JPH0777276B2 - Semiconductor laser drive - Google Patents

Semiconductor laser drive

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JPH0777276B2
JPH0777276B2 JP63152423A JP15242388A JPH0777276B2 JP H0777276 B2 JPH0777276 B2 JP H0777276B2 JP 63152423 A JP63152423 A JP 63152423A JP 15242388 A JP15242388 A JP 15242388A JP H0777276 B2 JPH0777276 B2 JP H0777276B2
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、半導体レーザ駆動装置に関し、もう少し詳
しくいうと、光学的に情報の記録・再生を行う情報記録
・再生装置等の光源として用いられる半導体レーザ、特
に、複数個の発光源を有する半導体レーザの駆動装置に
関するものである。TECHNICAL FIELD The present invention relates to a semiconductor laser driving device, and more specifically, it is used as a light source for an information recording / reproducing device for optically recording / reproducing information. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor laser, and more particularly to a driving device for a semiconductor laser having a plurality of light emission sources.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

第５図は、例えば特開昭60-263349号公報に記載された
従来の半導体レーザ駆動装置で、主として発光部
（１）、受光部（２）、プリント配線基板（３）からな
つている。まず、発光部（１）は、金属基板（４）上に
ヒートシンクとしてヘツダ（５）が取付けられ、このヘ
ツダ（５）の平面状の上部端面に２つの半導体レーザ光
源からなる半導体レーザアレイ（６）が取付けられてい
る。金属基板（４）の中心孔（4a）には円柱状の集光レ
ンズ（７）がはめ合わせ装着されている。第１のステム
（８）は、３本あるが１本は図示を省略している。この
第１のステム（８）が半導体レーザアレイ（６）の各半
導体レーザ光源に接続線（図示省略）を介して接続され
ている。また、この第１のステム（８）は、金属基板
（４）のガラス充填材（９）によつて充填された透孔
（9a）を通つて金属基板（４）の下方に延在し、プリン
ト配線基板（３）に固定されている。パツケージ（10）
は、その中心孔（10a）にガラス板（11）を貼合わせ
て、ヘツダ（５）を覆うように金属基板（４）に固定さ
れている。そして、半導体レーザアレイ（６）の２つの
半導体レーザ光源から、それぞれ前方光（12a），（12
b）および後方光（13a），（13b）が出射される。前方
光（12a），（12b）は情報記録媒体に照射され、これに
より情報の記録・再生が行われる。また、後方光（13
a），（13b）は後述するように、前方光（12a），（12
b）の光出力の制御に用いられる。FIG. 5 shows a conventional semiconductor laser driving device disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 60-263349, which mainly comprises a light emitting portion (1), a light receiving portion (2) and a printed wiring board (3). First, in the light emitting part (1), a hedder (5) is mounted as a heat sink on a metal substrate (4), and a semiconductor laser array (6) composed of two semiconductor laser light sources is provided on a planar upper end surface of the hedder (5). ) Is installed. A cylindrical condenser lens (7) is fitted and mounted in the center hole (4a) of the metal substrate (4). There are three first stems (8), but one is not shown. The first stem (8) is connected to each semiconductor laser light source of the semiconductor laser array (6) via a connecting wire (not shown). In addition, the first stem (8) extends below the metal substrate (4) through the through hole (9a) filled with the glass filler (9) of the metal substrate (4), It is fixed to the printed wiring board (3). Package (10)
The glass plate (11) is attached to the center hole (10a) of the metal plate and is fixed to the metal substrate (4) so as to cover the header (5). Then, from the two semiconductor laser light sources of the semiconductor laser array (6), forward light (12a), (12a)
b) and backward lights (13a) and (13b) are emitted. The front light (12a), (12b) is applied to the information recording medium, and information is recorded / reproduced thereby. In addition, back light (13
As will be described later, a) and (13b) are forward lights (12a), (12b).
It is used to control the light output of b).

次に、受光部（２）は、透明ブロツク（14）の内部に１
対の光検知器（15a），（15b）が埋込まれている。透明
ブロツク（14）の両端には３本の第２のステム（16）が
突出されている（１本図示省略）。この第２のステム
（16）は、その内端部が透明ブロツク（14）の内部で光
検知器（15a），（15b）に接続されるとともに、その外
端部がプリント配線基板（３）に取付けられている。Next, the light receiving section (2) is placed inside the transparent block (14).
A pair of photodetectors (15a) and (15b) are embedded. Three second stems (16) are projected at both ends of the transparent block (14) (one is not shown). The inner end of the second stem (16) is connected to the photodetectors (15a) and (15b) inside the transparent block (14), and the outer end of the second stem (16) is connected to the printed wiring board (3). Installed on.

プリント配線基板（３）には、金属基板（４）の中心孔
（4a）に対応する透孔（3a）が設けられている。The printed wiring board (3) is provided with a through hole (3a) corresponding to the center hole (4a) of the metal substrate (4).

以上の構成において、発光部（１）の金属基板（４）の
中心孔（4a）およびプリント配線基板（３）の透孔（3
a）に対応する位置に、受光部（２）の１対の光検知器
（15a），（15b）が位置決めされており、半導体レーザ
アレイ（６）から出射された後方光（13a），（13b）は
円柱状の集光レンズ（７）によつて分離され、それぞれ
別々に光検知器（15a），（15b）に入射して焦点を結
ぶ。従つて、半導体レーザアレイ（６）の各半導体レー
ザ光源から出射される前方光（12a），（12b）の光出力
の制御を、後方光（13a），（13b）を受光する１対の光
検知器（15a），（15b）の出力信号を用いて、各々の半
導体レーザ光源の駆動回路（図示せず）を動作させるこ
とにより達成する。In the above structure, the central hole (4a) of the metal substrate (4) of the light emitting part (1) and the through hole (3) of the printed wiring board (3).
A pair of photodetectors (15a) and (15b) of the light receiving section (2) are positioned at positions corresponding to (a), and backward light (13a) and ((a) emitted from the semiconductor laser array (6) are positioned. 13b) is separated by a cylindrical condensing lens (7), and respectively enters the photodetectors (15a) and (15b) to form a focus. Therefore, the control of the optical output of the front light (12a), (12b) emitted from each semiconductor laser light source of the semiconductor laser array (6) is controlled by a pair of light receiving the rear light (13a), (13b). This is achieved by operating the drive circuit (not shown) of each semiconductor laser light source using the output signals of the detectors (15a) and (15b).

〔発明が解決しようとする課題〕[Problems to be Solved by the Invention]

従来の半導体レーザ駆動装置は以上のように構成されて
いるので、光検知器（15a），（15b）に後方光（13
a），（13b）を集光させるために、集光レンズ（７）を
パツケージ（10）の狭い内部に位置決めするのは大変困
難であり、著しく量産性に欠けるという問題点があつ
た。Since the conventional semiconductor laser driving device is configured as described above, the backward light (13a) is transmitted to the photodetectors (15a) and (15b).
It is very difficult to position the condenser lens (7) within the narrow space of the package (10) in order to condense a) and (13b), and there is a problem that mass productivity is remarkably lacking.

この発明は上記のような問題点を解決するためになされ
たもので、狭いパツケージ内部における集光レンズの位
置決め工程を回避し、量産性のある半導体レーザ駆動装
置を得ることを目的とする。The present invention has been made to solve the above problems, and an object thereof is to avoid the step of positioning a condenser lens inside a narrow package and to obtain a semiconductor laser driving device with mass productivity.

〔課題を解決するための手段〕[Means for Solving the Problems]

第一のこの発明に係る半導体レーザ駆動装置は、複数個
の半導体レーザ光源からの後方光を一括して光検知器で
受光して光出力を検出するとともに、複数の前方光のう
ちの一方のみを光検知器で受光して光出力を検出し、こ
れらの検出された光出力に基づいて、前方光のうちの他
方の光出力を検出する手段を設けることによつて、各別
に検出された光出力に基づいて前方光の光出力を制御す
るものである。A semiconductor laser driving device according to a first aspect of the present invention receives backward light from a plurality of semiconductor laser light sources at a time by a photodetector to detect a light output, and detects only one of a plurality of forward lights. Is detected by a light detector to detect the light output, and based on these detected light outputs, a means for detecting the other light output of the forward light is provided to detect the light output separately. The light output of the front light is controlled based on the light output.

第二のこの発明に係る半導体レーザ駆動装置は、複数個
の半導体レーザ光源からの後方光のうち、一方のみを独
立して第１の光検知器で受光して光出力を検出するとと
もに、複数個の半導体レーザ光源からの前方光を一括し
て第２の光検知器で受光して複数の前方光の光出力を検
出し、これら第１および第２の光検知器のそれぞれの光
出力に基づいて、前記複数の後方光のうちの他の一方の
光出力を検出する手段を設けることによつて、各別に検
出された光出力に基づいて前方光の光出力を制御するも
のである。A second semiconductor laser driving device according to the present invention detects only one of backward light from a plurality of semiconductor laser light sources independently by a first photodetector to detect a light output, and The forward light from each semiconductor laser light source is received by the second photodetector collectively, and the optical outputs of the plural forward lights are detected, and the respective optical outputs of the first and second photodetectors are detected. Based on the light output of the other one of the plurality of rear lights, the light output of the front light is controlled based on the light output detected separately.

〔作用〕[Action]

第一のこの発明においては、複数個の半導体レーザ光源
の一方の光源からの光検出を前方光で行うことにより、
後方光を各別に分離して検出する必要がない。In the first invention, by performing light detection from one of the plurality of semiconductor laser light sources with forward light,
It is not necessary to separately detect the back light separately.

第二のこの発明においては、複数個の半導体レーザ光源
からの後方光のうち、一方のみを独立して検出すること
により、後方光を各別に分離して検出する必要がない。In the second aspect of the present invention, it is not necessary to separately detect the backward light by separately detecting only one of the backward light from the plurality of semiconductor laser light sources.

〔実施例〕〔Example〕

第１図は、第一のこの発明の一実施例を示し、図におい
て、発光部（17）を構成する符号（4A），（５），
（６），（８），（９），（9a），（10），（10a），
（11）および半導体レーザアレイ（６）の前方光（12
a），（12b）、後方光（13a），（13b）は、第５図にお
けると同様又は相当する部分である。接続線（18）は半
導体レーザアレイ（６）の複数個の光源を各別に動作さ
せるための電流を供給するためのものであり、一端が半
導体レーザアレイ（６）に、他端が第１のステム（８）
に接続されている。第１の光検知器（19）は、後方光
（13a），（13b）を受光するように、ヘツダ（５）上に
配設されている。第２のステム（20）は第１の光検知器
（19）の検出信号を接続線（図示省略）を介して出力す
るためのものである。コリメータレンズ（21）は前方光
（12a），（12b）を平行光束にする。ビームスプリツタ
（22）は上記平行光束を２分する。ビームスプリツタ
（22）を透過した前方光（12a），（12b）は情報記録媒
体（図示省略）に導かれて情報の記録・再生に用いら
れ、一方、ビームスプリツタ（22）で反射された前方光
（12a），（12b）は三角プリズム（23）に入射される。
三角プリズム（23）の斜面（23a）は前方光（12a）に対
する入射角が臨界角よりも小さく、かつ、前方光（12
b）に対する入射角が臨界角よりも大きくなるように、
頂角θが定められている。第２の光検知器（24）は斜面
（23a）で屈折して透過した前方光（12a）を受光するよ
うに配設されている。電流電圧変換器（25）は第１の光
検知器（19）の検出信号（電流）を電圧に変換する。電
流電圧変換器（26）は第２の光検知器（24）の検出信号
を電圧に変換するもので、次段に増幅器又は減衰器から
なる電圧調整器（27）が接続されている。差動増幅器
（28）は電流電圧変換器（25）および電圧調整器（27）
の出力端に接続されている。２個のレーザ駆動回路（2
9）は、一方は電圧調整器（27）の出力端に接続されて
おり、他方は差動増幅器（28）の出力端に接続されてお
り、それぞれの出力は第１のステム（８）に接続されて
いる。FIG. 1 shows an embodiment of the first aspect of the present invention. In the drawing, reference numerals (4A), (5), which constitute a light emitting section (17),
(6), (8), (9), (9a), (10), (10a),
(11) and the forward light (12) of the semiconductor laser array (6)
The light a), (12b), and the rear light (13a), (13b) are the same or corresponding portions as in FIG. The connection line (18) is for supplying a current for individually operating a plurality of light sources of the semiconductor laser array (6), one end of which is the semiconductor laser array (6) and the other end of which is the first. Stem (8)
It is connected to the. The first photodetector (19) is arranged on the header (5) so as to receive the backward light (13a), (13b). The second stem (20) is for outputting the detection signal of the first photodetector (19) through a connection line (not shown). The collimator lens (21) collimates the forward light beams (12a) and (12b). The beam splitter (22) divides the parallel light flux into two. The forward light (12a), (12b) transmitted through the beam splitter (22) is guided to an information recording medium (not shown) and used for recording / reproducing information, while it is reflected by the beam splitter (22). The forward lights (12a) and (12b) are incident on the triangular prism (23).
The slope (23a) of the triangular prism (23) has an incident angle with respect to the forward light (12a) smaller than the critical angle, and the forward light (12a)
so that the angle of incidence on b) is greater than the critical angle,
The apex angle θ is defined. The second photodetector (24) is arranged so as to receive the forward light (12a) refracted and transmitted by the slope (23a). The current-voltage converter (25) converts the detection signal (current) of the first photodetector (19) into voltage. The current-voltage converter (26) converts the detection signal of the second photodetector (24) into a voltage, and the voltage regulator (27) consisting of an amplifier or an attenuator is connected to the next stage. The differential amplifier (28) is a current-voltage converter (25) and a voltage regulator (27).
Is connected to the output end of. Two laser drive circuits (2
9), one of which is connected to the output of the voltage regulator (27) and the other of which is connected to the output of the differential amplifier (28), and each output is connected to the first stem (8). It is connected.

次に動作について説明する。半導体レーザアレイ（６）
の２つの後方光（13a），（13b）はともに第１の光検知
器（19）で受光されるため、電流電圧変換器（25）の出
力は、後方光（13a）に対応する前方光（12a）の光出力
に比例した電圧VAと、後方光（13b）に対応する前方光
（12b）の光出力に比例した電圧VBの和となる。一方、
前方光（12a），（12b）はともに三角プリズム（23）に
入射するが、前方光のうち前方光（12a）は斜面（23a）
に対する入射角が臨界角よりも小さいために斜面（23
a）で屈折して透過し、前方光（12b）は斜面（23a）に
対する入射角が臨界角よりも大きいために斜面（23a）
で全反射し透過はおこらない。従つて第２の光検知器
（24）に受光されるのは２つの前方光（12a），（12b）
のうちの前方光（12a）のみであるので、電流電圧変換
器（26）の出力は前方光（12a）の光出力に比例した電
圧VA 1となる。電圧調整器（27）は電圧VA 1が電流電圧変
換器（25）の出力電圧のうち、前方光（12a）に対応し
た電圧VAに一致するように電圧増幅率または減衰率が調
整されている。差動増幅器（28）は電流電圧変換器（2
5）の出力電圧（VA＋VB）から電圧調整器（27）の出力
電圧VAを減算して、前方光（12b）の光出力に比例した
電圧VBを抽出する。従つて電圧調整器（27）の出力VAと
差動増幅器（28）の出力VBを２個のレーザ駆動回路（2
9）にそれぞれ入力することによつて前方光（12a），
（12b）を発する複数個の半導体レーザ光源をそれぞれ
独立に駆動することができる。Next, the operation will be described. Semiconductor laser array (6)
Since the two rear lights (13a) and (13b) of the above are received by the first photodetector (19), the output of the current-voltage converter (25) is the front light corresponding to the rear light (13a). It is the sum of the voltage V A proportional to the optical output of (12a) and the voltage V B proportional to the optical output of the front light (12b) corresponding to the rear light (13b). on the other hand,
Both the front light (12a) and (12b) are incident on the triangular prism (23), but the front light (12a) of the front light is the slope (23a).
The angle of incidence on the slope (23
The light is refracted and transmitted by a), and the forward light (12b) has an incident angle with respect to the slope (23a) larger than the critical angle, so the slope (23a)
Totally reflected at and no transmission occurs. Therefore, the two light beams (12a) and (12b) are received by the second photodetector (24).
Of the front light (12a), the output of the current-voltage converter (26) becomes a voltage V A 1 proportional to the light output of the front light (12a). Of the output voltage of the voltage regulator (27) is a voltage V A 1 is a current-voltage converter (25), the voltage amplification factor or attenuation factor is adjusted to match the voltage V A corresponding to the forward light (12a) ing. The differential amplifier (28) is a current-voltage converter (2
5) the output voltage (V A + V B) voltage regulator from (by subtracting the output voltage V A of 27), and extracts a voltage V B which is proportional to the optical output of the forward light (12b). Accordance connexion voltage regulator (27) of the output V A and the differential amplifier (28) output V B of the two laser driving circuit (2
By inputting each to 9), the forward light (12a),
It is possible to independently drive a plurality of semiconductor laser light sources emitting (12b).

なお、上記実施例では第２の光検知器（24）は、三角プ
リズム（23）の斜面（23a）で屈折した前方光（12a）を
受光するよう配設されたものを示したが、斜面（23a）
で全反射した前方光（12b）を受光するようにしてもよ
い。In the above embodiment, the second photodetector (24) is arranged so as to receive the forward light (12a) refracted by the slope (23a) of the triangular prism (23). (23a)
The front light (12b) totally reflected by may be received.

さらに、電圧調整器（27）は、電流電圧変換器（26）の
次段におかれたものを示したが、他方の電流電圧変換器
（25）の次段でもよく、あるいは両方にあつてもよい。Further, although the voltage regulator (27) is shown as being placed next to the current-voltage converter (26), it may be placed next to the other current-voltage converter (25), or both. Good.

また、上記実施例では前方光（12a）と（12b）の分離に
三角プリズム（23）を用いたものを示したが、他の実施
例として第２図に示す構成であつてもよい。第２図にお
いて符号（５），（６），（８）〜（13），（17）〜
（22），（24）〜（29）は第１図と同様のものである。
レンズ（30）は、ビームスプリツタ（22）で反射した２
つの前方光（12），（12b）の平行光束をそれぞれ収束
させるためのものであり、前方光（12a），（12b）の集
光点位置に一方の光束のみを通過させるためのピンホー
ル（31）が配置されている。さらにピンホール（31）の
後方に第２の光検知器（24）が配置されている。Further, in the above-mentioned embodiment, the one using the triangular prism (23) for separating the front light (12a) and (12b) is shown, but the structure shown in FIG. 2 may be adopted as another embodiment. In FIG. 2, reference numerals (5), (6), (8) to (13), (17) to
(22), (24) to (29) are the same as in FIG.
Lens (30) reflected by beam splitter (22) 2
Pinholes for converging the parallel light fluxes of the two front lights (12) and (12b) respectively, and for passing only one of the light fluxes to the focal point positions of the front lights (12a) and (12b) ( 31) is located. Further, a second photodetector (24) is arranged behind the pinhole (31).

以上の構成により、ピンホール（31）によつて２つの前
方光のうちの一方のみを選択して第２の光検知器（24）
で検出するため、第１図に示すものと同等の効果が得ら
れる。With the above configuration, only one of the two front lights is selected by the pinhole (31) and the second photodetector (24) is selected.
Since it is detected by, the same effect as that shown in FIG. 1 can be obtained.

また、複数個の半導体レーザ光源としてアレイ構造のも
のを示したが、単一の発光源を同一の発光部（17）に近
接させて配置したハイブリツド型のものであつてもよ
い。Further, although the plurality of semiconductor laser light sources has an array structure, it may be a hybrid type in which a single light emitting source is arranged close to the same light emitting portion (17).

第３図は第二のこの発明の一実施例を示し、図において
発光部（17A）を構成する符号（4A），（５），
（６），（８），（９），（9a），（10），（10a），
（11），（12a），（12b），（13a），（13b），（1
8），（20），（21），（22），（25）〜（29）は、第
１図におけると同様ないし相当するものである。半導体
レーザアレイ（６）後部の遮蔽板（32）は、複数の後方
光（13a），（13b）が混合することなく分離されるよう
に配設されている。第１の光検知器（33）は、遮蔽板
（32）で分離された後方光（13a），（13b）のうちの一
方のみを受光（図示は（13a））するように配設されて
おり、後方光（13a）の光出力の検出信号は、接続線（3
4）を介して第２のステム（20）で出力される。ビーム
スプリツタ（22）を透過した前方光（12a），（12b）は
情報記録媒体（図示省略）に導かれて情報の記録・再生
に用いられる。一方、ビームスプリツタ（22）で反射さ
れた前方光（12a），（12b）は、ビームスプリツタ（2
2）の反射方向に配設された第２の光検知器（35）に入
射される。FIG. 3 shows an embodiment of the second invention of the present invention, in which reference numerals (4A), (5), which constitute the light emitting section (17A),
(6), (8), (9), (9a), (10), (10a),
(11), (12a), (12b), (13a), (13b), (1
8), (20), (21), (22), (25) to (29) are the same as or correspond to those in FIG. The shield plate (32) at the rear of the semiconductor laser array (6) is arranged so that the plurality of back lights (13a) and (13b) are separated without being mixed. The first photodetector (33) is arranged so as to receive only one of the backward lights (13a) and (13b) separated by the shield plate (32) ((13a) shown). The detection signal of the optical output of the rear light (13a) is
It is output by the second stem (20) via 4). The forward lights (12a), (12b) transmitted through the beam splitter (22) are guided to an information recording medium (not shown) and used for recording / reproducing information. On the other hand, the forward lights (12a) and (12b) reflected by the beam splitter (22) are reflected by the beam splitter (2
The light enters the second photodetector (35) arranged in the reflection direction of 2).

次に動作について説明する。半導体レーザアレイ（６）
の２つの後方光（13a），（13b）は遮蔽板（32）によつ
て互いに混合されることなく分離されているので、第１
の光検知器（33）は２つの後方光のうちの一方の後方光
（13a）のみを受光することができる。従つて第１の光
検知器（33）に接続された電流電圧変換器（26）は、後
方光（13a）の光出力に比例した電圧、換言すれば後方
光（13a）に対応した前方光（12a）の光出力に比例した
電圧VA 1を出力する。一方、前方光（12a），（12b）の
一部はビームスプリツタ（22）で反射して第２の光検知
器（35）に入射するため、光検知器（35）に接続された
電流電圧変換器（25）の出力は、前方光（12a）の光出
力に比例した電圧VAと前方光（12b）の光出力に比例し
た電圧VBの和（VA＋VB）となる。電圧調整器（27）は、
電流電圧変換器（26）の出力VA 1を、電流電圧変換器（2
5）の出力電圧のうち、前方光（12a）の光出力に対応し
た電圧VAに一致するように電圧増幅率または減衰率が調
整されている。差動増幅器（28）は電流電圧変換器（2
5）の出力電圧（VA＋VB）から電圧調整器（27）の出力
電圧VAを減算し、結果として前方光（12b）の光出力に
比例した電圧VBを抽出する。従つて電圧調整器（27）の
出力VAと差動増幅器（28）の出力VBを２個のレーザ駆動
回路（29）にそれぞれ入力することによつて、前方光
（12a），（12b）を発する複数の半導体レーザ光源をそ
れぞれ独立に駆動することができる。Next, the operation will be described. Semiconductor laser array (6)
The two rear lights (13a), (13b) of the above are separated from each other by the shield plate (32) without being mixed with each other.
The photodetector (33) can receive only one of the two backward lights (13a). Therefore, the current-voltage converter (26) connected to the first photodetector (33) has a voltage proportional to the optical output of the rear light (13a), in other words, the front light corresponding to the rear light (13a). The voltage V A 1 proportional to the optical output of (12a) is output. On the other hand, part of the forward light (12a), (12b) is reflected by the beam splitter (22) and enters the second photodetector (35), so the current connected to the photodetector (35). The output of the voltage converter (25) is the sum (V A + V B ) of the voltage V A proportional to the optical output of the front light (12a) and the voltage V B proportional to the optical output of the front light (12b). The voltage regulator (27)
The output V A 1 of the current-voltage converter (26) is transferred to the current-voltage converter (2
Of the output voltage of 5), the voltage amplification factor or the attenuation factor is adjusted so as to match the voltage V A corresponding to the optical output of the front light (12a). The differential amplifier (28) is a current-voltage converter (2
5) the output voltage (V A + V B) voltage regulator from the output voltage V A of (27) is subtracted, and extracts a voltage V B which is proportional to the optical output of the forward light (12b) as a result. Accordance connexion voltage regulator (27) of the output V A and the differential amplifier Yotsute to respectively input the output V B to the two laser driving circuit (29) in (28), forward light (12a), (12b ) Emitting semiconductor laser light sources can be independently driven.

なお、上記実施例では第２の光検知器（35）で前方光
（12a），（12b）を受光するためにビームスプリツタ
（22）を用いたが、他の実施例として第４図に示す構成
であつてもよい。すなわち、コリメータレンズ（23）の
出射側にビーム整形プリズム（36）を配置し、その斜面
（36a）で前方光（12a），（12b）を屈折透過させるこ
とによつて、本来楕円状の断面強度分布を示す半導体レ
ーザの光束を等方的な断面強度分布に変換する。ビーム
整形プリズム（36）の斜面（36a）においては、前述し
たように屈折して透過する成分以外に、斜面（36a）で
反射する成分があるため、斜面（36a）の反射方向に第
２の光検知器（35）を配設し、反射した前方光（12
a），（12b）を受光し検出することによつて、第３図に
示した実施例と同様の効果を得ることができる。In the above embodiment, the beam splitter (22) was used to receive the forward light (12a), (12b) by the second photodetector (35), but as another embodiment, it is shown in FIG. The configuration shown may be used. That is, by arranging the beam shaping prism (36) on the exit side of the collimator lens (23) and refracting and transmitting the forward lights (12a) and (12b) at its slope (36a), an originally elliptical cross section is obtained. A light flux of a semiconductor laser showing an intensity distribution is converted into an isotropic cross-sectional intensity distribution. At the slope (36a) of the beam shaping prism (36), there is a component that is reflected by the slope (36a) in addition to the component that is refracted and transmitted as described above. A light detector (35) is installed to reflect the forward light (12
By receiving and detecting a) and (12b), the same effect as the embodiment shown in FIG. 3 can be obtained.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

以上のように、第一のこの発明は、半導体レーザアレイ
の複数個の半導体レーザからの後方光を一括して光検知
器で受光し、さらに前方光のうちの一方のみを光検知器
で受光してそれぞれ光出力を検出し、これらの光出力に
基づいて演算回路によつて前記前方光の他方の光出力を
検出するようにしたので、光検知器および光学部品の位
置調整が不要であり、安価で量産性に富んだ装置が得ら
れる効果がある。As described above, according to the first aspect of the present invention, the backward light from the plurality of semiconductor lasers of the semiconductor laser array is collectively received by the photodetector, and only one of the forward lights is received by the photodetector. Then, the optical output is detected respectively, and the other optical output of the forward light is detected by the arithmetic circuit based on these optical outputs, so that the position adjustment of the optical detector and the optical parts is unnecessary. In addition, there is an effect that an inexpensive and highly productive device can be obtained.

また、第二のこの発明は、半導体レーザアレイの複数個
の半導体レーザからの後方光のうちの一方のみを第１の
光検知器で受光し、さらに複数の前方光を一括して第２
の光検知器で受光してそれぞれの光出力を検出し、これ
らの光出力に基づいて演算回路によつて前記後方光のう
ちの他の一方の光出力を検出するようにしたので、光検
知器および光学部品の位置調整が不要であり、安価で量
産性に富んだ装置が得られる効果がある。In addition, in the second invention, only one of the backward light from the plurality of semiconductor lasers of the semiconductor laser array is received by the first photodetector, and further the plurality of forward light are collectively received by the second photodetector.
The photodetector detects the respective light outputs, and based on these light outputs, the arithmetic circuit detects the light output of the other one of the backward lights. Since there is no need to adjust the positions of the container and the optical parts, there is an effect that an inexpensive and highly productive apparatus can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第１図は第一のこの発明の一実施例の光路図、第２図は
第一の発明の他の実施例の光路図、第３図は第二のこの
発明の一実施例の光路図、第４図は第二のこの発明の他
の実施例の一部光路図、第５図は従来の半導体レーザ駆
動装置の側断面図である。 （６）……半導体レーザ（アレイ）、（12a），（12b）
……前方光、（13a），（13b）……後方光、（19），
（33）……第１の光検知器、（21）……コリメータレン
ズ、（22）……ビームスプリツタ、（23）……三角プリ
ズム（分離手段）、（24），（35）……第２の光検知
器、（25），（26）……電流電圧変換器、（27）……電
圧調整器、（28）……差動増幅器、（32）……遮蔽板
（分離手段）。 なお、各図中、同一符号は同一又は相当部分を示す。1 is an optical path diagram of the first embodiment of the present invention, FIG. 2 is an optical path diagram of the other embodiment of the first invention, and FIG. 3 is an optical path diagram of the second embodiment of the present invention. FIG. 4 is a partial optical path diagram of another embodiment of the second invention, and FIG. 5 is a side sectional view of a conventional semiconductor laser driving device. (6) …… Semiconductor laser (array), (12a), (12b)
... front light, (13a), (13b) ... back light, (19),
(33) …… first photodetector, (21) …… collimator lens, (22) …… beam splitter, (23) …… triangular prism (separating means), (24), (35) …… Second photodetector, (25), (26) ... current-voltage converter, (27) ... voltage regulator, (28) ... differential amplifier, (32) ... shield plate (separating means) . In each figure, the same reference numerals indicate the same or corresponding parts.

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】複数個の半導体レーザ光源からなる半導体
レーザと、これらの複数個の半導体レーザ光源からの後
方光を共通に受光する第１の光検知器と、前記複数個の
半導体レーザ光源からの前方光のうち一方の前記前方光
のみを光学的に分離する手段と、前記分離された一方の
前方光を受光する第２の光検知器と、この第２の光検知
器により検出された光出力に基づいて前記第１の光検知
器の検出信号から他方の前記前方光の光出力を検出する
演算手段とを備えてなる半導体レーザ駆動装置。1. A semiconductor laser comprising a plurality of semiconductor laser light sources, a first photodetector for commonly receiving backward light from the plurality of semiconductor laser light sources, and a plurality of semiconductor laser light sources. Means for optically separating only one of the front lights among the front lights, a second photodetector for receiving the separated one of the front lights, and a light detected by the second photodetector. A semiconductor laser driving device comprising: an arithmetic means for detecting the light output of the other front light from the detection signal of the first photodetector based on the light output. 【請求項２】複数個の半導体レーザ光源からなる半導体
レーザと、これらの複数個の半導体レーザ光源からの複
数の後方光のうちの一方のみを独立に分離するための分
離手段と、分離された一方の前記後方光のみを受光する
第１の光検知器と、前記複数個の半導体レーザ光源から
の複数の前方光を平行光にするためのコリメータレンズ
と、このコリメータレンズからの平行光を任意の割合で
２分するための光学的手段と、この光学的手段によつて
２分された前記平行光のうちの一方を受光する第２の光
検知器と、前記第１の光検知器により検出された光出力
に基づいて前記第２の光検知器の検出信号から前記複数
の後方光の他方の光出力を検出する演算手段とを備えて
なる半導体レーザ駆動装置。2. A semiconductor laser comprising a plurality of semiconductor laser light sources, and a separating means for independently separating only one of a plurality of backward lights from the plurality of semiconductor laser light sources. One of the first photodetectors for receiving only the rear light, a collimator lens for making a plurality of front lights from the plurality of semiconductor laser light sources into parallel light, and a parallel light from the collimator lens is arbitrary. By an optical means for halving the parallel light, a second photodetector for receiving one of the parallel lights bisected by the optical means, and the first photodetector. A semiconductor laser driving device, comprising: an arithmetic unit that detects the other optical output of the plurality of backward lights from the detection signal of the second photodetector based on the detected optical output.
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