JPH09143455A - ハードディスク基板の研磨用組成物及びこれを用いる研磨方法 - Google Patents
ハードディスク基板の研磨用組成物及びこれを用いる研磨方法Info
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- JPH09143455A JPH09143455A JP32028395A JP32028395A JPH09143455A JP H09143455 A JPH09143455 A JP H09143455A JP 32028395 A JP32028395 A JP 32028395A JP 32028395 A JP32028395 A JP 32028395A JP H09143455 A JPH09143455 A JP H09143455A
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Landscapes
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 保存安定性、作業性がよく、且つ高品質の研
磨面を与える研磨用組成物を提供する。 【解決手段】 水溶性樹脂及び分散剤から成る溶質の少
くとも一種を含む水性媒体中に砥粒を分散させてなり、
砥粒に対するこれらの溶質の飽和吸着量が砥粒の表面積
1m2 当り0.5mg以上であることを特徴とする。
磨面を与える研磨用組成物を提供する。 【解決手段】 水溶性樹脂及び分散剤から成る溶質の少
くとも一種を含む水性媒体中に砥粒を分散させてなり、
砥粒に対するこれらの溶質の飽和吸着量が砥粒の表面積
1m2 当り0.5mg以上であることを特徴とする。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、ハードディスク基
板の研磨用組成物及びこれを用いる研磨方法に関するも
のである。特に本発明は、ハードディスク基板のNi−
Pメッキ面を能率よく且つ高品質に研磨するための研磨
用組成物、及びこれを用いたNi−Pメッキ面の研磨方
法に関するものである。
板の研磨用組成物及びこれを用いる研磨方法に関するも
のである。特に本発明は、ハードディスク基板のNi−
Pメッキ面を能率よく且つ高品質に研磨するための研磨
用組成物、及びこれを用いたNi−Pメッキ面の研磨方
法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】ハードディスクは、コンピュータの外部
記憶装置として、広く用いられている。ハードディスク
は、ガラス、セラミックスやアルミニウム等の種々の基
板上に、主にスパッタリングにより磁性層を設けること
により、製造されている。最も一般的なアルミニウムを
基板とするハードディスクでは、アルミニウムやその合
金板を先ず研磨して鏡面とし、その上にNi−Pのメッ
キ層を形成する。次いでNi−Pメッキ層を研磨し、更
にテクスチュアリングを施したのち、その上にスパッタ
リングにより磁性層を形成する。最後に、所望により、
磁性層面を研磨してハードディスクとする。
記憶装置として、広く用いられている。ハードディスク
は、ガラス、セラミックスやアルミニウム等の種々の基
板上に、主にスパッタリングにより磁性層を設けること
により、製造されている。最も一般的なアルミニウムを
基板とするハードディスクでは、アルミニウムやその合
金板を先ず研磨して鏡面とし、その上にNi−Pのメッ
キ層を形成する。次いでNi−Pメッキ層を研磨し、更
にテクスチュアリングを施したのち、その上にスパッタ
リングにより磁性層を形成する。最後に、所望により、
磁性層面を研磨してハードディスクとする。
【0003】近年、ハードディスクの高密度化が進み、
情報の記録・再生に際してのハードディスクと磁気ヘッ
ドとの間隔、すなわち磁気ヘッドの浮上量はますます小
さくなってきている。従ってハードディスク面上に突起
が存在するとヘッドクラッシュを招き、ハードディスク
や磁気ヘッドを損傷させるおそれがある。また、ヘッド
クラッシュに至らないような微小な突起でも、突起部の
磁気特性の乱れにより、情報の読み書きに際し、種々の
エラーの原因となりやすい。従って磁性層を形成する前
の、ハードディスク基板の研磨工程で、突起のない高品
質の研磨面を形成することが重要であり、従来から研磨
用組成物や研磨方法などについて、多くの検討がなされ
ている(特開平6−33042号公報参照)。
情報の記録・再生に際してのハードディスクと磁気ヘッ
ドとの間隔、すなわち磁気ヘッドの浮上量はますます小
さくなってきている。従ってハードディスク面上に突起
が存在するとヘッドクラッシュを招き、ハードディスク
や磁気ヘッドを損傷させるおそれがある。また、ヘッド
クラッシュに至らないような微小な突起でも、突起部の
磁気特性の乱れにより、情報の読み書きに際し、種々の
エラーの原因となりやすい。従って磁性層を形成する前
の、ハードディスク基板の研磨工程で、突起のない高品
質の研磨面を形成することが重要であり、従来から研磨
用組成物や研磨方法などについて、多くの検討がなされ
ている(特開平6−33042号公報参照)。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ハードディスク基板の
研磨に際して第一に要求されることは、突起のない高品
質の研磨面を形成することである。特に最近の高密度化
の進行に伴い、従来は許容されていた微小な突起といえ
ども、無視できない存在となりつつある。従って研磨用
組成物は、先ず第一に、このような研磨面を与えるもの
であることが必要である。また、これに加えて安定性、
作業性がよく且つ研磨能率の高いものであることが強く
求められている。本発明はこれらの要求に応えようとす
るものである。
研磨に際して第一に要求されることは、突起のない高品
質の研磨面を形成することである。特に最近の高密度化
の進行に伴い、従来は許容されていた微小な突起といえ
ども、無視できない存在となりつつある。従って研磨用
組成物は、先ず第一に、このような研磨面を与えるもの
であることが必要である。また、これに加えて安定性、
作業性がよく且つ研磨能率の高いものであることが強く
求められている。本発明はこれらの要求に応えようとす
るものである。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、水溶性
樹脂及び分散剤から成る溶質の少くとも一種を含む水性
媒体中に砥粒を分散させてなり、且つ砥粒に対するこれ
らの溶質の飽和吸着量が砥粒の表面積1m2 当り0.5
mg以上である研磨用組成物を用いてハードディスク基
板を研磨することにより、突起の少ない高品質のハード
ディスク基板を能率よく製造することができる。
樹脂及び分散剤から成る溶質の少くとも一種を含む水性
媒体中に砥粒を分散させてなり、且つ砥粒に対するこれ
らの溶質の飽和吸着量が砥粒の表面積1m2 当り0.5
mg以上である研磨用組成物を用いてハードディスク基
板を研磨することにより、突起の少ない高品質のハード
ディスク基板を能率よく製造することができる。
【0006】
【発明の実施の形態】本発明についてさらに詳細に説明
すると、本発明に係る研磨用組成物は、基本的には水性
媒体に水溶性樹脂及び分散剤からなる溶質の少くとも一
種を溶解し、さらにこれに砥粒を分散させたものであ
る。本発明者らは、研磨用組成物においては、砥粒が個
々の粒子のレベルで十分に分散しており、且つこの分散
状態が安定していることが重要であることに鑑み、この
状態をもたらす条件について検討した結果、砥粒に水溶
性樹脂や分散剤を多量に吸着させて、砥粒の粒子間に働
く凝集力を減衰させることが重要であることを知得し、
本発明に到達したものである。
すると、本発明に係る研磨用組成物は、基本的には水性
媒体に水溶性樹脂及び分散剤からなる溶質の少くとも一
種を溶解し、さらにこれに砥粒を分散させたものであ
る。本発明者らは、研磨用組成物においては、砥粒が個
々の粒子のレベルで十分に分散しており、且つこの分散
状態が安定していることが重要であることに鑑み、この
状態をもたらす条件について検討した結果、砥粒に水溶
性樹脂や分散剤を多量に吸着させて、砥粒の粒子間に働
く凝集力を減衰させることが重要であることを知得し、
本発明に到達したものである。
【0007】本発明に係る研磨用組成物を構成する砥粒
としては、従来からこの分野で用いられているものを用
いることができる。砥粒の硬度はモース硬度で4〜10
であることが好ましく、また、砥粒の比表面積は0.1
〜50m2 /gが好ましい。砥粒の粒径は0.1〜10
μm(平均粒径)が好ましい。通常用いられる砥粒は酸
化セリウム、アルミナ、シリカ、クロミア(Cr
2 O3 )、炭化ケイ素(SiC)などであるが、特にア
ルミナを用いるのが好ましい。一般に砥粒には、大きな
粒子を破砕し更に所望の粒度に分級して得られる破砕タ
イプのものと、コロイド溶液から生成させる球状タイプ
のものとがあり、それぞれ特徴を有している。例えば同
一の粒径で比較した場合、破砕タイプのものは球状タイ
プのものに比して比表面積が大きく、且つ研磨速度も大
きい。砥粒は、研磨用組成物の用途に応じて選択するの
が好ましく、例えばNi−Pメッキ面のポリッシングに
アルミナ又はシリカ砥粒を用いる場合には、平均粒径が
0.1〜10μmで、破砕タイプのものでは比表面積が
15〜50m2 /g、球状タイプのものでは1〜10m
2/gのものが好ましい。またポリッシングに引続くテ
クスチュアリングに用いる場合には平均粒径が1.0〜
10μmで、破砕タイプのものでは比表面積が3〜30
m2 /g、球状タイプのものでは0.1〜2m2 /gの
ものが好ましい。
としては、従来からこの分野で用いられているものを用
いることができる。砥粒の硬度はモース硬度で4〜10
であることが好ましく、また、砥粒の比表面積は0.1
〜50m2 /gが好ましい。砥粒の粒径は0.1〜10
μm(平均粒径)が好ましい。通常用いられる砥粒は酸
化セリウム、アルミナ、シリカ、クロミア(Cr
2 O3 )、炭化ケイ素(SiC)などであるが、特にア
ルミナを用いるのが好ましい。一般に砥粒には、大きな
粒子を破砕し更に所望の粒度に分級して得られる破砕タ
イプのものと、コロイド溶液から生成させる球状タイプ
のものとがあり、それぞれ特徴を有している。例えば同
一の粒径で比較した場合、破砕タイプのものは球状タイ
プのものに比して比表面積が大きく、且つ研磨速度も大
きい。砥粒は、研磨用組成物の用途に応じて選択するの
が好ましく、例えばNi−Pメッキ面のポリッシングに
アルミナ又はシリカ砥粒を用いる場合には、平均粒径が
0.1〜10μmで、破砕タイプのものでは比表面積が
15〜50m2 /g、球状タイプのものでは1〜10m
2/gのものが好ましい。またポリッシングに引続くテ
クスチュアリングに用いる場合には平均粒径が1.0〜
10μmで、破砕タイプのものでは比表面積が3〜30
m2 /g、球状タイプのものでは0.1〜2m2 /gの
ものが好ましい。
【0008】本発明に係る研磨用組成物において、砥粒
は、研磨能率及び得られる研磨面の性状よりして、全体
の0.1重量%以上を占めるのが好ましい。しかし30
重量%を超える多量の砥粒を存在させても、それによる
利点は特に認められず、逆に徒らに砥粒を消費して不経
済となる。研磨用組成物全体に占める砥粒の好適な比率
は1〜20重量%である。
は、研磨能率及び得られる研磨面の性状よりして、全体
の0.1重量%以上を占めるのが好ましい。しかし30
重量%を超える多量の砥粒を存在させても、それによる
利点は特に認められず、逆に徒らに砥粒を消費して不経
済となる。研磨用組成物全体に占める砥粒の好適な比率
は1〜20重量%である。
【0009】本発明に係る研磨用組成物は、水溶性樹脂
及び分散剤の一方又は双方を含んでいる。水溶性樹脂と
しては、ポリビニルアルコールやポリ酢酸ビニルの部分
ケン化物、ポリアクリル酸やその塩などが用いられる。
また、極性官能基を導入して水溶性とした樹脂、例えば
水溶化ポリウレタン樹脂や水溶化エポキシ樹脂なども用
いられる。このような極性官能基としては、−PO(O
M)2 、−OPO(OM)2 、−SO3 M、−OSO3
M、−COOM(Mはカチオンであり、好ましくは
H+ ,L+ ,Na+ ,K+ 及びNH4 + からなる群から
選択される)などがあげられる。水溶性樹脂の数平均分
子量は通常は1000以上、好ましくは5000以上で
ある。分子量の上限は特にないが、一般に分子量が大き
くなると水溶性が低下することが多い。好適な水溶性樹
脂は、数平均分子量が5×103 〜1.5×105 、特
に1×104 〜8×104 のものである。
及び分散剤の一方又は双方を含んでいる。水溶性樹脂と
しては、ポリビニルアルコールやポリ酢酸ビニルの部分
ケン化物、ポリアクリル酸やその塩などが用いられる。
また、極性官能基を導入して水溶性とした樹脂、例えば
水溶化ポリウレタン樹脂や水溶化エポキシ樹脂なども用
いられる。このような極性官能基としては、−PO(O
M)2 、−OPO(OM)2 、−SO3 M、−OSO3
M、−COOM(Mはカチオンであり、好ましくは
H+ ,L+ ,Na+ ,K+ 及びNH4 + からなる群から
選択される)などがあげられる。水溶性樹脂の数平均分
子量は通常は1000以上、好ましくは5000以上で
ある。分子量の上限は特にないが、一般に分子量が大き
くなると水溶性が低下することが多い。好適な水溶性樹
脂は、数平均分子量が5×103 〜1.5×105 、特
に1×104 〜8×104 のものである。
【0010】分散剤としては、グリセリンエステル、ソ
ルビタンエステルなど脂肪酸とアルコール性水酸基を有
する化合物とのエステル、ポリオキシエチレンアルキル
エーテル、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテ
ルなどポリオキシアルキレン鎖を有する化合物、脂肪酸
アミド、アルキルエーテルリン酸など、常用の種々のも
のを用いることができる。なかでもナフタレンスルホン
酸−ホルムアルデヒド縮合物やスチレンと不飽和カルボ
ン酸との共重合物のような、一分子中に芳香族部分と酸
基とを有するものを用いるのが好ましい。
ルビタンエステルなど脂肪酸とアルコール性水酸基を有
する化合物とのエステル、ポリオキシエチレンアルキル
エーテル、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテ
ルなどポリオキシアルキレン鎖を有する化合物、脂肪酸
アミド、アルキルエーテルリン酸など、常用の種々のも
のを用いることができる。なかでもナフタレンスルホン
酸−ホルムアルデヒド縮合物やスチレンと不飽和カルボ
ン酸との共重合物のような、一分子中に芳香族部分と酸
基とを有するものを用いるのが好ましい。
【0011】これらの水溶性樹脂及び分散剤は研磨用組
成物中の1〜10重量%、特に2〜7重量%を占めるの
が好ましい。本発明に係る研磨用組成物には、さらに所
望により、分散剤以外の界面活性剤その他の常用の助剤
や防カビ剤などを添加してもよい。例えば、界面活性剤
としては分子量1000未満の、N−アシルアミノ酸
塩、アルキルエーテルカルボン酸塩、スルホン酸塩、ア
ルキル硫酸塩、酢酸ベタイン型両性界面活性剤、イミダ
ゾリン型両性界面活性剤、アルキルアンモニウム塩、ア
シドアミン等が用いられる。また、防カビ剤としてはチ
アベンゾール等が用いられる。
成物中の1〜10重量%、特に2〜7重量%を占めるの
が好ましい。本発明に係る研磨用組成物には、さらに所
望により、分散剤以外の界面活性剤その他の常用の助剤
や防カビ剤などを添加してもよい。例えば、界面活性剤
としては分子量1000未満の、N−アシルアミノ酸
塩、アルキルエーテルカルボン酸塩、スルホン酸塩、ア
ルキル硫酸塩、酢酸ベタイン型両性界面活性剤、イミダ
ゾリン型両性界面活性剤、アルキルアンモニウム塩、ア
シドアミン等が用いられる。また、防カビ剤としてはチ
アベンゾール等が用いられる。
【0012】本発明では、研磨用組成物の調製に用いる
砥粒と水溶性樹脂や分散剤とを、砥粒に対するこれらの
飽和吸着量が、砥粒の表面積(本明細書において砥粒の
表面積とは、BET法により測定した表面積を意味す
る)1m2 当り0.5mg以上となるように両者を組合
せることが重要である。前述した如く、本発明は、砥粒
に多量の溶質を吸着させることにより砥粒間に作用する
凝集力を減衰させ、もって砥粒をよく分散させ且つその
状態を安定して持続させようとするものであり、飽和吸
着量が少ないと安定した分散を達成することができなく
なる。砥粒の飽和吸着量は0.5〜5mg/m2 が好ま
しく、5mg/m2 より更に多くの溶質を吸着させても
それに伴う効果の増大は殆んどみられない。
砥粒と水溶性樹脂や分散剤とを、砥粒に対するこれらの
飽和吸着量が、砥粒の表面積(本明細書において砥粒の
表面積とは、BET法により測定した表面積を意味す
る)1m2 当り0.5mg以上となるように両者を組合
せることが重要である。前述した如く、本発明は、砥粒
に多量の溶質を吸着させることにより砥粒間に作用する
凝集力を減衰させ、もって砥粒をよく分散させ且つその
状態を安定して持続させようとするものであり、飽和吸
着量が少ないと安定した分散を達成することができなく
なる。砥粒の飽和吸着量は0.5〜5mg/m2 が好ま
しく、5mg/m2 より更に多くの溶質を吸着させても
それに伴う効果の増大は殆んどみられない。
【0013】なお、本明細書において砥粒に対する飽和
吸着量は、水に溶質を溶解した水溶液100gに砥粒1
00g(比表面積が4m2 /gより大きい砥粒の場合は
30g)を入れ、25℃で撹拌して平衡状態に到達させ
たのち、水溶液中の溶質の濃度を定量することにより測
定した値である。用いる水溶液の濃度は、砥粒の比表面
積により下記の如くする。
吸着量は、水に溶質を溶解した水溶液100gに砥粒1
00g(比表面積が4m2 /gより大きい砥粒の場合は
30g)を入れ、25℃で撹拌して平衡状態に到達させ
たのち、水溶液中の溶質の濃度を定量することにより測
定した値である。用いる水溶液の濃度は、砥粒の比表面
積により下記の如くする。
【0014】 比表面積 水溶液中の溶質濃度(重量%) 0.3m2 /g未満 0.2% 0.3〜1.0m2 /g 0.5% 1.0m2 /g以上 2%
【0015】本発明に係る研磨用組成物を用いるハード
ディスク基板の研磨は、常法により行なうことができ
る。代表的な方法では研磨布(研磨パッド)に本発明に
係る研磨用組成物を供給しつつ、この研磨布を50〜3
00rpmで回転しているハードディスク基板に接触さ
せることにより研磨が行なわれる。本発明に係る研磨用
組成物を用いることにより、能率よく研磨を行なうこと
ができ、かつスクラッチ傷や突起の非常に少ない研磨面
を容易に得ることができる。
ディスク基板の研磨は、常法により行なうことができ
る。代表的な方法では研磨布(研磨パッド)に本発明に
係る研磨用組成物を供給しつつ、この研磨布を50〜3
00rpmで回転しているハードディスク基板に接触さ
せることにより研磨が行なわれる。本発明に係る研磨用
組成物を用いることにより、能率よく研磨を行なうこと
ができ、かつスクラッチ傷や突起の非常に少ない研磨面
を容易に得ることができる。
【0016】
【実施例】以下に実施例及び比較例により本発明を更に
具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定され
るものではない。なお研磨は、実施例及び比較例で調製
した研磨用組成物を用いて、次の条件で行なった。 研磨機 :両面ポリシングマシン(9Bタイプ) 研磨パッド :スウェードタイプポリシングパッド ハードディスク基板:3.5インチハードディスク用アルミニウム合金板に Ni−Pのメッキを施したもの 研磨時間 :5分間 回転数 :60rpm(下定盤回転数) 加工圧力 :100g/cm2 研磨用組成物供給量:100ml/分
具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定され
るものではない。なお研磨は、実施例及び比較例で調製
した研磨用組成物を用いて、次の条件で行なった。 研磨機 :両面ポリシングマシン(9Bタイプ) 研磨パッド :スウェードタイプポリシングパッド ハードディスク基板:3.5インチハードディスク用アルミニウム合金板に Ni−Pのメッキを施したもの 研磨時間 :5分間 回転数 :60rpm(下定盤回転数) 加工圧力 :100g/cm2 研磨用組成物供給量:100ml/分
【0017】研磨用組成物の分散安定性は、得られた組
成物を室温で所定時間静置したのち、目視により下記の
基準で測定した。 ◎:均一に分散している。 ○:砥粒の析出が若干あるが、手で撹拌すると均一とな
る。 ×:砥粒が析出し、分離が生じている。手で撹拌しても
均一とならない。 スクラッチ傷の数は研磨後の基板の全面を顕微鏡で観察
して求めた。研磨用組成物中の砥粒の平均粒径は、堀場
製作所製 LA500(レーザー回折型粒度分布計)で
測定した。
成物を室温で所定時間静置したのち、目視により下記の
基準で測定した。 ◎:均一に分散している。 ○:砥粒の析出が若干あるが、手で撹拌すると均一とな
る。 ×:砥粒が析出し、分離が生じている。手で撹拌しても
均一とならない。 スクラッチ傷の数は研磨後の基板の全面を顕微鏡で観察
して求めた。研磨用組成物中の砥粒の平均粒径は、堀場
製作所製 LA500(レーザー回折型粒度分布計)で
測定した。
【0018】実施例1〜3 アルミナ砥粒(住友化学社製品 AKP10;α−Al2 O3 純度99.9%、平均粒子径1.0μm、 比表面積2.0m2 /g) 10重量部 溶質 水 100重量部 上記の各成分を混合し、サンドミルで1時間分散処理し
て研磨用組成物とした。結果を第1表に示す。
て研磨用組成物とした。結果を第1表に示す。
【0019】
【表1】
【0020】
【発明の効果】本発明に係る研磨用組成物を用いれば、
高い研磨能率でスクラッチ及び突起の非常に少ない研磨
面が得られるので、最近のハードディスクの高密度化に
有利に対応できる。また、本発明に係る研磨用組成物は
砥粒の分散が安定していて流動性に富んでおり、いわゆ
るケーキングを起さないので取扱いが容易である。更に
研磨パッドの目詰りが少ないので、研磨パッドのドレッ
シング頻度を大幅に改善できる。
高い研磨能率でスクラッチ及び突起の非常に少ない研磨
面が得られるので、最近のハードディスクの高密度化に
有利に対応できる。また、本発明に係る研磨用組成物は
砥粒の分散が安定していて流動性に富んでおり、いわゆ
るケーキングを起さないので取扱いが容易である。更に
研磨パッドの目詰りが少ないので、研磨パッドのドレッ
シング頻度を大幅に改善できる。
フロントページの続き (72)発明者 鳴戸 俊也 神奈川県横浜市青葉区鴨志田町1000番地 三菱化学株式会社横浜総合研究所内
Claims (9)
- 【請求項1】 水溶性樹脂及び分散剤から成る溶質の少
くとも一種を含む水性媒体中に砥粒を分散させてなるハ
ードディスク基板の研磨用組成物であって、砥粒に対す
るこれらの溶質の飽和吸着量が砥粒の表面積1m2 当り
0.5mg以上であることを特徴とする研磨用組成物。 - 【請求項2】 溶質が水溶性樹脂であることを特徴とす
る請求項1に記載の研磨用組成物。 - 【請求項3】 水溶性樹脂の数平均分子量が5×103
〜1.5×105 であることを特徴とする請求項1又は
2に記載の研磨用組成物。 - 【請求項4】 溶質が分散剤であることを特徴とする請
求項1に記載の研磨用組成物。 - 【請求項5】 分散剤が一分子中に芳香族部分と酸基と
を有することを特徴とする請求項1又は4に記載の研磨
用組成物。 - 【請求項6】 砥粒の平均粒子径が0.1〜10μmで
あり、かつ砥粒が組成物中の1〜20重量%を占めるこ
とを特徴とする請求項1ないし5のいずれかに記載の研
磨用組成物。 - 【請求項7】 溶質が組成物中の1〜10重量%を占め
ることを特徴とする請求項1ないし6のいずれかに記載
の研磨用組成物。 - 【請求項8】 請求項1ないし7のいずれかに記載の研
磨用組成物を研磨布に担持させて、ハードディスク基板
のNi−Pメッキ面を研磨することを特徴とするハード
ディスク基板の研磨方法。 - 【請求項9】 請求項1ないし7のいずれかに記載の研
磨用組成物を研磨布に担持させて、ハードディスク基板
のNi−Pメッキ面にテクスチュアリングを施すことを
特徴とするハードディスク基板の研磨方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32028395A JPH09143455A (ja) | 1995-09-21 | 1995-12-08 | ハードディスク基板の研磨用組成物及びこれを用いる研磨方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24306495 | 1995-09-21 | ||
| JP7-243064 | 1995-09-21 | ||
| JP32028395A JPH09143455A (ja) | 1995-09-21 | 1995-12-08 | ハードディスク基板の研磨用組成物及びこれを用いる研磨方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09143455A true JPH09143455A (ja) | 1997-06-03 |
Family
ID=26536071
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32028395A Pending JPH09143455A (ja) | 1995-09-21 | 1995-12-08 | ハードディスク基板の研磨用組成物及びこれを用いる研磨方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09143455A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1036836A1 (en) * | 1999-03-18 | 2000-09-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Aqueous dispersion for chemical mechanical polishing |
| US6336945B1 (en) | 1996-11-14 | 2002-01-08 | Kao Corporation | Abrasive composition for the base of magnetic recording medium and process for producing the base by using the same |
| WO2002031079A1 (en) * | 2000-10-06 | 2002-04-18 | Mitsui Mining & Smelting Co.,Ltd. | Abrasive material |
| JP2003055648A (ja) * | 2002-06-04 | 2003-02-26 | Hitachi Chem Co Ltd | 研磨剤及び基板の研磨方法 |
| KR100466422B1 (ko) * | 2000-04-18 | 2005-01-13 | 제일모직주식회사 | Cmp용 조성물 |
| JP2007118180A (ja) * | 1997-12-18 | 2007-05-17 | Hitachi Chem Co Ltd | 研磨剤、スラリー及び研磨方法 |
| US7666238B2 (en) | 2001-06-21 | 2010-02-23 | Kao Corporation | Polishing composition |
| US7699901B2 (en) | 2007-05-23 | 2010-04-20 | Tdk Corporation | Alumina-film-polishing composition and chemical mechanical polishing method using the same |
| CN105086836A (zh) * | 2015-08-19 | 2015-11-25 | 三峡大学 | 一种氧化铈抛光液及其制备方法 |
-
1995
- 1995-12-08 JP JP32028395A patent/JPH09143455A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6336945B1 (en) | 1996-11-14 | 2002-01-08 | Kao Corporation | Abrasive composition for the base of magnetic recording medium and process for producing the base by using the same |
| JP2007118180A (ja) * | 1997-12-18 | 2007-05-17 | Hitachi Chem Co Ltd | 研磨剤、スラリー及び研磨方法 |
| EP1036836A1 (en) * | 1999-03-18 | 2000-09-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Aqueous dispersion for chemical mechanical polishing |
| US6740590B1 (en) | 1999-03-18 | 2004-05-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Aqueous dispersion, aqueous dispersion for chemical mechanical polishing used for manufacture of semiconductor devices, method for manufacture of semiconductor devices, and method for formation of embedded writing |
| KR100466422B1 (ko) * | 2000-04-18 | 2005-01-13 | 제일모직주식회사 | Cmp용 조성물 |
| WO2002031079A1 (en) * | 2000-10-06 | 2002-04-18 | Mitsui Mining & Smelting Co.,Ltd. | Abrasive material |
| US6824578B2 (en) | 2000-10-06 | 2004-11-30 | Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. | Abrasive material |
| CN1300277C (zh) * | 2000-10-06 | 2007-02-14 | 三井金属鉱业株式会社 | 研磨材料 |
| US7666238B2 (en) | 2001-06-21 | 2010-02-23 | Kao Corporation | Polishing composition |
| JP2003055648A (ja) * | 2002-06-04 | 2003-02-26 | Hitachi Chem Co Ltd | 研磨剤及び基板の研磨方法 |
| US7699901B2 (en) | 2007-05-23 | 2010-04-20 | Tdk Corporation | Alumina-film-polishing composition and chemical mechanical polishing method using the same |
| CN105086836A (zh) * | 2015-08-19 | 2015-11-25 | 三峡大学 | 一种氧化铈抛光液及其制备方法 |
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