JPH0777189B2 - 有機物被膜の除去方法 - Google Patents
有機物被膜の除去方法Info
- Publication number
- JPH0777189B2 JPH0777189B2 JP61244150A JP24415086A JPH0777189B2 JP H0777189 B2 JPH0777189 B2 JP H0777189B2 JP 61244150 A JP61244150 A JP 61244150A JP 24415086 A JP24415086 A JP 24415086A JP H0777189 B2 JPH0777189 B2 JP H0777189B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- ozone
- treatment
- gas
- organic
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- Expired - Lifetime
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は有機物被膜の乾燥状態での除去方法及び装置に
関するもので、特に半導体装置の製造に用いるレジスト
膜の除去方法に関するものである。
関するもので、特に半導体装置の製造に用いるレジスト
膜の除去方法に関するものである。
（従来技術） 半導体装置を製造する場合には、写真処理技術あるい
は、Ｘ線照射、電子線照射等で回路パターンが描かれた
レジスト膜を形成したシリコン等の基板にエッチング等
の処理を施した後に該レジスト膜を除去することが必要
である。
は、Ｘ線照射、電子線照射等で回路パターンが描かれた
レジスト膜を形成したシリコン等の基板にエッチング等
の処理を施した後に該レジスト膜を除去することが必要
である。
レジスト膜は酸化力のある液体中へ浸漬する湿式処理に
より除去したり、酸素プラズマ、紫外線、オゾンなどの
乾式処理によって除去している。
より除去したり、酸素プラズマ、紫外線、オゾンなどの
乾式処理によって除去している。
溶液による湿式処理は、廃液処理に手数がかかり、また
液体中に含まれる不純物が半導体装置に悪影響を及ぼす
という問題点から乾式処理への要望が高まっている。
液体中に含まれる不純物が半導体装置に悪影響を及ぼす
という問題点から乾式処理への要望が高まっている。
乾式処理の中心であった酸素プラズマによる方法は、プ
ラズマによって半導体装置に損傷が生じることがあり、
オゾンや紫外線による除去方法が注目されている。
ラズマによって半導体装置に損傷が生じることがあり、
オゾンや紫外線による除去方法が注目されている。
（発明が解決しようとする問題点） オゾンが供給されているハウジング内で半導体基板を加
熱しつつ有機物被膜を除去することは、例えば、特開昭
52-20766号として知られている。この様な方法により、
有機物被膜の除去を続けていると除去装置のオゾン噴射
ノズルを初めとする処理室内に各種の有機化合物の付着
が認められる。付着物は、レジスト等の溶剤や低分子有
機物あるいは、分解によって生じる物質などである。こ
の様な付着物は、装置ひいては処理すべき半導体基板の
汚染を引き起こすという問題点があった。
熱しつつ有機物被膜を除去することは、例えば、特開昭
52-20766号として知られている。この様な方法により、
有機物被膜の除去を続けていると除去装置のオゾン噴射
ノズルを初めとする処理室内に各種の有機化合物の付着
が認められる。付着物は、レジスト等の溶剤や低分子有
機物あるいは、分解によって生じる物質などである。こ
の様な付着物は、装置ひいては処理すべき半導体基板の
汚染を引き起こすという問題点があった。
又、オゾンの発生装置はオゾンの発生を安定化する為に
連続運転をすることが不可欠である。オゾン発生装置の
連続運転に対応し、オゾンの供給を連続化するために、
処理すべき基板をコンベアシステム等により連続的に導
入し、窒素ガスでシールすることを行うことが提案され
ている。ところが、12.5cmないし20cmの直径の円形の基
板上の有機物被膜をむらなく短時間に除去するために
は、処理すべき基板を回転することが有効であるが、コ
ンベアシステムに基板の回転機構を設けることは、極め
て複雑な機構になる。
連続運転をすることが不可欠である。オゾン発生装置の
連続運転に対応し、オゾンの供給を連続化するために、
処理すべき基板をコンベアシステム等により連続的に導
入し、窒素ガスでシールすることを行うことが提案され
ている。ところが、12.5cmないし20cmの直径の円形の基
板上の有機物被膜をむらなく短時間に除去するために
は、処理すべき基板を回転することが有効であるが、コ
ンベアシステムに基板の回転機構を設けることは、極め
て複雑な機構になる。
従って、基板の回転機構を設ける場合には、バッチ式の
処理を採用することが好ましい。バッチ式の装置への基
板の出し入れもシールガス等の手段によりオゾンの噴射
を停止しないことも可能であるが、オゾンが無駄とな
り、極めて不経済である。
処理を採用することが好ましい。バッチ式の装置への基
板の出し入れもシールガス等の手段によりオゾンの噴射
を停止しないことも可能であるが、オゾンが無駄とな
り、極めて不経済である。
（問題点を解決するための手段） そこで、本発明では処理室内壁への有機物の付着を減少
させるために、オゾンによる処理を行う前に、大量の気
体を流しつつ基板を加熱すること或いは外部から気体を
供給することなく気体を吸引除去しつつ加熱をおこなう
ことにより、基板の予熱と基板上の有機物被膜から発生
する有機溶剤や低分子物質を速やかに外部へ排除し、有
機物被膜の除去のための処理室内壁面への有機物の付着
を減少させるとともに、有機物被膜の除去のための処理
室の運転を連続化することにより、オゾンの発生装置の
連続運転を可能としたものである。
させるために、オゾンによる処理を行う前に、大量の気
体を流しつつ基板を加熱すること或いは外部から気体を
供給することなく気体を吸引除去しつつ加熱をおこなう
ことにより、基板の予熱と基板上の有機物被膜から発生
する有機溶剤や低分子物質を速やかに外部へ排除し、有
機物被膜の除去のための処理室内壁面への有機物の付着
を減少させるとともに、有機物被膜の除去のための処理
室の運転を連続化することにより、オゾンの発生装置の
連続運転を可能としたものである。
前記した基板の予熱及び有機溶剤や低分子物質の事前処
理は、有機物被膜の除去のための処理室とは別室におい
て行なっても良いし、処理室を複数個設けて、気体の供
給及び排出管を切り替えることにより処理室を事前処理
室と有機物被膜の除去室とに切り替えることにより、基
板の予熱と有機溶剤や低分子物質の事前処理とオゾンに
よる処理を同時並行して行うこともできる。
理は、有機物被膜の除去のための処理室とは別室におい
て行なっても良いし、処理室を複数個設けて、気体の供
給及び排出管を切り替えることにより処理室を事前処理
室と有機物被膜の除去室とに切り替えることにより、基
板の予熱と有機溶剤や低分子物質の事前処理とオゾンに
よる処理を同時並行して行うこともできる。
このようにすることにより、有機物被膜を除去すべき基
板の予熱を行いながら、有機物被膜に含まれている有機
溶剤や、低分子化合物をあらかじめ除去することが可能
となり、オゾン噴射ノズルをはじめとする処理室内に、
各種の有機物が付着するのを極めて効果的に防止するこ
とができるので、運転を停止して付着物を除去するとい
う時間的なロスを大幅に減少させることが可能となる。
板の予熱を行いながら、有機物被膜に含まれている有機
溶剤や、低分子化合物をあらかじめ除去することが可能
となり、オゾン噴射ノズルをはじめとする処理室内に、
各種の有機物が付着するのを極めて効果的に防止するこ
とができるので、運転を停止して付着物を除去するとい
う時間的なロスを大幅に減少させることが可能となる。
基板の予熱及び有機物被膜の事前処理を別室で行なった
場合には、有機物被膜の除去のための処理室内壁面への
各種の有機物の付着を極めて小さくすることが可能であ
るが、装置の面積が大きくなったり、基板の移動装置が
必要となり、基板の移動時に予熱した基板の温度の低下
などが生じるという不利な面を有している。一方、有機
物被膜の除去のための処理室を複数個設け、処理室を切
り替えて事前処理を行う方法は、処理室内壁面への有機
物の付着の点では前物に劣るが、装置が簡単で、装置の
大きさも小さくなるという有利な面を有している。
場合には、有機物被膜の除去のための処理室内壁面への
各種の有機物の付着を極めて小さくすることが可能であ
るが、装置の面積が大きくなったり、基板の移動装置が
必要となり、基板の移動時に予熱した基板の温度の低下
などが生じるという不利な面を有している。一方、有機
物被膜の除去のための処理室を複数個設け、処理室を切
り替えて事前処理を行う方法は、処理室内壁面への有機
物の付着の点では前物に劣るが、装置が簡単で、装置の
大きさも小さくなるという有利な面を有している。
基板の事前処理においては、気体を大量に流す方法と吸
引除去方法のいずれも採用することができるが、気体を
大量に流すと基板の温度が低下し予熱に長時間を要する
ことになるので、気体を大量に流す方法よりも吸引除去
する方法が好ましい。
引除去方法のいずれも採用することができるが、気体を
大量に流すと基板の温度が低下し予熱に長時間を要する
ことになるので、気体を大量に流す方法よりも吸引除去
する方法が好ましい。
また、基板を予熱しながら気体を吸引除去する事前処理
と同時にオゾンによる処理を並行して行うことことによ
り、オゾン発生装置を停止することなく連続した運転が
可能となり、オゾンの発生装置にとっても好ましく生産
性も向上する。
と同時にオゾンによる処理を並行して行うことことによ
り、オゾン発生装置を停止することなく連続した運転が
可能となり、オゾンの発生装置にとっても好ましく生産
性も向上する。
以下添付の図面に基づいて、複数の処理室を設けて処理
室を切り替える方法に関して本発明を説明する。第１図
は本発明の方法を実施するための有機物被膜の処理装置
である。この装置は、２個の処理室１及び２を有してい
る。それぞれの処理室は、同様の構造をしているので一
方についてその構造を説明する。
室を切り替える方法に関して本発明を説明する。第１図
は本発明の方法を実施するための有機物被膜の処理装置
である。この装置は、２個の処理室１及び２を有してい
る。それぞれの処理室は、同様の構造をしているので一
方についてその構造を説明する。
処理室１内には、処理すべき半導体基板３を載置する基
板支持装置４があり、基板支持装置には回転機構が設け
られている。基板支持装置の下部には加熱装置５が設け
られ、処理装置内には高濃度のオゾン供給管６があり，
該供給管は冷却管７で包囲されている。オゾン供給管
は、半導体基板上へオゾンを噴射する複数のノズル８と
連結されており、冷却管により冷却されている。
板支持装置４があり、基板支持装置には回転機構が設け
られている。基板支持装置の下部には加熱装置５が設け
られ、処理装置内には高濃度のオゾン供給管６があり，
該供給管は冷却管７で包囲されている。オゾン供給管
は、半導体基板上へオゾンを噴射する複数のノズル８と
連結されており、冷却管により冷却されている。
処理室には、上部に気体吸引管９と気体排出管10が設け
られている。気体吸引管と気体排出管の位置および個数
は適宜に選ぶことができるが、処理室内での気体の流れ
や処理室内壁および基板の汚染を考慮すると、気体吸引
管は、処理室の上部に、また気体排出管は処理室の下部
に設けるのが好ましい。
られている。気体吸引管と気体排出管の位置および個数
は適宜に選ぶことができるが、処理室内での気体の流れ
や処理室内壁および基板の汚染を考慮すると、気体吸引
管は、処理室の上部に、また気体排出管は処理室の下部
に設けるのが好ましい。
処理室、オゾン供給管、ノズル等をはじめとする構成材
料は、ステンレスのようなオゾンに耐蝕性のある材料で
あれば、各種の材料を使用することができ、ノズルの本
数も処理すべき基板の大きさに応じて適宜に設定するこ
とができる。オゾンはオゾン発生装置11において発生さ
せ、切換装置12でいずれかの処理室に供給する。
料は、ステンレスのようなオゾンに耐蝕性のある材料で
あれば、各種の材料を使用することができ、ノズルの本
数も処理すべき基板の大きさに応じて適宜に設定するこ
とができる。オゾンはオゾン発生装置11において発生さ
せ、切換装置12でいずれかの処理室に供給する。
気体吸引管には、切換装置13を介して気体吸引装置14が
接続されており、また気体排出管は、切換装置15を介し
てオゾン分解装置16が接続されている。
接続されており、また気体排出管は、切換装置15を介し
てオゾン分解装置16が接続されている。
有機物被膜を除去する基板がいずれかの処理室に搬入さ
れ、加熱装置によりオゾン処理に必要な温度まで予熱し
ながら、処理室内の気体を吸引除去する。この際に、少
量のオゾンを噴射しても良い。事前処理を20ないし40秒
間行った後に、気体吸引装置、オゾン発生装置およびオ
ゾン分解装置を切換装置により切換えて、予熱および有
機溶剤や低分子物質の事前処理の終了した基板に高濃度
オゾンを噴射して、有機物被膜の除去を行う。
れ、加熱装置によりオゾン処理に必要な温度まで予熱し
ながら、処理室内の気体を吸引除去する。この際に、少
量のオゾンを噴射しても良い。事前処理を20ないし40秒
間行った後に、気体吸引装置、オゾン発生装置およびオ
ゾン分解装置を切換装置により切換えて、予熱および有
機溶剤や低分子物質の事前処理の終了した基板に高濃度
オゾンを噴射して、有機物被膜の除去を行う。
一方の処理室内で有機物被膜の除去を行っている間に、
他方の処理装置においては、処理すべき基板の搬入、搬
出、予熱或いは処理室内の気体の吸引除去を行うのが好
ましく、このようにすることによって、オゾン発生装置
の連続運転が可能となるとともに生産性が向上する。ま
た、各工程の切り替えはマイクロコンピュータなどを使
用した任意の制御装置により自動化することが可能であ
ることはいうまでもない。
他方の処理装置においては、処理すべき基板の搬入、搬
出、予熱或いは処理室内の気体の吸引除去を行うのが好
ましく、このようにすることによって、オゾン発生装置
の連続運転が可能となるとともに生産性が向上する。ま
た、各工程の切り替えはマイクロコンピュータなどを使
用した任意の制御装置により自動化することが可能であ
ることはいうまでもない。
（実施例） 以下実施例に基づき本発明を説明する。
東京応化工業（株）製ポジ型ホトレジストOFPR-800を1.
5μｍ塗布し現像した基板を、１分間に2.5回転する試料
支持装置上に載置し、電気ヒータにより基板を300℃迄
加熱しつつ処理室内の気体を30秒間吸収除去した。
5μｍ塗布し現像した基板を、１分間に2.5回転する試料
支持装置上に載置し、電気ヒータにより基板を300℃迄
加熱しつつ処理室内の気体を30秒間吸収除去した。
続いて、切換装置を作動させ、吸引除去を停止して、内
径0.7mmのノズルから基板上に約60,000ppmのオゾンを含
む酸素を１分間に６リットルの割合で噴射した。この処
理を１分30秒行い、内部のオゾンを窒素ガスでパージの
後に処理室から基板を取り出した。
径0.7mmのノズルから基板上に約60,000ppmのオゾンを含
む酸素を１分間に６リットルの割合で噴射した。この処
理を１分30秒行い、内部のオゾンを窒素ガスでパージの
後に処理室から基板を取り出した。
オゾンによる処理を行っている間に他の処理室では、予
熱と事前処理を行った。
熱と事前処理を行った。
事前処理では、基板の有機物被膜から蒸気が発生するの
が認められ、吸引装置の前に取り付けたトラップには発
生した蒸気を捕捉することができ、処理室内壁の汚染を
減少することができた。
が認められ、吸引装置の前に取り付けたトラップには発
生した蒸気を捕捉することができ、処理室内壁の汚染を
減少することができた。
（発明の効果） 有機物被膜を形成した基板から該被膜を除去する方法に
おいて有機物被膜を形成した基板を該被膜の除去温度ま
で予熱しつつ、室内の気体を吸引除去して、該被膜中の
有機溶剤や低分子物質を除去した後に被膜を除去するこ
とにより、有機物被膜の除去のための処理室内壁等への
有機物の付着を減少させることが可能となり、オゾンの
発生装置の運転を連続化することができ、生産性も向上
する。
おいて有機物被膜を形成した基板を該被膜の除去温度ま
で予熱しつつ、室内の気体を吸引除去して、該被膜中の
有機溶剤や低分子物質を除去した後に被膜を除去するこ
とにより、有機物被膜の除去のための処理室内壁等への
有機物の付着を減少させることが可能となり、オゾンの
発生装置の運転を連続化することができ、生産性も向上
する。
第１図は、本発明の有機物の除去方法に用いる装置を示
す図である。。 １・２……処理室 ３……基板支持装置 ４……半導体基板 ５……加熱装置 ６……オゾン供給管 ７……冷却管 ８……ノズル ９……気体吸引管 10……気体搬出管 11……オゾン発生装置 12……切替装置 13……切替装置 14……気体吸引装置 15……切替装置 16……オゾン分解装置
す図である。。 １・２……処理室 ３……基板支持装置 ４……半導体基板 ５……加熱装置 ６……オゾン供給管 ７……冷却管 ８……ノズル ９……気体吸引管 10……気体搬出管 11……オゾン発生装置 12……切替装置 13……切替装置 14……気体吸引装置 15……切替装置 16……オゾン分解装置
Claims (4)
- 【請求項１】有機物被膜を形成した基板から有機物被膜
を除去する方法において、有機物被膜を除去する処理室
を複数個設け、有機物被膜を加熱しつつ処理室内の気体
を吸引除去する加熱処理の間に、他の処理室において加
熱処理の終了した基板の有機物被膜面に加熱下でオゾン
を噴射することを特徴とする有機物被膜の除去方法。 - 【請求項２】オゾンによる処理を、加熱しつつ処理室内
の気体を吸引除去する加熱処理を行った処理室において
引き続き行うことを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の有機物被膜の除去方法。 - 【請求項３】有機物被膜を加熱しつつ処理室内の気体を
吸引除去する加熱処理は、オゾン処理を行う処理室とは
別の処理室において行うことを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載の有機物被膜の除去方法。 - 【請求項４】有機物被膜を加熱しつつ処理室内の気体を
吸引除去する加熱処理中に少量のオゾンを噴射すること
を特徴とする特許請求の範囲第１〜３項記載の有機物被
膜の除去方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61244150A JPH0777189B2 (ja) | 1986-10-16 | 1986-10-16 | 有機物被膜の除去方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61244150A JPH0777189B2 (ja) | 1986-10-16 | 1986-10-16 | 有機物被膜の除去方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6399529A JPS6399529A (ja) | 1988-04-30 |
| JPH0777189B2 true JPH0777189B2 (ja) | 1995-08-16 |
Family
ID=17114503
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61244150A Expired - Lifetime JPH0777189B2 (ja) | 1986-10-16 | 1986-10-16 | 有機物被膜の除去方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0777189B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2702966B2 (ja) * | 1988-06-13 | 1998-01-26 | 株式会社日立製作所 | 表面処理方法 |
| JP3999059B2 (ja) | 2002-06-26 | 2007-10-31 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理システム及び基板処理方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5050869A (ja) * | 1973-09-05 | 1975-05-07 | ||
| JPS5143079A (ja) * | 1974-10-11 | 1976-04-13 | Hitachi Ltd | |
| JPS5147373A (en) * | 1974-10-22 | 1976-04-22 | Nippon Electric Co | Fuotorejisutomakuno jokyohoho |
| US4341592A (en) * | 1975-08-04 | 1982-07-27 | Texas Instruments Incorporated | Method for removing photoresist layer from substrate by ozone treatment |
-
1986
- 1986-10-16 JP JP61244150A patent/JPH0777189B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6399529A (ja) | 1988-04-30 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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