JPH0777010B2 - 薄膜磁気ヘツド - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 以下、本発明は次の順序で説明される。

A.産業上の利用分野 B.発明の概要 C.従来の技術 D.発明が解決しようとする問題点 E.問題点を解決するための手段 F.作用 G.実施例 Ｇ−１ 第１の実施例 〔第１図ないし第20図〕 Ｇ−２ 第２の実施例 〔第21図ないし第41図〕 Ｇ−３ 第３の実施例 〔第42図ないし第47図（Ｂ）〕 H.発明の効果 A.産業上の利用分野 本発明は、ビデオテープレコーダ（VTR）等の磁気記録
再生装置に搭載される電磁誘導型の薄膜磁気ヘッドに関
し、詳細には所謂アジマス記録方式に好適な薄膜磁気ヘ
ッドに関する。

B.発明の概要 本発明は、アジマス記録方式の磁気記録再生装置におい
て好適な薄膜磁気ヘッドにおいて、 基板の磁気記録媒体対接面近傍部に当該基板の上面に対
して所定角度で傾斜する傾斜面を形成するとともに、前
記傾斜面上の磁性膜にて磁気ギャップを形成し、前記傾
斜面の傾斜角度にて磁気ギャップのアジマスを規制する
ことにより、 アジマス精度の向上及び生産性，量産性の向上を図ると
ともに、所謂ダブルアジマス薄膜磁気ヘッドや所謂マル
チチャンネル薄膜磁気ヘッドを容易に構成しようとする
ものである。

C.従来の技術 一般に、磁気テープや磁気ディスク等の磁気記録媒体に
情報信号を高密度に記録する装置として薄膜磁気ヘッド
が知られている。

上記薄膜磁気ヘッドは、磁気コア材料としてFe−Al−Si
系合金等の強磁性金属薄膜を使用しているので高周波領
域での実効透磁率が高く、しかも飽和磁束密度が高いこ
とより記録再生効率に優れていること、ギャップ長のコ
ントロールが容易で狭ギャップ化が可能であること、磁
気ギャップ近傍が薄く急峻な記録磁界を発生できるこ
と、ウエハ上に多数のヘッド素子を一括形成するため均
質なヘッドを大量生産できること、等の利点を有し、高
速高密度記録に対応した磁気ヘッドとして実用に供され
ている。

さらに近年では、記録密度のより一層の向上を図るため
に、各記録トラック間のガードバンドを無くし、所謂ア
ジマス記録を行うまでになっている。このアジマス記録
方式は、ヘッドの磁気ギャップを記録トラックの幅方向
に対して斜めに配設し記録・再生を行うものであって、
所謂アジマス損失を積極的に利用し隣接トラックからの
信号再生（クロストーク）を防止するものである。

従来、上記アジマス記録方式に好適な薄膜磁気ヘッド、
すなわち磁気ギャップが磁気ヘッドの走行方向に対して
傾斜した構造のヘッドは、以下の手法で作成している。

すなわち、先ず、基板の上面に下部磁性膜を形成し、さ
らに当該下部磁性膜上に絶縁膜を介してコイル導体を積
層巻回した後、ギャップスペーサや絶縁膜を介して上部
磁性膜を積層し磁気ギャップを形成する。次に、この段
階では上記磁気ギャップが基準面となる基板の上面に対
して平行に配置されているので、ヘッドチップに切り出
す際に上記基準面に対して斜めに切断し、磁気ギャップ
にアジマスを持たせている。

D.発明が解決しようとする問題点 ところで、上述の如く斜めに切り出した場合には、アジ
マス精度を確保するために、当該切断面を精度良く研磨
する必要がある。したがって、薄膜磁気ヘッドの製造工
程が煩雑となるとともに、アジマス精度を確保する上で
も問題となっていた。

さらに近年、VTRの分野においては、高画質記録が追求
されており、映像信号をPCM（パルス信号変調）記録方
式により記録する、所謂デジタルVTRの開発が進められ
ている。そして、このデジタルVTRでは、通常のVTR（ア
ナログ）に較べ記録する信号量が飛躍的に増大すること
から、複数のトラックを同時に記録するマルチチャンネ
ル記録方式が採用されている。かかる状況より、アジマ
スを有するマルチチャンネル薄膜磁気ヘッドの開発が望
まれている。

しかしながら、上述の製法では、ヘッドチップに切り出
す際に磁気ギャップにアジマスを持たせているので、ア
ジマスギャップがインラインに並んだマルチチャンネル
薄膜磁気ヘッドを作成できないという本質的な欠点を有
している。

したがって従来は、複数のヘッドチップを磁気記録媒体
の走行方向に対して、所定のアジマスを持たせて精度良
く固定していた。しかしながら、この作業には、かなり
の熟練を要し、特にギャップ間隔の調整やトラック高さ
合わせ等には、相当の苦労を強いられているのが現状で
ある。この結果、記録再生装置の組立作業の能率は大幅
に低下し、歩留まりや製造コストの点で大きな難点を抱
えている。

そこで本発明は、上述の従来の実情に鑑みて提案された
ものであって、アジマス精度や生産性，量産性に優れた
薄膜磁気ヘッドを提供することを目的とし、さらには容
易にダブルアジマス薄膜磁気ヘッドやマルチチャンネル
薄膜磁気ヘッドを構成できる薄膜磁気ヘッドを提供する
ことを目的とする。

E.問題点を解決するための手段 上述の目的を達成するために、本発明の薄膜磁気ヘッド
は、基板の上面にコイル導体及び磁性膜がそれぞれ絶縁
膜を介して積層形成されてなる薄膜磁気ヘッドにおい
て、前記基板の磁気記録媒体対接面近傍部に前記上面に
対して所定角度で傾斜する傾斜面が形成され、前記傾斜
面上の磁性膜にて磁気ギャップが形成されるとともに、
前記傾斜面の傾斜角度にて磁気ギャップのアジマスが規
制され、かつ、前記コイル導体が前記上面の平坦部に形
成されていることを特徴とするものである。

F.作用 本発明では、予め基板の磁気記録媒体対接面近傍部に溝
部や台部を設けることにより、該基板の上面に対して所
定のアジマスをもって傾斜する傾斜面を形成し、この傾
斜面上の磁性膜にて磁気ギャップを形成しているので、
上記上面に対して直交方向に切断することにより、簡単
に上記磁気ギャップにアジマスをもたせることができ
る。

また、一対の上記薄膜磁気ヘッドを突き合わせることに
より、容易にダブルアジマス薄膜磁気ヘッドが構成され
る。

さらに、ヘッドチップに切り出す際の切り出し間隔を大
きく設定し、１個のヘッドチップに複数のアジマスギャ
ップを配設することにより、アジマスギャップがインラ
インに並んだマルチチャンネル薄膜磁気ヘッドが容易に
構成される。

また本発明では、コイル導体を上記傾斜面以外の平坦部
に形成しているので、このパターニング精度は確保さ
れ、製造歩留まりや電磁変換特性が確保される。

G.実施例 次に、本発明の具体的な実施例について図面を参照しな
がら説明する。なお、以下の図面においては、基板，コ
イル導体，磁性膜等の層間に形成される絶縁膜は省略し
て示すが、これら層間が絶縁されていることはいうまで
もない。

Ｇ−１ 第１の実施例 この実施例は、磁気ギャップのアジマスを規制する傾斜
面を傾斜溝によって形成した実施例を示す。

以下、本実施例の薄膜磁気ヘッドの構成を明確なものと
するために、その製造方法から説明する。

本実施例の薄膜磁気ヘッドを製造するには、先ず、第１
図に示すように、平坦化処理された磁性基板（11）の上
面（12）における磁気記録媒体対接面近傍部分（12b）
に、砥石加工やイオンエッチング加工等の手法で複数の
傾斜溝（13）を設け、所定の傾斜角度θで傾斜する傾斜
面（13a）を形成する。ここで、この傾斜面（13a）が磁
気ギャップ形成面に対応し、上記傾斜角度θが磁気ギャ
ップのアジマスに相当する。

上記傾斜面（13a）は、その磁気記録媒体対接面方向の
幅ｌが少なくとも磁気ギャップのデプスよりも大きく、
しかも傾斜面（13a）の幅ｍが所定トラック幅と同等あ
るいは若干大きくなるように形成する。

上記磁性基板（11）として本実施例では、Mn−Zn系フェ
ライトやNi−Zn系フェライト等の強磁性酸化物材料を用
いた。この磁性基板（11）が一方の磁気コアを構成す
る。

次に、第２図に示すように、上記傾斜面（13a）を含む
上面（12）の全体にSiO₂等よりなる絶縁膜（図示せず）
を形成した後、CuやAl等の導電性金属材料を平坦部（12
a）にスパッタリング等の真空薄膜形成技術により被着
し、さらに所定形状にパターンエッチングしてコイル導
体（14）を形成する。さらに、上記コイル導体（14）を
被覆するように絶縁膜（図示せず）を形成し、この絶縁
膜に形成されたコンタクト窓を介してコイル導体（14）
と電気的に接続される引き出し電極（15）を形成する。
すなわち本実施例において、コイル導体（14）は、スパ
イラル３ターンの巻線構造となっている。なお、上記コ
イル導体（14）の巻線構造は上述のスパイラル型に限定
されず、多層ヘリカル型，ジグザグ型等如何なる巻線構
造であっても良い。

このように本実施例においては、磁気ギャップ形成面と
なる傾斜面（13a）と異なる平坦部（12a）にコイル導体
（14）を形成しているので、このパターニング時にはエ
ッチングレジストを均一に塗布できる。したがって本実
施例のように、磁性基板（11）に傾斜溝（13）が形成さ
れていてもコイル導体（14）のパターニング精度は確保
できる。

次いで、第３図に示すように、上記コイル導体（14）及
び引き出し電極（15）による凹凸を緩和し、同時に後述
の上部磁性膜との絶縁膜を図るために、上記コイル導体
（14）上に樹脂層（16）を形成する。上記樹脂層（16）
は、耐熱性樹脂あるいは耐熱性レジストを塗布した後、
フロントギャップ部及びバックギャップ部の樹脂を除去
することにより形成される。なお、上記樹脂層（16）の
かわりに、SiO₂等の絶縁膜をスパッタリング等で被着形
成しても良いことは言うまでもない。

ここで、上記耐熱性樹脂としては、ポリイミド系樹脂が
用いられ、例えば日立化成工業社製PIQ（商品名），デ
ュポン社製ピラリン（Pyralin）（商品名）あるいは東
レ社製SPシリーズ、等の耐熱性に優れた樹脂が使用でき
る。一方、上記耐熱性レジストとしては、ゴム系のネガ
型レジストが用いられ、例えば東京応化社製OMR−83系
統や日本合成ゴム社製JSR系統等が使用可能である。

さらに、上記傾斜面（13a）上に積層された絶縁膜をイ
オンエッチング等により除去した後、この傾斜面（13
a）上に所定のギャップ長となるように、SiO₂やTa₂O₅等
のギャップ膜（図示せず）を形成する。

続いて、第４図に示すように、上記傾斜面（13a）を含
む上記樹脂層（16）上に強磁性金属材料を被着した後、
所定のトラック幅Twとなるようにエッチングを施して上
部磁性膜（17）を形成する。以上により、上記傾斜面
（13a）上の上部磁性膜（17）によりトラック幅Twが規
制されたアジマスギャップｇが形成される。

すなわち、上記アジマスギャップｇは、基準面となる磁
性基板（11）の上面（12）に対して角度θだけ傾いた構
造となっている。

ここで、上記上部磁性膜（17）の下層に巻回されるコイ
ル導体（14）の段差が上記樹脂層（16）にて緩和されて
いることにより、上記上部磁性膜（17）は略平坦な形状
となる。したがって、上記上部磁性膜の膜特性、特に磁
気特性は向上する。

上記上部磁性膜（17）の材料としては、強磁性非晶質金
属合金いわゆるアモルファス合金、Fe−Al−Si系合金、
Fe−Ni系合金、Fe−Al系合金、Fe−Si系合金、Fe−Si−
Co系合金、Fe−Ga−Si系合金、Fe−Si−Ge系合金、Fe−
Ga−Ge系合金、Fe−Ge−Si系合金等の軟磁気特性に優
れ、かつ高い飽和磁束密度を有する強磁性金属材料が好
適であり、その膜付け方法としては、フラッシュ蒸着
法，イオンプレーティング法，スパッタリング法，クラ
スター・イオンビーム法等に代表される真空薄膜形成技
術が採用される。また上部磁性膜（17）は、本実施例の
ような単層膜に限定されず、例えばSiO₂,Ta₂O₅,Al₂O₃,Z
rO₂,Si₃N₄等の高耐摩耗性絶縁膜と上記強磁性金属材料
よりなる薄膜とを交互に積層した積層膜としても良い。
この場合、強磁性金属薄膜の積層数は任意に設定でき
る。この上部磁性膜（17）が他方の磁気コアを構成す
る。

続いて、第５図に示すように、上記コイル導体（14）や
上部磁性膜（17）等により構成される磁気回路部を保護
し、磁気記録媒体に対する当たりを確保するために、上
記上部磁性膜（17）上にガラス等の非磁性材（18）を溶
融充填し平坦化した後、この非磁性材（18）上に保護板
（19）を融着接合し、ヘッドブロック（20）とする。

最後に、第５図中Ａ−Ａ線及びＡ′−Ａ′線で示す切断
位置，すなわち基準面となる上面（12）に対して直交す
る方向にスライシング加工を施した後、磁気記録媒体対
接面を円筒状に研磨して、第６図に示す単一トラックの
薄膜磁気ヘッドを完成する。

以上により得られた薄膜磁気ヘッドは、磁気ギャップが
基準面となる上面（12）に対して所定角度θだけ傾いた
構造となっている。

このように本実施例においては、磁気ギャップのアジマ
スを、予め磁性基板（11）の上面（12）に対して所定角
度θで傾斜する如く設けた傾斜面（13a）にて規制して
いるので、アジマス精度に優れた薄膜磁気ヘッドとな
る。すなわち従来は、上記上面（12）に対して斜めにス
ライシング加工を施すことにより磁気ギャップにアジマ
スを持たせ、さらにアジマス精度を確保するために該ス
ライシング面の研磨加工を要し、作業性やアジマス精度
の点で大きな問題となっていたが、本実施例を適用する
ことにより、容易かつ高精度に磁気ギャップのアジマス
が規制できる。

ここで、第５図に示すスライシング加工の際の切り出し
間隔を大きく設定し、１個のヘッドチップに複数の上記
磁気ギャップを配置することにより、アジマスギャップ
ｇがインラインに並んだマルチチャンネル薄膜磁気ヘッ
ドが得られる。なお、第５図には３チャンネルの薄膜磁
気ヘッドを示すが、このチャンネル数は限定されるもの
ではない。

このように本実施例においては、ヘッドブロックの切断
位置を変えることにより、単一のアジマスギャップｇを
有する薄膜磁気ヘッドや、複数のアジマスギャップｇが
インラインに並んだ構造のマルチチャンネル薄膜磁気ヘ
ッドが容易かつ高精度に構成できる。

また、上記マルチチャンネル薄膜磁気ヘッドにおいて
は、ドラムに取付ける際にトラックの位置合わせ等をす
ることなく高精度に取付けられるので、信頼性でも有利
である。さらに、各チャンネル間の時間軸が一致するこ
とにより、時間軸を補正するための回路等が不要となる
ので、駆動回路部の小型化が図れる。

また、第７図に示すように、一対のヘッドブロック（2
0），（20）が、各アジマスギャップｇをそれぞれ媒体
走行方向Ｘから見た時に対向する如く接合一体化した
後、第７図中Ｂ−Ｂ線,B′−Ｂ′線で示す切断位置でス
ライシング加工を施すことにより、第８図（Ａ）に示す
いわゆるダブルアジマス薄膜磁気ヘッドを作成すること
ができる。

このように本実施例においては、ヘッドブロック（20）
の状態で既にアジマスギャップｇがインラインに並んだ
構造となっているので、一対のヘッドブロック（20），
（20）を突き合わせ基準面と直交する方向に切断するこ
とにより、容易かつ高精度にダブルアジマス薄膜磁気ヘ
ッドを構成できる。

上記ダブルアジマス薄膜磁気ヘッドは、同一記録トラッ
クを繰り返し再生操作するフィールドスチル再生等の特
殊再生用のヘッドに好適なもので、本実施例を適用して
アジマス精度の向上を図ることにより、優れた特殊再生
特性が得られる。また、少なくともヘッドブロック（2
0），（20）の対向側に配置される磁性膜（上部磁性
膜）が薄膜構造であることより、いわゆるバルクタイプ
の磁気ヘッドを一体化したダブルアジマス磁気ヘッドに
比べて、ギャップ間隔δの狭小化が図れる。したがっ
て、両アジマスギャップg,gが磁気記録媒体と均一に摺
接する構成となり、所謂当たり特性が向上し優れた記録
再生特性が得られる。さらに、従来のように、単一のア
ジマスヘッドを１個１個回転ドラムに取り付けるという
煩雑な工程が不要となるので、ヘッドの取り付け作業が
容易となるとともに、この信頼性が向上する。

さらに、第９図に示すように、一対のヘッドブロック
（20），（20）を一体化する際に、両ブロック（20），
（20）のアジマスギャップｇが磁気記録媒体走行方向Ｘ
から見たときに若干オーバーラップする如く突き合わせ
一体化した後、第９図中Ｃ−Ｃ線及びＣ′−Ｃ′線で示
す切断位置でスライシング加工を施すことにより、第10
図（Ａ）に示すマルチチャンネル薄膜磁気ヘッドを作成
できる。このマルチチャンネル薄膜磁気ヘッドは、同時
に複数のチャンネル（本例では２チャンネル）の信号を
高密度に記録でき、例えばデジタルVTRに適用して好適
なものである。

このように、ダブルアジマス薄膜磁気ヘッドやマルチチ
ャンネル薄膜磁気ヘッドに本実施例を適用すれば、ギャ
ップ間隔δの調整やトラック高さ合わせ等が不要とな
り、またヘッドを回転ドラムに取り付ける際に機械精度
に対する依存度が減少する。したがって、これら薄膜磁
気ヘッドの信頼性が格段に向上する。勿論、アジマス精
度、生産性、歩留まり、ギャップ間隔δの狭小化、当た
り特性も向上することは言うまでもない。

さらに、第７図及び第９図に示すスライシング加工の際
に、この切り出し間隔を大きく設定することにより、１
個のヘッドチップに複数のアジマスギャップｇが対向配
置してなるマルチチャンネル薄膜磁気ヘッドを作成でき
る。第７図には３チャンネルのダブルアジマス薄膜磁気
ヘッドを、第９図には６チャンネルの薄膜磁気ヘッドを
それぞれ示す。

また、第11図（Ａ）には第９図中Ｃ−Ｃ線及びＣ″−
Ｃ″の切断位置でスライシングして得られる４チャンネ
ルのマルチチャンネル薄膜磁気ヘッドを示す。この薄膜
磁気ヘッドは、各薄膜ヘッド部（Ｉ），（II）にそれぞ
れインラインに並んだアジマスギャップG₁,G₂及びG₃,G₄
が配設され、これらアジマスギャップG₁,G₂及びG₃,G₄が
磁気記録媒体走行方向Ｘからみた時に若干オーバーラッ
プするような構成となっている。このマルチチャンネル
薄膜磁気ヘッドは、ノイズを減少し、忠実度の高い再生
を目的としてデジタル記録方式を採用したシステムの如
き記録信号量が極めて多い磁気記録再生装置に適用して
好適である。

ここで、第８図（Ａ）、第10図（Ａ）、第11図（Ａ）に
示すように、アジマスギャップｇを対向配置した場合に
は、ギャップ間隔δの狭小化に伴って磁気記録媒体との
当たり特性が向上する反面、対向するギャップｇ間にい
わゆるクロストークが発生し易くなり、良好な電磁変換
特性が得難い。

そこで、上記クロストークを解消するためには、第８図
（Ｂ）、第10図（Ｂ）、第11図（Ｂ）に示すように、両
アジマスギャップｇ間にシールド層（21）を介在させる
ようにすれば良い。

このようにアジマスギャップｇ間にシールド層（21）を
介在させることにより、クロストークの原因となる漏洩
磁界が該シールド層（21）により遮断されるので、良好
な電磁変換特性が得られる。

ここで、上記シールド（21）の材質としては、例えばNi
−Fe系合金（パーマロイ）等の高透磁率材料が好適であ
り、この形成方法としてはスパッタリング法等の真空薄
膜形成技術が挙げられる。

また、上記シールド層（21）の厚みは、厚すぎるとギャ
ップ間隔δが大きくなって、両方のアジマスギャップが
磁気記録媒体に均一に当たらなくなり、逆に小さすぎる
と十分なシールド効果が得られなくなることにより、ヘ
ッドの使用条件等を考慮して適宜設定する必要がある。
さらに、上記シールド層（21）は、単にアジマスギャッ
プｇ間に介在させてもよいし、あるいは端子を介して接
地してもよい。なお、本実施例においては、シールド層
（21）を２層設けているが、このシールド層（21）は対
向するアジマスギャップｇ間に介在していれば何層設け
ても良い。第11図（Ｂ）には、アジマスギャップg,g間
に厚み２μｍのシールド層（21），（21）を介在させた
マルチチャンネル薄膜磁気ヘッドを示す。

また、上述のギャップ間隔δの狭小化に伴い、外部端子
（例えばフレキシブルプリント基板）との接続を図る両
薄膜ヘッド部の電極部が近接配置されることにより、こ
の接続が困難となる。上記接続を確実に行うためには、
上記電極部をヘッドの後端側（磁気記録媒体摺接面の裏
面側）に形成すれば良い。なお、以下の説明に引用する
第12図ないし第14図において、第１図ないし第11図に示
す部材と同一部材には同一符号を付し、その説明は省略
する。

すなわち、第12図に示すように、先ず、磁性基板（31）
の磁気記録媒体対接面近傍部分（32b）に複数の傾斜溝
（13）を設け、所定のアジマス角度θで傾斜し磁気ギャ
ップ形成面に相当する傾斜面（13a）を形成すると同時
に、後工程で形成されるコイル導体（14）や引き出し導
体（15）の電極部に対応する部分に電極用溝（33）を形
成する。

次に、第13図（Ａ）及び第13図（Ｂ）に示すように、上
記電極用溝（33）内に導電性金属を充填し電極部（34）
を形成する。その後、この電極部（34）を除く上面（3
2）の全体に亘ってSiO₂等の絶縁膜（図示せず）を形成
し、先の実施例と同様の手法を用いてコイル導体（14）
及び引き出し電極（15）を形成する。この結果、これら
コイル導体（14）及び引き出し電極（15）は、上記電極
部（34）と電気的に導通された構造となる。

その後、先の実施例と同様の手法を用いて、樹脂層（1
6）や上部磁性膜（17）を形成する。

続いて、第14図に示すように、上述の磁性基板（31）、
コイル導体（14）、上部磁性膜（17）等により構成され
る磁気回路部を保護するために磁性基板（31）の全体に
亘ってガラス等よりなる非磁性材（18）を溶融充填し、
必要に応じて高透磁率材料よりなるシールド層（21）を
被着形成した後、保護板（19）を接合し、ヘッドブロッ
ク（35）を作成する。

最後に、得られた一対のヘッドブロック（35）をトラッ
ク合わせしながら突き合わせ一体化した後、先の実施例
と同様に所定の切断位置にて切り出すとともに、上記電
極部（34）の形成位置に相当する切断位置〔第13図中ａ
−ａ線で示す位置〕で切り出すことにより電極部（34）
を露出させ、第15図に示す薄膜磁気ヘッドを得る。

この薄膜磁気ヘッドは、コイル導体（14）及び引き出し
導体（15）と導通形成される電極部（34）が磁気記録媒
体対接面（24）の裏面側の一平面（25）に形成されてい
るので、ギャップ間隔δが狭小化しても、外部端子と信
頼性の高い接続が可能となる。また、保護板（19）をヘ
ッド全体に配置できるので、ヘッドの機械強度も確保さ
れる。なお、上記電極部（34）を基板（31）の側面（31
c）に形成した場合にも、同一の効果が発揮されること
はいうまでもない。

なお以上の実施例では、基板としてMN−Znフェライト等
の強磁性酸化物材料よりな磁性基板を用いた例について
説明したが、本発明はこれに限定されず、チタン酸バリ
ウムやチタン酸カルシウム等のセラミックよりなる非磁
性基板上に前述の強磁性金属材料を積層した複合基板、
あるいは上記強磁性酸化物材料上に強磁性金属材料を積
層した複合基板を用いた場合にも適用される。

ただし、これら複合基板を使用する場合には、第16図に
示すように、予め非磁性基板（あるいは強磁性酸化物基
板）（41）に先の実施例と同様にして傾斜溝（42）を設
けアジマスを有する傾斜面（42a）を形成した後、上記
傾斜面（42a）を含む基板（41）の全面に強磁性金属材
料を被着し下部磁性膜（43）を形成する。ここで、基板
（41）として非磁性基板を用いたときには上記下部磁性
膜（43）が一方の磁気コアを構成し、強磁性酸化物基板
を用いたときには該基板と下部磁性膜（43）とを合わせ
て一方の磁気コアを構成する。

その後、第17図に示すように、先の実施例と同様にフォ
トリソグラフィ技術等の微細加工技術を用いて、コイル
導体（図示せず）や上部磁性膜（43）等を形成するとと
もに、保護板（47）を非磁性材（46）により融着接合す
る。以上により、傾斜面（42a）上の下部磁性膜（43）
と上部磁性膜（45）にて磁気ギャップｇが形成され、該
磁気ギャップｇのアジマスが上記傾斜面（42a）の傾斜
角度によって規制され、さらに該ギャップｇがインライ
ンに並んだ構造のヘッドブロックが形成される。

そして、上記ヘッドブロックを所定の切断位置で切断す
ることにより薄膜磁気ヘッドが構成され、また一対の上
記ヘッドブロックを接合した後に切断することによりダ
ブルアジマス薄膜磁気ヘッドが構成される。

このように、アジマスギャップｇを高い飽和磁束密度を
有する強磁性金属材料で形成した薄膜磁気ヘッドは、大
きな記録磁界が得られることより、高密度記録化に対応
した高抗磁力磁気記録媒体に対しても優れた記録特性が
発揮される。

あるいは、第18図に示すように、基板（151）の上面（1
52）に対して所定のアジマスをもって傾斜する傾斜面
（153a）を有する非磁性基板（あるいは強磁性酸化物基
板）（151）上に、強磁性金属材料をスパッタリング等
により被着した後、該強磁性金属材料がチャンネル毎に
分断残存されるようにパターニングし下部磁性膜（15
4）とした複合基板を用いても良い。

その後、第19図に示すように、先の実施例と同様の手法
にて、コイル導体（図示せず）や上部磁性膜（157）を
形成するとともに、保護板（159）を非磁性材（158）に
て接合することにより、アジマスギャップｇがインライ
ンに並んだ構造のヘッドブロックを作成する。そして、
所定の切断位置で切断することにより薄膜磁気ヘッドを
完成する。

得られる薄膜磁気ヘッドは、磁気ギャップｇが各チャン
ネル毎に分断形成された構造となる。したがって、下部
磁性膜に起因する隣接トラックあるいは隣々接トラック
からのクロストークが激減し、再生特性に優れた薄膜磁
気ヘッドが提供できる。

さらには、第20図に示すように、基準面となる磁性基板
（161）の上面（162）に対して所定のアジマスをもって
傾斜する傾斜面（163a）を交互かつ反対向きに形成して
なる傾斜溝（163）を複数形成した後、該傾斜面（163
a）に対応してコイル導体（図示せず）や上部磁性膜（1
64）等を積層し、さらに保護板（166）を非磁性材（16
5）により融着接合することにより、アジマスギャップ
ｇが交互かつ反対向きで、しかもインラインに並んだ構
成のマルチチャンネル薄膜磁気ヘッドを形成することが
できる。この場合にも、前述の各種複合基板が使用でき
ることは勿論、アジマスギャップｇを対向配置してなる
ダブルアジマス薄膜磁気ヘッド等にも適用できることは
いうまでもない。

Ｇ−２ 第２の実施例 この実施例は、磁気ギャップのアジマスを規制する傾斜
面を傾斜台部にて形成した実施例を示す。以下、本実施
例の薄膜磁気ヘッドの構成を明確なものとするために、
その製造方法から説明する。

本実施例の薄膜磁気ヘッドを製造するには、先ず、第21
図に示すように、平坦化処理された磁性基板（51）の上
面（52）における磁気記録媒体対接面近傍部分（52b）
に複数の傾斜台部（53）を所定の間隔をあけて磁性基板
（51）の全幅に亘って複数個配置する。

上記傾斜台部（53）は、Mn−ZnフェライトやNi−Znフェ
ライト等の強磁性酸化物材料やFe−Fl−Si系合金等の強
磁性金属材料、等の磁性材料にて形成される。また、上
記傾斜台部（53）は、磁気記録媒体対接面に相当する磁
性基板（53）の前面（51a）に対して直交方向に延在す
る２つの傾斜面のうち、少なくとも一方の傾斜面（53
a）が上記上面（52）に対して所定の傾斜角度αで傾斜
している。ここで、上記傾斜面（53a）が磁磁気ギャッ
プ形成面となり、この傾斜角度αが磁気ギャップのアジ
マスに相当する。

上記傾斜面（53a）は、その磁気記録媒体対接面方向の
幅Ｌが少なくとも磁気ギャップのデプスよりも大きく、
しかも傾斜面（53a）の幅Ｍが所定トラック幅と同等あ
るいは若干大きくなるように設定されている。

ここで、上記傾斜台部（53）の配設方法としては、 射出成形等により磁性基板（51）に一体的に成形する
方法。

上記傾斜台部（53）を接着剤等にて固定する方法。

が挙げられる。

なお、上記の方法で傾斜面（53a）を形成する場合に
は、第31図（Ａ）及び第32図（Ａ）に示すように、傾斜
台部（53）を磁性基板（51）に固定するための接着剤
（75）の厚みあるいは傾斜台部（53）のカケ等により傾
斜台部（53a）と上記上面（52）との接触部分（76）に
段差（Ｈ）を生じ易い。この段差Ｈは、磁気ギャップの
アジマス精度の劣化の原因となるので、該段差Ｈを解消
することは重要である。

上記段差Ｈの解消手段としては、例えば該段差Ｈが極め
て小さい場合〔第31図（Ａ）〕には、下記の手法にて解
消すれば良い。すなわち、先ず、第31図（Ｂ）に示すよ
うに、上記傾斜台部（53）を含む磁性基板（51）の上面
（12）にSiO₂等の絶縁膜（77）を少なくとも上記段差Ｈ
以上の膜厚となるように被着形成する。次に、第31図
（Ｃ）に示すように、上記絶縁膜（77）を覆うようにエ
ッチングレジスト（78）を塗布する。このエッチングレ
ジスト（78）は、絶縁膜（77）との選択比が（1:1）の
ものが好適である。最後に、第31図（Ｄ）に示すよう
に、上記絶縁膜（77）及びエッチングレジスト（78）に
プラズマエッチングを施し、残存する絶縁膜（77）にて
上記段差Ｈを解消する。

あるいは、第32図（Ａ）に示すように、上記段差Ｈが大
きく上述の手段ではこの段差Ｈが解消できない場合に
は、以下の手法にて解消することができる。すなわち、
先ず、第32図（Ｂ）示すように、耐熱性レジスト（79）
を少なくとも上記段差Ｈよりも厚く塗布した後、傾斜台
部（53）以外の部分にエッチングレジスト（80）を形成
する。次いで、第32図（Ｃ）に示すように、傾斜台部
（53）上の耐熱性レジスト（79）をエッチングにて除去
し、さらにエッチングレジスト（80）を除去することに
よって段差Ｈを解消する。

次に、以上のようにして傾斜台部（53）を配設した磁性
基板（51）を作成した後、第22図に示すように、先の実
施例と同様にして、コイル導体（53），引出し導体（5
5），樹脂層（56），上部磁性膜（57）をそれぞれ絶縁
膜を介して順次積層形成する。

したがって、上記上部磁性膜（57）によりトラック幅Tw
が規制され、かつ磁気ギャップのアジマスが上記傾斜面
（53a）の傾斜角度αで規制されたアジマスギャップｇ
を有する磁気回路部が形成される。

ここで、上記コイル導体（54）や引き出し導体（55）
は、第１の実施例と同様に磁性基板（51）の平坦部（52
a）に形成されるので、このパターニング精度は確保さ
れる。同様に、上記上部磁性膜（57）は、コイル導体
（54）や引き出し導体（55）による段差を樹脂層（56）
にて緩和した略平坦面上に形成されるので、良好な磁気
特性が得られる。

続いて、第23図に示すように、上記磁気回路部を覆うよ
うにガラス等の非磁性材（58）を充填し、さらに保護板
（59）を接合する。このようにして、磁気ギャップｇの
アジマスが傾斜台部（53）の傾斜面（53a）にて規制さ
れ、かつ該アジマスギャップｇがインラインに並んだヘ
ッドブロック（60）が作成される。

最後に、第23図中Ｄ−Ｄ線及びＤ′−Ｄ′線に示す切断
位置，すなわち磁性基板（51）の上面（52）と直交する
方向にスライシング加工を施すことより、第24図に示す
ような単一のアジマスギャップｇを有する薄膜磁気ヘッ
ドが完成する。

ここで、第23図に示すスライシング加工の際の切り出し
間隔を大きく設定し、１つのヘッドチップに複数の磁気
ギャップを配置することにより、アジマスギャップｇが
インラインに並んだマルチチャンネル薄膜磁気ヘッドが
得られる。第23図には３チャンネルの薄膜磁気ヘッドを
示すが、このチャンネル数は限定されるものではない。

また、第25図に示すように、上記構成の一対のヘッドブ
ロック（60），（60）を媒体走行方向Ｘからみた時に両
アジマスギャップg,gが対向する如く突き合わせ一体化
した後、第25図中Ｅ−Ｅ線及びＥ′−Ｅ′線で示す切断
位置にてスライシング加工を施すことにより、第26図に
示すダブルアジマス薄膜磁気ヘッドが得られる。この場
合も同様に、上記スライシング加工の際の切り出し間隔
を大きく設定することにより、ダブルアジマスマルチチ
ャンネル薄膜磁気ヘッドが得られる。

さらに、第25図に示すヘッドブロック（60），（60）の
一体化工程において、対向するアジマスギャップｇを磁
気記録媒体走行方向Ｘからみたときに、若干オーバーラ
ップする如く付き合わせ一体化した後、所定の切断位置
で切断することにより、第27図に示すデジタルVTRに好
適なマルチチャンネル薄膜磁気ヘッド（この例では４チ
ャンネル）が得られる。

なお、上述の各種薄膜磁気ヘッドのうち、アジマスギャ
ップｇが対向配置されるものにおいては、対向するアジ
マスギャップｇ間にシールド層を介在させ、ギャップ間
隔の狭小化に伴うクロストークを低減させるようにする
ことが好ましい。

また、上述の各種薄膜磁気ヘッドにおいては、基板とし
てMn−Znフェライト等の強磁性酸化物材料よりなる磁性
基板を用いた例について説明したが、チタン酸バリウム
やチタン酸カルシウム等のセラミックよりなる非磁性基
板上に前述の強磁性金属材料を積層した複合基板、ある
いは上記強磁性酸化物基板上に強磁性金属材料を積層し
た複合基板を使用した場合にも本実施例は適用される。

すなわち、第28図に示すように、先ず、非磁性基板（あ
るいは強磁性酸化物基板）（61）上に先の実施例と同様
にして傾斜台部（63）を配設し所定の傾斜角度αで傾斜
する傾斜面（63a）を形成した後、上記傾斜面（63a）を
有する基板（61）の全面に上記強磁性金属材料よりなる
下部磁性膜（64）を被着形成して複合基板を作成する。

その後、第29図に示すように、上記下部磁性膜（64）上
に先の実施例と同様の手法を用いて、コイル導体，上部
磁性膜（65）を絶縁膜を介して積層し、さらに非磁性材
料（66）を介して保護板（67）を接合する。以上によ
り、上記傾斜面（63a）上の下部磁性膜（64）と上部磁
性膜（65）とでアジマスギャップｇを形成してなるヘッ
ドブロックが完成する。

また、下部磁性膜（64）を被着した後、該下部磁性膜
（64）をパターニングしてトラック幅Twを規制してなる
複合基板を用いても良い。この場合、得られる薄膜磁気
ヘッドは、第30図に示すように、磁気記録媒体対接面に
おいて、アジマスギャップｇが各チャンネル毎に分断さ
れた構造となるので、下部磁性膜が各チャンネルに連続
形成されることに起因するクロストークが解消される。
したがって、良好な再生特性を有する薄膜磁気ヘッドと
なる。

また、上記複合基板を用いた場合には、傾斜台部（63）
は必ずしも磁性材料で構成する必要はなく、磁性材料ま
たは非磁性材料の何れであっても良い。

以上、磁気ギャップｇのアジマスを規制する傾斜面を傾
斜台部にて形成してなる薄膜磁気ヘッドについて説明し
たが、上記傾斜面を所謂射出成形技術や所謂転写技術を
用いて形成することにより、生産性，量産性の向上並び
に製造コストの大幅な低減が図れる。

すなわち、上記射出成形技術や転写技術を用いて本実施
例の薄膜磁気ヘッドを作成するには、先ず、第33図に示
すように、所定の傾斜角度αで傾斜する傾斜面（102a）
を有する突起部（102）が一主面に形成されてなる金型
（121）を用意し、上記一主面側より射出成形法を用い
て樹脂層（103）を形成する。ここで、上記傾斜角度α
がこの製法にて作成される薄膜磁気ヘッドのアジマスに
相当する。

上記金型（121）の突起部（102）は、当該金型の一側面
（121a）の近傍部のみに形成する。また、上記突起部
（102）は、例えばダイヤモンドバイト等による砥石加
工法やイオンエッチング法、あるいはCu−Zn系合金やAl
等の加工性に優れた金属，非金属を機械加工する方法に
より容易に作成される。

次に、上記樹脂層（103）を金型（121）より剥離する。
第34図にこの剥離工程で得られた樹脂層（103）を示
す。以下、この樹脂層（103）をダミー基板（103）と称
する。

上記ダミー基板（103）には、該基板（103）の一側面近
傍に、上記金型（121）の突起部（102）が凹部（104）
として転写される。したがって、上記凹部（104）の傾
斜面（104a）は、該基板（103）の上面（103A）に対し
て角度α傾斜している。なお、このダミー基板（103）
は、得られる薄膜磁気ヘッドの非構成部材である。

続いて、第35図に示すように、上記ダミー基板（103）
の上面（103A）側からFe−Al−Si系合金等の強磁性金属
材料を被着形成し、第１の磁性膜（105）を形成する。

上記第１の磁性膜（105）の形成方法としては、スパッ
タリング法，真空蒸着法，あるいはメッキ法等の薄膜形
成技術が採用される。

次に、第36図に示すように、上記第１の磁性膜（105）
上にSiO₂,Al₂O₃等の保護膜（106）を、少なくとも上記
凹部（104）の深さ以上の膜厚をもって形成し、しかる
後にこの保護膜（106）をラッピング処理等により平坦
化する。その後、上記保護膜（106）上に接着剤（107）
を用いて、第１の保護板（108）を接合一体化する。

上記接着剤（107）としては、上記第１の磁性膜（105）
の磁気特性や寸法精度を確保するため接着温度が余り高
くないものが好ましく、例えば低融点ガラス，水ガラス
等の無機系のガラスが好適である。また、上記第１の保
護板（108）としては、耐摩耗性に優れた材質ものが使
用され、例えばチタン酸バリウムやチタン酸カルシウム
等のセラミックや、非磁性フェライトが好適である。

続いて、アジマスを規制した上記ダミー基板（103）を
除去し、第37図に示すコアブロック（109）を得る。上
述のダミー基板（103）の除去方法としては、機械的手
段にて剥離する方法、あるいはダミー基板（103）を構
成する樹脂を溶剤にて溶解除去する方法等が挙げられ
る。

したがって、上記コアブロック（109）は、その磁気記
録媒体対接面近傍部に上記ダミー基板（103）の凹部（1
04）が凸字状の傾斜台部（110）として転写され、この
傾斜台部（110）上に配設された第１の磁性膜（105）の
傾斜面（105a）にてアジマスが規制された構成となる。
すなわち、上記傾斜面（105a）が磁気ギャップ形成面と
なり，この傾斜角度αが磁気ギャップのアジマスとな
る。

ここで、上記コアブロック（109）は前述の複合基板に
対応し、上記第１の保護板（108）が基板に、上記第１
の磁性膜（105）が下部磁性膜に、それぞれ対応してい
る。

このように本実施例では、バイト加工された金型（12
1）から射出成形技術や転写技術を用いてアジマスを規
定する傾斜面（115）が配設された複合基板を形成して
いるので、この複合基板は安価にしかも大量に作成でき
るという利点がある。

次に、以上の手法で作成されたコアブロック（109）に
対して、先の実施例と同様にしてコイル導体や上部磁性
膜等を積層し磁気回路部を作成する。

すなわち、第38図に示すように、上記コアブロック（10
9）の平坦部（109a）にコイル導体（111）及び引き出し
導体（112）を形成し、次いで、第39図に示すように、
上記導体（111），（112）の平坦化及び絶縁を兼ねて樹
脂層（113）を形成し、しかる後に、第40図に示すよう
に、所定のトラック幅にパターニングされた第２の磁性
膜（114）を積層形成し、磁気回路部を形成する。上記
第２の磁性膜（114）が上部磁性膜に相当する。

その後、第41図に示すように、第２の保護膜（115）を
形成し平坦化処理を施した後、第２の保護板（117）を
前述の無機系の接着剤（116）により接合し、ヘッドブ
ロック（118）を完成する。

最後に、上記保護板（108），（117）に対して直交する
方向にスライシングすることにより、アジマスギャップ
ｇを有する薄膜磁気ヘッドやアジマスギャップｇがイン
ラインに並んだマルチチャンネル薄膜磁気ヘッドを作成
する。また、上記ヘッドブロック（118）を２個用意
し、これらを接合一体化した後スライシング加工を施し
てダブルアジマス薄膜磁気ヘッドが作成される。

このようにアジマスを規制する傾斜面を射出成形技術や
転写技術を用いて作成することにより、生産性や量産性
が大幅に向上するので、アジマスギャップを有する薄膜
磁気ヘッドを安価に提供できる。

なお、この実施例（第33図ないし第41図）ではアジマス
を規制する傾斜面を傾斜台部で構成した実施例に適用し
ているが、上記傾斜面を傾斜溝で構成した実施例（第１
の実施例）にも上述の製造方法が適用されることはいう
までもない。

Ｇ−３ 第３の実施例 この実施例は、上記傾斜溝あるいは傾斜台部を磁気ギャ
ップのトラック幅方向に対して斜めに配設し、当該傾斜
面にてアジマスを規制してなる実施例である。以下、上
記傾斜面を傾斜台部にて形成した薄膜磁気ヘッドを例に
挙げて説明する。

本実施例の薄膜磁気ヘッドにおいては、第42図及び第43
図に示すように、例えばセラミック等の非磁性材よりな
る基板（91）の一平面（91a）に、上記一平面（91a）と
所定角度θ_２で傾斜する傾斜面（92a）を有する傾斜台
部（92）が配設されている。上記傾斜台部（92）は上記
一平面（91a）全体に配設しても良いが、本実施例では
楔状（断面略Ｖ字状）の傾斜台部（92）を磁気ギャップ
ｇの近傍部にのみ磁気記録媒体対接面（102）に対して
斜めに配設してある。

このように、傾斜台部（92）を磁気ギャップｇ近傍のみ
に配設すれば、後述のコイル導体（95）は上記一平面
（91a）の平坦面に形成されるので、このパターニング
精度は確保される。

また、上記傾斜台部（92）を含む基板（91）上にはFe−
Al−Si系合金やアモルファス合金等の強磁性金属材料よ
りなる下部磁性膜（93）が被着形成されている。さら
に、上記下部磁性膜（93）上には、絶縁膜（94）を介し
てスパイラル状のコイル導体（95）、及びこのコイル導
体（95）上の絶縁膜（96）に開口されたコンタクト窓
（97）を介し電気的に接続される引き出し導体（98）が
形成されている。さらに、絶縁膜（99）を介して上記強
磁性金属材料よりなる上部磁性膜（100）が積層されて
いる。

そして、上記下部磁性膜（93）及び上部磁性膜（100）
にて磁気ギャップｇが形成され、この磁気ギャップｇ近
傍部では、これら磁性膜（93），（100）が所定のトラ
ック幅Twとなるようにパターニングされている。

さらに図示しないが、通常は、下部磁性膜（93），コイ
ル導体（95），上部磁性膜（100）等よりなる磁気回路
部を保護し、磁気記録媒体との当たりを確保するため
に、上部磁性膜（100）上に保護板がガラス等にて接合
一体化されている。

すなわち、上記構成の薄膜磁気ヘッドを作成するには、
まず、第44図に示すように基板（91）の一平面（91a）
上に楔状の傾斜台部（92）を磁気記録媒体対接面に対応
する面（102a）に対して所定角度θ_３傾けて融着接合す
る。この場合、傾斜台部（92）の接合部近傍の段差は、
先の第31図（Ａ）ないし第31図（Ｄ）あるいは第32図
（Ａ）ないし第32図（Ｃ）の手法にて解消しておく。あ
るいは、前述の射出成形法や転写技術を用いて形成して
も良い。

その後、先の実施例と同様にして下部磁性膜（93），コ
イル導体（95），上部磁性膜（100）等を順次積層し、
所定の位置で切り出すことにより第42図及び第43図に示
す薄膜磁気ヘッドを完成する。

このように本実施例の薄膜磁気ヘッドは、基板（91）に
配設された傾斜台部（92）の傾斜面（92a）と基準面と
なる基板（91）の一平面（91a）とがなす角度θ_２及び
磁気記録媒体対接面に対応する面（102a）と該傾斜台部
（92）のなす角度θ_３により、磁気ギャップｇのアジマ
ス角度θ_１が決定される構造となっている。

ここで、本実施例の薄膜磁気ヘッドにおいては、磁気ギ
ャップｇが基板（91）の上面（91a）に対して所定角度
傾いているので、当該基板（91）に対して直交方向に切
断することにより、簡単に磁気ギャップｇのアジマスを
制御できる。したがって、アジマス精度に優れた薄膜磁
気ヘッドが得られる。

この場合、上記傾斜台部の配設位置を工夫することによ
り、上述のアジマス精度に優れた薄膜磁気ヘッドを効率
良く作成できる。

すなわち、先ず、第45図（Ａ）に示すように、基板（8
1）の上面（81a）（基準面）に該上面（81a）に対して
所定角度βで傾斜する傾斜面（82），（82）を互いに平
行に複数形成する。この両傾斜面（82），（82）は互い
に対向する如く配置する。ここで、上記傾斜面（82），
（82）の傾斜角度βが磁気ギャップのアジマスを規制す
る。

上記傾斜面（82），（82）は、磁気ギャップのトラック
幅方向に対して斜めに配置し、しかも基板（81）の全体
に亘って互いに平行に配置する。ここで、上記傾斜面
（82），（82）のトラック幅方向に対する配置角度は、
後述の磁気回路部が最も多く形成できるように設定す
る。この実施例では、上記配置角度を略45゜に設定し
た。

上記傾斜面（82），（82）の形成方法としては、第45図
（Ｂ）に示すように基板（81）の上面（18a）に傾斜台
部（83）を配置する方法、あるいは第45図（Ｃ）に示す
ように傾斜溝（84）を砥石加工やイオンエッチング加工
等で切削形成する方法、が挙げられる。

次に、第46図に示すように、傾斜面（82），（82）を含
む基板（81）上に、下部磁性膜（83），コイル導体（8
5），引き出し導体（86），上部磁性膜（87）を絶縁膜
（図示せず）を介して順次形成し、磁気回路部（88）を
形成する。ここで、上記磁気回路部（88）は傾斜面（8
2），（82）を挟んで交互に対向するように形成する。
このように磁気回路部（88），（88）…を交互に対向配
置することにより、１個の基板（81）に多数の磁気回路
部（88）を配設できる。したがって、量産性の点で有利
である。

なお、上記コイル導体（85）と引き出し導体（86）と
は、これら層間の絶縁膜に設けられたコンタクト窓部
（89）を介して導通されている。

この場合、上記コイル導体（85）及び引き出し導体（8
6）は、その大部分が基板（81）の平坦部に形成される
ため、このパターニング精度が劣化する心配はない。

次いで、第46図中Ｙ−Ｙ線…及びＺ−Ｚ線…に示す切断
位置、すなわち上記傾斜面（82b）に対して斜めで、し
かも基板（81）の上面（81a）と直交する切断位置にて
スライシング加工を施し、第47図（Ａ）及び第47図
（Ｂ）に示す薄膜磁気ヘッドを完成する。

なお通常は、磁気回路部（88）を保護するとともに、磁
気記録媒体との当たりを確保するために、該磁気回路部
（88）を覆うように非磁性材を介して保護板が接合一体
化されていることはいうまでもない。

このようにして作成された薄膜磁気ヘッドは、第47図
（Ａ）または第47図（Ｂ）に示すように、磁気ギャップ
ｇのアジマスを規制する傾斜面（82）が磁気記録媒体対
接面近傍部にのみ形成され、該傾斜面（82）にて磁気ギ
ャップｇのアジマスが規制されるとともに、コイル導体
（85）や引き出し導体（86）が基板（81）の平坦部に形
成された構造となっている。

したがって、上記スライシング加工を基板（81）の上面
（81a）と直交する方向に行うことにより、容易にアジ
マス精度に優れた薄膜磁気ヘッドが提供できる。

しかも、この薄膜磁気ヘッドは、上記傾斜台部（83）ま
たは傾斜溝（84）を基板（81）の全体に連続的に形成
し、１個の傾斜台部（83）または傾斜溝（84）で複数の
ヘッドのアジマスを規制しているので、量産性や生産性
の点でも有利である。

H.発明の効果 以上の説明からも明らかなように、本発明の薄膜磁気ヘ
ッドは、基板の磁気記録媒体対接面近傍部に傾斜溝や傾
斜台部を設けることにより、基板の上面に対して所定の
アジマスをもって傾斜する傾斜面を形成しているので、
上記基板の上面と直交する方向に切断することにより、
容易に磁気ギャップにアジマスを持たせることができ
る。したがって、スライシング面の高精度な研磨加工等
の煩雑な工程が不要となり、生産性や量産性，製造歩留
まりが大幅に向上するとともに、アジマス精度に優れた
薄膜磁気ヘッドが提供できる。

さらに、上記スライシング位置を変えることによりアジ
マスギャップがインラインに並んだマルチチャンネル薄
膜磁気ヘッドが、また一対の上記薄膜磁気ヘッドを突き
合わせることによりダブルアジマス薄膜磁気ヘッドが、
それぞれ高精度かつ容易に構成できるという優れた利点
を有している。したがって、回転ドラム等に上記薄膜磁
気ヘッドを取り付ける作業が容易なものとなり、しかも
この取付け精度は格段に向上する。

また、コイル導体は上記傾斜面の形成部以外の平坦面に
形成しているので、このパターニング精度は確保され、
電磁変換特性に優れた薄膜磁気ヘッドが提供できる。

【図面の簡単な説明】

第１図ないし第５図は本発明を適用した薄膜磁気ヘッド
の一実施例の製造方法をその工程に従って示すもので、
第１図は傾斜溝の形成工程の斜視図を、第２図はコイル
導体及び引き出し導体を形成工程の斜視図を、第３図は
樹脂層の形成工程の斜視図を、第４図は上部磁性膜の形
成工程の斜視図を、第５図は保護板の接合工程及びスラ
イシング加工工程の正面図をそれぞれ示す。 第６図は第１図ないし第５図に示す製造工程を経て作成
された薄膜磁気ヘッドを示す正面図である。 第７図は第５図に示す一対のヘッドブロックを各アジマ
スギャップが磁気記録媒体走行方向からみたときに対向
するように接合した状態を示す正面図である。 第８図（Ａ）は第７図に示すヘッドブロックを切り出す
ことにより作成されるダブルアジマス薄膜磁気ヘッド
を、第８図（Ｂ）はシールド層を設けたダブルアジマス
薄膜磁気ヘッドをそれぞれ示す正面図である。 第９図は第５図に示す一対のヘッドブロックを各アジマ
スギャップが磁気記録媒体走行方向からみたときに若干
オーバーラップするように接合した状態を示す正面図で
ある。 第10図（Ａ）は第９図に示すヘッドブロックを切り出す
ことにより作成されるマルチチャンネル薄膜磁気ヘッド
を、第10図（Ｂ）はシールド層を設けたマルチチャンネ
ル薄膜磁気ヘッドをそれぞれ示す正面図である。 第11図（Ａ）は４チャンネルの薄膜磁気ヘッドを、第11
図（Ｂ）はシールド層を設けた４チャンネルの薄膜磁気
ヘッドをそれぞれ示す正面図である。 第12図ないし第14図は本発明の他の実施例をその製造工
程に従って示すもので、第12図は傾斜溝及び電極用溝の
形成工程の斜視図を、第13図（Ａ）は磁気回路部の形成
工程の斜視図を、第13図（Ｂ）は第13図中ａ−ａ線に於
ける断面図を、第14図は保護板の接合工程の斜視図をそ
れぞれ示す。 第15図は第12図ないし第14図に示す製造工程を経て作成
される薄膜磁気ヘッドを裏面側からみたときの斜視図で
ある。 第16図及び第17図は本発明の他の実施例を示すもので、
第16図は下部磁性膜の形成工程の斜視図を、第17図は第
16図に示す複合基板を用いて作成されるマルチチャンネ
ル薄膜磁気ヘッドの正面図をそれぞれ示す。 第18図及び第19図は本発明の他の実施例を示すもので、
第18図は下部磁性膜の形成工程の斜視図を、第19図は第
18図に示す複合基板を用いて作成されるマルチチャンネ
ル薄膜磁気ヘッドの正面図をそれぞれ示す。 第20図は本発明を適用した他のマルチチャンネル薄膜磁
気ヘッドの実施例を示す正面図である。 第21図ないし第23図は本発明を適用した薄膜磁気ヘッド
の他の実施例の製造方法をその工程に従って示すもの
で、第21図は傾斜台部の形成工程の斜視図を、第22図は
磁気回路部の形成工程の斜視図を、第23図は保護板の接
合工程及びスライシング工程の正面図をそれぞれ示す。 第24図は第21図ないし第23図に示す工程を経て作成され
る薄膜磁気ヘッドの正面図である。 第25図は第23図に示すヘッドブロックを各アジマスギャ
ップが磁気記録媒体走行方向からみたときに対向するよ
うに接合した状態を示す正面図である。 第26図は第25図に示すヘッドブロックを切り出すことに
より作成されるダブルアジマス薄膜磁気ヘッドを示す正
面図である。 第27図は第25図に示すヘッドブロックを用いて作成され
る４チャンネルの薄膜磁気ヘッドを示す正面図である。 第28図及び第29図は本発明の他の実施例を示すもので、
第28図は下部磁性膜の形成工程の斜視図を、第29図は第
28図に示す複合基板を用いて作成されるマルチチャンネ
ル薄膜磁気ヘッドの正面図をそれぞれ示す。 第30図は本発明の他の実施例を示すもので、下部磁性膜
及び上部磁性膜を分断形成した薄膜磁気ヘッドの正面図
である。 第31図（Ａ）ないし第31図（Ｄ）は傾斜台部による段差
の解消方法の一例をその工程に従って示す要部断面図で
ある。 第32図（Ａ）ないし第32図（Ｃ）は傾斜台部による段差
の解消方法の他の例をその工程に従って示す要部断面図
である。 第33図ないし第41図は本発明を適用した薄膜磁気ヘッド
の製造方法をその工程に従って示す斜視図であり、第33
図は樹脂層の形成及び剥離工程を、第34図はダミー基板
を、第35図は第１の磁性膜の被着工程を、第36図は第１
の保護板の接合工程及びダミー基板の剥離工程を、第37
図はコアブロックを、第38図はコイル導体の形成工程
を、第39図は樹脂層の形成工程を、第40図は第２の磁性
層の被着工程を、第41図は第２の保護板の接合工程をそ
れぞれ示す。 第42図ないし第44図は本発明を適用した薄膜磁気ヘッド
の他の実施例を示すもので、第42図は斜視図を、第43図
は第42図中ｂ−ｂ線における要部断面図を、第44図は傾
斜台部の配設工程をそれぞれ示す。 第45図ないし第47図（Ｂ）は第42図に示す薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法をその工程順序に従って示すもので、第45
図（Ａ）は傾斜面の形成工程の斜視図を、第45図（Ｂ）
は傾斜面を傾斜台部にて形成した時の基板の要部断面図
を、第45図（Ｃ）は傾斜面を傾斜溝にて形成した時の基
板の要部断面図を、第46図は磁気回路部の形成工程を示
す要部平面図を、第47図（Ａ）は第45図（Ｂ）に示す基
板を用いて作成される薄膜磁気ヘッドの正面図を、第47
図（Ｂ）は第45図（Ｃ）に示す基板を用いて作成される
薄膜磁気ヘッドの正面図をそれぞれ示す。 11,31,41,51,61,81,91,151,161……基板 43,64,83,93,105,154……下部磁性膜 17,45,57,65,87,100,114,154,164……上部磁性膜 14,54,85,111……コイル導体

フロントページの続き (72)発明者 相沢 幸広 東京都品川区北品川６丁目５番６号 ソニ ー・マグネ・プロダクツ株式会社内 (72)発明者 鈴川 博之 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 (56)参考文献 特開 昭60−98510（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−109009（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−52520（ＪＰ，Ａ) 特開 昭51−80208（ＪＰ，Ａ)

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】基板の上面にコイル導体及び磁性膜がそれ
   ぞれ絶縁膜を介して積層形成されてなる薄膜磁気ヘッド
   において、 前記基板の磁気記録媒体対接面近傍部に前記上面に対し
   て所定角度で傾斜する傾斜面が形成され、 前記傾斜面上の磁性膜にて磁気ギャップが形成されると
   ともに、前記傾斜面の傾斜角度にて磁気ギャップのアジ
   マスが規制され、 かつ、前記コイル導体が前記上面の平坦部に形成されて
   いることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。