JPH0773416A - Ｍｒ形読出しトランスジューサおよびその読出し方法 - Google Patents
Ｍｒ形読出しトランスジューサおよびその読出し方法Info
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- JPH0773416A JPH0773416A JP6138531A JP13853194A JPH0773416A JP H0773416 A JPH0773416 A JP H0773416A JP 6138531 A JP6138531 A JP 6138531A JP 13853194 A JP13853194 A JP 13853194A JP H0773416 A JPH0773416 A JP H0773416A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/399—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures with intrinsic biasing, e.g. provided by equipotential strips
-
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- G11B5/02—Recording, reproducing, or erasing methods; Read, write or erase circuits therefor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 磁気記録媒体から記録情報を読出すためなど
に使用されるマグネトレジスティブ（ＭＲ）形読出しト
ランスジューサ３０に関し、センス電流の直線性及び該
トランスジューサの感度を向上させることを目的とす
る。 【構成】 マグネトレジスティブ層３８と、該トランス
ジューサに横断方向バイアスを発生する軟質能動層３４
と、該マグネトレジスティブ層と該軟質能動層との間に
形成されるスペーサ層３６と、該軟質能動層に対して横
断する方向に沿ってイクスチェンジ磁界を発生させるた
めに該スペーサ層の反対側において該軟質能動層に隣接
するようにして形成されるイクスチェンジ層３２とをそ
なえ、該イクスチェンジ磁界によって該軟質能動層を磁
気飽和させるに必要なセンス電流が減少される。なお４
８は長さ方向バイアスを発生させるための受動端部領域
で、硬質磁性バイアス層４４と導電体層４２とで構成さ
れる。
に使用されるマグネトレジスティブ（ＭＲ）形読出しト
ランスジューサ３０に関し、センス電流の直線性及び該
トランスジューサの感度を向上させることを目的とす
る。 【構成】 マグネトレジスティブ層３８と、該トランス
ジューサに横断方向バイアスを発生する軟質能動層３４
と、該マグネトレジスティブ層と該軟質能動層との間に
形成されるスペーサ層３６と、該軟質能動層に対して横
断する方向に沿ってイクスチェンジ磁界を発生させるた
めに該スペーサ層の反対側において該軟質能動層に隣接
するようにして形成されるイクスチェンジ層３２とをそ
なえ、該イクスチェンジ磁界によって該軟質能動層を磁
気飽和させるに必要なセンス電流が減少される。なお４
８は長さ方向バイアスを発生させるための受動端部領域
で、硬質磁性バイアス層４４と導電体層４２とで構成さ
れる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、薄膜型の磁気トランス
ジューサヘッドに関する。特に本発明は、マグネトレジ
スティブ層（ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ ｌａ
ｙｅｒ) と、バイアス用の軟質能動層 (Soft active la
yer)とを含む磁気ヘッドに関する。
ジューサヘッドに関する。特に本発明は、マグネトレジ
スティブ層（ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ ｌａ
ｙｅｒ) と、バイアス用の軟質能動層 (Soft active la
yer)とを含む磁気ヘッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、磁気記録データを検出又は読
出すために、マグネトレジスティブ（ＭＲ）センサを使
用することはよく知られている。また一般にバルクハウ
ゼンノイズを除去し、更に該センサの動作範囲を最も直
線性のよい動作範囲内に維持するために、長さ方向バイ
アス（ｌｏｎｇｉｔｕｄｉｎａｌ ｂｉａｓ）および横
断方向バイアス（ｔｒａｎｓｖｅｒｓｅ ｂｉａｓ）を
用いることもよく知られている。米国特許第４，０２
４，４８９号明細書には、硬質磁性バイアス層（hard m
agnetic bias layer) を用いたＭＲセンサについて記載
されている。このセンサにおいては、マグネトレジステ
ィブ（ＭＲ）層と硬質磁性バイアス層とが、横断方向バ
イアスを生成するために、該センサ全体を横切るように
延びている。
出すために、マグネトレジスティブ（ＭＲ）センサを使
用することはよく知られている。また一般にバルクハウ
ゼンノイズを除去し、更に該センサの動作範囲を最も直
線性のよい動作範囲内に維持するために、長さ方向バイ
アス（ｌｏｎｇｉｔｕｄｉｎａｌ ｂｉａｓ）および横
断方向バイアス（ｔｒａｎｓｖｅｒｓｅ ｂｉａｓ）を
用いることもよく知られている。米国特許第４，０２
４，４８９号明細書には、硬質磁性バイアス層（hard m
agnetic bias layer) を用いたＭＲセンサについて記載
されている。このセンサにおいては、マグネトレジステ
ィブ（ＭＲ）層と硬質磁性バイアス層とが、横断方向バ
イアスを生成するために、該センサ全体を横切るように
延びている。
【０００３】ところでディスク装置を設計する際の１つ
の課題は、トラック幅の狭い記録媒体、すなわちトラッ
ク密度の高い記録媒体へのデータの記録を容易にするた
めに、サイズが小型化されたＭＲセンサを使用すること
にある。１例として、Krounbi 等に特許された米国特許
第５，０１８，０３７号明細書には、中央能動領域 (ce
ntral active region)および各受動端部領域 (passive
end regions)をそなえたマグネトレジスティブ（ＭＲ）
形読出しトランスジューサについて記載されている。
の課題は、トラック幅の狭い記録媒体、すなわちトラッ
ク密度の高い記録媒体へのデータの記録を容易にするた
めに、サイズが小型化されたＭＲセンサを使用すること
にある。１例として、Krounbi 等に特許された米国特許
第５，０１８，０３７号明細書には、中央能動領域 (ce
ntral active region)および各受動端部領域 (passive
end regions)をそなえたマグネトレジスティブ（ＭＲ）
形読出しトランスジューサについて記載されている。
【０００４】すなわち図２は、上記米国特許第５，０１
８，０３７号明細書に開示されているＭＲ形読出しトラ
ンスジューサ２０を示している。該図２に示されるよう
に、中央能動層領域１６は、非磁性スペーサ層４によっ
て分離されている軟質能動層２とマグネトレジスティブ
（ＭＲ）層６とで構成されている。各受動端部領域１８
には、硬質磁性バイアス層１０と導電体層８とが含まれ
ている。ここで該中央能動領域１６は、各受動端部領域
１８の間に存在するスペースによって規定される。
８，０３７号明細書に開示されているＭＲ形読出しトラ
ンスジューサ２０を示している。該図２に示されるよう
に、中央能動層領域１６は、非磁性スペーサ層４によっ
て分離されている軟質能動層２とマグネトレジスティブ
（ＭＲ）層６とで構成されている。各受動端部領域１８
には、硬質磁性バイアス層１０と導電体層８とが含まれ
ている。ここで該中央能動領域１６は、各受動端部領域
１８の間に存在するスペースによって規定される。
【０００５】ここで各受動端部領域１８は長さ方向（ｌ
ｏｎｇｉｔｕｄｉｎａｌ）バイアス磁界を生成し、一
方、横断方向（ｔｒａｎｓｖｅｒｓｅ）バイアス磁界は
該中央能動領域１６のうちの少なくとも１部分に生成さ
れる。すなわち、横断方向のバイアスは、センス電流が
該軟質能動層２を通過するときに発生する。そのバイア
スはヒステリシスの影響を少なくとも部分的に補償する
ので、これによって、該トランスジューサ内で発生され
る信号の直線性と感度とが改善される。このように、該
ＭＲセンサの各端部領域１８には、長さ方向バイアスを
発生するための硬質磁性バイアス層１０が含まれてい
る。一方、中央能動領域１６には、横断方向バイアスを
発生する軟質能動層（ＳＡＬ）２が含まれている。この
ようにして上記米国特許に開示された発明によれば、幅
の狭いトラック上に高い記録密度で記録されているデー
タを読出すように、該トランスジューサを小型化するこ
とが可能となる。
ｏｎｇｉｔｕｄｉｎａｌ）バイアス磁界を生成し、一
方、横断方向（ｔｒａｎｓｖｅｒｓｅ）バイアス磁界は
該中央能動領域１６のうちの少なくとも１部分に生成さ
れる。すなわち、横断方向のバイアスは、センス電流が
該軟質能動層２を通過するときに発生する。そのバイア
スはヒステリシスの影響を少なくとも部分的に補償する
ので、これによって、該トランスジューサ内で発生され
る信号の直線性と感度とが改善される。このように、該
ＭＲセンサの各端部領域１８には、長さ方向バイアスを
発生するための硬質磁性バイアス層１０が含まれてい
る。一方、中央能動領域１６には、横断方向バイアスを
発生する軟質能動層（ＳＡＬ）２が含まれている。この
ようにして上記米国特許に開示された発明によれば、幅
の狭いトラック上に高い記録密度で記録されているデー
タを読出すように、該トランスジューサを小型化するこ
とが可能となる。
【０００６】また磁気記録の分野で直面する他の課題
は、上述したようなサイズが小型化された読出しトラン
スジューサにおいては、そのセンス電流を上記軟質能動
層を磁気飽和させるに足る大きさとすることが困難であ
ることにある。この場合、上記した米国特許５，０１
８，０３７号明細書に開示されたセンサでは、上記ＭＲ
層６と軟質能動層（ＳＡＬ）２とのモーメント比を適宜
設定することによって、該センサにセンス電流が印加さ
れたときに、該軟質能動層（ＳＡＬ）の磁気飽和に役立
たせるようにされている。しかしかかるセンサでは、該
軟質能動層（ＳＡＬ）を飽和させるに必要な電流が１０
ミリアンペア程度のオーダーとなる。しかしながら、あ
る種の用途では、かかるセンス電流の大きさは特に好ま
しくない。かかる用途ではしばしば小型のディスク装置
とギャップの狭いセンサとが用いられるので、該軟質能
動層を適度に飽和させるに必要な電流の密度が高くなっ
てしまう。
は、上述したようなサイズが小型化された読出しトラン
スジューサにおいては、そのセンス電流を上記軟質能動
層を磁気飽和させるに足る大きさとすることが困難であ
ることにある。この場合、上記した米国特許５，０１
８，０３７号明細書に開示されたセンサでは、上記ＭＲ
層６と軟質能動層（ＳＡＬ）２とのモーメント比を適宜
設定することによって、該センサにセンス電流が印加さ
れたときに、該軟質能動層（ＳＡＬ）の磁気飽和に役立
たせるようにされている。しかしかかるセンサでは、該
軟質能動層（ＳＡＬ）を飽和させるに必要な電流が１０
ミリアンペア程度のオーダーとなる。しかしながら、あ
る種の用途では、かかるセンス電流の大きさは特に好ま
しくない。かかる用途ではしばしば小型のディスク装置
とギャップの狭いセンサとが用いられるので、該軟質能
動層を適度に飽和させるに必要な電流の密度が高くなっ
てしまう。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上述したよう
な課題を解決するためになされたもので、その１つの目
的は、バイアス用の軟質能動層に対して小さなセンス電
流しか必要としないようなマグネトレジスティブ形（Ｍ
Ｒ形）読出しトランスジューサを提供することにある。
な課題を解決するためになされたもので、その１つの目
的は、バイアス用の軟質能動層に対して小さなセンス電
流しか必要としないようなマグネトレジスティブ形（Ｍ
Ｒ形）読出しトランスジューサを提供することにある。
【０００８】また本発明の他の目的は、バイアス用の軟
質能動層をそなえたＭＲ形読出しトランスジューサを動
作させるに必要な電力を減少させることにある。
質能動層をそなえたＭＲ形読出しトランスジューサを動
作させるに必要な電力を減少させることにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段および作用】本発明におい
ては、該ＭＲ形読出しトランスジューサは、基本的に
は、中央能動領域および長さ方向バイアス発生手段で構
成されている。ここで該中央能動領域には、横断方向バ
イアス発生用の軟質能動層が含まれている。更にまた本
発明では、該中央能動領域にイクスチェンジ層（ｅｘｃ
ｈａｎｇｅ ｌａｙｅｒ）が付加されており、かかるイ
クスチェンジ層によって、該中央能動領域を構成する各
層に対して横断する方向に沿ってイクスチェンジ磁界
（ｅｘｃｈａｎｇｅ ｆｉｅｌｄ）が生成される。そし
てかかるイクスチェンジ磁界によって、該トランスジュ
ーサに小さなセンス電流しか印加されていなかったり、
あるいは該センス電流が印加されていない状態において
も、該軟質能動層を磁気飽和させることが可能となる。
なお、長さ方向バイアスは、硬質磁性バイアス層をそな
えた各受動端部領域によって生成される。
ては、該ＭＲ形読出しトランスジューサは、基本的に
は、中央能動領域および長さ方向バイアス発生手段で構
成されている。ここで該中央能動領域には、横断方向バ
イアス発生用の軟質能動層が含まれている。更にまた本
発明では、該中央能動領域にイクスチェンジ層（ｅｘｃ
ｈａｎｇｅ ｌａｙｅｒ）が付加されており、かかるイ
クスチェンジ層によって、該中央能動領域を構成する各
層に対して横断する方向に沿ってイクスチェンジ磁界
（ｅｘｃｈａｎｇｅ ｆｉｅｌｄ）が生成される。そし
てかかるイクスチェンジ磁界によって、該トランスジュ
ーサに小さなセンス電流しか印加されていなかったり、
あるいは該センス電流が印加されていない状態において
も、該軟質能動層を磁気飽和させることが可能となる。
なお、長さ方向バイアスは、硬質磁性バイアス層をそな
えた各受動端部領域によって生成される。
【００１０】好ましくは、本発明における中央能動領域
は、４つの連続層で構成されている。すなわち、マグネ
トレジスティブ（ＭＲ）層は、スペーサ層によって該軟
質能動層から分離形成されている。一方、該イクスチェ
ンジ層（ｅｘｃｈａｎｇｅｌａｙｅｒ）は、該スペーサ
層とは反対側において、該軟質能動層と隣接する位置に
形成されており、これによってイクスチェンジ磁界が発
生される。このイクスチェンジ層は、好ましくは、ニッ
ケル酸化物／コバルト酸化物、又は鉄−マンガン材料で
構成される。
は、４つの連続層で構成されている。すなわち、マグネ
トレジスティブ（ＭＲ）層は、スペーサ層によって該軟
質能動層から分離形成されている。一方、該イクスチェ
ンジ層（ｅｘｃｈａｎｇｅｌａｙｅｒ）は、該スペーサ
層とは反対側において、該軟質能動層と隣接する位置に
形成されており、これによってイクスチェンジ磁界が発
生される。このイクスチェンジ層は、好ましくは、ニッ
ケル酸化物／コバルト酸化物、又は鉄−マンガン材料で
構成される。
【００１１】更に本発明では、記録媒体から磁気記録情
報を読出す新たな方法も提供される。すなわち本発明方
法においては、該トランスジューサ内でセンス電流を発
生させるために、該トランスジューサを該記録媒体に対
し相互の間隔が十分に接近した位置で相対運動が生ずる
ように配置し、また該トランスジューサの少なくとも１
部分に横断方向バイアスを発生させ、更に該トランスジ
ューサに対して横断するようなイクスチェンジ磁界を発
生させることによって、該トランスジューサを動作させ
るに必要なセンス電流を減少するようにされる。
報を読出す新たな方法も提供される。すなわち本発明方
法においては、該トランスジューサ内でセンス電流を発
生させるために、該トランスジューサを該記録媒体に対
し相互の間隔が十分に接近した位置で相対運動が生ずる
ように配置し、また該トランスジューサの少なくとも１
部分に横断方向バイアスを発生させ、更に該トランスジ
ューサに対して横断するようなイクスチェンジ磁界を発
生させることによって、該トランスジューサを動作させ
るに必要なセンス電流を減少するようにされる。
【００１２】
【実施例】図１は、本発明の１実施例としてのＭＲ形読
出しトランスジューサ３０の断面図である。該図１に示
されるように、該トランスジューサ３０には、軟質能動
層３４に隣接してイクスチェンジ層（ｅｘｃｈａｎｇｅ
ｌａｙｅｒ）３２が形成されている。ここで該イクス
チェンジ層３２は、該軟質能動層３４を磁気飽和させる
ために、横断方向バイアスを生成する。なお、ＭＲ３
層、すなわち、スペーサ層３６によって分離されている
軟質能動層３４およびマグネトレジスティブ（ＭＲ）層
３８は、上記図２に示される中央能動層領域１６と実質
的に同等に作用する。しかしながら本発明では、上述し
たように、該軟質能動層（ＳＡＬ）３４に対し磁気的お
よび電気的な連続性を有するようにして上記したイクス
チェンジ層３２が付加されており、該付加されたイクス
チェンジ層３２によって該ＭＲ３層に対して横断するよ
うな磁界が生成される。そしてかかるイクスチェンジ磁
界が生成されることによって、該トランスジューサに比
較的小さいセンス電流しか印加されていなかったり、あ
るいは該センス電流が印加されていない状態において
も、該軟質能動層（ＳＡＬ）３４を磁気飽和させること
が可能となる。
出しトランスジューサ３０の断面図である。該図１に示
されるように、該トランスジューサ３０には、軟質能動
層３４に隣接してイクスチェンジ層（ｅｘｃｈａｎｇｅ
ｌａｙｅｒ）３２が形成されている。ここで該イクス
チェンジ層３２は、該軟質能動層３４を磁気飽和させる
ために、横断方向バイアスを生成する。なお、ＭＲ３
層、すなわち、スペーサ層３６によって分離されている
軟質能動層３４およびマグネトレジスティブ（ＭＲ）層
３８は、上記図２に示される中央能動層領域１６と実質
的に同等に作用する。しかしながら本発明では、上述し
たように、該軟質能動層（ＳＡＬ）３４に対し磁気的お
よび電気的な連続性を有するようにして上記したイクス
チェンジ層３２が付加されており、該付加されたイクス
チェンジ層３２によって該ＭＲ３層に対して横断するよ
うな磁界が生成される。そしてかかるイクスチェンジ磁
界が生成されることによって、該トランスジューサに比
較的小さいセンス電流しか印加されていなかったり、あ
るいは該センス電流が印加されていない状態において
も、該軟質能動層（ＳＡＬ）３４を磁気飽和させること
が可能となる。
【００１３】なお本発明にかかる該ＭＲ形トランスジュ
ーサにおいても、長さ方向バイアス発生手段が含まれて
いる。すなわち該図１には、各受動端部領域４８が示さ
れており、上記各端部領域４８は、該長さ方向バイアス
を好適に発生させるために利用されうる。すなわち上記
各端部領域４８には、硬質磁性バイアス層４４および導
電体層４２が含まれている。ここで該硬質磁性バイアス
層は、例えば、コバルト−クロム合金、コバルト−白金
合金、又はコバルト−クロム−白金合金などのような材
料からなる単一層で構成されうる。あるいはまたかかる
単一層で構成する代りに、タングステン又は金などによ
る下地又は被覆を形成するようにした方が好ましいこと
もある。なお好適な長さ方向バイアス発生手段として
は、上記図１に示されるように、硬質磁性バイアス層お
よび導電体層をそなえた各端部領域が利用されうるが、
本発明では、かかる構成以外にも周知のすべての長さ方
向バイアス発生手段を使用することができ、したがって
本発明は、上記したような硬質磁性バイアス層をそなえ
た各端部領域を有するようなトランスジューサに限定さ
れるものではない。
ーサにおいても、長さ方向バイアス発生手段が含まれて
いる。すなわち該図１には、各受動端部領域４８が示さ
れており、上記各端部領域４８は、該長さ方向バイアス
を好適に発生させるために利用されうる。すなわち上記
各端部領域４８には、硬質磁性バイアス層４４および導
電体層４２が含まれている。ここで該硬質磁性バイアス
層は、例えば、コバルト−クロム合金、コバルト−白金
合金、又はコバルト−クロム−白金合金などのような材
料からなる単一層で構成されうる。あるいはまたかかる
単一層で構成する代りに、タングステン又は金などによ
る下地又は被覆を形成するようにした方が好ましいこと
もある。なお好適な長さ方向バイアス発生手段として
は、上記図１に示されるように、硬質磁性バイアス層お
よび導電体層をそなえた各端部領域が利用されうるが、
本発明では、かかる構成以外にも周知のすべての長さ方
向バイアス発生手段を使用することができ、したがって
本発明は、上記したような硬質磁性バイアス層をそなえ
た各端部領域を有するようなトランスジューサに限定さ
れるものではない。
【００１４】また本発明にかかるイクスチェンジ層３２
は、該ＭＲ３層に対して横断するようなイクスチェンジ
磁界を発生するような材料であれば、各種の材料で構成
されうる。すなわち１例として、該イクスチェンジ層３
２は、ニッケル酸化物およびコバルト酸化物（ＮｉＯ／
ＣｏＯ）からなる絶縁性組成物で構成されうる。この場
合、かかるＮｉＯ／ＣｏＯからなるイクスチェンジ層の
厚さは、好ましくは、ほぼ３００乃至３５０オングスト
ロームとされうる。また他の例として、該イクスチェン
ジ層３２は、鉄−マンガン材料（ＦｅＭｎ）で構成され
うる。この場合、かかるＦｅＭｎからなるイクスチェン
ジ層の厚さは、好ましくは、ほぼ１５０乃至３５０オン
グストロームとされうる。ただし、該イクスチェンジ層
３２を構成する材料の組成およびその層の厚さは、該セ
ンス電流をどの程度減少させた状態で該軟質能動層３４
の磁気飽和を必要とするかに応じて選択されうる。
は、該ＭＲ３層に対して横断するようなイクスチェンジ
磁界を発生するような材料であれば、各種の材料で構成
されうる。すなわち１例として、該イクスチェンジ層３
２は、ニッケル酸化物およびコバルト酸化物（ＮｉＯ／
ＣｏＯ）からなる絶縁性組成物で構成されうる。この場
合、かかるＮｉＯ／ＣｏＯからなるイクスチェンジ層の
厚さは、好ましくは、ほぼ３００乃至３５０オングスト
ロームとされうる。また他の例として、該イクスチェン
ジ層３２は、鉄−マンガン材料（ＦｅＭｎ）で構成され
うる。この場合、かかるＦｅＭｎからなるイクスチェン
ジ層の厚さは、好ましくは、ほぼ１５０乃至３５０オン
グストロームとされうる。ただし、該イクスチェンジ層
３２を構成する材料の組成およびその層の厚さは、該セ
ンス電流をどの程度減少させた状態で該軟質能動層３４
の磁気飽和を必要とするかに応じて選択されうる。
【００１５】また該ＭＲ３層、すなわち該マグネトレジ
スティブ（ＭＲ）層３８、該スペーサ層３６、および該
軟質能動層３４をそれぞれ構成する材料の組成およびそ
の層の厚さは、該トランスジューサが適用される用途に
応じて選択される。ここで、該ＭＲ層３８は、周知の任
意のマグネトレジスティブ材料で構成されうるが、好ま
しくは、該ＭＲ層３８は、例えばニッケル−鉄合金など
を構成材料として、その層の厚さの範囲がほぼ５０乃至
４００オングストロームとなるようにして形成されう
る。一方、該軟質能動層３４は、軟質磁性材料、すなわ
ち弱い磁界のもとでも容易に再磁化されうるような材料
であれば、任意の周知の材料で構成されうる。したがっ
て該軟質能動層（ＳＡＬ）を構成するのに有利な軟質磁
性材料としては、特に限定されるものではないが、例え
ば、ＭＵ−メタル、パーマロイ、ＡＬＦＥＳＩＬ、各種
フェライト、およびホットプレスした各種フェライトな
どが含まれうる。なお、該スペーサ層３６は、導電性材
料又は絶縁性材料で構成されうるが、好ましくは、絶縁
性材料又は非磁性材料で構成される。
スティブ（ＭＲ）層３８、該スペーサ層３６、および該
軟質能動層３４をそれぞれ構成する材料の組成およびそ
の層の厚さは、該トランスジューサが適用される用途に
応じて選択される。ここで、該ＭＲ層３８は、周知の任
意のマグネトレジスティブ材料で構成されうるが、好ま
しくは、該ＭＲ層３８は、例えばニッケル−鉄合金など
を構成材料として、その層の厚さの範囲がほぼ５０乃至
４００オングストロームとなるようにして形成されう
る。一方、該軟質能動層３４は、軟質磁性材料、すなわ
ち弱い磁界のもとでも容易に再磁化されうるような材料
であれば、任意の周知の材料で構成されうる。したがっ
て該軟質能動層（ＳＡＬ）を構成するのに有利な軟質磁
性材料としては、特に限定されるものではないが、例え
ば、ＭＵ−メタル、パーマロイ、ＡＬＦＥＳＩＬ、各種
フェライト、およびホットプレスした各種フェライトな
どが含まれうる。なお、該スペーサ層３６は、導電性材
料又は絶縁性材料で構成されうるが、好ましくは、絶縁
性材料又は非磁性材料で構成される。
【００１６】本発明にかかるトランスジューサ３０は、
周知の任意の方法で製造されうる。なお、かかるトラン
スジューサを製造する方法の１例は、上記米国特許第
５，０１８，０３７号明細書（特に第３乃至第４欄の記
載、および第３乃至第５図参照）に開示されている。な
お、本発明で特に付加される上記イクスチェンジ層３２
も、上記したＭＲ３層（すなわち、ＭＲ層、スペーサ層
および軟質能動層）をそれぞれデポジット形成したのと
同様の手法を利用してデポジット形成されうる。
周知の任意の方法で製造されうる。なお、かかるトラン
スジューサを製造する方法の１例は、上記米国特許第
５，０１８，０３７号明細書（特に第３乃至第４欄の記
載、および第３乃至第５図参照）に開示されている。な
お、本発明で特に付加される上記イクスチェンジ層３２
も、上記したＭＲ３層（すなわち、ＭＲ層、スペーサ層
および軟質能動層）をそれぞれデポジット形成したのと
同様の手法を利用してデポジット形成されうる。
【００１７】なお該アセンブリを構成する各層を支持す
るための基板については、本発明を説明する上で特に説
明を要しないため、図示されていない。以上、上記図１
を参照して本発明の１実施例について詳細に説明した
が、本発明が上記特許請求の範囲の記載の範囲内で、種
々の態様で実施されうることは明らかである。
るための基板については、本発明を説明する上で特に説
明を要しないため、図示されていない。以上、上記図１
を参照して本発明の１実施例について詳細に説明した
が、本発明が上記特許請求の範囲の記載の範囲内で、種
々の態様で実施されうることは明らかである。
【００１８】
【発明の効果】本発明によれば、ＭＲ形読出しトランス
ジューサの感度およびそのセンス電流の直線性を向上さ
せることができる。
ジューサの感度およびそのセンス電流の直線性を向上さ
せることができる。
【図１】本発明の１実施例としてのＭＲ形読出しトラン
スジューサを例示する断面図である。
スジューサを例示する断面図である。
【図２】従来技術としてのＭＲ形読出しトランスジュー
サを例示する断面図である。
サを例示する断面図である。
２０，３０…ＭＲ形読出しトランスジューサ（magnetor
esistive read transducer) １８，４８…受動端部領域 (passive end region) １０，４４…硬質磁性バイアス層 (hard magnetic bias
layer) ８，４２…導電体層 (conductive layer) １６…中央能動層領域 (central active layer region) ２，３４…軟質能動層 (soft active layer) ４，３６…スペーサ層 (spacer layer) ６，３８…マグネトレジスティブ（ＭＲ）層 (magnetor
esistive layer) ３２…イクスチェンジ層 (exchange layer)
esistive read transducer) １８，４８…受動端部領域 (passive end region) １０，４４…硬質磁性バイアス層 (hard magnetic bias
layer) ８，４２…導電体層 (conductive layer) １６…中央能動層領域 (central active layer region) ２，３４…軟質能動層 (soft active layer) ４，３６…スペーサ層 (spacer layer) ６，３８…マグネトレジスティブ（ＭＲ）層 (magnetor
esistive layer) ３２…イクスチェンジ層 (exchange layer)
Claims (9)
- 【請求項１】 磁気記録媒体を通過するときセンス電流
を発生することによって、検出された磁気信号を電気信
号に変換するようにしたＭＲ形読出しトランスジューサ
であって、 マグネトレジスティブ層と、 該トランスジューサに横断方向バイアスを発生する軟質
能動層と、 該マグネトレジスティブ層と該軟質能動層との間に形成
されたスペーサ層と、 該軟質能動層に対して横断する方向に沿ってイクスチェ
ンジ磁界を発生させるために、該スペーサ層の反対側に
おいて該軟質能動層に隣接するようにして形成されたイ
クスチェンジ層とをそなえ、 該軟質能動層を磁気飽和させるに必要なセンス電流を減
少させるようにしたことを特徴とするＭＲ形読出しトラ
ンスジューサ。 - 【請求項２】 該イクスチェンジ層が、ニッケル酸化物
およびコバルト酸化物で構成されている、請求項１に記
載のＭＲ形読出しトランスジューサ。 - 【請求項３】 該イクスチェンジ層の厚さが、ほぼ３０
０乃至３５０オングストロームとされている、請求項２
に記載のＭＲ形読出しトランスジューサ。 - 【請求項４】 該イクスチェンジ層が、鉄−マンガン材
料で構成されている、請求項１に記載のＭＲ形読出しト
ランスジューサ。 - 【請求項５】 該イクスチェンジ層の厚さが、ほぼ１５
０乃至３５０オングストロームとされている、請求項４
に記載のＭＲ形読出しトランスジューサ。 - 【請求項６】 長さ方向バイアス発生用の各端部領域を
更にそなえている、請求項１に記載のＭＲ形読出しトラ
ンスジューサ。 - 【請求項７】 上記各端部領域が、硬質磁性バイアス層
および導電体層をそなえている、請求項６に記載のＭＲ
形読出しトランスジューサ。 - 【請求項８】 記録媒体から磁気記録情報を読出す方法
であって、 長さ方向および横断方向で規定されるとともに軟質能動
層を有するＭＲ形トランスジューサを、該記録媒体との
間隔が該トランスジューサ内にセンス電流を発生させる
に足る間隔となるようにして該記録媒体に近接配置し、 該センス電流の直線性および該トランスジューサの感度
を向上させるように、該トランスジューサの少なくとも
１部分に横断方向バイアスを発生させ、更に、 該トランスジューサに対して横断するようなイクスチェ
ンジ磁界を発生させ、該イクスチェンジ磁界によって、
極小のセンス電流に対しても、該軟質能動層を磁気飽和
させうるようにしたことを特徴とする読出し方法。 - 【請求項９】 該トランスジューサ内に、更に長さ方向
バイアスを発生させるようにした、請求項８に記載の読
出し方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US078917 | 1993-06-21 | ||
| US08/078,917 US5966272A (en) | 1993-06-21 | 1993-06-21 | Magnetoresistive read head having an exchange layer |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0773416A true JPH0773416A (ja) | 1995-03-17 |
Family
ID=22147002
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6138531A Pending JPH0773416A (ja) | 1993-06-21 | 1994-06-21 | Ｍｒ形読出しトランスジューサおよびその読出し方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5966272A (ja) |
| EP (1) | EP0631276A3 (ja) |
| JP (1) | JPH0773416A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6937449B2 (en) | 2001-06-13 | 2005-08-30 | Hitachi, Ltd. | Spin-valve head containing closed-flux-structure domain control films |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0850710A (ja) * | 1994-04-07 | 1996-02-20 | Read Rite Corp | 絶縁酸化物交換層を有する磁気抵抗効果式変換器 |
| TW272283B (ja) * | 1994-04-21 | 1996-03-11 | Ibm | |
| JPH0845029A (ja) * | 1994-08-01 | 1996-02-16 | Alps Electric Co Ltd | 薄膜磁気ヘッド |
| US5508866A (en) * | 1994-08-15 | 1996-04-16 | International Business Machines Corporation | Magnetoresistive sensor having exchange-coupled stabilization for transverse bias layer |
| JPH0887721A (ja) * | 1994-09-16 | 1996-04-02 | Tdk Corp | 磁気変換素子及び薄膜磁気ヘッド |
| US5576914A (en) * | 1994-11-14 | 1996-11-19 | Read-Rite Corporation | Compact read/write head having biased GMR element |
| JPH08221719A (ja) * | 1995-02-16 | 1996-08-30 | Tdk Corp | スピンバルブ磁気抵抗ヘッド及びその製造方法 |
| EP0780833A3 (en) * | 1995-12-20 | 1999-01-07 | Ampex Corporation | Improved magnetic recording system having a saturable layer and detection using MR element |
| KR100434484B1 (ko) * | 1997-12-30 | 2004-07-16 | 삼성전자주식회사 | 소프트 어제이션트 레이어로 바이어스된 자기 저항 헤드 |
| US6583971B1 (en) * | 1999-03-09 | 2003-06-24 | Sae Magnetics (Hk) Ltd. | Elimination of electric-pop noise in MR/GMR device |
| SE513891C2 (sv) * | 1999-03-22 | 2000-11-20 | Ericsson Telefon Ab L M | Ett magnetoresistivt element och ett förfarande för att producera en kristallstruktur |
| JP2001067627A (ja) * | 1999-08-31 | 2001-03-16 | Toshiba Corp | ディスク記憶装置及び同装置に適用する磁気ヘッド装置 |
| US6542341B1 (en) * | 1999-11-18 | 2003-04-01 | International Business Machines Corporation | Magnetic sensors having an antiferromagnetic layer exchange-coupled to a free layer |
| US6636389B2 (en) | 2001-08-03 | 2003-10-21 | International Business Machines Corporation | GMR magnetic transducer with nano-oxide exchange coupled free layers |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4103315A (en) * | 1977-06-24 | 1978-07-25 | International Business Machines Corporation | Antiferromagnetic-ferromagnetic exchange bias films |
| EP0265798B1 (en) * | 1986-10-31 | 1992-12-23 | International Business Machines Corporation | A magnetoresistive read transducer |
| US4713708A (en) * | 1986-10-31 | 1987-12-15 | International Business Machines | Magnetoresistive read transducer |
| US4785366A (en) * | 1987-07-09 | 1988-11-15 | International Business Machine Corporation | Magnetoresistive read transducer having patterned orientation of longitudinal bias |
| US4879619A (en) * | 1988-03-28 | 1989-11-07 | International Business Machines Corporation | Magnetoresistive read transducer |
| DE3820475C1 (ja) * | 1988-06-16 | 1989-12-21 | Kernforschungsanlage Juelich Gmbh, 5170 Juelich, De | |
| US5005096A (en) * | 1988-12-21 | 1991-04-02 | International Business Machines Corporation | Magnetoresistive read transducer having hard magnetic shunt bias |
| US5018037A (en) * | 1989-10-10 | 1991-05-21 | Krounbi Mohamad T | Magnetoresistive read transducer having hard magnetic bias |
| JPH0664719B2 (ja) * | 1989-11-29 | 1994-08-22 | インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーシヨン | 磁気抵抗性の読み出しトランスジユーサ・アセンブリ |
| US5206590A (en) * | 1990-12-11 | 1993-04-27 | International Business Machines Corporation | Magnetoresistive sensor based on the spin valve effect |
| US5315468A (en) * | 1992-07-28 | 1994-05-24 | International Business Machines Corporation | Magnetoresistive sensor having antiferromagnetic layer for exchange bias |
-
1993
- 1993-06-21 US US08/078,917 patent/US5966272A/en not_active Expired - Lifetime
-
1994
- 1994-05-27 EP EP94108224A patent/EP0631276A3/en not_active Withdrawn
- 1994-06-21 JP JP6138531A patent/JPH0773416A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6937449B2 (en) | 2001-06-13 | 2005-08-30 | Hitachi, Ltd. | Spin-valve head containing closed-flux-structure domain control films |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0631276A2 (en) | 1994-12-28 |
| US5966272A (en) | 1999-10-12 |
| EP0631276A3 (en) | 1996-01-31 |
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