JPH0778508A - 配向性強誘電体薄膜素子の作製方法 - Google Patents
配向性強誘電体薄膜素子の作製方法Info
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- JPH0778508A JPH0778508A JP17089293A JP17089293A JPH0778508A JP H0778508 A JPH0778508 A JP H0778508A JP 17089293 A JP17089293 A JP 17089293A JP 17089293 A JP17089293 A JP 17089293A JP H0778508 A JPH0778508 A JP H0778508A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 光学素子等に利用可能な強誘電体薄膜素子の
作製方法を提供する。 【構成】 有機金属化合物前駆体を単結晶基板上に塗布
して有機金属化合物前駆体の薄膜を形成し、次いで該薄
膜を熱分解処理に続いて結晶化処理を行うことにより、
エピタキシャルまたは高配向であり透明な酸化物強誘電
体薄膜を形成する。有機金属化合物前駆体として、沸点
が８０℃以上である有機化合物と金属との反応生成物で
ある金属アルコキシド類および金属塩類より選ばれる複
数の有機金属化合物の混合物、またはそれらの反応生成
物を使用する。 【効果】 表面が光学的に平滑、かつ透明で、高い屈折
率を持ち、さらに配向性を持つ強誘電体薄膜素子が低コ
ストで得られる。
作製方法を提供する。 【構成】 有機金属化合物前駆体を単結晶基板上に塗布
して有機金属化合物前駆体の薄膜を形成し、次いで該薄
膜を熱分解処理に続いて結晶化処理を行うことにより、
エピタキシャルまたは高配向であり透明な酸化物強誘電
体薄膜を形成する。有機金属化合物前駆体として、沸点
が８０℃以上である有機化合物と金属との反応生成物で
ある金属アルコキシド類および金属塩類より選ばれる複
数の有機金属化合物の混合物、またはそれらの反応生成
物を使用する。 【効果】 表面が光学的に平滑、かつ透明で、高い屈折
率を持ち、さらに配向性を持つ強誘電体薄膜素子が低コ
ストで得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、有機金属化合物を用い
て単結晶基板上に形成された、表面が光学的に平滑かつ
透明で、さらにエピタキシャルまたは高配向性であるた
めに光導波路等の光学素子等に利用可能な強誘電体薄膜
素子の作製方法に関する。
て単結晶基板上に形成された、表面が光学的に平滑かつ
透明で、さらにエピタキシャルまたは高配向性であるた
めに光導波路等の光学素子等に利用可能な強誘電体薄膜
素子の作製方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、強誘電体薄膜は、強誘電体のもつ
強誘電性、圧電性、焦電性、電気光学効果等の多くの性
質により、不揮発性メモリーを始めとして表面弾性波素
子、赤外線焦電素子、音響光学素子、電気光学素子等多
くの応用が期待されている。このなかでも薄膜光導波路
構造を持った第二次高調波素子、光変調素子等の電気光
学素子への応用には、低光損失化と単結晶なみの特性を
得るために単結晶薄膜の作製が不可欠である。そのた
め、ＢａＴｉＯ3 、ＰｂＴｉＯ3 、Ｐｂ1-x Ｌａx（Ｚ
ｒ1-y Ｔｉy ）1-x/4 Ｏ3 （ＰＬＺＴ）、ＬｉＮｂ
Ｏ3 、ＫＮｂＯ3 、Ｂｉ4 Ｔｉ3 Ｏ12等のエピタキシャ
ル強誘電体薄膜を、酸化物単結晶基板上に、高周波−マ
グネトロン・スパッタリング法、イオン・ビーム・スパ
ッタリング法、レーザー・アブレイション法、ＭＯＣＶ
Ｄ法等の方法によって形成することが数多く行われてい
る。これらの方法は装置が非常に高価な上、組成制御の
問題や薄膜の表面性の問題を持ち、成長温度も５００℃
以上の比較的高い温度を必要としている。
強誘電性、圧電性、焦電性、電気光学効果等の多くの性
質により、不揮発性メモリーを始めとして表面弾性波素
子、赤外線焦電素子、音響光学素子、電気光学素子等多
くの応用が期待されている。このなかでも薄膜光導波路
構造を持った第二次高調波素子、光変調素子等の電気光
学素子への応用には、低光損失化と単結晶なみの特性を
得るために単結晶薄膜の作製が不可欠である。そのた
め、ＢａＴｉＯ3 、ＰｂＴｉＯ3 、Ｐｂ1-x Ｌａx（Ｚ
ｒ1-y Ｔｉy ）1-x/4 Ｏ3 （ＰＬＺＴ）、ＬｉＮｂ
Ｏ3 、ＫＮｂＯ3 、Ｂｉ4 Ｔｉ3 Ｏ12等のエピタキシャ
ル強誘電体薄膜を、酸化物単結晶基板上に、高周波−マ
グネトロン・スパッタリング法、イオン・ビーム・スパ
ッタリング法、レーザー・アブレイション法、ＭＯＣＶ
Ｄ法等の方法によって形成することが数多く行われてい
る。これらの方法は装置が非常に高価な上、組成制御の
問題や薄膜の表面性の問題を持ち、成長温度も５００℃
以上の比較的高い温度を必要としている。
【０００３】一方、精密な化学組成制御、分子レベルの
均一性、プロセスの低温化、大面積化、低設備コスト等
の面での利点がある有機金属化合物を用いて強誘電体薄
膜を得る方法が特公昭６２−２７４８２号公報に示され
ているが、この方法では高温での焼成を行っても多結晶
で密度の低い薄膜を得ることしかできなかったため、強
誘電体の分極に基づく物性を充分に生かすことができ
ず、また、例えば光導波路等としては、結晶粒界および
ピンホールによる光の散乱が大きすぎて使用することは
できなかった。図２はその状態を模式的に示すものであ
って、基板１上に結晶粒界２１およびピンホール２２が
存在する強電体薄膜２が形成されている。
均一性、プロセスの低温化、大面積化、低設備コスト等
の面での利点がある有機金属化合物を用いて強誘電体薄
膜を得る方法が特公昭６２−２７４８２号公報に示され
ているが、この方法では高温での焼成を行っても多結晶
で密度の低い薄膜を得ることしかできなかったため、強
誘電体の分極に基づく物性を充分に生かすことができ
ず、また、例えば光導波路等としては、結晶粒界および
ピンホールによる光の散乱が大きすぎて使用することは
できなかった。図２はその状態を模式的に示すものであ
って、基板１上に結晶粒界２１およびピンホール２２が
存在する強電体薄膜２が形成されている。
【０００４】本発明者の一人は、加水分解しない状態の
有機金属化合物としてＬｉおよびＮｂのエトキシド：Ｌ
ｉＯＣ2 Ｈ5 およびＮｂ（ＯＣ2 Ｈ5 ）5 を用いると、
サファイア（Ａｌ2 Ｏ3 ）単結晶基板上に単結晶のＬｉ
ＮｂＯ3 強誘電体薄膜がエピタキシャル成長することを
発見をした（Ｋ． Ｎａｓｈｉｍｏｔｏ ａｎｄ Ｍ．
Ｊ． Ｃｉｍａ： “Ｅｐｉｔａｘｉａｌ ＬｉＮｂ
Ｏ3 Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍｓ Ｐｒｅｐａｒｅｄ ｂｙ
ａ Ｓｏｌ−Ｇｅｌ Ｐｒｏｃｅｓｓ”，Ｍａｔｅ
ｒ． Ｌｅｔｔ． １０， ７， ８ （１９９１）
３４８）。具体的には、エチルアルコールを溶媒とする
Ｌｉ［Ｎｂ（ＯＣ2 Ｈ5 ）6 ］前駆体溶液にＨ2 Ｏを加
えていくと、焼成後ＬｉＮｂＯ3 強誘電体薄膜は配向性
膜から多結晶膜へと変化していくが、Ｈ2 Ｏ量をゼロと
して加水分解をしない前駆体を用いて焼成すると、Ｌｉ
ＮｂＯ3 強誘電体薄膜がわずか４００℃の温度でエピタ
キシャル成長をした。ところで多結晶膜および配向性膜
は、焼成温度４００℃の場合は光学的に平滑な表面を持
っていたが、さらに高温で焼成した際には結晶粒成長と
細孔径成長とにより膜は低密度化した。一方、エピタキ
シャルＬｉＮｂＯ3薄膜は、結晶粒成長後も多結晶膜や
配向性膜と比較して極めて大きなサブ・グレイン（結晶
粒状の構造であるが各結晶粒の方位がほぼまたは完全に
揃っている構造）を持ち、高密度であった。また、この
エピタキシャル薄膜は、多結晶膜や配向性膜と比較して
高い屈折率を示し、他の膜が高温結晶粒成長後に不透明
になったのに対しほぼ透明であった。
有機金属化合物としてＬｉおよびＮｂのエトキシド：Ｌ
ｉＯＣ2 Ｈ5 およびＮｂ（ＯＣ2 Ｈ5 ）5 を用いると、
サファイア（Ａｌ2 Ｏ3 ）単結晶基板上に単結晶のＬｉ
ＮｂＯ3 強誘電体薄膜がエピタキシャル成長することを
発見をした（Ｋ． Ｎａｓｈｉｍｏｔｏ ａｎｄ Ｍ．
Ｊ． Ｃｉｍａ： “Ｅｐｉｔａｘｉａｌ ＬｉＮｂ
Ｏ3 Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍｓ Ｐｒｅｐａｒｅｄ ｂｙ
ａ Ｓｏｌ−Ｇｅｌ Ｐｒｏｃｅｓｓ”，Ｍａｔｅ
ｒ． Ｌｅｔｔ． １０， ７， ８ （１９９１）
３４８）。具体的には、エチルアルコールを溶媒とする
Ｌｉ［Ｎｂ（ＯＣ2 Ｈ5 ）6 ］前駆体溶液にＨ2 Ｏを加
えていくと、焼成後ＬｉＮｂＯ3 強誘電体薄膜は配向性
膜から多結晶膜へと変化していくが、Ｈ2 Ｏ量をゼロと
して加水分解をしない前駆体を用いて焼成すると、Ｌｉ
ＮｂＯ3 強誘電体薄膜がわずか４００℃の温度でエピタ
キシャル成長をした。ところで多結晶膜および配向性膜
は、焼成温度４００℃の場合は光学的に平滑な表面を持
っていたが、さらに高温で焼成した際には結晶粒成長と
細孔径成長とにより膜は低密度化した。一方、エピタキ
シャルＬｉＮｂＯ3薄膜は、結晶粒成長後も多結晶膜や
配向性膜と比較して極めて大きなサブ・グレイン（結晶
粒状の構造であるが各結晶粒の方位がほぼまたは完全に
揃っている構造）を持ち、高密度であった。また、この
エピタキシャル薄膜は、多結晶膜や配向性膜と比較して
高い屈折率を示し、他の膜が高温結晶粒成長後に不透明
になったのに対しほぼ透明であった。
【０００５】しかしながら、昇温速度１０℃／ｍｉｎに
て４００℃の温度で焼成されたエピタキシャルＬｉＮｂ
Ｏ3 強誘電体薄膜は、単結晶状で表面が光学的に平滑で
あるが、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）によって薄膜の断
面を観察すると、数ｎｍ径の細孔を含むことが分かり、
そのため密度が十分に高くはなく、屈折率も単結晶並み
ではなかった。昇温速度１０℃／ｍｉｎにて７００℃の
温度で焼成されたＬｉＮｂＯ3 強誘電体薄膜は、単結晶
状で多結晶膜や配向性膜と比較して極めて大きなサブ・
グレインを持ち高密度で屈折率も単結晶並みであった
が、細孔を若干含み、表面が光学的に平滑ではなく、膜
の透明性も充分ではなかった。図３はその場合を示すも
ので、基板１上に細孔２３を有する強誘電体薄膜２が形
成されている。
て４００℃の温度で焼成されたエピタキシャルＬｉＮｂ
Ｏ3 強誘電体薄膜は、単結晶状で表面が光学的に平滑で
あるが、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）によって薄膜の断
面を観察すると、数ｎｍ径の細孔を含むことが分かり、
そのため密度が十分に高くはなく、屈折率も単結晶並み
ではなかった。昇温速度１０℃／ｍｉｎにて７００℃の
温度で焼成されたＬｉＮｂＯ3 強誘電体薄膜は、単結晶
状で多結晶膜や配向性膜と比較して極めて大きなサブ・
グレインを持ち高密度で屈折率も単結晶並みであった
が、細孔を若干含み、表面が光学的に平滑ではなく、膜
の透明性も充分ではなかった。図３はその場合を示すも
ので、基板１上に細孔２３を有する強誘電体薄膜２が形
成されている。
【０００６】さらに、本発明者らは、表面が光学的に平
滑で透明な配向性強誘電体薄膜を得るための一方法とし
て熱処理温度の異なる膜からなる配向性多層強誘電体薄
膜を提案したが、その他の方法も検討した。また、上記
した熱処理はいずれも、昇温速度が１０℃／ｍｉｎであ
るために、例えば７００℃に至るためには１時間以上の
時間を要するという問題があった。本発明は、従来の技
術における上記した問題点を解消するためになされたも
のであって、その目的は、有機金属化合物を用いて単結
晶基板上に表面が光学的に平滑かつ透明で、さらにエピ
タキシャルまたは高配向性であるために光素子に利用可
能な強誘電体薄膜素子を短時間に低コストで作製する方
法を提供することにある。
滑で透明な配向性強誘電体薄膜を得るための一方法とし
て熱処理温度の異なる膜からなる配向性多層強誘電体薄
膜を提案したが、その他の方法も検討した。また、上記
した熱処理はいずれも、昇温速度が１０℃／ｍｉｎであ
るために、例えば７００℃に至るためには１時間以上の
時間を要するという問題があった。本発明は、従来の技
術における上記した問題点を解消するためになされたも
のであって、その目的は、有機金属化合物を用いて単結
晶基板上に表面が光学的に平滑かつ透明で、さらにエピ
タキシャルまたは高配向性であるために光素子に利用可
能な強誘電体薄膜素子を短時間に低コストで作製する方
法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の上記目的を達成
するため、本発明者等は鋭意研究を重ねた結果、次のよ
うな知見を得て本発明を完成するに至った。すなわち、
沸点が８０℃以上である有機化合物と金属との反応生成
物である有機金属を、特に沸点が８０℃以上である溶媒
に溶解した前駆体を用いると、得られる薄膜が平滑であ
り細孔を抑制できることを発見した。また、加水分解を
しない有機金属化合物前駆体を用いて基板上に形成した
薄膜は、結晶化の前において熱分解が不可欠なことを発
見した。さらにまた、基板上に塗布した膜の高速加熱が
薄膜の平滑化および細孔の抑制に非常に重要であること
を発見し本発明を完成した。すなわち、本発明の配向性
強誘電体薄膜素子の作製方法は、有機金属化合物前駆体
を単結晶基板上に塗布して有機金属化合物前駆体の薄膜
を形成し、次いで該薄膜を熱分解処理に続いて結晶化処
理を行うことにより、エピタキシャルまたは高配向であ
り透明な酸化物強誘電体薄膜を形成することを特徴とす
る。
するため、本発明者等は鋭意研究を重ねた結果、次のよ
うな知見を得て本発明を完成するに至った。すなわち、
沸点が８０℃以上である有機化合物と金属との反応生成
物である有機金属を、特に沸点が８０℃以上である溶媒
に溶解した前駆体を用いると、得られる薄膜が平滑であ
り細孔を抑制できることを発見した。また、加水分解を
しない有機金属化合物前駆体を用いて基板上に形成した
薄膜は、結晶化の前において熱分解が不可欠なことを発
見した。さらにまた、基板上に塗布した膜の高速加熱が
薄膜の平滑化および細孔の抑制に非常に重要であること
を発見し本発明を完成した。すなわち、本発明の配向性
強誘電体薄膜素子の作製方法は、有機金属化合物前駆体
を単結晶基板上に塗布して有機金属化合物前駆体の薄膜
を形成し、次いで該薄膜を熱分解処理に続いて結晶化処
理を行うことにより、エピタキシャルまたは高配向であ
り透明な酸化物強誘電体薄膜を形成することを特徴とす
る。
【０００８】本発明において、有機金属化合物前駆体
は、Ｌｉ、Ｋ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｂｉ、Ｂａ、Ｎａ、Ｓｒ、
Ｐｂ、Ｌａ、Ｔｉ、Ｚｒ等の金属と、好ましくは常圧で
の沸点が８０℃以上である有機化合物との反応生成物で
ある金属アルコキシドおよび金属塩より選ばれる。有機
金属化合物前駆体を単結晶基板上に塗布するためには、
上記有機金属化合物前駆体を溶媒に溶解して得られた塗
布液、または有機金属化合物前駆体を形成するための原
料を溶媒に溶解し、反応させて得られた塗布液が用いら
れる。その場合、溶媒としては、好ましくは常圧で沸点
が８０℃以上である有機化合物を用い、所定の組成にな
るように原料を調整して上記有機金属化合物前駆体が形
成された塗布液を得る。溶媒として使用される常圧で沸
点が８０℃以上である有機化合物としては、アルコール
類、ジケトン類、ケトン酸類、アルキルエステル類、オ
キシ酸類、オキシケトン類、及び酢酸等より選ばれたも
のがあげられる。得られた塗布液は基体上に塗布される
が、その場合、上記有機金属化合物前駆体を加水分解を
した後に塗布をすることが可能であるが、エピタキシャ
ルまたは高配向の強誘電体薄膜を得るためには加水分解
をしないで塗布することが望ましい。沸点が８０℃以上
である溶媒としては、具体的には、金属アルコキシドと
のアルコール交換反応が容易な、例えば（ＣＨ3 ）2 Ｃ
ＨＯＨ（沸点８２．３℃）、ＣＨ3 （Ｃ2 Ｈ5 ）ＣＨＯ
Ｈ（沸点９９．５℃）、（ＣＨ3 ）2 ＣＨＣＨ2 ＯＨ
（沸点１０８℃）、Ｃ4 Ｈ9 ＯＨ（沸点１１７．７
℃）、（ＣＨ3）2 ＣＨＣ2 Ｈ4 ＯＨ（沸点１３０．５
℃）、ＣＨ3 ＯＣＨ2 ＣＨ2 ＯＨ（沸点１２４．５
℃）、Ｃ2 Ｈ5 ＯＣＨ2 ＣＨ2 ＯＨ（沸点１３５℃）、
Ｃ4 Ｈ9 ＯＣＨ2 ＣＨ2 ＯＨ（沸点１７１℃）等のアル
コール類が最も望ましい。
は、Ｌｉ、Ｋ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｂｉ、Ｂａ、Ｎａ、Ｓｒ、
Ｐｂ、Ｌａ、Ｔｉ、Ｚｒ等の金属と、好ましくは常圧で
の沸点が８０℃以上である有機化合物との反応生成物で
ある金属アルコキシドおよび金属塩より選ばれる。有機
金属化合物前駆体を単結晶基板上に塗布するためには、
上記有機金属化合物前駆体を溶媒に溶解して得られた塗
布液、または有機金属化合物前駆体を形成するための原
料を溶媒に溶解し、反応させて得られた塗布液が用いら
れる。その場合、溶媒としては、好ましくは常圧で沸点
が８０℃以上である有機化合物を用い、所定の組成にな
るように原料を調整して上記有機金属化合物前駆体が形
成された塗布液を得る。溶媒として使用される常圧で沸
点が８０℃以上である有機化合物としては、アルコール
類、ジケトン類、ケトン酸類、アルキルエステル類、オ
キシ酸類、オキシケトン類、及び酢酸等より選ばれたも
のがあげられる。得られた塗布液は基体上に塗布される
が、その場合、上記有機金属化合物前駆体を加水分解を
した後に塗布をすることが可能であるが、エピタキシャ
ルまたは高配向の強誘電体薄膜を得るためには加水分解
をしないで塗布することが望ましい。沸点が８０℃以上
である溶媒としては、具体的には、金属アルコキシドと
のアルコール交換反応が容易な、例えば（ＣＨ3 ）2 Ｃ
ＨＯＨ（沸点８２．３℃）、ＣＨ3 （Ｃ2 Ｈ5 ）ＣＨＯ
Ｈ（沸点９９．５℃）、（ＣＨ3 ）2 ＣＨＣＨ2 ＯＨ
（沸点１０８℃）、Ｃ4 Ｈ9 ＯＨ（沸点１１７．７
℃）、（ＣＨ3）2 ＣＨＣ2 Ｈ4 ＯＨ（沸点１３０．５
℃）、ＣＨ3 ＯＣＨ2 ＣＨ2 ＯＨ（沸点１２４．５
℃）、Ｃ2 Ｈ5 ＯＣＨ2 ＣＨ2 ＯＨ（沸点１３５℃）、
Ｃ4 Ｈ9 ＯＣＨ2 ＣＨ2 ＯＨ（沸点１７１℃）等のアル
コール類が最も望ましい。
【０００９】上記塗布液を塗布する基板としては、Ａｌ
2 Ｏ3 、ＭｇＯ、ＳｒＴｉＯ3 、ＺｎＯ等の単結晶基板
が用いられる。塗布は、スピンコート法、ディッピング
法、スプレー法、スクリーン印刷法、インクジェット法
より選ばれた方法にて行うことができる。その後、熱分
解処理を行う。すなわち、酸素を含む雰囲気中、望まし
くは酸素中にて１〜５００℃／秒の昇温速度で基板を急
速加熱し、１００℃〜５００℃の結晶化の起こらない温
度範囲で塗布によって形成された強誘電体薄膜を熱分解
する。この塗布と熱分解を一回以上の所定の回数繰り返
して所望の厚さの薄膜を形成する。
2 Ｏ3 、ＭｇＯ、ＳｒＴｉＯ3 、ＺｎＯ等の単結晶基板
が用いられる。塗布は、スピンコート法、ディッピング
法、スプレー法、スクリーン印刷法、インクジェット法
より選ばれた方法にて行うことができる。その後、熱分
解処理を行う。すなわち、酸素を含む雰囲気中、望まし
くは酸素中にて１〜５００℃／秒の昇温速度で基板を急
速加熱し、１００℃〜５００℃の結晶化の起こらない温
度範囲で塗布によって形成された強誘電体薄膜を熱分解
する。この塗布と熱分解を一回以上の所定の回数繰り返
して所望の厚さの薄膜を形成する。
【００１０】次いで、熱分解された強誘電体薄膜に結晶
化処理を施す。すなわち、酸素を含む雰囲気中で、酸素
を含むまない雰囲気中で、または酸素を含む雰囲気に続
いて酸素を含まない雰囲気中で、１〜５００℃／秒の昇
温速度で基板を急速加熱し、３００℃〜１２００℃の温
度範囲で強誘電体薄膜をエピタキシャルまたは高配向に
て結晶化させる。また、これらの雰囲気としては乾燥し
た雰囲気または強制的に加湿した雰囲気を用いることが
可能である。
化処理を施す。すなわち、酸素を含む雰囲気中で、酸素
を含むまない雰囲気中で、または酸素を含む雰囲気に続
いて酸素を含まない雰囲気中で、１〜５００℃／秒の昇
温速度で基板を急速加熱し、３００℃〜１２００℃の温
度範囲で強誘電体薄膜をエピタキシャルまたは高配向に
て結晶化させる。また、これらの雰囲気としては乾燥し
た雰囲気または強制的に加湿した雰囲気を用いることが
可能である。
【００１１】以上の方法によって得られた強誘電体薄膜
素子は、図１に示すように、単結晶基板上にエピタキシ
ャルまたは高配向であり、密度が高く屈折率も単結晶並
みであり、表面が光学的に平滑な、酸化物強誘電体薄膜
を有するものである。なお、図１において、１は基板、
２は強誘電体薄膜である。本発明において、薄膜を構成
する強誘電体としては、ＢａＴｉＯ3 、ＰｂＴｉＯ3 、
Ｐｂ（Ｚｒ1-x Ｔｉx）Ｏ3 （ＰＺＴ）、Ｐｂ1-x Ｌａ
x （Ｚｒ1-y Ｔｉy ）1-x/4 Ｏ3 （ＰＬＺＴ）、Ｂｉ4
Ｔｉ3 Ｏ12、ＬｉＮｂＯ3 、ＬｉＴａＯ3 、ＫＮｂ
Ｏ3 、Ｐｂ（Ｍｇ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 、（Ｓｒ1-x Ｂａ
x ）Ｎｂ2 Ｏ6 、（Ｐｂ1-x Ｋx ）Ｎｂ2 Ｏ6 、Ｂａ2
ＮａＮｂ5 Ｏ15、Ｐｂ2 ＫＮｂ5 Ｏ15、Ｋ3 Ｌｉ2 Ｎｂ
5 Ｏ15等があげられる。また、酸化物強誘電体薄膜の膜
厚は、０．０１μｍ〜１０μｍの範囲が好ましい。
素子は、図１に示すように、単結晶基板上にエピタキシ
ャルまたは高配向であり、密度が高く屈折率も単結晶並
みであり、表面が光学的に平滑な、酸化物強誘電体薄膜
を有するものである。なお、図１において、１は基板、
２は強誘電体薄膜である。本発明において、薄膜を構成
する強誘電体としては、ＢａＴｉＯ3 、ＰｂＴｉＯ3 、
Ｐｂ（Ｚｒ1-x Ｔｉx）Ｏ3 （ＰＺＴ）、Ｐｂ1-x Ｌａ
x （Ｚｒ1-y Ｔｉy ）1-x/4 Ｏ3 （ＰＬＺＴ）、Ｂｉ4
Ｔｉ3 Ｏ12、ＬｉＮｂＯ3 、ＬｉＴａＯ3 、ＫＮｂ
Ｏ3 、Ｐｂ（Ｍｇ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 、（Ｓｒ1-x Ｂａ
x ）Ｎｂ2 Ｏ6 、（Ｐｂ1-x Ｋx ）Ｎｂ2 Ｏ6 、Ｂａ2
ＮａＮｂ5 Ｏ15、Ｐｂ2 ＫＮｂ5 Ｏ15、Ｋ3 Ｌｉ2 Ｎｂ
5 Ｏ15等があげられる。また、酸化物強誘電体薄膜の膜
厚は、０．０１μｍ〜１０μｍの範囲が好ましい。
【００１２】
【実施例】本発明を実施例によって説明するが、本発明
は、これらによって何等限定されるものではない。 実施例１ 等モル量のＬｉＯＣ2 Ｈ5 （９９．９％）とＮｂ（ＯＣ
2 Ｈ5 ）5 （９９．９９９％）をモレキュラー・シーブ
で脱水した常圧での沸点が１２４．５℃である２−メト
キシエタノール：ＣＨ3 ＯＣ2 Ｈ4 ＯＨに溶解して０．
６Ｍ溶液を得た。この溶液を、攪拌しつつ１２４．５℃
で２時間蒸留し、さらに２２時間の還流を行い、ダブル
・アルコキシド：Ｌｉ［Ｎｂ（ＯＣ2 Ｈ4 ＯＣ
Ｈ3 ）6 ］を得た。このアルコール置換反応は 1Ｈ Ｎ
ＭＲスペクトルによって確認した。この、ＬｉＮｂＯ3
前駆構造を持つアルコキシドの形成は、Ｌｉ／Ｎｂ＝１
／１組成の制御と分子レベルの均一性のために重要であ
る。その後、溶液を０．２μｍのフィルターを通してサ
ファイア単結晶基板（α−Ａｌ2 Ｏ3 ）の（１１０）お
よび（００１）面に、２０００ｒｐｍでスピンコーティ
ングを行った。以上の操作はすべてＮ2 雰囲気中にて行
った。スピンコーティングの前に、サファイア基板は溶
剤洗浄、ＨＣｌ によるエッチング、脱イオン水による
リンスを行い、最後にＮ2 中にてエタノールのスピンコ
ーティングによって乾燥した。スピンコーティングされ
た基板は、室温で脱イオン水中を１．０Ｌ／ｍｉｎでバ
ブリングをしたＯ2 雰囲気中で１０℃／ｓｅｃにて昇温
して３００℃に保持した後、４００〜７００℃に保持
し、最後に電気炉の電源を切って冷却した。上記のよう
に金属アルコキシド溶液の塗布を行った基板を３００℃
で熱分解した後、さらにＯ2 中で４００℃以上にて加熱
を行うと、１０℃／ｓｅｃという高速で昇温したにもか
かわらず、エピタキシャルに結晶化したＬｉＮｂＯ3 薄
膜が得られた。
は、これらによって何等限定されるものではない。 実施例１ 等モル量のＬｉＯＣ2 Ｈ5 （９９．９％）とＮｂ（ＯＣ
2 Ｈ5 ）5 （９９．９９９％）をモレキュラー・シーブ
で脱水した常圧での沸点が１２４．５℃である２−メト
キシエタノール：ＣＨ3 ＯＣ2 Ｈ4 ＯＨに溶解して０．
６Ｍ溶液を得た。この溶液を、攪拌しつつ１２４．５℃
で２時間蒸留し、さらに２２時間の還流を行い、ダブル
・アルコキシド：Ｌｉ［Ｎｂ（ＯＣ2 Ｈ4 ＯＣ
Ｈ3 ）6 ］を得た。このアルコール置換反応は 1Ｈ Ｎ
ＭＲスペクトルによって確認した。この、ＬｉＮｂＯ3
前駆構造を持つアルコキシドの形成は、Ｌｉ／Ｎｂ＝１
／１組成の制御と分子レベルの均一性のために重要であ
る。その後、溶液を０．２μｍのフィルターを通してサ
ファイア単結晶基板（α−Ａｌ2 Ｏ3 ）の（１１０）お
よび（００１）面に、２０００ｒｐｍでスピンコーティ
ングを行った。以上の操作はすべてＮ2 雰囲気中にて行
った。スピンコーティングの前に、サファイア基板は溶
剤洗浄、ＨＣｌ によるエッチング、脱イオン水による
リンスを行い、最後にＮ2 中にてエタノールのスピンコ
ーティングによって乾燥した。スピンコーティングされ
た基板は、室温で脱イオン水中を１．０Ｌ／ｍｉｎでバ
ブリングをしたＯ2 雰囲気中で１０℃／ｓｅｃにて昇温
して３００℃に保持した後、４００〜７００℃に保持
し、最後に電気炉の電源を切って冷却した。上記のよう
に金属アルコキシド溶液の塗布を行った基板を３００℃
で熱分解した後、さらにＯ2 中で４００℃以上にて加熱
を行うと、１０℃／ｓｅｃという高速で昇温したにもか
かわらず、エピタキシャルに結晶化したＬｉＮｂＯ3 薄
膜が得られた。
【００１３】Ｘ線回折パターンでは、図４に示すよう
に、例えばサファイア単結晶の（１１０）面上に得られ
たエピタキシャルＬｉＮｂＯ3 薄膜は（１１０）面によ
る回折ピークのみを示し、さらに極点図によって解析を
行うと、サファイアとＬｉＮｂＯ3 の基板面内での結晶
方位は一致していた。結晶化温度を４００℃から７００
℃に上昇させていくと、（１１０）面による回折ピーク
強度および屈折率は上昇していき、７００℃における屈
折率はバルク単結晶ＬｉＮｂＯ3 と同様の値である２．
３を示した。さらに、７００℃において得られたエピタ
キシャルＬｉＮｂＯ3 薄膜の表面を走査型電子顕微鏡
（ＳＥＭ）によって観察したところ、上記Ｌｉ［Ｎｂ
（ＯＣ2Ｈ4 ＯＣＨ3 ）6 ］を２−メトキシエタノール
に溶解した前駆体を用いて、１０℃／ｍｉｎにて昇温し
て得た薄膜には、サブ・グレイン間に若干の粒界がみら
れたものの、細孔は殆どみられず、細孔径も非常に小さ
かった。さらに、１０℃／ｓｅｃにて昇温して得た薄膜
は、表面が平滑であり、粒界や細孔は観察されなかっ
た。
に、例えばサファイア単結晶の（１１０）面上に得られ
たエピタキシャルＬｉＮｂＯ3 薄膜は（１１０）面によ
る回折ピークのみを示し、さらに極点図によって解析を
行うと、サファイアとＬｉＮｂＯ3 の基板面内での結晶
方位は一致していた。結晶化温度を４００℃から７００
℃に上昇させていくと、（１１０）面による回折ピーク
強度および屈折率は上昇していき、７００℃における屈
折率はバルク単結晶ＬｉＮｂＯ3 と同様の値である２．
３を示した。さらに、７００℃において得られたエピタ
キシャルＬｉＮｂＯ3 薄膜の表面を走査型電子顕微鏡
（ＳＥＭ）によって観察したところ、上記Ｌｉ［Ｎｂ
（ＯＣ2Ｈ4 ＯＣＨ3 ）6 ］を２−メトキシエタノール
に溶解した前駆体を用いて、１０℃／ｍｉｎにて昇温し
て得た薄膜には、サブ・グレイン間に若干の粒界がみら
れたものの、細孔は殆どみられず、細孔径も非常に小さ
かった。さらに、１０℃／ｓｅｃにて昇温して得た薄膜
は、表面が平滑であり、粒界や細孔は観察されなかっ
た。
【００１４】また、前記のＬｉ［Ｎｂ（ＯＣ
2 Ｈ5 ）6 ］を常圧での沸点が７８．３℃であるエチル
アルコール：Ｃ2 Ｈ5 ＯＨに溶解した前駆体を用いてエ
ピタキシャルＬｉＮｂＯ3 薄膜を上記と同様にして作成
した場合には、１０℃／ｍｉｎ（０．１７℃／ｓｅｃ）
にて昇温した薄膜にはサブ・グレイン間にやや多めの細
孔が認められた。
2 Ｈ5 ）6 ］を常圧での沸点が７８．３℃であるエチル
アルコール：Ｃ2 Ｈ5 ＯＨに溶解した前駆体を用いてエ
ピタキシャルＬｉＮｂＯ3 薄膜を上記と同様にして作成
した場合には、１０℃／ｍｉｎ（０．１７℃／ｓｅｃ）
にて昇温した薄膜にはサブ・グレイン間にやや多めの細
孔が認められた。
【００１５】比較のために３００℃での熱分解を行わな
いで７００℃にて結晶化したＬｉＮｂＯ3 薄膜は、割れ
と気泡がみられ、極めて品質が悪かった。上記の比較か
ら、本発明では、結晶化の前における熱分解が不可欠で
あることが分かる。また、前駆体である有機金属化合物
の有機官能基に相当する有機化合物または前駆体の溶媒
の常圧での沸点が、得られる薄膜の平滑化および細孔の
抑制に非常に重要であり、また、基板上に塗布して形成
された薄膜の高速加熱が薄膜の平滑化および細孔の抑制
に非常に重要であることが分かる。
いで７００℃にて結晶化したＬｉＮｂＯ3 薄膜は、割れ
と気泡がみられ、極めて品質が悪かった。上記の比較か
ら、本発明では、結晶化の前における熱分解が不可欠で
あることが分かる。また、前駆体である有機金属化合物
の有機官能基に相当する有機化合物または前駆体の溶媒
の常圧での沸点が、得られる薄膜の平滑化および細孔の
抑制に非常に重要であり、また、基板上に塗布して形成
された薄膜の高速加熱が薄膜の平滑化および細孔の抑制
に非常に重要であることが分かる。
【００１６】実施例２ ＬｉＴａＯ3 およびＫＮｂＯ3 薄膜実施例１と同様にし
て作製した。すなわち、原料としてＬｉＯＣ2 Ｈ4 およ
びＴａ（ＯＣ2 Ｈ5 ）5 、またはＫＯＣ2 Ｈ5およびＮ
ｂ（ＯＣ2 Ｈ5 ）5 より選ばれた金属アルコキシドを２
−メトキシエタノールに溶解して０．６Ｍ溶液を得た。
この溶液を、攪拌しつつ１２４．５℃で２時間蒸留し、
さらに２２時間の還流を行いダブル・アルコキシドを得
た。その後、各溶液を０．２μｍのフィルターを通して
処理し、Ｌｉ［Ｔａ（ＯＣ2 Ｈ4ＯＣＨ3 ）6 ］溶液を
サファイア単結晶基板（α−Ａｌ2 Ｏ3 ）の（００１）
面に、Ｋ［Ｎｂ（ＯＣ2 Ｈ4 ＯＣＨ3 ）6 ］の溶液をＭ
ｇＯ単結晶基板の（１００）面に、それぞれ２０００ｒ
ｐｍでスピンコーティングを行った。以上の操作はすべ
てＮ2 雰囲気中にて行った。スピンコーティングの前
に、サファイア基板およびＭｇＯ基板は溶剤洗浄、ＨＣ
ｌによるエッチング、脱イオン水によるリンスを行い、
最後にＮ2 中にてエタノールのスピンコーティングによ
って乾燥した。
て作製した。すなわち、原料としてＬｉＯＣ2 Ｈ4 およ
びＴａ（ＯＣ2 Ｈ5 ）5 、またはＫＯＣ2 Ｈ5およびＮ
ｂ（ＯＣ2 Ｈ5 ）5 より選ばれた金属アルコキシドを２
−メトキシエタノールに溶解して０．６Ｍ溶液を得た。
この溶液を、攪拌しつつ１２４．５℃で２時間蒸留し、
さらに２２時間の還流を行いダブル・アルコキシドを得
た。その後、各溶液を０．２μｍのフィルターを通して
処理し、Ｌｉ［Ｔａ（ＯＣ2 Ｈ4ＯＣＨ3 ）6 ］溶液を
サファイア単結晶基板（α−Ａｌ2 Ｏ3 ）の（００１）
面に、Ｋ［Ｎｂ（ＯＣ2 Ｈ4 ＯＣＨ3 ）6 ］の溶液をＭ
ｇＯ単結晶基板の（１００）面に、それぞれ２０００ｒ
ｐｍでスピンコーティングを行った。以上の操作はすべ
てＮ2 雰囲気中にて行った。スピンコーティングの前
に、サファイア基板およびＭｇＯ基板は溶剤洗浄、ＨＣ
ｌによるエッチング、脱イオン水によるリンスを行い、
最後にＮ2 中にてエタノールのスピンコーティングによ
って乾燥した。
【００１７】スピンコーティングされた基板は、乾燥し
たＯ2 雰囲気中で１０℃／ｓｅｃにて昇温して３００℃
で保持した後、７００℃に保持し、最後に電気炉の電源
を切って冷却した。得られた強誘電体薄膜素子につい
て、Ｘ線回折による解析を行ったところ、図５および図
６に示すＸ線回折パターンのように、サファイアの（０
０１）面上に得られたエピタキシャルＬｉＴａＯ3 薄膜
は（００１）面による回折ピークのみを示し、ＭｇＯ
（１００）面上に得られたエピタキシャルＫＮｂＯ3 薄
膜は（１００）面による回折ピークのみを示した。それ
ぞれの屈折率はバルク単結晶と同様の値を示した。さら
に、得られたエピタキシャルＬｉＴａＯ3 薄膜およびＫ
ＮｂＯ3 薄膜の表面をＳＥＭによって観察したところ、
実施例１と同様に薄膜には細孔がみられず、また表面が
平滑であった。
たＯ2 雰囲気中で１０℃／ｓｅｃにて昇温して３００℃
で保持した後、７００℃に保持し、最後に電気炉の電源
を切って冷却した。得られた強誘電体薄膜素子につい
て、Ｘ線回折による解析を行ったところ、図５および図
６に示すＸ線回折パターンのように、サファイアの（０
０１）面上に得られたエピタキシャルＬｉＴａＯ3 薄膜
は（００１）面による回折ピークのみを示し、ＭｇＯ
（１００）面上に得られたエピタキシャルＫＮｂＯ3 薄
膜は（１００）面による回折ピークのみを示した。それ
ぞれの屈折率はバルク単結晶と同様の値を示した。さら
に、得られたエピタキシャルＬｉＴａＯ3 薄膜およびＫ
ＮｂＯ3 薄膜の表面をＳＥＭによって観察したところ、
実施例１と同様に薄膜には細孔がみられず、また表面が
平滑であった。
【００１８】実施例３ Ｐｂ（ＣＨ3 ＣＯＯ）2 、Ｚｒ（Ｏ−ｉ−Ｃ3 Ｈ7 ）4
およびＴｉ（Ｏ−ｉ−Ｃ3 Ｈ7 ）4 を用いてＰＴとＰｂ
（Ｚｒ0.53Ｔｉ0.47）Ｏ3 （ＰＺＴ）の前駆体溶液を得
た。すなわち、これらをモル比でＰｂ：Ｚｒ：Ｔｉ＝
１．００：０．５２：０．４８にて２−メトキシエタノ
ールに溶解し、６時間の蒸留を行ったのち１８時間の還
流を行った。最終的にＰｂ濃度で０．５Ｍの前駆体溶液
を得た。以上の操作はすべてＮ2 雰囲気中にて行った。
この前駆体溶液を実施例１と同様にして洗浄とエッチン
グをしたＭｇＯ（１００）基板に室温Ｎ2 雰囲気中にて
２０００ｒｐｍでスピンコーティングを行った。スピン
コーティングされた基板を、５０℃／ｓｅｃにて昇温
し、加湿Ｏ2 雰囲気中で３５０℃にて熱分解を行った。
その後、基板を７００℃にて加熱することによりＰＺＴ
薄膜をエピタキシャルでペロブスカイト単一相として結
晶化させた。得られたＰＺＴ薄膜は、図７に示すＸ線回
折パターンのように、（１００）面による回折ピークの
みを示した。屈折率はバルク単結晶と同様の値を示し
た。さらに、得られたエピタキシャルＰＺＴ薄膜の表面
を、実施例１と同様にＳＥＭによって観察したところ、
薄膜には細孔が全くみられず、また表面が極めて平滑な
ためにＳＥＭによって表面を観察することは困難であっ
た。
およびＴｉ（Ｏ−ｉ−Ｃ3 Ｈ7 ）4 を用いてＰＴとＰｂ
（Ｚｒ0.53Ｔｉ0.47）Ｏ3 （ＰＺＴ）の前駆体溶液を得
た。すなわち、これらをモル比でＰｂ：Ｚｒ：Ｔｉ＝
１．００：０．５２：０．４８にて２−メトキシエタノ
ールに溶解し、６時間の蒸留を行ったのち１８時間の還
流を行った。最終的にＰｂ濃度で０．５Ｍの前駆体溶液
を得た。以上の操作はすべてＮ2 雰囲気中にて行った。
この前駆体溶液を実施例１と同様にして洗浄とエッチン
グをしたＭｇＯ（１００）基板に室温Ｎ2 雰囲気中にて
２０００ｒｐｍでスピンコーティングを行った。スピン
コーティングされた基板を、５０℃／ｓｅｃにて昇温
し、加湿Ｏ2 雰囲気中で３５０℃にて熱分解を行った。
その後、基板を７００℃にて加熱することによりＰＺＴ
薄膜をエピタキシャルでペロブスカイト単一相として結
晶化させた。得られたＰＺＴ薄膜は、図７に示すＸ線回
折パターンのように、（１００）面による回折ピークの
みを示した。屈折率はバルク単結晶と同様の値を示し
た。さらに、得られたエピタキシャルＰＺＴ薄膜の表面
を、実施例１と同様にＳＥＭによって観察したところ、
薄膜には細孔が全くみられず、また表面が極めて平滑な
ためにＳＥＭによって表面を観察することは困難であっ
た。
【００１９】
【発明の効果】本発明は、上記のように有機金属化合物
溶液を用い、かつ高速昇温による熱処理および結晶化を
行うので、得られた強誘電体薄膜素子は、表面が光学的
に平滑、かつ透明であり、高い屈折率を持ち、さらに配
向性を有する酸化物強誘電体薄膜を有している。したが
って、本発明によれば、光導波路等を用いた電気光学素
子に利用可能な強誘電体薄膜素子を短時間に得ることが
可能である。また、本発明によれば、精密な化学組成制
御、分子レベルの均一性、プロセスの低温化、大面積
化、低設備コスト等の面で利点がある。
溶液を用い、かつ高速昇温による熱処理および結晶化を
行うので、得られた強誘電体薄膜素子は、表面が光学的
に平滑、かつ透明であり、高い屈折率を持ち、さらに配
向性を有する酸化物強誘電体薄膜を有している。したが
って、本発明によれば、光導波路等を用いた電気光学素
子に利用可能な強誘電体薄膜素子を短時間に得ることが
可能である。また、本発明によれば、精密な化学組成制
御、分子レベルの均一性、プロセスの低温化、大面積
化、低設備コスト等の面で利点がある。
【図１】 本発明により製造された密度の高い平滑名エ
ピタキシャル薄膜を有する強誘電体薄膜素子の模式的断
面図である。
ピタキシャル薄膜を有する強誘電体薄膜素子の模式的断
面図である。
【図２】 従来の方法により製造された密度の低い多結
晶薄膜を有する強誘電体薄膜素子の模式的断面図であ
る。
晶薄膜を有する強誘電体薄膜素子の模式的断面図であ
る。
【図３】 従来の方法により製造された密度の低いサブ
・グレイン構造を持つエピタキシャル薄膜を有する強誘
電体薄膜素子の模式的断面図である。
・グレイン構造を持つエピタキシャル薄膜を有する強誘
電体薄膜素子の模式的断面図である。
【図４】 実施例１において、サファイア（１１０）単
結晶基板上に得られたエピタキシャルＬｉＮｂＯ3 薄膜
のＸ線回折スペクトル図である。
結晶基板上に得られたエピタキシャルＬｉＮｂＯ3 薄膜
のＸ線回折スペクトル図である。
【図５】 実施例２において、サファイア（００１）単
結晶基板上に得られたエピタキシャルＬｉＴａＯ3 薄膜
のＸ線回折スペクトル図である。
結晶基板上に得られたエピタキシャルＬｉＴａＯ3 薄膜
のＸ線回折スペクトル図である。
【図６】 実施例２において、ＭｇＯ（１００）単結晶
基板上に得られたエピタキシャルＫＮｂＯ3 薄膜のＸ線
回折スペクトル図である
基板上に得られたエピタキシャルＫＮｂＯ3 薄膜のＸ線
回折スペクトル図である
【図７】 実施例３において、ＭｇＯ（１００）単結晶
基板上に得られたエピタキシャルＰＺＴ薄膜のＸ線回折
スペクトル図である。
基板上に得られたエピタキシャルＰＺＴ薄膜のＸ線回折
スペクトル図である。
１…基板、２…強誘電体薄膜、２１…結晶粒界、２２…
ピンホール、２３…細孔。
ピンホール、２３…細孔。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 37/02 41/24 9274−4Ｍ Ｈ０１Ｌ 41/22 Ａ
Claims (7)
- 【請求項１】 有機金属化合物前駆体を単結晶基板上に
塗布して有機金属化合物前駆体の薄膜を形成し、次いで
該薄膜を熱分解処理に続いて結晶化処理を行うことによ
り、エピタキシャルまたは高配向であり透明な酸化物強
誘電体薄膜を形成することを特徴とする配向性強誘電体
薄膜素子の作製方法。 - 【請求項２】 有機金属化合物前駆体が、沸点が８０°
Ｃ以上である有機化合物と金属との反応生成物である金
属アルコキシド類および金属塩類より選ばれる複数の有
機金属化合物の混合物、またはそれらの反応生成物であ
る請求項１記載の配向性強誘電体薄膜素子の作製方法。 - 【請求項３】 有機金属化合物前駆体が、常圧での沸点
が８０°Ｃ以上である溶媒に溶解されている請求項１記
載の配向性強誘電体薄膜素子の作製方法。 - 【請求項４】 有機金属化合物前駆体の薄膜の熱分解処
理が、１〜５００°Ｃ／秒の昇温速度で基板を急速加熱
し、１００°Ｃ〜５００°Ｃの温度範囲で塗布層を熱分
解させることよりなる請求項１記載の配向性強誘電体薄
膜素子の作製方法。 - 【請求項５】 有機金属化合物前駆体の薄膜の熱分解処
理を、酸素を含む雰囲気中にて行う請求項１記載の配向
性強誘電体薄膜素子の作製方法。 - 【請求項６】 有機金属化合物前駆体の薄膜の結晶化処
理が、１〜５００°Ｃ／秒の昇温速度で基板を急速加熱
し、３００°Ｃ〜１２００°Ｃの温度範囲で熱分解され
た塗布層を結晶化させることよりなる請求項１記載の配
向性強誘電体薄膜素子の作製方法。 - 【請求項７】 有機金属化合物前駆体の薄膜の結晶化処
理を、酸素を含む雰囲気中で、酸素を含まない雰囲気中
で、または酸素を含む雰囲気に続いて酸素を含まない雰
囲気中で行う請求項１記載の配向性強誘電体薄膜素子の
作製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17089293A JP3235279B2 (ja) | 1993-06-18 | 1993-06-18 | エピタキシャル強誘電体薄膜素子の作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17089293A JP3235279B2 (ja) | 1993-06-18 | 1993-06-18 | エピタキシャル強誘電体薄膜素子の作製方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0778508A true JPH0778508A (ja) | 1995-03-20 |
| JP3235279B2 JP3235279B2 (ja) | 2001-12-04 |
Family
ID=15913258
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17089293A Expired - Lifetime JP3235279B2 (ja) | 1993-06-18 | 1993-06-18 | エピタキシャル強誘電体薄膜素子の作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3235279B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5852703A (en) * | 1996-06-07 | 1998-12-22 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Ferroelectric thin film element and production method thereof |
| US6307996B1 (en) | 1997-11-06 | 2001-10-23 | Fuji Xerox Co. Ltd. | Optical waveguide device and manufacturing method thereof |
| US6816660B2 (en) | 2001-05-22 | 2004-11-09 | Nozomi Photonics Co., Ltd. | Optical waveguide element and method of fabrication thereof |
| US6862393B2 (en) | 2000-03-15 | 2005-03-01 | Nozomi Photonics Co., Ltd. | Optical waveguide element, manufacturing method for optical waveguide element, optical deflecting element, and optical switching element |
| JP2014154863A (ja) * | 2013-02-14 | 2014-08-25 | Ricoh Co Ltd | 強誘電体膜の形成方法、強誘電体膜、電気機械変換素子、液滴吐出ヘッド、及び画像形成装置 |
| JP2015043412A (ja) * | 2013-07-22 | 2015-03-05 | 国立大学法人山梨大学 | 熱電素子及びその製造方法 |
| JP2015070203A (ja) * | 2013-09-30 | 2015-04-13 | ダイハツ工業株式会社 | 発電材料、発電素子および発電システム |
-
1993
- 1993-06-18 JP JP17089293A patent/JP3235279B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| US6862393B2 (en) | 2000-03-15 | 2005-03-01 | Nozomi Photonics Co., Ltd. | Optical waveguide element, manufacturing method for optical waveguide element, optical deflecting element, and optical switching element |
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| JP2015043412A (ja) * | 2013-07-22 | 2015-03-05 | 国立大学法人山梨大学 | 熱電素子及びその製造方法 |
| JP2015070203A (ja) * | 2013-09-30 | 2015-04-13 | ダイハツ工業株式会社 | 発電材料、発電素子および発電システム |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3235279B2 (ja) | 2001-12-04 |
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