JPH0778873A - Semiconductor integrated circuit - Google Patents

Semiconductor integrated circuit

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JPH0778873A
JPH0778873A JP5160823A JP16082393A JPH0778873A JP H0778873 A JPH0778873 A JP H0778873A JP 5160823 A JP5160823 A JP 5160823A JP 16082393 A JP16082393 A JP 16082393A JP H0778873 A JPH0778873 A JP H0778873A
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sense
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Takahiro Yamamoto
隆広 山本
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Abstract

(57)【要約】 【目的】スタンダードセル方式に適合したマトリクスプ
ロービング方式のテスト回路が組み込まれた半導体集積
回路を提供する。 【構成】各スタンダードセル内を走るプローブ線の、そ
のスタンダードセルの出口位置を一定とし、かつ、その
スタンダードセルの端部とそのプローブ線の出口位置と
の間隔も規制した。
(57) [Summary] [Object] To provide a semiconductor integrated circuit incorporating a test circuit of a matrix probing system adapted to a standard cell system. [Structure] The outlet position of the standard cell of the probe line running in each standard cell is made constant, and the distance between the end of the standard cell and the outlet position of the probe line is also regulated.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、複数種類のスタンダー
ドセルが配列されてなるスタンダードセル方式の半導体
集積回路に関し、詳細には、いわゆるマトリクスプロー
ビング方式のテスト回路が組み込まれたスタンダードセ
ル方式の半導体集積回路に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a standard cell type semiconductor integrated circuit in which a plurality of types of standard cells are arranged, and more specifically, a standard cell type semiconductor integrated with a so-called matrix probing type test circuit. Related to integrated circuits.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来より半導体集積回路が広範な分野で
使用されているが、その半導体集積回路の設計手法の1
つにいわゆるスタンダードセル方式と呼ばれるものがあ
る。このスタンダードセル方式は、それぞれ所定の回路
機能を有することが確認されている複数種類のスタンダ
ードセルのライブラリを用意しておき、それらを組み合
せることにより全体として所望の動作が実行される回路
を構成する方式である。このスタンダードセル方式を採
用すると、ウェハの製造の面では、それぞれの品種に対
応して前工程の最初から作る必要があるためゲートアレ
イより時間がかかるが、設計時間はゲートアレイと同様
に短縮化され、またゲートアレイで生じるような無駄な
チップ面積部分の発生が防止される。
2. Description of the Related Art Conventionally, semiconductor integrated circuits have been used in a wide range of fields.
One is the so-called standard cell system. In this standard cell method, a library of a plurality of types of standard cells, each of which has been confirmed to have a predetermined circuit function, is prepared, and by combining them, a circuit in which a desired operation is executed as a whole is configured. It is a method to do. If this standard cell method is adopted, it takes longer than the gate array in terms of wafer manufacturing because it needs to be manufactured from the beginning of the previous process corresponding to each product type, but the design time is shortened as with the gate array. In addition, it is possible to prevent a wasteful chip area portion from occurring in the gate array.

【0003】また、近年の半導体集積回路の高集積化に
伴い、製造された半導体チップをどのようにしてテスト
するかがますます重要な問題となってきており、半導体
集積回路に組み込むテスト回路が種々提案されている。
そのようなテスト回路の1つに、マトリクスプロービン
グ方式のテスト回路がある。図5は、マトリクスプロー
ビング方式のテスト回路の模式図、図6は図5に示す丸
印Aの部分の拡大図である。
With the recent trend toward higher integration of semiconductor integrated circuits, how to test manufactured semiconductor chips has become an increasingly important issue. Various proposals have been made.
One of such test circuits is a matrix probing test circuit. FIG. 5 is a schematic diagram of a matrix probing type test circuit, and FIG. 6 is an enlarged view of a portion indicated by a circle A in FIG.

【0004】図5の縦方向に延びるように多数のプロー
ブ線10が形成されており、また横方向に延びるように
多数のセンス線20が形成されている。これら各プロー
ブ線10と各センス線20との各交点には、図6に示す
ようにセンストランジスタ30が形成されている。その
センストランジスタ30の一端31は内部回路の所定の
ノードに接続され、他端はセンス線20に接続されてい
る。またセンストランジスタ30のゲートはプローブ線
10に接続されている。プローブ線10は、通常センス
トランジスタ30のゲート自身を兼ねるようにポリシリ
コン層で形成される。プローブ線ドライバ40によりあ
るプローブ線10を立ち上げると、そのプローブ線10
に接続されたセンストランジスタ30がオンとなり、そ
のセンストランジスタ30に接続されたノードの信号
が、センストランジスタ30、センス線20およびセン
ス線ドライバ/レシーバ50を経由して読み出され、こ
れによりそのノードの信号の良否が判定できる。
A large number of probe lines 10 are formed so as to extend in the vertical direction of FIG. 5, and a large number of sense lines 20 are formed so as to extend in the horizontal direction. At each intersection of each probe line 10 and each sense line 20, a sense transistor 30 is formed as shown in FIG. One end 31 of the sense transistor 30 is connected to a predetermined node of the internal circuit, and the other end is connected to the sense line 20. The gate of the sense transistor 30 is connected to the probe line 10. The probe line 10 is usually formed of a polysilicon layer so as to also serve as the gate itself of the sense transistor 30. When a certain probe line 10 is activated by the probe line driver 40, the probe line 10
The sense transistor 30 connected to the node is turned on, and the signal of the node connected to the sense transistor 30 is read out via the sense transistor 30, the sense line 20, and the sense line driver / receiver 50, whereby the node The quality of the signal can be determined.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】上記のマトリクスプロ
ービング方式のテスト回路は、多数のプローブ線10、
センス線20を縦,横に形成する必要があり、セルの配
列があらかじめ規則的に定められているゲートアレイに
は向いているが、スタンダードセル方式の場合、セル寸
法もセルの種類により異なり、またそのセル中のセンス
を必要とするノードの位置もそのセルの種類により異な
るため、プローブ線を図5に示すように直線状に形成す
ることができず、特にそのプローブ線をポリシリコン層
で形成する場合に、そのマトリクスプロービング方式の
テスト回路をどのようにしてスタンダードセル方式の半
導体集積回路に適合させるかが問題となる。
The above-described matrix probing type test circuit has a large number of probe wires 10,
It is necessary to form the sense lines 20 vertically and horizontally, which is suitable for a gate array in which the cell arrangement is regularly determined in advance, but in the case of the standard cell system, the cell size also differs depending on the cell type, Further, since the position of the node in the cell that requires sensing varies depending on the type of the cell, the probe line cannot be formed linearly as shown in FIG. When forming, a problem is how to adapt the matrix probing type test circuit to the standard cell type semiconductor integrated circuit.

【0006】本発明は、上記事情に鑑み、スタンダード
セル方式に適合したマトリクスプロービング方式のテス
ト回路が組み込まれた半導体集積回路を提供することを
目的とする。
In view of the above circumstances, it is an object of the present invention to provide a semiconductor integrated circuit in which a matrix probing type test circuit adapted to the standard cell type is incorporated.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明の半導体集積回路は、所定の第1の方向に複数の各プ
ローブ線が延びるとともに該第1の方向と交差する所定
の第2の方向に複数の各センス線が延び、これら各プロ
ーブ線と各センス線との各交点に配置された各センスト
ランジスタにより各交点近傍の各ノードの信号をセンス
するマトリクスプロービング方式のテスト回路が組み込
まれた、スタンダードセル方式の半導体集積回路であっ
て、上記各プローブ線が、センストランジスタのゲート
を兼用したポリシリコン層からなり、上記スタンダード
セルは、上記第1の方向の寸法が種類によらず一定であ
るとともに上記第2の方向の寸法が種類毎に可変長とさ
れ、さらに、上記各プローブ線の、上記第1の方向に並
ぶ複数のスタンダードセルどうしを接続する部分が上記
第1の方向に延びる各直線上に配置されるように、スタ
ンダードセル内部を通る各プローブ線の、そのスタンダ
ードセルの上記第1の方向の端部の上記第2の方向の位
置が定められてなるものであることを特徴とする。
In a semiconductor integrated circuit of the present invention that achieves the above object, a plurality of probe lines extend in a predetermined first direction and a predetermined second direction intersects with the first direction. A plurality of sense lines extend in the direction, and a matrix probing test circuit that senses the signal of each node near each intersection by each sense transistor arranged at each intersection of each probe line and each sense line is incorporated. Also, in the standard cell type semiconductor integrated circuit, each probe line is formed of a polysilicon layer that also serves as a gate of a sense transistor, and the standard cell has a constant dimension in the first direction regardless of type. In addition, the dimension in the second direction is variable for each type, and further, the plurality of standers of the probe wires arranged in the first direction are arranged. The second part of the end of the standard cell in the first direction of each probe line passing through the inside of the standard cell is arranged such that the portions connecting the cells are arranged on the respective straight lines extending in the first direction. The position in the direction of is defined.

【0008】[0008]

【作用】本発明の半導体集積回路は、各スタンダードセ
ルの、上記第1の方向の端部におけるプローブ線の第2
の方向の位置が、所定の規則により上記のように定めら
れているため、このマトリクスプロービング方式のテス
ト回路はスタンダードセル方式の半導体集積回路に適合
したものとなる。
According to the semiconductor integrated circuit of the present invention, each standard cell has a second probe line at the end in the first direction.
Since the position in the direction of is determined by a predetermined rule as described above, this test circuit of the matrix probing system is suitable for the standard cell semiconductor integrated circuit.

【0009】[0009]

【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。図
1は、本発明の一実施例におけるセルの構造を示した図
である。本実施例におけるセルは、図1の上下の方向の
寸法はセルの種類によらず一定であって、セル内部の回
路規模に応じて図1の左右方向の方法は可変長とされ
る。
EXAMPLES Examples of the present invention will be described below. FIG. 1 is a diagram showing the structure of a cell in one embodiment of the present invention. The size of the cell in the present embodiment in the vertical direction in FIG. 1 is constant regardless of the type of cell, and the method in the horizontal direction in FIG. 1 is variable length according to the circuit scale inside the cell.

【0010】そのセル内部を、ポリシリコン層からなる
プローブ線が図1の上下方向に延びており、セルの内部
では、それらのプローブ線の間隔はセンスすべきノード
の位置に応じて区々としているが、上下の端辺におけ
る、左右方向の位置は、セルによらず一定である。ここ
では隣接するプローブ線の、上下の端辺における左右方
向の間隔を、図示のように、間隔A,間隔B(A≧B)
で繰り返すものとし、セルの左右方向の端部と近接する
プローブ線との間隔は、図示のようにセル内に偶数本の
プローブ線が存在するときは、広い方の間隔A以下、セ
ル内に奇数本のプローブ線が存在するときは、一方が間
隔A以下、他方は間隔B以下である。これは、このセル
に隣接するプローブ線を配置する必要上からくる制限で
ある。またこのセルには、図示の位置に電源線,接地線
のほか、さらにセンス線がメタル一層で配線されること
が予定されている。
Inside the cell, probe lines made of a polysilicon layer extend in the vertical direction in FIG. 1. Within the cell, the intervals between the probe lines are varied depending on the position of the node to be sensed. However, the horizontal positions of the upper and lower edges are constant regardless of the cell. Here, the distances between the adjacent probe wires in the left-right direction at the upper and lower edges are the distances A and B (A ≧ B) as shown in the figure.
The distance between the left and right ends of the cell and the adjacent probe lines is equal to or less than the wider distance A within the cell when there are even number of probe lines in the cell as shown in the figure. When there is an odd number of probe lines, one is the interval A or less and the other is the interval B or less. This is a limitation due to the need to place probe lines adjacent to this cell. In this cell, in addition to the power supply line and the ground line, the sense line is also planned to be wired in a single metal layer at the positions shown in the figure.

【0011】図2は、チップ内のセル配置可能領域を示
した模式図である。最終的に各一本に接続されるプロー
ブ線は、配線チャネル領域では図の上下方向に一直線と
なるように、また、それらの間隔が交互に間隔A,間隔
Bとなるように、配線チャネル領域内のプローブ線の位
置があらかじめ予定されている。各セルは、セル配置可
能領域内に配置されるが、その際セル内のプローブ線と
配線チャネル領域のプローブ線とが接続されるように配
置される。
FIG. 2 is a schematic diagram showing a cell allocable area in a chip. Finally, the probe lines connected to each one are arranged in the wiring channel region such that the probe lines are aligned in the vertical direction in the drawing in the wiring channel region, and the intervals between them are the intervals A and B alternately. The position of the probe wire within is pre-planned. Each cell is arranged in the cell allocable region, and at that time, the probe lines in the cell and the probe lines in the wiring channel region are connected to each other.

【0012】図3は、セル配置可能領域に各セルを配置
した状態を表わした模式図である。図示のようにセルが
配置された部分ではセル内のプローブ線と配線チャネル
領域のプローブ線とが接続される。ただしこのままで
は、セルが配置されずに、分断されたままのプローブ線
が存在することになる。そこで、次にその分断されたプ
ローブ線を接続する。
FIG. 3 is a schematic diagram showing a state in which each cell is arranged in the cell arrangeable area. In the portion where the cells are arranged as shown in the figure, the probe lines in the cells are connected to the probe lines in the wiring channel region. However, in this state, the cell is not arranged, and the probe line remains divided. Therefore, next, the divided probe wires are connected.

【0013】図4は、分断されたプローブ線を接続する
様子を示した模式図である。図示の例では、プローブ線
接続用のセル(フィードスルーセル)がライブラリに用
意されており、セルが配置されず、したがってセルによ
ってはプローブ線が接続されなかった箇所に、そのフィ
ードスルーセルが配置され、これにより、全てのプロー
ブ線が一本の線に接続される。
FIG. 4 is a schematic diagram showing how the divided probe wires are connected. In the example shown in the figure, the cell for the probe line connection (feedthrough cell) is prepared in the library, and the cell is not placed. Therefore, depending on the cell, the feedthrough cell is placed at the place where the probe line was not connected. This connects all probe wires to a single wire.

【0014】その後は、通常の配置配線処理と同様に、
電源線,接地線が接続されるが、本処理にはこれにセン
ス線も接続も含まれる。また信号線も配線され、これに
よりマトリクスプロービング方式のテスト回路が組み込
まれたスタンダードセル方式の半導体集積回路が実現す
る。
After that, as in the normal placement and routing process,
The power supply line and the ground line are connected, but this processing includes sense lines and connections. Further, signal lines are also wired, which realizes a standard cell type semiconductor integrated circuit in which a matrix probing type test circuit is incorporated.

【0015】[0015]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
現在市販されている配置配線ツールに容易に搭載できる
設計手法を採用して、マトリクスプロービング方式のテ
スト回路が組込まれたスタンダードセル方式の半導体集
積回路が実現できる。
As described above, according to the present invention,
A standard cell type semiconductor integrated circuit in which a matrix probing type test circuit is incorporated can be realized by adopting a design method that can be easily mounted on a place-and-route tool currently on the market.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施例におけるセルの構造を示した
図である。
FIG. 1 is a diagram showing a structure of a cell according to an embodiment of the present invention.

【図2】チップ内のセル配置可能領域を示した模式図で
ある。
FIG. 2 is a schematic diagram showing a cell disposable area in a chip.

【図3】セル配置可能領域に各セルを配置した状態を表
わした模式図である。
FIG. 3 is a schematic diagram showing a state in which each cell is arranged in a cell arrangeable area.

【図4】分断されたプローブ線を接続する様子を示した
模式図である。
FIG. 4 is a schematic diagram showing how to connect divided probe wires.

【図5】マトリクスプロービング方式のテスト回路の模
式図である。
FIG. 5 is a schematic diagram of a matrix probing test circuit.

【図6】図5に示す丸印Aの部分の拡大図である。6 is an enlarged view of a portion indicated by a circle A shown in FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 プローブ線 20 センス線 30 センストランジスタ 40 プローブ線ドライバ 50 センス線ドライバ/レシーバ 10 probe line 20 sense line 30 sense transistor 40 probe line driver 50 sense line driver / receiver

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 27/04 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code Internal reference number FI Technical indication H01L 27/04

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 所定の第1の方向に複数の各プローブ線
が延びるとともに該第1の方向と交差する所定の第2の
方向に複数の各センス線が延び、前記各プローブ線と前
記各センス線との各交点に配置された各センストランジ
スタにより該各交点近傍の各ノードの信号をセンスする
マトリクスプロービング方式のテスト回路が組み込まれ
た、複数種類のスタンダードセルが配列されてなるスタ
ンダードセル方式の半導体集積回路であって、 前記各プローブ線が、前記センストランジスタのゲート
を兼用したポリシリコン層からなり、 前記スタンダードセルは、前記第1の方向の寸法が種類
によらず一定であるとともに前記第2の方向の寸法が種
類毎に可変長とされ、さらに、前記各プローブ線の、前
記第1の方向に並ぶ複数のスタンダードセルどうしを接
続する部分が前記第1の方向に延びる各直線上に配置さ
れるように、スタンダードセル内部を通る前記各プロー
ブ線の、該スタンダードセルの前記第1の方向の端部の
前記第2の方向の位置が定められてなるものであること
を特徴とする半導体集積回路。
1. A plurality of probe lines extend in a predetermined first direction, and a plurality of sense lines extend in a predetermined second direction intersecting the first direction, and each probe line and each A standard cell system in which a plurality of types of standard cells are arranged, in which a matrix probing test circuit for sensing the signal of each node in the vicinity of each intersection with each sense transistor arranged at each intersection with the sense line is incorporated. In the semiconductor integrated circuit, the probe lines are made of a polysilicon layer that also serves as the gate of the sense transistor, and the standard cell has a constant dimension in the first direction regardless of type and The dimension in the second direction has a variable length for each type, and further, a plurality of standard cells of the probe lines arranged in the first direction. The second portion at the end of the standard cell in the first direction of each of the probe lines passing through the inside of the standard cell so that the portion connecting the cattle is arranged on each straight line extending in the first direction. The semiconductor integrated circuit is characterized in that the position in the direction of is defined.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107564827A (en) * 2016-07-01 2018-01-09 罗泽系统株式会社 The wiring pattern check device and wiring pattern inspection method of plate

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