JPH0775943A - 研磨方法、この方法により得られる磁気ヘッド、この方法により研磨された表面を有するｘ線平行化部材およびｘ線反射部材並びにこの方法に用いる研磨材 - Google Patents
研磨方法、この方法により得られる磁気ヘッド、この方法により研磨された表面を有するｘ線平行化部材およびｘ線反射部材並びにこの方法に用いる研磨材Info
- Publication number
- JPH0775943A JPH0775943A JP6158638A JP15863894A JPH0775943A JP H0775943 A JPH0775943 A JP H0775943A JP 6158638 A JP6158638 A JP 6158638A JP 15863894 A JP15863894 A JP 15863894A JP H0775943 A JPH0775943 A JP H0775943A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- copper
- abrasive
- polished
- chemical activator
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 53
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 70
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 title description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 38
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 38
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 38
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 27
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000012190 activator Substances 0.000 claims abstract description 19
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000000725 suspension Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 17
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 10
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 6
- WQYVRQLZKVEZGA-UHFFFAOYSA-N hypochlorite Chemical compound Cl[O-] WQYVRQLZKVEZGA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 claims description 4
- 150000001451 organic peroxides Chemical class 0.000 claims description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 4
- 230000002463 transducing effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000002585 base Substances 0.000 abstract description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 239000003513 alkali Substances 0.000 abstract description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 32
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 5
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003637 basic solution Substances 0.000 description 2
- 230000002925 chemical effect Effects 0.000 description 2
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 2
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 2
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012811 non-conductive material Substances 0.000 description 2
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000906 Bronze Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001047 Hard ferrite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003962 NiZn Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 1
- 239000010974 bronze Substances 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007373 indentation Methods 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
- 238000003631 wet chemical etching Methods 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
- C09G1/00—Polishing compositions
- C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
- C09K3/1454—Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
- C09K3/1463—Aqueous liquid suspensions
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 銅または銅を主成分とする合金を研磨して掻
き傷および欠陥のない極めて平坦で滑らかな研磨表面を
得る。 【構成】 約500g/cm2の研磨圧力を作用させながら、研
磨材を研磨すべき表面５ａの全域にわたって移動させ
る。研磨材として、20〜50nmの平均粒度を有するSiO2粒
子がアルカリ溶液中に存在するコロイド状懸濁液、脱イ
オン水および化学活性化剤を含む研磨成分の組成物を用
いる。
き傷および欠陥のない極めて平坦で滑らかな研磨表面を
得る。 【構成】 約500g/cm2の研磨圧力を作用させながら、研
磨材を研磨すべき表面５ａの全域にわたって移動させ
る。研磨材として、20〜50nmの平均粒度を有するSiO2粒
子がアルカリ溶液中に存在するコロイド状懸濁液、脱イ
オン水および化学活性化剤を含む研磨成分の組成物を用
いる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、研磨圧力を作用させな
がら、研磨材と研磨すべき表面とを互いに対して移動さ
せて研磨表面を得る、銅または銅を主成分とする合金の
表面を研磨する方法に関する。
がら、研磨材と研磨すべき表面とを互いに対して移動さ
せて研磨表面を得る、銅または銅を主成分とする合金の
表面を研磨する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】研磨粒子によって銅の表面を機械的に研
磨する方法は広く知られている。一般にこのようにして
満足できる平坦性を達成することができるが、顕微鏡で
観察した場合に研磨表面には多くの溝および掻ききずが
付いている。さらに、機械的研磨により、研磨表面の下
において物質に乱れが発生する。機械的に研磨された表
面は、多くの用途、例えば直接ボンディングまたは高級
反射器に不適切である。さらに、層状ハイテク製品、例
えば薄層磁気ヘッドを製造する場合には、欠陥のない極
めて平坦で滑らかな研磨表面が必要である。
磨する方法は広く知られている。一般にこのようにして
満足できる平坦性を達成することができるが、顕微鏡で
観察した場合に研磨表面には多くの溝および掻ききずが
付いている。さらに、機械的研磨により、研磨表面の下
において物質に乱れが発生する。機械的に研磨された表
面は、多くの用途、例えば直接ボンディングまたは高級
反射器に不適切である。さらに、層状ハイテク製品、例
えば薄層磁気ヘッドを製造する場合には、欠陥のない極
めて平坦で滑らかな研磨表面が必要である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、実質
的に傷のない平坦で滑らかな表面を得ることができる研
磨方法であって、研磨圧力を作用させながら、研磨材を
研磨すべき表面の全域にわたって移動させて、銅または
銅を主成分とする合金の表面を研磨する方法を提供する
ことにある。
的に傷のない平坦で滑らかな表面を得ることができる研
磨方法であって、研磨圧力を作用させながら、研磨材を
研磨すべき表面の全域にわたって移動させて、銅または
銅を主成分とする合金の表面を研磨する方法を提供する
ことにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明においては、20〜
50nmの平均粒度を有するSiO2粒子がアルカリ溶液中に存
在するコロイド状懸濁液、脱イオン水および化学活性化
剤を含む研磨成分の組成物を研磨材として用い、一方40
0 〜600g/cm2の研磨圧力を、研磨材を吸収する研磨材ベ
ースにより加え、研磨材ベースが40のショアーＡ硬度〜
90のショアーＤ硬度を有することを特徴とする研磨方法
によって、上記の目的を達成する。ショアーＡおよびＤ
硬度は、DIN 53505 において定義されている。
50nmの平均粒度を有するSiO2粒子がアルカリ溶液中に存
在するコロイド状懸濁液、脱イオン水および化学活性化
剤を含む研磨成分の組成物を研磨材として用い、一方40
0 〜600g/cm2の研磨圧力を、研磨材を吸収する研磨材ベ
ースにより加え、研磨材ベースが40のショアーＡ硬度〜
90のショアーＤ硬度を有することを特徴とする研磨方法
によって、上記の目的を達成する。ショアーＡおよびＤ
硬度は、DIN 53505 において定義されている。
【０００５】銅または銅を主成分とする合金、例えば真
鍮または青銅に対して本発明の方法を用いることによ
り、実質的に傷のない平坦な研磨表面が得られ、その表
面粗さＲ（ｒｍｓ）を２nm未満にすることができること
が明らかになった。用いられる粒子は、物質構造を損な
うことなく銅または銅合金を研磨するために最適の粒度
および硬度を有する。最適の酸化のために化学活性化剤
を用いる。物理的、化学的および機械的パラメータは、
本発明の方法において役割を演ずる。研磨圧力は、本方
法を制御し、最適化することができる外部因子である。
上記研磨圧力により最適の結果が得られる。その理由
は、比較的低い圧力は、化学的概念に対して著しく好都
合であり、わずかに粗い表面が得られ、一方比較的高い
圧力は、機械的概念に対して著しく好都合であり、これ
によっても比較的粗い表面が得られるためである。研磨
材ベースは、研磨中に研磨材を保持し、従ってこれによ
り特に研磨される表面の最適なぬれが保証される。有機
繊維の薄織物(tissue)またはプレスした有機繊維から成
る研磨布を用いるのが好ましい。研磨材ベースの硬度
は、本発明の方法を最適化するために極めて重要であ
る。
鍮または青銅に対して本発明の方法を用いることによ
り、実質的に傷のない平坦な研磨表面が得られ、その表
面粗さＲ（ｒｍｓ）を２nm未満にすることができること
が明らかになった。用いられる粒子は、物質構造を損な
うことなく銅または銅合金を研磨するために最適の粒度
および硬度を有する。最適の酸化のために化学活性化剤
を用いる。物理的、化学的および機械的パラメータは、
本発明の方法において役割を演ずる。研磨圧力は、本方
法を制御し、最適化することができる外部因子である。
上記研磨圧力により最適の結果が得られる。その理由
は、比較的低い圧力は、化学的概念に対して著しく好都
合であり、わずかに粗い表面が得られ、一方比較的高い
圧力は、機械的概念に対して著しく好都合であり、これ
によっても比較的粗い表面が得られるためである。研磨
材ベースは、研磨中に研磨材を保持し、従ってこれによ
り特に研磨される表面の最適なぬれが保証される。有機
繊維の薄織物(tissue)またはプレスした有機繊維から成
る研磨布を用いるのが好ましい。研磨材ベースの硬度
は、本発明の方法を最適化するために極めて重要であ
る。
【０００６】機械化学的研磨材は、ナノミクロンのSiO2
粒子を塩基性溶液中に含む、サイトン(Syton) の商品名
で知られている。本質的に、即ち本発明の方法において
記載した上記の添加なしに、この研磨材は、銅または銅
合金の表面を精密に研磨するのには不適切である。上記
の研磨材は、特に米国特許第3,485,608 号明細書（参考
としてここに加入する）に述べられており、これにはケ
イ素ウェーハを研磨する方法が記載されている。
粒子を塩基性溶液中に含む、サイトン(Syton) の商品名
で知られている。本質的に、即ち本発明の方法において
記載した上記の添加なしに、この研磨材は、銅または銅
合金の表面を精密に研磨するのには不適切である。上記
の研磨材は、特に米国特許第3,485,608 号明細書（参考
としてここに加入する）に述べられており、これにはケ
イ素ウェーハを研磨する方法が記載されている。
【０００７】本発明の方法の一例は、研磨成分がSiO2粒
子を約50重量％および約10のpHを有する溶液を約50重量
％含むことを特徴とする。濃度が約10-4のモル濃度であ
るアルカリを加えることにより、約10のpHを調節する。
子を約50重量％および約10のpHを有する溶液を約50重量
％含むことを特徴とする。濃度が約10-4のモル濃度であ
るアルカリを加えることにより、約10のpHを調節する。
【０００８】本発明の方法の一例は、60〜100 体積部の
脱イオン水および25〜50体積部の化学活性化剤を100 体
積部の研磨成分あたり用いることを特徴とする。比較的
延性である物質、例えば銅の場合には、研磨操作の間、
研磨材の凝固を回避し、この間なお化学効果を保持しな
ければならない。本発明の方法において提案する希釈の
程度はこれに従う。化学効果の概念をさらに最適化する
ことができる。
脱イオン水および25〜50体積部の化学活性化剤を100 体
積部の研磨成分あたり用いることを特徴とする。比較的
延性である物質、例えば銅の場合には、研磨操作の間、
研磨材の凝固を回避し、この間なお化学効果を保持しな
ければならない。本発明の方法において提案する希釈の
程度はこれに従う。化学効果の概念をさらに最適化する
ことができる。
【０００９】本発明の方法の一例は、過酸化水素、有機
過酸化物または次亜塩素酸塩を化学活性化剤として用い
ることを特徴とする。このような化学活性化剤は、例え
ば酸化により、研磨の間に放出された物質を脱着し、こ
の物質を溶解させる。これは、純粋に機械的な研磨方法
における通常の現象のような表面上の物質の局所的な塑
性変形とは対照的である。
過酸化物または次亜塩素酸塩を化学活性化剤として用い
ることを特徴とする。このような化学活性化剤は、例え
ば酸化により、研磨の間に放出された物質を脱着し、こ
の物質を溶解させる。これは、純粋に機械的な研磨方法
における通常の現象のような表面上の物質の局所的な塑
性変形とは対照的である。
【００１０】本発明の方法の一例は、銅または銅を主成
分とする合金の表面を有する層が上に形成されている基
板から方法を開始することを特徴とする。導電層を構造
化(structure) することができるこの例は、研磨表面の
平滑性、平坦性および条件、特に物理的条件に関して厳
しい要求が課せられている平坦な(planar)薄膜磁気ヘッ
ドを製造する際に用いるのに特に適している。薄層磁気
ヘッドでは、書き込み巻き線および／またはテスト巻き
線として形成された構造化層を形成するのが普通であ
る。特に書き込み巻き線の場合には、この層は低い抵
抗、例えば１オームより小さい抵抗を有する必要があ
る。本発明の方法は狭くて比較的厚い巻き線を用いる可
能性を提供し、この場合には上記層は基板中に埋設され
ている。硬いフェライトを全く問題なく基板材料として
用いることができる。
分とする合金の表面を有する層が上に形成されている基
板から方法を開始することを特徴とする。導電層を構造
化(structure) することができるこの例は、研磨表面の
平滑性、平坦性および条件、特に物理的条件に関して厳
しい要求が課せられている平坦な(planar)薄膜磁気ヘッ
ドを製造する際に用いるのに特に適している。薄層磁気
ヘッドでは、書き込み巻き線および／またはテスト巻き
線として形成された構造化層を形成するのが普通であ
る。特に書き込み巻き線の場合には、この層は低い抵
抗、例えば１オームより小さい抵抗を有する必要があ
る。本発明の方法は狭くて比較的厚い巻き線を用いる可
能性を提供し、この場合には上記層は基板中に埋設され
ている。硬いフェライトを全く問題なく基板材料として
用いることができる。
【００１１】本発明の方法の一例は、磁気ヘッドの変換
ギャップを形成するために、得られた研磨表面の上に非
磁性層を堆積させることを特徴とする。本発明の方法を
用いる場合には、正確な研磨表面が存在しているため
に、非磁性層を厚さに変動のない完全に平滑な状態にす
ることができ、従って非磁性層は正確に画成された厚さ
を有する。非磁性層の厚さにより、得られる磁気ヘッド
の書き込み特性が決定される。例えば、SiO2またはZrO2
を非磁性層材料として用いることができ、これらの材料
はそれぞれＰＥ−ＣＶＤまたはスパッタリングによって
堆積させることができる。小さい書き込みギャップの場
合には、凹設された導体を用いることにより、非磁性層
の厚さを自由に選択することができる。凹設されていな
い導体の場合には、満足できるステップコーティングを
保証すると共に、導体と磁気ヘッドの磁気ヨークとの間
の短絡を防止するために厚い絶縁層を設ける必要があ
る。この厚い絶縁層は後段階において正確な厚さまで再
エッチングして、所望の書き込みギャップを実現する必
要がある。
ギャップを形成するために、得られた研磨表面の上に非
磁性層を堆積させることを特徴とする。本発明の方法を
用いる場合には、正確な研磨表面が存在しているため
に、非磁性層を厚さに変動のない完全に平滑な状態にす
ることができ、従って非磁性層は正確に画成された厚さ
を有する。非磁性層の厚さにより、得られる磁気ヘッド
の書き込み特性が決定される。例えば、SiO2またはZrO2
を非磁性層材料として用いることができ、これらの材料
はそれぞれＰＥ−ＣＶＤまたはスパッタリングによって
堆積させることができる。小さい書き込みギャップの場
合には、凹設された導体を用いることにより、非磁性層
の厚さを自由に選択することができる。凹設されていな
い導体の場合には、満足できるステップコーティングを
保証すると共に、導体と磁気ヘッドの磁気ヨークとの間
の短絡を防止するために厚い絶縁層を設ける必要があ
る。この厚い絶縁層は後段階において正確な厚さまで再
エッチングして、所望の書き込みギャップを実現する必
要がある。
【００１２】本発明はまた、本発明の方法により得るこ
とができる磁気ヘッドに関するものである。得られた薄
膜磁気ヘッドは、読み取りおよび／または書き込みヘッ
ドとして用いることができる。読み取りヘッドの場合に
は、高い効率が要求される。このため、本発明の方法を
用いる場合には、磁性基板にくぼみまたはみぞを設ける
ことができる。銅または銅を主成分とする合金をくぼみ
内に堆積させて導体を形成し、次に本発明を用いて平坦
化プロセスを実施して研磨表面を得る。導体を、このよ
うにして得られた磁気ヘッドの磁性基板中に埋設する。
とができる磁気ヘッドに関するものである。得られた薄
膜磁気ヘッドは、読み取りおよび／または書き込みヘッ
ドとして用いることができる。読み取りヘッドの場合に
は、高い効率が要求される。このため、本発明の方法を
用いる場合には、磁性基板にくぼみまたはみぞを設ける
ことができる。銅または銅を主成分とする合金をくぼみ
内に堆積させて導体を形成し、次に本発明を用いて平坦
化プロセスを実施して研磨表面を得る。導体を、このよ
うにして得られた磁気ヘッドの磁性基板中に埋設する。
【００１３】本発明はまた、本発明の方法により研磨さ
れた表面を有するＸ線平行化部材に関するものである。
本発明はまた、本発明の方法により研磨された表面を有
するＸ線反射部材に関するものである。
れた表面を有するＸ線平行化部材に関するものである。
本発明はまた、本発明の方法により研磨された表面を有
するＸ線反射部材に関するものである。
【００１４】上記の部材は、例えば放射発散を制限する
部材として用いることができ、表面に対する基準(refer
ence) として作用することができる。従って、上記部材
が最適に決定された表面特性を有することが重要であ
る。本発明はさらに、本発明の方法において用いるのに
適した研磨材に関する。
部材として用いることができ、表面に対する基準(refer
ence) として作用することができる。従って、上記部材
が最適に決定された表面特性を有することが重要であ
る。本発明はさらに、本発明の方法において用いるのに
適した研磨材に関する。
【００１５】本発明の研磨材は、20〜50nmの平均粒度を
有するSiO2粒子がアルカリ溶液中に存在するコロイド状
懸濁液、脱イオン水および化学活性化剤を含み、60〜10
0 体積部の脱イオン水および25〜50体積部の化学活性化
剤が100 体積部の研磨成分あたり存在することを特徴と
する。塩基性溶液は、KOH またはNaOHとすることができ
る。実験により、研磨表面の表面粗さが、研磨材の組成
物の上記制限内の２nm以内に維持されることが明らかに
なった。さらに、研磨表面は、直接ボンディングをする
ことができる程度の平滑性を有することが見出された。
有するSiO2粒子がアルカリ溶液中に存在するコロイド状
懸濁液、脱イオン水および化学活性化剤を含み、60〜10
0 体積部の脱イオン水および25〜50体積部の化学活性化
剤が100 体積部の研磨成分あたり存在することを特徴と
する。塩基性溶液は、KOH またはNaOHとすることができ
る。実験により、研磨表面の表面粗さが、研磨材の組成
物の上記制限内の２nm以内に維持されることが明らかに
なった。さらに、研磨表面は、直接ボンディングをする
ことができる程度の平滑性を有することが見出された。
【００１６】本発明の研磨材の実際的な例は、研磨成分
が約50重量％のSiO2粒子を含み、溶液が約10のpHを有す
ることを特徴とする。
が約50重量％のSiO2粒子を含み、溶液が約10のpHを有す
ることを特徴とする。
【００１７】本発明の研磨材の一例は、化学活性化剤
が、過酸化水素、有機過酸化物および次亜塩素酸塩から
成る群から選ばれた物質であることを特徴とする。本発
明の方法の化学的概念を最適化するために、即ち研磨の
間に放出された物質を溶解させるために、この化学活性
化剤を添加することが必要である。
が、過酸化水素、有機過酸化物および次亜塩素酸塩から
成る群から選ばれた物質であることを特徴とする。本発
明の方法の化学的概念を最適化するために、即ち研磨の
間に放出された物質を溶解させるために、この化学活性
化剤を添加することが必要である。
【００１８】
【実施例】以下本発明を図面を参照して説明する。本発
明の方法の一例を用いて薄膜磁気ヘッドを製造する方法
を図１〜８を参照して説明する。軟磁性基板１、この例
では滑らかで平坦な基板表面を有するNiZnフェライトの
ようなフェライトからこの製造方法を開始し、その上に
堆積および構造化を逐次行うことにより、マスク３、こ
の例ではニッケルマスクを形成する。ニッケル層の堆積
は電気めっき法によって行うことができ、他方構造化に
はフォトレジスト層を用いることができる。基板１にみ
ぞまたはくぼみ１ａを、例えばスパッタ・エッチングま
たは反応性イオンエッチングによって材料を除去するこ
とにより形成し、次にマスク３の残留している部分を例
えば湿式化学エッチングにより除去する。銅層５を例え
ば上述のように構造化された基板１の上に、スパッタリ
ングにより設ける。フェライト材料に対する銅の接着を
改善するために、銅層を設ける前に、接着剤層を形成す
ることができる。
明の方法の一例を用いて薄膜磁気ヘッドを製造する方法
を図１〜８を参照して説明する。軟磁性基板１、この例
では滑らかで平坦な基板表面を有するNiZnフェライトの
ようなフェライトからこの製造方法を開始し、その上に
堆積および構造化を逐次行うことにより、マスク３、こ
の例ではニッケルマスクを形成する。ニッケル層の堆積
は電気めっき法によって行うことができ、他方構造化に
はフォトレジスト層を用いることができる。基板１にみ
ぞまたはくぼみ１ａを、例えばスパッタ・エッチングま
たは反応性イオンエッチングによって材料を除去するこ
とにより形成し、次にマスク３の残留している部分を例
えば湿式化学エッチングにより除去する。銅層５を例え
ば上述のように構造化された基板１の上に、スパッタリ
ングにより設ける。フェライト材料に対する銅の接着を
改善するために、銅層を設ける前に、接着剤層を形成す
ることができる。
【００１９】層５は基板１とは反対側に銅表面５ａを有
する。誘導変換素子として作用し、かつ掻き傷および欠
陥のない少なくともほぼ平坦な表面７ａを有する巻き線
７を得るために、この表面を本発明の方法により研磨す
る。このために、本発明の研磨材の一例を用いる。この
研磨材は、本例では400cc の研磨成分、400cc の脱イオ
ン水および160cc の過酸化水素を含む。研磨成分は、10
-4のモル濃度である塩基を加えた水中で50.4重量％のSi
O2粒子を有する。粒子は36nmの平均粒度を有する。pHは
10.1である。同時に約500g/cm2の研磨圧力を作用させな
がら、約35のショアーＤ硬度を有する有機繊維から成る
研磨材ベースにより、研磨材を表面５ａに対して移動さ
せる。驚異的なことに、生成した研磨された銅表面７ａ
が基板１の隣り合う表面部分１ｂと完全に隣接すること
が見出され、ここで100nm 未満の高さの差異を容易に達
成することができる。
する。誘導変換素子として作用し、かつ掻き傷および欠
陥のない少なくともほぼ平坦な表面７ａを有する巻き線
７を得るために、この表面を本発明の方法により研磨す
る。このために、本発明の研磨材の一例を用いる。この
研磨材は、本例では400cc の研磨成分、400cc の脱イオ
ン水および160cc の過酸化水素を含む。研磨成分は、10
-4のモル濃度である塩基を加えた水中で50.4重量％のSi
O2粒子を有する。粒子は36nmの平均粒度を有する。pHは
10.1である。同時に約500g/cm2の研磨圧力を作用させな
がら、約35のショアーＤ硬度を有する有機繊維から成る
研磨材ベースにより、研磨材を表面５ａに対して移動さ
せる。驚異的なことに、生成した研磨された銅表面７ａ
が基板１の隣り合う表面部分１ｂと完全に隣接すること
が見出され、ここで100nm 未満の高さの差異を容易に達
成することができる。
【００２０】表面１ｂと７ａとは共同して平滑な主表面
９を形成し、その上に非磁性で非導電性の材料層１１を
形成する。このために、例えば、石英またはジルコニア
をそれぞれＰＥ−ＣＶＤまたはスパッタリングによって
堆積させることができる。この点に関し、材料層１１が
正確で均一な厚さを有していることが重要である。その
理由は、製造された磁気ヘッドにおいて材料層１１の一
部分が変換ギャップ１１ａ（図９参照）として機能する
からである。
９を形成し、その上に非磁性で非導電性の材料層１１を
形成する。このために、例えば、石英またはジルコニア
をそれぞれＰＥ−ＣＶＤまたはスパッタリングによって
堆積させることができる。この点に関し、材料層１１が
正確で均一な厚さを有していることが重要である。その
理由は、製造された磁気ヘッドにおいて材料層１１の一
部分が変換ギャップ１１ａ（図９参照）として機能する
からである。
【００２１】形成された材料層１１には、連結開口１３
を、既知技術、例えば、石英の硬化層内で化学エッチン
グを行うことにより設ける。次に、軟磁性材料、例えば
NiFe合金またはCoZrNb合金を、既知の堆積技術によって
堆積させて、磁束案内層１５を形成する。次に、この層
１５を研磨して磁束案内１５ａを形成し、研削および／
または研磨によりヘッド面１７を形成することができ
る。
を、既知技術、例えば、石英の硬化層内で化学エッチン
グを行うことにより設ける。次に、軟磁性材料、例えば
NiFe合金またはCoZrNb合金を、既知の堆積技術によって
堆積させて、磁束案内層１５を形成する。次に、この層
１５を研磨して磁束案内１５ａを形成し、研削および／
または研磨によりヘッド面１７を形成することができ
る。
【００２２】図９は上述の方法によって得られた薄膜磁
気ヘッドを示す。この磁気ヘッドは基板１に凹設された
銅製誘導素子７を備え、この誘導素子７には基板１と磁
束案内１５ａとによって形成される磁気ヨークおよび非
磁性変換ギャップ１１ａが設けられている。
気ヘッドを示す。この磁気ヘッドは基板１に凹設された
銅製誘導素子７を備え、この誘導素子７には基板１と磁
束案内１５ａとによって形成される磁気ヨークおよび非
磁性変換ギャップ１１ａが設けられている。
【００２３】本発明の方法はその用途を磁気ヘッドの製
造方法に限定されるものではなく、銅または銅を主成分
とする合金の表面条件に厳しい要件が課せられている多
くの用途に適切である。本方法は、例えば、銅または銅
合金のミラー表面を有するミラーを製造する際に好都合
に用いることができる。このようなミラーは、例えばＸ
線平行化部材、分散材またはＸ線反射計の校正試料とし
て用いることができる。酸化を防止するために、本発明
の方法により得られた研磨表面を、例えば厚さが30nmで
ある金のような貴金属製の薄層で被覆することができ
る。
造方法に限定されるものではなく、銅または銅を主成分
とする合金の表面条件に厳しい要件が課せられている多
くの用途に適切である。本方法は、例えば、銅または銅
合金のミラー表面を有するミラーを製造する際に好都合
に用いることができる。このようなミラーは、例えばＸ
線平行化部材、分散材またはＸ線反射計の校正試料とし
て用いることができる。酸化を防止するために、本発明
の方法により得られた研磨表面を、例えば厚さが30nmで
ある金のような貴金属製の薄層で被覆することができ
る。
【００２４】図１０および１１に示す装置は、グランシ
ング入射Ｘ線分析(glancing incidence X-ray analysi
s) に関する。これらの装置を用いて測定を実施して、
特に層の厚さ、界面の粗さ、側面粗さの相関、組成物プ
ロフィルおよび薄層構造に関する情報を得ることができ
る。
ング入射Ｘ線分析(glancing incidence X-ray analysi
s) に関する。これらの装置を用いて測定を実施して、
特に層の厚さ、界面の粗さ、側面粗さの相関、組成物プ
ロフィルおよび薄層構造に関する情報を得ることができ
る。
【００２５】図１０に示す装置は、エネルギー分散スペ
クトロメータ５０、Ｘ線管５２および校正試料５６上に
入射するＸ線の発散を制限する透過ギャップ５４を備え
る。軸となるように(pivotably) 調整された試料５６
は、本発明の方法により研磨された表面５６ａを有す
る。
クトロメータ５０、Ｘ線管５２および校正試料５６上に
入射するＸ線の発散を制限する透過ギャップ５４を備え
る。軸となるように(pivotably) 調整された試料５６
は、本発明の方法により研磨された表面５６ａを有す
る。
【００２６】図１１に示す装置は、エネルギー分散スペ
クトロメータ６０、Ｘ線管６２および軸となる試料６７
上に入射するＸ線を分散処理する(dispersive processi
ng)平坦であるかまたは湾曲したミラー６５を有する。
ミラー６５は、本発明の方法により研磨された銅表面６
５ａを有する。
クトロメータ６０、Ｘ線管６２および軸となる試料６７
上に入射するＸ線を分散処理する(dispersive processi
ng)平坦であるかまたは湾曲したミラー６５を有する。
ミラー６５は、本発明の方法により研磨された銅表面６
５ａを有する。
【００２７】図１２および１３に示す装置は、各々Ｘ線
管７１および検出器７３を備える。図１２の装置はま
た、軸となる校正試料７７上に入射するＸ線の発散を制
限する透過ギャップ７５および、光線の受光角を決定す
る、検出器の前のギャップ７８を備える。銅試料７７
は、本発明の方法により研磨された表面７７ａを有す
る。図１３の装置は、試料８１上に入射する光線を分散
処理するミラー７９を有する。ミラー７９は、本発明の
方法により得られた表面７９ａを有する。
管７１および検出器７３を備える。図１２の装置はま
た、軸となる校正試料７７上に入射するＸ線の発散を制
限する透過ギャップ７５および、光線の受光角を決定す
る、検出器の前のギャップ７８を備える。銅試料７７
は、本発明の方法により研磨された表面７７ａを有す
る。図１３の装置は、試料８１上に入射する光線を分散
処理するミラー７９を有する。ミラー７９は、本発明の
方法により得られた表面７９ａを有する。
【００２８】図１１および１３における部材６５および
７９は、部材の湾曲に依存して、反射または平行化特性
を有することができる。
７９は、部材の湾曲に依存して、反射または平行化特性
を有することができる。
【００２９】本発明は示した例に限定されない。前記し
た例に加えて、本発明の他の研磨材の例を用いて好都合
な実験を実施した。これらの実験において、研磨成分、
脱イオン水および化学活性化剤の体積比は、100:100:2
5、100:60:50 および100:60:40 であった。
た例に加えて、本発明の他の研磨材の例を用いて好都合
な実験を実施した。これらの実験において、研磨成分、
脱イオン水および化学活性化剤の体積比は、100:100:2
5、100:60:50 および100:60:40 であった。
【図１】本発明の方法の一例を用いて平坦な磁気ヘッド
を製造するプロセスの第１段階の説明図である。
を製造するプロセスの第１段階の説明図である。
【図２】本発明の方法の一例を用いて平坦な磁気ヘッド
を製造するプロセスの第２段階の説明図である。
を製造するプロセスの第２段階の説明図である。
【図３】本発明の方法の一例を用いて平坦な磁気ヘッド
を製造するプロセスの第３段階の説明図である。
を製造するプロセスの第３段階の説明図である。
【図４】本発明の方法の一例を用いて平坦な磁気ヘッド
を製造するプロセスの第４段階の説明図である。
を製造するプロセスの第４段階の説明図である。
【図５】本発明の方法の一例を用いて平坦な磁気ヘッド
を製造するプロセスの第５段階の説明図である。
を製造するプロセスの第５段階の説明図である。
【図６】本発明の方法の一例を用いて平坦な磁気ヘッド
を製造するプロセスの第６段階の説明図である。
を製造するプロセスの第６段階の説明図である。
【図７】本発明の方法の一例を用いて平坦な磁気ヘッド
を製造するプロセスの第７段階の説明図である。
を製造するプロセスの第７段階の説明図である。
【図８】本発明の方法の一例を用いて平坦な磁気ヘッド
を製造するプロセスの第８段階の説明図である。
を製造するプロセスの第８段階の説明図である。
【図９】本発明の方法の一例によって製造された薄膜磁
気ヘッドの要部の断面図である。
気ヘッドの要部の断面図である。
【図１０】校正試料を備えたグランシング入射Ｘ線分析
装置の図式図である。
装置の図式図である。
【図１１】反射部材を備えたグランシング入射Ｘ線分析
装置の図式図である。
装置の図式図である。
【図１２】校正試料を備えたＸ線反射測定装置の図式図
である。
である。
【図１３】反射部材を備えたＸ線反射測定装置の図式図
である。
である。
１ 基板 １ａ くぼみ（みぞ） １ｂ 基板１の表面部分 ３ マスク ５ 銅層 ５ａ 銅表面 ７ 誘導素子（巻き線） ７ａ 平坦な表面（研磨した銅表面） ９ 平滑な主表面 １１ 非磁性で非導電性の材料層 １１ａ 変換ギャップ １３ 連結開口 １５ 磁束案内層 １５ａ 磁束案内 １７ ヘッド面 ５０ エネルギー分散スペクトロメータ ５２ Ｘ線管 ５４ 透過ギャップ ５６ 校正試料 ５６ａ 校正試料５６の表面 ６０ エネルギー分散スペクトロメータ ６２ Ｘ線管 ６４ 透過ギャップ ６５ 湾曲したミラー ６５ａ ミラー６５の銅表面 ６７ 軸となる試料 ７１ Ｘ線管 ７３ 検出器 ７５ 透過ギャップ ７７ 軸となる校正試料 ７７ａ 試料７７の表面 ７８ ギャップ ７９ ミラー ７９ａ ミラー７９の表面 ８１ 試料
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ペテル ウィルヘルムス デ ハース オランダ国 5621 ベーアー アインドー フェン フルーネヴァウツウェッハ １ (72)発明者 ディルク コルネリス ヘルハルダス デ ブル オランダ国 5621 ベーアー アインドー フェン フルーネヴァウツウェッハ １ (72)発明者 ウォルテルス ウィルヘルムス ファン デ ホーヘンホフ オランダ国 7602 イェーアー アルメロ レリイウェッハ １ (72)発明者 ランベルタス ポストマ オランダ国 5621 ベーアー アインドー フェン フルーネヴァウツウェッハ １
Claims (13)
- 【請求項１】 研磨表面を得るために、研磨圧力を作用
させながら、研磨材と研磨すべき表面とを互いに対して
移動させて、銅または銅を主成分とする合金の表面を研
磨するにあたり、 20〜50nmの平均粒度を有するSiO2粒子がアルカリ溶液中
に存在するコロイド状懸濁液、脱イオン水および化学活
性化剤を含む研磨成分の組成物を研磨材として用い、こ
の間研磨材を吸収する研磨材ベースにより400 〜600g/c
m2の研磨圧力を作用させ、研磨材ベースが40のショアー
Ａ硬度〜90のショアーＤ硬度の範囲内の硬度を有するこ
とを特徴とする研磨方法。 - 【請求項２】 研磨成分がSiO2粒子を約50重量％および
約10のpHを有する溶液を約50重量％含むことを特徴とす
る請求項１記載の方法。 - 【請求項３】 60〜100 体積部の脱イオン水および25〜
50体積部の化学活性化剤を100 体積部の研磨成分あたり
用いることを特徴とする請求項１または２記載の方法。 - 【請求項４】 過酸化水素、有機過酸化物または次亜塩
素酸塩を化学活性化剤として用いることを特徴とする請
求項１、２または３記載の方法。 - 【請求項５】 銅または銅を主成分とする合金の表面を
有する層が上に形成されている基板から方法を開始する
ことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つの項記載
の方法。 - 【請求項６】 磁気ヘッドの変換ギャップを形成するた
めに、得られた研磨表面の上に非磁性層を堆積させるこ
とを特徴とする請求項５記載の方法。 - 【請求項７】 請求項６記載の方法により得られる磁気
ヘッド。 - 【請求項８】 銅またはその合金製の導体が磁性基板に
より包囲されていることを特徴とする請求項７記載の磁
気ヘッド。 - 【請求項９】 請求項１〜４のいずれか１つの項記載の
方法により研磨された表面を有することを特徴とするＸ
線平行化部材。 - 【請求項１０】 請求項１〜４のいずれか１つの項記載
の方法により研磨された表面を有することを特徴とする
Ｘ線反射部材。 - 【請求項１１】 請求項１〜６のいずれか１つの項記載
の方法において用いるのに適した研磨材において、 20〜50nmの平均粒度を有するSiO2粒子がアルカリ溶液中
に存在するコロイド状懸濁液、脱イオン水および化学活
性化剤を含み、60〜100 体積部の脱イオン水および25〜
50体積部の化学活性化剤が100 体積部の研磨成分あたり
存在することを特徴とする研磨材。 - 【請求項１２】 研磨成分が約50重量％のSiO2粒子を含
み、溶液が約10のpHを有することを特徴とする請求項１
１記載の研磨材。 - 【請求項１３】 化学活性化剤が、過酸化水素、有機過
酸化物および次亜塩素酸塩から成る群から選ばれた物質
であることを特徴とする請求項１１または１２記載の研
磨材。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| BE09300716 | 1993-07-12 | ||
| BE9300716A BE1007281A3 (nl) | 1993-07-12 | 1993-07-12 | Werkwijze voor het polijsten van een oppervlak van koper of een in hoofdzaak koper bevattende legering, magneetkop vervaardigbaar met gebruikmaking van de werkwijze, röntgenstralingcollimerend element en röntgenstralingreflecterend element, beide voorzien van een volgens de werkwijze gepolijst oppervlak en polijstmiddel geschikt voor toepassing in de werkwijze. |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0775943A true JPH0775943A (ja) | 1995-03-20 |
Family
ID=3887173
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6158638A Pending JPH0775943A (ja) | 1993-07-12 | 1994-07-11 | 研磨方法、この方法により得られる磁気ヘッド、この方法により研磨された表面を有するｘ線平行化部材およびｘ線反射部材並びにこの方法に用いる研磨材 |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5622525A (ja) |
| EP (1) | EP0634465B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0775943A (ja) |
| BE (1) | BE1007281A3 (ja) |
| DE (1) | DE69414480T2 (ja) |
| HU (1) | HU217664B (ja) |
| MY (1) | MY111523A (ja) |
| SG (1) | SG48408A1 (ja) |
| TW (1) | TW346503B (ja) |
Families Citing this family (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3507628B2 (ja) * | 1996-08-06 | 2004-03-15 | 昭和電工株式会社 | 化学的機械研磨用研磨組成物 |
| US8092707B2 (en) | 1997-04-30 | 2012-01-10 | 3M Innovative Properties Company | Compositions and methods for modifying a surface suited for semiconductor fabrication |
| US20060147369A1 (en) * | 1997-07-21 | 2006-07-06 | Neophotonics Corporation | Nanoparticle production and corresponding structures |
| US7384680B2 (en) | 1997-07-21 | 2008-06-10 | Nanogram Corporation | Nanoparticle-based power coatings and corresponding structures |
| US20090075083A1 (en) * | 1997-07-21 | 2009-03-19 | Nanogram Corporation | Nanoparticle production and corresponding structures |
| US20090255189A1 (en) * | 1998-08-19 | 2009-10-15 | Nanogram Corporation | Aluminum oxide particles |
| JP3366256B2 (ja) * | 1998-07-02 | 2003-01-14 | アルプス電気株式会社 | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
| FR2781922B1 (fr) * | 1998-07-31 | 2001-11-23 | Clariant France Sa | Procede de polissage mecano-chimique d'une couche en un materiau a base de cuivre |
| US6206756B1 (en) | 1998-11-10 | 2001-03-27 | Micron Technology, Inc. | Tungsten chemical-mechanical polishing process using a fixed abrasive polishing pad and a tungsten layer chemical-mechanical polishing solution specifically adapted for chemical-mechanical polishing with a fixed abrasive pad |
| US6276996B1 (en) * | 1998-11-10 | 2001-08-21 | Micron Technology, Inc. | Copper chemical-mechanical polishing process using a fixed abrasive polishing pad and a copper layer chemical-mechanical polishing solution specifically adapted for chemical-mechanical polishing with a fixed abrasive pad |
| US6589872B1 (en) * | 1999-05-03 | 2003-07-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Use of low-high slurry flow to eliminate copper line damages |
| US6375693B1 (en) | 1999-05-07 | 2002-04-23 | International Business Machines Corporation | Chemical-mechanical planarization of barriers or liners for copper metallurgy |
| JP2000338299A (ja) * | 1999-05-28 | 2000-12-08 | Mitsubishi Electric Corp | Ｘ線露光装置、ｘ線露光方法、ｘ線マスク、ｘ線ミラー、シンクロトロン放射装置、シンクロトロン放射方法および半導体装置 |
| US6179691B1 (en) * | 1999-08-06 | 2001-01-30 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Method for endpoint detection for copper CMP |
| JP3492953B2 (ja) * | 1999-10-05 | 2004-02-03 | Ｔｄｋ株式会社 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
| US6293848B1 (en) * | 1999-11-15 | 2001-09-25 | Cabot Microelectronics Corporation | Composition and method for planarizing surfaces |
| US6527817B1 (en) | 1999-11-15 | 2003-03-04 | Cabot Microelectronics Corporation | Composition and method for planarizing surfaces |
| US6319096B1 (en) | 1999-11-15 | 2001-11-20 | Cabot Corporation | Composition and method for planarizing surfaces |
| JP3499490B2 (ja) * | 2000-02-16 | 2004-02-23 | Ｔｄｋ株式会社 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
| JP2002093684A (ja) | 2000-09-18 | 2002-03-29 | Canon Inc | Ｘ線露光装置、ｘ線露光方法、半導体製造装置および微細構造体 |
| DE10060343A1 (de) * | 2000-12-04 | 2002-06-06 | Bayer Ag | Polierslurry für das chemisch-mechanische Polieren von Metall- und Dielektrikastrukturen |
| US6589100B2 (en) | 2001-09-24 | 2003-07-08 | Cabot Microelectronics Corporation | Rare earth salt/oxidizer-based CMP method |
| US7087529B2 (en) * | 2003-10-02 | 2006-08-08 | Amcol International Corporation | Chemical-mechanical polishing (CMP) slurry and method of planarizing surfaces |
| US7223156B2 (en) * | 2003-11-14 | 2007-05-29 | Amcol International Corporation | Method chemical-mechanical polishing and planarizing corundum, GaAs, GaP and GaAs/GaP alloy surfaces |
| EP1758962B1 (en) * | 2004-06-22 | 2013-10-30 | Asahi Glass Company, Limited | Polishing method for glass substrate, and glass substrate |
| CN103298967B (zh) | 2010-12-08 | 2016-07-06 | 盖伦国际公司 | 硬且低摩擦的氮化物涂层 |
| EP4438689B1 (en) | 2023-03-30 | 2026-03-11 | Acondicionamiento Tarrasense | Method of polishing and brightening a workpiece of copper or copper alloy |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR1441504A (fr) * | 1965-01-22 | 1966-06-10 | Monsanto Co | Procédé de polissage |
| US3485608A (en) * | 1968-01-02 | 1969-12-23 | Texas Instruments Inc | Slurry for polishing silicon slices |
| US3662500A (en) * | 1971-01-28 | 1972-05-16 | Ibm | Method for polishing magnetic oxide materials |
| US4057939A (en) * | 1975-12-05 | 1977-11-15 | International Business Machines Corporation | Silicon wafer polishing |
| US4358295A (en) * | 1980-03-27 | 1982-11-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Polishing method |
| JPS61136909A (ja) * | 1984-12-04 | 1986-06-24 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | 無水ケイ酸の水分散液組成物 |
| EP0348757B1 (en) * | 1988-06-28 | 1995-01-04 | Mitsubishi Materials Silicon Corporation | Method for polishing a silicon wafer |
| US5352277A (en) * | 1988-12-12 | 1994-10-04 | E. I. Du Pont De Nemours & Company | Final polishing composition |
| US5230833A (en) * | 1989-06-09 | 1993-07-27 | Nalco Chemical Company | Low sodium, low metals silica polishing slurries |
| US4959113C1 (en) * | 1989-07-31 | 2001-03-13 | Rodel Inc | Method and composition for polishing metal surfaces |
-
1993
- 1993-07-12 BE BE9300716A patent/BE1007281A3/nl not_active IP Right Cessation
-
1994
- 1994-03-15 TW TW083102218A patent/TW346503B/zh active
- 1994-03-16 US US08/213,768 patent/US5622525A/en not_active Expired - Fee Related
- 1994-06-23 MY MYPI94001627A patent/MY111523A/en unknown
- 1994-07-06 HU HU9402034A patent/HU217664B/hu not_active IP Right Cessation
- 1994-07-07 EP EP94201956A patent/EP0634465B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-07-07 SG SG1996009454A patent/SG48408A1/en unknown
- 1994-07-07 DE DE69414480T patent/DE69414480T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1994-07-11 JP JP6158638A patent/JPH0775943A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5622525A (en) | 1997-04-22 |
| MY111523A (en) | 2000-07-31 |
| HUT71054A (en) | 1995-11-28 |
| DE69414480T2 (de) | 1999-06-02 |
| EP0634465B1 (en) | 1998-11-11 |
| DE69414480D1 (de) | 1998-12-17 |
| HU9402034D0 (en) | 1994-09-28 |
| HU217664B (hu) | 2000-03-28 |
| SG48408A1 (en) | 1998-04-17 |
| BE1007281A3 (nl) | 1995-05-09 |
| HK1013093A1 (en) | 1999-08-13 |
| TW346503B (en) | 1998-12-01 |
| EP0634465A1 (en) | 1995-01-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0775943A (ja) | 研磨方法、この方法により得られる磁気ヘッド、この方法により研磨された表面を有するｘ線平行化部材およびｘ線反射部材並びにこの方法に用いる研磨材 | |
| EP1715085B1 (en) | Method for producing anodized structure | |
| US5288998A (en) | Manufacturing method including photoresist processing using a near-field optical probe | |
| JP4575677B2 (ja) | 研磨パッド窓のための散乱防止層 | |
| US5531016A (en) | Method of manufacturing a thin-film magnetic head | |
| US6104030A (en) | Optical probe having tapered wave guide and scanning near-field optical microscope utilizing optical probe | |
| US5483735A (en) | Method of manufacturing a thin-film magnetic head | |
| CN109059812B (zh) | 一种精确测量曲面上多层微纳米薄膜厚度的方法 | |
| EP0634464B1 (en) | Method of polishing a surface of a noble metal or an alloy comprising mainly noble metal | |
| Ruterana et al. | The structure of ultrathin C/W and Si/W multilayers for high performance in soft x‐ray optics | |
| JP2007030146A (ja) | ナノ構造体の製造方法 | |
| JP2000339658A (ja) | 磁気記録媒体、この製造方法及びこの媒体を用いた磁気記憶装置 | |
| CA2054334C (en) | Near field scanning optical microscope and applications thereof | |
| HK1013093B (en) | Method of polishing a surface of copper or an alloy comprising mainly copper | |
| TW432518B (en) | Flattening process for semiconductor wafers | |
| Higashi et al. | New machining method for making precise and very smooth mirror surfaces made from Cu and Al alloys for synchrotron radiation optics | |
| JP5608133B2 (ja) | 磁気記録媒体用アルミニウム基板の製造方法 | |
| US6966820B1 (en) | High quality optically polished aluminum mirror and process for producing | |
| EP0617410B1 (en) | Method of manufacturing a thin-film magnetic head, and magnetic head obtainable by means of said method | |
| JP2004086930A (ja) | 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法並びに磁気ディスクの製造方法 | |
| WO2016171065A1 (ja) | 磁気記録媒体用基板、磁気記録媒体、及び製造方法 | |
| CN119439333B (zh) | 一种基于等离激元结构的非线性光学透镜的制备方法 | |
| Sugawara et al. | Reflectance spectra of extreme ultraviolet mirrors for synchrotron radiation | |
| JP2001239459A (ja) | 半導体基板の研磨条件の判定方法 | |
| BE1006925A3 (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een dunnefilm magneetkop en magneetkop vervaardigd volgens de werkwijze. |