JPH0777809A - シリレーションを利用したパターン形成方法 - Google Patents

シリレーションを利用したパターン形成方法

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JPH0777809A
JPH0777809A JP5289414A JP28941493A JPH0777809A JP H0777809 A JPH0777809 A JP H0777809A JP 5289414 A JP5289414 A JP 5289414A JP 28941493 A JP28941493 A JP 28941493A JP H0777809 A JPH0777809 A JP H0777809A
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photoresist
layer
silylation
photoresist layer
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JP5289414A
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Cheol-Hong Kim
鐵洪 金
Woo-Sung Han
宇聲 韓
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 多層フォトレジスト膜工程による解像度の増
加効果を保ちながらシリレーションされたフォトレジス
ト膜を使用し工程を単純化させたパターン形成方法を提
供する。 【構成】 ウェハー２０に第１フォトレジスト層２１を
形成し、その表面の一部をシリレーションさせシリレー
ション層２３を形成する。次いで、シリレーション層上
に第２フォトレジスト層２４を形成し、所定のパターン
を有するフォトマスク２５を通じて前記第２フォトレジ
スト層を露光し現像し、第２フォトレジストパターンを
形成する。前記第２フォトレジストパターンを蝕刻マス
クにして前記シリレーション層２３をエッチバックして
シリレーション層パターンを形成し、前記シリレーショ
ンパターンを酸化させた後、これを蝕刻マスクにして前
記第１フォトレジスト層２１を蝕刻し第１フォトレジス
トパターンを形成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造工程で
フォトレジスト膜を利用したパターン形成方法に係り、
特に多層レジスト膜工程（Multi-Layer Resist Proces
s; 以下 ＭＬＲ工程）による解像度の増加効果を保ち
ながらフォトレジスト膜をシリレーションし二層のフォ
トレジスト膜のみを使用して製作できるパターン形成方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般的にウェハー上にフォトレジスト膜
を塗布し写真蝕刻工程を遂行する際フォトレジスト膜は
段差の形成された部分を通過するので、段差の上部と下
部を通過するフォトレジスト膜の厚さに差が発生する。
従って、後に続く露光工程で薄く形成されたフォトレジ
スト膜は過剰露光となるが、厚く形成されたフォトレジ
スト膜は露光が不十分になる。そのため、現像過程で段
差を通過するレジストパターンの線幅は様々になる。即
ち、前記過剰露光された段差の上部でのレジストパター
ンの線幅は不十分に露光された下部におけるより、更に
狭くなる。従って、段差の高さが線幅に近接する配線で
は前記した程度の線幅の偏差であっても許容されない。
又、厚く形成されたレジスト層ではいわゆる定在波効果
のために最小の解像度の値が減少し、反射される下部基
板も又解像度を悪化させる。
【０００３】一方、薄いレジスト膜を使用すれば前記の
定在波効果と反射基板から発生する解像度の低下という
問題点が解決できるが、ステップカバレージの限界は解
決できなくなる。前記のような問題点を解決するために
提案されたのが所謂ＭＬＲ工程であって、厚い平坦化レ
ジスト層と薄いイメージ転写層を結合しレジスト層を形
成するのである（参照、<Silicon Processing for the
VLSI Era>,S.Wolf and R.N.Tauber ,Vol.1,1986,pp424
）。
【０００４】従来の一般的なＭＬＲ工程によるパターン
形成方法に対し添付した図１Ａ−図２Ｈを参照して説明
すれば次の通りである。先ず、図１Ａに示したように、
ウェハー１０上に第１フォトレジスト層１１を形成す
る。ウェハー１０を平坦に示したが、ウェハーの表面は
表面の形により様々な段差部を含む。前記第１フォトレ
ジスト層１１はこのような表面を平坦化させる位に厚く
形成させる。
【０００５】次いで、図１Ｂに示したように、前記第１
フォトレジスト層１１を中和させ、レジスト内の溶剤を
蒸発させるために 200〜 250℃の範囲で１分以上加熱板
でソフトベーキングする。この際、第１フォトレジスト
層１１内のレジン成分とＰＡＣ（Photo Active Compoun
d ）が架橋結合して硬化された第１フォトレジスト層１
２が形成される。
【０００６】次いで、図１Ｃに示したように、前記硬化
された第１フォトレジスト層１２上に酸化膜１３を薄く
塗布する。他の方法として、SiH4ベースの酸化膜を SOG
(Spin On Glass) スピンコーターで分散した後スピンさ
せ 200〜 240℃でベーキングして前記酸化膜１３を形成
することもできる。次に、図１Ｄに示したように、第２
フォトレジスト層１４を前記酸化膜１３上に薄く塗布す
る。
【０００７】図２Ｅに示したように、紫外線１５を予め
所定のパターンの形成されているフォトマスク１６に照
射し前記フォトマスク１６に形成されたパターンを前記
第２フォトレジスト層１４に転写させる。前記フォトマ
スク１６を通じて光を受けた第２フォトレジスト層１４
の部分はその中のＰＡＣ成分が破壊され、後に続く現像
工程で現像液により流しだされる。
【０００８】図２Ｆに示したように、現像工程により前
記第２フォトレジスト層１４の紫外線１５に照射されな
い部分のみが残る第２フォトレジストパターン１８が形
成される。次いで、図２Ｇに示したように、前記第２フ
ォトレジストパターン１８を蝕刻マスク層にして下部に
ある酸化膜１３を蝕刻し酸化膜パターンを形成する。
【０００９】図２Ｈに示したように、前記酸化膜１３の
パターンを蝕刻マスク層にして第１フォトレジスト層１
２を蝕刻させる。従って、ウェハー１０上に第１フォト
レジスト層１２と酸化膜１３よりなるパターンが形成さ
れる。前記のような従来のＭＬＲ工程によるパターン形
成方法は表面の屈曲の激しいウェハーであってもフォト
マスクのパターンがよく転写されるので解像度が増加し
又焦点の深度が深くなるという長所がある。
【００１０】しかしながら、前記従来のＭＬＲ工程はレ
ジストを２回形成し酸化膜を中間に形成するべきなので
高温ベーキングを実施しなければならない。又、酸化膜
エッチング設備が追加的に必要になる。このような複雑
な工程が追加されるのは結局生産量を低下させ、欠陥密
度を増加させるだけでなくコストの上昇をもたらす。
又、前記の従来のＭＬＲ方法を使用すればウェハー上の
レジスト膜をエッチングする過程で、ポリシリコン層、
酸化膜、金属層等のウェハー上に形成された構造物から
飛び出した副産物がレジストの側壁にぶつかる。これら
の副産物はレジストと反応しポリマーを生成する。この
ようなポリマーはレジスト工程で消えず残っており、欠
陥の要因となる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は前記の
従来のＭＬＲ工程で発生する問題点を解決するためのも
のであり、特に従来のＭＬＲ工程によるパターン形成方
法の長所である解像度の増加効果を保ちながらもより工
程が単純化され、ポリマー等による欠陥が減少するパタ
ーン形成方法を提供することである。
【００１２】
【課題を達成するための手段】前記の目的を達成するた
めに基板上に第１フォトレジスト層を形成する段階と、
シリレーション層を形成するために前記第１フォトレジ
スト層の表面部をシリレーションする段階と、前記シリ
レーション層上に第２フォトレジスト層を形成する段階
と、所定のパターンを有するフォトマスクを使用し前記
第２フォトレジスト層を露光し現像し、第２フォトレジ
ストパターンを形成する段階と、前記シリレーション層
パターンを形成するために前記第２フォトレジストパタ
ーンを取り除きながら、前記第２フォトレジストパター
ンを蝕刻マスクにして前記シリレーション層をエッチバ
ックする段階と、前記シリレーションパターンを酸化さ
せる段階と、前記第１フォトレジストパターンを形成す
るために前記酸化されたシリレーションパターンを蝕刻
マスクにして前記第１フォトレジスト層を蝕刻する段階
を具備してなることを特徴とするパターン形成方法を提
供する。
【００１３】本発明第２発明のパターン形成方法は、第
１発明の構成に加えて、前記第１フォトレジスト層はシ
リレーションの可能な有機化合物より構成されることを
特徴とする。本発明第３発明のパターン形成方法は、第
２発明の構成に加えて、前記第１フォトレジスト層とし
て化学増幅型、ノボラック系及びポリビニルフェノール
系レジストよりなるグループから選択されたいずれか一
つで構成されることを特徴とする。
【００１４】本発明第４発明のパターン形成方法は、第
１発明の構成に加えて、前記シリレーション段階はシリ
レーティング剤としてTMDS,HMDS, ATMS, DMSDMA 及びSi
llane よりなるグループから選択されたいずれか一つを
使用して遂行することを特徴とする。
【００１５】
【作用】本発明によると、第１フォトレジスト層の表面
一部をシリレーションさせ、前記シリレーション層パタ
ーンを酸素によりグラス化させ、前記シリレーションパ
ターンを蝕刻マスクにしてその下部の第１フォトレジス
ト層を蝕刻しパターンを形成する。従って、従来のＭＬ
Ｒ工程でパターンを形成するために用いられた塗布工程
中の酸化膜形成が不必要になり、結局工程が単純化され
る。
【００１６】又、シリレーション部分を酸化させれば純
粋な酸化シリコン膜SiO2と異なり、SiOX 構造の有機物
を多く含んだ酸化膜が形成される。従って、第１フォト
レジストパターンを利用した下部基板の蝕刻の際、不純
物によるポリマーの形成が大きく減少する。
【００１７】
【実施例】以下、添付した図面に基づき本発明を詳細に
説明する。図３Ａはウェハー２０上に化学増幅型の第１
フォトレジスト２１を厚く形成する段階を示す。ウェハ
ー２０は凹凸の表面を有するのが普通だが平坦に示し
た。前記化学増幅型の第１フォトレジスト２１は従来の
感光剤の代わりに酸発生剤を添加したものである。この
化学増幅型のレジストはポジ形とネガ形の二つの形があ
る。ポジ形は露光により酸を発生させ、この酸はベーキ
ング工程によりベース樹脂と反応しアルカリ可溶物に変
換される。ネガ形ではベーキング工程により架橋剤を介
在させ、酸とベース樹脂が反応しアルカリ不溶物を形成
する。本実施例では化学増幅型のレジストとしてネガ形
のシプリー（Shipley ）社のXP 89131-1.0μm レジスト
を使用した。
【００１８】図３Ｂは前記化学増幅型の第１フォトレジ
スト２１の表面一部をシリレーションさせシリレーショ
ン層２３を形成する段階を示す。シリレーションは活性
化水素イオン（例；-OH,-NH,-SH ）を含む有機化合物に
シリコンを含むシリレーティング剤２２を拡散させる。
この際、拡散部分が硬化されるので現像速度が変化す
る。本実施例ではシリレーティング剤２２としてシリコ
ンを含むTMDS（1,1,3,3-tetramethyl disilazane）を使
用したが、HMDS（hexamethyl disilazane ）、ATMS（al
lyltrimethylsilane）、DMSDMA（dimethysilyldimethyl
amine ）、Silane、ジメチルシリルジェチルアミン、ト
リメチルシリルジメチルアミン、トリメチルシリルジェ
チルアミン、ジメチルアミノトリメチルシラン、ジェチ
ルアミノトリメチルシラン、ビス( ジメチルアミノ) ジ
メチルシラン、ビス( ジメチルアミノ) メチルシラン、
オクタルメチルシクロテトラシラザン、ヘキサメチルシ
クロトリシラザン、ジクロロオクタルメチルシクロテト
ラシロキサン、ジクロロジメチルジフェニールジシロキ
サン、テトラメチルジシリアザシクロペンタン、テトラ
メチル−ビス（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）ジシルエチレ
ン（tetramethyl-bis(N,N-dimethylamino)disilethylen
e ）、ビス（トリメチルシリル）アセトアミド及びその
他の有機金属試薬等を使用することもできる。
【００１９】結局化学増幅型の第１フォトレジスト２１
内の -OH基の水素成分とシリレーティング剤２２が置換
反応することによりシリコンを含む樹脂となる。従っ
て、本実施例のような化学増幅型のレジスト以外にもノ
ボラック系、ポリビニルフェノール系のレジスト等も -
OH基の水素成分とシリレーティング剤が互いに置換でき
るので使用が可能である。
【００２０】一方、本実施例でのシリレーション条件は
前記ＴＭＤＳを使用しシリレーション装備のＪＳＲ社の
PLASMASTER-SI で温度１２０℃、時間１１０s で施し
た。図３Ｃは前記シリレーション層２３上に第２フォト
レジスト層２４を形成し所定のパターンの形成されたフ
ォトマスク２５を通じて露光させる段階を示す。本実施
例で用いられた前記第２フォトレジスト２４は厚さ０．
４７〜０．５０μｍのip- 1,800 である。前記フォトマ
スク２５を通じて光を受けた部分の第２フォトレジスト
２４はその中のＰＡＣ成分が破壊される。この際、シリ
レーション層２３の下部の第１フォトレジスト２１も同
様に光を受けＰＡＣ成分が分解される。露光時間は600m
s である。
【００２１】図４Ｄは現像工程により前記光を受けてい
ない部分の第２フォトレジスト層が残存して形成された
第２フォトレジストパターン２４ａを形成する段階を示
す。図４Ｅは前記第２フォトレジストパターン２４ａを
蝕刻マスクにしてエッチバック工程を施しシリレーショ
ン層パターン２３ａを形成する段階を示す。エッチバッ
ク条件は O2 5 sccm（standerd cubic centimeter per
minute）、N2 5 sccm 、He 120 sccm であり、RF電力
2.0 kw 、時間60s である。この際前記第２フォトレジ
ストパターン２４ａが取り除かれると同時に前記パター
ン２４ａの間の空間で露出されたシリレーション層２３
も取り除かれシリレーション層パターン２３ａが形成さ
れる。
【００２２】図４Ｆは前記シリレーションパターン２３
ａを酸素で酸化させ、次いで SiO X 構造に変化された
シリレーション層パターン２３ａを蝕刻マスクにして下
部の第１フォトレジスト層２１を蝕刻する段階を示す。
この酸化工程は、エッチ室内で継続的に行い、ガスをO2
単体に切り替えるだけで実施できる。結局、ウェハー２
０上に第１フォトレジストパターン２１ａが形成され
る。
【００２３】図５は本発明の一例に用いられたフォトレ
ジストのシリレーションと酸化された化合物の構造式を
示す図である。図５で (A)は化学増幅型のレジスト内の
樹脂の構造式である。 (B)は本実施例に使用されたシリ
レーティング剤ＴＭＤＳを反応器に入れシリレーション
させた化合物の構造式である。 (C)は前記シリレーショ
ンされたレジストを酸素雰囲気で酸化させた結果の化合
物の構造式である。
【００２４】
【発明の効果】以上の実施例で分かるように、本発明は
パターン形成のために従来のＭＬＲ工程で要求される下
部の第１フォトレジスト層と中間の酸化膜に代わって一
つのフォトレジスト層を使用したので、パターンの形成
方法が非常に単純になった。又、従来には純粋な酸化膜
SiO2 を中間膜に使用したが、本発明では図３の (C)に
示したように SiOX 構造の有機物を多く含む酸化膜を使
用するので、下部基板蝕刻の際不純物によるポリマーの
形成が減少する。実験によれば、ポリマー形成率が1/10
〜1/100 位に減少する。従って、下部レジスト層が完全
に取り除け、それにより欠陥密度の減少した素子が得ら
れる。
【図面の簡単な説明】
【図１】Ａ〜Ｄは従来の多層フォトレジスト膜パターン
形成方法を示す断面図である。
【図２】Ｅ〜Ｈは従来の多層フォトレジスト膜パターン
形成方法を示す断面図である。
【図３】Ａ〜Ｄは本発明による二層フォトレジスト膜の
パターン形成方法の一例を示す断面図である。
【図４】Ｅ〜Ｆは本発明による二層フォトレジスト膜の
パターン形成方法の一例を示す断面図である。
【図５】本発明によるフォトレジスト膜とそのシリレー
ション化された化合物、酸化された化合物の構造式を示
す図である。
【符号の説明】
２０ ウェハー ２１ 第１フォトレジスト ２１ａ 第１フォトレジストパターン ２３ シリレーション層 ２３ａ シリレーション層パターン ２４ 第２フォトレジスト ２４ 第２フォトレジストパターン ２５ フォトマスク

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基板上に第１フォトレジスト層を形成す
    る段階と、 シリレーション層を形成するために前記第１フォトレジ
    スト層の表面部をシリレーションする段階と、 前記シリレーション層上に第２フォトレジスト層を形成
    する段階と、 所定のパターンを有するフォトマスクを使用し前記第２
    フォトレジスト層を露光し現像し、第２フォトレジスト
    パターンを形成する段階と、 前記シリレーション層パターンを形成するために前記第
    ２フォトレジストパターンを取り除きながら、前記第２
    フォトレジストパターンを蝕刻マスクにして前記シリレ
    ーション層をエッチバックする段階と、 前記シリレーションパターンを酸化させる段階と、 前記第１フォトレジストパターンを形成するために前記
    酸化されたシリレーションパターンを蝕刻マスクにして
    前記第１フォトレジスト層を蝕刻する段階を具備してな
    ることを特徴とするパターン形成方法。
  2. 【請求項２】 前記第１フォトレジスト層はシリレーシ
    ョンの可能な有機化合物より構成されることを特徴とす
    る請求項１記載のパターン形成方法。
  3. 【請求項３】 前記第１フォトレジスト層として化学増
    幅型、ノボラック系及びポリビニルフェノール系レジス
    トよりなるグループから選択されたいずれか一つで構成
    されることを特徴とする請求項２記載のパターン形成方
    法。
  4. 【請求項４】 前記シリレーション段階はシリレーティ
    ング剤としてTMDS,HMDS, ATMS, DMSDMA及びSilaneより
    なるグループから選択されたいずれか一つを使用して遂
    行することを特徴とする請求項１記載のパターン形成方
    法。
JP5289414A 1992-11-18 1993-11-18 シリレーションを利用したパターン形成方法 Pending JPH0777809A (ja)

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Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR970002427B1 (en) * 1994-01-14 1997-03-05 Lg Semicon Co Ltd Fine patterning method of photoresist film
EP0783727A4 (en) * 1994-09-09 1998-01-14 Univ Louisiana State MICROSTRUCTURES AND METHOD FOR MANUFACTURING MICROSTRUCTURES
US5925494A (en) * 1996-02-16 1999-07-20 Massachusetts Institute Of Technology Vapor deposition of polymer films for photolithography
KR980003848A (ko) * 1996-06-29 1998-03-30 김주용 반도체 장치의 미세패턴 형성방법
US5922516A (en) * 1997-06-04 1999-07-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Bi-layer silylation process
US5877076A (en) * 1997-10-14 1999-03-02 Industrial Technology Research Institute Opposed two-layered photoresist process for dual damascene patterning
US5935762A (en) * 1997-10-14 1999-08-10 Industrial Technology Research Institute Two-layered TSI process for dual damascene patterning
US5877075A (en) * 1997-10-14 1999-03-02 Industrial Technology Research Institute Dual damascene process using single photoresist process
KR100474544B1 (ko) * 1999-11-12 2005-03-08 주식회사 하이닉스반도체 Ｔｉｐｓ 공정용 포토레지스트 조성물
US6451512B1 (en) 2000-05-01 2002-09-17 Advanced Micro Devices, Inc. UV-enhanced silylation process to increase etch resistance of ultra thin resists
KR100412139B1 (ko) * 2001-12-28 2003-12-31 주식회사 하이닉스반도체 반도체소자의 마스크패턴 형성방법
KR100866122B1 (ko) * 2002-06-29 2008-10-31 주식회사 하이닉스반도체 듀얼 다마신 공정을 이용한 금속배선 형성방법
US20040018450A1 (en) * 2002-07-25 2004-01-29 United Microlectronics Corp. Method for transferring patterns
US6780782B1 (en) * 2003-02-04 2004-08-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Bi-level resist structure and fabrication method for contact holes on semiconductor substrates
US7468227B2 (en) * 2004-11-16 2008-12-23 Applied Materials, Inc. Method of reducing the average process bias during production of a reticle
US7309659B1 (en) 2005-04-01 2007-12-18 Advanced Micro Devices, Inc. Silicon-containing resist to pattern organic low k-dielectrics
CN100570485C (zh) * 2006-07-07 2009-12-16 中国科学院半导体研究所 二维纳米结构深刻蚀方法
US8003537B2 (en) * 2006-07-18 2011-08-23 Imec Method for the production of planar structures
CN101452225B (zh) * 2007-12-07 2011-12-07 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 光刻胶掩模图形的显影方法
US8822347B2 (en) 2009-04-27 2014-09-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Wet soluble lithography
US8304179B2 (en) 2009-05-11 2012-11-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method for manufacturing a semiconductor device using a modified photosensitive layer
US8647796B2 (en) * 2011-07-27 2014-02-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photoactive compound gradient photoresist
CN103035512B (zh) * 2012-11-02 2015-08-19 上海华虹宏力半导体制造有限公司 一种非感光性聚酰亚胺钝化层的制作方法
CN103839770B (zh) * 2012-11-21 2016-08-17 上海华虹宏力半导体制造有限公司 一种同时在深沟槽底部和顶部形成图形的工艺方法
KR101295251B1 (ko) * 2012-12-04 2013-08-09 주식회사 라온이노텍 투명 디스플레이부 이미지 멀티 증착 방법
CN103871847A (zh) * 2014-03-19 2014-06-18 武汉新芯集成电路制造有限公司 一种干法刻蚀方法
US9741586B2 (en) * 2015-06-30 2017-08-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method of fabricating package structures
CN115132591B (zh) * 2022-09-02 2022-11-29 盛合晶微半导体(江阴)有限公司 聚酰亚胺过孔及晶圆级半导体封装结构的制备方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60262150A (ja) * 1984-06-11 1985-12-25 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 三層レジスト用中間層材料及びそれを用いた三層レジストパタン形成方法
US4782008A (en) * 1985-03-19 1988-11-01 International Business Machines Corporation Plasma-resistant polymeric material, preparation thereof, and use thereof
JPS61231549A (ja) * 1985-04-06 1986-10-15 Oki Electric Ind Co Ltd レジストパタ−ン形成方法
US4751170A (en) * 1985-07-26 1988-06-14 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Silylation method onto surface of polymer membrane and pattern formation process by the utilization of silylation method
US4816112A (en) * 1986-10-27 1989-03-28 International Business Machines Corporation Planarization process through silylation
JPH02304922A (ja) * 1989-05-19 1990-12-18 Nec Corp 微細パターンの形成方法
JPH04176123A (ja) * 1990-11-08 1992-06-23 Nec Corp 半導体装置の製造方法
US5286607A (en) * 1991-12-09 1994-02-15 Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Bi-layer resist process for semiconductor processing
US5270151A (en) * 1992-03-17 1993-12-14 International Business Machines Corporation Spin on oxygen reactive ion etch barrier

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Publication number Publication date
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