JPH0777565A - 磁気センサ - Google Patents
磁気センサInfo
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- JPH0777565A JPH0777565A JP5223719A JP22371993A JPH0777565A JP H0777565 A JPH0777565 A JP H0777565A JP 5223719 A JP5223719 A JP 5223719A JP 22371993 A JP22371993 A JP 22371993A JP H0777565 A JPH0777565 A JP H0777565A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 磁気センサの改善に関し、外乱ノイズの影響
に左右されることなく、検出原理を工夫して、磁界変化
による抵抗変化を周波数の変化として検出する。 【構成】 磁気に応じて抵抗値が変化する磁気抵抗素子
１１と、抵抗値に応じて発振周波数が変化する発振回路
１２とを具備し、磁気抵抗素子１１の抵抗値Ｒｏの変化
分±ΔＲを発振周波数ｆｏの変化分±Δｆとして検出す
る。当該磁気センサは、磁気に応じて磁気検出信号Ｓｄ
を出力するウィーンブリッジ型の発振回路を構成する。
に左右されることなく、検出原理を工夫して、磁界変化
による抵抗変化を周波数の変化として検出する。 【構成】 磁気に応じて抵抗値が変化する磁気抵抗素子
１１と、抵抗値に応じて発振周波数が変化する発振回路
１２とを具備し、磁気抵抗素子１１の抵抗値Ｒｏの変化
分±ΔＲを発振周波数ｆｏの変化分±Δｆとして検出す
る。当該磁気センサは、磁気に応じて磁気検出信号Ｓｄ
を出力するウィーンブリッジ型の発振回路を構成する。
Description
【０００１】〔目次〕 産業上の利用分野 従来の技術（図８） 発明が解決しようとする課題 課題を解決するための手段（図１） 作用 実施例 （１）第１の実施例の説明（図２〜６） （２）第２の実施例の説明（図７） 発明の効果
【０００２】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気センサに関するも
のであり、更に詳しく言えば、半導体や強磁性薄膜等の
磁気抵抗素子を用いた磁気センサの改善に関するもので
ある。近年，磁気記憶装置や磁気計測機器の高性能化の
要求に伴い、微小磁界を精度良く検出する磁気センサが
要求される。
のであり、更に詳しく言えば、半導体や強磁性薄膜等の
磁気抵抗素子を用いた磁気センサの改善に関するもので
ある。近年，磁気記憶装置や磁気計測機器の高性能化の
要求に伴い、微小磁界を精度良く検出する磁気センサが
要求される。
【０００３】これによれば、いずれも、磁界変化による
抵抗変化を電圧変化又は電流変化として検出している。
しかし、このような検出原理の磁気センサでは変化分が
少なく磁気検出信号としても数ｍＶ程度である。また、
センサ出力を増幅する方法では、外乱ノイズの影響が受
け易くなったり、また、ＤＣアンプのオフセット電圧に
より、信号増幅にも限界がある。
抵抗変化を電圧変化又は電流変化として検出している。
しかし、このような検出原理の磁気センサでは変化分が
少なく磁気検出信号としても数ｍＶ程度である。また、
センサ出力を増幅する方法では、外乱ノイズの影響が受
け易くなったり、また、ＤＣアンプのオフセット電圧に
より、信号増幅にも限界がある。
【０００４】そこで、外乱ノイズの影響に左右されるこ
となく、検出原理を工夫して、磁界変化による抵抗変化
を周波数の変化として検出することができるセンサが望
まれている。
となく、検出原理を工夫して、磁界変化による抵抗変化
を周波数の変化として検出することができるセンサが望
まれている。
【０００５】
【従来の技術】図８は、従来例に係る説明図である。図
８（Ａ）は、ハーフブリッジ型の磁気センサの構成図で
あり、図８（Ｂ）は、全ブリッジ型の磁気センサの構成
図をそれぞれ示している。例えば、磁界の変化を電圧変
化として検出するハーフブリッジ型の磁気センサは図８
（Ａ）において、２つの磁気抵抗素子ＭＲ１，ＭＲ２が
直列に接続され、それらが電源線ＶCCと接地線ＧNDとの
間に接続される。これにより、当該素子ＭＲ１，ＭＲ２
の直列接続点から磁気検出信号Ｓｄが出力される。
８（Ａ）は、ハーフブリッジ型の磁気センサの構成図で
あり、図８（Ｂ）は、全ブリッジ型の磁気センサの構成
図をそれぞれ示している。例えば、磁界の変化を電圧変
化として検出するハーフブリッジ型の磁気センサは図８
（Ａ）において、２つの磁気抵抗素子ＭＲ１，ＭＲ２が
直列に接続され、それらが電源線ＶCCと接地線ＧNDとの
間に接続される。これにより、当該素子ＭＲ１，ＭＲ２
の直列接続点から磁気検出信号Ｓｄが出力される。
【０００６】また、微小磁気変化を電圧変化として検出
する全ブリッジ型の磁気センサは図８（Ｂ）において、
１組の正出力性の磁気抵抗素子ＭＲｐと１組の負出力性
の磁気抵抗素子ＭＲｎがブリッジ状に接続され、それら
の一方の組の接続点に定電流源が接続され、他方の組の
接続点から磁気検出信号Ｓｄが出力される。
する全ブリッジ型の磁気センサは図８（Ｂ）において、
１組の正出力性の磁気抵抗素子ＭＲｐと１組の負出力性
の磁気抵抗素子ＭＲｎがブリッジ状に接続され、それら
の一方の組の接続点に定電流源が接続され、他方の組の
接続点から磁気検出信号Ｓｄが出力される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来例の磁
気センサによれば、いずれも、磁界変化による抵抗変化
を電圧変化又は電流変化として検出している。しかし、
このような検出原理の磁気センサでは磁界変化による電
圧又は電流の変化量は小さい。特に、微小磁界検出用素
子や強磁性薄膜磁気抵抗素子では、この変化分が少なく
磁気検出信号Ｓｄとしても数ｍＶ程度である。
気センサによれば、いずれも、磁界変化による抵抗変化
を電圧変化又は電流変化として検出している。しかし、
このような検出原理の磁気センサでは磁界変化による電
圧又は電流の変化量は小さい。特に、微小磁界検出用素
子や強磁性薄膜磁気抵抗素子では、この変化分が少なく
磁気検出信号Ｓｄとしても数ｍＶ程度である。
【０００８】従って、一般に当該信号Ｓｄを増幅して使
用される。しかし、センサ出力を増幅する方法では、外
乱ノイズの影響が受け易くなったり、また、ＤＣアンプ
のオフセット電圧により、信号増幅にも限界がある。さ
らに、磁気検出情報をマイクロコンピュータ等によりデ
ジタル処理をする場合に、所定のレベルに磁気検出信号
Ｓｄを増幅した後、それをアナログ／デジタル変換され
る。このため、磁気センサ出力にノイズを含んでいる
と、精度良いデジタル処理の妨げとなるという問題があ
る。
用される。しかし、センサ出力を増幅する方法では、外
乱ノイズの影響が受け易くなったり、また、ＤＣアンプ
のオフセット電圧により、信号増幅にも限界がある。さ
らに、磁気検出情報をマイクロコンピュータ等によりデ
ジタル処理をする場合に、所定のレベルに磁気検出信号
Ｓｄを増幅した後、それをアナログ／デジタル変換され
る。このため、磁気センサ出力にノイズを含んでいる
と、精度良いデジタル処理の妨げとなるという問題があ
る。
【０００９】本発明は、かかる従来例の問題点に鑑み創
作されたものであり、外乱ノイズの影響に左右されるこ
となく、検出原理を工夫して、磁界変化による抵抗変化
を周波数の変化として検出することが可能となる磁気セ
ンサの提供を目的とする。
作されたものであり、外乱ノイズの影響に左右されるこ
となく、検出原理を工夫して、磁界変化による抵抗変化
を周波数の変化として検出することが可能となる磁気セ
ンサの提供を目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】図１（Ａ），（Ｂ）は本
発明に係る磁気センサの原理図であり、その一実施例を
図２〜７に示す。本発明の第１の磁気センサは図１
（Ａ）に示すように、磁気に応じて抵抗値が変化する磁
気抵抗素子１１と、前記抵抗値に応じて発振周波数が変
化する発振回路１２とを具備し、前記磁気抵抗素子１１
の抵抗値Ｒｏの変化分±ΔＲを発振周波数ｆｏの変化分
±Δｆとして検出することを特徴とする。
発明に係る磁気センサの原理図であり、その一実施例を
図２〜７に示す。本発明の第１の磁気センサは図１
（Ａ）に示すように、磁気に応じて抵抗値が変化する磁
気抵抗素子１１と、前記抵抗値に応じて発振周波数が変
化する発振回路１２とを具備し、前記磁気抵抗素子１１
の抵抗値Ｒｏの変化分±ΔＲを発振周波数ｆｏの変化分
±Δｆとして検出することを特徴とする。
【００１１】なお、本発明の第１の磁気センサは、その
一実施例を図２に示すように、磁気に応じて磁気検出信
号Ｓｄを出力するウィーンブリッジ型の発振回路を構成
することを特徴とする。さらに、本発明の第２の磁気セ
ンサは、その一実施例を図７（Ａ）に示すように、第１
の磁気センサに周波数算出回路１３が設けられ、前記周
波数算出回路１３が、磁気検出信号Ｓｄの周波数ｆより
も高い周波数ｆｒの基準信号ＣＫに基づいて当該磁気検
出信号Ｓｄの周期Ｔを検出し、前記周期Ｔから磁気検出
信号Ｓｄの周波数ｆを算出することを特徴とする。
一実施例を図２に示すように、磁気に応じて磁気検出信
号Ｓｄを出力するウィーンブリッジ型の発振回路を構成
することを特徴とする。さらに、本発明の第２の磁気セ
ンサは、その一実施例を図７（Ａ）に示すように、第１
の磁気センサに周波数算出回路１３が設けられ、前記周
波数算出回路１３が、磁気検出信号Ｓｄの周波数ｆより
も高い周波数ｆｒの基準信号ＣＫに基づいて当該磁気検
出信号Ｓｄの周期Ｔを検出し、前記周期Ｔから磁気検出
信号Ｓｄの周波数ｆを算出することを特徴とする。
【００１２】また、本発明の第１，第２の磁気センサに
おいて、前記磁気抵抗素子１１はその一実施例を図３
（Ａ）に示すように薄膜磁気抵抗パターンから成り、前
記発振回路１２の静電容量Ｃが櫛形対向電極パターンか
ら成り、前記薄膜磁気抵抗パターンと櫛形対向電極パタ
ーンとが同一基板に設けられることを特徴とする。さら
に、本発明の第１，第２の磁気センサにおいて、前記磁
気抵抗素子１１はその一実施例を図４（Ａ）に示すよう
にバーバーポール型の磁気抵抗素子又は強磁性の薄膜磁
気抵抗素子から成ることを特徴とする。
おいて、前記磁気抵抗素子１１はその一実施例を図３
（Ａ）に示すように薄膜磁気抵抗パターンから成り、前
記発振回路１２の静電容量Ｃが櫛形対向電極パターンか
ら成り、前記薄膜磁気抵抗パターンと櫛形対向電極パタ
ーンとが同一基板に設けられることを特徴とする。さら
に、本発明の第１，第２の磁気センサにおいて、前記磁
気抵抗素子１１はその一実施例を図４（Ａ）に示すよう
にバーバーポール型の磁気抵抗素子又は強磁性の薄膜磁
気抵抗素子から成ることを特徴とする。
【００１３】また、本発明の第１，第２の磁気センサに
おいて、前記磁気抵抗素子１１の温度特性の絶対値が発
振回路１２の静電容量Ｃｏの温度特性の絶対値と等し
く、かつ、前記磁気抵抗素子１１の温度特性が正の傾き
を有し、前記発振回路１２の静電容量Ｃｏの温度特性が
負の傾きを有することを特徴とし、上記目的を達成す
る。
おいて、前記磁気抵抗素子１１の温度特性の絶対値が発
振回路１２の静電容量Ｃｏの温度特性の絶対値と等し
く、かつ、前記磁気抵抗素子１１の温度特性が正の傾き
を有し、前記発振回路１２の静電容量Ｃｏの温度特性が
負の傾きを有することを特徴とし、上記目的を達成す
る。
【００１４】
【作用】本発明の第１の磁気センサによれば、図１
（Ａ）において、抵抗変化率をαとし、磁気抵抗素子１
１の磁気抵抗値をＲｏ（１±α）とし、発振回路１２の
静電容量をＣｏとすると、発振周波数ｆが抵抗変化率α
と容量Ｃｏとにより決定される。すなわち、ｆ＝１／
〔２πＲｏ（１±α）・Ｃｏ〕となる。
（Ａ）において、抵抗変化率をαとし、磁気抵抗素子１
１の磁気抵抗値をＲｏ（１±α）とし、発振回路１２の
静電容量をＣｏとすると、発振周波数ｆが抵抗変化率α
と容量Ｃｏとにより決定される。すなわち、ｆ＝１／
〔２πＲｏ（１±α）・Ｃｏ〕となる。
【００１５】また、抵抗変化率αが１＞＞α2 となる場
合には、発振周波数ｆは、ｆ＝（１±α）／〔２πＲｏ
Ｃｏ〕となり、それが抵抗変化率αに比例して変化をす
る。このことで、図１（Ｂ）に示すように、磁気抵抗素
子１１の抵抗値Ｒｏの変化分±ΔＲを発振周波数ｆｏの
変化分±Δｆとして検出することが可能となる。なお、
本発明の磁気センサによれば、絶対値が等しく正負の傾
きを有することから、磁気抵抗素子１１の温度特性を発
振回路１２の静電容量Ｃｏの温度特性により打ち消すこ
とが可能となる。
合には、発振周波数ｆは、ｆ＝（１±α）／〔２πＲｏ
Ｃｏ〕となり、それが抵抗変化率αに比例して変化をす
る。このことで、図１（Ｂ）に示すように、磁気抵抗素
子１１の抵抗値Ｒｏの変化分±ΔＲを発振周波数ｆｏの
変化分±Δｆとして検出することが可能となる。なお、
本発明の磁気センサによれば、絶対値が等しく正負の傾
きを有することから、磁気抵抗素子１１の温度特性を発
振回路１２の静電容量Ｃｏの温度特性により打ち消すこ
とが可能となる。
【００１６】これにより、従来例のような磁界変化を電
圧又は電流変化により検出する原理に比べて、外乱ノイ
ズやＤＣアンプのオフセット電圧の影響に左右されるこ
となく、微小磁界を精度良く検出することが可能とな
る。さらに、本発明の第２の磁気センサによれば、その
一実施例を図７（Ｂ）に示すように、周波数算出回路１
３により磁気検出信号Ｓｄの周波数ｆよりも高い周波数
ｆｒの基準信号ＣＫに基づいて当該磁気検出信号Ｓｄの
周期Ｔが検出され、その周期Ｔから磁気検出信号Ｓｄの
周波数ｆが算出される。
圧又は電流変化により検出する原理に比べて、外乱ノイ
ズやＤＣアンプのオフセット電圧の影響に左右されるこ
となく、微小磁界を精度良く検出することが可能とな
る。さらに、本発明の第２の磁気センサによれば、その
一実施例を図７（Ｂ）に示すように、周波数算出回路１
３により磁気検出信号Ｓｄの周波数ｆよりも高い周波数
ｆｒの基準信号ＣＫに基づいて当該磁気検出信号Ｓｄの
周期Ｔが検出され、その周期Ｔから磁気検出信号Ｓｄの
周波数ｆが算出される。
【００１７】これにより、磁気検出信号Ｓｄの周波数ｆ
をアナログ／デジタル変換することができ、マイクロコ
ンピュータ等によりノイズを含まない精度良いデジタル
処理を行うことが可能となる。また、本発明の第１，第
２の磁気センサによれば、薄膜磁気抵抗パターンと櫛形
対向電極パターンとを同一基板に設けることにより、コ
ンパクトな磁気センサを構成することが可能となる。
をアナログ／デジタル変換することができ、マイクロコ
ンピュータ等によりノイズを含まない精度良いデジタル
処理を行うことが可能となる。また、本発明の第１，第
２の磁気センサによれば、薄膜磁気抵抗パターンと櫛形
対向電極パターンとを同一基板に設けることにより、コ
ンパクトな磁気センサを構成することが可能となる。
【００１８】さらに、本発明の第１，第２の磁気センサ
によれば、その一実施例を図４（Ａ）に示すようにバー
バーポール型の磁気抵抗素子を用いることにより、正負
の微小磁界変化を精度良く検出することが可能となる。
によれば、その一実施例を図４（Ａ）に示すようにバー
バーポール型の磁気抵抗素子を用いることにより、正負
の微小磁界変化を精度良く検出することが可能となる。
【００１９】
【実施例】次に、図を参照しながら本発明の実施例につ
いて説明をする。図２〜７は、本発明の各実施例に係る
磁気センサを説明する図である。 （１）第１の実施例の説明 図２は、本発明の第１の実施例に係る磁気センサの構成
図であり、図３は、磁気抵抗素子と容量素子の１チップ
化の説明図である。図４は、本発明の各実施例に係るバ
ーバーポール型の磁気抵抗素子の説明図である。なお、
図５は、本発明の第１の実施例に係る周波数偏移対磁束
密度の特性図であり、図６は強磁性薄膜磁気抵抗素子の
説明図を示している。
いて説明をする。図２〜７は、本発明の各実施例に係る
磁気センサを説明する図である。 （１）第１の実施例の説明 図２は、本発明の第１の実施例に係る磁気センサの構成
図であり、図３は、磁気抵抗素子と容量素子の１チップ
化の説明図である。図４は、本発明の各実施例に係るバ
ーバーポール型の磁気抵抗素子の説明図である。なお、
図５は、本発明の第１の実施例に係る周波数偏移対磁束
密度の特性図であり、図６は強磁性薄膜磁気抵抗素子の
説明図を示している。
【００２０】例えば、磁気に応じて磁気検出信号Ｓｄを
出力するウィーンブリッジ型の発振回路を構成した磁気
センサは、図２に示すように、２つの磁気抵抗素子ＭＲ
１，ＭＲ２，２つの静電容量Ｃ１，Ｃ２，２つの抵抗素
子Ｒ１，Ｒ２及び１個の差動アンプ１４を具備する。す
なわち、磁気抵抗素子ＭＲ１，ＭＲ２は磁気抵抗素子１
１の一例であり、磁気に応じて抵抗値が変化する素子で
ある。磁気抵抗素子ＭＲ１，ＭＲ２には、図３，図４に
示すようなバーバーポール型の磁気抵抗素子又は図６に
示すような強磁性薄膜磁気抵抗素子等を用いる。これら
については後述する。
出力するウィーンブリッジ型の発振回路を構成した磁気
センサは、図２に示すように、２つの磁気抵抗素子ＭＲ
１，ＭＲ２，２つの静電容量Ｃ１，Ｃ２，２つの抵抗素
子Ｒ１，Ｒ２及び１個の差動アンプ１４を具備する。す
なわち、磁気抵抗素子ＭＲ１，ＭＲ２は磁気抵抗素子１
１の一例であり、磁気に応じて抵抗値が変化する素子で
ある。磁気抵抗素子ＭＲ１，ＭＲ２には、図３，図４に
示すようなバーバーポール型の磁気抵抗素子又は図６に
示すような強磁性薄膜磁気抵抗素子等を用いる。これら
については後述する。
【００２１】磁気抵抗素子ＭＲ１は静電容量Ｃ１の一端
に接続され、当該素子ＭＲ１の他端が差動アンプ１４の
出力ＯUTに接続される。また、当該容量Ｃ１の他端は静
電容量Ｃ２の一端と、磁気抵抗素子ＭＲ２の一端と、差
動アンプ１４の非反転入力（＋）とにそれぞれ接続され
る。なお、当該容量Ｃ２の他端と磁気抵抗素子ＭＲ２の
他端とが接地線ＧNDに接続され、差動アンプ１４の反転
入力（−）には抵抗素子Ｒ１，Ｒ２の一端が接続され、
当該素子Ｒ１の他端は接地線ＧNDに接続され、抵抗素子
Ｒ２の他端が差動アンプ１４の出力ＯUTに接続される。
これにより、原理図の発振回路１２の一例となるウィー
ンブリッジ型の発振回路が構成される。
に接続され、当該素子ＭＲ１の他端が差動アンプ１４の
出力ＯUTに接続される。また、当該容量Ｃ１の他端は静
電容量Ｃ２の一端と、磁気抵抗素子ＭＲ２の一端と、差
動アンプ１４の非反転入力（＋）とにそれぞれ接続され
る。なお、当該容量Ｃ２の他端と磁気抵抗素子ＭＲ２の
他端とが接地線ＧNDに接続され、差動アンプ１４の反転
入力（−）には抵抗素子Ｒ１，Ｒ２の一端が接続され、
当該素子Ｒ１の他端は接地線ＧNDに接続され、抵抗素子
Ｒ２の他端が差動アンプ１４の出力ＯUTに接続される。
これにより、原理図の発振回路１２の一例となるウィー
ンブリッジ型の発振回路が構成される。
【００２２】次に、磁気抵抗素子ＭＲ１，ＭＲ２の構造
について説明をする。図３（Ａ）は、磁気抵抗素子と容
量素子の平面図であり、図３（Ｂ）は、その等価回路図
である。本発明の各実施例に係る磁気抵抗素子ＭＲ１，
ＭＲ２と静電容量Ｃ１，Ｃ２とは図３（Ａ）において、
１組の薄膜磁気抵抗パターンＰmr１，Ｐmr２と１組櫛形
対向電極パターンＰco１，Ｐco２から成る。この２組の
パターンＰmr１，Ｐmr２とＰco１，Ｐco２とが同一チッ
プに設けられる。
について説明をする。図３（Ａ）は、磁気抵抗素子と容
量素子の平面図であり、図３（Ｂ）は、その等価回路図
である。本発明の各実施例に係る磁気抵抗素子ＭＲ１，
ＭＲ２と静電容量Ｃ１，Ｃ２とは図３（Ａ）において、
１組の薄膜磁気抵抗パターンＰmr１，Ｐmr２と１組櫛形
対向電極パターンＰco１，Ｐco２から成る。この２組の
パターンＰmr１，Ｐmr２とＰco１，Ｐco２とが同一チッ
プに設けられる。
【００２３】すなわち、階段状に折れ曲がった磁気抵抗
パターンＰmr１，Ｐmr２の一端は端子Ａ，Ｂにパターニ
ングされ、他端が櫛形対向電極パターンＰco１，Ｐco２
の一部を共用している。また、櫛形状に交錯する対向電
極パターンＰco１，Ｐco２の他端は端子Ｃ，Ｄにパター
ニングされる。これにより、図３（Ｂ）に示すような等
価回路図が得られ、この２組のパターンＰmr１，Ｐmr２
とＰco１，Ｐco２とが１チップ化される。
パターンＰmr１，Ｐmr２の一端は端子Ａ，Ｂにパターニ
ングされ、他端が櫛形対向電極パターンＰco１，Ｐco２
の一部を共用している。また、櫛形状に交錯する対向電
極パターンＰco１，Ｐco２の他端は端子Ｃ，Ｄにパター
ニングされる。これにより、図３（Ｂ）に示すような等
価回路図が得られ、この２組のパターンＰmr１，Ｐmr２
とＰco１，Ｐco２とが１チップ化される。
【００２４】なお、各端子Ａ〜Ｄを図２に示したような
差動動アンプ１４と抵抗素子Ｒ１，Ｒ２に接続するとウ
ィーンブリッジ型の発振回路が容易に構成することがで
きる。例えば、端子Ａを差動動アンプ１４の出力ＯUTに
接続し、端子Ｂを接地線ＧNDに接続し、端子Ｃを差動動
アンプ１４の反転入力に接続し、端子Ｄを差動動アンプ
１４の非反転入力にそれぞれ接続する。これにより、抵
抗素子Ｒ１，Ｒ２を接続することで、容易にウィーンブ
リッジ型の発振回路を構成することが可能となる。
差動動アンプ１４と抵抗素子Ｒ１，Ｒ２に接続するとウ
ィーンブリッジ型の発振回路が容易に構成することがで
きる。例えば、端子Ａを差動動アンプ１４の出力ＯUTに
接続し、端子Ｂを接地線ＧNDに接続し、端子Ｃを差動動
アンプ１４の反転入力に接続し、端子Ｄを差動動アンプ
１４の非反転入力にそれぞれ接続する。これにより、抵
抗素子Ｒ１，Ｒ２を接続することで、容易にウィーンブ
リッジ型の発振回路を構成することが可能となる。
【００２５】次に、本発明の実施例に係る磁気抵抗素子
ＭＲ１，ＭＲ２の内部構造について説明をする。図４
（Ａ）は、本発明の各実施例に係るバーバーポール型の
磁気抵抗素子の平面図であり、図４（Ｂ）は、その断面
図であり、図４（Ｃ）は、その磁気特性をそれぞれ示し
ている。例えば、薄膜磁気抵抗パターンＰmr１やＰmr２
は図４（Ａ）に示すようにバーバーポール型の磁気抵抗
素子から成る。図４（Ａ）において、バーバーポールの
角度が４５°の磁気抵抗素子はパーマロイ膜（Ｆｅ−Ｎ
ｉ）１５上に斜めに電極１６がパターニングされて成
る。なお、印加磁界Ｈexは当該素子の上下方向である。
ＭＲ１，ＭＲ２の内部構造について説明をする。図４
（Ａ）は、本発明の各実施例に係るバーバーポール型の
磁気抵抗素子の平面図であり、図４（Ｂ）は、その断面
図であり、図４（Ｃ）は、その磁気特性をそれぞれ示し
ている。例えば、薄膜磁気抵抗パターンＰmr１やＰmr２
は図４（Ａ）に示すようにバーバーポール型の磁気抵抗
素子から成る。図４（Ａ）において、バーバーポールの
角度が４５°の磁気抵抗素子はパーマロイ膜（Ｆｅ−Ｎ
ｉ）１５上に斜めに電極１６がパターニングされて成
る。なお、印加磁界Ｈexは当該素子の上下方向である。
【００２６】また、バーバーポール型の磁気抵抗素子の
形成方法は、図４（Ｂ）に示すように、シリコン基板１
７上にＳｉＯ2 膜１８を形成し、その上にパーマロイ膜
１５を形成する。その後、当該膜１５上に密着層16Ａと
導電層16Ｂと順次形成し、それをパターニングする。さ
らに、導電層16Ｂを保護膜１９により保護する。これに
より、バーバーポール型の磁気抵抗素子を形成する。
形成方法は、図４（Ｂ）に示すように、シリコン基板１
７上にＳｉＯ2 膜１８を形成し、その上にパーマロイ膜
１５を形成する。その後、当該膜１５上に密着層16Ａと
導電層16Ｂと順次形成し、それをパターニングする。さ
らに、導電層16Ｂを保護膜１９により保護する。これに
より、バーバーポール型の磁気抵抗素子を形成する。
【００２７】図４（Ｃ）は、バーバーポール型の磁気抵
抗素子の磁気特性である。縦軸は±抵抗変化率〔％〕で
あり、横軸は磁気の変化率Ｈex／Ｈｏをそれぞれ示して
いる。Ｈexは印加磁界であり、Ｈｏは飽和磁界である。
この磁気特性の直線部分を利用することにより、正負の
微小磁界変化を検出する。次に、本発明の実施例に係る
磁気センサの動作原理について説明をする。例えば、バ
ーバーポール型の磁気抵抗素子ＭＲ１，ＭＲ２により微
小磁界を検出する場合、ウィーンブリッジ型の発振回路
の発振周波数ｆｏが変化をする。ここで、磁気抵抗素子
ＭＲ１，ＭＲ２の温度特性βの絶対値が当該発振回路の
静電容量Ｃ１，Ｃ２の温度特性βの絶対値と等しい。ま
た、磁気抵抗素子ＭＲ１，ＭＲ２の温度特性の傾きと、
その静電容量Ｃ１，Ｃ２の温度特性の傾きとの間に正負
の関係を持たせて置く。なお、抵抗変化率αと温度特性
βとの関係は、温度をｔとするとα＝β・ｔである。こ
のような関係にあると、発振周波数ｆは、ｆ＝（１−β
・ｔ＋βｔ）／２πＲｏＣｏ〕となり、温度ｔに関する
項が消去される。
抗素子の磁気特性である。縦軸は±抵抗変化率〔％〕で
あり、横軸は磁気の変化率Ｈex／Ｈｏをそれぞれ示して
いる。Ｈexは印加磁界であり、Ｈｏは飽和磁界である。
この磁気特性の直線部分を利用することにより、正負の
微小磁界変化を検出する。次に、本発明の実施例に係る
磁気センサの動作原理について説明をする。例えば、バ
ーバーポール型の磁気抵抗素子ＭＲ１，ＭＲ２により微
小磁界を検出する場合、ウィーンブリッジ型の発振回路
の発振周波数ｆｏが変化をする。ここで、磁気抵抗素子
ＭＲ１，ＭＲ２の温度特性βの絶対値が当該発振回路の
静電容量Ｃ１，Ｃ２の温度特性βの絶対値と等しい。ま
た、磁気抵抗素子ＭＲ１，ＭＲ２の温度特性の傾きと、
その静電容量Ｃ１，Ｃ２の温度特性の傾きとの間に正負
の関係を持たせて置く。なお、抵抗変化率αと温度特性
βとの関係は、温度をｔとするとα＝β・ｔである。こ
のような関係にあると、発振周波数ｆは、ｆ＝（１−β
・ｔ＋βｔ）／２πＲｏＣｏ〕となり、温度ｔに関する
項が消去される。
【００２８】これにより、磁気抵抗素子ＭＲ１，ＭＲ２
の各抵抗値Ｒｏの変化分±ΔＲを発振周波数ｆｏの変化
分±Δｆとして検出することができる。このようにし
て、本発明の第１の実施例に係る磁気センサによれば、
図２に示すように、バーバーポール型の磁気抵抗素子Ｍ
Ｒ１，ＭＲ２，静電容量Ｃ１，Ｃ２，抵抗素子Ｒ１，Ｒ
２及び差動アンプ１４を具備する。
の各抵抗値Ｒｏの変化分±ΔＲを発振周波数ｆｏの変化
分±Δｆとして検出することができる。このようにし
て、本発明の第１の実施例に係る磁気センサによれば、
図２に示すように、バーバーポール型の磁気抵抗素子Ｍ
Ｒ１，ＭＲ２，静電容量Ｃ１，Ｃ２，抵抗素子Ｒ１，Ｒ
２及び差動アンプ１４を具備する。
【００２９】このため、図２に示すような差動アンプ１
４の出力ＯUTから周波数偏移Δｆの磁気検出信号Ｓｄを
得ることができる。また、図５に示すような周波数偏移
対磁束密度の特性を得ることが可能となる。図５におい
て、縦軸は周波数偏移Δｆと変化率であり、横軸は磁束
密度Ｂｍである。この特性は本発明者らの実験結果に基
づくものであり、当該磁気抵抗素子ＭＲ１，ＭＲ２の磁
気抵抗Ｒｏが８００〔Ω〕，静電容量Ｃ１，Ｃ２が数千
〔ｐＦ〕単位であり、抵抗素子Ｒ１が１〔ｋΩ〕，Ｒ２
が2.9 〔ｋΩ〕の場合である。
４の出力ＯUTから周波数偏移Δｆの磁気検出信号Ｓｄを
得ることができる。また、図５に示すような周波数偏移
対磁束密度の特性を得ることが可能となる。図５におい
て、縦軸は周波数偏移Δｆと変化率であり、横軸は磁束
密度Ｂｍである。この特性は本発明者らの実験結果に基
づくものであり、当該磁気抵抗素子ＭＲ１，ＭＲ２の磁
気抵抗Ｒｏが８００〔Ω〕，静電容量Ｃ１，Ｃ２が数千
〔ｐＦ〕単位であり、抵抗素子Ｒ１が１〔ｋΩ〕，Ｒ２
が2.9 〔ｋΩ〕の場合である。
【００３０】この特性によれば、発振周波数ｆｏが44.5
34〔ＫＨｚ〕であって、磁束密度Ｂｍが±２５〔ガウ
ス〕の変化に対して周波数偏移Δｆが±350 〔Ｈｚ〕の
範囲で直線的に変化をする。このことから磁気抵抗素子
ＭＲ１，ＭＲ２の抵抗値Ｒｏの変化分±ΔＲを発振周波
数ｆｏの変化分±Δｆとして検出することが可能とな
る。なお、磁気抵抗素子ＭＲ１，ＭＲ２の温度特性を静
電容量Ｃ１，Ｃ２の温度特性により打ち消すことが可能
となる。
34〔ＫＨｚ〕であって、磁束密度Ｂｍが±２５〔ガウ
ス〕の変化に対して周波数偏移Δｆが±350 〔Ｈｚ〕の
範囲で直線的に変化をする。このことから磁気抵抗素子
ＭＲ１，ＭＲ２の抵抗値Ｒｏの変化分±ΔＲを発振周波
数ｆｏの変化分±Δｆとして検出することが可能とな
る。なお、磁気抵抗素子ＭＲ１，ＭＲ２の温度特性を静
電容量Ｃ１，Ｃ２の温度特性により打ち消すことが可能
となる。
【００３１】これにより、従来例のような磁界変化を電
圧又は電流変化により検出する原理に比べて、外乱ノイ
ズやＤＣアンプのオフセット電圧の影響に左右されるこ
となく、微小磁界を精度良く検出することが可能とな
る。また、本発明の第１の実施例に係る磁気センサによ
れば、薄膜磁気抵抗パターンと櫛形対向電極パターンと
を同一チップに設けることにより、コンパクトな磁気セ
ンサを構成することが可能となる。
圧又は電流変化により検出する原理に比べて、外乱ノイ
ズやＤＣアンプのオフセット電圧の影響に左右されるこ
となく、微小磁界を精度良く検出することが可能とな
る。また、本発明の第１の実施例に係る磁気センサによ
れば、薄膜磁気抵抗パターンと櫛形対向電極パターンと
を同一チップに設けることにより、コンパクトな磁気セ
ンサを構成することが可能となる。
【００３２】さらに、本発明の第１の実施例の磁気セン
サによれば、バーバーポール型の磁気抵抗素子を用いる
ことにより、正負の微小磁界変化を精度良く検出するこ
とが可能となる。なお、磁気抵抗素子として図６（Ａ）
に示すような強磁性薄膜磁気抵抗素子を用いても良い。
図６（Ａ）において、当該磁気抵抗素子はパーマロイ膜
（Ｆｅ−Ｎｉ）２０上の両側に電極２１がパターニング
されて成る。なお、印加磁界Ｈexは当該素子の上下方向
である。
サによれば、バーバーポール型の磁気抵抗素子を用いる
ことにより、正負の微小磁界変化を精度良く検出するこ
とが可能となる。なお、磁気抵抗素子として図６（Ａ）
に示すような強磁性薄膜磁気抵抗素子を用いても良い。
図６（Ａ）において、当該磁気抵抗素子はパーマロイ膜
（Ｆｅ−Ｎｉ）２０上の両側に電極２１がパターニング
されて成る。なお、印加磁界Ｈexは当該素子の上下方向
である。
【００３３】また、図６（Ｂ）は、強磁性薄膜磁気抵抗
素子の磁気特性である。縦軸は±抵抗変化率〔％〕であ
り、横軸は磁気の変化率Ｈex／Ｈｏをそれぞれ示してい
る。この二次曲線の磁気特性を利用することにより、微
小磁界変化を検出することもできる。 （２）第２の実施例の説明 図７（Ａ），（Ｂ）は、本発明の第２の実施例に係る磁
気センサの説明図であり、図７（Ａ）は、その構成図で
あり、図７（Ｂ）はその動作波形図をそれぞれ示してい
る。例えば、第２の実施例では第１の実施例と異なり周
波数算出回路１３が設けられる。
素子の磁気特性である。縦軸は±抵抗変化率〔％〕であ
り、横軸は磁気の変化率Ｈex／Ｈｏをそれぞれ示してい
る。この二次曲線の磁気特性を利用することにより、微
小磁界変化を検出することもできる。 （２）第２の実施例の説明 図７（Ａ），（Ｂ）は、本発明の第２の実施例に係る磁
気センサの説明図であり、図７（Ａ）は、その構成図で
あり、図７（Ｂ）はその動作波形図をそれぞれ示してい
る。例えば、第２の実施例では第１の実施例と異なり周
波数算出回路１３が設けられる。
【００３４】すなわち、周波数算出回路１３は二入力Ａ
ＮＤ回路13Ａ，カウンタ回路13Ｂ及び割算器13Ｃから成
る。ＡＮＤ回路13Ａの一方には磁気検出信号Ｓｄが入力
され、他方に基準信号ＣＫが入力される。磁気検出信号
Ｓｄは、第１の実施例の磁気センサから出力される信号
である。基準信号ＣＫの周波数ｆｒは磁気検出信号Ｓｄ
の周波数ｆよりも高いものを用いる。これは、第１の実
施例で説明したように、周波数偏移Δｆが±350 〔Ｈ
ｚ〕の範囲であることから、これを精度良く測定するた
めには、数十倍以上の周波数，例えば、数〜数十〔ＭＨ
ｚ〕単位の周波数ｆｒの基準信号ＣＫを使用すると良
い。
ＮＤ回路13Ａ，カウンタ回路13Ｂ及び割算器13Ｃから成
る。ＡＮＤ回路13Ａの一方には磁気検出信号Ｓｄが入力
され、他方に基準信号ＣＫが入力される。磁気検出信号
Ｓｄは、第１の実施例の磁気センサから出力される信号
である。基準信号ＣＫの周波数ｆｒは磁気検出信号Ｓｄ
の周波数ｆよりも高いものを用いる。これは、第１の実
施例で説明したように、周波数偏移Δｆが±350 〔Ｈ
ｚ〕の範囲であることから、これを精度良く測定するた
めには、数十倍以上の周波数，例えば、数〜数十〔ＭＨ
ｚ〕単位の周波数ｆｒの基準信号ＣＫを使用すると良
い。
【００３５】カウンタ回路13Ｂは基準信号ＣＫに基づい
て磁気検出信号Ｓｄの周期Ｔを検出するものである。割
算器13Ｃは当該信号Ｓｄの周期Ｔの逆数１／Ｔ，すなわ
ち、該信号Ｓｄの周波数ｆを算出するものである。次
に、本発明の第２の実施例に係る磁気センサの動作につ
いて説明をする。例えば、１０〔ＭＨｚ〕，周期 0.1
〔μｓ〕の基準信号ＣＫに基づいて磁気検出信号Ｓｄの
周波数偏移ｆｘを測定する場合、まず、図７（Ａ）にお
いて、差動アンプ１４からＡＮＤ回路13Ａに磁気検出信
号Ｓｄが入力される。また、他方に周期0.1〔μｓ〕の
基準信号ＣＫが入力される。
て磁気検出信号Ｓｄの周期Ｔを検出するものである。割
算器13Ｃは当該信号Ｓｄの周期Ｔの逆数１／Ｔ，すなわ
ち、該信号Ｓｄの周波数ｆを算出するものである。次
に、本発明の第２の実施例に係る磁気センサの動作につ
いて説明をする。例えば、１０〔ＭＨｚ〕，周期 0.1
〔μｓ〕の基準信号ＣＫに基づいて磁気検出信号Ｓｄの
周波数偏移ｆｘを測定する場合、まず、図７（Ａ）にお
いて、差動アンプ１４からＡＮＤ回路13Ａに磁気検出信
号Ｓｄが入力される。また、他方に周期0.1〔μｓ〕の
基準信号ＣＫが入力される。
【００３６】これにより、図７（Ｂ）において、磁気検
出信号Ｓｄの立ち上がりにより、基準信号ＣＫのパル
ス数がカウントしはじめ、その立ち下がりにより、基
準信号ＣＫの計数が終了する。ここで、磁気検出信号Ｓ
ｄの半周期分Ｔｘ／２に納まる基準信号ＣＫのパルス数
として、例えば、「 20000回」が計数される。このこと
は、磁気検出信号Ｓｄの周波数偏移に係る周期Ｔｘ＝ 2
0000×２×0.1 ＝4000〔μｓ〕を意味する。また、割算
器13Ｃではｆｘ＝１／4000が演算される。これにより、
磁気検出信号Ｓｄの周波数偏移ｆｘ＝２５０〔Ｈｚ〕が
測定される。
出信号Ｓｄの立ち上がりにより、基準信号ＣＫのパル
ス数がカウントしはじめ、その立ち下がりにより、基
準信号ＣＫの計数が終了する。ここで、磁気検出信号Ｓ
ｄの半周期分Ｔｘ／２に納まる基準信号ＣＫのパルス数
として、例えば、「 20000回」が計数される。このこと
は、磁気検出信号Ｓｄの周波数偏移に係る周期Ｔｘ＝ 2
0000×２×0.1 ＝4000〔μｓ〕を意味する。また、割算
器13Ｃではｆｘ＝１／4000が演算される。これにより、
磁気検出信号Ｓｄの周波数偏移ｆｘ＝２５０〔Ｈｚ〕が
測定される。
【００３７】このようにして、本発明の第２の実施例に
係る磁気センサによれば、図７（Ａ）に示すように、第
１の実施例の磁気センサに周波数算出回路１３が設けら
れる。このため、周波数算出回路１３により磁気検出信
号Ｓｄの周波数ｆｘを第１の実施例に比べて精度良く検
出することが可能となる。このことから磁気検出信号Ｓ
ｄの周波数偏移ｆｘをアナログ／デジタル変換すること
で、ノイズを含まない精度良い磁気検出データを得るこ
とが可能となる。
係る磁気センサによれば、図７（Ａ）に示すように、第
１の実施例の磁気センサに周波数算出回路１３が設けら
れる。このため、周波数算出回路１３により磁気検出信
号Ｓｄの周波数ｆｘを第１の実施例に比べて精度良く検
出することが可能となる。このことから磁気検出信号Ｓ
ｄの周波数偏移ｆｘをアナログ／デジタル変換すること
で、ノイズを含まない精度良い磁気検出データを得るこ
とが可能となる。
【００３８】これにより、磁気検出データを用いてマイ
クロコンピュータ等によりデジタル処理を精度良く行う
ことが可能となる。
クロコンピュータ等によりデジタル処理を精度良く行う
ことが可能となる。
【００３９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の磁気セン
サによれば磁気抵抗素子及び発振回路を具備する。この
ため、磁気抵抗素子の抵抗値の変化分を発振回路の周波
数の変化分として再現性良く検出することが可能とな
る。このことで、従来例のような磁界変化を電圧又は電
流変化により検出する原理に比べて、外乱ノイズやＤＣ
アンプのオフセット電圧の影響に左右されることなく、
微小磁界を精度良く検出することが可能となる。
サによれば磁気抵抗素子及び発振回路を具備する。この
ため、磁気抵抗素子の抵抗値の変化分を発振回路の周波
数の変化分として再現性良く検出することが可能とな
る。このことで、従来例のような磁界変化を電圧又は電
流変化により検出する原理に比べて、外乱ノイズやＤＣ
アンプのオフセット電圧の影響に左右されることなく、
微小磁界を精度良く検出することが可能となる。
【００４０】さらに、本発明の他の磁気センサによれ
ば、高い周波数の基準信号に基づいて磁気検出信号の周
波数を算出する周波数算出回路が設けられる。このた
め、磁気検出信号の周波数をアナログ／デジタル変換す
ることができ、ノイズを含まない精度良いデジタル処理
を行うことが可能となる。これにより、正負の微小磁界
変化を精度良く検出するコンパクトな磁気センサの提供
に寄与するところが大きい。
ば、高い周波数の基準信号に基づいて磁気検出信号の周
波数を算出する周波数算出回路が設けられる。このた
め、磁気検出信号の周波数をアナログ／デジタル変換す
ることができ、ノイズを含まない精度良いデジタル処理
を行うことが可能となる。これにより、正負の微小磁界
変化を精度良く検出するコンパクトな磁気センサの提供
に寄与するところが大きい。
【図１】本発明に係る磁気センサの原理図である。
【図２】本発明の第１の実施例に係る磁気センサの構成
図である。
図である。
【図３】本発明の各実施例に係る磁気抵抗素子と容量素
子とを１チップ化する説明図である。
子とを１チップ化する説明図である。
【図４】本発明の各実施例に係るバーバーポール型の磁
気抵抗素子の説明図である。
気抵抗素子の説明図である。
【図５】本発明の第１の実施例に係る周波数偏移対磁束
密度の特性図である。
密度の特性図である。
【図６】本発明の各実施例に係る強磁性薄膜磁気抵抗素
子の説明図ある。
子の説明図ある。
【図７】本発明の第２の実施例に係る磁気センサの構成
図ある。
図ある。
【図８】従来例に係る磁気センサの構成図である。
１１，ＭＲ１，ＭＲ２…磁気抵抗素子、 １２…発振回路、 １３…周波数算出回路、 13Ａ…二入力ＡＮＤ回路、 13Ｂ…カウンタ回路、 13Ｃ…割算器、 １４…差動アンプ、 Ｃｏ，Ｃ１，Ｃ２…静電容量、 Ｐmr１，Ｐmr２…薄膜磁気抵抗パターン、 Ｐco１，Ｐco２…櫛形対向電極パターン、 Ｓｄ…磁気検出信号。
Claims (6)
- 【請求項１】 磁気に応じて磁気抵抗値が変化する磁気
抵抗素子（１１）と、前記磁気抵抗値に応じて発振周波
数が変化する発振回路（１２）とを具備し、前記磁気抵
抗素子（１１）の磁気抵抗値（Ｒｏ）の変化分（±Δ
Ｒ）を発振周波数（ｆｏ）の変化分（±Δｆ）として検
出することを特徴とする磁気センサ。 - 【請求項２】 請求項１記載の磁気センサが、磁気に応
じて磁気検出信号（Ｓｄ）を出力するウィーンブリッジ
型の発振回路を構成することを特徴とする磁気センサ。 - 【請求項３】 請求項１，２記載の磁気センサに周波数
算出回路（１３）が設けられ、前記周波数算出回路（１
３）が、磁気検出信号（Ｓｄ）の周波数（ｆ）よりも高
い周波数（ｆｒ）の基準信号（ＣＫ）に基づいて当該磁
気検出信号（Ｓｄ）の周期（Ｔ）を検出し、前記周期
（Ｔ）から磁気検出信号（Ｓｄ）の周波数（ｆ）を算出
することを特徴とする磁気センサ。 - 【請求項４】 請求項１，２記載の磁気センサにおい
て、前記磁気抵抗素子（１１）が薄膜磁気抵抗パターン
から成り、前記発振回路（１２）の静電容量（Ｃ）が櫛
形対向電極パターンから成り、前記薄膜磁気抵抗パター
ンと櫛形対向電極パターンとが同一基板に設けられるこ
とを特徴とする磁気センサ。 - 【請求項５】 請求項１，２記載の磁気センサにおい
て、前記磁気抵抗素子（１１）がバーバーポール型の磁
気抵抗素子又は強磁性薄膜磁気抵抗素子から成ることを
特徴とする磁気センサ。 - 【請求項６】 請求項１，２記載の磁気センサにおい
て、前記磁気抵抗素子（１１）の温度特性の絶対値が発
振回路（１２）の静電容量（Ｃｏ）の温度特性の絶対値
と等しく、かつ、前記磁気抵抗素子（１１）の温度特性
が正の傾きを有し、前記発振回路（１２）の静電容量
（Ｃｏ）の温度特性が負の傾きを有することを特徴とす
る磁気センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5223719A JPH0777565A (ja) | 1993-09-08 | 1993-09-08 | 磁気センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5223719A JPH0777565A (ja) | 1993-09-08 | 1993-09-08 | 磁気センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0777565A true JPH0777565A (ja) | 1995-03-20 |
Family
ID=16802609
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5223719A Withdrawn JPH0777565A (ja) | 1993-09-08 | 1993-09-08 | 磁気センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0777565A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2983001A4 (en) * | 2013-04-01 | 2017-06-21 | Sirc Co., Ltd | Sensor element with temperature compensating function, and magnetic sensor and electric power measuring device which use same |
-
1993
- 1993-09-08 JP JP5223719A patent/JPH0777565A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2983001A4 (en) * | 2013-04-01 | 2017-06-21 | Sirc Co., Ltd | Sensor element with temperature compensating function, and magnetic sensor and electric power measuring device which use same |
| US9739812B2 (en) | 2013-04-01 | 2017-08-22 | Sirc Co., Ltd | Sensor element with temperature compensating function, and magnetic sensor and electric power measuring device which use same |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
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