JPH0774142A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH0774142A JPH0774142A JP21988093A JP21988093A JPH0774142A JP H0774142 A JPH0774142 A JP H0774142A JP 21988093 A JP21988093 A JP 21988093A JP 21988093 A JP21988093 A JP 21988093A JP H0774142 A JPH0774142 A JP H0774142A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diffusion region
- semiconductor
- semiconductor layer
- semiconductor device
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Weting (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 拡散領域をその中央で精度よく劈開させ、分
割する。 【構成】 半導体基板２上に半導体薄膜層３、ブロック
層４を形成し、この後、拡散領域５を形成する。そして
光を照射しつつバッファード弗酸（ＨＦ：Ｈ2 Ｏ2 ：Ｈ
2 Ｏ＝１：１：１０）に浸す。拡散領域５は０．７〜
０．８μｍ／ｍｉｎのレートでエッチングされ、ブロッ
ク層４は殆どエッチングされない。このため拡散領域５
の内、表面に露呈していた部分のみがエッチングされ、
凹部６が形成される。凹部６の端は段差が生じているの
で拡散領域５の位置は両面アライナー等において明確に
把握できる。よって位置合わせの際の目印として利用す
ることができ、拡散領域５の中央に対向して半導体基板
２にガイド溝７を形成することができる。
割する。 【構成】 半導体基板２上に半導体薄膜層３、ブロック
層４を形成し、この後、拡散領域５を形成する。そして
光を照射しつつバッファード弗酸（ＨＦ：Ｈ2 Ｏ2 ：Ｈ
2 Ｏ＝１：１：１０）に浸す。拡散領域５は０．７〜
０．８μｍ／ｍｉｎのレートでエッチングされ、ブロッ
ク層４は殆どエッチングされない。このため拡散領域５
の内、表面に露呈していた部分のみがエッチングされ、
凹部６が形成される。凹部６の端は段差が生じているの
で拡散領域５の位置は両面アライナー等において明確に
把握できる。よって位置合わせの際の目印として利用す
ることができ、拡散領域５の中央に対向して半導体基板
２にガイド溝７を形成することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は半導体装置の製造方法
に関し、特に半導体レーザを製造する技術に関する。
に関し、特に半導体レーザを製造する技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】図５は、拡散による端面窓構造を有する
半導体レーザダイオード１００を例示する斜視図であ
る。但し、構造を明確に示すため、一部を切り欠いて断
面を示している。
半導体レーザダイオード１００を例示する斜視図であ
る。但し、構造を明確に示すため、一部を切り欠いて断
面を示している。
【０００３】半導体レーザダイオード１００は半導体基
板２上に活性層及びこれを挟むクラッド層を含む半導体
薄膜層３が形成され、更にその上にブロック層４が形成
されている。ブロック層４上には電極９が形成されてい
る。
板２上に活性層及びこれを挟むクラッド層を含む半導体
薄膜層３が形成され、更にその上にブロック層４が形成
されている。ブロック層４上には電極９が形成されてい
る。
【０００４】半導体レーザダイオード１００では、端面
での光吸収による発熱に起因する劣化を防ぐため、半導
体薄膜層３やブロック層４よりもバンドギャップの広い
領域Ｚを端面に設け、光が吸収されないようにしてい
る。
での光吸収による発熱に起因する劣化を防ぐため、半導
体薄膜層３やブロック層４よりもバンドギャップの広い
領域Ｚを端面に設け、光が吸収されないようにしてい
る。
【０００５】一方、その反面、この領域Ｚはレーザ発振
の上では損失となるので、その厚さｔを極力薄く（例え
ば１０μｍ程度）する必要があり、その上レーザ特性の
ばらつきが生じないためには領域Ｚの厚さを均一にする
ことが望ましい。
の上では損失となるので、その厚さｔを極力薄く（例え
ば１０μｍ程度）する必要があり、その上レーザ特性の
ばらつきが生じないためには領域Ｚの厚さを均一にする
ことが望ましい。
【０００６】図６乃至図８は半導体レーザダイオード１
００の製造方法を工程順に示す断面図である。まず図６
に示されるように半導体基板２上に活性層及びこれを挟
むクラッド層を含む半導体薄膜層３を形成し、更にブロ
ック層４を半導体薄膜層３上に形成する。この後、開口
部を有する拡散マスク１をブロック層４上に形成し、こ
の開口部から不純物拡散を行って拡散領域５を形成す
る。
００の製造方法を工程順に示す断面図である。まず図６
に示されるように半導体基板２上に活性層及びこれを挟
むクラッド層を含む半導体薄膜層３を形成し、更にブロ
ック層４を半導体薄膜層３上に形成する。この後、開口
部を有する拡散マスク１をブロック層４上に形成し、こ
の開口部から不純物拡散を行って拡散領域５を形成す
る。
【０００７】次に拡散マスク１のみを除去し、電極９の
形成等以後の工程を行う（図７）。そして最後に半導体
基板２のうち、半導体薄膜層３が形成されていないほう
の主面にガイド溝７を設ける。
形成等以後の工程を行う（図７）。そして最後に半導体
基板２のうち、半導体薄膜層３が形成されていないほう
の主面にガイド溝７を設ける。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】このガイド溝７によっ
て半導体基板２、半導体薄膜層３、ブロック層４が劈開
されて半導体レーザダイオード１００が製造される。既
述のようにレーザ特性のばらつきが生じないためには領
域Ｚの厚さを均一にすることが必要であり、そのために
は劈開面８が拡散領域５の中央を通ることが望ましい。
て半導体基板２、半導体薄膜層３、ブロック層４が劈開
されて半導体レーザダイオード１００が製造される。既
述のようにレーザ特性のばらつきが生じないためには領
域Ｚの厚さを均一にすることが必要であり、そのために
は劈開面８が拡散領域５の中央を通ることが望ましい。
【０００９】しかし、劈開面８の位置はガイド溝７によ
って決定する。そしてガイド溝７は、両面アライナー等
を用いて拡散領域５の設けられた側で行われる位置合わ
せに従って形成される。しかし、既に拡散マスク１は除
去されており、この位置合わせは電極や別工程で形成さ
れるパターンを目印にして行われている。このため、ガ
イド溝７を拡散領域５の中央にくるように形成すること
は従来困難であった。
って決定する。そしてガイド溝７は、両面アライナー等
を用いて拡散領域５の設けられた側で行われる位置合わ
せに従って形成される。しかし、既に拡散マスク１は除
去されており、この位置合わせは電極や別工程で形成さ
れるパターンを目印にして行われている。このため、ガ
イド溝７を拡散領域５の中央にくるように形成すること
は従来困難であった。
【００１０】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、拡散領域を容易に、しかも精度
良く示すことを可能とする製造方法を提供することを目
的とする。
ためになされたもので、拡散領域を容易に、しかも精度
良く示すことを可能とする製造方法を提供することを目
的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】この発明にかかる半導体
装置の製造方法は、（ａ）第１及び第２主面を有する半
導体層を準備する工程と、（ｂ）前記半導体層に不純物
を拡散し、前記半導体層の前記第１主面上に露呈する露
呈面を有する拡散領域を選択的に形成する工程と、
（ｃ）前記半導体層の前記第１主面側から前記拡散領域
のエッチングを行い、前記半導体層と前記拡散領域との
境界に段差を設ける工程と、を備える。
装置の製造方法は、（ａ）第１及び第２主面を有する半
導体層を準備する工程と、（ｂ）前記半導体層に不純物
を拡散し、前記半導体層の前記第１主面上に露呈する露
呈面を有する拡散領域を選択的に形成する工程と、
（ｃ）前記半導体層の前記第１主面側から前記拡散領域
のエッチングを行い、前記半導体層と前記拡散領域との
境界に段差を設ける工程と、を備える。
【００１２】望ましくは、前記エッチングは、前記拡散
領域のエッチングレートに比較して前記半導体層のエッ
チングレートが小さいエッチャントを用いて行う。
領域のエッチングレートに比較して前記半導体層のエッ
チングレートが小さいエッチャントを用いて行う。
【００１３】更に望ましくは、前記半導体層は実質的に
ＧａＡｓからなり、前記不純物は実質的にＺｎからな
り、前記エッチャントは緩衝弗酸である。
ＧａＡｓからなり、前記不純物は実質的にＺｎからな
り、前記エッチャントは緩衝弗酸である。
【００１４】更に望ましくは、前記エッチングに際して
は光が照射される。
は光が照射される。
【００１５】また、望ましくは（ｄ）前記段差を目印に
して、前記半導体層に前記第２主面の側から所定の処理
を施す工程、を更に備える。
して、前記半導体層に前記第２主面の側から所定の処理
を施す工程、を更に備える。
【００１６】更に望ましくは、前記所定の処理は、前記
第２主面に溝を形成する処理を含む。
第２主面に溝を形成する処理を含む。
【００１７】更に望ましくは、前記溝は前記拡散領域に
対向して設けられ、前記拡散領域を二分する劈開面を決
定する。
対向して設けられ、前記拡散領域を二分する劈開面を決
定する。
【００１８】
【作用】この発明において、拡散領域は選択的に除去さ
れるので、拡散領域が形成されていない半導体基板との
境界において段差が生じる。この段差によって拡散領域
の位置が明瞭に把握できる。
れるので、拡散領域が形成されていない半導体基板との
境界において段差が生じる。この段差によって拡散領域
の位置が明瞭に把握できる。
【００１９】
【実施例】実施例１：図１乃至図３はこの発明にかかる
半導体装置の製造方法を、半導体レーザダイオードに適
用した場合について工程順に示した断面図である。
半導体装置の製造方法を、半導体レーザダイオードに適
用した場合について工程順に示した断面図である。
【００２０】まず図１に示されるように、従来の場合
（図６）と同様にして、ＧａＡｓからなる半導体基板２
上に、活性層及びＡｌＧａＩｎＰからなるクラッド層を
含む半導体薄膜層３、ＧａＡｓからなるブロック層４並
びにＳｉＮからなる拡散マスク１を形成する。そして拡
散マスク１を介して例えば不純物としてＺｎを拡散させ
て拡散領域５を形成する。例えばその濃度は１０20ｃｍ
-3程度である。
（図６）と同様にして、ＧａＡｓからなる半導体基板２
上に、活性層及びＡｌＧａＩｎＰからなるクラッド層を
含む半導体薄膜層３、ＧａＡｓからなるブロック層４並
びにＳｉＮからなる拡散マスク１を形成する。そして拡
散マスク１を介して例えば不純物としてＺｎを拡散させ
て拡散領域５を形成する。例えばその濃度は１０20ｃｍ
-3程度である。
【００２１】この後、従来の場合（図７）と同様にして
拡散マスク１を除去し（図２）、所定の工程を経た後で
バッファード弗酸（ＨＦ：Ｈ2 Ｏ2 ：Ｈ2 Ｏ＝１：１：
１０）に浸す。この時に光を照射することにより、拡散
領域５が選択的にエッチングされる。Ｚｎが拡散されて
いないＧａＡｓは殆どエッチングされないが、Ｚｎが拡
散された拡散領域５は０．７〜０．８μｍ／ｍｉｎのレ
ートでエッチングされる。
拡散マスク１を除去し（図２）、所定の工程を経た後で
バッファード弗酸（ＨＦ：Ｈ2 Ｏ2 ：Ｈ2 Ｏ＝１：１：
１０）に浸す。この時に光を照射することにより、拡散
領域５が選択的にエッチングされる。Ｚｎが拡散されて
いないＧａＡｓは殆どエッチングされないが、Ｚｎが拡
散された拡散領域５は０．７〜０．８μｍ／ｍｉｎのレ
ートでエッチングされる。
【００２２】このため図３に示すように拡散領域５の
内、表面に露呈していた部分のみがエッチングされ、凹
部６が形成される。凹部６の端は段差が生じているので
拡散領域５の位置は両面アライナー等において明確に把
握できる。よって位置合わせの際の目印として利用する
ことができ、図３に示された構成の素子の上下を逆に
し、下側に拡散領域５及び凹部６がくるようにし、上側
から半導体基板２にガイド溝７を形成することができ
る。このとき、両面アライナーではなく、この素子を透
過する赤外光を用いて位置合わせを行っても凹部６の形
状が把握でき、拡散領域５の位置を把握することができ
る。
内、表面に露呈していた部分のみがエッチングされ、凹
部６が形成される。凹部６の端は段差が生じているので
拡散領域５の位置は両面アライナー等において明確に把
握できる。よって位置合わせの際の目印として利用する
ことができ、図３に示された構成の素子の上下を逆に
し、下側に拡散領域５及び凹部６がくるようにし、上側
から半導体基板２にガイド溝７を形成することができ
る。このとき、両面アライナーではなく、この素子を透
過する赤外光を用いて位置合わせを行っても凹部６の形
状が把握でき、拡散領域５の位置を把握することができ
る。
【００２３】以上のようにして位置合わせを行うことに
より、ガイド溝７を拡散領域５の中央に形成することが
容易となり、拡散領域の幅が狭くても正確に劈開面８の
位置を拡散領域５の中央にもってくることができる。よ
って、半導体レーザダイオードの端面における領域Ｚの
厚さを薄く、かつ均一に形成することができる。
より、ガイド溝７を拡散領域５の中央に形成することが
容易となり、拡散領域の幅が狭くても正確に劈開面８の
位置を拡散領域５の中央にもってくることができる。よ
って、半導体レーザダイオードの端面における領域Ｚの
厚さを薄く、かつ均一に形成することができる。
【００２４】但し、凹部６の形成に用いるエッチャント
は液体である必要はなく、拡散領域５のエッチングレー
トがブロック層４のエッチングレートよりも大きけれ
ば、ガスを用いてエッチングを行ってもよい。
は液体である必要はなく、拡散領域５のエッチングレー
トがブロック層４のエッチングレートよりも大きけれ
ば、ガスを用いてエッチングを行ってもよい。
【００２５】実施例２：なお、この発明は半導体レーザ
ダイオードの端面の形成にのみ適用されるのではない。
また劈開の位置を精度良く与える技術にのみ限定される
ものではない。
ダイオードの端面の形成にのみ適用されるのではない。
また劈開の位置を精度良く与える技術にのみ限定される
ものではない。
【００２６】この発明は半導体層の一部を精度良く除去
する必要がある場合にも適用でき、その効果を発する。
例えば、Ａｓ，Ｐの蒸気圧は高いため、これらを含む半
導体層に不純物を拡散した場合には、その拡散工程にお
ける熱処理において拡散領域の表面に荒れが生じる。こ
れはメタライズ時に付着力の問題を招来して好ましくな
い。このような場合にこの発明を適用することにより、
拡散領域の表面をフラットにすることができる。
する必要がある場合にも適用でき、その効果を発する。
例えば、Ａｓ，Ｐの蒸気圧は高いため、これらを含む半
導体層に不純物を拡散した場合には、その拡散工程にお
ける熱処理において拡散領域の表面に荒れが生じる。こ
れはメタライズ時に付着力の問題を招来して好ましくな
い。このような場合にこの発明を適用することにより、
拡散領域の表面をフラットにすることができる。
【００２７】
【発明の効果】以上に説明したようにこの発明によれ
ば、半導体層の第１主面において、拡散領域の位置を反
映した段差を形成することができる。
ば、半導体層の第１主面において、拡散領域の位置を反
映した段差を形成することができる。
【図１】この発明の一実施例を工程順に説明する断面図
である。
である。
【図２】この発明の一実施例を工程順に説明する断面図
である。
である。
【図３】この発明の一実施例を工程順に説明する断面図
である。
である。
【図４】この発明の一実施例を工程順に説明する断面図
である。
である。
【図５】この発明を適用する半導体レーザダイオードを
示す斜視図である。
示す斜視図である。
【図６】従来の技術を工程順に説明する断面図である。
【図７】従来の技術を工程順に説明する断面図である。
【図８】従来の技術を工程順に説明する断面図である。
２ 半導体基板 ５ 拡散領域 ７ ガイド溝 ８ 劈開面
Claims (7)
- 【請求項１】 （ａ）第１及び第２主面を有する半導体
層を準備する工程と、 （ｂ）前記半導体層に不純物を拡散し、前記半導体層の
前記第１主面上に露呈する露呈面を有する拡散領域を選
択的に形成する工程と、 （ｃ）前記半導体層の前記第１主面側から前記拡散領域
のエッチングを行い、前記半導体層と前記拡散領域との
境界に段差を設ける工程と、 を備える半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 前記エッチングは、前記拡散領域のエッ
チングレートに比較して前記半導体層のエッチングレー
トが小さいエッチャントを用いて行う、請求項１記載の
半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 前記半導体層は実質的にＧａＡｓからな
り、前記不純物は実質的にＺｎからなり、前記エッチャ
ントは緩衝弗酸である請求項２記載の半導体装置の製造
方法。 - 【請求項４】 前記エッチングに際しては光が照射され
る、請求項３記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項５】 （ｄ）前記段差を目印にして、前記半導
体層に前記第２主面の側から所定の処理を施す工程、を
更に備える、請求項１記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項６】 前記所定の処理は、前記第２主面に溝を
形成する処理を含む請求項５記載の半導体装置の製造方
法。 - 【請求項７】 前記溝は前記拡散領域に対向して設けら
れ、前記拡散領域を二分する劈開面を決定する、請求項
６記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21988093A JPH0774142A (ja) | 1993-09-03 | 1993-09-03 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21988093A JPH0774142A (ja) | 1993-09-03 | 1993-09-03 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0774142A true JPH0774142A (ja) | 1995-03-17 |
Family
ID=16742507
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21988093A Pending JPH0774142A (ja) | 1993-09-03 | 1993-09-03 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0774142A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007103433A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-19 | Dowa Holdings Co Ltd | 発光ダイオード及びその製造方法 |
| CN114188820A (zh) * | 2022-02-14 | 2022-03-15 | 常州承芯半导体有限公司 | 垂直腔面发射激光器的形成方法 |
-
1993
- 1993-09-03 JP JP21988093A patent/JPH0774142A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007103433A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-19 | Dowa Holdings Co Ltd | 発光ダイオード及びその製造方法 |
| CN114188820A (zh) * | 2022-02-14 | 2022-03-15 | 常州承芯半导体有限公司 | 垂直腔面发射激光器的形成方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0774142A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS62283678A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH06160676A (ja) | 半導体レーザモジュールの製造方法 | |
| JPH08130343A (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
| JPS62128586A (ja) | 光電子集積回路の製造方法 | |
| US6897080B2 (en) | Method for manufacturing diffraction grating of Laser Diode | |
| JPH02162750A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS63215089A (ja) | 半導体レ−ザ装置の製造方法 | |
| JP2783240B2 (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JPS57157590A (en) | Manufacture of semiconductor laser device | |
| JPH04127157A (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| JPH08122564A (ja) | 光ファイバ保持基板およびそれと光集積回路基板との接合体 | |
| JP2001110774A (ja) | 半導体素子の作製方法 | |
| JPH11204463A (ja) | 半導体素子の切り出し方法 | |
| JPH04329688A (ja) | リッジ導波路型半導体レーザ素子の製作方法 | |
| JPS606089B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS59132141A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH01318276A (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
| JPH0212822A (ja) | 完全にまたは部分的に埋められたフィールド酸化物層を有する半導体デバイスの製造方法 | |
| JPS61150291A (ja) | 半導体レ−ザ素子の製造方法 | |
| JPH02257693A (ja) | 光電子集積回路の製造方法 | |
| JPH0239458A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0653204A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6237985A (ja) | 半導体レ−ザの製造方法 | |
| JP2000216489A (ja) | 半導体レ―ザの製造方法 |