JPH0778559B2 - 放射光．Ｘ線反射用ＳｉＣミラー - Google Patents
放射光．Ｘ線反射用ＳｉＣミラーInfo
- Publication number
- JPH0778559B2 JPH0778559B2 JP63054694A JP5469488A JPH0778559B2 JP H0778559 B2 JPH0778559 B2 JP H0778559B2 JP 63054694 A JP63054694 A JP 63054694A JP 5469488 A JP5469488 A JP 5469488A JP H0778559 B2 JPH0778559 B2 JP H0778559B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sic
- mirror
- film
- synchrotron radiation
- base material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 230000005469 synchrotron radiation Effects 0.000 title claims description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 6
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 50
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 50
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 11
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 8
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 4
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 3
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 2
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- PPWPWBNSKBDSPK-UHFFFAOYSA-N [B].[C] Chemical compound [B].[C] PPWPWBNSKBDSPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は放射光・Ｘ線の反射用ミラーに関するものであ
る。
る。
［従来の技術］ 従来の放射光・Ｘ線の反射用ミラーとしては、カーボン
基材にSiC（炭化珪素）膜をコーテイングしたものが知
られている。
基材にSiC（炭化珪素）膜をコーテイングしたものが知
られている。
［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、このものは放射光.X線のエネルギーが強
くなるにしたがって、カーボンとSiC膜の材質の違いに
よってコーテイングした炭化珪素膜が剥離し、変形する
おそれがあった。
くなるにしたがって、カーボンとSiC膜の材質の違いに
よってコーテイングした炭化珪素膜が剥離し、変形する
おそれがあった。
課題を解決するための手段 本発明者は、上記事情に鑑み、種々研究した結果、一定
範囲の気孔率を有する再結晶質SiCをSiC基材として使用
することにより、SiC膜とSiC基材の密着性を向上させる
ことができることを見出し、本発明をなすに至ったもの
である。
範囲の気孔率を有する再結晶質SiCをSiC基材として使用
することにより、SiC膜とSiC基材の密着性を向上させる
ことができることを見出し、本発明をなすに至ったもの
である。
すなわち、本発明は、気孔率が３％以上、30％以下の再
結晶質SiCよりなるSiC基材と、前記SiC基材の表面を覆
うように化学蒸着法で成膜されたSiC膜とを備えてな
り、前記SiC膜の表面はミラー研磨してあることを特徴
とする放射光・Ｘ線反射用SiCミラーである。
結晶質SiCよりなるSiC基材と、前記SiC基材の表面を覆
うように化学蒸着法で成膜されたSiC膜とを備えてな
り、前記SiC膜の表面はミラー研磨してあることを特徴
とする放射光・Ｘ線反射用SiCミラーである。
気孔率を３％以上、30％以下とするのは、３％より小さ
いと、十分な密着性が得られないからであり、30％を越
えると、気孔量が多すぎて吸蔵ガスが増加し、ピンホー
ルの発生によりミラー面が得られないおそれがあるから
である。
いと、十分な密着性が得られないからであり、30％を越
えると、気孔量が多すぎて吸蔵ガスが増加し、ピンホー
ルの発生によりミラー面が得られないおそれがあるから
である。
SiC基材の材料としては、SiCにSiを含滲したSiC−Si
や、ほう素−炭素（Ｂ−Ｃ）等の焼結助剤を用いて焼結
した焼結SiCが一般的に知られている。しかし、これら
のSiC材は気孔をほとんど持たないため、化学蒸着法に
よりSiC膜をその上に成膜すると、そのSiC膜とSiC材と
の密着性が悪く、SiC膜が剥離する恐れが高い。
や、ほう素−炭素（Ｂ−Ｃ）等の焼結助剤を用いて焼結
した焼結SiCが一般的に知られている。しかし、これら
のSiC材は気孔をほとんど持たないため、化学蒸着法に
よりSiC膜をその上に成膜すると、そのSiC膜とSiC材と
の密着性が悪く、SiC膜が剥離する恐れが高い。
これに対し、本発明によれば、気孔を持つ再結晶質SiC
を基材として用い、且つその気孔率を３％以上、30％以
下に限定するので、SiC膜がSiC基材の気孔に食い込み、
良好な密着性が得られる。
を基材として用い、且つその気孔率を３％以上、30％以
下に限定するので、SiC膜がSiC基材の気孔に食い込み、
良好な密着性が得られる。
従来のように、カーボン基材などのSiCとは異なる材料
を基材として用い、その表面に化学蒸着法によりSiC膜
を成膜する場合、そのカーボン基材の熱膨張率をSiC膜
の熱膨張率4.5×10-6／℃に合わせることは非常に困難
であるが、本発明では基材として同じ材料であるSiCを
用いるので、このような熱膨張率の差異によるSiC膜の
剥離を確実に防止できる。
を基材として用い、その表面に化学蒸着法によりSiC膜
を成膜する場合、そのカーボン基材の熱膨張率をSiC膜
の熱膨張率4.5×10-6／℃に合わせることは非常に困難
であるが、本発明では基材として同じ材料であるSiCを
用いるので、このような熱膨張率の差異によるSiC膜の
剥離を確実に防止できる。
次に、本発明を添付図面に基づいて説明する。
第１図において、１は気孔率が３〜30％の再結晶質SiC
基材で、２はその再結晶質SiC基材１が持つ気孔であ
る。このような気孔２を多数含む再結晶質SiC基材１の
表面には、SiC膜３が化学蒸着法により成膜してある。
このSiC膜３の表面は、ダイヤモンド研磨剤を用いてミ
ラー研磨してある。
基材で、２はその再結晶質SiC基材１が持つ気孔であ
る。このような気孔２を多数含む再結晶質SiC基材１の
表面には、SiC膜３が化学蒸着法により成膜してある。
このSiC膜３の表面は、ダイヤモンド研磨剤を用いてミ
ラー研磨してある。
次に本発明の実施例について説明する。
［実施例］ 実施例１ 気孔率18％で大きさ40×170×400mmの再結晶質SiC基材
に、温度1350℃でSiCl4とトルエンとH2のガスを用いて
化学蒸着法により、厚さ500μのSiC膜の成膜を実施した
後、ダイヤモンド研磨材を用いてミラー研磨を行なっ
た。
に、温度1350℃でSiCl4とトルエンとH2のガスを用いて
化学蒸着法により、厚さ500μのSiC膜の成膜を実施した
後、ダイヤモンド研磨材を用いてミラー研磨を行なっ
た。
得られたSiCミラーに10時間、Ｘ線照射を行なったが、S
iC膜の剥離がなく使用条件を満たした。
iC膜の剥離がなく使用条件を満たした。
これに対して気孔率１％の焼結SiC基材に上記と同じ方
法条件でSiC膜を成膜し、ミラー研磨した後、得られたS
iCミラーに５時間Ｘ線照射を行なったところ、SiC膜の
一部が剥離した。
法条件でSiC膜を成膜し、ミラー研磨した後、得られたS
iCミラーに５時間Ｘ線照射を行なったところ、SiC膜の
一部が剥離した。
また、気孔率40％の再結晶質SiC基材に上記と同じ方
法．条件でSiC膜を成膜し、ミラー研磨したところ、気
孔が多く、かつ吸蔵ガスが多いため、ピンホールが全面
に発生しミラー面にならなかった。
法．条件でSiC膜を成膜し、ミラー研磨したところ、気
孔が多く、かつ吸蔵ガスが多いため、ピンホールが全面
に発生しミラー面にならなかった。
［発明の効果］ 本発明の放射光・Ｘ線反射用SiCミラーによれば、再結
晶質SiC基材とその表面に成膜されたSiC膜との密着性が
よく、そのSiC膜が剥離・変形することがないという効
果が得られる。
晶質SiC基材とその表面に成膜されたSiC膜との密着性が
よく、そのSiC膜が剥離・変形することがないという効
果が得られる。
第１図は本発明の断面図である。 １……SiC基材、２……気孔 ３……SiC膜
Claims (1)
- 【請求項１】気孔率が３％以上、30％以下の再結晶質Si
CよりなるSiC基材と、前記SiC基材の表面を覆うように
化学蒸着法で成膜されたSiC膜とを備えてなり、前記SiC
膜の表面はミラー研磨してあることを特徴とする放射光
・Ｘ線反射用SiCミラー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63054694A JPH0778559B2 (ja) | 1988-03-08 | 1988-03-08 | 放射光．Ｘ線反射用ＳｉＣミラー |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63054694A JPH0778559B2 (ja) | 1988-03-08 | 1988-03-08 | 放射光．Ｘ線反射用ＳｉＣミラー |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01228000A JPH01228000A (ja) | 1989-09-12 |
| JPH0778559B2 true JPH0778559B2 (ja) | 1995-08-23 |
Family
ID=12977905
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63054694A Expired - Lifetime JPH0778559B2 (ja) | 1988-03-08 | 1988-03-08 | 放射光．Ｘ線反射用ＳｉＣミラー |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0778559B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0416401U (ja) * | 1990-05-28 | 1992-02-10 | ||
| JPH0774839B2 (ja) * | 1991-09-30 | 1995-08-09 | 東芝セラミックス株式会社 | Ｓｏｒ用ミラー |
| JP2684927B2 (ja) * | 1992-06-16 | 1997-12-03 | 日本鋼管株式会社 | 光学素子基板 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6444898A (en) * | 1987-08-13 | 1989-02-17 | Canon Kk | Reflecting mirror or its base plate fox x ray and vacuum ultraviolet ray, and manufacture thereof |
-
1988
- 1988-03-08 JP JP63054694A patent/JPH0778559B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01228000A (ja) | 1989-09-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5514439A (en) | Wafer support fixtures for rapid thermal processing | |
| JPH07307377A (ja) | 静電チャック付セラミックスヒーター | |
| KR100809500B1 (ko) | 화학적 기상 증착에 의하여 알루미늄 질화물이 피복된 물품 | |
| JP3258042B2 (ja) | ウエハチャック | |
| JPH0778559B2 (ja) | 放射光．Ｘ線反射用ＳｉＣミラー | |
| JP3361385B2 (ja) | ヒータ | |
| JPS6357399B2 (ja) | ||
| JP3094312B2 (ja) | サセプター | |
| JPH06308294A (ja) | Ｘ線反射用ミラー | |
| JP2560126B2 (ja) | シンクロトロン放射光用反射ミラー | |
| JP3488724B2 (ja) | 半導体ウェハ加熱装置 | |
| JP3057670B2 (ja) | 複層セラミックスヒーター | |
| JPH0570267A (ja) | Ｘ線反射用ミラーおよびその製法 | |
| JPH06135793A (ja) | 複層セラミックスるつぼ | |
| JPH03202246A (ja) | 真空チャック | |
| JP3180998B2 (ja) | 静電チャック | |
| JPH06281795A (ja) | 放射光・Ｘ線反射用ＳｉＣミラーの製造方法 | |
| JP3519744B2 (ja) | 複層セラミックスヒーター | |
| JPH03261131A (ja) | 半導体製造装置用ウエハー加熱装置 | |
| JPH08152499A (ja) | Ｘ線ミラー | |
| JPH09232409A (ja) | ウエハ保持装置 | |
| JPH0682601B2 (ja) | Ｘ線露光装置用ミラ− | |
| JPH05194046A (ja) | 複層セラミックスヒーター | |
| JP3869160B2 (ja) | 複層セラミックスヒータおよびその製造方法 | |
| JP3774801B2 (ja) | 放射光、Ｘ線反射用ＳｉＣミラーとその製造方法 |