JPH0774788B2 - 異物有無検査装置 - Google Patents
異物有無検査装置Info
- Publication number
- JPH0774788B2 JPH0774788B2 JP7541588A JP7541588A JPH0774788B2 JP H0774788 B2 JPH0774788 B2 JP H0774788B2 JP 7541588 A JP7541588 A JP 7541588A JP 7541588 A JP7541588 A JP 7541588A JP H0774788 B2 JPH0774788 B2 JP H0774788B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- reflected
- analyzer
- polarization
- foreign matter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/94—Investigating contamination, e.g. dust
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/47—Scattering, i.e. diffuse reflection
- G01N2021/4792—Polarisation of scatter light
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/21—Polarisation-affecting properties
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、主としてLSI製造プロセスにおいて、半導体
ウエハーに回路パターンを焼付けるために用いられるレ
ティクルとかマスク、または、回路パターンが形成され
た製品ウエハー、更には、液晶用基板などの検査対象基
板の表面に、異物が付着しているか否かを検査するため
の異物有無検査装置に関する。
ウエハーに回路パターンを焼付けるために用いられるレ
ティクルとかマスク、または、回路パターンが形成され
た製品ウエハー、更には、液晶用基板などの検査対象基
板の表面に、異物が付着しているか否かを検査するため
の異物有無検査装置に関する。
この種の異物有無検査装置の従来例としては、第３図に
示すような構成のものがある。
示すような構成のものがある。
即ち、表面に回路パターンＣが描かれた検査対象基板Ｏ
を載置したステージ（図示せず）を水平面上で一方向
（ｘ方向）に直線移動走査させると共に、例えばHe−Ne
レーザーを発振するレーザー発振器，ビームエキスパン
ダー，スキャニング用のガルバノミラー，集光レンズ等
から成る入射光学系（図示せず）により、前記検査対象
基板Ｏの所定角度斜め上方向から、その検査対象基板Ｏ
の検査表面に一定に偏光角を有するレーザービームＬ
〔例えば入射光Ｌと検査対象基板Ｏ自体による本来の反
射光とでできる平面（入射面）に対してほぼ垂直に、検
査対象基板Ｏの表面に対して平行な振動面を有するとこ
ろのＳ偏光（偏光角が０゜）〕を、前記ｘ方向に直交す
るｙ方向における所定範囲内で往復直線走査させながら
照射し、その照射レーザービームＬの検査表面からの反
射散乱光Ｒを、検査対象基板Ｏのｙ方向における側方斜
め上方に配置した検出光学系ａで測定するように構成さ
れており、その検出光学系ａは、基本的に、特定の偏光
角の偏光成分（この例では偏光角が０゜のＳ偏光成分）
のみを透過させるように検光軸が設定された検光子（例
えば偏光板）ｈを設けると共に、その検光子ｈを透過し
た光（Ｓ偏光成分）を検出する光検出器（例えば光電子
倍増管）ｄおよびそれに対するプリアンプｐを設けて構
成されている。なお、前記Ｓ偏光と垂直な方向の振動面
を有する偏光をＰ偏光（偏光角が90゜）という。
を載置したステージ（図示せず）を水平面上で一方向
（ｘ方向）に直線移動走査させると共に、例えばHe−Ne
レーザーを発振するレーザー発振器，ビームエキスパン
ダー，スキャニング用のガルバノミラー，集光レンズ等
から成る入射光学系（図示せず）により、前記検査対象
基板Ｏの所定角度斜め上方向から、その検査対象基板Ｏ
の検査表面に一定に偏光角を有するレーザービームＬ
〔例えば入射光Ｌと検査対象基板Ｏ自体による本来の反
射光とでできる平面（入射面）に対してほぼ垂直に、検
査対象基板Ｏの表面に対して平行な振動面を有するとこ
ろのＳ偏光（偏光角が０゜）〕を、前記ｘ方向に直交す
るｙ方向における所定範囲内で往復直線走査させながら
照射し、その照射レーザービームＬの検査表面からの反
射散乱光Ｒを、検査対象基板Ｏのｙ方向における側方斜
め上方に配置した検出光学系ａで測定するように構成さ
れており、その検出光学系ａは、基本的に、特定の偏光
角の偏光成分（この例では偏光角が０゜のＳ偏光成分）
のみを透過させるように検光軸が設定された検光子（例
えば偏光板）ｈを設けると共に、その検光子ｈを透過し
た光（Ｓ偏光成分）を検出する光検出器（例えば光電子
倍増管）ｄおよびそれに対するプリアンプｐを設けて構
成されている。なお、前記Ｓ偏光と垂直な方向の振動面
を有する偏光をＰ偏光（偏光角が90゜）という。
ところで、前記検出光学系ａにおける検光子ｈは、検査
対象基板Ｏの検査表面からの反射散乱光Ｒが、その検査
表面上に描かれた回路パターンＣによるものか、あるい
は、その検査表面上に付着した異物Ｚによるものか、を
弁別して誤検出を防止するために設けられているもので
ある。
対象基板Ｏの検査表面からの反射散乱光Ｒが、その検査
表面上に描かれた回路パターンＣによるものか、あるい
は、その検査表面上に付着した異物Ｚによるものか、を
弁別して誤検出を防止するために設けられているもので
ある。
つまり、検査対象基板Ｏの検査表面上に照射レーザービ
ームＬ（Ｓ偏光）に対して45゜をなす回路パターンやパ
ターンコーナー部（以下、45゜回路パターンなど、と称
する）が存在すると、その部分において検出光学系ａに
向かって反射される反射散乱光Ｒは、理論上はその大部
分が特定の偏光角の偏光（この例では偏光角が90゜のＰ
偏光）となるため、検光子ｈの検光軸をこれと垂直にな
るように（つまりＳ偏光成分のみを透過させるように）
設定配置しておけば、その反射散乱光Ｒ（Ｐ偏光）は全
てカットされて光検出器ｄへは到達せず、従って、この
場合には光検出器ｄは光を検出しないから、異物Ｚが無
いと判定され、一方、検査対象基板Ｏの検査表面上に実
際に異物Ｚが存在する場合には、この異物Ｚにより検出
光学系ａに向かって反射される反射散乱光Ｒは、Ｓ偏光
成分とＰ偏光成分とが混在しているため、前記検光子ｈ
においてその一部（Ｐ偏光成分）はカットされるもの
の、その一部（Ｓ偏光成分）は検光子ｈを通過して光検
出器ｄへ到達し、従って、この場合には光検出器ｄが光
を検出して、その検出信号がプリアンプｐを介して取り
出され、異物Ｚが存在すると判定されることになる。
ームＬ（Ｓ偏光）に対して45゜をなす回路パターンやパ
ターンコーナー部（以下、45゜回路パターンなど、と称
する）が存在すると、その部分において検出光学系ａに
向かって反射される反射散乱光Ｒは、理論上はその大部
分が特定の偏光角の偏光（この例では偏光角が90゜のＰ
偏光）となるため、検光子ｈの検光軸をこれと垂直にな
るように（つまりＳ偏光成分のみを透過させるように）
設定配置しておけば、その反射散乱光Ｒ（Ｐ偏光）は全
てカットされて光検出器ｄへは到達せず、従って、この
場合には光検出器ｄは光を検出しないから、異物Ｚが無
いと判定され、一方、検査対象基板Ｏの検査表面上に実
際に異物Ｚが存在する場合には、この異物Ｚにより検出
光学系ａに向かって反射される反射散乱光Ｒは、Ｓ偏光
成分とＰ偏光成分とが混在しているため、前記検光子ｈ
においてその一部（Ｐ偏光成分）はカットされるもの
の、その一部（Ｓ偏光成分）は検光子ｈを通過して光検
出器ｄへ到達し、従って、この場合には光検出器ｄが光
を検出して、その検出信号がプリアンプｐを介して取り
出され、異物Ｚが存在すると判定されることになる。
このように、45゜回路パターンなどによる反射散乱光Ｒ
と異物Ｚによる反射散乱光Ｒに含まれる偏光成分の相違
を利用した光測定手段を講ずることによって、たとえ検
査対象基板Ｏの検査表面上に45゜回路パターンなどが存
在したとしても、その45゜回路パターンを異物Ｚとして
誤検出することなく、異物Ｚのみを弁別して検出できる
ように構成されているのである。ただし、下記するとこ
ろから明らかなように、その弁別は確実に行われるとは
言えない現状にある。
と異物Ｚによる反射散乱光Ｒに含まれる偏光成分の相違
を利用した光測定手段を講ずることによって、たとえ検
査対象基板Ｏの検査表面上に45゜回路パターンなどが存
在したとしても、その45゜回路パターンを異物Ｚとして
誤検出することなく、異物Ｚのみを弁別して検出できる
ように構成されているのである。ただし、下記するとこ
ろから明らかなように、その弁別は確実に行われるとは
言えない現状にある。
即ち、上記した従来例に係る手段、つまり、検出光学系
ａに特定の偏光成分（Ｓ偏光成分）のみを透過させる検
光子ｈを設けることにより、45゜回路パターンなどによ
る反射散乱光Ｒが異物Ｚによる反射散乱光Ｒかが確実に
弁別されるためには、45゜回路パターンなどによる反射
散乱光Ｒが、前記特定の偏光成分（Ｓ偏光成分）を殆ど
含んでいないものになっていることが前提となるのであ
るが、本発明者らの調査研究結果によれば、45゜回路パ
ターンなどによる反射散乱光Ｒは、実際のところ、大体
は所定の特定偏光（Ｐ偏光）になっているとは言え、詳
細に見ると完全な直線偏光では無く楕円偏光となってい
てその偏光面が100％単一であるとは言えないために、
ある程度のＳ偏光成分を含んでおり、従って、前記のよ
うな検光子ｈを設けただけでは、45゜回路パターンなど
による反射散乱光Ｒを完全にはカットすることができ
ず、45゜回路パターンなどと異物Ｚとを確実に弁別して
誤検出を防止できる性能には限界がある、という欠点が
存在することが判った。
ａに特定の偏光成分（Ｓ偏光成分）のみを透過させる検
光子ｈを設けることにより、45゜回路パターンなどによ
る反射散乱光Ｒが異物Ｚによる反射散乱光Ｒかが確実に
弁別されるためには、45゜回路パターンなどによる反射
散乱光Ｒが、前記特定の偏光成分（Ｓ偏光成分）を殆ど
含んでいないものになっていることが前提となるのであ
るが、本発明者らの調査研究結果によれば、45゜回路パ
ターンなどによる反射散乱光Ｒは、実際のところ、大体
は所定の特定偏光（Ｐ偏光）になっているとは言え、詳
細に見ると完全な直線偏光では無く楕円偏光となってい
てその偏光面が100％単一であるとは言えないために、
ある程度のＳ偏光成分を含んでおり、従って、前記のよ
うな検光子ｈを設けただけでは、45゜回路パターンなど
による反射散乱光Ｒを完全にはカットすることができ
ず、45゜回路パターンなどと異物Ｚとを確実に弁別して
誤検出を防止できる性能には限界がある、という欠点が
存在することが判った。
殊に最近では、検出を要する異物Ｚの微小化が進むに伴
って、検出すべき異物Ｚからの散乱光が非常に微弱化す
る一方、回路パターンＣの微細化に伴って、回路パター
ンＣからの反射光は比較的大きくなる傾向があるため
に、上記のような欠点はますます大きな問題になりつつ
ある。
って、検出すべき異物Ｚからの散乱光が非常に微弱化す
る一方、回路パターンＣの微細化に伴って、回路パター
ンＣからの反射光は比較的大きくなる傾向があるため
に、上記のような欠点はますます大きな問題になりつつ
ある。
そこで、最近になって、45゜回路パターンなどと異物Ｚ
との弁別性能をより向上させるための手段として、下記
のような改良構成を有する検出光学系ａ′が考えられて
いる。
との弁別性能をより向上させるための手段として、下記
のような改良構成を有する検出光学系ａ′が考えられて
いる。
即ち、その改良された検出光学系ａ′（以下、比較例と
称する）は、第４図に示すように、検査対象基板Ｏの表
面からの反射散乱光Ｒのうちの１つの光束R1に対して、
特定の偏光角の偏光成分（例えば偏光角が０゜のＳ偏光
成分）のみを透過させる第１検光子h1と、その第１検光
子h1を透過した偏光成分の強度を検出する第１光検出器
d1とを設けると共に、前記反射散乱光Ｒのうちの別の１
つの光束R2に対しては、前記第１検光子h1が透過可能な
前記特定の偏光角（０゜）とは異なる別の特定の偏光角
の偏光成分（例えば偏光角が90゜のＰ偏光成分）のみを
透過させる第２検光子h2と、その第２検光子h2を透過し
た偏光の強度を検出する第２光検出器d2とを設けて構成
されている。
称する）は、第４図に示すように、検査対象基板Ｏの表
面からの反射散乱光Ｒのうちの１つの光束R1に対して、
特定の偏光角の偏光成分（例えば偏光角が０゜のＳ偏光
成分）のみを透過させる第１検光子h1と、その第１検光
子h1を透過した偏光成分の強度を検出する第１光検出器
d1とを設けると共に、前記反射散乱光Ｒのうちの別の１
つの光束R2に対しては、前記第１検光子h1が透過可能な
前記特定の偏光角（０゜）とは異なる別の特定の偏光角
の偏光成分（例えば偏光角が90゜のＰ偏光成分）のみを
透過させる第２検光子h2と、その第２検光子h2を透過し
た偏光の強度を検出する第２光検出器d2とを設けて構成
されている。
そして、前記第１および第２両光検出器d1,d2により検
出された両偏光成分の強度の比または差を比較手段ｑに
より測定することによって、前記検査対象基板Ｏの表面
における異物Ｚの有無の判定、ならびに、45゜回路パタ
ーンなどと異物Ｚとの弁別をより確実に行えるように図
られている。
出された両偏光成分の強度の比または差を比較手段ｑに
より測定することによって、前記検査対象基板Ｏの表面
における異物Ｚの有無の判定、ならびに、45゜回路パタ
ーンなどと異物Ｚとの弁別をより確実に行えるように図
られている。
なお、前記比較手段ｑによる判定および弁別の根拠は下
記のとおりである。
記のとおりである。
即ち、第５図は、45゜回路パターンからの反射散乱光お
よび異物（２種類）からの反射散乱光の夫々について、
検光子（偏光板）の設定角度を−90゜から90゜まで回転
させて、その透過光の強度を測定した一実験結果を示す
ものであるが、この図から明らかなように、45゜回路パ
ターンからの反射散乱光と異物からの反射散乱光とでは
その傾向が全く異なっている。従って、前記第４図に示
した構成の検出光学系ａ′における第２光検出器d2によ
る検出出力I2と第１光検出器d1による検出出力I1との比
Ｋ（＝I2/I1）をみると、45゜回路パターンからの反射
散乱光の場合にはＫ＞１、異物からの反射散乱光の場合
にはＫ＜１となり、あるいは、第２光検出器d2による検
出出力I2と第１光検出器d1による検出出力I1との差Ｉ
（＝I2−I1）をみると、45゜回路パターンからの反射散
乱光の場合にはＩ＞０、異物からの反射散乱光の場合に
はＩ＜０となるから、それら両光検出器d1,d2からの両
検出信号を比較してその比の大きさまたは差の正負を判
別することにより、異物Ｚの有無の判定、ならびに、45
゜回路パターンなどと異物Ｚとの弁別を確実に行えるは
ずである、ということである。
よび異物（２種類）からの反射散乱光の夫々について、
検光子（偏光板）の設定角度を−90゜から90゜まで回転
させて、その透過光の強度を測定した一実験結果を示す
ものであるが、この図から明らかなように、45゜回路パ
ターンからの反射散乱光と異物からの反射散乱光とでは
その傾向が全く異なっている。従って、前記第４図に示
した構成の検出光学系ａ′における第２光検出器d2によ
る検出出力I2と第１光検出器d1による検出出力I1との比
Ｋ（＝I2/I1）をみると、45゜回路パターンからの反射
散乱光の場合にはＫ＞１、異物からの反射散乱光の場合
にはＫ＜１となり、あるいは、第２光検出器d2による検
出出力I2と第１光検出器d1による検出出力I1との差Ｉ
（＝I2−I1）をみると、45゜回路パターンからの反射散
乱光の場合にはＩ＞０、異物からの反射散乱光の場合に
はＩ＜０となるから、それら両光検出器d1,d2からの両
検出信号を比較してその比の大きさまたは差の正負を判
別することにより、異物Ｚの有無の判定、ならびに、45
゜回路パターンなどと異物Ｚとの弁別を確実に行えるは
ずである、ということである。
しかしながら、上記した比較例の手段を採用した場合に
おいても、実際にその改良された検出光学系ａ′を試作
してみたところ、上述の理論どおりにはいかず、異物Ｚ
が存在していないにも拘らず45゜回路パターンなどを異
物Ｚであるとして誤判定したり、あるいは、異物Ｚが存
在するにも拘らずそれを検出できなかったりということ
がしばしば発生し、その弁別性能がやはり不確実である
と共に、異物Ｚの見逃し率も比較的大きい、ということ
が判明した。
おいても、実際にその改良された検出光学系ａ′を試作
してみたところ、上述の理論どおりにはいかず、異物Ｚ
が存在していないにも拘らず45゜回路パターンなどを異
物Ｚであるとして誤判定したり、あるいは、異物Ｚが存
在するにも拘らずそれを検出できなかったりということ
がしばしば発生し、その弁別性能がやはり不確実である
と共に、異物Ｚの見逃し率も比較的大きい、ということ
が判明した。
そこで、本発明者らは、かかる弁別性能ならびに異物見
逃し率が良くない原因について種々の検討および考察を
加えた結果、前記両光検出器d1,d2が、検査対象基板Ｏ
の表面からの反射散乱光Ｒのうちの互いに異なる光束R
1,R2に対して各別に設けられていることに重大な問題が
ある、ということを発見した。つまり、回路パターンＣ
または異物Ｚからの（特に回路パターンＣからの）反射
散乱光Ｒは、全方向において常に均一に反射散乱される
のでは無く、その表面の凹凸や形状などに起因してかな
り不均一なものとなっており、しかも、その不均一な状
態は基板Ｏ毎にあるいは回路パターンＣの検査対象箇所
毎に種々に異なるものであり、従って、上記の如く反射
散乱光Ｒのうちの２つの異なる光束R1,R2を検出対象と
している構成の光学検出系ａ′では、その反射散乱光Ｒ
の不均一性がそのまま前記両光検出器d1,d2により検出
されてしまい、それが原因で前述のような弁別の誤りや
異物の見逃しという誤った結果が生じ易かったのであ
る。例えば、45゜回路パターンなどからの反射散乱光Ｒ
のうち、第１光検出器d1に入射する反射散乱光R1が比較
的強く、一方、第２光検出器d2に入射する反射散乱光R2
が比較的弱いという場合には、本来ならばＫ（＝I2/I
1）＞１またはＩ（＝I2/I1）＞０となるべきところが、
Ｋ＜１またはＩ＜０となってしまって、異物Ｚが存在し
ないにも拘らず存在すると誤判定されたり、あるいは、
異物Ｚからの反射散乱光Ｒのうち、第１光検出器d1に入
射する反射散乱光R1が比較的弱く、一方、第２光検出器
d2に入射する反射散乱光R2が比較的強いという場合に
は、本来ならばＫ＜１またはＩ＜０となるべきところ
が、Ｋ＞１またはＩ＞０となってしまって、異物Ｚが存
在するにも拘らずその存在が見逃されたりすることにな
る。
逃し率が良くない原因について種々の検討および考察を
加えた結果、前記両光検出器d1,d2が、検査対象基板Ｏ
の表面からの反射散乱光Ｒのうちの互いに異なる光束R
1,R2に対して各別に設けられていることに重大な問題が
ある、ということを発見した。つまり、回路パターンＣ
または異物Ｚからの（特に回路パターンＣからの）反射
散乱光Ｒは、全方向において常に均一に反射散乱される
のでは無く、その表面の凹凸や形状などに起因してかな
り不均一なものとなっており、しかも、その不均一な状
態は基板Ｏ毎にあるいは回路パターンＣの検査対象箇所
毎に種々に異なるものであり、従って、上記の如く反射
散乱光Ｒのうちの２つの異なる光束R1,R2を検出対象と
している構成の光学検出系ａ′では、その反射散乱光Ｒ
の不均一性がそのまま前記両光検出器d1,d2により検出
されてしまい、それが原因で前述のような弁別の誤りや
異物の見逃しという誤った結果が生じ易かったのであ
る。例えば、45゜回路パターンなどからの反射散乱光Ｒ
のうち、第１光検出器d1に入射する反射散乱光R1が比較
的強く、一方、第２光検出器d2に入射する反射散乱光R2
が比較的弱いという場合には、本来ならばＫ（＝I2/I
1）＞１またはＩ（＝I2/I1）＞０となるべきところが、
Ｋ＜１またはＩ＜０となってしまって、異物Ｚが存在し
ないにも拘らず存在すると誤判定されたり、あるいは、
異物Ｚからの反射散乱光Ｒのうち、第１光検出器d1に入
射する反射散乱光R1が比較的弱く、一方、第２光検出器
d2に入射する反射散乱光R2が比較的強いという場合に
は、本来ならばＫ＜１またはＩ＜０となるべきところ
が、Ｋ＞１またはＩ＞０となってしまって、異物Ｚが存
在するにも拘らずその存在が見逃されたりすることにな
る。
本発明は、上記実情ならびにそれに対する考察結果に基
いてなされたものであって、その目的は、前述したよう
な比較例に係る改良構成を有する光学検出系に本来期待
されているところの、回路パターンなどと異物との弁別
性能の向上ならびに異物見逃し率の低減という課題を、
確実に達成させ得るようにせんとすることにある。
いてなされたものであって、その目的は、前述したよう
な比較例に係る改良構成を有する光学検出系に本来期待
されているところの、回路パターンなどと異物との弁別
性能の向上ならびに異物見逃し率の低減という課題を、
確実に達成させ得るようにせんとすることにある。
上記目的を達成するために、本発明は、表面に回路パタ
ーンが描かれている検査対象基板の前記表面に対して一
定の偏光角を有するレーザービームを走査照射するよう
に構成するとともに、検査対象基板の表面からの反射散
乱光の互いに異なる偏光角の２つの偏光成分についてそ
れぞれその強度を検出する検出光学系を設け、この検出
光学系により検出された前記両偏光成分の強度の比較結
果に基づいて検査対象基板の表面における異物の有無を
判別するように構成されている異物有無検査装置におい
て、前記検査対象基板の表面に対して斜め上方からレー
ザービームの走査照射するとともに、前記検出光学系を
検査対象基板の表面側方斜め上方に設け、かつ、この検
出光学系を構成するに、検査対象基板の表面からの反射
散乱光の１つの光束を２つの光束に分離するためのビー
ムスプリッタを設け、このビームスプリッタにより分離
された一方の光束に対しては、特定の偏光角の偏光成分
のみを透過させる第１検光子と、この第１検光子を透過
した偏光成分の強度を検出する第１光検出器とを設ける
一方、ビームスプリッタにより分離された他方の光束に
対しては、第１検光子を透過可能な偏光成分とは異なる
別の特定の偏光角の偏光成分のみを透過させる第２検光
子と、この第２検光子を透過した偏光成分の強度を検出
する第２光検出器とを設けた点に特徴がある。
ーンが描かれている検査対象基板の前記表面に対して一
定の偏光角を有するレーザービームを走査照射するよう
に構成するとともに、検査対象基板の表面からの反射散
乱光の互いに異なる偏光角の２つの偏光成分についてそ
れぞれその強度を検出する検出光学系を設け、この検出
光学系により検出された前記両偏光成分の強度の比較結
果に基づいて検査対象基板の表面における異物の有無を
判別するように構成されている異物有無検査装置におい
て、前記検査対象基板の表面に対して斜め上方からレー
ザービームの走査照射するとともに、前記検出光学系を
検査対象基板の表面側方斜め上方に設け、かつ、この検
出光学系を構成するに、検査対象基板の表面からの反射
散乱光の１つの光束を２つの光束に分離するためのビー
ムスプリッタを設け、このビームスプリッタにより分離
された一方の光束に対しては、特定の偏光角の偏光成分
のみを透過させる第１検光子と、この第１検光子を透過
した偏光成分の強度を検出する第１光検出器とを設ける
一方、ビームスプリッタにより分離された他方の光束に
対しては、第１検光子を透過可能な偏光成分とは異なる
別の特定の偏光角の偏光成分のみを透過させる第２検光
子と、この第２検光子を透過した偏光成分の強度を検出
する第２光検出器とを設けた点に特徴がある。
上記構成の異物有無検査装置においては、検査対象基板
側からの唯一つの光束のみを検出対象としながらも、こ
の光束に含まれる互いに異なる偏光角の２つの偏光成分
の強度をそれぞれ検出できるようにしてあるので、たと
え反射散乱光が不均一なものであって検出対象としての
１つの光束の強度が変化したとしても、それに含まれる
２つの偏光な分の強度は同じ割合で変化するので、それ
ら両偏光な分の強度比較結果には有意な影響が現れるこ
とがない。
側からの唯一つの光束のみを検出対象としながらも、こ
の光束に含まれる互いに異なる偏光角の２つの偏光成分
の強度をそれぞれ検出できるようにしてあるので、たと
え反射散乱光が不均一なものであって検出対象としての
１つの光束の強度が変化したとしても、それに含まれる
２つの偏光な分の強度は同じ割合で変化するので、それ
ら両偏光な分の強度比較結果には有意な影響が現れるこ
とがない。
そして、特に、前記異物有無検査装置においては、検査
対象基板の表面に斜め上方からのレーザービームを走査
照射する入射光学系に対して、検査対象基板の表面から
の反射光を検出する検出光学系を、検査対象基板の表面
の側方斜め上方に配置しているので、第５図に示すよう
に、検査対象基板上の異物からの反射光とパターンから
の反射光との位相を巧みにずらせることができ、その結
果、前記両反射光とにおける強度の差を大きくすること
ができる。
対象基板の表面に斜め上方からのレーザービームを走査
照射する入射光学系に対して、検査対象基板の表面から
の反射光を検出する検出光学系を、検査対象基板の表面
の側方斜め上方に配置しているので、第５図に示すよう
に、検査対象基板上の異物からの反射光とパターンから
の反射光との位相を巧みにずらせることができ、その結
果、前記両反射光とにおける強度の差を大きくすること
ができる。
一般に、検査対象基板上の異物とこの検査対象基板上の
45゜回路パターンとを明確に区別して検出するには、異
物からの散乱光強度と45゜回路パターンからの散乱光強
度とに大きな差があればよい。例えば光学検出系に入射
する検査対象基板からの反射散乱光が検査対象基板とな
す確度を適当に設定することにより、異物からの反射散
乱光の強度が最大になったとき、45゜回路パターンから
の反射散乱光の強度を最小にすることができ、したがっ
て、回路パターンなどと異物との弁別を誤りなく確実に
行なえるとともに、異物の見逃し率を大幅に低減させる
ことができる。
45゜回路パターンとを明確に区別して検出するには、異
物からの散乱光強度と45゜回路パターンからの散乱光強
度とに大きな差があればよい。例えば光学検出系に入射
する検査対象基板からの反射散乱光が検査対象基板とな
す確度を適当に設定することにより、異物からの反射散
乱光の強度が最大になったとき、45゜回路パターンから
の反射散乱光の強度を最小にすることができ、したがっ
て、回路パターンなどと異物との弁別を誤りなく確実に
行なえるとともに、異物の見逃し率を大幅に低減させる
ことができる。
以下、本発明の実施例を図面（第１図および第２図）に
基いて説明する。
基いて説明する。
第１図は、本発明実施例に係る異物有無検査装置の要部
（主として検出光学系Ａ）の原理的構成を示している。
なお、この第１図においては、検出光学系Ａにおける他
の一般的構成要素（例えば集光レンズやスリット部材な
ど）は省略している。
（主として検出光学系Ａ）の原理的構成を示している。
なお、この第１図においては、検出光学系Ａにおける他
の一般的構成要素（例えば集光レンズやスリット部材な
ど）は省略している。
さて、この第１図に示しているように、表面に回路パタ
ーンＣが描かれている検査対象基板Ｏを水平面上で一方
向（ｘ方向）に直線移動走査させると共に、前記検査対
象基板Ｏの所定角度斜め上方向から一定の偏光角を有す
るレーザービームＬ（例えば、入射面に対して略垂直に
振動する所謂Ｓ偏光）を、前記ｘ方向に直交するｙ方向
における所定範囲内で往復直線走査させながら照射し、
その照射レーザービームＬの検査表面からの反射散乱光
Ｒを、検査対象基板Ｏのｙ方向における側方斜め上方に
配置した検出光学系Ａで測定するように構成されてい
る。
ーンＣが描かれている検査対象基板Ｏを水平面上で一方
向（ｘ方向）に直線移動走査させると共に、前記検査対
象基板Ｏの所定角度斜め上方向から一定の偏光角を有す
るレーザービームＬ（例えば、入射面に対して略垂直に
振動する所謂Ｓ偏光）を、前記ｘ方向に直交するｙ方向
における所定範囲内で往復直線走査させながら照射し、
その照射レーザービームＬの検査表面からの反射散乱光
Ｒを、検査対象基板Ｏのｙ方向における側方斜め上方に
配置した検出光学系Ａで測定するように構成されてい
る。
前記検出光学系Ａは、基本的に、検査対象基板Ｏの表面
からの反射散乱光Ｒのうちの１つの光束R0を２つの光束
r1,r2に分離するための例えばハーフミラーなどで構成
されるビームスプリッタＳを設けると共に、そのビーム
スプリッタＳにより分離された一方の光束r1に対して、
特定の偏光角の偏光成分（この例では偏光角が０゜のＳ
偏光成分）のみを透過させるように検光軸が設定された
第１検光子（例えば偏光板）H1と、その第１検光子H1を
透過した偏光成分の強度を検出する第１光検出器（例え
ば光電子倍増管）D1とを設け、かつ、前記ビームスプリ
ッタＳにより分離された他方の光束r2に対しては、前記
第１検光子H1が透過可能な偏光成分とは異なる別の特定
の偏光角の偏光成分（この例では、偏光角が90゜のＰ偏
光成分）のみを透過させるように検光軸が設定された第
２検光子（例えば偏光板）H2と、その第２検光子H2を透
過した偏光成分の強度を検出する第２光検出器（例えば
光電子倍増管）D2とを設けて構成されている。
からの反射散乱光Ｒのうちの１つの光束R0を２つの光束
r1,r2に分離するための例えばハーフミラーなどで構成
されるビームスプリッタＳを設けると共に、そのビーム
スプリッタＳにより分離された一方の光束r1に対して、
特定の偏光角の偏光成分（この例では偏光角が０゜のＳ
偏光成分）のみを透過させるように検光軸が設定された
第１検光子（例えば偏光板）H1と、その第１検光子H1を
透過した偏光成分の強度を検出する第１光検出器（例え
ば光電子倍増管）D1とを設け、かつ、前記ビームスプリ
ッタＳにより分離された他方の光束r2に対しては、前記
第１検光子H1が透過可能な偏光成分とは異なる別の特定
の偏光角の偏光成分（この例では、偏光角が90゜のＰ偏
光成分）のみを透過させるように検光軸が設定された第
２検光子（例えば偏光板）H2と、その第２検光子H2を透
過した偏光成分の強度を検出する第２光検出器（例えば
光電子倍増管）D2とを設けて構成されている。
そして、前記第１および第２両光検出器D1,D2により検
出された両偏光成分の強度の比（あるいは差）を比較手
段Ｑにより測定することによって、前記検査対象基板Ｏ
の表面における異物Ｚの有無の判定、ならびに、45゜回
路パターンなどと異物Ｚとの弁別を確実に行えるように
構成されている。なお、異物Ｚが存在しない場合におけ
る45゜回路パターンなどからの反射散乱光R0（r1,r2）
について、第２光検出器D2による検出出力I2と第１光検
出器D1による検出出力I1との比Ｋ（＝I2/I1）は、一般
に、略２ないし10の範囲内におさまることが実験的に確
認されている。
出された両偏光成分の強度の比（あるいは差）を比較手
段Ｑにより測定することによって、前記検査対象基板Ｏ
の表面における異物Ｚの有無の判定、ならびに、45゜回
路パターンなどと異物Ｚとの弁別を確実に行えるように
構成されている。なお、異物Ｚが存在しない場合におけ
る45゜回路パターンなどからの反射散乱光R0（r1,r2）
について、第２光検出器D2による検出出力I2と第１光検
出器D1による検出出力I1との比Ｋ（＝I2/I1）は、一般
に、略２ないし10の範囲内におさまることが実験的に確
認されている。
上記のように構成された異物有無検査装置の動作ならび
に利点については、前述した〔作用〕の欄において既に
詳述しているので、重複を避けるためにここでは省略す
る。
に利点については、前述した〔作用〕の欄において既に
詳述しているので、重複を避けるためにここでは省略す
る。
ところで、検査対象基板Ｏの表面からの反射散乱光Ｒの
うちのただ１つの光束R0のみを検出対象としながら、そ
の１つの光束R0に含まれる互いに異なる偏光角の２つの
偏光成分の強度を検出できるように構成するに際して、
上記の実施例においては、ビームスプリッタＳを設ける
ことにより、前記ただ１つの光束R0を２つの光束r1,r2
に分離して、それら２つの分離光束r1,r2に対して、夫
々、互いに異なる偏光角の偏光成分を透過可能な検光子
H1,H2および光検出器D1,D2を設ける手段を示したが、こ
れとは別の手段としては、例えば第２図の変形比較例に
示すように、前記ただ１つの光束R0に対して、ただ１組
の検光子Ｈおよび光検出器Ｄを設け、かつ、前記ただ１
つの検光子Ｈを回転駆動制御すると共に、その検光子Ｈ
が特定の回転角（例えば０゜,90゜）になったときにお
ける前記ただ１つの光検出器Ｄによる検出出力を比較手
段Ｑに入力してそれらを比較させるように同期制御する
コントローラーＴを設ける、ということも考えられる
が、この場合には、上記実施例の場合とほぼ同様に回路
パターンなどと異物との弁別性能の向上および異物見逃
し率の低減を達成できるものの、複雑な機械的駆動機構
が必要でスループットが悪く、また互いに異なる偏光角
の２つの偏光成分の強度検出タイミングに若干のずれが
生じてしまう等の点で、上記実施例に比べてやや難点が
ある。
うちのただ１つの光束R0のみを検出対象としながら、そ
の１つの光束R0に含まれる互いに異なる偏光角の２つの
偏光成分の強度を検出できるように構成するに際して、
上記の実施例においては、ビームスプリッタＳを設ける
ことにより、前記ただ１つの光束R0を２つの光束r1,r2
に分離して、それら２つの分離光束r1,r2に対して、夫
々、互いに異なる偏光角の偏光成分を透過可能な検光子
H1,H2および光検出器D1,D2を設ける手段を示したが、こ
れとは別の手段としては、例えば第２図の変形比較例に
示すように、前記ただ１つの光束R0に対して、ただ１組
の検光子Ｈおよび光検出器Ｄを設け、かつ、前記ただ１
つの検光子Ｈを回転駆動制御すると共に、その検光子Ｈ
が特定の回転角（例えば０゜,90゜）になったときにお
ける前記ただ１つの光検出器Ｄによる検出出力を比較手
段Ｑに入力してそれらを比較させるように同期制御する
コントローラーＴを設ける、ということも考えられる
が、この場合には、上記実施例の場合とほぼ同様に回路
パターンなどと異物との弁別性能の向上および異物見逃
し率の低減を達成できるものの、複雑な機械的駆動機構
が必要でスループットが悪く、また互いに異なる偏光角
の２つの偏光成分の強度検出タイミングに若干のずれが
生じてしまう等の点で、上記実施例に比べてやや難点が
ある。
以上説明したように、本発明の異物有無検査装置におい
ては、検査対象基板側からの唯一つの光束のみを検出対
象としながらも、この光束に含まれる互いに異なる偏光
角の２つの偏光成分の強度をそれぞれ検出できるように
してあるので、たとえ反射散乱光が不均一なものであっ
て検出対象としての１つの光束の強度が変化したとして
も、それに含まれる２つの偏光な分の強度は同じ割合で
変化するので、それら両偏光な分の強度比較結果には有
意な影響が現れることがない。
ては、検査対象基板側からの唯一つの光束のみを検出対
象としながらも、この光束に含まれる互いに異なる偏光
角の２つの偏光成分の強度をそれぞれ検出できるように
してあるので、たとえ反射散乱光が不均一なものであっ
て検出対象としての１つの光束の強度が変化したとして
も、それに含まれる２つの偏光な分の強度は同じ割合で
変化するので、それら両偏光な分の強度比較結果には有
意な影響が現れることがない。
そして、特に、前記異物有無検査装置においては、検査
対象基板の表面に斜め上方からレーザービームを走査照
射する入射光学系に対して、検査対象基板の表面からの
反射光を検出する検出光学系を、検査対象基板の表面の
側方斜め上方に配置しているので、検査対象基板上の異
物からの反射光とパターンからの反射光との位相を巧み
にずらせることができ、その結果、前記両反射光とにお
ける強度の差を大きくすることができ、したがって、回
路パターンなどと異物との弁別を誤りなく確実に行なえ
るとともに、異物の見逃し率を大幅に低減させることが
できるようになった。
対象基板の表面に斜め上方からレーザービームを走査照
射する入射光学系に対して、検査対象基板の表面からの
反射光を検出する検出光学系を、検査対象基板の表面の
側方斜め上方に配置しているので、検査対象基板上の異
物からの反射光とパターンからの反射光との位相を巧み
にずらせることができ、その結果、前記両反射光とにお
ける強度の差を大きくすることができ、したがって、回
路パターンなどと異物との弁別を誤りなく確実に行なえ
るとともに、異物の見逃し率を大幅に低減させることが
できるようになった。
第１図は本発明に係る異物有無検査装置の一実施例の要
部概略構成図を示し、第２図はそれに対する変形比較例
の要部概略構成図を示している。 また、第３図ないし第５図は、本発明の技術的背景なら
びに従来問題を説明するためのものであって、第３図は
従来一般の異物有無検査装置の要部概略構成図を示し、
そして、第４図は本発明に対する比較例の要部概略構成
図、第５図はその作用説明図を示している。 Ｃ……回路パターン、 Ｏ……検査対象基板、 Ｌ……照射レーザービーム（偏光）、 Ｒ……反射散乱光、 Ａ……検出光学系、 Ｓ……ビームスプリッタ、 R0……１つの光束、 r1……分離された一方の光束、 r2……分離された他方の光束、 H1……第１検光子、 H2……第２検光子、 D1……第１光検出器、 D2……第２光検出器。
部概略構成図を示し、第２図はそれに対する変形比較例
の要部概略構成図を示している。 また、第３図ないし第５図は、本発明の技術的背景なら
びに従来問題を説明するためのものであって、第３図は
従来一般の異物有無検査装置の要部概略構成図を示し、
そして、第４図は本発明に対する比較例の要部概略構成
図、第５図はその作用説明図を示している。 Ｃ……回路パターン、 Ｏ……検査対象基板、 Ｌ……照射レーザービーム（偏光）、 Ｒ……反射散乱光、 Ａ……検出光学系、 Ｓ……ビームスプリッタ、 R0……１つの光束、 r1……分離された一方の光束、 r2……分離された他方の光束、 H1……第１検光子、 H2……第２検光子、 D1……第１光検出器、 D2……第２光検出器。
Claims (1)
- 【請求項１】表面に回路パターンが描かれている検査対
象基板の前記表面に対して一定の偏光角を有するレーザ
ービームを走査照射するように構成するとともに、検査
対象基板の表面からの反射散乱光の互いに異なる偏光角
の２つの偏光成分についてそれぞれその強度を検出する
検出光学系を設け、この検出光学系により検出された前
記両偏光成分の強度の比較結果に基づいて検査対象基板
の表面における異物の有無を判別するように構成されて
いる異物有無検査装置において、前記検査対象基板の表
面に対して斜め上方からレーザービームの走査照射する
とともに、前記検出光学系を検査対象基板の表面側方斜
め上方に設け、かつ、この検出光学系を構成するに、検
査対象基板の表面からの反射散乱光の１つの光束を２つ
の光束に分離するためのビームスプリッタを設け、この
ビームスプリッタにより分離された一方の光束に対して
は、特定の偏光角の偏光成分のみを透過させる第１検光
子と、この第１検光子を透過した偏光成分の強度を検出
する第１光検出器とを設ける一方、ビームスプリッタに
より分離された他方の光束に対しては、第１検光子を透
過可能な偏光成分とは異なる別の特定の偏光角の偏光成
分のみを透過させる第２検光子と、この第２検光子を透
過した偏光成分の強度を検出する第２光検出器とを設け
たことを特徴とする異物有無検査装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7541588A JPH0774788B2 (ja) | 1988-03-28 | 1988-03-28 | 異物有無検査装置 |
| DE68915472T DE68915472T2 (de) | 1988-03-28 | 1989-03-14 | Apparat zum Nachweis von Fremdmaterial auf der Oberfläche eines Substrates. |
| EP89104483A EP0335163B1 (en) | 1988-03-28 | 1989-03-14 | Apparatus for detecting foreign matter on the surface of a substrate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7541588A JPH0774788B2 (ja) | 1988-03-28 | 1988-03-28 | 異物有無検査装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01245136A JPH01245136A (ja) | 1989-09-29 |
| JPH0774788B2 true JPH0774788B2 (ja) | 1995-08-09 |
Family
ID=13575524
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7541588A Expired - Lifetime JPH0774788B2 (ja) | 1988-03-28 | 1988-03-28 | 異物有無検査装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0335163B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0774788B2 (ja) |
| DE (1) | DE68915472T2 (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5118191A (en) * | 1990-05-29 | 1992-06-02 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | High contrast switchable target discriminator |
| FR2665959B1 (fr) * | 1990-08-16 | 1994-01-14 | Oreal | Appareil destine a permettre d'evaluer la brillance d'une surface, en particulier de la peau. |
| US5563702A (en) * | 1991-08-22 | 1996-10-08 | Kla Instruments Corporation | Automated photomask inspection apparatus and method |
| DE4434474C2 (de) * | 1994-09-27 | 2000-06-15 | Basler Ag | Verfahren und Vorrichtung zur vollständigen optischen Qualitätskontrolle von Gegenständen |
| US5798829A (en) * | 1996-03-05 | 1998-08-25 | Kla-Tencor Corporation | Single laser bright field and dark field system for detecting anomalies of a sample |
| KR100301067B1 (ko) | 1999-08-23 | 2001-11-01 | 윤종용 | 마이크로 스크래치 검사방법 및 이를 적용한 장치 |
| DE102004001411B4 (de) * | 2004-01-09 | 2006-05-11 | Infineon Technologies Ag | Verfahren und Vorrichtung zum Bestimmen von Defekten in einer regelmäßigen Struktur |
| JP4344284B2 (ja) | 2004-06-18 | 2009-10-14 | 株式会社堀場製作所 | 異物検査装置および異物検査方法 |
| JP4638864B2 (ja) | 2006-12-20 | 2011-02-23 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 試料表面の欠陥検査装置 |
| WO2009054404A1 (ja) * | 2007-10-23 | 2009-04-30 | Shibaura Mechatronics Corporation | 撮影画像に基づいた検査方法及び検査装置 |
| CN116774193A (zh) * | 2023-05-05 | 2023-09-19 | 中国科学院西安光学精密机械研究所 | 一种非视域成像系统的偏振态传输特性获取方法及装置 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FI63835C (fi) * | 1981-02-10 | 1983-08-10 | Altim Control Ky | Foerfarande foer identifiering av ett virkes ytegenskaper |
| JPS61104243A (ja) * | 1984-10-29 | 1986-05-22 | Hitachi Ltd | 異物検出方法及びその装置 |
| JPS61230048A (ja) * | 1985-04-05 | 1986-10-14 | Hitachi Ltd | 異物検出方法 |
| JP2661913B2 (ja) * | 1986-05-02 | 1997-10-08 | パ−テイクル、メジユアリング、システムズ インコ−ポレ−テツド | 表面分析方法および表面分析装置 |
| JPS62261044A (ja) * | 1986-05-06 | 1987-11-13 | Hitachi Electronics Eng Co Ltd | 異物検査装置 |
| JPH01172737A (ja) * | 1987-12-28 | 1989-07-07 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 光磁気記録媒体欠損解析装置 |
-
1988
- 1988-03-28 JP JP7541588A patent/JPH0774788B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1989
- 1989-03-14 DE DE68915472T patent/DE68915472T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1989-03-14 EP EP89104483A patent/EP0335163B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0335163A2 (en) | 1989-10-04 |
| EP0335163A3 (en) | 1991-01-09 |
| EP0335163B1 (en) | 1994-05-25 |
| DE68915472T2 (de) | 1994-10-06 |
| JPH01245136A (ja) | 1989-09-29 |
| DE68915472D1 (de) | 1994-06-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4988223B2 (ja) | 欠陥検査装置およびその方法 | |
| CN110687051B (zh) | 一种检测设备及方法 | |
| JP2847458B2 (ja) | 欠陥評価装置 | |
| US7697139B2 (en) | Surface inspection apparatus | |
| US5861952A (en) | Optical inspection method and apparatus including intensity modulation of a light beam and detection of light scattered at an inspection position | |
| JPH0576778B2 (ja) | ||
| JP2006512588A (ja) | パターン化及び非パターン化物体を光学的に検査する方法及びシステム | |
| US5963316A (en) | Method and apparatus for inspecting a surface state | |
| JPH0774788B2 (ja) | 異物有無検査装置 | |
| WO2022126677A1 (zh) | 半导体检测装置及检测方法 | |
| JP2001208697A (ja) | 表面検査装置 | |
| JP2577920B2 (ja) | 異物有無検査装置 | |
| JP2002257747A (ja) | 欠陥検査装置 | |
| JPH07318500A (ja) | 物体表面近傍の検査装置 | |
| JP2024075360A (ja) | ウェーハ欠陥検出装置及びウェーハ欠陥検査システム | |
| TWI818047B (zh) | 檢測設備及其檢測方法 | |
| JP3101459B2 (ja) | 検査装置とこれを用いたシステム | |
| JP3336392B2 (ja) | 異物検査装置及び方法 | |
| JPH0552764A (ja) | 表面欠陥検査装置 | |
| JPH10206338A (ja) | 異物検査方法および異物検査装置 | |
| JPH07128245A (ja) | 異物検査装置 | |
| JPH0961367A (ja) | 欠陥検査装置 | |
| JPH11194097A (ja) | 異物検査装置 | |
| JPH01239437A (ja) | 異物有無検査装置 | |
| JPH01129146A (ja) | 異物有無検査装置 |