回りに回
転可能に取りつけられており、この回転軸10の上端に、
円板状の支持台12がその面を回転軸10に垂直にして固定
されている。反応容器９内には、円筒状の電極13がその
軸中心を回転軸10の軸中心と一致させて底部11上に設置
されている。感光体のドラム基板14が支持台12上にその
軸中心を回転軸10の軸中心と一致させて載置されてお
り、このドラム基体14の内側には、ドラム基体加熱用の
ヒータ15が配設されている。電極13とドラム基体14との
間には、高周波電源16が接続されており、電極13及びド
ラム基体14間に高周波電流が供給されるようになってい
る。回転軸10はモータ18により回転駆動される。反応容
器９内の圧力は、圧力計17により監視され、反応容器９
は、ゲートバルブ19を介して真空ポンプ等の適宜の排気
手段に連結されている。
法により製造する装置を示す図である。ガスボンベ1,2,
3,4には、例えば、夫々SiH4,B2H6,H2,CH4等の原料ガス
が収容されている。これらのガスボンベ1,2,3,4内のガ
スは、流量調整用のバルブ６及び配管７を介して混合器
８に供給されるようになっている。各ボンベには、圧力
計５が設置されており、この圧力計５を監視しつつ、バ
ルブ６を調整することにより、混合器８に供給する各原
料ガスの流量及び混合比を調節することができる。混合
器８にて混合されたガスは反応容器９に供給される。反
応容器９の底部11には、回転軸10が鉛直方向の回りに回
転可能に取りつけられており、この回転軸10の上端に、
円板状の支持台12がその面を回転軸10に垂直にして固定
されている。反応容器９内には、円筒状の電極13がその
軸中心を回転軸10の軸中心と一致させて底部11上に設置
されている。感光体のドラム基板14が支持台12上にその
軸中心を回転軸10の軸中心と一致させて載置されてお
り、このドラム基体14の内側には、ドラム基体加熱用の
ヒータ15が配設されている。電極13とドラム基体14との
間には、高周波電源16が接続されており、電極13及びド
ラム基体14間に高周波電流が供給されるようになってい
る。回転軸10はモータ18により回転駆動される。反応容
器９内の圧力は、圧力計17により監視され、反応容器９
は、ゲートバルブ19を介して真空ポンプ等の適宜の排気
手段に連結されている。
このように構成される装置により感光体を製造する場合
には、反応容器９内にドラム基体14を設置した後、ゲー
トバルブ19を開にして反応容器９内を約0.1トル（Tor
r）の圧力以下に排気する。次いで、ボンベ1,2,3,4から
所要の反応ガスを所定の混合比で混合して反応容器９内
に導入する。この場合に、反応容器９内に導入するガス
流量は、反応容器９内の圧力が0.1乃至１トルになるよ
うに設定する。次いで、モータ18を作動させてドラム基
体14を回転させ、ヒータ19によりドラム基体14を一定温
度に加熱すると共に、高周波電源16により電極13とドラ
ム基体14との間に高周波電流を供給して、両者間にグロ
ー放電を形成する。これにより、ドラム基体14上にａ−
Si:Hが堆積する。なお、原料ガス中にN2O,NH3,NO2,N2,C
H4,C2H4,O2ガスを使用することにより、これらの元素を
ａ−Si:H中に含有させることができる。
には、反応容器９内にドラム基体14を設置した後、ゲー
トバルブ19を開にして反応容器９内を約0.1トル（Tor
r）の圧力以下に排気する。次いで、ボンベ1,2,3,4から
所要の反応ガスを所定の混合比で混合して反応容器９内
に導入する。この場合に、反応容器９内に導入するガス
流量は、反応容器９内の圧力が0.1乃至１トルになるよ
うに設定する。次いで、モータ18を作動させてドラム基
体14を回転させ、ヒータ19によりドラム基体14を一定温
度に加熱すると共に、高周波電源16により電極13とドラ
ム基体14との間に高周波電流を供給して、両者間にグロ
ー放電を形成する。これにより、ドラム基体14上にａ−
Si:Hが堆積する。なお、原料ガス中にN2O,NH3,NO2,N2,C
H4,C2H4,O2ガスを使用することにより、これらの元素を
ａ−Si:H中に含有させることができる。
このように、この発明に係る電子写真感光体は、クロー
ズドシステムの製造装置で製造することができるため、
人体に対して安全である。また、この電子写真感光体
は、耐熱性、耐湿性及び耐摩耗性が優れているため、長
期に亘り繰り返し使用しても劣化が少なく、寿命が長い
という利点がある。
ズドシステムの製造装置で製造することができるため、
人体に対して安全である。また、この電子写真感光体
は、耐熱性、耐湿性及び耐摩耗性が優れているため、長
期に亘り繰り返し使用しても劣化が少なく、寿命が長い
という利点がある。
次に、この発明に係る電子写真感光体を成膜し、電子写
真特性を試験した結果について説明する。
真特性を試験した結果について説明する。
試験例１ 必要に応じて、干渉防止のために、酸処理、アルカリ処
理及びサンドブラスト処理を施した直径が80mm、幅が35
0mmのアルミニウム製ドラム基体を反応容器内に装着
し、反応容器を約10-5トルの真空度に排気した。ドラム
基体を250℃に加熱し、10rpmで自転させつつ、SiH4ガス
を500SCCM、B2H6ガスをSiH4ガスに対する流量比で1
0-6、CH4ガスを100SCCMという流量で反応容器内に導入
し、反応容器内を１トルに調節した。そして、13.56MHz
の高周波電力を印加してプラズマを生起させ、ｐ型のａ
−SiC:H障壁層を形成した。
理及びサンドブラスト処理を施した直径が80mm、幅が35
0mmのアルミニウム製ドラム基体を反応容器内に装着
し、反応容器を約10-5トルの真空度に排気した。ドラム
基体を250℃に加熱し、10rpmで自転させつつ、SiH4ガス
を500SCCM、B2H6ガスをSiH4ガスに対する流量比で1
0-6、CH4ガスを100SCCMという流量で反応容器内に導入
し、反応容器内を１トルに調節した。そして、13.56MHz
の高周波電力を印加してプラズマを生起させ、ｐ型のａ
−SiC:H障壁層を形成した。
次いで、B2H6/SiH4比を10-7、CH4ガスを０に設定し、50
0Wの高周波電力を投入して20μｍのｉ型ａ−Si:H電荷輸
送層を形成した。
0Wの高周波電力を投入して20μｍのｉ型ａ−Si:H電荷輸
送層を形成した。
その後、放電を一旦停止し、NH3ガス流量を120SCCM導入
し、反応圧力を1.2トルに調節し、500Wの高周波電力を
印加して、50Åのａ−SiN:H薄層を形成した。次いで、S
iH4ガスが500SCCM、B2H6/SiH4が10-7になるように設定
し、500Wの高周波電力を印加して、50Åのａ−Si:H薄層
を形成した。このような操作を繰り返して、250層のａ
−SiN:H薄層と、250層のａ−Si:H層と交互に積層し、ヘ
テロ接合超格子構造の電荷発生層を５μｍ形成した。次
いで、0.5μｍのａ−SiC:H表面層を形成した。
し、反応圧力を1.2トルに調節し、500Wの高周波電力を
印加して、50Åのａ−SiN:H薄層を形成した。次いで、S
iH4ガスが500SCCM、B2H6/SiH4が10-7になるように設定
し、500Wの高周波電力を印加して、50Åのａ−Si:H薄層
を形成した。このような操作を繰り返して、250層のａ
−SiN:H薄層と、250層のａ−Si:H層と交互に積層し、ヘ
テロ接合超格子構造の電荷発生層を５μｍ形成した。次
いで、0.5μｍのａ−SiC:H表面層を形成した。
このようにして形成した感光体表面を約500Vで正帯電
し、白色光を露光すると、この光は電荷発生層で吸収さ
れ、電子正孔対のキャリアが発生する。この試験例にお
いては、多数のキャリアが発生し、キャリアの寿命が高
く、高い走行性が得られた。これにより、鮮明で高品質
の画像が得られた。また、この試験例で製造された感光
体を、繰返し帯電させたところ、転写画像の再現性及び
安定性は極めて良好であり、更に、耐コロナ性、耐湿
性、及び耐摩耗性等の耐久性が優れていることが実証さ
れた。
し、白色光を露光すると、この光は電荷発生層で吸収さ
れ、電子正孔対のキャリアが発生する。この試験例にお
いては、多数のキャリアが発生し、キャリアの寿命が高
く、高い走行性が得られた。これにより、鮮明で高品質
の画像が得られた。また、この試験例で製造された感光
体を、繰返し帯電させたところ、転写画像の再現性及び
安定性は極めて良好であり、更に、耐コロナ性、耐湿
性、及び耐摩耗性等の耐久性が優れていることが実証さ
れた。
試験例２ この試験例においては、試験例１と同様に、ｐ型ａ−Si
C:H障壁層及びｉ型ａ−Si:H電荷輸送層を形成し、その
後、GeH4ガス流量を200SCCMに設定し、反応圧力が1.2ト
ル、高周波電力が500Wの条件でａ−SiGe:H薄層を50Å形
成した。次いで、試験例１と同様にして、ａ−Si:H薄層
を50Å形成した。このような操作を繰返し、250層のａ
−SiGe:H薄層と250層のａ−Si:H薄層とを交互に積層し
て、５μｍのヘテロ接合超格子構造の電荷発生層を形成
した。その後、ａ−SiC:H表面層を0.5μｍ形成した。
C:H障壁層及びｉ型ａ−Si:H電荷輸送層を形成し、その
後、GeH4ガス流量を200SCCMに設定し、反応圧力が1.2ト
ル、高周波電力が500Wの条件でａ−SiGe:H薄層を50Å形
成した。次いで、試験例１と同様にして、ａ−Si:H薄層
を50Å形成した。このような操作を繰返し、250層のａ
−SiGe:H薄層と250層のａ−Si:H薄層とを交互に積層し
て、５μｍのヘテロ接合超格子構造の電荷発生層を形成
した。その後、ａ−SiC:H表面層を0.5μｍ形成した。
このようにして製造された感光体は、半導体レーザの発
振波長である780乃至790nmの長波長光に対しても高い感
度を有する。この感光体を半導体レーザプリンタに搭載
してカールソンプロセスにより画像を形成したところ、
感光体表面の露光量が25erg cm2である場合でも、鮮明
で高解像度の画像を得ることができた。
振波長である780乃至790nmの長波長光に対しても高い感
度を有する。この感光体を半導体レーザプリンタに搭載
してカールソンプロセスにより画像を形成したところ、
感光体表面の露光量が25erg cm2である場合でも、鮮明
で高解像度の画像を得ることができた。
また、この感光体を繰返し帯電したところ、転写画像の
再現性及び安定性が高く、耐コロナ性、耐湿性、及び耐
摩耗性などの耐久性が優れていた。
再現性及び安定性が高く、耐コロナ性、耐湿性、及び耐
摩耗性などの耐久性が優れていた。
なお、上記試験例においては、電荷発生層の厚みが５μ
ｍであったが、これに限らず、１又は３μｍ等に設定し
ても感光体として実用可能である。薄層は、上記試験例
のａ−Si:H、ａ−SiN:H及びａ−SiGe:Hに限らないこは
勿論である。また、薄層の種類は、上記試験例のように
２種類に限らず、３種類以上の薄層を積層しても良く、
要するに、光学的バンドギャップが相違する薄層の境界
を形成すれば良い。
ｍであったが、これに限らず、１又は３μｍ等に設定し
ても感光体として実用可能である。薄層は、上記試験例
のａ−Si:H、ａ−SiN:H及びａ−SiGe:Hに限らないこは
勿論である。また、薄層の種類は、上記試験例のように
２種類に限らず、３種類以上の薄層を積層しても良く、
要するに、光学的バンドギャップが相違する薄層の境界
を形成すれば良い。
［発明の効果］ この発明によれば、光導電層の一部又は全部に光学的バ
ンドギャップが相互に異なる薄層を積層して構成される
超格子構造を使用しているので、可視光から近赤外光の
広い波長領域に亘って高感度であり、キャリアの走行性
が高いと共に、高抵抗で帯電特性が優れた電子写真感光
体を得ることができる。特に、この発明においては、所
定量の水素を含有するアモルファスシリコンと、窒素及
び所定量の水素を含有アモルファスシリコンとを交互に
積層しているので、層の界面において大きなストレスを
発生させず、しかも電荷保持能も低下させないので、最
適な特性を有する優れた感光体を得ることができる。
ンドギャップが相互に異なる薄層を積層して構成される
超格子構造を使用しているので、可視光から近赤外光の
広い波長領域に亘って高感度であり、キャリアの走行性
が高いと共に、高抵抗で帯電特性が優れた電子写真感光
体を得ることができる。特に、この発明においては、所
定量の水素を含有するアモルファスシリコンと、窒素及
び所定量の水素を含有アモルファスシリコンとを交互に
積層しているので、層の界面において大きなストレスを
発生させず、しかも電荷保持能も低下させないので、最
適な特性を有する優れた感光体を得ることができる。
第１図はこの発明の実施例に係る電子写真感光体を示す
断面図、第２図は同じく他の実施例に係る電子写真感光
体を示す断面図、第３図は第１図及び第２図の一部拡大
断面図、第４図及び第５図は超格子構造のエネルギバン
ドを示す図、第６図はこの発明の実施例に係る電子写真
感光体の製造装置を示す図、第７図は感光体のエネルギ
ギャップを示す模式図である。 1,2,3,4:ボンベ、5:圧力計、6:バルブ、7:配管、8:混合
器、9:反応容器、10:回転軸、13:電極、14:ドラム基
体、15:ヒータ、16:高周波電源、19:ゲートバルブ、21:
導電性支持体、22:障壁層、23:光導電層、24:表面層、2
5:電荷輸送層、26:電荷発生層、31,32:薄層。
断面図、第２図は同じく他の実施例に係る電子写真感光
体を示す断面図、第３図は第１図及び第２図の一部拡大
断面図、第４図及び第５図は超格子構造のエネルギバン
ドを示す図、第６図はこの発明の実施例に係る電子写真
感光体の製造装置を示す図、第７図は感光体のエネルギ
ギャップを示す模式図である。 1,2,3,4:ボンベ、5:圧力計、6:バルブ、7:配管、8:混合
器、9:反応容器、10:回転軸、13:電極、14:ドラム基
体、15:ヒータ、16:高周波電源、19:ゲートバルブ、21:
導電性支持体、22:障壁層、23:光導電層、24:表面層、2
5:電荷輸送層、26:電荷発生層、31,32:薄層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭60−140354（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−193489（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−43653（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】表面の電荷をキャリアにより中和する電子
写真感光体において、 導電性支持体と、 炭素およびホウ素を含むＰ型のアモルファスシリコン層
からなり、前記導電性支持体からのキャリアの注入を防
止する障壁層と、 前記障壁層の上に、0.01〜30原子％の水素を含有し、30
〜200オングストロームの厚みを有する第１のアモルフ
ァスシリコン層と、30〜200オングストロームの厚みを
有し、かつ、窒素及び0.01〜30原子％の水素を含有し、
前記第１のアモルファスシリコン層よりも光学的バンド
ギャップが大きい第２のアモルファスシリコン層とを交
互に積層することにより、前記第１のアモルファスシリ
コン層をポテンシャルの井戸とし、前記第２のアモルフ
ァスシリコン層をポテンシャルのバリアとして、周期的
なポテンシャルの井戸が形成された、光を吸収すること
によりキャリアを発生させる電荷発生層と、 前記障壁層と電荷発生層との間に、ホウ素を含むアモル
ファスシリコン層より構成され、前記電荷発生層におい
て発生したキャリアを前記導電性支持体側に走行させる
電荷輸送層と、 前記電荷輸送層上に形成され、炭素を含むアモルファス
シリコン層からなり、表面に電荷を保持する表面層とを
積層したことを特徴とする電子写真感光体。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61003134A JPH0772803B2 (ja) | 1986-01-10 | 1986-01-10 | 電子写真感光体 |
| US06/948,075 US4722879A (en) | 1986-01-10 | 1986-12-31 | Electrophotographic photoreceptor with super lattice structure |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61003134A JPH0772803B2 (ja) | 1986-01-10 | 1986-01-10 | 電子写真感光体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62161155A JPS62161155A (ja) | 1987-07-17 |
| JPH0772803B2 true JPH0772803B2 (ja) | 1995-08-02 |
Family
ID=11548879
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61003134A Expired - Lifetime JPH0772803B2 (ja) | 1986-01-10 | 1986-01-10 | 電子写真感光体 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4722879A (ja) |
| JP (1) | JPH0772803B2 (ja) |
Families Citing this family (22)
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Family Cites Families (7)
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-
1986
- 1986-01-10 JP JP61003134A patent/JPH0772803B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1986-12-31 US US06/948,075 patent/US4722879A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| US4722879A (en) | 1988-02-02 |
| JPS62161155A (ja) | 1987-07-17 |
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