JPH0778055B2 - ラクトンの製造方法 - Google Patents
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts
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- Furan Compounds (AREA)
- Catalysts (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、ジカルボン酸、ジカルボン酸無水物及び/又
はジカルボン酸エステルの水素化によりラクトンを製造
する方法に関する。
はジカルボン酸エステルの水素化によりラクトンを製造
する方法に関する。
ジカルボン酸、ジカルボン酸無水物及び/又はジカルボ
ン酸エステル水素化してラクトン類を製造する方法は古
くから検討されており、これまでに種々の触媒が見い出
されている。
ン酸エステル水素化してラクトン類を製造する方法は古
くから検討されており、これまでに種々の触媒が見い出
されている。
例えば、ニッケル系触媒(例えば特公昭43−6947号公
報)、コバルト系触媒(例えば特開昭51−95057号公
報)、銅−クロム系触媒(例えば特公昭38−20119号公
報)、及び銅−亜鉛系触媒(例えば特公昭42−14463号
公報)を使用して、固定床あるいは液相懸濁相等の水素
化反応方式によりラクトン類を製造する方法については
多数の提案がなされている。一方、均一系のルテニウム
触媒を使用して上記の水素化反応を行うラクトン類の製
造法も知られており、例えば米国特許第3,957,827号明
細書については、〔RuXn(PR1R2R3)xLy〕型の触媒を使
用して40〜400psiの条件で水素化反応を行うことが記載
され、また、米国特許第4,485,246号明細書には、同様
の触媒による水素化反応を有機アミンの存在下に行うこ
とが記載されている。
報)、コバルト系触媒(例えば特開昭51−95057号公
報)、銅−クロム系触媒(例えば特公昭38−20119号公
報)、及び銅−亜鉛系触媒(例えば特公昭42−14463号
公報)を使用して、固定床あるいは液相懸濁相等の水素
化反応方式によりラクトン類を製造する方法については
多数の提案がなされている。一方、均一系のルテニウム
触媒を使用して上記の水素化反応を行うラクトン類の製
造法も知られており、例えば米国特許第3,957,827号明
細書については、〔RuXn(PR1R2R3)xLy〕型の触媒を使
用して40〜400psiの条件で水素化反応を行うことが記載
され、また、米国特許第4,485,246号明細書には、同様
の触媒による水素化反応を有機アミンの存在下に行うこ
とが記載されている。
しかしながら、上記のようなニッケル系触媒、コバルト
系触媒、銅−クロム系触媒及び銅−亜鉛系触媒等を使用
する従来の方法には、全てが数十気圧以上の苛酷な条件
の採用は避けられない、という問題点があった。一方、
上記の均一系のルテニウム触媒を使用する従来の方法に
は、比較的温和な条件下で水素化反応が進行するという
特徴のある半面、触媒活性はやや低水準にあるばかり
か、触媒寿命は著しく短かいという問題点があった。
系触媒、銅−クロム系触媒及び銅−亜鉛系触媒等を使用
する従来の方法には、全てが数十気圧以上の苛酷な条件
の採用は避けられない、という問題点があった。一方、
上記の均一系のルテニウム触媒を使用する従来の方法に
は、比較的温和な条件下で水素化反応が進行するという
特徴のある半面、触媒活性はやや低水準にあるばかり
か、触媒寿命は著しく短かいという問題点があった。
本発明は、上記の従来の問題点をすべて解決して、ジカ
ルボン酸、ジカルボン酸無水物、及び/又はジカルボン
酸エステルを従来になく工業的有利に水素化しうるラク
トンの製造法の提供を目的とする。
ルボン酸、ジカルボン酸無水物、及び/又はジカルボン
酸エステルを従来になく工業的有利に水素化しうるラク
トンの製造法の提供を目的とする。
本発明者等は、かかる目的を達成すべく鋭意検討した結
果、ジカルボン酸、ジカルボン酸無水物及び/またはジ
カルボン酸エステルを水素化してラクトンを製造する方
法において、ルテニウム、有機ホスフィン及び周
期律表第IVA、VA及びIIIB族からなる群から選ばれる金
属の化合物pkaが2より小さい酸の共役塩基を触媒と
して使用すると、水素化触媒活性が増加するばかりでな
く、触媒の活性安定性向上に効果があることを見出し、
本発明に到達したものである。
果、ジカルボン酸、ジカルボン酸無水物及び/またはジ
カルボン酸エステルを水素化してラクトンを製造する方
法において、ルテニウム、有機ホスフィン及び周
期律表第IVA、VA及びIIIB族からなる群から選ばれる金
属の化合物pkaが2より小さい酸の共役塩基を触媒と
して使用すると、水素化触媒活性が増加するばかりでな
く、触媒の活性安定性向上に効果があることを見出し、
本発明に到達したものである。
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明で原料とするジカルボン酸、ジカルボン酸無水物
及び/またはジカルボン酸エステルとしては、ジカルボ
ン酸骨格の炭素数が3〜7の飽和または不飽和のジカル
ボン酸及び/またはその誘導体が用いられる。ジカルボ
ン酸の具体例としては、コハク酸、フマル酸、マレイン
酸、グルタル酸(glutaric acid)、メチルコハク酸
等、ジカルボン酸無水物としては、無水コハク酸、無水
マレイン酸、無水グルタル酸、無水メチルコハク酸等が
挙げられる。また、ジカルボン酸エステルとしては、ア
ルキルエステルが好ましく、特にジカルボン酸骨格の炭
素数が4のジカルボン酸誘導体が好ましい。例えばマレ
イン酸ジメチル、フマル酸ジエチル、コハク酸−ジ−n
−ブチル等が挙げられる。
及び/またはジカルボン酸エステルとしては、ジカルボ
ン酸骨格の炭素数が3〜7の飽和または不飽和のジカル
ボン酸及び/またはその誘導体が用いられる。ジカルボ
ン酸の具体例としては、コハク酸、フマル酸、マレイン
酸、グルタル酸(glutaric acid)、メチルコハク酸
等、ジカルボン酸無水物としては、無水コハク酸、無水
マレイン酸、無水グルタル酸、無水メチルコハク酸等が
挙げられる。また、ジカルボン酸エステルとしては、ア
ルキルエステルが好ましく、特にジカルボン酸骨格の炭
素数が4のジカルボン酸誘導体が好ましい。例えばマレ
イン酸ジメチル、フマル酸ジエチル、コハク酸−ジ−n
−ブチル等が挙げられる。
γ−ブチロラクトンを製造する原料としては、マレイン
酸、無水マレイン酸、マレイン酸エステル等のマレイン
酸類、コハク酸、無水コハク酸、メチルコハク酸等のコ
ハク酸類が好ましい。
酸、無水マレイン酸、マレイン酸エステル等のマレイン
酸類、コハク酸、無水コハク酸、メチルコハク酸等のコ
ハク酸類が好ましい。
本発明の方法に使用する触媒は、ルテニウム、有機ホス
フィン、周期律表第IVA、VA、IIIB族からなる群から選
ばれる金属の化合物、及びpkaが2より小さい酸の共役
塩基を含有するものである。
フィン、周期律表第IVA、VA、IIIB族からなる群から選
ばれる金属の化合物、及びpkaが2より小さい酸の共役
塩基を含有するものである。
ルテニウム触媒としては、金属ルテニウム及びルテニウ
ム化合物のいずれもが使用可能である。この場合のルテ
ニウム化合物としては、ルテニウムの酸化物、水酸化
物、無機酸塩、有機酸塩あるいは錯化合物等が使用さ
れ、具体的には例えば、二酸化ルテニウム、四酸化ルテ
ニウム、二水酸化ルテニウム、塩化ルテニウム、臭化ル
テニウム、ヨウ化ルテニウム、硝酸ルテニウム、酢酸ル
テニウム、トリス(アセチルアセトン)ルテニウム、ヘ
キサクロロルテニウム酸ナトリウム、テトラカルボニル
ルテニウム酸ジカリウム、ペンタカルボニルルテニウ
ム、シクロペンタジエニルジカルボニルルテニウム、ジ
ブロモトリカルボニルルテニウム、クロロトリス(トリ
フェニルホスフィン)ヒドリドルテニウム、ビス(トリ
−n−ブチルホスフィン)トリカルボニルルテニウム、
ドデカカルボニルトリルテニウム、テトラヒドリドデカ
カルボニルテトラルテニウム、オクタデカカルボニルヘ
キサルテニウム酸ジセシウム、ウンデカカルボニルヒド
リドトリルテニウム酸テトラフェニルホスホニウム等が
挙げられる。
ム化合物のいずれもが使用可能である。この場合のルテ
ニウム化合物としては、ルテニウムの酸化物、水酸化
物、無機酸塩、有機酸塩あるいは錯化合物等が使用さ
れ、具体的には例えば、二酸化ルテニウム、四酸化ルテ
ニウム、二水酸化ルテニウム、塩化ルテニウム、臭化ル
テニウム、ヨウ化ルテニウム、硝酸ルテニウム、酢酸ル
テニウム、トリス(アセチルアセトン)ルテニウム、ヘ
キサクロロルテニウム酸ナトリウム、テトラカルボニル
ルテニウム酸ジカリウム、ペンタカルボニルルテニウ
ム、シクロペンタジエニルジカルボニルルテニウム、ジ
ブロモトリカルボニルルテニウム、クロロトリス(トリ
フェニルホスフィン)ヒドリドルテニウム、ビス(トリ
−n−ブチルホスフィン)トリカルボニルルテニウム、
ドデカカルボニルトリルテニウム、テトラヒドリドデカ
カルボニルテトラルテニウム、オクタデカカルボニルヘ
キサルテニウム酸ジセシウム、ウンデカカルボニルヒド
リドトリルテニウム酸テトラフェニルホスホニウム等が
挙げられる。
これらの金属ルテニウム及びルテニウム化合物の使用量
は、反応液中の濃度が反応溶液1リットル中のルテニウ
ムとして0.0001〜100モル、好ましくは0.001〜10モルと
なる量である。
は、反応液中の濃度が反応溶液1リットル中のルテニウ
ムとして0.0001〜100モル、好ましくは0.001〜10モルと
なる量である。
本発明の方法においては、ルテニウム触媒とともに有機
ホスフィンの使用が、必須要件であって、このものは主
触媒であるルテニウムの電子状態を制御したり、ルテニ
ウムの活性状態を安定化するのに寄与するものと考えら
れる。かかる有機ホスフィンの具体例としては、トリ−
n−ブチルホスフィン、ジメチル−n−オクチルホスフ
ィン等のトリアルキルホスフィン類、トリシクロヘキシ
ルホスフィン等のトリシクロアルキルホスフィン類、ト
リフェニルホスフィン等のトリアリールホスフィン類、
ジメチルフェニルホスフィン等のアルキルアリールホス
フィン類、1,2−ビス(ジフェニルホスフィノ)エタン
等の多官能性ホスフィン類等が挙げられる。
ホスフィンの使用が、必須要件であって、このものは主
触媒であるルテニウムの電子状態を制御したり、ルテニ
ウムの活性状態を安定化するのに寄与するものと考えら
れる。かかる有機ホスフィンの具体例としては、トリ−
n−ブチルホスフィン、ジメチル−n−オクチルホスフ
ィン等のトリアルキルホスフィン類、トリシクロヘキシ
ルホスフィン等のトリシクロアルキルホスフィン類、ト
リフェニルホスフィン等のトリアリールホスフィン類、
ジメチルフェニルホスフィン等のアルキルアリールホス
フィン類、1,2−ビス(ジフェニルホスフィノ)エタン
等の多官能性ホスフィン類等が挙げられる。
これらの有機ホスフィンの使用量は、主触媒のルテニウ
ム1モルに対して0.1〜1000モル、好ましくは1〜100モ
ルの範囲である。また、これらの有機ホスフィンは、そ
れ自体単独で又はルテニウム触媒との複合体の形で、反
応系に供給することが可能である。
ム1モルに対して0.1〜1000モル、好ましくは1〜100モ
ルの範囲である。また、これらの有機ホスフィンは、そ
れ自体単独で又はルテニウム触媒との複合体の形で、反
応系に供給することが可能である。
また、本発明においては、水素化反応主触媒のルテニウ
ム触媒に対する付加的促進剤として、周期律表第IVA、V
A、IIIB族からなる群から選ばれる金属化合物を用いる
が、それによって、該主触媒の長所を生かして比較的温
和な条件下で水素化反応を進行させることができるうえ
に、特に、水素化触媒活性の向上、活性安定性および日
的生成物の選択性の向上が図られる。
ム触媒に対する付加的促進剤として、周期律表第IVA、V
A、IIIB族からなる群から選ばれる金属化合物を用いる
が、それによって、該主触媒の長所を生かして比較的温
和な条件下で水素化反応を進行させることができるうえ
に、特に、水素化触媒活性の向上、活性安定性および日
的生成物の選択性の向上が図られる。
周期律表第IVA、VA、IIIB族からなる群から選ばれる金
属としては、 第IVA族:チタン、ジルコニウム、ハフニウム 第VA族:バナジウム、ニオブ、タンタル 第IIIB娘:ホウ素、アルミニウム、ガリウム、インジウ
ム、タリウム が挙げられる。これらのうち、チタン、ジルコニウム、
バナジウムが好ましく特にジルコニウム、バナジウムが
好ましい。これらの金属化合物としては、カルボン酸
塩、硝酸塩、ハロゲン化物、オキソハロゲン化物、硫酸
塩、水酸化物、炭酸塩、シユウ酸塩、リン酸塩、クロム
酸塩、ケイ酸塩、シアン化合物、酸化物、金属アルコキ
シド、アセチルアセトン塩あるは有機金属化合物等が挙
げられるが、なかでも、溶解性、熱安定性を考慮して、
金属ハロゲン化物、金属アルコキシド、アセチルアセト
ン塩、カルボン酸塩、水酸化物または酸化物の形で添加
することが好ましい。
属としては、 第IVA族:チタン、ジルコニウム、ハフニウム 第VA族:バナジウム、ニオブ、タンタル 第IIIB娘:ホウ素、アルミニウム、ガリウム、インジウ
ム、タリウム が挙げられる。これらのうち、チタン、ジルコニウム、
バナジウムが好ましく特にジルコニウム、バナジウムが
好ましい。これらの金属化合物としては、カルボン酸
塩、硝酸塩、ハロゲン化物、オキソハロゲン化物、硫酸
塩、水酸化物、炭酸塩、シユウ酸塩、リン酸塩、クロム
酸塩、ケイ酸塩、シアン化合物、酸化物、金属アルコキ
シド、アセチルアセトン塩あるは有機金属化合物等が挙
げられるが、なかでも、溶解性、熱安定性を考慮して、
金属ハロゲン化物、金属アルコキシド、アセチルアセト
ン塩、カルボン酸塩、水酸化物または酸化物の形で添加
することが好ましい。
かかる周期律表第IVA、VA、IIIB族金属化合物の具体例
としては、四塩化チタン、チタンテトラエトキシド、チ
タンテトライソプロキシド、チタンテトラブトキシド、
シュウ酸チタンアンモニウム、チタニルアセチルアセト
ナート、水酸化チタン等のチタン化合物;ジルコニルジ
クロライド、四塩化ジルコニウム、ジルコニウムアセチ
ルアセトナート、炭酸ジルコニウム、ナフテン酸ジルコ
ニウム、ジルコニウムオクテート、ジシクロペンタジエ
ンジルコニウムジメトキシド、ジシクロペンタジエンジ
ルコニウムジエトキシド、ジルコノセン、テトラブトキ
シジルコニウム、テトラエトキシジルコニウム、オキシ
酢酸ジルコニウム、オキシステアリン酸ジルコニウム、
リン酸ジルコニウム、オキシ硝酸ジルコニウム、硫酸ジ
ルコニウム、ジシクロペンタジエンジルコニウムジカル
ボニル等のジルコニウム化合物;塩化ハフニウム、テト
ラメトキシハフニウム、テトラエトキシハフニウム、ジ
シクロペンタジエンハフニウムジカルボニル、テトラベ
ンジルハフニウム、テトラシクロペンタジエンハフニウ
ム等のハウニウム化合物;塩化バナジル、バナジウムア
セチルアセトナート、硝酸バナジル、硫酸バナジル、バ
ナジルアセチルアセトナート、シュウ酸バナジル、メタ
バナジン酸アンモニウム、バナジウムヘキサカルボニル
等のバナジウム化合物;塩化ニオブ、酸化ニオブ、ジシ
クロペンタジエントリヒドリドニオブ、ニオビウムオキ
シドエトキシド、ニオビウムペンタメトキシド、ニオビ
ウムペンタイソプロキシド等のニオブ化合物;塩化タン
タル、酸化タンタル、タンタルペンタメトキシド、タン
タルペンタイソプロキシド、シクロペンタジエニルテト
ラカルボニルタンタル、ビスシクロペンタジエニルトリ
メチルタンタル、ペンタベンジルタンタル等のタンタル
化合物;三塩化ホウ素、トリメトキシホウ素、トリフェ
ノキシホウ素、ホウ酸、酸化ホウ素、オルトホウ酸、ピ
ロホウ酸、メタホウ酸、メチルボロン酸、フェニルボロ
ン酸、ジフェニルボリン酸、トリフェニルボラン、トリ
シクロヘキシルボラン、テトラエチルジボラン、ジメチ
ル(ジメチルアミノ)ボラン、ボラジン、トリエチルボ
ロキシン、トリシクロヘキシルボロキシン、トリフェニ
ルボロキシン、テトラフェニルホウ酸ナトリウム、テト
ラフェニルホウ酸アンモニウム、アンモニウムテトラオ
キソホウ酸等のホウ素化合物;塩化アルミニウム、トリ
エトキシアルミニウム、トリブトキシアルミニウム、ト
リエチルアルミニウム、酢酸アルミニウム、アルミニウ
ムアセチルアセトナート、安息香酸アルミニウム、ステ
アリン酸アルミニウム等のアルミニウム化合物;塩化ガ
リウム、ガリウムオキシド、ガリウムトリイソプロキシ
ド、ガリウムイソプロキシアセチルアセトナート、ヒド
ロキシジメチルガリウム、トリメチルガリウム、メトキ
シジメチルガリウム、ジメチルガリウムアセテート等の
ガリウム化合物;塩化インジウム、インジウムトリメト
キシド、インジウムトリイソプロキシド、トリイソプロ
ピルインジウム、トリメチルインジウム、フェニルイン
ジウムジアセテート等のインジウム化合物;塩化タリウ
ム、メチルオキソタリウム、ヒドロキシジメチルタリウ
ム、メタンスルホネートジメチルタリウム、トリメチル
タリウム、水酸化タリウム、炭酸タリウム、酢酸タリウ
ム、メチルタリウムジアセテート、トリエトキシタリウ
ム、ブトキシジメチルタリウム、ジエチルアミノジメチ
ルタリウム、ジメチルタリウムアセチルアセトナート等
のタリウム化合物が挙げられる。これらの金属化合物の
使用量は、主触媒中のルテニウム1モル当り0.01〜1000
モル、好ましくは0.1〜100モル、さらに好ましくは0.5
〜20モルである。
としては、四塩化チタン、チタンテトラエトキシド、チ
タンテトライソプロキシド、チタンテトラブトキシド、
シュウ酸チタンアンモニウム、チタニルアセチルアセト
ナート、水酸化チタン等のチタン化合物;ジルコニルジ
クロライド、四塩化ジルコニウム、ジルコニウムアセチ
ルアセトナート、炭酸ジルコニウム、ナフテン酸ジルコ
ニウム、ジルコニウムオクテート、ジシクロペンタジエ
ンジルコニウムジメトキシド、ジシクロペンタジエンジ
ルコニウムジエトキシド、ジルコノセン、テトラブトキ
シジルコニウム、テトラエトキシジルコニウム、オキシ
酢酸ジルコニウム、オキシステアリン酸ジルコニウム、
リン酸ジルコニウム、オキシ硝酸ジルコニウム、硫酸ジ
ルコニウム、ジシクロペンタジエンジルコニウムジカル
ボニル等のジルコニウム化合物;塩化ハフニウム、テト
ラメトキシハフニウム、テトラエトキシハフニウム、ジ
シクロペンタジエンハフニウムジカルボニル、テトラベ
ンジルハフニウム、テトラシクロペンタジエンハフニウ
ム等のハウニウム化合物;塩化バナジル、バナジウムア
セチルアセトナート、硝酸バナジル、硫酸バナジル、バ
ナジルアセチルアセトナート、シュウ酸バナジル、メタ
バナジン酸アンモニウム、バナジウムヘキサカルボニル
等のバナジウム化合物;塩化ニオブ、酸化ニオブ、ジシ
クロペンタジエントリヒドリドニオブ、ニオビウムオキ
シドエトキシド、ニオビウムペンタメトキシド、ニオビ
ウムペンタイソプロキシド等のニオブ化合物;塩化タン
タル、酸化タンタル、タンタルペンタメトキシド、タン
タルペンタイソプロキシド、シクロペンタジエニルテト
ラカルボニルタンタル、ビスシクロペンタジエニルトリ
メチルタンタル、ペンタベンジルタンタル等のタンタル
化合物;三塩化ホウ素、トリメトキシホウ素、トリフェ
ノキシホウ素、ホウ酸、酸化ホウ素、オルトホウ酸、ピ
ロホウ酸、メタホウ酸、メチルボロン酸、フェニルボロ
ン酸、ジフェニルボリン酸、トリフェニルボラン、トリ
シクロヘキシルボラン、テトラエチルジボラン、ジメチ
ル(ジメチルアミノ)ボラン、ボラジン、トリエチルボ
ロキシン、トリシクロヘキシルボロキシン、トリフェニ
ルボロキシン、テトラフェニルホウ酸ナトリウム、テト
ラフェニルホウ酸アンモニウム、アンモニウムテトラオ
キソホウ酸等のホウ素化合物;塩化アルミニウム、トリ
エトキシアルミニウム、トリブトキシアルミニウム、ト
リエチルアルミニウム、酢酸アルミニウム、アルミニウ
ムアセチルアセトナート、安息香酸アルミニウム、ステ
アリン酸アルミニウム等のアルミニウム化合物;塩化ガ
リウム、ガリウムオキシド、ガリウムトリイソプロキシ
ド、ガリウムイソプロキシアセチルアセトナート、ヒド
ロキシジメチルガリウム、トリメチルガリウム、メトキ
シジメチルガリウム、ジメチルガリウムアセテート等の
ガリウム化合物;塩化インジウム、インジウムトリメト
キシド、インジウムトリイソプロキシド、トリイソプロ
ピルインジウム、トリメチルインジウム、フェニルイン
ジウムジアセテート等のインジウム化合物;塩化タリウ
ム、メチルオキソタリウム、ヒドロキシジメチルタリウ
ム、メタンスルホネートジメチルタリウム、トリメチル
タリウム、水酸化タリウム、炭酸タリウム、酢酸タリウ
ム、メチルタリウムジアセテート、トリエトキシタリウ
ム、ブトキシジメチルタリウム、ジエチルアミノジメチ
ルタリウム、ジメチルタリウムアセチルアセトナート等
のタリウム化合物が挙げられる。これらの金属化合物の
使用量は、主触媒中のルテニウム1モル当り0.01〜1000
モル、好ましくは0.1〜100モル、さらに好ましくは0.5
〜20モルである。
ルテニウム触媒の付加的な促進剤として、更にpkaが2
より小さい酸の共役塩基を用いることによって、水素化
触媒活性の向上、活性安定性及び目的生成物の選択性の
向上をはかることができる。
より小さい酸の共役塩基を用いることによって、水素化
触媒活性の向上、活性安定性及び目的生成物の選択性の
向上をはかることができる。
pkaが2よりも小さい酸の共役塩基としては触媒調製中
又は反応系中においてかかる共役塩基を生成するもので
あればよく、その供給形態としてはpkaが2より小さい
ブレンステット酸あるいはかかる酸の各種の塩等が用い
られる。具体的には硝酸、過塩素酸、ホウフッ化水素
酸、ヘキサフルオロ燐酸、フルオロスルホン酸等の無機
酸類、トリクロロ酢酸、ジクロロ酢酸、トリフルオロ酢
酸等のハロゲンカルボン酸、メタンスルホン酸、ドデシ
ルスルホン酸、オクタデシルスルホン酸、トリフルオロ
メタンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、p−トルエン
スルホン酸等の有機スルホン酸、スルホン化スチレン−
ジビニルベンゼン共重合体等の有機酸類等のブレンステ
ッド酸もしくはこれらの酸のアルカリ金属塩、アルカリ
土類金属塩、アンモニウム塩、銀塩等が挙げられ、特に
有機スルホン酸が好ましい。
又は反応系中においてかかる共役塩基を生成するもので
あればよく、その供給形態としてはpkaが2より小さい
ブレンステット酸あるいはかかる酸の各種の塩等が用い
られる。具体的には硝酸、過塩素酸、ホウフッ化水素
酸、ヘキサフルオロ燐酸、フルオロスルホン酸等の無機
酸類、トリクロロ酢酸、ジクロロ酢酸、トリフルオロ酢
酸等のハロゲンカルボン酸、メタンスルホン酸、ドデシ
ルスルホン酸、オクタデシルスルホン酸、トリフルオロ
メタンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、p−トルエン
スルホン酸等の有機スルホン酸、スルホン化スチレン−
ジビニルベンゼン共重合体等の有機酸類等のブレンステ
ッド酸もしくはこれらの酸のアルカリ金属塩、アルカリ
土類金属塩、アンモニウム塩、銀塩等が挙げられ、特に
有機スルホン酸が好ましい。
又、これらの酸の共役塩基が反応系で生成すると考えら
れる酸誘導体の形で添加してもさしつかえない。例えば
酸ハロゲン化物、酸無水物、エステル、酸アミド等の形
で反応系に添加しても同様の効果が期待される。
れる酸誘導体の形で添加してもさしつかえない。例えば
酸ハロゲン化物、酸無水物、エステル、酸アミド等の形
で反応系に添加しても同様の効果が期待される。
これら酸あるいはその塩の使用量は、ルテニウム1モル
に対して0.01〜1000モル、好ましくは0.1〜100モル更に
好ましくは0.5〜20モルの範囲である。
に対して0.01〜1000モル、好ましくは0.1〜100モル更に
好ましくは0.5〜20モルの範囲である。
本発明の方法は、溶媒の不存在下に、すなわち反応原料
あるいは反応生成物そのものを溶媒として実施すること
もできるが、それら以外の溶媒を使用することもでき
る。このような溶媒としては例えば、ジエチルエーテ
ル、アニソール、テトラヒドロフラン、エチレングリコ
ールジエチルエーテル、ジオキサン等のエーテル類、ア
セトン、メチルエチルケトン、アセトフェノン等のケト
ン類、メタノール、エタノール、n−ブタノール、ベン
ジルアルコール、フェノール、エチレングリコール、ジ
エチレングリコール等のアルコール、ギ酸、酢酸、プロ
ピオン酸、トルイル酸等のカルボン酸類、酢酸メチル、
酢酸n−ブチル、安息香酸ベンジル等のエステル類、ベ
ンゼン、トルエン、エチルベンゼン、テトラリン等の芳
香族炭化水素、n−ヘキサン、n−オクタン、シクロヘ
キサン等の脂肪族炭化水素、ジクロロメタン、トリクロ
ロエタン、クロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素、ニ
トロメタン、ニトロベンゼン等のニトロ化合物、N,N−
ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、
N−メチルピロリドン等のカルボン酸アミド、ヘキサメ
チルリン酸トリアミド、N,N,N′,N′−テトラエチルス
ルファミド等のその他のアミド類、N,N′−ジメチルイ
ミダゾリドン、N,N,N,N−テトラメチル尿素等の尿素
類、ジメチルスルホン、テトラメチレンスルホン等のス
ルホン類、ジメチルスルホキシド、ジフェニルスルホキ
シド等のスルホキシド類、γ−ブチロラクトン、ε−カ
プロラクトン等のラクトン類、テトラグライム、18−ク
ラウン−6等のポリエーテル類、アセトニトリル、ベン
ゾニトリル等のニトリル類、ジメチルカーボネート、エ
チレンカーボネート等の炭酸エステル類等である。
あるいは反応生成物そのものを溶媒として実施すること
もできるが、それら以外の溶媒を使用することもでき
る。このような溶媒としては例えば、ジエチルエーテ
ル、アニソール、テトラヒドロフラン、エチレングリコ
ールジエチルエーテル、ジオキサン等のエーテル類、ア
セトン、メチルエチルケトン、アセトフェノン等のケト
ン類、メタノール、エタノール、n−ブタノール、ベン
ジルアルコール、フェノール、エチレングリコール、ジ
エチレングリコール等のアルコール、ギ酸、酢酸、プロ
ピオン酸、トルイル酸等のカルボン酸類、酢酸メチル、
酢酸n−ブチル、安息香酸ベンジル等のエステル類、ベ
ンゼン、トルエン、エチルベンゼン、テトラリン等の芳
香族炭化水素、n−ヘキサン、n−オクタン、シクロヘ
キサン等の脂肪族炭化水素、ジクロロメタン、トリクロ
ロエタン、クロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素、ニ
トロメタン、ニトロベンゼン等のニトロ化合物、N,N−
ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、
N−メチルピロリドン等のカルボン酸アミド、ヘキサメ
チルリン酸トリアミド、N,N,N′,N′−テトラエチルス
ルファミド等のその他のアミド類、N,N′−ジメチルイ
ミダゾリドン、N,N,N,N−テトラメチル尿素等の尿素
類、ジメチルスルホン、テトラメチレンスルホン等のス
ルホン類、ジメチルスルホキシド、ジフェニルスルホキ
シド等のスルホキシド類、γ−ブチロラクトン、ε−カ
プロラクトン等のラクトン類、テトラグライム、18−ク
ラウン−6等のポリエーテル類、アセトニトリル、ベン
ゾニトリル等のニトリル類、ジメチルカーボネート、エ
チレンカーボネート等の炭酸エステル類等である。
本発明の方法により水素化反応を行うためには、反応容
器に反応原料と触媒成分並びに所望により溶媒を装入
し、これに水素を導入すればよい。水素は、窒素や二酸
化炭素等の反応に不活性なガスで希釈されたものであっ
てもよい。
器に反応原料と触媒成分並びに所望により溶媒を装入
し、これに水素を導入すればよい。水素は、窒素や二酸
化炭素等の反応に不活性なガスで希釈されたものであっ
てもよい。
反応原料を装入するに先立って、触媒成分と所望により
溶媒とを反応容器に装入し、水素またはアルゴン雰囲気
下で触媒の熱処理を行うと副生物の生成が少なく選択率
が向上するので好ましい。熱処理は、通常100〜300℃、
好ましくは150〜250℃で少なくとも0.5時間行われる。
溶媒とを反応容器に装入し、水素またはアルゴン雰囲気
下で触媒の熱処理を行うと副生物の生成が少なく選択率
が向上するので好ましい。熱処理は、通常100〜300℃、
好ましくは150〜250℃で少なくとも0.5時間行われる。
反応温度は、通常50〜250℃、好ましくは100〜200℃で
ある。反応系内の水素分圧は、通常0.1〜100kg/cm2、好
ましくは1〜30kg/cm2である。もちろん、さらに低い圧
力又は高い圧力下で実施することも不可能ではないが、
工業的に有利ではない。
ある。反応系内の水素分圧は、通常0.1〜100kg/cm2、好
ましくは1〜30kg/cm2である。もちろん、さらに低い圧
力又は高い圧力下で実施することも不可能ではないが、
工業的に有利ではない。
反応は、回分方式および連続方式のいずれでも実施する
こともできる。回分方式の場合の所要反応時間は通常1
〜20時間である。
こともできる。回分方式の場合の所要反応時間は通常1
〜20時間である。
反応生成液からは、蒸留、抽出等の通常の分離精製手段
により、目的物であるラクトン類を回収することができ
る。また。蒸留残渣は、触媒成分として反応系に循環す
ることができる。
により、目的物であるラクトン類を回収することができ
る。また。蒸留残渣は、触媒成分として反応系に循環す
ることができる。
次に、本発明を実施例により更に詳細に説明するが、本
発明はその要旨を超えない限り以下の実施例に限定され
るものではない。
発明はその要旨を超えない限り以下の実施例に限定され
るものではない。
実施例1 200mlの誘導撹拌機付sus製オートクレーブにルテニウム
アセチルアセトナート0.08gr(0.2mmol)、トリオクチ
ルホスフィン0.74gr(2.0mmol)、p−トルエンスルホ
ン酸0.33gr(1.76mmol)、オキシステアリン酸ジルコニ
ウム2.01gr(3.0mmol)及びテトラエチレングリコール
ジメチルエーテル40mlを仕込み、水素圧20Kg/cm2で200
℃、2時間熱処理をした。その後水素圧を30Kg/cm2に上
げテトラエチレングリコールジメチルエーテルに溶解さ
せた25wt%の無水マレイン酸を液ポンプを用いて24ml/H
rの注入速度でオートクレーブ内に注入し、反応温度200
℃で2時間反応させた。
アセチルアセトナート0.08gr(0.2mmol)、トリオクチ
ルホスフィン0.74gr(2.0mmol)、p−トルエンスルホ
ン酸0.33gr(1.76mmol)、オキシステアリン酸ジルコニ
ウム2.01gr(3.0mmol)及びテトラエチレングリコール
ジメチルエーテル40mlを仕込み、水素圧20Kg/cm2で200
℃、2時間熱処理をした。その後水素圧を30Kg/cm2に上
げテトラエチレングリコールジメチルエーテルに溶解さ
せた25wt%の無水マレイン酸を液ポンプを用いて24ml/H
rの注入速度でオートクレーブ内に注入し、反応温度200
℃で2時間反応させた。
その間オートクレーブ内に注入された無水マレイン酸量
は、12.9gr(132.4mmol)であった。
は、12.9gr(132.4mmol)であった。
反応後、反応液を取り出し分析を行ったところ、無水マ
レイン酸の転化率97.6%、無水コハク酸とγ−ブチロラ
クトンの合計選択率83.4%、プロピオン酸の選択率10.4
%であった。γ−ブチロラクトンの収率は33.9%であっ
た。
レイン酸の転化率97.6%、無水コハク酸とγ−ブチロラ
クトンの合計選択率83.4%、プロピオン酸の選択率10.4
%であった。γ−ブチロラクトンの収率は33.9%であっ
た。
比較例1 オキシステアリン酸ジルコニウムを添加しなかった以外
実施例1と同様の操作を行った。
実施例1と同様の操作を行った。
オートクレーブに装入した無水マレイン酸の量は120gr
(123.2mmol)であった。
(123.2mmol)であった。
反応後分析を行ったところ、無水マレイン酸の転化率9
6.6%、γ−ブチロラクトンと無水コハク酸の合計選択
率44.4%であった。50.8%の選択率でプロピオン酸が副
生していた。γ−ブチロラクトンの収率は5.2%であっ
た。
6.6%、γ−ブチロラクトンと無水コハク酸の合計選択
率44.4%であった。50.8%の選択率でプロピオン酸が副
生していた。γ−ブチロラクトンの収率は5.2%であっ
た。
実施例2〜4 オキシステアリン酸ジルコニウム2.01gの代りに第1表
に示す金属の化合物を用いた以外は、実施例1と同様に
行った。その結果を第1表に示す。
に示す金属の化合物を用いた以外は、実施例1と同様に
行った。その結果を第1表に示す。
実施例5 200mlの誘導撹拌機付SUS製オートクレーブにルテニウム
アセチルアセトナート0.08gr(2.0mmol)、トリオクチ
ルホスフィン0.74gr(2.0mmol)、p−トルエンスルホ
ン酸0.33gr(1.76mmol)、オキシステアリン酸ジルコニ
ウム2.01gr(3.0mmol)及びテトラエチレングリコール
ジメチルエーテル64mlを仕込み、水素圧20Kg/cm2で200
℃2時間熱処理をした。
アセチルアセトナート0.08gr(2.0mmol)、トリオクチ
ルホスフィン0.74gr(2.0mmol)、p−トルエンスルホ
ン酸0.33gr(1.76mmol)、オキシステアリン酸ジルコニ
ウム2.01gr(3.0mmol)及びテトラエチレングリコール
ジメチルエーテル64mlを仕込み、水素圧20Kg/cm2で200
℃2時間熱処理をした。
オートクレーブを冷却してアルゴン雰囲下でオートクレ
ーブを開け、無水コハク酸16g(160mmol)を加えて水素
圧30Kg/cm2、200℃で2時間反応を行った。
ーブを開け、無水コハク酸16g(160mmol)を加えて水素
圧30Kg/cm2、200℃で2時間反応を行った。
反応後、反応液を取り出し分析を行ったところ、無水コ
ハク酸の転化率74.0%、γ−ブチロラクトンの選択率9
4.5%であった。
ハク酸の転化率74.0%、γ−ブチロラクトンの選択率9
4.5%であった。
本発明によれば、ジカルボン酸、ジカルボン酸無水物及
び/又はジカルボン酸エステルを水素化してラケトン類
を製造するに際し、本発明のルテニウム、有機ホスフィ
ン、周期律表第IVA、VA、IIIB族からなる群から選ばれ
る金属の化合物及びpkaが2より小さい酸の共役塩基を
触媒として液相で反応を行なうことにり、従来法に比し
て温和な条件で収率良く、かつ高い選択率で目的とする
ラクトン類を得ることができる。
び/又はジカルボン酸エステルを水素化してラケトン類
を製造するに際し、本発明のルテニウム、有機ホスフィ
ン、周期律表第IVA、VA、IIIB族からなる群から選ばれ
る金属の化合物及びpkaが2より小さい酸の共役塩基を
触媒として液相で反応を行なうことにり、従来法に比し
て温和な条件で収率良く、かつ高い選択率で目的とする
ラクトン類を得ることができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 C07B 61/00 300
Claims (2)
- 【請求項1】触媒の存在下にジカルボン酸、ジカルボン
酸無水物及び/またはジカルボン酸エステルを水素化し
てラクトンを製造する方法において、 ルテニウム 有機ホスフィン 周期律表第IVA、VA及びIIIB族からなる群から選ば
れる金属の化合物 pkaが2より小さい酸の共役塩基 を含有する触媒の存在下に、液相で水素化反応を行うこ
とを特徴とするラクトンの製造方法。 - 【請求項2】触媒の存在下にジカルボン酸骨格の炭素数
が4のジカルボン酸、ジカルボン酸無水物及び/または
そのエステルを水素化してγ−ブチロラクトンを製造す
る方法において、 ルテニウム 有機ホスフィン チタン、ジルコニウム及びバナジウムから選ばれる
金属の化合物 pkaが2より小さい有機スルホン酸 を含有する触媒の存在下に、液相で水素化反応を行うこ
とを特徴とするγ−ブチロラクトンの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63046701A JPH0778055B2 (ja) | 1988-02-29 | 1988-02-29 | ラクトンの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63046701A JPH0778055B2 (ja) | 1988-02-29 | 1988-02-29 | ラクトンの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01221373A JPH01221373A (ja) | 1989-09-04 |
| JPH0778055B2 true JPH0778055B2 (ja) | 1995-08-23 |
Family
ID=12754672
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63046701A Expired - Lifetime JPH0778055B2 (ja) | 1988-02-29 | 1988-02-29 | ラクトンの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0778055B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2516836B2 (ja) * | 1989-10-04 | 1996-07-24 | 三菱化学株式会社 | ラクトン類の製造法 |
| KR100352031B1 (ko) * | 2000-05-12 | 2002-09-11 | 애경유화 주식회사 | 감마-부티로락톤의 제조방법 |
-
1988
- 1988-02-29 JP JP63046701A patent/JPH0778055B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01221373A (ja) | 1989-09-04 |
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