JPH0778506A - 導電性ペースト - Google Patents
導電性ペーストInfo
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- JPH0778506A JPH0778506A JP22355193A JP22355193A JPH0778506A JP H0778506 A JPH0778506 A JP H0778506A JP 22355193 A JP22355193 A JP 22355193A JP 22355193 A JP22355193 A JP 22355193A JP H0778506 A JPH0778506 A JP H0778506A
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Landscapes
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- Conductive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 厚膜の導電性被膜として使用したときに、そ
の導電性被膜のエレクトロマイグレーションを防止で
き、しかもセラミック電子部品の電気特性が劣化するこ
とのない安価な導電性ペーストを提供する。 【構成】 セラミックに塗布、焼付けする導電性ペース
トにおいて、導電成分としてＭｏ、Ｗの少なくとも一種
類以上とＡｇとを含有することを特徴とする。
の導電性被膜のエレクトロマイグレーションを防止で
き、しかもセラミック電子部品の電気特性が劣化するこ
とのない安価な導電性ペーストを提供する。 【構成】 セラミックに塗布、焼付けする導電性ペース
トにおいて、導電成分としてＭｏ、Ｗの少なくとも一種
類以上とＡｇとを含有することを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、セラミック電子部品の
導電性被膜を形成する導電性ペーストに関する。
導電性被膜を形成する導電性ペーストに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、厚膜用の導電性ペーストとして
は、Ａｇの導電粉末に低融点のガラスフリットおよび有
機ビヒクルを加えた導電性Ａｇペーストが用いられてい
た。そして、この種の導電性ペーストをセラミック基板
あるいはセラミック部品等に印刷または塗布し、そのあ
と乾燥、焼付けして有機物を除去し、導電成分とガラス
フリットからなる厚膜の導電性被膜を形成していた。し
かしながら、Ａｇを導電成分とする被膜は、高温多湿の
環境のもとで電圧が印加されると、Ａｇのエレクトロマ
イグレーションがおこり、対向する電極間で短絡が生じ
やすかった。このため、このような環境で使用される場
合には、Ａｇと比較してエレクトロマイグレーションの
起こりにくいＰｄ、Ａｕ、Ｐｔ等の貴金属を単独または
混合して導電性Ａｇペーストに添加することが行われて
いた。また、焼付けたＡｇ被膜の上にＮｉ−Ｓｎ、はん
だ等を電気めっきしてＡｇのエレクトロマイグレーショ
ンを抑えることも行われていた。
は、Ａｇの導電粉末に低融点のガラスフリットおよび有
機ビヒクルを加えた導電性Ａｇペーストが用いられてい
た。そして、この種の導電性ペーストをセラミック基板
あるいはセラミック部品等に印刷または塗布し、そのあ
と乾燥、焼付けして有機物を除去し、導電成分とガラス
フリットからなる厚膜の導電性被膜を形成していた。し
かしながら、Ａｇを導電成分とする被膜は、高温多湿の
環境のもとで電圧が印加されると、Ａｇのエレクトロマ
イグレーションがおこり、対向する電極間で短絡が生じ
やすかった。このため、このような環境で使用される場
合には、Ａｇと比較してエレクトロマイグレーションの
起こりにくいＰｄ、Ａｕ、Ｐｔ等の貴金属を単独または
混合して導電性Ａｇペーストに添加することが行われて
いた。また、焼付けたＡｇ被膜の上にＮｉ−Ｓｎ、はん
だ等を電気めっきしてＡｇのエレクトロマイグレーショ
ンを抑えることも行われていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
エレクトロマイグレーションを防止するためのＰｄ、Ａ
ｕ、Ｐｔ等の貴金属を導電性Ａｇペーストに添加する方
法は、これら添加する貴金属が高価であり、セラミック
電子部品の製造コストが上がるという問題点を有してい
た。また、焼付けた導電性Ａｇ被膜上にＮｉ−Ｓｎ、は
んだ等を電気めっきする方法は、種々のイオンを含有す
るめっき液がセラミック電子部品素子の内部に侵入し
て、セラミック電子部品の電気特性が劣化する場合があ
るという問題点を有していた。
エレクトロマイグレーションを防止するためのＰｄ、Ａ
ｕ、Ｐｔ等の貴金属を導電性Ａｇペーストに添加する方
法は、これら添加する貴金属が高価であり、セラミック
電子部品の製造コストが上がるという問題点を有してい
た。また、焼付けた導電性Ａｇ被膜上にＮｉ−Ｓｎ、は
んだ等を電気めっきする方法は、種々のイオンを含有す
るめっき液がセラミック電子部品素子の内部に侵入し
て、セラミック電子部品の電気特性が劣化する場合があ
るという問題点を有していた。
【０００４】そこで、本発明の目的は、厚膜の導電性被
膜として使用したときに、その導電性被膜のエレクトロ
マイグレーションを防止でき、しかもセラミック電子部
品の電気特性が劣化することのない安価な導電性ペース
トを提供することにある。
膜として使用したときに、その導電性被膜のエレクトロ
マイグレーションを防止でき、しかもセラミック電子部
品の電気特性が劣化することのない安価な導電性ペース
トを提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の導電性ペーストは、セラミックに塗布、焼
付けする厚膜用導電性ペーストにおいて、導電成分とし
てＭｏ、Ｗの少なくとも一種類以上とＡｇとを含有する
ことを特徴とする。
め、本発明の導電性ペーストは、セラミックに塗布、焼
付けする厚膜用導電性ペーストにおいて、導電成分とし
てＭｏ、Ｗの少なくとも一種類以上とＡｇとを含有する
ことを特徴とする。
【０００６】
【作用】本発明の導電性ペーストをセラミック基板ある
いはセラミック部品等に印刷または塗布して焼付けた導
電性被膜においては、含有するＭｏあるいはＷにより、
高温多湿の環境のもとで電圧が印加された場合のＡｇの
エレクトロマイグレーションが抑制される。そして、ペ
ーストを焼付けて導電性被膜を形成する方式のため、め
っき処理の場合に見られためっき液のセラミック電子部
品素子の内部への侵入は全くない。
いはセラミック部品等に印刷または塗布して焼付けた導
電性被膜においては、含有するＭｏあるいはＷにより、
高温多湿の環境のもとで電圧が印加された場合のＡｇの
エレクトロマイグレーションが抑制される。そして、ペ
ーストを焼付けて導電性被膜を形成する方式のため、め
っき処理の場合に見られためっき液のセラミック電子部
品素子の内部への侵入は全くない。
【０００７】
【実施例】以下、本発明の導電性ペーストの実施例を説
明する。まず、表１に示す本発明の導電性ペースト７種
類を以下の通り作製した。即ち、５６〜１４重量％のＡ
ｇ粉末と、１４〜５６重量％のＭｏ粉末または１４〜５
６重量％のＷ粉末と、２重量％の硼珪酸鉛系ガラスフリ
ット、およびエチルセルロース樹脂をブチルカルビトー
ルに溶解した２８重量％の有機ビヒクルとを混合し、三
本ロールで混練してペーストとした。
明する。まず、表１に示す本発明の導電性ペースト７種
類を以下の通り作製した。即ち、５６〜１４重量％のＡ
ｇ粉末と、１４〜５６重量％のＭｏ粉末または１４〜５
６重量％のＷ粉末と、２重量％の硼珪酸鉛系ガラスフリ
ット、およびエチルセルロース樹脂をブチルカルビトー
ルに溶解した２８重量％の有機ビヒクルとを混合し、三
本ロールで混練してペーストとした。
【０００８】同様に、表１に示すように比較例として、
７０重量％のＡｇ粉末と、２重量％の硼珪酸鉛系ガラス
フリット、およびエチルセルロース樹脂をブチルカルビ
トールに溶解した２８重量％の有機ビヒクルとを混合
し、三本ロールで混練してペーストを作製した。
７０重量％のＡｇ粉末と、２重量％の硼珪酸鉛系ガラス
フリット、およびエチルセルロース樹脂をブチルカルビ
トールに溶解した２８重量％の有機ビヒクルとを混合
し、三本ロールで混練してペーストを作製した。
【０００９】次に、アルミナ基板上に、作製した導電性
ペーストそれぞれを長方形状のパターンにスクリーン印
刷し乾燥させた後、７５０〜８５０℃で焼付けして導電
性被膜を形成した。その後、この導電性被膜の抵抗およ
び寸法を測定して比抵抗を算出した。その値を表１に示
す。
ペーストそれぞれを長方形状のパターンにスクリーン印
刷し乾燥させた後、７５０〜８５０℃で焼付けして導電
性被膜を形成した。その後、この導電性被膜の抵抗およ
び寸法を測定して比抵抗を算出した。その値を表１に示
す。
【００１０】一方、各導電性ペーストについて耐エレク
トロマイグレーション試験を行った。以下、図１に示す
試料および試験回路に基づき説明する。同図において、
１はアルミナ基板上に対向電極パターンＡ、Ｂを形成し
た試料であり、２は対向電極パターンＡ、Ｂ間に滴下し
た純水である。３は試料１の対向電極Ａ、Ｂ間に電圧を
印加する直流定電圧電源、４は対向電極Ａ、Ｂ間に流れ
る電流を抵抗Ｒにかかる電圧として検出する直流電圧計
である。
トロマイグレーション試験を行った。以下、図１に示す
試料および試験回路に基づき説明する。同図において、
１はアルミナ基板上に対向電極パターンＡ、Ｂを形成し
た試料であり、２は対向電極パターンＡ、Ｂ間に滴下し
た純水である。３は試料１の対向電極Ａ、Ｂ間に電圧を
印加する直流定電圧電源、４は対向電極Ａ、Ｂ間に流れ
る電流を抵抗Ｒにかかる電圧として検出する直流電圧計
である。
【００１１】耐エレクトロマイグレーション試験は以下
の通り実施した。まず、作製した各導電性ペーストを、
スクリーン印刷にてアルミナ基板の上に印刷し乾燥させ
た後、焼付けして対向電極パターンＡおよびＢを形成し
て、試料１を作製した。ここにおいて、対向電極パター
ンＡとＢの間隔Ｇは２ｍｍとした。その後、この試料の
対向電極パターンＡおよびＢを直流定電圧電源３と接続
し、対向電極パターンＡとＢの間に純水２を滴下した
後、スイッチＳを閉じて５Ｖの直流電圧を６０分間継続
印加し、その間、抵抗Ｒの両端にかかる電圧の変動を測
定した。電圧印加後の抵抗Ｒの両端にかかる電圧は、試
料１の対向電極パターンＡとＢ間でＡｇのエレクトロマ
イグレーションが発生して短絡が生じると急に大きくな
る。この電圧変動の有無でエレクトロマイグレーション
発生の有無を判定した。その結果を表１に示す。
の通り実施した。まず、作製した各導電性ペーストを、
スクリーン印刷にてアルミナ基板の上に印刷し乾燥させ
た後、焼付けして対向電極パターンＡおよびＢを形成し
て、試料１を作製した。ここにおいて、対向電極パター
ンＡとＢの間隔Ｇは２ｍｍとした。その後、この試料の
対向電極パターンＡおよびＢを直流定電圧電源３と接続
し、対向電極パターンＡとＢの間に純水２を滴下した
後、スイッチＳを閉じて５Ｖの直流電圧を６０分間継続
印加し、その間、抵抗Ｒの両端にかかる電圧の変動を測
定した。電圧印加後の抵抗Ｒの両端にかかる電圧は、試
料１の対向電極パターンＡとＢ間でＡｇのエレクトロマ
イグレーションが発生して短絡が生じると急に大きくな
る。この電圧変動の有無でエレクトロマイグレーション
発生の有無を判定した。その結果を表１に示す。
【００１２】表１に示す通り、導電成分としてＡｇにＭ
ｏあるいはＷを添加することにより、導電成分がＡｇの
みの場合に発生したＡｇのエレクトロマイグレーション
を防止することができた。また、ＭｏあるいはＷを添加
した導電性被膜の比抵抗は１．８μΩ・ｃｍ〜４．２μ
Ω・ｃｍとＡｇのみの導電性被膜の比抵抗である１．５
μΩ・ｃｍに近い低抵抗が得られた。
ｏあるいはＷを添加することにより、導電成分がＡｇの
みの場合に発生したＡｇのエレクトロマイグレーション
を防止することができた。また、ＭｏあるいはＷを添加
した導電性被膜の比抵抗は１．８μΩ・ｃｍ〜４．２μ
Ω・ｃｍとＡｇのみの導電性被膜の比抵抗である１．５
μΩ・ｃｍに近い低抵抗が得られた。
【００１３】なお、上記実施例において、導電成分はＡ
ｇ−ＭｏまたはＡｇ−Ｗの２成分系であるが、本発明は
これのみに限定されるものではなく、Ａｇ−Ｍｏ−Ｗの
３成分系でも同様の効果を得ることができる。
ｇ−ＭｏまたはＡｇ−Ｗの２成分系であるが、本発明は
これのみに限定されるものではなく、Ａｇ−Ｍｏ−Ｗの
３成分系でも同様の効果を得ることができる。
【００１４】また、上記実施例においては、粉末状のＭ
ｏ、Ｗを用いてＡｇ粉末とともに導電性ペーストを作製
しているが、ＭｏあるいはＷとしては、金属レジネート
等の有機金属を用いても同様の効果を得ることができ
る。
ｏ、Ｗを用いてＡｇ粉末とともに導電性ペーストを作製
しているが、ＭｏあるいはＷとしては、金属レジネート
等の有機金属を用いても同様の効果を得ることができ
る。
【００１５】さらに、導電性ペースト中に添加するガラ
スフリットは、硼珪酸鉛系以外に従来より用いられてい
る硼珪酸ビスマス系等の公知のガラスフリットを用いる
ことができる。
スフリットは、硼珪酸鉛系以外に従来より用いられてい
る硼珪酸ビスマス系等の公知のガラスフリットを用いる
ことができる。
【００１６】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明の
Ｍｏ、Ｗを含有する導電性Ａｇペーストによれば、それ
を印刷あるいは塗付して焼付けることにより、Ａｇ並み
の低抵抗で、かつエレクトロマイグレーションの起こり
にくい導電性被膜を得ることができる。
Ｍｏ、Ｗを含有する導電性Ａｇペーストによれば、それ
を印刷あるいは塗付して焼付けることにより、Ａｇ並み
の低抵抗で、かつエレクトロマイグレーションの起こり
にくい導電性被膜を得ることができる。
【００１７】また、焼付けにより導電性被膜を形成する
ペーストであるため、従来のＮｉ−Ｓｎやはんだ等のめ
っきの場合に見られためっき液のセラミック内部への侵
入もない。したがって、めっき液によるセラミック電子
部品の電気特性の劣化は起こらない。
ペーストであるため、従来のＮｉ−Ｓｎやはんだ等のめ
っきの場合に見られためっき液のセラミック内部への侵
入もない。したがって、めっき液によるセラミック電子
部品の電気特性の劣化は起こらない。
【００１８】さらに、従来Ａｇのエレクトロマイグレー
ションを防止するために添加していたＰｄ，Ａｕ，Ｐｔ
等は高価であるが、本発明でＡｇに加えるＭｏ、Ｗは比
較的安価である。したがって、従来より安価な耐エレク
トロマイグレーションに優れた導電性ペーストを得るこ
とができる。
ションを防止するために添加していたＰｄ，Ａｕ，Ｐｔ
等は高価であるが、本発明でＡｇに加えるＭｏ、Ｗは比
較的安価である。したがって、従来より安価な耐エレク
トロマイグレーションに優れた導電性ペーストを得るこ
とができる。
【００１９】
【表１】
【図１】耐エレクトロマイグレーション試験の試料およ
び試験回路である。
び試験回路である。
Claims (1)
- 【請求項１】 セラミックに塗布、焼付けする導電性ペ
ーストにおいて、導電成分としてＭｏ、Ｗの少なくとも
一種類以上とＡｇとを含有することを特徴とする導電性
ペースト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22355193A JPH0778506A (ja) | 1993-09-08 | 1993-09-08 | 導電性ペースト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22355193A JPH0778506A (ja) | 1993-09-08 | 1993-09-08 | 導電性ペースト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0778506A true JPH0778506A (ja) | 1995-03-20 |
Family
ID=16799936
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22355193A Pending JPH0778506A (ja) | 1993-09-08 | 1993-09-08 | 導電性ペースト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0778506A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2016017239A1 (ja) * | 2014-07-28 | 2016-02-04 | 株式会社村田製作所 | 導電性ペースト、及びガラス物品 |
| WO2017006714A1 (ja) * | 2015-07-03 | 2017-01-12 | 株式会社村田製作所 | 導電性ペースト、及びガラス物品 |
-
1993
- 1993-09-08 JP JP22355193A patent/JPH0778506A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2016017239A1 (ja) * | 2014-07-28 | 2016-02-04 | 株式会社村田製作所 | 導電性ペースト、及びガラス物品 |
| WO2017006714A1 (ja) * | 2015-07-03 | 2017-01-12 | 株式会社村田製作所 | 導電性ペースト、及びガラス物品 |
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