JPH0773233B2 - Narrowband interference signal remover - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明はスペクトラム拡散（SS）通信方式等に好適な狭
帯域干渉信号の除去装置の改良に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial field of use] The present invention relates to an improvement of a narrowband interference signal removing apparatus suitable for spread spectrum (SS) communication systems and the like.
［発明の概要］ SAWの伝播路に２つのダイオードアレイ群を設け、１つ
のダイオードアレイ群で逆方向に伝播するSAWの信号強
度を検波して入力信号のスペクトラム強度の情報を得る
と共にこれに応じて他のダイオードアレイ群のバイアス
を制御するようにした狭帯域干渉信号の除去装置であ
る。[Summary of the Invention] Two diode array groups are provided in the propagation path of the SAW, and the signal strength of the SAW propagating in the opposite direction is detected by one diode array group to obtain the information of the spectrum strength of the input signal and to respond to it. And a narrow band interference signal removing device for controlling the bias of another diode array group.
［従来の技術］ 広帯域な周波数領域を使うスペクトラム拡散（SS）通信
方式での問題点の一つに高レベルの狭帯域干渉によって
通信不能あるいは誤り率が高くなるという問題がある。
この問題点を解決するために弾性表面波（SAW）を用い
たフィルタが発明されている。[Prior Art] One of the problems in a spread spectrum (SS) communication system that uses a wide frequency band is that communication is impossible or the error rate becomes high due to high level narrow band interference.
To solve this problem, a filter using surface acoustic wave (SAW) has been invented.
本発明者等は、上記問題を解消する手段として、先に特
願昭63−180822号（特開平２−29108号）、特願昭63−2
78769号（特開平２−125511号）及び特願昭63−284884
号（特開平２−131007号）を出願している。The inventors of the present invention have previously proposed Japanese Patent Application No. 63-180822 (Japanese Patent Application Laid-Open No. 2-29108) and Japanese Patent Application No. 63-2 as means for solving the above problems.
78769 (JP-A-2-125511) and Japanese Patent Application No. 63-284884
Japanese patent application (JP-A-2-131007).
［発明が解決しようとする課題］ 上記先願発明では、未だ次のような点で改良の余地があ
る。[Problems to be Solved by the Invention] In the above-mentioned prior invention, there is still room for improvement in the following points.
例えば特願昭63−278769号及び特願昭63−284884号では
狭帯域干渉抑圧の適応動作はSAW素子に設けられたpnダ
イオードアレイの自己バイアス効果を利用して行ってい
るがこの場合、入力信号は比較的大きなパワーを必要と
する。For example, in Japanese Patent Application No. 63-278769 and Japanese Patent Application No. 63-284884, the adaptive operation of the narrow band interference suppression is performed by utilizing the self-bias effect of the pn diode array provided in the SAW element. The signal requires relatively large power.
また特願昭63−180822号では適応機能を有しないプログ
ラマブル・ノッチ・フィルタを用いているため、外部回
路として入力信号モニター回路及びバイアス制御回路が
必要となる。In Japanese Patent Application No. 63-180822, a programmable notch filter having no adaptive function is used, so that an input signal monitor circuit and a bias control circuit are required as external circuits.
また上記先願特許では、素子の動作原理上、Si基板中の
不純物濃度は低い、つまり高抵抗である必要がある。そ
のため高抵抗のシリコン・エピタキシャル層の形成が必
須である。Further, in the above-mentioned prior patent, the impurity concentration in the Si substrate needs to be low, that is, high resistance, from the operating principle of the device. Therefore, the formation of a high resistance silicon epitaxial layer is essential.
［発明の目的］ 本発明の目的はスペクトラム拡散通信方式等で有用な狭
帯域干渉抑圧の適応システムの高性能化を図ることであ
る。[Object of the Invention] An object of the present invention is to improve the performance of an adaptive system for narrowband interference suppression, which is useful in spread spectrum communication systems and the like.
［課題を解決するための手段］ 本発明は上記目的を達成するため、第１導電型高抵抗シ
リコン基板と、絶縁膜と、圧電膜とを含む積層体と、上
記圧電体上に形成され、入力信号を周波数分類し複数の
伝播路を発生せしめる入力トランスデューサと、上記圧
電体上に形成され、各伝播路に伝播された弾性表面波か
ら出力信号を得る出力トランスデューサと、上記各伝播
路上に夫々対応する上記圧電体上に形成されたゲート電
極群と、上記第１導電型シリコン基板表面側であって、
各入出力トランスデューサに挟まれた区域に夫々形成さ
れた第１のPNダイオードアレイ群と、上記第１導電型シ
リコン基板表面側であって、各入力トランスデューサに
対し、上記各第１のダイオードアレイ群の反対側に形成
された第２のPNダイオードアレイ群と、該第２のPNダイ
オードアレイから夫々独立に引き出された検出端子と、
上記第１のPNダイオードアレイから夫々独立に引き出さ
れたバイアス印加用端子と、を含むことを要旨とする。[Means for Solving the Problems] In order to achieve the above-mentioned object, the present invention is formed on the above-mentioned piezoelectric body, and a laminated body including a first conductivity type high resistance silicon substrate, an insulating film and a piezoelectric film. An input transducer that classifies an input signal by frequency to generate a plurality of propagation paths, an output transducer that is formed on the piezoelectric body and obtains an output signal from a surface acoustic wave propagated to each propagation path, and each of the above propagation paths. A corresponding group of gate electrodes formed on the piezoelectric body, and a surface side of the first conductivity type silicon substrate,
A first PN diode array group formed in an area sandwiched between the input / output transducers, and the first diode array group on the front surface side of the first conductivity type silicon substrate for each input transducer. A second PN diode array group formed on the opposite side of, and detection terminals independently drawn from the second PN diode array,
The gist of the present invention is to include bias applying terminals that are independently drawn from the first PN diode array.
［作用］ 本発明は先願特許の構成に入力信号のスペクトラム強度
をモニターする機能を付加したものである。従来の素子
では、入力トランスデューサで励振される双方向に伝播
するSAWのうち、一方の信号強度を伝播路に設けたpnダ
イオードアレイで制御していた。すなわち逆方向に伝播
するSAWは利用されていない。[Operation] The present invention adds the function of monitoring the spectrum intensity of the input signal to the configuration of the prior application. In the conventional element, one of the SAWs propagating in both directions excited by the input transducer was controlled by the pn diode array provided in the propagation path. That is, SAW propagating in the opposite direction is not used.
本発明はこの逆方向に伝播するSAWの信号強度を、pnダ
イオードで検波し、入力信号のスペクトラム強度の情報
を得て、フィードバック回路により伝播制御を実際の使
用状況にそくして、任意の電波環境に応じて適応的に行
えるよう改良したものである。The present invention detects the signal strength of the SAW propagating in the opposite direction with a pn diode, obtains the information of the spectrum strength of the input signal, and uses a feedback circuit to adjust the propagation control to the actual use situation, and to obtain an arbitrary radio wave environment. It has been improved so that it can be adaptively performed according to.
また、Si基板の構成はプロセスを簡易化するために、エ
ピタキシャル層を形成せず、高抵抗Si基板のみの構成で
ある。In order to simplify the process, the Si substrate has no epitaxial layer and has only a high-resistance Si substrate.
［実施例］ 以下図面に示す一実施例を参照して本発明を説明する。
第１図は本発明による狭帯域干渉信号の除去装置のある
一つの中心周波数をもつ１チャンネル分のSAW素子の構
成を示している。[Embodiment] The present invention will be described below with reference to an embodiment shown in the drawings.
FIG. 1 shows a structure of a SAW element for one channel having one center frequency, which is provided with a device for removing a narrow band interference signal according to the present invention.
同図において、１は高抵抗ｐ（ｎ）Si単結晶基板、２は
その基板上に形成された熱酸化膜層、３はその熱酸化膜
層上に形成されたZnO圧電薄膜、4,5,6はその上に形成さ
れた金属電極で各々入力用表面波櫛形トランスデュー
サ、出力用表面波櫛形トランスデューサ及びゲート電極
である。７はトランスデューサ金属電極下のｐ（ｎ）型
Si内に形成された高濃度不純物拡散領域であり、トラン
スデューサの励振効率を向上させる役目を果たすもので
ある。８はゲート電極６の下のｐ（ｎ）型Si基板１内に
形成されたn+（p+）不純物拡散領域であり、９はゲート
電極６の下のｐ（ｎ）型Si基板１内に形成されたp
+（n+）不純物拡散領域であり、SAW伝播路にそって第１
のpnダイオードアレイが形成されている。このpnダイオ
ードアレイの動作は先願特許で示したように、ダイオー
ドバイアスの制御でシリコン基板内のキャリア密度が制
御され、SAWとキャリアとの相互作用によりSAWの減衰定
数を100dB/cm以上も大きく変化させる役目を果たしてい
る。つまりチャンネルのオン・オフを高速に行う機能が
ある。10は入力トランスデューサの外側ｐ（ｎ）型Si基
板１内に形成されたｎ（ｐ）不純物拡散領域であり、第
２のpnダイオードアレイが形成される。11はpnダイオー
ドアレイに接続された抵抗、12はDC電源である。13は入
力信号がSAWに変換され、第２のpnダイオードアレイで
検波された電圧信号モニター端子であり、そのチャンネ
ル（周波数範囲）内の入力信号の強度（電力）が電圧変
化として観測される端子である。14は第１のpnダイオー
ドアレイのバイアス制御端子である。In the figure, 1 is a high resistance p (n) Si single crystal substrate, 2 is a thermal oxide film layer formed on the substrate, 3 is a ZnO piezoelectric thin film formed on the thermal oxide film layer, 4,5 Reference numerals 6 denote metal electrodes formed thereon, which are a surface acoustic wave comb transducer, an output surface acoustic wave comb transducer, and a gate electrode, respectively. 7 is a p (n) type under the transducer metal electrode
It is a high-concentration impurity diffusion region formed in Si and serves to improve the excitation efficiency of the transducer. Reference numeral 8 is an n + (p + ) impurity diffusion region formed in the p (n) type Si substrate 1 under the gate electrode 6, and 9 is in the p (n) type Si substrate 1 under the gate electrode 6. Formed on p
+ (N + ) Impurity diffusion region, first along the SAW propagation path
A pn diode array is formed. The operation of this pn diode array is that the carrier density in the silicon substrate is controlled by controlling the diode bias and the SAW attenuation coefficient is increased by 100 dB / cm or more due to the interaction between the SAW and the carrier, as shown in the prior patent. It plays a role in changing. In other words, there is a function to turn the channel on and off at high speed. Reference numeral 10 is an n (p) impurity diffusion region formed in the outer p (n) type Si substrate 1 of the input transducer, and forms a second pn diode array. Reference numeral 11 is a resistor connected to the pn diode array, and 12 is a DC power source. Reference numeral 13 is a voltage signal monitor terminal in which the input signal is converted to SAW and detected by the second pn diode array, and the strength (power) of the input signal in the channel (frequency range) is observed as a voltage change. Is. Reference numeral 14 is a bias control terminal of the first pn diode array.
また、図には示していないが、先願の改良型も考えられ
る。この構造は第１図の伝播制御用の第１のpnダイオー
ドアレイの（８及び９）を入力トランスデューサ４下に
まで延長した構成で、これによりさらにフィルタ特性が
向上する。次に、本発明の第２のpnダイオードアレイに
よるSAW信号の検出機能について説明する。入力トラン
スデューサ４の外側に設けられた第２のpnダイオードア
レイ10は抵抗11を介してDC電源12でバイアスされてい
る。SAWの検出感度の最良バイアス点は少し順バイアス
した点にある。入力トランスデューサで変換されたSAW
は第２のpnダイオードアレイ上を伝播しダイオード電位
を空間的、時間的に変調する。第２のpnダイオードのも
つ非線形抵抗によりSAWの信号強度に依存した直流成分
が発生し、モニター端子13の電位が初期のバイアス電位
から逆バイアスへと電圧がシフトする。このシフト量が
入力信号強度に対応する。Although not shown in the figure, the improved version of the prior application is also conceivable. This structure is a structure in which (8 and 9) of the first pn diode array for propagation control of FIG. 1 is extended to below the input transducer 4, which further improves the filter characteristic. Next, the function of detecting the SAW signal by the second pn diode array of the present invention will be described. A second pn diode array 10 provided outside the input transducer 4 is biased by a DC power supply 12 via a resistor 11. The best bias point of the detection sensitivity of SAW is a point with a little forward bias. SAW converted by input transducer
Propagates over the second pn diode array and modulates the diode potential spatially and temporally. Due to the non-linear resistance of the second pn diode, a DC component depending on the signal strength of SAW is generated, and the potential of the monitor terminal 13 shifts from the initial bias potential to the reverse bias. This shift amount corresponds to the input signal strength.
第２図に入力信号の電力とモニター端子のバイアスシフ
ト量の関係を示す。バイアスシフト量はSAWの電力（入
力信号電力）の２乗に比例する。このように入力トラン
スデューサ外側に設けたpnダイオードアレイによってSA
Wのポテンシャルが２乗検波され、ベースバンド信号と
して入力信号強度が得られる。FIG. 2 shows the relationship between the power of the input signal and the bias shift amount of the monitor terminal. The bias shift amount is proportional to the square of the SAW power (input signal power). As described above, SA is provided by the pn diode array provided outside the input transducer.
The potential of W is square-law detected, and the input signal strength is obtained as a baseband signal.
従って各々中心周波数の異なった上述のSAW素子を複数
チャンネル並列に接続して構成することで入力信号の周
波数スペクトル強度分布の情報が容易に得られる。Therefore, the information of the frequency spectrum intensity distribution of the input signal can be easily obtained by connecting the above-mentioned SAW elements each having a different center frequency by connecting a plurality of channels in parallel.
第３図に上述した構造のSAW素子をｎチャンネルを並列
接続して成る狭帯域干渉抑圧フィルタシステムの構成例
を示す。以後この狭帯域干渉抑圧フィルタをAISF（Adap
tive Interference Suppression Filter）と呼ぶことに
する。FIG. 3 shows a configuration example of a narrow band interference suppression filter system in which n-channels of SAW elements having the above-described structure are connected in parallel. After that, this narrow band interference suppression filter was
tive Interference Suppression Filter).
第３図中の入力トランスデューサ群17と第２のpnダイオ
ードアレイ群20で構成されている部分が、入力スペクト
ラムの強度分布をモニターする部分である。入出力トラ
ンスデューサ群17,18が入力信号を周波数に応じて分類
し、伝播させて、再び合成する分類フィルタ（sorting
filter）の機能を果たしている。The portion composed of the input transducer group 17 and the second pn diode array group 20 in FIG. 3 is a portion for monitoring the intensity distribution of the input spectrum. Input / output transducer groups 17 and 18 classify input signals according to frequency, propagate them, and synthesize them again.
filter) function.
各チャンネル毎に設けられたSAW伝播路上の第１のpnダ
イオードアレイ群19が各チャンネルのSAWの減衰定数を
制御する。The first pn diode array group 19 on the SAW propagation path provided for each channel controls the SAW attenuation constant of each channel.
第３図のAISFシステムの動作は次の通りである。入力信
号が入力トランスデューサ群17でSAWに変換され、第２
のpnダイオードアレイ群20のバイアスシフト量をモニタ
ーしてそれに応じて、伝播制御用の第１のpnダイオード
のバイアス電圧をバイアス制御回路21が制御する。The operation of the AISF system in Fig. 3 is as follows. The input signal is converted to SAW by the input transducer group 17, and the second
The bias control circuit 21 controls the bias voltage of the first pn diode for propagation control in accordance with the amount of bias shift of the pn diode array group 20 monitored.
このバイアス制御回路21の機能は、各チャンネルの信号
強度に応じた第２のpnダイオード20のバイアスシフト量
を増幅し、シフト量が大きいチャンネルのpnダイオード
19のバイアスを逆方向にバイアスすることである。また
は、単に増幅するだけでなく、あるしきい値を設定し
て、比較器により第１のpnダイオード19のバイアスをON
（順方向バイアス）、OFF（逆方向バイアス）する機能
を有する。The function of the bias control circuit 21 is to amplify the bias shift amount of the second pn diode 20 according to the signal strength of each channel, and to increase the shift amount of the pn diode of the channel.
Biasing 19 biases in the opposite direction. Or, instead of simply amplifying, set a certain threshold and turn on the bias of the first pn diode 19 by the comparator.
It has the functions of (forward bias) and OFF (reverse bias).
第１図、第３図をみるとわかるように、第３図のAISFシ
ステムは同一Si基板上にモノリシックに集積できる利点
を有しており、システムの高性能化と共に小型化も図れ
る。As can be seen from FIGS. 1 and 3, the AISF system of FIG. 3 has the advantage that it can be monolithically integrated on the same Si substrate, and the system can be made highly efficient and compact.
第４図はAISFシステムの信号処理の流れを説明してい
る。（ａ）は広帯域のSS−DS信号（Ａ）に狭帯域干渉波
（B,C）が加わった入力信号スペクトルを示している。FIG. 4 illustrates the signal processing flow of the AISF system. (A) shows an input signal spectrum in which a narrow band interference wave (B, C) is added to a wide band SS-DS signal (A).
干渉波B,Cの周波数に相当するチャンネル番号k,mが検出
されその環境に適応してAISFのフィルタ特性が（ｂ）に
示すようにk,mチャンネル部にノッチが形成された特性
となる。この特性をもつAISFの出力信号のスペクトラム
は干渉波B,Cが抑圧されたスペクトラム（ｃ）となる。The channel numbers k and m corresponding to the frequencies of the interference waves B and C are detected, and the AISF filter characteristic becomes a characteristic in which a notch is formed in the k and m channel portions as shown in (b) according to the environment. . The spectrum of the output signal of the AISF having this characteristic becomes the spectrum (c) in which the interference waves B and C are suppressed.
第５図は第３図のAISFシステムをDS−SSシステムの受信
部の入力段に組み込んだシステム構成例を示す。AISFシ
ステム30は相関器の前段に設けられ、その前段にAGC（a
uto gain control）回路31が設けられている。このシス
テムの構成例では、AISFシステム30の出力をフィードバ
ックしてAGC31により増幅器のゲイン制御が行われる。B
PF32はバインドパスフィルタである。AISFシステムを設
けないで、AGC回路を設けると大電力の狭帯域干渉波が
あると、その干渉信号自体でゲイン制御をするためDS−
SS通信システムでは通信不能あるいは誤り率の増大など
の問題がおこる。しかしAISFシステム30を設けると、干
渉波を抑圧した信号すなわちスペクトラム拡散信号自体
の信号強度に応じてゲイン制御が可能となりDS−SSシス
テムの機能が飛躍的に向上する。FIG. 5 shows an example of system configuration in which the AISF system of FIG. 3 is incorporated in the input stage of the receiver of the DS-SS system. The AISF system 30 is installed in the front stage of the correlator, and the AGC (a
An auto gain control circuit 31 is provided. In the configuration example of this system, the output of the AISF system 30 is fed back to control the gain of the amplifier by the AGC 31. B
PF32 is a bind pass filter. If an AGC circuit is installed without an AISF system and there is a high-power narrow-band interference wave, the DS-
In SS communication system, problems such as communication failure or increase in error rate occur. However, when the AISF system 30 is provided, gain control can be performed according to the signal strength of the signal in which the interference wave is suppressed, that is, the spread spectrum signal itself, and the function of the DS-SS system is dramatically improved.
なお、第６図及は第１図の実施例の変形例で、第２のダ
イオードアレイ10に対応してZnO圧電薄膜上にゲート電
極６′を設けている。6 and 8 show a modification of the embodiment shown in FIG. 1, in which a gate electrode 6'is provided on the ZnO piezoelectric thin film corresponding to the second diode array 10.
［発明の効果］ 以上説明した通り、本発明によればAISFシステムとして
次のような効果が得られる。[Effects of the Invention] As described above, according to the present invention, the following effects can be obtained as an AISF system.
（１）ダイオードのバイアス制御でフィルタのノッチ特
性を制御するため応答時間が極めて速い。(1) The response time is extremely fast because the notch characteristic of the filter is controlled by the diode bias control.
（２）入力信号のスペクトルを検出してダイオードのバ
イアス制御を行うため高感度検出により、入力信号の必
要電力を小さくできる。(2) Since the spectrum of the input signal is detected and the bias control of the diode is performed, the required power of the input signal can be reduced by high-sensitivity detection.
（３）狭帯域の高レベル干渉信号の数に制限なく適応的
な抑圧が可能。(3) Adaptive suppression is possible without limiting the number of narrow band high level interference signals.
（４）干渉波の適応抑圧システムがモノリシックで構成
できシステムの簡易化ならびに小型化が図れる。また素
子の生産性も良い。(4) The adaptive suppression system for interference waves can be configured monolithically, and the system can be simplified and downsized. The element productivity is also good.
第１図は本発明の実施例を示す概略図、第２図は上記実
施例における入力信号モニター端子の電圧と入力電力の
関係を示す図、第３図は本発明の狭帯域干渉抑圧をフィ
ルタのシステム構成例を示すブロック図、第４図は該シ
ステムの信号処理の流れを示す図、第５図は第３図のシ
ステムを用いたDS−SSシステムの受信部の一部を示すブ
ロック図、第６図は第１図の実施例の変形例を示す概略
図である。 １……Ｐ（ｎ）型高抵抗Si単結晶基板、２……シリコン
酸化膜、３……ZnO圧電薄膜、４……入力トランスデュ
ーサ、５……出力トランジスタ、6,6′……ゲート電
極、７……高濃度不純物領域、８……n+（P+）不純物拡
散領域（第１のPNダイオードアレイ）、９……p+（n+）
不純物拡散領域、10……ｎ（ｐ）不純物拡散領域（第２
のPNダイオードアレイ）、11……抵抗、12……DC電源、
13……入力信号モニター端子、14……バイアス制御端
子。FIG. 1 is a schematic diagram showing an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a diagram showing a relationship between a voltage of an input signal monitor terminal and input power in the above embodiment, and FIG. 3 is a filter for narrow band interference suppression of the present invention. FIG. 4 is a block diagram showing an example of the system configuration of FIG. 4, FIG. 4 is a diagram showing a flow of signal processing of the system, and FIG. , FIG. 6 is a schematic view showing a modification of the embodiment of FIG. 1 ... P (n) type high resistance Si single crystal substrate, 2 ... silicon oxide film, 3 ... ZnO piezoelectric thin film, 4 ... input transducer, 5 ... output transistor, 6,6 '... gate electrode, 7 ... High-concentration impurity region, 8 ... n + (P + ) impurity diffusion region (first PN diode array), 9 ... p + (n + )
Impurity diffusion region, 10 ... n (p) impurity diffusion region (second
PN diode array), 11 …… resistor, 12 …… DC power supply,
13 …… Input signal monitor terminal, 14 …… Bias control terminal.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０３Ｈ 9/64 Ｚ 7259−5Ｊ ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code Office reference number FI technical display location H03H 9/64 Z 7259-5J
Claims (2)
と、圧電膜とを含む積層体と、 上記圧電体上に形成され、入力信号を周波数分類し複数
の伝播路を発生せしめる入力トランスデューサと、 上記圧電体上に形成され、各伝播路に伝播された弾性表
面波から出力信号を得る出力トランスデューサと、 上記各伝播路上に夫々対応する上記圧電体上に形成され
たゲート電極群と、 上記第１導電型シリコン高抵抗基板表面側であって、各
入出力トランスデューサに挟まれた区域に夫々形成され
た第１のPNダイオードアレイ群と、 上記第１導電型シリコン高抵抗基板表面側であって、各
入力トランスデューサに対し、上記各第１のダイオード
アレイ群の反対側に形成された第２のPNダイオードアレ
イ群と、 該第２のPNダイオードアレイから夫々独立に引き出され
た検出端子と、 上記第１のPNダイオードアレイから夫々独立に引き出さ
れたバイアス印加用端子と、を含むことを特徴とする狭
帯域干渉信号の除去装置。1. A laminated body including a first conductivity type high resistance silicon substrate, an insulating film, and a piezoelectric film, and an input formed on the piezoelectric body to classify an input signal by frequency and generate a plurality of propagation paths. A transducer, an output transducer formed on the piezoelectric body to obtain an output signal from a surface acoustic wave propagated to each propagation path, and a gate electrode group formed on the piezoelectric body corresponding to each propagation path, A first PN diode array group formed on the surface of the first conductivity type silicon high resistance substrate, which is sandwiched between the input / output transducers, and a surface of the first conductivity type silicon high resistance substrate. A second PN diode array group formed on the opposite side of each of the first diode array groups with respect to each of the input transducers, and the second PN diode array respectively. Apparatus for removing narrowband interference signals, characterized in that it comprises a detection terminal drawn, and bias application terminals drawn out respectively independently of said first PN diode arrays, to.
アス電圧を制御するバイアス制御回路を備えたことを特
徴とする請求項（１）に記載の狭帯域干渉信号の除去装
置。2. The narrow band interference signal removing device according to claim 1, further comprising a bias control circuit for controlling a bias voltage applied to the bias applying terminal.
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1325652A JPH0773233B2 (en) | 1989-12-14 | 1989-12-14 | Narrowband interference signal remover |
| US07/521,142 US5196720A (en) | 1989-05-15 | 1990-05-08 | Narrow band interference signal removing device |
| GB9010364A GB2235105B (en) | 1989-05-15 | 1990-05-09 | Narrow band interference signal removing device |
| FR9006001A FR2650925A1 (en) | 1989-05-15 | 1990-05-14 | DEVICE FOR REMOVING INTERFERENCE SIGNALS ON NARROW BAND |
| DE4015620A DE4015620A1 (en) | 1989-05-15 | 1990-05-15 | DEVICE FOR ELIMINATING NARROWBAND INTERFERENCE SIGNALS |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1325652A JPH0773233B2 (en) | 1989-12-14 | 1989-12-14 | Narrowband interference signal remover |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03185943A JPH03185943A (en) | 1991-08-13 |
| JPH0773233B2 true JPH0773233B2 (en) | 1995-08-02 |
Family
ID=18179212
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1325652A Expired - Lifetime JPH0773233B2 (en) | 1989-05-15 | 1989-12-14 | Narrowband interference signal remover |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0773233B2 (en) |
-
1989
- 1989-12-14 JP JP1325652A patent/JPH0773233B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03185943A (en) | 1991-08-13 |
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