JPH0779227B2 - コンパレータ - Google Patents

コンパレータ

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JPH0779227B2
JPH0779227B2 JP1235940A JP23594089A JPH0779227B2 JP H0779227 B2 JPH0779227 B2 JP H0779227B2 JP 1235940 A JP1235940 A JP 1235940A JP 23594089 A JP23594089 A JP 23594089A JP H0779227 B2 JPH0779227 B2 JP H0779227B2
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修 小林
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【発明の詳細な説明】 〔目次〕 概要 産業上の利用分野 従来の技術(第5、6図) 発明が解決しようとする課題 課題を解決するための手段 作用 実施例 本発明の原理説明(第1図) 本発明の第1実施例(2、3図) 本発明の第2実施例(第4図) 発明の効果 〔概要〕 基準電圧と入力電圧を交互に選択入力して比較結果を得
るコンパレータに関し、 コンパレータの回路規模を増大させることなく、貫流電
流を抑えることのできるコンパレータを提供することを
目的とし、 基準電圧と入力電圧とを交互に選択出力するスイッチ回
路と、該スイッチ回路の出力側に、コンデンサと該コン
デンサを介して接続された第1のインバータと該第1の
インバータの入出力端子間を短絡又は非短絡するスイッ
チとなりなる回路部が一段又は2段以上縦続接続されて
なる比較回路部と、該比較回路部の出力信号を選択出力
して取り出す半導体回路部と、を備えたコンパレータで
あって、前記半導体回路部は、ソースが高電位電源線側
に接続され、ゲートに前記比較回路部の出力を受ける第
1のPチャネルトランジスタと、ソースが低電位電源線
側に接続され、ゲートに前記比較回路部の出力を受ける
第1のNチャネルトランジスタと、高電位電源線側と出
力端との間に接続されると共に、ゲートを前記第1のP
チャネルトランジスタのドレインに接続する第2のPチ
ャネルトランジスタと、低電位電源側と出力端との間に
接続されると共に、ゲートを前記第1のNチャネルトラ
ンジスタのドレインに接続する第2のNチャネルトラン
ジスタと、前記第1のPチャネルトランジスタのドレイ
ンと前記第1のNチャネルトランジスタのドレインとの
間に接続するように構成する。
〔産業上の利用分野〕
本発明は、コンパレータに関し、詳しくはA/Dコンバー
タ等に用いられ、基準電圧と入力電圧とを交互に選択入
力して比較結果を得るコンパレータに係り、特に、低消
費電力および回路の素子数の低減を図ったコンパレータ
に関する。
画像処理等を目的とした高速A/Dコンバータは並列ある
いは直並列方式が採用され、そのコンパレータとしてチ
ョッパ型のものが多く用いられている。チョッパ型コン
パレータは構造が簡単でありかつ高速であることから並
列あるいは直並列型のようなコンパレータを多数用いる
場合には他の方式のコンパレータより有利である。
〔従来の技術〕
従来のこの種のチョッパ型コンパレータとしては、例え
ば第5図に示すようなものがある。第5図において、1
はチョッパ型コンパレータであり、S1は基準電圧Vref
選択出力するためのスイッチ、S2は入力電圧Vinを選択
出力するためのスイッチ、C1,C2はコンデンサ、I1,I2,I
3はコンデンサC1,C2に直列に接続されたインバータ、
S3,S4はインバータI1,I2にそれぞれ並列に接続され、
I1,I2の入出力端子を短絡又は非短絡するスイッチであ
る。インバータI1およびスイッチS3はチョッパ段2をイ
ンバータI2およびスイッチS4はチョッパ段3をそれぞれ
構成し、スイッチS1〜S4、コンデンサC1,C2およびイン
バータI1〜I3はコンパレータ部4を構成する。コンパレ
ータ部4の出力はインバータI4,I5およびスイッチS5,S6
からなるラッチ部5に入力されている。
この構成において、初段のチョッパ段2に着目すると、
いまスイッチS1,S3がONになっている場合、インバータI
1の入力と出力がショートしているのでVB=VCとなる。
このときのコンデンサC1の入力電圧はVA=Vrefとなって
おり、コンデンサC1に充電される電圧はVref−VBとなっ
ている。スイッチS1,S3をOFFにしているからスイッチS2
をONにするとVA=Vinとなり、変化分dVA=Vref−Vin
なる。この場合、インバータI1の入力電圧VBの変化分dV
BはdVAに等しい。インバータI1のゲインをGで表わす
と、出力電圧VCの変化分dVC=−G×dVB=G×(Vin−V
ref)となる。次段のコンデンサC2およびチョッパ段3
は初段のチョッパ段2のゲインを増幅するものであり、
インバータI3はVin−Vrefの電圧を増幅する機能を有す
る。
しかし、このチョッパ型コンパレータ1は、リセットモ
ードと比較モードの2つのモードがあり、リセットモー
ドの際にはチョッパ段2、3においてVDD−VSS間に貫通
電流が流れるため消費電力が大きくなるという欠点があ
った。そのため消費電力を抑えるためにリセットモード
時の貫通電流を防止する必要がある。
上記チョッパ型コンパレータ1の速度および精度はチョ
ッパ段2、3の速度精度に依存しており、トランジスタ
サイズ、チョッパ段の段数等様々な改良が加えられてき
た。例えば、そのようなものとして第6図(b)に示す
ようなものがある(特開平1−133410号公報参照)。こ
のものは第6図(a)に示すチョッパ型コンパレータ1
のチョッパ段3の次段に、インバータI3およびスイッチ
S3に代えてクロックドインバータ6を設けることにより
3段目のインバータI3にリセット時(オートゼロ時)貫
通電流が流れることを防止している。
〔発明が解決しようとする課題〕
しかしながら、このような従来のチョッパ型コンパレー
タにあっても、現在最も多く採用されているチョッパ2
段+インバータ1段のチョッパ型コンパレータでは2段
のチョッパ段には貫通電流が流れてしまうという問題点
があった。また、チョッパ段の段数を減らす、あるいは
トランジスタサイズにプロセス条件を変更し貫通電流を
減少させると一般的に速度、精度は劣化する傾向にあ
る。
そこで本発明は、コンパレータの回路規模を増大させる
ことなく、貫通電流を抑えることのできるコンパレータ
を提供することを目的としている。
〔課題を解決するための手段〕
本発明によるコンパレータは上記目的を達成するため、
基準電圧と入力電圧とを交互に選択出力するスイッチ回
路と、該スイッチ回路の出力側に、コンデンサと該コン
デンサを介して接続された第1のインバータと該第1の
インバータの入出力端子間を短絡又は非短絡するスイッ
チとよりなる回路部が一段又は2段以上縦続接続されて
なる比較回路部と、該比較回路部の出力信号を選択出力
して取り出す半導体回路部と、を備えたコンパレータで
あって、前記半導体回路部は、ソースが高電位電源線側
に接続され、ゲートに前記比較回路部の出力を受ける第
1のPチャネルトランジスタと、ソースが低電位電源線
側に接続され、ゲートに前記比較回路部の出力を受ける
第1のNチャネルトランジスタと、高電位電源線側と出
力端との間に接続されると共に、ゲートを前記第1のP
チャネルトランジスタのドレインに接続する第2のPチ
ャネルトランジスタと、低電位電源側と出力端との間に
接続されると共に、ゲートを前記第1のNチャネルトラ
ンジスタのドレインに接続する第2のNチャネルトラン
ジスタと、前記第1のPチャネルトランジスタのドレイ
ンと前記第1のNチャネルトランジスタのドレインとの
間に接続するように構成されている。
〔作用〕
本発明では、第1のPチャネルトランジスタと第1のN
チャネルトランジスタとの間にスイッチが設けられ、そ
の後段に該第1のPチャネルトランジスタと該スイッチ
間および第1のNチャネルトランジスタと該スイッチ間
の電位をそれぞれのゲートに受ける第2のPチャネルト
ランジスタおよび第2のNチャネルトランジスタが設け
られている。
したがって、リセット期間中に該スイッチをOFFにする
と、1つのスイッチの切換によって第1のPチャネルト
ランジスタおよび第1のNチャネルトランジスタからな
るインバータと第2のPチャネルトランジスタと第2の
Nチャネルトランジスタからなるインバータの2段のイ
ンバータに流れる貫通電流が防止される。このため、イ
ンバータを2段にする回路構成上、大きな利得を得るこ
とができるとともに、両インバータに流れる貫通電流を
適切に防止することができ、その結果、コンパレータの
消費電力を速度を損なうことなく低減させることが可能
になる。
〔実施例〕
以下、本発明を図面に基づいて説明する。
原理説明 第1図は本発明の原理説明図であり、第6図に示した従
来例と同一構成部分には同一番号を付している。
第1図において、11はチョッパ型コンパレータのコンパ
レータ部(比較回路部)10の出力側に設けられた半導体
回路(半導体回路部)であり、半導体回路11はチョッパ
段2の出力信号をラッチ部5にスイッチング動作により
増幅して伝達するものである。半導体回路11は、ソース
が高電位電源VDDに接続され、ドレインが後述するPチ
ャネルトランジスタT1(第2のPチャネルトランジス
タ)のゲートおよびスイッチS11(所定のスイッチ)を
介して後述するNチャネルトランジスタTB(第1のNチ
ャネルトランジスタ)のドレインに接続されるととも
に、ゲートがNチャネルトランジスタTBのゲートと結ば
れてチョッパ段2の出力を受けるPチャネルトランジス
タTA(第1のPチャネルトランジスタ)と、ソースが低
電位側電源VSSに接続され、ドレインが後述するNチャ
ネルトランジスタT2(第2のNチャネルトランジスタ)
のゲートおよびスイッチS11を介してPチャネルトラン
ジスタTAのドレインに接続されるとともに、ゲートがP
チャネルトランジスタTAのゲートに接続されたNチャネ
ルトランジスタTBと、ソースがVDDに接続され、ドレイ
ンがNチャネルトランジスタT2のドレインに接続され、
ゲートがPチャネルトランジスタTAとスイッチS11との
間に接続されたPチャネルトランジスタT1と、ソースが
VSSに接続され、ゲートがNチャネルトランジスタTB
スイッチS11と間に接続されたNチャネルトランジスタT
2と、により構成される。すなわち、半導体回路11はP
チャネルトランジスタTAおよびNチャネルトランジスタ
TBからなるインバータ12の中間にスイッチS11を挿入
し、そのスイッチS11とそれぞれのトランジスタTA,TB
の間をPチャネルトランジスタT1およびNチャネルトラ
ンジスタT2からなる次段のインバータ13のゲートにそれ
ぞれ接続した構成となっている。スイッチS11はクロッ
クパルス信号A,によって開閉するスイッチ素子であ
る。
一方、半導体回路11の出力側はラッチ部14に接続され、
具体的にはPチャネルトランジスタT1およびNチャネル
トランジスタT2のドレイン同士を結んだノードは2段の
インバータI4,I5直列に結び、前段のインバータI4の入
力側と後段のインバータI5の出力側をスイッチS6を介し
て接続したラッチ部14の入力側(インバータI4の入力
側)に接続されている。
以上の構成において、リセット期間中はスイッチS11をO
FFにすることによりVDD〜VSSの貫通電流を抑える。また
この時、同時に、PチャネルトランジスタおよびNチャ
ネルトランジスタT2はカットオフ状態となるため、S11
のスイッチによってTAおよびTBからなるインバータ12と
T1およびT2からなるインバータ13の2つのインバータの
VDD〜VSS間の貫通電流を抑えることができる。さらに、
これと同時に後段のラッチ部14では、S11のスイッチがO
FFとなる前のデータを保持するためにS6のスイッチをON
させてラッチをかける。この場合、第5図に示す従来の
タイプの回路ではコンパレータ部4の後段に置くラッチ
部5としてスイッチが2つとインバータが2つからなる
回路が必要となっていたが、本発明に係る半導体回路11
ではインバータ2段分のリセット時のVDD〜VSS間の貫通
電流を1つのスイッチS11によって抑制できるととも
に、容量1つ(第5図のコンデンサC2に相当)スイッチ
1つが省略できる。また、特にラッチを必要としない場
合にNANDゲートあるいはORゲート等の論理ゲートを直接
接続してもよい。
第1実施例 以下、上記基本原理に基づいて実施例を説明する。第
2、3図は本発明に係るコンパレータの第1実施例を示
す図であり、第1図に示した原理説明および第5図に示
した従来例と同一構成部分には同一符号を付している。
第2図において、21はチョッパ型コンパレータ(コンパ
レータ)であり、チョッパ型コンパレータ21はクロック
信号CK1,▲▼1によって基準電圧Vrefを選択出力す
るスイッチS1(スイッチ回路)、クロック信号CK2,▲
▼2によって入力電圧Vinを選択出力するスイッチS2
(スイッチ回路)、コンデンサC1、コンデンサC1に直列
に接続されたインバータI1(第1のインバータ)、イン
バータI1と並列に接続され、インバータI1と共にチョッ
パ段2を形成するスイッチS3および前記半導体回路11か
らなるコンパレータ部22と、コンパレータ部22の出力信
号をラッチするラッチ部(ラッチ回路)14と、により構
成されている。ここでコンパレータ部22およびラッチ部
14の各スイッチには第3図(a)に示すクロック信号CK
1が供給され、スイッチS2,S11およびS6には同図(b)
に示すクロック信号CK2が供給され、各スイッチ“L"レ
ベルでON、“H"レベルでOFFとなる。
以上述べたように、本実施例では半導体回路11のインバ
ータ12を構成するPチャネルトランジスタTAとNチャネ
ルトランジスタTBの中間にスイッチS11を設け、さらに
各トランジスタTA,TBとスイッチS11間の電位をそれぞれ
のゲートに受けるPチャネルトランジスタT1およびNチ
ャネルトランジスタT2からなるインバータ13が設けられ
ている。したがって、インバータ2段分の構成でその2
段のインバータの貫通電流が防止される。すなわち、第
6図(b)に示すクロックドインバータ6を用いて貫通
電流を防止するものでは単にインバータ1段分の貫通電
流が防止されているに過ぎず、本実施例と同等の利得を
得るためにはインバータ1段を付加する必要がある。イ
ンバータを付加するとその付加したインバータの貫通電
流を抑制することはできない。これに対し、本実施例の
ものは1つのスイッチS11で2段のインバータ12、13の
貫通電流が防止できるので、半導体チップ21のオートゼ
ロ時(VrefON時)の貫通電流を確実に防止しながらイン
バータ2段の構成により大きな利得を得ることができ
る。また、回路規模も第6図(b)のものと略同等の大
きさにより実現可能である。
したがって、本実施例によればチョッパ型コンパレータ
の消費電力を速度を損なうことなく、かつ回路規模を小
さくして抑えることができる。
第4図は本発明に係るコンパレータの第2実施例を示す
図であり、第2図に示した第1実施例と同一構成部分に
は同一符号を付している。
第4図に示すように、本実施例はコンパレータ部22出力
をラッチしない場合の例であり、コンパレータ部22出力
N0はNANDゲート23の入力端子に入力され、NANDゲート23
の他方の入力端子にはクロック信号CK2が入力され、NAN
Dゲート23からは出力NXが出力される。この場合CK2が
“L"でN0がフローティングとなった際にNANDゲート23に
てNXを“H"になるように固定する。動作タイミングは第
3図のものと同じである。
したがって、本実施例にあっても第1実施例と同様の効
果を得ることができる。
〔発明の効果〕
本発明によれば、コンパレータの回路規模を増大させる
ことなく、貫通電流を抑えることができ、低消費電力化
および回路の素子数の低減を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の原理説明図、 第2、3図は本発明に係るコンパレータの第1実施例を
示す図であり、 第2図はそのコンパレータの回路図、 第3図はその動作タイミング図、 第4図は本発明に係るコンパレータの第2実施例を示す
コンパレータの回路図、 第5、6図は従来のコンパレータを示す図であり、 第5図はその回路図、 第6図はその要部の回路図である。 2……チョッパ段、 10……コンパレータ部(比較回路部)、 11……半導体回路(半導体回路部)、 12、13……インバータ、 14……ラッチ部(ラッチ回路)、 21……チョッパ型コンパレータ(コンパレータ)、 22……コンパレータ部(比較回路部)、 23……NANDゲート(論理ゲート)、 S1,S2……スイッチ(スイッチ回路)、 S3,S6……スイッチ、 S11……スイッチ(所定のスイッチ)、 C1……コンデンサ、 I1,I4,I5……インバータ(第1のインバータ)、 TA……Pチャネルトランジスタ(第1のPチャネルトラ
ンジスタ)、 TB……Nチャネルトランジスタ(第1のNチャネルトラ
ンジスタ)、 T1……Pチャネルトランジスタ(第2のPチャネルトラ
ンジスタ)、 T2……Nチャネルトランジスタ(第2のNチャネルトラ
ンジスタ)。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】基準電圧と入力電圧とを交互に選択出力す
    るスイッチ回路と、 該スイッチ回路の出力側に、コンデンサと該コンデンサ
    を介して接続された第1のインバータと該第1のインバ
    ータの入出力端子間を短絡又は非短絡するスイッチとよ
    りなる回路部が一段又は2段以上縦続接続されてなる比
    較回路部と、 該比較回路部の出力信号を選択出力して取り出す半導体
    回路部と、を備えたコンパレータであって、 前記半導体回路部は、ソースが高電位電源線側に接続さ
    れ、ゲートに前記比較回路部の出力を受ける第1のPチ
    ャネルトランジスタと、 ソースが低電位電源線側に接続され、ゲートに前記比較
    回路部の出力を受ける第1のNチャネルトランジスタ
    と、 高電位電源線側と出力端との間に接続されると共に、ゲ
    ートを前記第1のPチャネルトランジスタのドレインに
    接続する第2のPチャネルトランジスタと、 低電位電源側と出力端との間に接続されると共に、ゲー
    トを前記第1のNチャネルトランジスタのドレインに接
    続する第2のNチャネルトランジスタと、 前記第1のPチャネルトランジスタのドレインと前記第
    1のNチャネルトランジスタのドレインとの間に接続さ
    れたスイッチとを具備することを特徴とするコンパレー
    タ。
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