JPH0376535B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0376535B2 JPH0376535B2 JP57190181A JP19018182A JPH0376535B2 JP H0376535 B2 JPH0376535 B2 JP H0376535B2 JP 57190181 A JP57190181 A JP 57190181A JP 19018182 A JP19018182 A JP 19018182A JP H0376535 B2 JPH0376535 B2 JP H0376535B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- bias
- cores
- magnetic head
- magnetoresistive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/40—Protective measures on heads, e.g. against excessive temperature
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は磁気抵抗効果型磁気ヘツドに係る。
背景技術とその問題点
磁気抵抗効果（以下MRという）型再生磁気ヘ
ツドにおいて、そのMR素子が磁気媒体との対接
面より後退位置に配置されたリア型磁気ヘツドが
提案されている。このリア型磁気ヘツドは、例え
ば第１図にその要部の拡大略線的平面図を示し、
第２図にそのＡ−Ａ線上の拡大断面図を示すよう
に、例えばNi−Zn系フエライトよりなる磁性基
体１上に、MR素子に対してバイアス磁界を与え
るためのバイアス磁界発生の電流通路となる帯状
導電膜によるバイアス導体２が被着され、これの
上に絶縁層３を介して例えばNi−Fe系合金、或
いはNi−Co系合金薄膜等よりなるMR素子４が
被着形成され、更にこれの上に絶縁層５を介して
Ni−Fe系合金等の磁性層よりなる対の磁気コア
６及び７が、素子４上を横切る方向に、且つ素子
４上において所要の間隔すなわち不連続部Ｇを介
して形成される。一方の磁気コア６の外端部は、
非磁性の絶縁層３及び５の少なくともいずれか一
方を介して磁性基体１と対向し、このコア６と磁
性基体１との間に磁気ギヤツプｇが形成されるよ
うになされる。他方の磁気コア７の外端は、絶縁
層３及び５に穿設された窓を通じて磁性基体１に
連接されるようになされる。そして、これらバイ
アス導体２、MR素子４、磁気コア６及び７を覆
つて非磁性絶縁性保護層８が被覆され、これの上
に接着剤層９によつて保護基体１０が接着され
る。そして、両基体１及び１０の磁気コア６の外
端側が切削研磨されて磁気媒体との対接面１１が
形成される。このようにして磁気ギヤツプｇが対
接面１１に臨みこの磁気ギヤツプｇ及びMR素子
４を含む閉磁路が形成されて磁気ヘツド素子ｈが
構成される。この素子ｈは、例えば共通の基体１
及び１０間に複数個並置形成され、多チヤンネル
型磁気ヘツドが構成される。各磁気ヘツド素子の
閉磁路は磁性基体１−磁気ギヤツプｇ−磁気コア
６−MR素子４−磁気コア７−磁性基体１−によ
つて形成される。すなわち、磁気コア６及び７間
の不連続部ＧにMR素子４が絶縁層５を介して配
置されてなる。
ツドにおいて、そのMR素子が磁気媒体との対接
面より後退位置に配置されたリア型磁気ヘツドが
提案されている。このリア型磁気ヘツドは、例え
ば第１図にその要部の拡大略線的平面図を示し、
第２図にそのＡ−Ａ線上の拡大断面図を示すよう
に、例えばNi−Zn系フエライトよりなる磁性基
体１上に、MR素子に対してバイアス磁界を与え
るためのバイアス磁界発生の電流通路となる帯状
導電膜によるバイアス導体２が被着され、これの
上に絶縁層３を介して例えばNi−Fe系合金、或
いはNi−Co系合金薄膜等よりなるMR素子４が
被着形成され、更にこれの上に絶縁層５を介して
Ni−Fe系合金等の磁性層よりなる対の磁気コア
６及び７が、素子４上を横切る方向に、且つ素子
４上において所要の間隔すなわち不連続部Ｇを介
して形成される。一方の磁気コア６の外端部は、
非磁性の絶縁層３及び５の少なくともいずれか一
方を介して磁性基体１と対向し、このコア６と磁
性基体１との間に磁気ギヤツプｇが形成されるよ
うになされる。他方の磁気コア７の外端は、絶縁
層３及び５に穿設された窓を通じて磁性基体１に
連接されるようになされる。そして、これらバイ
アス導体２、MR素子４、磁気コア６及び７を覆
つて非磁性絶縁性保護層８が被覆され、これの上
に接着剤層９によつて保護基体１０が接着され
る。そして、両基体１及び１０の磁気コア６の外
端側が切削研磨されて磁気媒体との対接面１１が
形成される。このようにして磁気ギヤツプｇが対
接面１１に臨みこの磁気ギヤツプｇ及びMR素子
４を含む閉磁路が形成されて磁気ヘツド素子ｈが
構成される。この素子ｈは、例えば共通の基体１
及び１０間に複数個並置形成され、多チヤンネル
型磁気ヘツドが構成される。各磁気ヘツド素子の
閉磁路は磁性基体１−磁気ギヤツプｇ−磁気コア
６−MR素子４−磁気コア７−磁性基体１−によ
つて形成される。すなわち、磁気コア６及び７間
の不連続部ＧにMR素子４が絶縁層５を介して配
置されてなる。
このような構成において、バイアス導体２にバ
イアス磁界発生用の電流IBを通じてMR素子４に
所要のバイアス磁界を与え、MR素子４に電流Ｉ
を流すことによつて、その各磁気ギヤツプｇに対
接ないしは対向する磁気記録媒体よりのこれに記
録された記録磁化による信号磁界が各MR素子４
に与えられ、これによる抵抗変化に基ずく電気的
信号すなわち再生出力信号が各MR素子４の両端
に得られる。
イアス磁界発生用の電流IBを通じてMR素子４に
所要のバイアス磁界を与え、MR素子４に電流Ｉ
を流すことによつて、その各磁気ギヤツプｇに対
接ないしは対向する磁気記録媒体よりのこれに記
録された記録磁化による信号磁界が各MR素子４
に与えられ、これによる抵抗変化に基ずく電気的
信号すなわち再生出力信号が各MR素子４の両端
に得られる。
ところが、この種磁気ヘツドにおいては、これ
に人体例えば手が磁気ヘツドの端子に或いは磁気
媒体との対接面１１臨む磁気コア６に触れた場合
等において、人体に蓄積されていた静電気の放
電、或いは誘導電位によつてMR素子４及びバイ
アス導体２間、磁気コア６，７及びMR素子４
間、更にはバイアス導体２及び磁気コア６，７間
の各絶緑膜３或いは５を破壊し、各間に絶縁層破
壊を生じさせたり、薄膜のMR素子等の各部に断
線を生じさせて不良品ないしは故障を来す。
に人体例えば手が磁気ヘツドの端子に或いは磁気
媒体との対接面１１臨む磁気コア６に触れた場合
等において、人体に蓄積されていた静電気の放
電、或いは誘導電位によつてMR素子４及びバイ
アス導体２間、磁気コア６，７及びMR素子４
間、更にはバイアス導体２及び磁気コア６，７間
の各絶緑膜３或いは５を破壊し、各間に絶縁層破
壊を生じさせたり、薄膜のMR素子等の各部に断
線を生じさせて不良品ないしは故障を来す。
発明の目的
本発明はこのような欠点を解消した磁気抵抗効
果型磁気ヘツドを提供するものである。
果型磁気ヘツドを提供するものである。
発明の概要
本発明においては、第１図及び第２図で説明し
たようなMR型磁気ヘツドのように閉磁路を形成
する磁気コアの、磁気ギヤツプ以外に形成された
不連続部にMR素子が配合され、このMR素子に
対するバイアス磁界を得るに供するバイアス導体
が配されたMR型磁気ヘツドにおいて、その磁気
コア、MR素子及びバイアス導体を実質的に電気
的に連結する。
たようなMR型磁気ヘツドのように閉磁路を形成
する磁気コアの、磁気ギヤツプ以外に形成された
不連続部にMR素子が配合され、このMR素子に
対するバイアス磁界を得るに供するバイアス導体
が配されたMR型磁気ヘツドにおいて、その磁気
コア、MR素子及びバイアス導体を実質的に電気
的に連結する。
実施例
第３図及び第４図に本発明を多チヤンネル型
MR磁気ヘツドに適用する場合の一例を示す。第
３図はその要部の拡大略線的平面図で、第４図は
そのＢ−Ｂ線上の拡大断面図で、第３図及び第４
図において第１図及び第２図と対応する部分には
同一符を付してその重複説明を省略する。本発明
においては、例えば閉磁路の磁気ギヤツプｇ以外
におけるその不連続部Ｇ、すなわち両磁気コア６
及び７間の間隙に非磁性の導電層よりなる電気的
連結体１２を両コア６及び７間に差し渡つてこれ
らコア６及び７と接触させて被着する。そしてこ
の連結体２、したがつて磁気コア６及び７と、
MR素子４と、バイアス導体２とを実質的に電気
的に電気的に連結する。例えば導体２の一端を例
えば接地電位とMR素子４の一端を接地電位と
し、更に連結体１２、したがつてこの連結体１２
によつて相互に電気的に連結された磁気コア６及
び７を接地電位として実質的にこれらが電気的に
連結されるようにする。また、各MR素子４上の
絶縁層５はきわめて薄い為、連結体１２とMR素
子４との不連続部Ｇでの短絡を防止すべくMR素
子４上の連結体１２を除去してもよい。
MR磁気ヘツドに適用する場合の一例を示す。第
３図はその要部の拡大略線的平面図で、第４図は
そのＢ−Ｂ線上の拡大断面図で、第３図及び第４
図において第１図及び第２図と対応する部分には
同一符を付してその重複説明を省略する。本発明
においては、例えば閉磁路の磁気ギヤツプｇ以外
におけるその不連続部Ｇ、すなわち両磁気コア６
及び７間の間隙に非磁性の導電層よりなる電気的
連結体１２を両コア６及び７間に差し渡つてこれ
らコア６及び７と接触させて被着する。そしてこ
の連結体２、したがつて磁気コア６及び７と、
MR素子４と、バイアス導体２とを実質的に電気
的に電気的に連結する。例えば導体２の一端を例
えば接地電位とMR素子４の一端を接地電位と
し、更に連結体１２、したがつてこの連結体１２
によつて相互に電気的に連結された磁気コア６及
び７を接地電位として実質的にこれらが電気的に
連結されるようにする。また、各MR素子４上の
絶縁層５はきわめて薄い為、連結体１２とMR素
子４との不連続部Ｇでの短絡を防止すべくMR素
子４上の連結体１２を除去してもよい。
尚、上述した例においては、磁性基体１が絶縁
性である場合を説明したが、これが導電性を有す
る場合には、基体１上に絶縁層を被覆してこれの
上にバイアス導体２を形成する。また、上述した
例においては多チヤンネル型磁気ヘツドに適用し
た場合であるが、単チヤンネル型磁気ヘツド等に
本発明を適用することもできる。
性である場合を説明したが、これが導電性を有す
る場合には、基体１上に絶縁層を被覆してこれの
上にバイアス導体２を形成する。また、上述した
例においては多チヤンネル型磁気ヘツドに適用し
た場合であるが、単チヤンネル型磁気ヘツド等に
本発明を適用することもできる。
発明の効果
上述した構成とすることによつて磁気ヘツドに
人体等が触れた場合において、その静電気が磁気
コア６，７、MR素子４、バイアス導体２の各間
に介存された絶縁層を破壊して放電したり、これ
ら絶縁層を介してこれら間に例えば人体の静電気
による誘導電位が掛かり、絶縁破壊を生じさせる
ような事故を回避でき、信頼性の磁気ヘツドを得
ることができる。
人体等が触れた場合において、その静電気が磁気
コア６，７、MR素子４、バイアス導体２の各間
に介存された絶縁層を破壊して放電したり、これ
ら絶縁層を介してこれら間に例えば人体の静電気
による誘導電位が掛かり、絶縁破壊を生じさせる
ような事故を回避でき、信頼性の磁気ヘツドを得
ることができる。
第１図は従来の磁気抵抗効果型磁気ヘツドの要
部の略線的拡大平面図、第２図は第１図のＡ−Ａ
線上の拡大断面図、第３図は本発明による磁気抵
抗効果型磁気ヘツドの一例の要部の略線的拡大平
面図、第４図は第３図のＢ−Ｂ線上の拡大断面図
である。 １は磁性基体、２はバイアス導体、４は磁気抵
抗効果素子、３及び５は絶縁層、６及び７は磁気
コアである。
部の略線的拡大平面図、第２図は第１図のＡ−Ａ
線上の拡大断面図、第３図は本発明による磁気抵
抗効果型磁気ヘツドの一例の要部の略線的拡大平
面図、第４図は第３図のＢ−Ｂ線上の拡大断面図
である。 １は磁性基体、２はバイアス導体、４は磁気抵
抗効果素子、３及び５は絶縁層、６及び７は磁気
コアである。
Claims (1)
- １ 閉磁路を形成する磁気コアの磁気ギヤツプ以
外に形成された不連続部に磁気抵抗効果素子を配
し、さらに該磁気抵抗効果素子にバイアス磁界を
印加するバイアス導体が配されてなる磁気抵抗効
果型磁気ヘツドにおいて、上記磁気コア、上記磁
気抵抗効果素子及び上記バイアス導体が電気的に
連結された磁気抵抗効果型磁気ヘツド。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57190181A JPS5979418A (ja) | 1982-10-29 | 1982-10-29 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
| CA000439693A CA1209260A (en) | 1982-10-29 | 1983-10-25 | Magnetic transducer head using magnetroresistance effect |
| KR1019830005068A KR920001146B1 (ko) | 1982-10-29 | 1983-10-26 | 자기저항효과형 자기헤드 |
| US06/546,060 US4673998A (en) | 1982-10-29 | 1983-10-27 | Magnetic transducer head having series connected magnetroresistance effect sensing element with head output connected between the sensing elements |
| DE8383306602T DE3382532D1 (de) | 1982-10-29 | 1983-10-28 | Magnetwandlerkoepfe, die einen magnetwiderstand-effekt verwenden. |
| EP83306602A EP0107982B1 (en) | 1982-10-29 | 1983-10-28 | Magnetic transducer heads utilising magnetoresistance effect |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57190181A JPS5979418A (ja) | 1982-10-29 | 1982-10-29 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5979418A JPS5979418A (ja) | 1984-05-08 |
| JPH0376535B2 true JPH0376535B2 (ja) | 1991-12-05 |
Family
ID=16253790
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57190181A Granted JPS5979418A (ja) | 1982-10-29 | 1982-10-29 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5979418A (ja) |
| KR (1) | KR920001146B1 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6332715A (ja) * | 1986-07-25 | 1988-02-12 | Nec Kansai Ltd | 磁気抵抗効果ヘツド |
-
1982
- 1982-10-29 JP JP57190181A patent/JPS5979418A/ja active Granted
-
1983
- 1983-10-26 KR KR1019830005068A patent/KR920001146B1/ko not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR920001146B1 (ko) | 1992-02-06 |
| JPS5979418A (ja) | 1984-05-08 |
| KR840006862A (ko) | 1984-12-03 |
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