JPH0777276B2 - 半導体レーザ駆動装置 - Google Patents
半導体レーザ駆動装置Info
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- JPH0777276B2 JPH0777276B2 JP63152423A JP15242388A JPH0777276B2 JP H0777276 B2 JPH0777276 B2 JP H0777276B2 JP 63152423 A JP63152423 A JP 63152423A JP 15242388 A JP15242388 A JP 15242388A JP H0777276 B2 JPH0777276 B2 JP H0777276B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、半導体レーザ駆動装置に関し、もう少し詳
しくいうと、光学的に情報の記録・再生を行う情報記録
・再生装置等の光源として用いられる半導体レーザ、特
に、複数個の発光源を有する半導体レーザの駆動装置に
関するものである。
しくいうと、光学的に情報の記録・再生を行う情報記録
・再生装置等の光源として用いられる半導体レーザ、特
に、複数個の発光源を有する半導体レーザの駆動装置に
関するものである。
第５図は、例えば特開昭60-263349号公報に記載された
従来の半導体レーザ駆動装置で、主として発光部
（１）、受光部（２）、プリント配線基板（３）からな
つている。まず、発光部（１）は、金属基板（４）上に
ヒートシンクとしてヘツダ（５）が取付けられ、このヘ
ツダ（５）の平面状の上部端面に２つの半導体レーザ光
源からなる半導体レーザアレイ（６）が取付けられてい
る。金属基板（４）の中心孔（4a）には円柱状の集光レ
ンズ（７）がはめ合わせ装着されている。第１のステム
（８）は、３本あるが１本は図示を省略している。この
第１のステム（８）が半導体レーザアレイ（６）の各半
導体レーザ光源に接続線（図示省略）を介して接続され
ている。また、この第１のステム（８）は、金属基板
（４）のガラス充填材（９）によつて充填された透孔
（9a）を通つて金属基板（４）の下方に延在し、プリン
ト配線基板（３）に固定されている。パツケージ（10）
は、その中心孔（10a）にガラス板（11）を貼合わせ
て、ヘツダ（５）を覆うように金属基板（４）に固定さ
れている。そして、半導体レーザアレイ（６）の２つの
半導体レーザ光源から、それぞれ前方光（12a），（12
b）および後方光（13a），（13b）が出射される。前方
光（12a），（12b）は情報記録媒体に照射され、これに
より情報の記録・再生が行われる。また、後方光（13
a），（13b）は後述するように、前方光（12a），（12
b）の光出力の制御に用いられる。
従来の半導体レーザ駆動装置で、主として発光部
（１）、受光部（２）、プリント配線基板（３）からな
つている。まず、発光部（１）は、金属基板（４）上に
ヒートシンクとしてヘツダ（５）が取付けられ、このヘ
ツダ（５）の平面状の上部端面に２つの半導体レーザ光
源からなる半導体レーザアレイ（６）が取付けられてい
る。金属基板（４）の中心孔（4a）には円柱状の集光レ
ンズ（７）がはめ合わせ装着されている。第１のステム
（８）は、３本あるが１本は図示を省略している。この
第１のステム（８）が半導体レーザアレイ（６）の各半
導体レーザ光源に接続線（図示省略）を介して接続され
ている。また、この第１のステム（８）は、金属基板
（４）のガラス充填材（９）によつて充填された透孔
（9a）を通つて金属基板（４）の下方に延在し、プリン
ト配線基板（３）に固定されている。パツケージ（10）
は、その中心孔（10a）にガラス板（11）を貼合わせ
て、ヘツダ（５）を覆うように金属基板（４）に固定さ
れている。そして、半導体レーザアレイ（６）の２つの
半導体レーザ光源から、それぞれ前方光（12a），（12
b）および後方光（13a），（13b）が出射される。前方
光（12a），（12b）は情報記録媒体に照射され、これに
より情報の記録・再生が行われる。また、後方光（13
a），（13b）は後述するように、前方光（12a），（12
b）の光出力の制御に用いられる。
次に、受光部（２）は、透明ブロツク（14）の内部に１
対の光検知器（15a），（15b）が埋込まれている。透明
ブロツク（14）の両端には３本の第２のステム（16）が
突出されている（１本図示省略）。この第２のステム
（16）は、その内端部が透明ブロツク（14）の内部で光
検知器（15a），（15b）に接続されるとともに、その外
端部がプリント配線基板（３）に取付けられている。
対の光検知器（15a），（15b）が埋込まれている。透明
ブロツク（14）の両端には３本の第２のステム（16）が
突出されている（１本図示省略）。この第２のステム
（16）は、その内端部が透明ブロツク（14）の内部で光
検知器（15a），（15b）に接続されるとともに、その外
端部がプリント配線基板（３）に取付けられている。
プリント配線基板（３）には、金属基板（４）の中心孔
（4a）に対応する透孔（3a）が設けられている。
（4a）に対応する透孔（3a）が設けられている。
以上の構成において、発光部（１）の金属基板（４）の
中心孔（4a）およびプリント配線基板（３）の透孔（3
a）に対応する位置に、受光部（２）の１対の光検知器
（15a），（15b）が位置決めされており、半導体レーザ
アレイ（６）から出射された後方光（13a），（13b）は
円柱状の集光レンズ（７）によつて分離され、それぞれ
別々に光検知器（15a），（15b）に入射して焦点を結
ぶ。従つて、半導体レーザアレイ（６）の各半導体レー
ザ光源から出射される前方光（12a），（12b）の光出力
の制御を、後方光（13a），（13b）を受光する１対の光
検知器（15a），（15b）の出力信号を用いて、各々の半
導体レーザ光源の駆動回路（図示せず）を動作させるこ
とにより達成する。
中心孔（4a）およびプリント配線基板（３）の透孔（3
a）に対応する位置に、受光部（２）の１対の光検知器
（15a），（15b）が位置決めされており、半導体レーザ
アレイ（６）から出射された後方光（13a），（13b）は
円柱状の集光レンズ（７）によつて分離され、それぞれ
別々に光検知器（15a），（15b）に入射して焦点を結
ぶ。従つて、半導体レーザアレイ（６）の各半導体レー
ザ光源から出射される前方光（12a），（12b）の光出力
の制御を、後方光（13a），（13b）を受光する１対の光
検知器（15a），（15b）の出力信号を用いて、各々の半
導体レーザ光源の駆動回路（図示せず）を動作させるこ
とにより達成する。
従来の半導体レーザ駆動装置は以上のように構成されて
いるので、光検知器（15a），（15b）に後方光（13
a），（13b）を集光させるために、集光レンズ（７）を
パツケージ（10）の狭い内部に位置決めするのは大変困
難であり、著しく量産性に欠けるという問題点があつ
た。
いるので、光検知器（15a），（15b）に後方光（13
a），（13b）を集光させるために、集光レンズ（７）を
パツケージ（10）の狭い内部に位置決めするのは大変困
難であり、著しく量産性に欠けるという問題点があつ
た。
この発明は上記のような問題点を解決するためになされ
たもので、狭いパツケージ内部における集光レンズの位
置決め工程を回避し、量産性のある半導体レーザ駆動装
置を得ることを目的とする。
たもので、狭いパツケージ内部における集光レンズの位
置決め工程を回避し、量産性のある半導体レーザ駆動装
置を得ることを目的とする。
第一のこの発明に係る半導体レーザ駆動装置は、複数個
の半導体レーザ光源からの後方光を一括して光検知器で
受光して光出力を検出するとともに、複数の前方光のう
ちの一方のみを光検知器で受光して光出力を検出し、こ
れらの検出された光出力に基づいて、前方光のうちの他
方の光出力を検出する手段を設けることによつて、各別
に検出された光出力に基づいて前方光の光出力を制御す
るものである。
の半導体レーザ光源からの後方光を一括して光検知器で
受光して光出力を検出するとともに、複数の前方光のう
ちの一方のみを光検知器で受光して光出力を検出し、こ
れらの検出された光出力に基づいて、前方光のうちの他
方の光出力を検出する手段を設けることによつて、各別
に検出された光出力に基づいて前方光の光出力を制御す
るものである。
第二のこの発明に係る半導体レーザ駆動装置は、複数個
の半導体レーザ光源からの後方光のうち、一方のみを独
立して第１の光検知器で受光して光出力を検出するとと
もに、複数個の半導体レーザ光源からの前方光を一括し
て第２の光検知器で受光して複数の前方光の光出力を検
出し、これら第１および第２の光検知器のそれぞれの光
出力に基づいて、前記複数の後方光のうちの他の一方の
光出力を検出する手段を設けることによつて、各別に検
出された光出力に基づいて前方光の光出力を制御するも
のである。
の半導体レーザ光源からの後方光のうち、一方のみを独
立して第１の光検知器で受光して光出力を検出するとと
もに、複数個の半導体レーザ光源からの前方光を一括し
て第２の光検知器で受光して複数の前方光の光出力を検
出し、これら第１および第２の光検知器のそれぞれの光
出力に基づいて、前記複数の後方光のうちの他の一方の
光出力を検出する手段を設けることによつて、各別に検
出された光出力に基づいて前方光の光出力を制御するも
のである。
第一のこの発明においては、複数個の半導体レーザ光源
の一方の光源からの光検出を前方光で行うことにより、
後方光を各別に分離して検出する必要がない。
の一方の光源からの光検出を前方光で行うことにより、
後方光を各別に分離して検出する必要がない。
第二のこの発明においては、複数個の半導体レーザ光源
からの後方光のうち、一方のみを独立して検出すること
により、後方光を各別に分離して検出する必要がない。
からの後方光のうち、一方のみを独立して検出すること
により、後方光を各別に分離して検出する必要がない。
第１図は、第一のこの発明の一実施例を示し、図におい
て、発光部（17）を構成する符号（4A），（５），
（６），（８），（９），（9a），（10），（10a），
（11）および半導体レーザアレイ（６）の前方光（12
a），（12b）、後方光（13a），（13b）は、第５図にお
けると同様又は相当する部分である。接続線（18）は半
導体レーザアレイ（６）の複数個の光源を各別に動作さ
せるための電流を供給するためのものであり、一端が半
導体レーザアレイ（６）に、他端が第１のステム（８）
に接続されている。第１の光検知器（19）は、後方光
（13a），（13b）を受光するように、ヘツダ（５）上に
配設されている。第２のステム（20）は第１の光検知器
（19）の検出信号を接続線（図示省略）を介して出力す
るためのものである。コリメータレンズ（21）は前方光
（12a），（12b）を平行光束にする。ビームスプリツタ
（22）は上記平行光束を２分する。ビームスプリツタ
（22）を透過した前方光（12a），（12b）は情報記録媒
体（図示省略）に導かれて情報の記録・再生に用いら
れ、一方、ビームスプリツタ（22）で反射された前方光
（12a），（12b）は三角プリズム（23）に入射される。
三角プリズム（23）の斜面（23a）は前方光（12a）に対
する入射角が臨界角よりも小さく、かつ、前方光（12
b）に対する入射角が臨界角よりも大きくなるように、
頂角θが定められている。第２の光検知器（24）は斜面
（23a）で屈折して透過した前方光（12a）を受光するよ
うに配設されている。電流電圧変換器（25）は第１の光
検知器（19）の検出信号（電流）を電圧に変換する。電
流電圧変換器（26）は第２の光検知器（24）の検出信号
を電圧に変換するもので、次段に増幅器又は減衰器から
なる電圧調整器（27）が接続されている。差動増幅器
（28）は電流電圧変換器（25）および電圧調整器（27）
の出力端に接続されている。２個のレーザ駆動回路（2
9）は、一方は電圧調整器（27）の出力端に接続されて
おり、他方は差動増幅器（28）の出力端に接続されてお
り、それぞれの出力は第１のステム（８）に接続されて
いる。
て、発光部（17）を構成する符号（4A），（５），
（６），（８），（９），（9a），（10），（10a），
（11）および半導体レーザアレイ（６）の前方光（12
a），（12b）、後方光（13a），（13b）は、第５図にお
けると同様又は相当する部分である。接続線（18）は半
導体レーザアレイ（６）の複数個の光源を各別に動作さ
せるための電流を供給するためのものであり、一端が半
導体レーザアレイ（６）に、他端が第１のステム（８）
に接続されている。第１の光検知器（19）は、後方光
（13a），（13b）を受光するように、ヘツダ（５）上に
配設されている。第２のステム（20）は第１の光検知器
（19）の検出信号を接続線（図示省略）を介して出力す
るためのものである。コリメータレンズ（21）は前方光
（12a），（12b）を平行光束にする。ビームスプリツタ
（22）は上記平行光束を２分する。ビームスプリツタ
（22）を透過した前方光（12a），（12b）は情報記録媒
体（図示省略）に導かれて情報の記録・再生に用いら
れ、一方、ビームスプリツタ（22）で反射された前方光
（12a），（12b）は三角プリズム（23）に入射される。
三角プリズム（23）の斜面（23a）は前方光（12a）に対
する入射角が臨界角よりも小さく、かつ、前方光（12
b）に対する入射角が臨界角よりも大きくなるように、
頂角θが定められている。第２の光検知器（24）は斜面
（23a）で屈折して透過した前方光（12a）を受光するよ
うに配設されている。電流電圧変換器（25）は第１の光
検知器（19）の検出信号（電流）を電圧に変換する。電
流電圧変換器（26）は第２の光検知器（24）の検出信号
を電圧に変換するもので、次段に増幅器又は減衰器から
なる電圧調整器（27）が接続されている。差動増幅器
（28）は電流電圧変換器（25）および電圧調整器（27）
の出力端に接続されている。２個のレーザ駆動回路（2
9）は、一方は電圧調整器（27）の出力端に接続されて
おり、他方は差動増幅器（28）の出力端に接続されてお
り、それぞれの出力は第１のステム（８）に接続されて
いる。
次に動作について説明する。半導体レーザアレイ（６）
の２つの後方光（13a），（13b）はともに第１の光検知
器（19）で受光されるため、電流電圧変換器（25）の出
力は、後方光（13a）に対応する前方光（12a）の光出力
に比例した電圧VAと、後方光（13b）に対応する前方光
（12b）の光出力に比例した電圧VBの和となる。一方、
前方光（12a），（12b）はともに三角プリズム（23）に
入射するが、前方光のうち前方光（12a）は斜面（23a）
に対する入射角が臨界角よりも小さいために斜面（23
a）で屈折して透過し、前方光（12b）は斜面（23a）に
対する入射角が臨界角よりも大きいために斜面（23a）
で全反射し透過はおこらない。従つて第２の光検知器
（24）に受光されるのは２つの前方光（12a），（12b）
のうちの前方光（12a）のみであるので、電流電圧変換
器（26）の出力は前方光（12a）の光出力に比例した電
圧VA 1となる。電圧調整器（27）は電圧VA 1が電流電圧変
換器（25）の出力電圧のうち、前方光（12a）に対応し
た電圧VAに一致するように電圧増幅率または減衰率が調
整されている。差動増幅器（28）は電流電圧変換器（2
5）の出力電圧（VA＋VB）から電圧調整器（27）の出力
電圧VAを減算して、前方光（12b）の光出力に比例した
電圧VBを抽出する。従つて電圧調整器（27）の出力VAと
差動増幅器（28）の出力VBを２個のレーザ駆動回路（2
9）にそれぞれ入力することによつて前方光（12a），
（12b）を発する複数個の半導体レーザ光源をそれぞれ
独立に駆動することができる。
の２つの後方光（13a），（13b）はともに第１の光検知
器（19）で受光されるため、電流電圧変換器（25）の出
力は、後方光（13a）に対応する前方光（12a）の光出力
に比例した電圧VAと、後方光（13b）に対応する前方光
（12b）の光出力に比例した電圧VBの和となる。一方、
前方光（12a），（12b）はともに三角プリズム（23）に
入射するが、前方光のうち前方光（12a）は斜面（23a）
に対する入射角が臨界角よりも小さいために斜面（23
a）で屈折して透過し、前方光（12b）は斜面（23a）に
対する入射角が臨界角よりも大きいために斜面（23a）
で全反射し透過はおこらない。従つて第２の光検知器
（24）に受光されるのは２つの前方光（12a），（12b）
のうちの前方光（12a）のみであるので、電流電圧変換
器（26）の出力は前方光（12a）の光出力に比例した電
圧VA 1となる。電圧調整器（27）は電圧VA 1が電流電圧変
換器（25）の出力電圧のうち、前方光（12a）に対応し
た電圧VAに一致するように電圧増幅率または減衰率が調
整されている。差動増幅器（28）は電流電圧変換器（2
5）の出力電圧（VA＋VB）から電圧調整器（27）の出力
電圧VAを減算して、前方光（12b）の光出力に比例した
電圧VBを抽出する。従つて電圧調整器（27）の出力VAと
差動増幅器（28）の出力VBを２個のレーザ駆動回路（2
9）にそれぞれ入力することによつて前方光（12a），
（12b）を発する複数個の半導体レーザ光源をそれぞれ
独立に駆動することができる。
なお、上記実施例では第２の光検知器（24）は、三角プ
リズム（23）の斜面（23a）で屈折した前方光（12a）を
受光するよう配設されたものを示したが、斜面（23a）
で全反射した前方光（12b）を受光するようにしてもよ
い。
リズム（23）の斜面（23a）で屈折した前方光（12a）を
受光するよう配設されたものを示したが、斜面（23a）
で全反射した前方光（12b）を受光するようにしてもよ
い。
さらに、電圧調整器（27）は、電流電圧変換器（26）の
次段におかれたものを示したが、他方の電流電圧変換器
（25）の次段でもよく、あるいは両方にあつてもよい。
次段におかれたものを示したが、他方の電流電圧変換器
（25）の次段でもよく、あるいは両方にあつてもよい。
また、上記実施例では前方光（12a）と（12b）の分離に
三角プリズム（23）を用いたものを示したが、他の実施
例として第２図に示す構成であつてもよい。第２図にお
いて符号（５），（６），（８）〜（13），（17）〜
（22），（24）〜（29）は第１図と同様のものである。
レンズ（30）は、ビームスプリツタ（22）で反射した２
つの前方光（12），（12b）の平行光束をそれぞれ収束
させるためのものであり、前方光（12a），（12b）の集
光点位置に一方の光束のみを通過させるためのピンホー
ル（31）が配置されている。さらにピンホール（31）の
後方に第２の光検知器（24）が配置されている。
三角プリズム（23）を用いたものを示したが、他の実施
例として第２図に示す構成であつてもよい。第２図にお
いて符号（５），（６），（８）〜（13），（17）〜
（22），（24）〜（29）は第１図と同様のものである。
レンズ（30）は、ビームスプリツタ（22）で反射した２
つの前方光（12），（12b）の平行光束をそれぞれ収束
させるためのものであり、前方光（12a），（12b）の集
光点位置に一方の光束のみを通過させるためのピンホー
ル（31）が配置されている。さらにピンホール（31）の
後方に第２の光検知器（24）が配置されている。
以上の構成により、ピンホール（31）によつて２つの前
方光のうちの一方のみを選択して第２の光検知器（24）
で検出するため、第１図に示すものと同等の効果が得ら
れる。
方光のうちの一方のみを選択して第２の光検知器（24）
で検出するため、第１図に示すものと同等の効果が得ら
れる。
また、複数個の半導体レーザ光源としてアレイ構造のも
のを示したが、単一の発光源を同一の発光部（17）に近
接させて配置したハイブリツド型のものであつてもよ
い。
のを示したが、単一の発光源を同一の発光部（17）に近
接させて配置したハイブリツド型のものであつてもよ
い。
第３図は第二のこの発明の一実施例を示し、図において
発光部（17A）を構成する符号（4A），（５），
（６），（８），（９），（9a），（10），（10a），
（11），（12a），（12b），（13a），（13b），（1
8），（20），（21），（22），（25）〜（29）は、第
１図におけると同様ないし相当するものである。半導体
レーザアレイ（６）後部の遮蔽板（32）は、複数の後方
光（13a），（13b）が混合することなく分離されるよう
に配設されている。第１の光検知器（33）は、遮蔽板
（32）で分離された後方光（13a），（13b）のうちの一
方のみを受光（図示は（13a））するように配設されて
おり、後方光（13a）の光出力の検出信号は、接続線（3
4）を介して第２のステム（20）で出力される。ビーム
スプリツタ（22）を透過した前方光（12a），（12b）は
情報記録媒体（図示省略）に導かれて情報の記録・再生
に用いられる。一方、ビームスプリツタ（22）で反射さ
れた前方光（12a），（12b）は、ビームスプリツタ（2
2）の反射方向に配設された第２の光検知器（35）に入
射される。
発光部（17A）を構成する符号（4A），（５），
（６），（８），（９），（9a），（10），（10a），
（11），（12a），（12b），（13a），（13b），（1
8），（20），（21），（22），（25）〜（29）は、第
１図におけると同様ないし相当するものである。半導体
レーザアレイ（６）後部の遮蔽板（32）は、複数の後方
光（13a），（13b）が混合することなく分離されるよう
に配設されている。第１の光検知器（33）は、遮蔽板
（32）で分離された後方光（13a），（13b）のうちの一
方のみを受光（図示は（13a））するように配設されて
おり、後方光（13a）の光出力の検出信号は、接続線（3
4）を介して第２のステム（20）で出力される。ビーム
スプリツタ（22）を透過した前方光（12a），（12b）は
情報記録媒体（図示省略）に導かれて情報の記録・再生
に用いられる。一方、ビームスプリツタ（22）で反射さ
れた前方光（12a），（12b）は、ビームスプリツタ（2
2）の反射方向に配設された第２の光検知器（35）に入
射される。
次に動作について説明する。半導体レーザアレイ（６）
の２つの後方光（13a），（13b）は遮蔽板（32）によつ
て互いに混合されることなく分離されているので、第１
の光検知器（33）は２つの後方光のうちの一方の後方光
（13a）のみを受光することができる。従つて第１の光
検知器（33）に接続された電流電圧変換器（26）は、後
方光（13a）の光出力に比例した電圧、換言すれば後方
光（13a）に対応した前方光（12a）の光出力に比例した
電圧VA 1を出力する。一方、前方光（12a），（12b）の
一部はビームスプリツタ（22）で反射して第２の光検知
器（35）に入射するため、光検知器（35）に接続された
電流電圧変換器（25）の出力は、前方光（12a）の光出
力に比例した電圧VAと前方光（12b）の光出力に比例し
た電圧VBの和（VA＋VB）となる。電圧調整器（27）は、
電流電圧変換器（26）の出力VA 1を、電流電圧変換器（2
5）の出力電圧のうち、前方光（12a）の光出力に対応し
た電圧VAに一致するように電圧増幅率または減衰率が調
整されている。差動増幅器（28）は電流電圧変換器（2
5）の出力電圧（VA＋VB）から電圧調整器（27）の出力
電圧VAを減算し、結果として前方光（12b）の光出力に
比例した電圧VBを抽出する。従つて電圧調整器（27）の
出力VAと差動増幅器（28）の出力VBを２個のレーザ駆動
回路（29）にそれぞれ入力することによつて、前方光
（12a），（12b）を発する複数の半導体レーザ光源をそ
れぞれ独立に駆動することができる。
の２つの後方光（13a），（13b）は遮蔽板（32）によつ
て互いに混合されることなく分離されているので、第１
の光検知器（33）は２つの後方光のうちの一方の後方光
（13a）のみを受光することができる。従つて第１の光
検知器（33）に接続された電流電圧変換器（26）は、後
方光（13a）の光出力に比例した電圧、換言すれば後方
光（13a）に対応した前方光（12a）の光出力に比例した
電圧VA 1を出力する。一方、前方光（12a），（12b）の
一部はビームスプリツタ（22）で反射して第２の光検知
器（35）に入射するため、光検知器（35）に接続された
電流電圧変換器（25）の出力は、前方光（12a）の光出
力に比例した電圧VAと前方光（12b）の光出力に比例し
た電圧VBの和（VA＋VB）となる。電圧調整器（27）は、
電流電圧変換器（26）の出力VA 1を、電流電圧変換器（2
5）の出力電圧のうち、前方光（12a）の光出力に対応し
た電圧VAに一致するように電圧増幅率または減衰率が調
整されている。差動増幅器（28）は電流電圧変換器（2
5）の出力電圧（VA＋VB）から電圧調整器（27）の出力
電圧VAを減算し、結果として前方光（12b）の光出力に
比例した電圧VBを抽出する。従つて電圧調整器（27）の
出力VAと差動増幅器（28）の出力VBを２個のレーザ駆動
回路（29）にそれぞれ入力することによつて、前方光
（12a），（12b）を発する複数の半導体レーザ光源をそ
れぞれ独立に駆動することができる。
なお、上記実施例では第２の光検知器（35）で前方光
（12a），（12b）を受光するためにビームスプリツタ
（22）を用いたが、他の実施例として第４図に示す構成
であつてもよい。すなわち、コリメータレンズ（23）の
出射側にビーム整形プリズム（36）を配置し、その斜面
（36a）で前方光（12a），（12b）を屈折透過させるこ
とによつて、本来楕円状の断面強度分布を示す半導体レ
ーザの光束を等方的な断面強度分布に変換する。ビーム
整形プリズム（36）の斜面（36a）においては、前述し
たように屈折して透過する成分以外に、斜面（36a）で
反射する成分があるため、斜面（36a）の反射方向に第
２の光検知器（35）を配設し、反射した前方光（12
a），（12b）を受光し検出することによつて、第３図に
示した実施例と同様の効果を得ることができる。
（12a），（12b）を受光するためにビームスプリツタ
（22）を用いたが、他の実施例として第４図に示す構成
であつてもよい。すなわち、コリメータレンズ（23）の
出射側にビーム整形プリズム（36）を配置し、その斜面
（36a）で前方光（12a），（12b）を屈折透過させるこ
とによつて、本来楕円状の断面強度分布を示す半導体レ
ーザの光束を等方的な断面強度分布に変換する。ビーム
整形プリズム（36）の斜面（36a）においては、前述し
たように屈折して透過する成分以外に、斜面（36a）で
反射する成分があるため、斜面（36a）の反射方向に第
２の光検知器（35）を配設し、反射した前方光（12
a），（12b）を受光し検出することによつて、第３図に
示した実施例と同様の効果を得ることができる。
以上のように、第一のこの発明は、半導体レーザアレイ
の複数個の半導体レーザからの後方光を一括して光検知
器で受光し、さらに前方光のうちの一方のみを光検知器
で受光してそれぞれ光出力を検出し、これらの光出力に
基づいて演算回路によつて前記前方光の他方の光出力を
検出するようにしたので、光検知器および光学部品の位
置調整が不要であり、安価で量産性に富んだ装置が得ら
れる効果がある。
の複数個の半導体レーザからの後方光を一括して光検知
器で受光し、さらに前方光のうちの一方のみを光検知器
で受光してそれぞれ光出力を検出し、これらの光出力に
基づいて演算回路によつて前記前方光の他方の光出力を
検出するようにしたので、光検知器および光学部品の位
置調整が不要であり、安価で量産性に富んだ装置が得ら
れる効果がある。
また、第二のこの発明は、半導体レーザアレイの複数個
の半導体レーザからの後方光のうちの一方のみを第１の
光検知器で受光し、さらに複数の前方光を一括して第２
の光検知器で受光してそれぞれの光出力を検出し、これ
らの光出力に基づいて演算回路によつて前記後方光のう
ちの他の一方の光出力を検出するようにしたので、光検
知器および光学部品の位置調整が不要であり、安価で量
産性に富んだ装置が得られる効果がある。
の半導体レーザからの後方光のうちの一方のみを第１の
光検知器で受光し、さらに複数の前方光を一括して第２
の光検知器で受光してそれぞれの光出力を検出し、これ
らの光出力に基づいて演算回路によつて前記後方光のう
ちの他の一方の光出力を検出するようにしたので、光検
知器および光学部品の位置調整が不要であり、安価で量
産性に富んだ装置が得られる効果がある。
第１図は第一のこの発明の一実施例の光路図、第２図は
第一の発明の他の実施例の光路図、第３図は第二のこの
発明の一実施例の光路図、第４図は第二のこの発明の他
の実施例の一部光路図、第５図は従来の半導体レーザ駆
動装置の側断面図である。 （６）……半導体レーザ（アレイ）、（12a），（12b）
……前方光、（13a），（13b）……後方光、（19），
（33）……第１の光検知器、（21）……コリメータレン
ズ、（22）……ビームスプリツタ、（23）……三角プリ
ズム（分離手段）、（24），（35）……第２の光検知
器、（25），（26）……電流電圧変換器、（27）……電
圧調整器、（28）……差動増幅器、（32）……遮蔽板
（分離手段）。 なお、各図中、同一符号は同一又は相当部分を示す。
第一の発明の他の実施例の光路図、第３図は第二のこの
発明の一実施例の光路図、第４図は第二のこの発明の他
の実施例の一部光路図、第５図は従来の半導体レーザ駆
動装置の側断面図である。 （６）……半導体レーザ（アレイ）、（12a），（12b）
……前方光、（13a），（13b）……後方光、（19），
（33）……第１の光検知器、（21）……コリメータレン
ズ、（22）……ビームスプリツタ、（23）……三角プリ
ズム（分離手段）、（24），（35）……第２の光検知
器、（25），（26）……電流電圧変換器、（27）……電
圧調整器、（28）……差動増幅器、（32）……遮蔽板
（分離手段）。 なお、各図中、同一符号は同一又は相当部分を示す。
Claims (2)
- 【請求項１】複数個の半導体レーザ光源からなる半導体
レーザと、これらの複数個の半導体レーザ光源からの後
方光を共通に受光する第１の光検知器と、前記複数個の
半導体レーザ光源からの前方光のうち一方の前記前方光
のみを光学的に分離する手段と、前記分離された一方の
前方光を受光する第２の光検知器と、この第２の光検知
器により検出された光出力に基づいて前記第１の光検知
器の検出信号から他方の前記前方光の光出力を検出する
演算手段とを備えてなる半導体レーザ駆動装置。 - 【請求項２】複数個の半導体レーザ光源からなる半導体
レーザと、これらの複数個の半導体レーザ光源からの複
数の後方光のうちの一方のみを独立に分離するための分
離手段と、分離された一方の前記後方光のみを受光する
第１の光検知器と、前記複数個の半導体レーザ光源から
の複数の前方光を平行光にするためのコリメータレンズ
と、このコリメータレンズからの平行光を任意の割合で
２分するための光学的手段と、この光学的手段によつて
２分された前記平行光のうちの一方を受光する第２の光
検知器と、前記第１の光検知器により検出された光出力
に基づいて前記第２の光検知器の検出信号から前記複数
の後方光の他方の光出力を検出する演算手段とを備えて
なる半導体レーザ駆動装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63152423A JPH0777276B2 (ja) | 1988-06-22 | 1988-06-22 | 半導体レーザ駆動装置 |
| US07/368,034 US4942584A (en) | 1988-06-22 | 1989-06-16 | Semiconductor laser apparatus driving system |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63152423A JPH0777276B2 (ja) | 1988-06-22 | 1988-06-22 | 半導体レーザ駆動装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01319979A JPH01319979A (ja) | 1989-12-26 |
| JPH0777276B2 true JPH0777276B2 (ja) | 1995-08-16 |
Family
ID=15540191
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63152423A Expired - Fee Related JPH0777276B2 (ja) | 1988-06-22 | 1988-06-22 | 半導体レーザ駆動装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0777276B2 (ja) |
-
1988
- 1988-06-22 JP JP63152423A patent/JPH0777276B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01319979A (ja) | 1989-12-26 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |