JPH077496B2 - 磁気記録体およびその製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、磁気ディスク装置、フロッピディスク装置、
磁気テープ装置、磁気カード装置、磁気ドラム装置等の
磁気記録体装置に用いられる磁気記録体およびその製造
方法に関するものである。

（従来の技術） 近年、磁気ディスク、フロッピディスク、磁気テープ、
磁気カード、磁気ドラム等を使用した磁気記録装置の重
要性が増大し、その記録密度は年々著しい向上が図られ
つつある。これまで磁気記録体としては、酸化鉄磁性粉
と有機樹脂バインダーの混合物を基体上に塗布したいわ
ゆる塗布型媒体が広く用いられてきた。これは、磁性粉
が酸化物であるため化学的に安定であり、磁気ヘッドと
の接触・しゅう動に対し耐久性があること等信頼性が優
れていたためである。しかし、今後さらに高記録密度化
を達成するには磁気記録層の薄膜化が必要であり、塗布
型媒体ではこの点が不利となる。そこで高密度磁気記録
体として、金属磁性薄膜を磁気記録層とした磁気記録体
（以下、金属薄膜媒体という）が用いられ始めた。

磁気記録層に金属磁性薄膜を用いる利点は、飽和磁束密
度が大きいので媒体の薄膜化が可能であり、また高保磁
力が得られるため高密度記録に適することである。金属
磁性薄膜の他の利点は、無電解めっき、電気めっき、ス
パッタ、蒸着等の方法で薄膜を作製することが容易なこ
とである。しかし、このような金属磁性薄膜は、その材
質、置かれる外部環境等によっては腐食を生じる場合が
あり、フェライト、セラミック等からなる磁気ヘッドス
ライダー材よりも硬度が低いため磁気ヘッドとの耐久性
が不十分な場合がある。このため金属薄膜媒体では、金
属磁性薄膜の表面にRh,Au,Ni等の金属、C,SiO₂等の非金
属あるいは有機樹脂などからなる保護膜が形成されるこ
とがある。

（発明が解決しようとする問題点） 従来の金属薄膜媒体において、金属磁性薄膜の表面に保
護膜が形成されても耐食性、耐久性は必ずしも十分では
ない。十分な効果を得るため保護膜厚を増加した場合に
は高密度磁気記録体として適さなくなるおそれがある。

先ず、金属磁性薄膜の表面にRh,Au,Ni等の金属保護めっ
き法、スパッタ法、蒸着法等によって形成する場合、現
在利用し得るいずれあの作製方法によっても高密度磁気
記録体として適する保護膜厚（0.1μｍ以下）では保護
膜中のピンホールの発生を阻止することは困難であり、
必要な耐食性が得られない。また、これら薄膜の金属保
護膜は硬度が十分でなく必要な耐久性が得られない。C,
SiO₂等の非金属保護膜については潤滑性を有するものが
あり、金属保護膜よりも耐久性に優れるが、高密度磁気
記録体として適する保護膜厚範囲ではピンホールの発生
の阻止と十分な耐久性の確保は困難である。また、有機
樹脂保護膜の場合磁性薄膜との界面に於ける密着性がそ
れほど良くなく、高分子被膜の厚さを0.2μｍ以下にし
て磁性薄膜表面に均一な厚さで塗布することは表面張力
による凝集、基体表面からの凹凸性の反映等により困難
であった。

ところで、磁気記録装置における高記録密度化を実現す
るには、前述のような磁気記録体の媒体特性の改善、媒
体の薄膜化以上に、磁気ヘッドと磁気記録層との間隔が
重要でありこの分離長の減少が不可欠とされている。こ
のため保護膜が用いられるとしても、可能な限りその薄
膜化が図られねばならないが、今後一層の高密度化がな
される場合、前述の耐食性、耐久性等の問題はより顕著
となる。従って磁性薄膜自身の耐酸化性と硬度を向上さ
せて、保護膜を補完し、あるいは保護膜の必要性をなく
することが望ましい。

本発明の目的は、従来の問題を改善して、耐候性と耐久
性に優れた磁気記録体を提供することにある。

（問題点を解決するための手段） 本発明による磁気記録体は、基体上に磁性薄膜を設けた
磁気記録体において、前記磁性薄膜が結晶性の低い母材
中に結晶性の高い粒子が分散した構造からなる磁気記録
層を有していることを特徴としている。

また、本発明による磁気記録体は、望ましくは前記磁性
薄膜が、少なくともCo、Ni、Feの１種以上を含有し、ま
た、あるいは前記磁性薄膜が、少なくともCo、Ni、Feの
１種以上を含有し、さらにP,B,N,C,H,Oから選ばれた少
なくとも１種を含有した磁性薄膜からなる。

本発明による磁気記録体の製造方法は、基体上に磁性薄
膜を設けた磁気記録体において、分散めっき、無電解め
っきなどのめっき法、スパッタ、蒸着、イオンプレーテ
ィング、２源蒸着等の気相法によって、前記磁性薄膜を
結晶性に低い母材中に結晶性の高い粒子が分散した構造
の磁性薄膜とすることを特徴としている。

本発明の磁気記録体において用いられる磁性薄膜の結晶
性および構造は、Ｘ線回析、電子線回析、電子顕微鏡観
察等によって測定される。結晶性の高い粒子の形状、大
きさ、含有量等に制限はないが、例えば、形状は球状、
針状、柱状、平板状等が用いられ、大きさは磁性薄膜の
0.001〜10倍程度（各種形状において最も長い径につい
て）が用いられ、含有量は0.01〜99％好ましくは３〜60
％が用いられる。粒子の結晶性については母材よりも結
晶性が高ければよく、母材との境界が明確な場合も不明
確で連続的に結晶性が変化している場合もある。予め形
成された粒子を用いる場合は、低真空下での金属蒸発、
有機酸塩の還元、針状ゲーサイトなどの脱水、水素還
元、水銀電極を用いた電気分解、還元剤を用いた溶液中
の還元等による微粒子を添加するが、添加粒子を用いず
母材中に粒子が分散した磁性薄膜を得る場合もある。

本発明の磁気記録体において用いられる磁性薄膜は、少
なくともCo、Ni、Feの１種以上を含有している。前記磁
性薄膜が磁気記録層として好ましい特性を有するために
はこれに含まれるCo、Ni、Fe合計が５％以上を占めるこ
と、好ましくはCo、Ni、Fe含有量の合計が主成分即ち50
％以上を占めることが望ましい。

また、本発明の磁気記録体において用いられる強磁性金
属薄膜は、少なくともCo、Ni、Feの１種以上を含有し、
さらにCo、NiおよびFe以外の添加元素を含有してもよ
い。Co、NiおよびFe以外の添加元素としては、特に限定
される必要はないが、周期律表第Ia属、第IIa属、第III
a属、第IVa属、第Va属、第VIa属、第VIIa属、FeおよびC
oおよびNiを除く第VIII属、第Ib属、第IIb属、第IIIb
属、第IVb属、第Vb属、第VIb属、第VIIb属の元素の１種
以上を合計0.001at％以上50at％未満添加することによ
り、本発明の磁気記録体の特徴である前記強磁性金属薄
膜が得られやすいことがある。Co、NiおよびFe以外の添
加元素の例を具体例にいえば、Li,Be,F,Na,Mg,Al,Si,S,
Cl,K,Ca,Ti,V,Cr,Mn,Cu,Zn,Ga,Ge,As,Se,Br,Zr,Nb,Mo,R
u,Rh,Pd,Ag,Cd,In,Sn,Sb,Te,I,Ba,Ta,W,Re,Os,Ir,Pt,A
u,Hg,Tl,Pb,BiおよびSm,Gd,Tbなどのランタン系列希土
類元素等の元素であり、これらの１種以上を合計0.001
％以上70％未満、好ましくは0.01以上30％未満添加され
ることがある。

また、本発明の磁気記録体において用いられる磁性薄膜
には、Ｐ、Ｂ、Ｎ、Ｃ、Ｈ、Ｏから選ばれた少なくとも
１種を合計0.0001％以上70％未満好ましくは0.1％以上3
0％未満含有していてもよい。

磁性膜厚は0.003〜５μｍの範囲が用いられるが、高密
度記録用には0.5μｍ以下が好ましい。

磁性薄膜を形成する基体としては、通常アルミ合金、
銅、黄銅、リン青銅、鉄、チタン等の金属基板が用いら
れるが、適当な処理によりガラス、樹脂、セラミック等
の非金属基板ないしは金属と非金属の複合材料からなる
基板等も十分適用が可能である。

本発明の主要な目的は、従来の問題を改善して、金属磁
性薄膜の耐酸化性と硬度を向上させた磁気記録層を有
し、耐候性と耐久性に優れた磁気記録体を提供すること
にある。従って、種々の用途に用いるために磁気記録層
の上下の層について種々の材質の付加的層を加えた構成
の磁気記録体に対しても本発明を適用し得ることは明ら
かである。この様な構成の磁気記録体としては例えば、
良好な研磨性と極少欠陥面を得るため基体を無電解めっ
き法、電気めっき法、蒸着法、スパッタ法等によって作
製されたニッケル−リン、ニッケル−銅−リン、銅、ス
ズ、銅−スズ、銅−スズ等の層や陽極酸化法によって作
製されたアルマイト層などの中間層で被覆したもの、欠
陥減少の目的で中間層を多層化したもの、磁気記録層の
磁気特性の制御や作製の容易さ等の目的で磁性膜の下に
クロム、モリブデン、チタン、金、銀、白金、パラジウ
いられる地層やパラジウム、スズ−パラジウム、金等の
前処理層を形成したもの、耐候性、耐久性をより向上さ
せるために磁気記録層の上に保護層、潤滑層を形成した
ものなどが挙げられる。

本発明の磁気記録体において用いられる金属磁性薄膜
は、無電解めっき法、電気めっき法、溶融めっき法等の
湿式成膜法またはRFスパッタ法、直流スパッタ法、イオ
ンビームスパッタ法などのスパッタ法、蒸着法、イオン
プレーティング法、クラスタイオンビーム蒸着法、CVD
法等の乾式成膜法によって製造される。

めっき法によって本発明の特徴である結晶性の低い母材
中に高い粒子が分散した構造からなる磁性薄膜を得る方
法としては、微粒子粉体をめっき膜中に分散させる分散
めっき（あるいは複合めっきとも呼ばれ、非金属粒子や
酸化物粒子を電気めっき法や無電解めっき法により分散
析出させる方法の例が金属表面技術境界技術資料委員会
編「メッキ技術資料集［３］合金メッキおよび複合メッ
キ」に示されている。）が挙げられる。めっき浴組成、
めっき条件によっては分散めっき法によることはなく得
られることもある。一例として、結晶性を低下させやす
いＰの共析を伴う還元剤と結晶性の良い純度の高い金属
めっきの得やすいジメチルアミンボラン、ヒドラジン等
の還元剤を併用した無電解めっき法がある。いずれの場
合も、Co、Ni、Feの１種以上を含有しためっき膜を得る
ための公知のめっき浴を基本浴として利用することがで
きる。電気めっき法によってCo-Ni-P磁性薄膜を得るに
は、例えば研究実用化報告第26巻第２号p475の表２にあ
るように、硫酸コバルト、硫酸ニッケル、塩化アンモニ
ウム、次亜燐酸ナトリウムからなるＡ浴、硫酸コバル
ト、硫酸ニッケル、塩化ニッケル、ホウ酸、ギ酸ナトリ
ウム、次亜燐酸ナトリウムからなるＢ浴等を用いること
ができる。電気めっき法によって各種合金めっき膜を得
るには、例えばBrenner著Electrodeposition of Alloys
Volume I,II（ACADEMIC PRESS）あるいは「新しい合金
めっき法」（日・ソ通信社発行）等に示されるめっき浴
を用いることができる。無電解めっき法によってCo-Ni-
P合金磁性薄膜を得る一例としては、金属表面技術第33
巻第９号p414〜420（1982年）に示されるめっき浴が、
各種合金めっき膜については石橋知著「無電解メッキ」
（朝倉書店）,F.R.Morral著Magnetic Properties of El
ectroless and Electroplated Cobalt and Cobalt Allo
ys,PLATING FEBURARY,1972p131〜136に示されるめっき
浴を用いることができる。無電解めっき浴の主要成分と
しては、金属イオンとして少なくともコバルトイオン、
ニッケルイオン、鉄イオンの一種以上を含み、少なくと
も前記金属イオンの還元剤のほか、前記金属イオンの錯
化剤、pH緩衝剤、光沢剤、平滑剤、励起剤、ピンホール
防止剤、界面活性剤等の添加剤が用いられることがあ
る。コバルトイオン、ニッケルイオン、鉄イオンは、コ
バルト、ニッケルイオン、鉄イオンの硫酸塩、塩化塩等
の無機酸塩、酢酸塩、酒石酸塩等の有機酸塩などの可溶
性塩を無電解めっき浴中に溶解することによって供給さ
れる。コバルトイオン、ニッケルイオン、鉄イオンの濃
度は、0.004〜2mol/lの範囲が用いられるが、好ましく
は0.01〜0.25mol/lの範囲である。用いられる金属イオ
ンとしては、Co,NiないしはFeを主成分とするが、その
他の成分として,Li,Be,Mg,Al,Ru,Re,Mn,W,Zn,Sr,Y,Zr,N
b,Cd,In,Sb,Ta,Ir,Hg,Tl,Ti,V,Cr,Cu,Ga,Ge,Mo,Tc,Rb,R
a,Hf,Rh,Pd,Ag,Au,Pt,Sn,Te,Ba,Cs,Os,Sc,Se,Pb,Biおよ
びSm,Gd,Tbなどのランタン系列希土類元素等の元素が本
発明の効果に影響を与えない範囲で含まれていてもよ
く、これらのイオンはそれぞれの可溶性塩によって供給
される。めっき膜中にはこれらの元素のほか、還元剤の
種類によっては、Ｐ、Ｂ等、添加剤の種類によってはC,
N,O,S,As,Na,K,F,Cl,Br,I,Ca,Si等の非金属が含有され
ることがある。還元剤としては、次亜リン酸塩、水素化
ほう素化合物、ヒドラジン、アミノボラン、ジメチルボ
ラン、ジエチルアミンボラン、ジメチルアミンボランお
よびこれらの誘導体の１種または２種以上が、0.01〜1.
3mol/l、好ましくは0.05〜0.35mol/lの範囲で用いられ
る。錯化剤としては、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪
酸、イソ酪酸、吉草酸、イソ吉草酸、シュウ酸、マロン
酸基、酒石酸基、コハク酸、グルタル酸、マレイン酸、
フマル酸、シトラコン酸、イタコン酸、トリカルバリル
酸、グリコール酸、チオグリコール酸、乳酸、β−ヒド
ロキシプロピオン酸、リンゴ酸、クエン酸、イソクエン
酸、アロイソクエン酸、ピルビン酸、オキサル酢酸、ジ
グリコール酸、チオジグリコール酸、メルカプトコハク
酸、ジメルカプトコハク酸、安息香酸、マンデル酸、フ
タル酸、サリチル酸、タルトロン酸、アスコルビン酸、
スルホサリチル酸、トロポロン、３−メチルトロポロ
ン、タイロン等のカルボン酸、エチレンジアミン、ジエ
チレントリアミン、トリエチレンテトラアミン、ピリジ
ン等のアミンおよびその誘導体、イミノジ酢酸、イミノ
ジプロピオン酸、ニトリロトリ酢酸、ニトリロトリプロ
ピオン酸、エチレンジアミンジ酢酸、エチレンジアミン
テトラ酢酸、エチレンジアミンテトラプロピオン酸、ジ
エチレントリアミンペンタ酢酸等のアミノポリカルボン
酸、アラニン、ザルコシン、バリン、ノルロイシン、チ
ロシン、システイン、グルタミン酸、グリシン、アスパ
ラギン酸、アスパラギン、ヒスチジン等のアミノ酸、グ
ルコン酸、アロン酸、イドン酸、ガラクトン酸、グロン
酸、タロン酸、マンノン酸等のヘキソン酸、ピロリン酸
などの弱酸またはそれらの可溶性塩の１種または２種以
上の組み合わせが、0.00001〜4.0mol/lの範囲で用いら
れるが、0.01〜1.9mol/lの範囲が好ましい。pH緩衝剤と
してはアンモニウム塩、炭酸塩、有機酸塩などが使用さ
れ、硫酸アンモニウム、塩化アンモニウム、ホウ酸等を
用いることが好ましい。濃度範囲は0.01〜3mol/l、好ま
しくは0.03〜1mol/lが用いられる。pH調節剤としては、
アンモニアまたは苛性アルカリとしてNaOH,LiOH,KOH,Rb
OH,CsOH,FrOH,Be(OH)₂，Mg(OH)₂，Ca(OH)₂，Sr(OH)₂，B
a(OH)₂，Ra(OH)₂等の金属の水酸化物が、１種または２
種以上を組み合わせて用いられる。所要のpHを上回った
場合、pH降下には塩酸、硫酸、硝酸、酢酸等の酸が用い
られる。pH範囲は１〜14.5、好ましくは３〜13の間で用
いられる。めっき浴温は室温以上の温度が用いられる
が、好ましくは70℃以上、98℃以下の範囲である。

電気めっきの場合には、無電解めっきに比べて一般に浴
成分が少なく、得られる合金の種類および組成が広範囲
である。スパッタ、蒸着の場合には、ターゲット組成ま
たは蒸発源元素の種類を変えることにより、より広範囲
の合金を得ることができる。スパッタ、蒸着等の乾式成
膜法によって本発明の特徴である結晶性の低い母材中に
結晶性の高い粒子が分散した構造からなる磁性薄膜を得
るには、公知の磁性薄膜の作製法において若干の作製条
件の改良ないし工夫が必要である。例えばめっき法で得
られる低結晶性母材中に高結晶性粒子が分散した材料を
ターゲットとしてスパッタすることや低結晶性材料と高
結晶性材料の２元蒸着を行なうこと等が挙げられる。

（作用） 従来の金属薄膜媒体において、耐食性と耐久性を向上さ
せるため金属磁性薄膜の表面に保護膜を形成する方法は
必ずしも適切ではない。十分な効果を得るため保護膜厚
を増加した場合には高密度磁気記録体として適さなくな
るおそれがある。今後一層の高密度化がなされる場合、
可能な限り保護膜の薄膜化が図られねばならない。この
ため磁性薄膜自身の耐酸化性と硬度を向上させることに
よって、保護膜を補完し、あるいは保護膜の必要性をな
くすることが考えられる。発明者らは各種の構造をもつ
薄膜媒体を検討した結果、磁性薄膜が結晶性の低い母材
中に結晶性の高い粒子が分散した構造からなる磁気記録
層とすることによって本発明の目的を達し得ることを初
めて明らかにしたのである。本発明による磁気記録体で
は、磁性薄膜中の結晶性の高い粒子が露出せず結晶性の
低い母材中に覆われた状態にある。この母材の結晶性が
低い、即ち非晶質に近いことによって薄膜媒体の耐酸化
性と硬度を向上させているものと思われる。結晶性の高
い粒子は磁性薄膜表面近傍にも存在し、しかも母材の結
晶性は低いが非磁性層ではないため磁気ヘッドと磁気記
録層との間隔を増加しないという利点がある。このため
耐酸化性と硬度のみならず記録再生特性（出力、分解
能、オーバーライト、ノイズ、ピークシフト等）も向上
しうることが明らかとなった。本発明は、このような知
見を得たことによりもたらされたものである。

逆に具体的に実施例により本発明を説明する。下記の実
施例は本発明の効果を示す一例であって、構成、条件、
処理方法等を、本発明の精神を逸脱しない範囲で適宜変
更してもその目的を達成し得ることは当業界に携わる者
にとって容易に理解される。

（実施例１） アルミ合金基板内径100mm外径210mm上に非磁性Ni−Ｐ層
をめっきし、表面を鏡面研磨した後その上に下記のめっ
き浴（１）を用いて無電解めっき法によって膜厚0.09μ
ｍの磁性薄膜を形成した。

めっき浴（１） めっき浴組成 硫酸コバルト 0.1mol/l 次亜リン酸ナトリウム 0.3mol/l 酒石酸ナトリウム 0.8mol/l 硫酸アンモニウム 0.4mol/l カチオン界面活性剤 少量 添加粒子 Co磁性粉（平均粒径0.03μｍ） 20g/l めっき条件 浴温 80度Ｃ めっき浴のpH 9.2 （室温にてアンモニア水でpH調節） めっき液の容量 100l スターラ攪拌速度 300rpm程度 （スターラ攪拌速度およびカチオン界面活性剤の量は適
度な懸濁状態を保持するよう調整する。） 得られた磁気ディスクの磁性薄膜の断面の電子顕微鏡観
察を行なった結果、第１図にモデル図を示すように結晶
性の低い母材中に結晶性の高い粒子が分散した構造をし
ていることが確認された。

次にこの上に珪酸モノマーを回転塗布し、190度Ｃで数
時間焼成して膜厚0.02μｍの珪酸重合体を主成分とする
保護膜を形成し、更にこの上に脂肪族炭化水素系の固体
潤滑剤からなる潤滑層を形成し磁気ディスク（１）を作
製した。

（実施例２） 実施例１と同様の手順で磁気記録体の作製を行なった
が、本実施例では添加粒子としてCo磁性粉のかわりにCo
-Ni磁性粉（平均粒径0.04μｍ）45g/lを加え、スターラ
攪拌速度を350rpm程度とした。得られた磁気ディスクの
磁性薄膜の断面の電子顕微鏡観察を行なった結果、実施
例１と同様に結晶性の低い母材中に結晶性の高い粒子が
分散した構造をしていることが確認された。さらに実施
例１と同様にしてこの磁性薄膜上に膜厚0.04μｍの保護
膜を形成後、潤滑層を形成し磁気ディスク（２）を作製
した。

（実施例３） 実施例１と同様の手順で磁気記録体の作製を行なった
が、本実施例では添加粒子としてCo磁性粉のかわりにFe
磁性粉（平均粒径0.035μｍ）55g/lを加えた。得られた
磁気ディスクの磁性薄膜の断面の電子顕微鏡観察を行な
った結果、実施例１と同様に結晶性の低い母材中に結晶
性の高い粒子が分散した構造をしていることが確認され
た。さらに実施例１と同様にしてこの磁性薄膜上に膜厚
0.04μｍの保護膜を形成後、潤滑層を形成し磁気ディス
ク（３）を作製した。

（実施例４） 実施例１と同様の手順で磁気記録体の作製を行なった
が、本実施例では添加粒子としてCo磁性粉のかわりにCo
-Fe磁性粉（平均粒径0.025μｍ）65g/lを加え、スター
ラ攪拌速度を370rpm程度とした。得られた磁気ディスク
の磁性薄膜の断面の電子顕微鏡観察を行なった結果、実
施例１と同様に結晶性の低い母材中に結晶性の高い粒子
が分散した構造をしていることが確認された。さらに実
施例１と同様にしてこの磁性薄膜上に膜厚0.03μｍの保
護膜を形成後、潤滑層を形成し磁気ディスク（４）を作
製した。

（実施例５） 実施例１と同様の手順で磁気記録体の作製を行なった
が、本実施例では添加粒子としてCo磁性粉のかわりにCo
-Fe-Ni磁性粉（平均粒径0.02μｍ）100g/lを加え、スタ
ーラ攪拌速度を400rpm程度とした。得られた磁気ディス
クの磁性薄膜の断面の電子顕微鏡観察を行なった結果、
実施例１と同様に結晶性の低い母材中に結晶性の高い粒
子が分散した構造をしていることが確認された。さらに
実施例１と同様にしてこの磁性薄膜上に膜厚0.03μｍの
保護膜を形成後、潤滑層を形成し磁気ディスク（５）を
作製した。

（実施例６） 実施例１と同様の手順で磁気記録体の作製を行なった
が、本実施例では下記のめっき浴（２）を用いて無電解
めっき法によって膜厚0.11μｍの磁性薄膜を形成した。

めっき浴（２） めっき浴組成 硫酸コバルト 0.07mol/l 硫酸ニッケル 0.03mol/l 次亜リン酸ナトリウム 0.43mol/l マロン酸ナトリウム 0.9mol/l リンゴ酸ナトリウム 0.4mol/l 硫酸アンモニウム 0.5mol/l カチオン界面活性剤 少量 添加粒子 Co磁性粉（平均粒径0.05μｍ） 30g/l めっき条件 浴温 80度Ｃ めっき浴のpH 9.2 （室温にてアンモニア水でpH調節） めっき液の容量 100l スターラ攪拌速度 430rpm程度 （スターラ攪拌速度およびカチオン界面活性剤の量は適
度な懸濁状態を保持するよう調整する。） 得られた磁気ディスクの磁性薄膜の断面の電子顕微鏡観
察を行なった結果、実施例１と同様に結晶性の低い母材
中に結晶性の高い粒子が分散した構造をしていることが
確認された。さらに実施例１と同様にしてこの磁性薄膜
上に膜厚0.03μｍの保護膜を形成後、潤滑層を形成し磁
気ディスク（４）を作製した。

（実施例７） 実施例６と同様の手順で磁気記録体の作製を行なった
が、本実施例では添加粒子としてCo磁性粉のかわりにCo
-Ni磁性粉（平均粒径0.015μｍ）15g/lを加え、スター
ラ攪拌速度を150rpm程度とした。得られた磁気ディスク
の磁性薄膜の断面の電子顕微鏡観察を行なった結果、実
施例１と同様に結晶性の低い母材中に結晶性の高い粒子
が分散した構造をしていることが確認された。さらに実
施例１と同様にしてこの磁性薄膜上に膜厚0.04μｍの保
護膜を形成後、潤滑層を形成し磁気ディスク（７）を作
製した。

（実施例８） 実施例６と同様の手順で磁気記録体の作製を行なった
が、本実施例では添加粒子としてCo磁性粉のかわりにFe
磁性粉（平均粒径0.03μｍ）25g/lを加えた。得られた
磁気ディスクの磁性薄膜の断面の電子顕微鏡観察を行な
った結果、実施例１と同様に結晶性の低い母材中に結晶
性の高い粒子が分散した構造をしていることが確認され
た。さらに実施例１と同様にしてこの磁性薄膜上に膜厚
0.04μｍの保護膜を形成後、潤滑層を形成し磁気ディス
ク（７）を作製した。

（実施例９） 実施例６と同様の手順で磁気記録体の作製を行なった
が、本実施例では添加粒子としてCo磁性粉のかわりにCo
-Fe磁性粉（平均粒径0.035μｍ）55g/lを加え、スター
ラ攪拌速度を330rpm程度とした。得られた磁気ディスク
の磁性薄膜の断面の電子顕微鏡観察を行なった結果、実
施例１と同様に結晶性の低い母材中に結晶性の高い粒子
が分散した構造をしていることが確認された。さらに実
施例１と同様にしてこの磁性薄膜上に膜厚0.025μｍの
保護膜を形成後、潤滑層を形成し磁気ディスク（９）を
作製した。

（実施例10） 実施例６と同様の手順で磁気記録体の作製を行なった
が、本実施例では添加粒子としてCo磁性粉のかわりにFe
-Ni磁性粉（平均粒径0.02μｍ）80g/lを加え、スターラ
攪拌速度を360rpm程度とした。得られた磁気ディスクの
磁性薄膜の断面の電子顕微鏡観察を行なった結果、実施
例１と同様に結晶性の低い母材中に結晶性の高い粒子が
分散した構造をしていることが確認された。さらに実施
例１と同様にしてこの磁性薄膜上に膜厚0.03μｍの保護
膜を形成後、潤滑層を形成し磁気ディスク（10）を作製
した。

（実施例11） 実施例１と同様の手順で磁気記録体の作製を行なった
が、本実施例では下記のめっき浴（３）を用いて電気め
っき法によって膜厚0.1μｍの磁性薄膜を形成した。

めっき浴（３） めっき浴組成 硫酸コバルト 0.8mol/l 硫酸ニッケル 0.2mol/l 次亜リン酸ナトリウム 0.1mol/l 硫酸アンモニウム 0.5mol/l カチオン界面活性剤 少量 添加粒子 下記（11）〜（16） めっき条件 浴温 50度Ｃ めっき浴のpH 4.5 （室温にてアンモニア水でpH調節） 電流密度 3A/dm2 めっき液の容量 100l 槽底部より空気泡により攪拌 （スターラ攪拌速度およびカチオン界面活性剤の量は適
度な懸濁状態を保持するよう調整する。） 添加粒子としては、（11）Co磁性粉（平均粒径0.04μ
ｍ）35g/l、（12）Co-Ni磁性粉（平均粒径0.025μｍ）6
0g/l、（13）Fe磁性粉（平均粒径0.05μｍ）50g/l、（1
4）Fe-Co磁性粉（平均粒径0.03μｍ）70g/l、（15）Ba
フェライト磁性粉（平均粒径0.05μｍ）40g/lないしは
（16）γ−Fe₂O₃磁性粉（平均粒径0.06μｍ）65g/lを用
いた。

得られた磁気ディスクの磁性薄膜の断面の電子顕微鏡観
察を行なった結果、実施例１と同様に結晶性の低い母材
中に結晶性の高い粒子が分散した構造をしていることが
確認された。さらに実施例１と同様にしてこの磁性薄膜
上に膜厚0.015μｍの保護膜を形成後、潤滑層を形成し
た。こうして作製した磁気ディスクを各々の添加粒子に
対して磁気ディスク（11）、（12）、（13）、（14）、
（15）、（16）とする。

（実施例12） 実施例１と同様の手順で磁気記録体の作製を行なった
が、本実施例では下記のめっき浴（４）を用いて無電解
めっき法によって膜厚0.1μｍの磁性薄膜を形成した。

めっき浴（４） めっき浴組成 硫酸コバルト 0.09mol/l 硫酸ニッケル 0.03mol/l 次亜リン酸ナトリウム 0.13mol/l ジメチルアミンボラン0.08mol/l マロン酸ナトリウム 1.0mol/l リンゴ酸ナトリウム 0.5mol/l 硫酸アンモニウム 0.4mol/l カチオン界面活性剤 少量 添加金属塩 下記（17）〜（24） めっき条件 浴温 75度Ｃ めっき浴のpH 8.5 （室温にてアンモニア水でpH調節） めっき液の容量 100l スターラ攪拌速度 330rpm程度 添加金属塩としては、（17）モリブデン酸ナトリウム0.
004mol/l、（18）硫酸チタン0.002mol/l、（19）酢酸ク
ロム0.003mol/l、（20）塩化マンガン0.05mol/l、（2
1）スズ酸ナトリウム0.02mol/l、（22）硫酸亜鉛0.02mo
l/l、（23）タングステン酸ナトリウム0.06mol/l、（2
4）過レニウム酸アンモニウム0.01mol/lを用いた。

得られた磁気ディスクの磁性薄膜の断面の電子顕微鏡観
察を行なった結果、実施例１と同様に結晶性の低い母材
中に結晶性の高い粒子が分散した構造をしていることが
確認されたが、この場合予め形成された粒子を用いてい
ないため格子像の見られる結晶性の高い粒子部分と結晶
性に低い母材との境界は不明確で連続的に結晶性が変化
していた。さらに実施例１と同様にしてこの磁性薄膜上
に膜厚0.005μｍの保護膜を形成後、潤滑層を形成し
た。こうして作製した磁気ディスクを各々の添加金属塩
に対して磁気ディスク（17）、（18）、（19）、（2
0）、（21）、（22）、（23）、（24）とする。

（実施例13） 実施例１と同様の手順で磁気記録体の作製を行なった
が、本実施例では下記のめっき浴（６）を用いて無電解
めっき法によって膜厚0.1μｍの磁性薄膜を形成した。

めっき浴（６） めっき浴組成 硫酸コバルト 0.11mol/l 次亜リン酸ナトリウム 0.15mol/l ヒドラジン 0.02mol/l コハク酸ナトリウム 0.6mol/l リンゴ酸ナトリウム 0.6mol/l 硫酸アンモニウム 0.3mol/l カチオン界面活性剤 少量 添加金属塩 下記（25）〜（33） めっき条件 浴温 70度Ｃ めっき浴のpH 8.1 （室温にてアンモニア水でpH調節） めっき液の容量 100l スターラ攪拌速度 290rpm程度 添加金属塩としては、（25）酢酸鉛0.007mol/l、（26）
モリブデン酸ナトリウム0.003mol/l、（27）硫酸チタン
0.001mol/l、（28）酢酸クロム0.002mol/l、（29）塩化
マンガン0.015mol/l、（30）スズ酸ナトリウム0.009mol
/l、（31）硫酸亜鉛0.01mol/l、（32）タングステン酸
ナトリウム0.02mol/l、（33）過レニウム酸アンモニウ
ム0.015mol/lを用いた。

得られた磁気ディスクの磁性薄膜の断面の電子顕微鏡観
察を行なった結果、実施例12と同様に結晶性の低い母材
中に結晶性の高い粒子が分散した構造をしていることが
確認された。さらに実施例１と同様にしてこの磁性薄膜
上に膜厚0.005μｍの保護膜を形成後、潤滑層を形成し
た。こうして作製した磁気ディスクを各々の添加金属塩
に対して磁気ディスク（25）、（26）、（27）、（2
8）、（29）、（30）、（31）、（32）、（33）とす
る。

（実施例14） 実施例１と同様の手順で磁気記録体の作製を行なった
が、本実施例ではRFスパッタ法を用い下記の条件によっ
て膜厚0.1μｍの磁性薄膜を形成した。

スパッタ条件 ターゲット：実施例12のめっき浴５において添加金属塩
を（23）とした浴にて厚めっきした磁性膜（結晶性の低
い母材中に結晶性の高い粒子が分散した構造をもつ） バックグラウント真空度:4×10^-7Torr Arガス圧:3×10^-2Torr 基板温度:25〜150℃ スパッタ電力密度:1〜12W/cm² 得られた磁気ディスクの磁性薄膜の断面の電子顕微鏡観
察を行なった結果、実施例12と同様に結晶性の低い母材
中に結晶性の高い粒子が分散した構造をしていることが
確認された。さらにこの磁性薄膜上に実施例１と同様に
して膜厚0.01μｍの保護膜を形成後、潤滑層を形成し磁
気ディスク（34）を作製した。

（実施例15） 実施例１と同様の手順で磁気記録体の作製を行なった
が、本実施例ではアーク放電型のイオンプレーティング
法を用い下記の条件によって膜厚0.1μｍの磁性薄膜を
形成した。

イオンプレーティング条件 蒸発源：実施例12のめっき浴５において添加金属塩（2
3）とした浴にて厚めっきした磁性膜（結晶性の低い母
材中に結晶性の高い粒子が分散した構造をもつ）をはく
離したもの バックグラウンド真空度:2×10^-7Torr 窒素ガス圧:1×10^-2Torr 基板温度:100℃ 高圧電極とヒーター間の印加電圧:100V/cm 得られた磁気ディスクの磁性薄膜の断面の電子顕微鏡観
察を行なった結果、実施例12と同様に結晶性の低い母材
中に結晶性の高い粒子が分散した構造をしていることが
確認された。さらにこの磁性薄膜上に潤滑層を形成し磁
気ディスク（35）を得た。

（実施例16） 実施例１と同様の手順で磁気記録体の作製を行なった
が、本実施例では２元蒸着法を用い下記の条件によって
膜厚0.09μｍの磁性薄膜を形成した。

蒸着条件 蒸発源1:実施例６のめっき浴２において添加粒子と界面
活性剤を除き攪拌を行なわない浴にて厚めっきした磁性
膜（結晶性の低い母材に相当）をはく離したもの 蒸発源2:実施例６のめっき浴２において用いた添加粒子 蒸着時の真空度:2×10^-5Torr 基板温度:200℃ 得られた磁気ディスクの磁性薄膜の断面の電子顕微鏡観
察を行なった結果、実施例12と同様に結晶性の低い母材
中に結晶性の高い粒子が分散した構造をしていることが
確認された。さらにこの磁性薄膜上に潤滑層を形成し磁
気ディスク（36）を得た。

（比較例１） 実施例１と同様の手順で磁気記録体の作製を行なった
が、本比較例では下記のめっき浴（７）を用いて無電解
めっき法によって膜厚0.11μｍの磁性薄膜を形成した。

めっき浴（７） めっき浴組成 硫酸コバルト 0.08mol/l 硫酸ニッケル 0.03mol/l 次亜リン酸ナトリウム 0.2mol/l マロン酸ナトリウム 0.8mol/l リンゴ酸ナトリウム 0.3mol/l 硫酸アンモニウム 0.5mol/l めっき条件 浴温 80度Ｃ めっき浴のpH 9.0 （室温にてアンモニア水でpH調節） めっき液の容量 100l 得られた磁気ディスクの磁性薄膜の断面の電子顕微鏡観
察を行なったが、全体に均一で、結晶性の分布は認めら
れなかった。さらに実施例１と同様にしてこの磁性薄膜
上に膜厚0.1μｍの保護膜を形成後、潤滑層を形成し磁
気ディスク（37）を作製した。

（比較例２） 比較例１と同様の手順で磁気記録体の作製を行なった
が、本比較例では磁性薄膜上の保護膜厚を（38）膜厚0.
09μｍ、（39）膜厚0.07μｍ、（40）膜厚0.05μｍとし
た磁気ディスク（38）、（39）、（40）を作製した。

実施例および比較例で得られた磁気ディスクについて、
下記の条件で記録再生特性の測定を加えながら温度88
℃、湿度98％での耐候性試験を行ない、エラーの増加が
始まるまでの時間（Ａ）を調べた。Ａが20日以上であれ
ば実用上十分な耐候性があると考えられる。

測定条件 ディスク回転数:300rpm トラック：直径126〜190mm 使用ヘッドのトラック幅:18.5μｍ ギャップ長:1μｍ コイル巻数:16＋16 ヘッド浮上量:0.2μｍ 記録周波数（2F）:6.08MHz 記録電流:40mA エラースライスレベル:60％ また実施例および比較例で得られた磁気ディスクについ
て、Mn-Znフェライト・ヘッドを用いてCSS（接触・始動
・停止）試験を行ない表面に傷が発生するまでのCSS回
数（Ｂ）を調べた。Ｂが２万回以上であれば実用上十分
な耐久性をもつと考えられる。

以上の結果を第１表に示す。

比較例で得られた磁気ディスクでは耐候性と耐久性を満
たすのに膜厚0.1μｍ以上の保護膜を必要とするが、実
施例で得られた磁気ディスクでは耐候性と耐久性が著し
く向上し保護膜厚を0.05μｍ以下に低減することが可能
となった。

さらに実施例および比較例で得られた磁気ディスクにつ
いて、記録再生特性の比較を行なったが、出力、分解
能、オーバーライト、ノイズ、ピークシフト等のいずれ
の特性も比較例で得られた磁気ディスクよりも実施例で
得られた磁気ディスクのほうが優れていた。

（発明の効果） 以上、実施例で示されたように、本発明によれば、基体
上に設けられた磁性薄膜からなり、前記磁性薄膜が結晶
性の低い母材中に結晶性の高い粒子が分散した構造とす
ることにより、金属磁性薄膜の耐酸化性と硬度を向上さ
せた磁気記録層を有し、耐候性と耐久性に優れた磁気記
録体が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、実施例における本発明の磁気記録体の磁性薄
膜の断面のモデル図である。１は結晶性の高い粒子、２
は結晶性の低い母材である。

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】基体上に磁性薄膜を設けた構造を有する磁
   気記録体において、前記磁性薄膜が結晶性の低い母材中
   に結晶性の高い粒子が分散した構造からなることを特徴
   とする磁気記録体。
2. 【請求項２】前記磁性薄膜が、少なくともCo、Ni、Feの
   １種以上を含有した磁性薄膜である特許請求の範囲第１
   項記載の磁気記録体。
3. 【請求項３】前記磁性薄膜が、少なくともCo、Ni、Feの
   １種以上を含有し、さらにP,B,N,C,H,Oから選ばれた少
   なくとも１種を含有した磁性薄膜である特許請求の範囲
   第１項記載の磁気記録体。
4. 【請求項４】基体上に磁性薄膜を設けた磁気記録体の製
   造方法において、前記磁性薄膜を結晶性の低い母材中に
   結晶性の高い粒子が分散した構造の磁性薄膜をめっき法
   ににより作製することを特徴とする磁気記録体の製造方
   法。
5. 【請求項５】磁性微粒子を分散めっきすることにより結
   晶性の低い母材中に結晶性の高い粒子が分散した構造の
   磁性薄膜とすることを特徴とする特許請求の範囲第４項
   記載の磁気記録体の製造方法。
6. 【請求項６】Ｐの共析を伴う還元剤と結晶性の良い純度
   の高い金属めっきの得やすい還元剤を併用した無電解め
   っき法により結晶性の低い母材中に結晶性の高い粒子が
   分散した構造の磁性薄膜とすることを特徴とする特許請
   求の範囲第４項記載の磁気記録体の製造方法。
7. 【請求項７】基体上に磁性薄膜を設けた磁気記録体の製
   造方法において、結晶性の低い母材中に結晶性の高い粒
   子が分散した構造の材料を用いて気相合成方法により結
   晶性の低い母材中に結晶性の高い粒子が分散した構造の
   磁性薄膜を形成することを特徴とする磁気記録体の製造
   方法。
8. 【請求項８】結晶性の低い材料と結晶性の高い材料を蒸
   発源とし２元蒸着法により結晶性の低い母材中に結晶性
   の高い粒子が分散した構造の磁性薄膜を形成することを
   特徴とする特許請求の範囲第７項記載の磁気記録体の製
   造方法。