JPH0781133B2 - メモリーハードディスクの研磨用組成物 - Google Patents
メモリーハードディスクの研磨用組成物Info
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- JPH0781133B2 JPH0781133B2 JP4113660A JP11366092A JPH0781133B2 JP H0781133 B2 JPH0781133 B2 JP H0781133B2 JP 4113660 A JP4113660 A JP 4113660A JP 11366092 A JP11366092 A JP 11366092A JP H0781133 B2 JPH0781133 B2 JP H0781133B2
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- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims description 86
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 28
- MEFBJEMVZONFCJ-UHFFFAOYSA-N molybdate Chemical compound [O-][Mo]([O-])(=O)=O MEFBJEMVZONFCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- APUPEJJSWDHEBO-UHFFFAOYSA-P ammonium molybdate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-][Mo]([O-])(=O)=O APUPEJJSWDHEBO-UHFFFAOYSA-P 0.000 claims description 6
- 235000018660 ammonium molybdate Nutrition 0.000 claims description 6
- 239000011609 ammonium molybdate Substances 0.000 claims description 6
- 229940010552 ammonium molybdate Drugs 0.000 claims description 6
- BNGXYYYYKUGPPF-UHFFFAOYSA-M (3-methylphenyl)methyl-triphenylphosphanium;chloride Chemical group [Cl-].CC1=CC=CC(C[P+](C=2C=CC=CC=2)(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 BNGXYYYYKUGPPF-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 5
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical class [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 150000002815 nickel Chemical class 0.000 claims description 5
- LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L nickel sulfate Chemical group [Ni+2].[O-]S([O-])(=O)=O LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 5
- 229910000363 nickel(II) sulfate Inorganic materials 0.000 claims description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- KERTUBUCQCSNJU-UHFFFAOYSA-L nickel(2+);disulfamate Chemical compound [Ni+2].NS([O-])(=O)=O.NS([O-])(=O)=O KERTUBUCQCSNJU-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 4
- KBJMLQFLOWQJNF-UHFFFAOYSA-N nickel(ii) nitrate Chemical compound [Ni+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O KBJMLQFLOWQJNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- MQRWBMAEBQOWAF-UHFFFAOYSA-N acetic acid;nickel Chemical compound [Ni].CC(O)=O.CC(O)=O MQRWBMAEBQOWAF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ZCLVNIZJEKLGFA-UHFFFAOYSA-H bis(4,5-dioxo-1,3,2-dioxalumolan-2-yl) oxalate Chemical compound [Al+3].[Al+3].[O-]C(=O)C([O-])=O.[O-]C(=O)C([O-])=O.[O-]C(=O)C([O-])=O ZCLVNIZJEKLGFA-UHFFFAOYSA-H 0.000 claims description 2
- NMHMDUCCVHOJQI-UHFFFAOYSA-N lithium molybdate Chemical compound [Li+].[Li+].[O-][Mo]([O-])(=O)=O NMHMDUCCVHOJQI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229940078494 nickel acetate Drugs 0.000 claims description 2
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011591 potassium Substances 0.000 claims description 2
- 235000015393 sodium molybdate Nutrition 0.000 claims description 2
- 239000011684 sodium molybdate Substances 0.000 claims description 2
- TVXXNOYZHKPKGW-UHFFFAOYSA-N sodium molybdate (anhydrous) Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Mo]([O-])(=O)=O TVXXNOYZHKPKGW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- VLAPMBHFAWRUQP-UHFFFAOYSA-L molybdic acid Chemical group O[Mo](O)(=O)=O VLAPMBHFAWRUQP-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- DEXFNLNNUZKHNO-UHFFFAOYSA-N 6-[3-[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]piperidin-1-yl]-3-oxopropyl]-3H-1,3-benzoxazol-2-one Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C1CCN(CC1)C(CCC1=CC2=C(NC(O2)=O)C=C1)=O DEXFNLNNUZKHNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018104 Ni-P Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018536 Ni—P Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
- C09G1/00—Polishing compositions
- C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、コンピュータシステム
の外部記憶装置に使用されている磁気ディスク用基板
（メモリーハードディスク）の表面を迅速かつ高品質の
鏡面に研磨するメモリーハードディスクの研磨用組成物
に関する。
の外部記憶装置に使用されている磁気ディスク用基板
（メモリーハードディスク）の表面を迅速かつ高品質の
鏡面に研磨するメモリーハードディスクの研磨用組成物
に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、磁気ディスク装置に使用されてい
るメモリーハードディスクは、大容量化、高密度化の趨
勢にあり、磁性媒体は、従来の塗布型媒体からスパッタ
リングやメッキ法による薄膜媒体へと移行している。そ
して、高密度化に伴ないメモリーハードディスクと磁気
ベッドとの間隔、即ち、ヘッド浮上量は、ますます小さ
くなってきており、最近では、０．２μｍ以下になって
いる。このように、ヘッド浮上量が著しく小さいため
に、メモリーハードディスク面に突起があるとヘッドク
ラッシュを招き、メモリーハードディスク表面の磁性媒
体や磁気ヘッドを損傷させることがある。又、ヘッドク
ラッシュに至らないような微小な突起でも突起部の磁気
特性の乱れによって情報の読み書きの際の種々のエラー
の原因になりやすい。従って、磁性媒体を形成する前の
メモリーハードディスク基板の研磨工程で突起の発生を
防ぐことが重要である。
るメモリーハードディスクは、大容量化、高密度化の趨
勢にあり、磁性媒体は、従来の塗布型媒体からスパッタ
リングやメッキ法による薄膜媒体へと移行している。そ
して、高密度化に伴ないメモリーハードディスクと磁気
ベッドとの間隔、即ち、ヘッド浮上量は、ますます小さ
くなってきており、最近では、０．２μｍ以下になって
いる。このように、ヘッド浮上量が著しく小さいため
に、メモリーハードディスク面に突起があるとヘッドク
ラッシュを招き、メモリーハードディスク表面の磁性媒
体や磁気ヘッドを損傷させることがある。又、ヘッドク
ラッシュに至らないような微小な突起でも突起部の磁気
特性の乱れによって情報の読み書きの際の種々のエラー
の原因になりやすい。従って、磁性媒体を形成する前の
メモリーハードディスク基板の研磨工程で突起の発生を
防ぐことが重要である。
【０００３】メモリーハードディスクに対し、従来使用
されている研磨用組成物は、水に酸化アルミニウムの研
磨材を懸濁した研磨スラリーやさらには、水とアルミナ
質の研磨材と硝酸アルミニウムや硫酸ニッケル又はスル
ファミン酸ニッケルの研磨促進剤を混合して、スラリー
状にしたものである。
されている研磨用組成物は、水に酸化アルミニウムの研
磨材を懸濁した研磨スラリーやさらには、水とアルミナ
質の研磨材と硝酸アルミニウムや硫酸ニッケル又はスル
ファミン酸ニッケルの研磨促進剤を混合して、スラリー
状にしたものである。
【０００４】出願人は、先に特公平２−２３５８９号公
報にて、「水と、酸化アルミニウムの研磨剤、及び、研
磨促進剤からなり、メモリーハードディスクの無電解ニ
ッケルめっき、アルマイト又は、アルミニウムの面を研
磨する組成物において、上記の研磨促進剤が、上記の面
の研磨を促進する硝酸ニッケル又は硝酸アルミニウムの
１種、若しくは硝酸ニッケル又は硫酸ニッケルと硝酸ア
ルミニウムの２種の研磨促進剤であるメモリーハードデ
ィスクの研磨用組成物。」並びに特公昭６４−４３６号
公報にて、「水と、酸化アルミニウムの研磨剤及び硫酸
ニッケルの研磨促進剤からなり、中性ないし弱酸性であ
る研磨用組成物。」を開示した。さらに、特開平１−９
７５６０号公報には、「アルミナ質研磨材粉末とスルフ
ァミン酸ニッケルと水からなるアルミニウム磁気ディス
ク研磨用組成物。」が開示されている。
報にて、「水と、酸化アルミニウムの研磨剤、及び、研
磨促進剤からなり、メモリーハードディスクの無電解ニ
ッケルめっき、アルマイト又は、アルミニウムの面を研
磨する組成物において、上記の研磨促進剤が、上記の面
の研磨を促進する硝酸ニッケル又は硝酸アルミニウムの
１種、若しくは硝酸ニッケル又は硫酸ニッケルと硝酸ア
ルミニウムの２種の研磨促進剤であるメモリーハードデ
ィスクの研磨用組成物。」並びに特公昭６４−４３６号
公報にて、「水と、酸化アルミニウムの研磨剤及び硫酸
ニッケルの研磨促進剤からなり、中性ないし弱酸性であ
る研磨用組成物。」を開示した。さらに、特開平１−９
７５６０号公報には、「アルミナ質研磨材粉末とスルフ
ァミン酸ニッケルと水からなるアルミニウム磁気ディス
ク研磨用組成物。」が開示されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
たようにメモリーハードディスクは最近一層の高密度化
の必要に迫られており、従来以上に微小な突起が少ない
高品質な研磨面の要求が強くなってきている。又、加工
コストの低減の為にも、従来に比べて研磨能率が高く作
業性の良い研磨用組成物が求められている。本発明は、
これらの要求に応えるため、即ち研磨能率が高く、高精
度、高品質な研磨面が得られる研磨用組成物を提供する
ことを目的とするものである。
たようにメモリーハードディスクは最近一層の高密度化
の必要に迫られており、従来以上に微小な突起が少ない
高品質な研磨面の要求が強くなってきている。又、加工
コストの低減の為にも、従来に比べて研磨能率が高く作
業性の良い研磨用組成物が求められている。本発明は、
これらの要求に応えるため、即ち研磨能率が高く、高精
度、高品質な研磨面が得られる研磨用組成物を提供する
ことを目的とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、水とアルミナ
質の研磨材及び研磨促進剤からなり、メモリーハードデ
ィスクの無電解ニッケルめっき、アルマイト又は、アル
ミニウムの面を研磨する組成物であって、上記の研磨促
進剤がモリブデン酸塩の１種、若しくはモリブデン酸塩
とアルミニウム塩、又はモリブデン酸塩とニッケル塩と
を含有することを特徴とするメモリーハードディスクの
研磨用組成物である。上記研磨促進剤のモリブデン酸塩
はモリブデン酸アンモニウム、モリブデン酸リチウム、
モリブデン酸ナトリウム、モリブデン酸カリウムから選
ばれた１種であり、また、アルミニウム塩は硝酸アルミ
ニウム又は蓚酸アルミニウムであり、ニッケル塩は硫酸
ニッケル、硝酸ニッケル、スルファミン酸ニッケル、酢
酸ニッケルから選ばれた１種であり、さらに、研磨促進
剤の重量割合が０．１〜２０％であり、研磨材の重量割
合が２〜３０％であり、研磨材の平均粒子径が０．３〜
１０μｍであるメモリーハードディスクの研磨用組成物
である。
質の研磨材及び研磨促進剤からなり、メモリーハードデ
ィスクの無電解ニッケルめっき、アルマイト又は、アル
ミニウムの面を研磨する組成物であって、上記の研磨促
進剤がモリブデン酸塩の１種、若しくはモリブデン酸塩
とアルミニウム塩、又はモリブデン酸塩とニッケル塩と
を含有することを特徴とするメモリーハードディスクの
研磨用組成物である。上記研磨促進剤のモリブデン酸塩
はモリブデン酸アンモニウム、モリブデン酸リチウム、
モリブデン酸ナトリウム、モリブデン酸カリウムから選
ばれた１種であり、また、アルミニウム塩は硝酸アルミ
ニウム又は蓚酸アルミニウムであり、ニッケル塩は硫酸
ニッケル、硝酸ニッケル、スルファミン酸ニッケル、酢
酸ニッケルから選ばれた１種であり、さらに、研磨促進
剤の重量割合が０．１〜２０％であり、研磨材の重量割
合が２〜３０％であり、研磨材の平均粒子径が０．３〜
１０μｍであるメモリーハードディスクの研磨用組成物
である。
【０００７】
【作用】本発明の研磨用組成物は上記のような組成から
なるので、この研磨用組成物を用いてメモリーハードデ
ィスクの被研磨面を研磨すると、配合する研磨促進剤に
より、いわゆるメカノケミカル研磨が行なわれ、従来の
研磨用組成物に比べて高い研磨能率が得られ、なおかつ
研磨促進効果の化学的作用と機械的作用の適合によっ
て、微小突起の非常に少ない研磨面が得られ、最近のよ
り一層の高密度化に必要な精度の高い研磨面品質が実現
できる。又、従来の各種のアルミニウム塩やニッケル塩
を添加した研磨用組成物をベースとして、モリブデン酸
塩を添加すると、微小突起が減少するのみならず、スラ
リーの分散性や流動性が改善され、製品容器内又は、研
磨時に使用するスラリータンク内でパウダーが硬く沈殿
する、いわゆるケーキング現象が改善され使用時のスラ
リー溶解が簡単で、又、研磨パッドの目詰りも少なくな
ることによって、研磨パッドのドレッシング頻度が大幅
に改善できる等の効果がある。
なるので、この研磨用組成物を用いてメモリーハードデ
ィスクの被研磨面を研磨すると、配合する研磨促進剤に
より、いわゆるメカノケミカル研磨が行なわれ、従来の
研磨用組成物に比べて高い研磨能率が得られ、なおかつ
研磨促進効果の化学的作用と機械的作用の適合によっ
て、微小突起の非常に少ない研磨面が得られ、最近のよ
り一層の高密度化に必要な精度の高い研磨面品質が実現
できる。又、従来の各種のアルミニウム塩やニッケル塩
を添加した研磨用組成物をベースとして、モリブデン酸
塩を添加すると、微小突起が減少するのみならず、スラ
リーの分散性や流動性が改善され、製品容器内又は、研
磨時に使用するスラリータンク内でパウダーが硬く沈殿
する、いわゆるケーキング現象が改善され使用時のスラ
リー溶解が簡単で、又、研磨パッドの目詰りも少なくな
ることによって、研磨パッドのドレッシング頻度が大幅
に改善できる等の効果がある。
【０００８】上記の研磨促進剤の添加量は、重量割合
で、研磨能率並に研磨性能を上げるためには０．１％以
上が必要であるが、２０％を越えても研磨能率の更なる
向上は認められず徒に材料を消費し不経済なので０．１
〜２０％が好ましい。更に研磨材の平均粒子径は０．３
μｍ未満では研磨能率が低くなり、また１０μｍを越え
ると高品質の研磨面が出来ないので０３〜１０μｍが好
ましい。又、研磨材の重量割合は、研磨能率並に研磨性
能を上げるためには２％以上が必要であるが、３０％を
越えても研磨能率の向上は認められず徒に材料を消費し
不経済なので２〜３０％が好ましい。
で、研磨能率並に研磨性能を上げるためには０．１％以
上が必要であるが、２０％を越えても研磨能率の更なる
向上は認められず徒に材料を消費し不経済なので０．１
〜２０％が好ましい。更に研磨材の平均粒子径は０．３
μｍ未満では研磨能率が低くなり、また１０μｍを越え
ると高品質の研磨面が出来ないので０３〜１０μｍが好
ましい。又、研磨材の重量割合は、研磨能率並に研磨性
能を上げるためには２％以上が必要であるが、３０％を
越えても研磨能率の向上は認められず徒に材料を消費し
不経済なので２〜３０％が好ましい。
【０００９】
【実施例】（実施例１）平均粒子径０．８μｍのアルミ
ナ粉末（α−Ａｌ2 Ｏ3 ）を１０重量％含有するスラリ
−にモリブデン酸アンモニウム（ＮＨ4 ）2 ＭｏＯ4 ・
４Ｈ2 Ｏを重量％で０．１〜３０．０％となるように添
加して、発明品（１）〜（８）としての研磨用組成物を
作成し、比較としてモリブデン酸アンモニウムを添加し
ない研磨用組成物を従来品（１）とした。次に述べる研
磨機を用い並びに下記に示す研磨条件で研磨用組成物の
研磨試験を行なった。その結果を表１に示す。
ナ粉末（α−Ａｌ2 Ｏ3 ）を１０重量％含有するスラリ
−にモリブデン酸アンモニウム（ＮＨ4 ）2 ＭｏＯ4 ・
４Ｈ2 Ｏを重量％で０．１〜３０．０％となるように添
加して、発明品（１）〜（８）としての研磨用組成物を
作成し、比較としてモリブデン酸アンモニウムを添加し
ない研磨用組成物を従来品（１）とした。次に述べる研
磨機を用い並びに下記に示す研磨条件で研磨用組成物の
研磨試験を行なった。その結果を表１に示す。
【００１０】［研磨試験条件］ 研磨機 両面ポリシングマシン（９Ｂタイプ） 研磨パッド スウェードタイプポリシングパッド ディスク Ｎｉ−Ｐメッキディスク，３．５”φ，５枚 研磨時間 ５分間研磨し、１分間当たりの研磨速度を求める 回転数 ６０rpm （下定盤回転数） 加工圧力 １００ｇ／ｃｍ2 スラリー供給量 １００ｍｌ／分
【００１１】なお、研磨面品質の特性として、微小突起
測定方法を用いて平均突起個数（個／視野）を求めた。
微小突起測定方法は、微分干渉顕微鏡を用いて、４００
倍での視野で、微小突起を１２ケ所で測定し、その平均
個数を求めて算出した。
測定方法を用いて平均突起個数（個／視野）を求めた。
微小突起測定方法は、微分干渉顕微鏡を用いて、４００
倍での視野で、微小突起を１２ケ所で測定し、その平均
個数を求めて算出した。
【００１２】
【表１】
【００１３】表１に示す如く、本発明品（１）〜（８）
は従来品（１）に比べて研磨速度は速く、突起個数は格
段と少なく優れた成績を示していることは明らかであ
る。
は従来品（１）に比べて研磨速度は速く、突起個数は格
段と少なく優れた成績を示していることは明らかであ
る。
【００１４】（実施例２）表２に示すような分子式の研
磨促進剤を５重量％とモリブデン酸アンモニウムを１．
０重量％添加した本発明品（１１）〜（１６）と研磨促
進剤を５重量％とモリブデン酸アンモニウムを添加しな
い従来品（２）〜（７）を作成し、実施例１と同様な研
磨機並びに研磨条件にて研磨試験を行った。なお研磨特
性としては、研磨速度，平均突起個数並びにケ−キング
特性と目詰まり特性を比較した。その結果を表３に示
す。
磨促進剤を５重量％とモリブデン酸アンモニウムを１．
０重量％添加した本発明品（１１）〜（１６）と研磨促
進剤を５重量％とモリブデン酸アンモニウムを添加しな
い従来品（２）〜（７）を作成し、実施例１と同様な研
磨機並びに研磨条件にて研磨試験を行った。なお研磨特
性としては、研磨速度，平均突起個数並びにケ−キング
特性と目詰まり特性を比較した。その結果を表３に示
す。
【００１５】
【表２】
【００１６】
【表３】
【００１７】表３に示す如く、本発明品（１１）〜（１
６）は従来品（２）〜（７）に比べて研磨速度は優とも
劣らず速く、突起個数は格段と少なく、ケ−キング特性
や目詰まり特性は全て良好であり、優れた成績を示して
いることは明らかである。なお、本発明は、本実施例に
用いた研磨促進剤に限定されるものではない。
６）は従来品（２）〜（７）に比べて研磨速度は優とも
劣らず速く、突起個数は格段と少なく、ケ−キング特性
や目詰まり特性は全て良好であり、優れた成績を示して
いることは明らかである。なお、本発明は、本実施例に
用いた研磨促進剤に限定されるものではない。
【００１８】
【発明の効果】本発明のメモリ−ハ−ドディスクの研磨
用組成物によれば、従来の研磨用組成物に比べて、高い
研磨能率が得られ、なおかつ研磨促進効果の化学的作用
と機械的作用の適合によって、微小突起の非常に少ない
研磨面が得られ、最近のより一層の高密度化に必要な精
度の高い研磨面品質が実現できる。又、スラリーの分散
性や流動性が改善され、製品容器内又は、研磨時に使用
する場合の、いわゆるケーキング現象が改善され使用時
のスラリー溶解が簡単で、又、研磨パッドの目詰りも少
なくなることによって、研磨パッドのドレッシング頻度
が大幅に改善できる等の作用効果を奏する。
用組成物によれば、従来の研磨用組成物に比べて、高い
研磨能率が得られ、なおかつ研磨促進効果の化学的作用
と機械的作用の適合によって、微小突起の非常に少ない
研磨面が得られ、最近のより一層の高密度化に必要な精
度の高い研磨面品質が実現できる。又、スラリーの分散
性や流動性が改善され、製品容器内又は、研磨時に使用
する場合の、いわゆるケーキング現象が改善され使用時
のスラリー溶解が簡単で、又、研磨パッドの目詰りも少
なくなることによって、研磨パッドのドレッシング頻度
が大幅に改善できる等の作用効果を奏する。
Claims (5)
- 【請求項１】 水とアルミナ質の研磨材及び研磨促進剤
からなり、メモリーハードディスクの無電解ニッケルめ
っき、アルマイト又は、アルミニウムの面を研磨する組
成物であって、 上記の研磨促進剤がモリブデン酸塩の１種、若しくはモ
リブデン酸塩とアルミニウム塩、又はモリブデン酸塩と
ニッケル塩とを含有することを特徴とするメモリーハー
ドディスクの研磨用組成物。 - 【請求項２】 モリブデン酸塩がモリブデン酸アンモニ
ウム、モリブデン酸リチウム、モリブデン酸ナトリウ
ム、モリブデン酸カリウムから選ばれた１種であること
を特徴とする請求項１記載のメモリーハードディスクの
研磨用組成物。 - 【請求項３】 アルミニウム塩が硝酸アルミニウム又は
蓚酸アルミニウムであり、ニッケル塩が硫酸ニッケル、
硝酸ニッケル、スルファミン酸ニッケル、酢酸ニッケル
から選ばれた１種であることを特徴とする請求項１記載
のメモリーハードディスクの研磨用組成物。 - 【請求項４】 研磨促進剤の重量割合が０．１〜２０％
であることを特徴とする請求項１又は２に記載のメモリ
ーハードディスクの研磨用組成物。 - 【請求項５】 研磨材の重量割合が２〜３０％であり、
研磨材の平均粒子径が０．３〜１０μｍであることを特
徴とする請求項１記載のメモリーハードディスクの研磨
用組成物。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4113660A JPH0781133B2 (ja) | 1992-05-06 | 1992-05-06 | メモリーハードディスクの研磨用組成物 |
| US07/946,908 US5226955A (en) | 1992-05-06 | 1992-09-18 | Polishing composition for memory hard disc |
| TW082103223A TW212198B (en) | 1992-05-06 | 1993-04-27 | Polishing composition for memory hard disc |
| KR1019930007633A KR0172976B1 (ko) | 1992-05-06 | 1993-05-04 | 메모리-하아드 디스크의 연마용 조성물 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4113660A JPH0781133B2 (ja) | 1992-05-06 | 1992-05-06 | メモリーハードディスクの研磨用組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05311153A JPH05311153A (ja) | 1993-11-22 |
| JPH0781133B2 true JPH0781133B2 (ja) | 1995-08-30 |
Family
ID=14617922
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4113660A Expired - Lifetime JPH0781133B2 (ja) | 1992-05-06 | 1992-05-06 | メモリーハードディスクの研磨用組成物 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5226955A (ja) |
| JP (1) | JPH0781133B2 (ja) |
| KR (1) | KR0172976B1 (ja) |
| TW (1) | TW212198B (ja) |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5700303A (en) * | 1996-10-31 | 1997-12-23 | Zander; Richard A. | Chrome polish/exhaust pipe de-bluer |
| US5958288A (en) * | 1996-11-26 | 1999-09-28 | Cabot Corporation | Composition and slurry useful for metal CMP |
| US6068787A (en) * | 1996-11-26 | 2000-05-30 | Cabot Corporation | Composition and slurry useful for metal CMP |
| JP4141514B2 (ja) * | 1996-11-26 | 2008-08-27 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | リンス用組成物 |
| US7179551B2 (en) | 1999-02-12 | 2007-02-20 | General Electric Company | Poly(arylene ether) data storage media |
| BR0008208A (pt) | 1999-02-12 | 2002-02-19 | Gen Electric | Meios de armazenamento de dados |
| US6162268A (en) * | 1999-05-03 | 2000-12-19 | Praxair S. T. Technology, Inc. | Polishing slurry |
| US6261476B1 (en) | 2000-03-21 | 2001-07-17 | Praxair S. T. Technology, Inc. | Hybrid polishing slurry |
| TW491757B (en) * | 2000-06-19 | 2002-06-21 | Kuraray Co | Abrasive sheet for texturing and method of producing same |
| US6454821B1 (en) | 2000-06-21 | 2002-09-24 | Praxair S. T. Technology, Inc. | Polishing composition and method |
| US6383065B1 (en) | 2001-01-22 | 2002-05-07 | Cabot Microelectronics Corporation | Catalytic reactive pad for metal CMP |
| MY144587A (en) * | 2001-06-21 | 2011-10-14 | Kao Corp | Polishing composition |
| JP2006077127A (ja) * | 2004-09-09 | 2006-03-23 | Fujimi Inc | 研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法 |
| CN1900206B (zh) * | 2005-07-21 | 2011-01-05 | 安集微电子（上海）有限公司 | 化学机械抛光液及其用途 |
| TWI452097B (zh) * | 2005-12-23 | 2014-09-11 | 安集微電子有限公司 | A chemical mechanical polishing solution is used to reduce the removal rate of aluminum |
| TWI417245B (zh) * | 2008-06-13 | 2013-12-01 | 福吉米股份有限公司 | 氧化鋁粒子及含有該氧化鋁粒子之研磨用組成物 |
| US9005357B2 (en) | 2012-05-24 | 2015-04-14 | Agency For Science, Technology And Research | Method of preparing molybdenum oxide films |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4426366A (en) * | 1980-11-24 | 1984-01-17 | Exxon Research And Engineering Co. | Novel molybdenum oxycarbonitride compositions |
| US4476102A (en) * | 1980-11-24 | 1984-10-09 | Exxon Research And Engineering Co. | Molybdenum oxycarbonitride compositions and process for preparing the same |
| JPS61278587A (ja) * | 1985-06-04 | 1986-12-09 | Fujimi Kenmazai Kogyo Kk | 研磨用組成物 |
| US4769046A (en) * | 1985-07-25 | 1988-09-06 | Fujimi Kanmazai Kogyo Kabushiki Kaisha Of Japan | Process for polishing surface of memory hard disc |
| JPS6225187A (ja) * | 1985-07-25 | 1987-02-03 | Fujimi Kenmazai Kogyo Kk | メモリ−ハ−ドデイスクの研磨用組成物 |
| JPH0197561A (ja) * | 1987-10-09 | 1989-04-17 | Showa Denko Kk | アルミニウム磁気ディスク研磨用組成物 |
| JPH0197560A (ja) * | 1987-10-09 | 1989-04-17 | Showa Denko Kk | アルミニウム磁気ディスク研磨用組成物 |
| JPH01257563A (ja) * | 1988-04-08 | 1989-10-13 | Showa Denko Kk | アルミニウム磁気ディスク研磨用組成物 |
-
1992
- 1992-05-06 JP JP4113660A patent/JPH0781133B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1992-09-18 US US07/946,908 patent/US5226955A/en not_active Expired - Lifetime
-
1993
- 1993-04-27 TW TW082103223A patent/TW212198B/zh active
- 1993-05-04 KR KR1019930007633A patent/KR0172976B1/ko not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW212198B (en) | 1993-09-01 |
| KR0172976B1 (ko) | 1999-03-20 |
| KR930023437A (ko) | 1993-12-18 |
| JPH05311153A (ja) | 1993-11-22 |
| US5226955A (en) | 1993-07-13 |
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Legal Events
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| S531 | Written request for registration of change of domicile |
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|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090830 Year of fee payment: 14 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120830 Year of fee payment: 17 |