JPH0781143B2 - 液晶組成物 - Google Patents
液晶組成物Info
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- JPH0781143B2 JPH0781143B2 JP61182221A JP18222186A JPH0781143B2 JP H0781143 B2 JPH0781143 B2 JP H0781143B2 JP 61182221 A JP61182221 A JP 61182221A JP 18222186 A JP18222186 A JP 18222186A JP H0781143 B2 JPH0781143 B2 JP H0781143B2
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は新規な液晶物質を含有する液晶組成物に係わ
り、特に強誘電性液晶材料に関するものである。
り、特に強誘電性液晶材料に関するものである。
従来の技術 近年液晶表示は、腕時計、電卓等だけでなく映像機器に
も広く使われるようになり、液晶カラーテレビも市場に
出始めている。現在カラー表示用液晶パネルはネマチッ
ク液晶を用いたものがその主流を占めている。しかし、
そのネマチック液晶の諸特性は理想的とは言い難く多く
の問題を含んでいる。強誘電性液晶はその速い応答速
度、メモリー性等ネマチック液晶にはない諸特性を有し
ておりディスプレイ装置への応用が考えられ多方面から
研究が進められている。（オプトロニクス、1983、No.
9）以下図面をみながら強誘電性液晶について説明す
る。第11図は強誘電性液晶分子の模式図である。強誘電
性液晶は通常スメクチック液晶と呼ばれる層構造を有す
る液晶で、液晶分子は層法線方向に対してθだけ傾いた
構造をとっている。また、通常強誘電性液晶分子は、ラ
セミ体でない光学活性な液晶分子によって構成されてい
る。
も広く使われるようになり、液晶カラーテレビも市場に
出始めている。現在カラー表示用液晶パネルはネマチッ
ク液晶を用いたものがその主流を占めている。しかし、
そのネマチック液晶の諸特性は理想的とは言い難く多く
の問題を含んでいる。強誘電性液晶はその速い応答速
度、メモリー性等ネマチック液晶にはない諸特性を有し
ておりディスプレイ装置への応用が考えられ多方面から
研究が進められている。（オプトロニクス、1983、No.
9）以下図面をみながら強誘電性液晶について説明す
る。第11図は強誘電性液晶分子の模式図である。強誘電
性液晶は通常スメクチック液晶と呼ばれる層構造を有す
る液晶で、液晶分子は層法線方向に対してθだけ傾いた
構造をとっている。また、通常強誘電性液晶分子は、ラ
セミ体でない光学活性な液晶分子によって構成されてい
る。
第11図に於て、７は液晶分子、８は自発分極、９はＣダ
イレクター、10はコーン、11は層構造、12は層法線方
向、13は傾き角θを示している。
イレクター、10はコーン、11は層構造、12は層法線方
向、13は傾き角θを示している。
第11図に示すように、強誘電性液晶分子は自発分極を有
しており、カイラルスメクチックＣ相に於いては、第11
図の円錐形10（コーン）の外側を自由に動くことができ
る。層毎に分子長軸の方向は少しだけずれており全体と
してはねじれ構造をとっている。次に強誘電性液晶の表
示原理について述べる。第12図は強誘電性液晶の動作原
理図で有る。第12図（ａ）は電圧無印加の状態、第12図
（ｂ）は紙面裏から表方向に電圧を印加した場合、第12
図（ｃ）は逆方向に電圧を印加した場合の動作原理図で
ある。14は層法線に対して分子長軸が＋θ度傾いた液晶
分子、15は−θ度傾いた液晶分子、16は紙面表方向を向
いている双極子モーメント、17は紙面裏方向を向いてい
る双極子モーメント、18は２枚の偏光板の方向である。
強誘電性液晶を透明電極を有したガラス基板に挾みその
パネルの厚を螺旋ピッチ以下にすると第12図（ａ）のよ
うに螺旋がほどけ層に対して分子が＋θ度傾いた領域と
−θ度傾いた領域にわかれる。上下電極間紙面裏から表
方向に電圧を印加することにより第12図（ｂ）のように
セル全体が＋θ度傾いたモノドメインになる。また、逆
電圧を印加すると第12図（ｃ）のようにセル全体が−θ
度傾いたモノドメインになる。従って、電気光学効果に
よる複屈折または２色性を利用すれば＋θ度傾いた２つ
の状態により明暗を表すことができる。
しており、カイラルスメクチックＣ相に於いては、第11
図の円錐形10（コーン）の外側を自由に動くことができ
る。層毎に分子長軸の方向は少しだけずれており全体と
してはねじれ構造をとっている。次に強誘電性液晶の表
示原理について述べる。第12図は強誘電性液晶の動作原
理図で有る。第12図（ａ）は電圧無印加の状態、第12図
（ｂ）は紙面裏から表方向に電圧を印加した場合、第12
図（ｃ）は逆方向に電圧を印加した場合の動作原理図で
ある。14は層法線に対して分子長軸が＋θ度傾いた液晶
分子、15は−θ度傾いた液晶分子、16は紙面表方向を向
いている双極子モーメント、17は紙面裏方向を向いてい
る双極子モーメント、18は２枚の偏光板の方向である。
強誘電性液晶を透明電極を有したガラス基板に挾みその
パネルの厚を螺旋ピッチ以下にすると第12図（ａ）のよ
うに螺旋がほどけ層に対して分子が＋θ度傾いた領域と
−θ度傾いた領域にわかれる。上下電極間紙面裏から表
方向に電圧を印加することにより第12図（ｂ）のように
セル全体が＋θ度傾いたモノドメインになる。また、逆
電圧を印加すると第12図（ｃ）のようにセル全体が−θ
度傾いたモノドメインになる。従って、電気光学効果に
よる複屈折または２色性を利用すれば＋θ度傾いた２つ
の状態により明暗を表すことができる。
強誘電性液晶をデイスプレイデバイスに応用する場合、
液晶材料に要求される条件として以下のものがあげられ
る。
液晶材料に要求される条件として以下のものがあげられ
る。
（１） 室温を含む広い温度範囲で強誘電性液晶相（た
とえばカイラルスメクチックＣ相）を示す。
とえばカイラルスメクチックＣ相）を示す。
（２） 強誘電性液晶の電界に対する応答速度τは、 τ＝η/Ps・Ｅ 但し、η：粘度 Ps;自発分極 E;印加電場 で与えられる。この為、数μsecオーダーの高速応答を
実現するためには、大きな自発分極をもつことが必要で
ある。
実現するためには、大きな自発分極をもつことが必要で
ある。
（３） 先述したように、強誘電性液晶の光学応答は、
安定な２状態（bistable state）により初めて実現され
る。Clerkらによると、この状態を実現するためには、
セルギャップｄを螺旋ピッチｐ以下にし螺旋をほどく必
要がある。エヌ．エー．クラーク、エス．テイー．ラガ
ヴァル；アプル．フィズ．レット．、36 899（1980）
（N.A.Clerk,S.T.Lagerwall;Apll.Phys.Lett.、36 899
（1980））この為、セル作成上作成容易なセルギャップ
の厚いセルを利用するためには、強誘電性液晶の螺旋ピ
ッチを長くする必要がある。
安定な２状態（bistable state）により初めて実現され
る。Clerkらによると、この状態を実現するためには、
セルギャップｄを螺旋ピッチｐ以下にし螺旋をほどく必
要がある。エヌ．エー．クラーク、エス．テイー．ラガ
ヴァル；アプル．フィズ．レット．、36 899（1980）
（N.A.Clerk,S.T.Lagerwall;Apll.Phys.Lett.、36 899
（1980））この為、セル作成上作成容易なセルギャップ
の厚いセルを利用するためには、強誘電性液晶の螺旋ピ
ッチを長くする必要がある。
（４） 強誘電性液晶の配向状態は、液晶材料の相系列
によって異なり、特に強誘電性液晶相の高温側にスメク
チックＡ相（SmA）及びコレステリック相（Ch）を有す
る液晶材料が良好な配向状態が得られると考えられてい
る。即ち、強誘電性液晶材料の相系列が、たとえばカイ
ラルスメクチックＣ相の場合＊ Iso→Ch→SmA→SmC＊ 但し、Iso;等方性液体 Ch;コレステリック相 SmA;スメクチックＡ相 SmC＊：カイラルスメクチックＣ相 であることが望ましい。
によって異なり、特に強誘電性液晶相の高温側にスメク
チックＡ相（SmA）及びコレステリック相（Ch）を有す
る液晶材料が良好な配向状態が得られると考えられてい
る。即ち、強誘電性液晶材料の相系列が、たとえばカイ
ラルスメクチックＣ相の場合＊ Iso→Ch→SmA→SmC＊ 但し、Iso;等方性液体 Ch;コレステリック相 SmA;スメクチックＡ相 SmC＊：カイラルスメクチックＣ相 であることが望ましい。
更に、上記のような相系列を持つ液晶材料の中でもCh相
のピッチが長いものの方が配向状態が良好であると考え
られている。
のピッチが長いものの方が配向状態が良好であると考え
られている。
以上述べた条件以外にも液晶分子の傾き角θ等に対する
様々な要求がある。
様々な要求がある。
従来の強誘電性液晶材料は温度範囲だけをとりあげてみ
ても実用的な材料は数少なく、上記の条件をすべて満た
し実用に耐え得る材料は皆無に等しいのが現状であっ
た。
ても実用的な材料は数少なく、上記の条件をすべて満た
し実用に耐え得る材料は皆無に等しいのが現状であっ
た。
以下に従来の強誘電性液晶材料の１例を示す。（＋）Ｐ
−デシルオキシベンジリデンｐ′アミノ２−メチルブチ
ルシンナメイト（＋DOBAMBC） 但し、SmG＊；カイラルスメクチックＧ相 Ps＝４〜5nC τ＝数百μsec〜数msec 発明が解決しようとする問題点 しかしながら、従来の強誘電性液晶材料は、その温度範
囲だけをとりあげても実用的なものは少なく先述の４つ
の条件を総て満たし即デイスプレイデバイスに応用でき
る液晶材料は皆無に等しいのが現状である。又温度範囲
の拡大の為には多くの種類の強誘電性液晶材料を混合し
てやる必要が有る。このとき先述の４つの条件を満たす
ためには多くの強誘電性液晶材料単体のコレステリック
相およびカイラルスメクチックＣ相それぞれに於けるピ
ッチの左右の向き、大きさ、自発分極の極性等を総て考
慮しながら混合しなければならず、実用的な強誘電性液
晶組成物は得にくいという問題点があった。
−デシルオキシベンジリデンｐ′アミノ２−メチルブチ
ルシンナメイト（＋DOBAMBC） 但し、SmG＊；カイラルスメクチックＧ相 Ps＝４〜5nC τ＝数百μsec〜数msec 発明が解決しようとする問題点 しかしながら、従来の強誘電性液晶材料は、その温度範
囲だけをとりあげても実用的なものは少なく先述の４つ
の条件を総て満たし即デイスプレイデバイスに応用でき
る液晶材料は皆無に等しいのが現状である。又温度範囲
の拡大の為には多くの種類の強誘電性液晶材料を混合し
てやる必要が有る。このとき先述の４つの条件を満たす
ためには多くの強誘電性液晶材料単体のコレステリック
相およびカイラルスメクチックＣ相それぞれに於けるピ
ッチの左右の向き、大きさ、自発分極の極性等を総て考
慮しながら混合しなければならず、実用的な強誘電性液
晶組成物は得にくいという問題点があった。
問題点を解決するための手段 上記の問題点を解決するために本発明は、自発分極が大
きい強誘電性液晶材料に非カイラルである（即ちねじれ
構造、自発分極を全く有さない）スメクチックＣ相を示
す液晶材料を混合するか、或いは自発分極が大きい強誘
電性液晶材料にまず捩れの向きが逆であるような液晶材
料を混合してらせんのピッチの長い強誘電性液晶組成物
を作成し、このピッチの長い液晶組成物に非カイラルで
ある（即ちねじれ構造、自発分極を全く有さない）スメ
クチックＣ相を示す液晶材料を混合することにより広い
温度範囲で強誘電性液晶相を示し、良好な配向が得ら
れ、数十μsecオーダーの高速応答可能な強誘電性液晶
材料を容易に得ることができる。
きい強誘電性液晶材料に非カイラルである（即ちねじれ
構造、自発分極を全く有さない）スメクチックＣ相を示
す液晶材料を混合するか、或いは自発分極が大きい強誘
電性液晶材料にまず捩れの向きが逆であるような液晶材
料を混合してらせんのピッチの長い強誘電性液晶組成物
を作成し、このピッチの長い液晶組成物に非カイラルで
ある（即ちねじれ構造、自発分極を全く有さない）スメ
クチックＣ相を示す液晶材料を混合することにより広い
温度範囲で強誘電性液晶相を示し、良好な配向が得ら
れ、数十μsecオーダーの高速応答可能な強誘電性液晶
材料を容易に得ることができる。
作用 一般に、液晶の温度範囲を拡大する為には、２種類以上
の分子形状の異なる液晶化合物を混合することが必要で
ある。ところが、強誘電性液晶材料を混合する際にはそ
の化合物の自発分極の極性、強誘電性液晶相の捩れの向
き、コレステリック相の捩れの向き等の物質定数を考慮
にいれ混合しなければいけない。この為、捩れ構造、自
発分極を全く有さない非カイラルなスメクチックＣ相を
温度範囲拡大の為にもちいれば、捩れの向き及び自発分
極の極性等の物質定数を考慮することなしに温度範囲の
広い液晶組成物を容易に得ることができる。非カイラル
なスメクチックＣ相を示す液晶化合物を強誘電性液晶化
合物に混合する場合その自発分極は第９図に示すように
非カイラル成分の増加と共に直線的に減少するため自発
分極の小さい強誘電性液晶化合物に非カイラルな液晶化
合物を混合するとその混合物の自発分極は極端に小さく
なってしまう。本発明の場合は、自発分極の非常に大き
な強誘電性液晶化合物に非カイラルな液晶化合物を混合
する為、その自発分極の減少はかなり抑えられ比較的自
発分極の大きい強誘電性液晶組成物が容易に得られる。
螺旋軸の捩れ方向は、カイラル部の絶対的立体配置とベ
ンゼン環からカイラル中心までの分子数が偶数か奇数か
で決定されると考えられている。エム．ツカモト．テ
イ．オオツカ、ケイ．モリモト、ワイ．ムラカミ；ジャ
パン．ジェイ．アプル．フィズ．、141307（1975）（M.
Tukamoto,T.Otsuka,K.Morimoto,Y.Murakami;Japan.J.Ap
pl.Phys.,14 1307 （1975））即ちカイラル中心の絶
対立体配置がＳ体でありベンゼン環からカイラル中心ま
での原子数が偶数であれば捩れの方向は右であり奇数で
あれば左である。又、カイラル中心の絶対立体配置がＲ
体であれば逆になる。一般にピッチを伸すには、２つの
方法が考えられる。１つは強誘電性液晶材料にカイラル
を持たない液晶材料を混合する方法と、捩れの方向が逆
である液晶材料を混合する方法である。後者の方法によ
れば小量逆捩れの液晶化合物を添加するだけでピッチの
長い強誘電性液晶材料が容易に得られるが混合に際して
は、自発分極の極性も考慮に入れる必要がある。一方前
者の方法によると、ピッチの長い強誘電性液晶組成物を
得るためには、非カイラルな液晶化合物の添加量は多く
なるが自発分極の極性等は考慮する必要がないため容易
にピッチの長い強誘電性液晶組成物を得ることができ
る。又、自発分極の極性が同一であり且つらせんの捩れ
方向が逆であるような液晶材料を混合しある程度ピッチ
を伸した液晶組成物に非カイラルの液晶材料を混合すれ
ば小量の非カイラル成分の添加で自発分極の大きな、ピ
ッチの長い、温度範囲の広い強誘電性液晶組成物が容易
に得られる。
の分子形状の異なる液晶化合物を混合することが必要で
ある。ところが、強誘電性液晶材料を混合する際にはそ
の化合物の自発分極の極性、強誘電性液晶相の捩れの向
き、コレステリック相の捩れの向き等の物質定数を考慮
にいれ混合しなければいけない。この為、捩れ構造、自
発分極を全く有さない非カイラルなスメクチックＣ相を
温度範囲拡大の為にもちいれば、捩れの向き及び自発分
極の極性等の物質定数を考慮することなしに温度範囲の
広い液晶組成物を容易に得ることができる。非カイラル
なスメクチックＣ相を示す液晶化合物を強誘電性液晶化
合物に混合する場合その自発分極は第９図に示すように
非カイラル成分の増加と共に直線的に減少するため自発
分極の小さい強誘電性液晶化合物に非カイラルな液晶化
合物を混合するとその混合物の自発分極は極端に小さく
なってしまう。本発明の場合は、自発分極の非常に大き
な強誘電性液晶化合物に非カイラルな液晶化合物を混合
する為、その自発分極の減少はかなり抑えられ比較的自
発分極の大きい強誘電性液晶組成物が容易に得られる。
螺旋軸の捩れ方向は、カイラル部の絶対的立体配置とベ
ンゼン環からカイラル中心までの分子数が偶数か奇数か
で決定されると考えられている。エム．ツカモト．テ
イ．オオツカ、ケイ．モリモト、ワイ．ムラカミ；ジャ
パン．ジェイ．アプル．フィズ．、141307（1975）（M.
Tukamoto,T.Otsuka,K.Morimoto,Y.Murakami;Japan.J.Ap
pl.Phys.,14 1307 （1975））即ちカイラル中心の絶
対立体配置がＳ体でありベンゼン環からカイラル中心ま
での原子数が偶数であれば捩れの方向は右であり奇数で
あれば左である。又、カイラル中心の絶対立体配置がＲ
体であれば逆になる。一般にピッチを伸すには、２つの
方法が考えられる。１つは強誘電性液晶材料にカイラル
を持たない液晶材料を混合する方法と、捩れの方向が逆
である液晶材料を混合する方法である。後者の方法によ
れば小量逆捩れの液晶化合物を添加するだけでピッチの
長い強誘電性液晶材料が容易に得られるが混合に際して
は、自発分極の極性も考慮に入れる必要がある。一方前
者の方法によると、ピッチの長い強誘電性液晶組成物を
得るためには、非カイラルな液晶化合物の添加量は多く
なるが自発分極の極性等は考慮する必要がないため容易
にピッチの長い強誘電性液晶組成物を得ることができ
る。又、自発分極の極性が同一であり且つらせんの捩れ
方向が逆であるような液晶材料を混合しある程度ピッチ
を伸した液晶組成物に非カイラルの液晶材料を混合すれ
ば小量の非カイラル成分の添加で自発分極の大きな、ピ
ッチの長い、温度範囲の広い強誘電性液晶組成物が容易
に得られる。
実施例 本発明の実施例を図を用いて説明する。最初に本実施例
において、その強誘電性液晶材料の応答特性を測定した
液晶セルの構造を第６図に示す。ここで、１は偏光板、
２はガラス基板、３は透明電極、４はラビングにより配
向処理を施した有機高分子膜、５は強誘電性液晶層、６
はセル厚を一定に保つためのスペーサーを表している。
このような構造のセルに強誘電性液晶材料を封入しその
応答特性及び自発分極を測定した。自発分極については
三角波法を用いて測定を行った。
において、その強誘電性液晶材料の応答特性を測定した
液晶セルの構造を第６図に示す。ここで、１は偏光板、
２はガラス基板、３は透明電極、４はラビングにより配
向処理を施した有機高分子膜、５は強誘電性液晶層、６
はセル厚を一定に保つためのスペーサーを表している。
このような構造のセルに強誘電性液晶材料を封入しその
応答特性及び自発分極を測定した。自発分極については
三角波法を用いて測定を行った。
又、相転位温度については、偏光顕微鏡によるtexture
観察及びDSCにより行い、Sc＊相のピッチはセル厚100ミ
クロンの配向処理を施したセルを用い、Ch相のピッチは
Ch相を示さない化合物についてはネマチック液晶と混合
することによりCh相とし厚さ５ミリの配向処理を施した
ガラス基板を用いた楔型セルを用い通常法により測定を
行った。
観察及びDSCにより行い、Sc＊相のピッチはセル厚100ミ
クロンの配向処理を施したセルを用い、Ch相のピッチは
Ch相を示さない化合物についてはネマチック液晶と混合
することによりCh相とし厚さ５ミリの配向処理を施した
ガラス基板を用いた楔型セルを用い通常法により測定を
行った。
実施例１ 特許請求の範囲第１項記載の化合物（Ｉ）のカイラル部
の立体配置が2S,3SでありＸがオクトキシ基である化合
物（Ｖ）に非カイラルの化合物として、一般式が特許請
求の範囲第４項記載の化合物（II）で表されるフェニル
ピリミジン系の化合物３種類からなるスメクチックＣ相
を示す液晶混合物（VI）を混合した４成分混合系につい
て相転位温度、自発分極、ピッチの長さ、応答速度を測
定した。以下の表１に非カイラル物質の構造と混合比を
しめした。第１図に液晶混合物（VI）と化合物（Ｖ）の
相図を、第２図に25℃における自発分極と20Vpp印加時
に於ける応答速度の濃度依存を示した。第１図より全組
成範囲にわたって53℃付近から10℃付近まで室温を含む
広い温度範囲でカイラルスメクチックＣ相を示してい
る。又、第２図より自発分極の値は非カイラル成分の増
加と共にほぼ直線的に減少しているが、カイラル成分が
25wt％になっても10nC以上の比較的大きな自発分極をも
っている。25℃に於ける20Vppの電圧印加時の応答速度
は非カイラル成分が増加してもあまり遅くなっておらず
カイラル成分が25wt％において33μsecという高速応答
を示している。またこの組成においてピッチはかなり長
くなっており配向状態は良好であった。又、上記以外の
組成の化合物についても良好な配向が得られた。
の立体配置が2S,3SでありＸがオクトキシ基である化合
物（Ｖ）に非カイラルの化合物として、一般式が特許請
求の範囲第４項記載の化合物（II）で表されるフェニル
ピリミジン系の化合物３種類からなるスメクチックＣ相
を示す液晶混合物（VI）を混合した４成分混合系につい
て相転位温度、自発分極、ピッチの長さ、応答速度を測
定した。以下の表１に非カイラル物質の構造と混合比を
しめした。第１図に液晶混合物（VI）と化合物（Ｖ）の
相図を、第２図に25℃における自発分極と20Vpp印加時
に於ける応答速度の濃度依存を示した。第１図より全組
成範囲にわたって53℃付近から10℃付近まで室温を含む
広い温度範囲でカイラルスメクチックＣ相を示してい
る。又、第２図より自発分極の値は非カイラル成分の増
加と共にほぼ直線的に減少しているが、カイラル成分が
25wt％になっても10nC以上の比較的大きな自発分極をも
っている。25℃に於ける20Vppの電圧印加時の応答速度
は非カイラル成分が増加してもあまり遅くなっておらず
カイラル成分が25wt％において33μsecという高速応答
を示している。またこの組成においてピッチはかなり長
くなっており配向状態は良好であった。又、上記以外の
組成の化合物についても良好な配向が得られた。
実施例２ 特許請求の範囲第１項記載の化合物（Ｉ）のカイラル部
の立体配置が2S,3SでありＸがオクトキシ基である化合
物（Ｖ）に非カイラルの化合物として、一般式が特許請
求の範囲第５項記載の化合物（III）で表されるエステ
ル系の化合物４種類からなるスメクチックＣ相を示す液
晶混合物（VII）を混合した５成分混合系について相転
位温度、自発分極、ピッチの長さ、応答速度を測定し
た。以下の表２に非カイラル物質の構造と混合比をしめ
した。第３図に液晶混合物（VII）と化合物（Ｖ）の相
図を、第４図に25℃における自発分極と20Vpp印加時に
於ける応答速度の濃度依存を示した。第２図より全組成
範囲にわたって50℃付近から室温を含む広い温度範囲で
カイラルスメクチックＣ相を示している。又、第４図よ
り自発分極の値は非カイラル成分の増加と共にほぼ直線
的に減少しているが、カイラル成分が25wt％になっても
10nC以上の比較的大きな自発分極をもっている。25℃に
於ける20Vppの電圧印加時の応答速度は非カイラル成分
が増加すると遅くなる傾向があるが、カイラル成分が50
wt％において53μsec、25wt％において95μsecという高
速応答を示している。またこれらの組成においてピッチ
はかなり長くなっており配向状態は良好であった。又、
上記以外の組成の化合物についても良好な配向が得られ
た。
の立体配置が2S,3SでありＸがオクトキシ基である化合
物（Ｖ）に非カイラルの化合物として、一般式が特許請
求の範囲第５項記載の化合物（III）で表されるエステ
ル系の化合物４種類からなるスメクチックＣ相を示す液
晶混合物（VII）を混合した５成分混合系について相転
位温度、自発分極、ピッチの長さ、応答速度を測定し
た。以下の表２に非カイラル物質の構造と混合比をしめ
した。第３図に液晶混合物（VII）と化合物（Ｖ）の相
図を、第４図に25℃における自発分極と20Vpp印加時に
於ける応答速度の濃度依存を示した。第２図より全組成
範囲にわたって50℃付近から室温を含む広い温度範囲で
カイラルスメクチックＣ相を示している。又、第４図よ
り自発分極の値は非カイラル成分の増加と共にほぼ直線
的に減少しているが、カイラル成分が25wt％になっても
10nC以上の比較的大きな自発分極をもっている。25℃に
於ける20Vppの電圧印加時の応答速度は非カイラル成分
が増加すると遅くなる傾向があるが、カイラル成分が50
wt％において53μsec、25wt％において95μsecという高
速応答を示している。またこれらの組成においてピッチ
はかなり長くなっており配向状態は良好であった。又、
上記以外の組成の化合物についても良好な配向が得られ
た。
実施例３ 特許請求の範囲第１項記載の化合物（Ｉ）のカイラル部
の立体配置が2S,3SでありＸがオクトキシ基である化合
物（Ｖ）のらせんの捩れ方向は右である為逆捩れの左捩
れの化合物として特許請求の範囲第７項記載の化合物
（IV）のＲがオクトキシ基である化合物（VIII）を用
い、非カイラルの化合物として、一般式が特許請求の範
囲第３項記載の化合物（II）で表されるフェニルピリミ
ジン系の化合物２種類と一般式が特許請求の範囲第４項
記載の化合物（III）で表されるエステル系の化合物４
種類とからなるスメクチックＣ相を示す液晶混合物（I
X）を混合した８成分混合系について相転位温度、自発
分極、ピッチの長さ、応答速度を測定した。以下の表３
に非カイラル物質の構造と混合比をしめした。又、測定
を行った混合系の組成は、化合物（VII）が25wt％、混
合物（IX）が75wt％であった。この混合物をもちいて作
成した液晶パネルの配向状態は非常に良好であった。以
下に測定結果をしめす。
の立体配置が2S,3SでありＸがオクトキシ基である化合
物（Ｖ）のらせんの捩れ方向は右である為逆捩れの左捩
れの化合物として特許請求の範囲第７項記載の化合物
（IV）のＲがオクトキシ基である化合物（VIII）を用
い、非カイラルの化合物として、一般式が特許請求の範
囲第３項記載の化合物（II）で表されるフェニルピリミ
ジン系の化合物２種類と一般式が特許請求の範囲第４項
記載の化合物（III）で表されるエステル系の化合物４
種類とからなるスメクチックＣ相を示す液晶混合物（I
X）を混合した８成分混合系について相転位温度、自発
分極、ピッチの長さ、応答速度を測定した。以下の表３
に非カイラル物質の構造と混合比をしめした。又、測定
を行った混合系の組成は、化合物（VII）が25wt％、混
合物（IX）が75wt％であった。この混合物をもちいて作
成した液晶パネルの配向状態は非常に良好であった。以
下に測定結果をしめす。
転移温度 融点;5℃ 自発分極;6.5nC（33℃） Ch相のピッチ；無限大 SmC＊相のピッチ；無限大 応答速度;85μsec（25℃、40V） 実施例４ 特許請求の範囲第１項記載の化合物（Ｉ）のカイラル部
の立体配置が2S,3SでありＸがヘプタノイルオキシ基で
ある化合物（Ｘ）に非カイラル物質として特許請求の範
囲第４項記載の一般式（II）で表されるフェニルピリミ
ジン系の化合物３種類を混合したスメクチックＣ相を示
す混合物（VI）を用いた４成分系についてピッチの長さ
を測定し、この液晶組成物を用いた液晶表示装置の応答
特性を測定した。以下に測定の結果を示す。非カイラル
化合物の構造と組成は表１にしめした。又、測定を行っ
た混合系の組成は、化合物（Ｘ）が25wt％、混合物（V
I）が75wt％であった。この混合物をもちいて作成した
液晶セルの配向状態は非常に良好であった。以下に測定
結果をしめす。
の立体配置が2S,3SでありＸがヘプタノイルオキシ基で
ある化合物（Ｘ）に非カイラル物質として特許請求の範
囲第４項記載の一般式（II）で表されるフェニルピリミ
ジン系の化合物３種類を混合したスメクチックＣ相を示
す混合物（VI）を用いた４成分系についてピッチの長さ
を測定し、この液晶組成物を用いた液晶表示装置の応答
特性を測定した。以下に測定の結果を示す。非カイラル
化合物の構造と組成は表１にしめした。又、測定を行っ
た混合系の組成は、化合物（Ｘ）が25wt％、混合物（V
I）が75wt％であった。この混合物をもちいて作成した
液晶セルの配向状態は非常に良好であった。以下に測定
結果をしめす。
実施例５ 特許請求の範囲第１項記載の化合物（Ｉ）のカイラル部
の立体配置が2S,3SでありＸがヘプタノイルオキシ基で
ある化合物（Ｘ）のらせんのねじれ方向は右である為、
逆ねじれの化合物としてねじれ方向が左の化合物（IV）
のカイラル部の立体配置がＳ体でありＲ′がオクトキシ
基である化合物（VIII）を用いピッチを伸した液晶材料
に非カイラル物質として特許請求の範囲第４項記載のフ
ェニルピリミジン系の化合物２種類と特許請求の範囲第
５項記載のエステル系の化合物４種類を混合したスメク
チックＣ相を示す混合物（IX）を用いた８成分系につい
て相転移温度、ピッチの長さ、自発分極、応答速度につ
いて測定を行った。用いた非カイラル混合物の構造と組
成は表３にしめした。化合物（Ｘ）のピッチは化合物
（VIII）を75wt％いれると発散する。そこで、カイラル
化合物としって化合物（Ｘ）が25wt％、化合物（VIII）
が75wt％の混合物（XI）を用いた。第５図に混合物（VI
II）と混合物（IX）の相図を、第６図に25℃に於ける自
発分極と44Vppの電圧印加時の応答速度の濃度依存をし
めした。第５図より全組成範囲にわたり55℃−45℃付近
から室温を含む広い温度範囲でカイラルスメクチックＣ
相を示しており、特に混合物（IX）が25wt％において
は、53℃から13℃までカイラルスメクチックＣ相をしめ
しており第６図よりこの組成での応答速度は100μsecと
いう高速応答を示した。又、この組成においてピッチは
かなり長くなっており配向状態は非常に良好であった。
又、上記以外の組成の化合物についても良好な配向を示
した。
の立体配置が2S,3SでありＸがヘプタノイルオキシ基で
ある化合物（Ｘ）のらせんのねじれ方向は右である為、
逆ねじれの化合物としてねじれ方向が左の化合物（IV）
のカイラル部の立体配置がＳ体でありＲ′がオクトキシ
基である化合物（VIII）を用いピッチを伸した液晶材料
に非カイラル物質として特許請求の範囲第４項記載のフ
ェニルピリミジン系の化合物２種類と特許請求の範囲第
５項記載のエステル系の化合物４種類を混合したスメク
チックＣ相を示す混合物（IX）を用いた８成分系につい
て相転移温度、ピッチの長さ、自発分極、応答速度につ
いて測定を行った。用いた非カイラル混合物の構造と組
成は表３にしめした。化合物（Ｘ）のピッチは化合物
（VIII）を75wt％いれると発散する。そこで、カイラル
化合物としって化合物（Ｘ）が25wt％、化合物（VIII）
が75wt％の混合物（XI）を用いた。第５図に混合物（VI
II）と混合物（IX）の相図を、第６図に25℃に於ける自
発分極と44Vppの電圧印加時の応答速度の濃度依存をし
めした。第５図より全組成範囲にわたり55℃−45℃付近
から室温を含む広い温度範囲でカイラルスメクチックＣ
相を示しており、特に混合物（IX）が25wt％において
は、53℃から13℃までカイラルスメクチックＣ相をしめ
しており第６図よりこの組成での応答速度は100μsecと
いう高速応答を示した。又、この組成においてピッチは
かなり長くなっており配向状態は非常に良好であった。
又、上記以外の組成の化合物についても良好な配向を示
した。
実施例６ 特許請求の範囲第１項記載の化合物（Ｉ）のカイラル部
の立体配置が2S,3SでありＸがヘプタノイルオキシ基で
ある化合物（Ｘ）及び化合物（Ｖ）のらせんのねじれ方
向は右である為、逆ねじれの化合物としてねじれ方向が
左の化合物（IV）のカイラル部の立体配置がＳ体であり
Ｒ′がオクトキシ基である化合物（VII）を用いピッチ
を伸した液晶材料に非カイラル物質として特許請求の範
囲第４項記載のフェニルピリミジン系の化合物２種類と
特許請求の範囲第５項記載のエステル系の化合物４種類
を混合したスメクチックＣ相を示す混合物（IX）を用い
た８成分系について相転移温度、ピッチの長さ、自発分
極、応答速度について測定を行った。用いた非カイラル
混合物の構造と組成は表２にしめした。化合物（Ｖ）と
化合物（Ｘ）の混合比は50wt％としこの混合物のピッチ
は化合物（VII）を75wt％いれると発散する。そこで、
カイラル化合物として化合物（Ｖ）＋化合物（Ｘ）が25
wt％、化合物（VII）が75wt％の混合物（XII）を用い
た。この組成のカイラル物質に50wt％の非カイラル混合
物（IX）を混合した液晶組成物の転移温度、ピッチ、自
発分極、応答速度について測定をおこなった。以下にそ
の結果を示す。又、この組成の液晶組成物をもちいて作
成した液晶パネルの配向状態は非常に良好であった。
の立体配置が2S,3SでありＸがヘプタノイルオキシ基で
ある化合物（Ｘ）及び化合物（Ｖ）のらせんのねじれ方
向は右である為、逆ねじれの化合物としてねじれ方向が
左の化合物（IV）のカイラル部の立体配置がＳ体であり
Ｒ′がオクトキシ基である化合物（VII）を用いピッチ
を伸した液晶材料に非カイラル物質として特許請求の範
囲第４項記載のフェニルピリミジン系の化合物２種類と
特許請求の範囲第５項記載のエステル系の化合物４種類
を混合したスメクチックＣ相を示す混合物（IX）を用い
た８成分系について相転移温度、ピッチの長さ、自発分
極、応答速度について測定を行った。用いた非カイラル
混合物の構造と組成は表２にしめした。化合物（Ｖ）と
化合物（Ｘ）の混合比は50wt％としこの混合物のピッチ
は化合物（VII）を75wt％いれると発散する。そこで、
カイラル化合物として化合物（Ｖ）＋化合物（Ｘ）が25
wt％、化合物（VII）が75wt％の混合物（XII）を用い
た。この組成のカイラル物質に50wt％の非カイラル混合
物（IX）を混合した液晶組成物の転移温度、ピッチ、自
発分極、応答速度について測定をおこなった。以下にそ
の結果を示す。又、この組成の液晶組成物をもちいて作
成した液晶パネルの配向状態は非常に良好であった。
転移温度 融点;2.6℃ 自発分極;15.4nC（25℃） Ch相のピッチ；無限大 SmC＊相のピッチ；無限大 応答速度;30μsec（25℃44Vpp） 実施例７ 特許請求の範囲第１項記載の化合物（Ｉ）のカイラル部
の立体配置が2S,3SでありＲがノニルオキシカルボニル
オキシ基である化合物（XIII）のらせんのねじれ方向は
右である為、逆ねじれの化合物としてねじれ方向が左の
化合物（IV）のカイラル部の立体配置がＳ体でありＲ′
がオクトキシ基である化合物（VII）を用いピッチを伸
した液晶材料に非カイラル物質として特許請求の範囲第
４項記載のフェニルピリミジン系の化合物２種類と特許
請求の範囲第５項記載のエステル系の化合物４種類を混
合したスメクチックＣ相を示す混合物（IX）を用いた。
用いた非カイラル混合物の構造と組成は表３にしめし
た。化合物（XIII）のピッチは化合物（VII）を75wt％
いれると発散する。そこで、カイラル化合物として化合
物（XIII）が25wt％、化合物（VII）が75wt％の混合物
（XIV）を用いた。第７図に混合物（IX）と混合物（XI
V）の相図を、第８図に25℃に於ける応答速度をしめし
た。測定に用いた混合物の組成は、化合物（XII）12.5w
t％，化合物（XIII）が37.5wt％，混合物（IX）が50wt
％であった。以下に転移温度、ピッチ、自発分極、応答
速度の測定結果を示す。又、この組成においてピッチは
かなり長くなっており配向状態は非常に良好であった。
の立体配置が2S,3SでありＲがノニルオキシカルボニル
オキシ基である化合物（XIII）のらせんのねじれ方向は
右である為、逆ねじれの化合物としてねじれ方向が左の
化合物（IV）のカイラル部の立体配置がＳ体でありＲ′
がオクトキシ基である化合物（VII）を用いピッチを伸
した液晶材料に非カイラル物質として特許請求の範囲第
４項記載のフェニルピリミジン系の化合物２種類と特許
請求の範囲第５項記載のエステル系の化合物４種類を混
合したスメクチックＣ相を示す混合物（IX）を用いた。
用いた非カイラル混合物の構造と組成は表３にしめし
た。化合物（XIII）のピッチは化合物（VII）を75wt％
いれると発散する。そこで、カイラル化合物として化合
物（XIII）が25wt％、化合物（VII）が75wt％の混合物
（XIV）を用いた。第７図に混合物（IX）と混合物（XI
V）の相図を、第８図に25℃に於ける応答速度をしめし
た。測定に用いた混合物の組成は、化合物（XII）12.5w
t％，化合物（XIII）が37.5wt％，混合物（IX）が50wt
％であった。以下に転移温度、ピッチ、自発分極、応答
速度の測定結果を示す。又、この組成においてピッチは
かなり長くなっており配向状態は非常に良好であった。
又、上記以外の組成の化合物についても良好な配向を示
した。
した。
転移温度 融点；−7.5℃ 自発分極;9.15nC（25℃） Ch相のピッチ；無限大 SmC＊相のピッチ；無限大 応答速度;45μsec（25℃,40Vpp） 実施例８ 特許請求の範囲第１項記載の化合物（Ｉ）のカイラル部
の立体配置が2S,3SでありＲがノニルオキシカルボニル
オキシ基である化合物（XIII）及び化合物（Ｖ）のらせ
んのねじれ方向は右である為、逆ねじれの化合物として
ねじれ方向が左の化合物（IV）のカイラル部の立体配置
がＳ体でありＲ′がオクトキシ基である化合物（VII）
を用いピッチを伸した液晶材料に非カイラル物質として
特許請求の範囲第４項記載のフェニルピリミジン系の化
合物２種類と特許請求の範囲第５項記載のエステル系の
化合物４種類を混合したスメクチックＣ相を示す混合物
（VIII）を用いた８成分系について相転移温度、ピッチ
の長さ、自発分極、応答速度について測定を行った。用
いた非カイラル混合物の構造と組成は表３にしめした、
化合物（XIII）と化合物（Ｖ）の混合比は50wt％としこ
の混合物のピッチは化合物（VII）を75wt％いれると発
散する。そこで、カイラル化合物として化合物（XIII）
＋化合物（Ｖ）が25wt％、化合物（VII）が75wt％の混
合物を用いた。この組成のカイラル物質に50wt％の非カ
イラル混合物（IX）を混合した液晶組成物の転移温度、
ピッチについて測定をおこなった。以下にその結果を示
す。又、この組成の液晶組成物をもちいて作成した液晶
パネルの配向状態は非常に良好であった。
の立体配置が2S,3SでありＲがノニルオキシカルボニル
オキシ基である化合物（XIII）及び化合物（Ｖ）のらせ
んのねじれ方向は右である為、逆ねじれの化合物として
ねじれ方向が左の化合物（IV）のカイラル部の立体配置
がＳ体でありＲ′がオクトキシ基である化合物（VII）
を用いピッチを伸した液晶材料に非カイラル物質として
特許請求の範囲第４項記載のフェニルピリミジン系の化
合物２種類と特許請求の範囲第５項記載のエステル系の
化合物４種類を混合したスメクチックＣ相を示す混合物
（VIII）を用いた８成分系について相転移温度、ピッチ
の長さ、自発分極、応答速度について測定を行った。用
いた非カイラル混合物の構造と組成は表３にしめした、
化合物（XIII）と化合物（Ｖ）の混合比は50wt％としこ
の混合物のピッチは化合物（VII）を75wt％いれると発
散する。そこで、カイラル化合物として化合物（XIII）
＋化合物（Ｖ）が25wt％、化合物（VII）が75wt％の混
合物を用いた。この組成のカイラル物質に50wt％の非カ
イラル混合物（IX）を混合した液晶組成物の転移温度、
ピッチについて測定をおこなった。以下にその結果を示
す。又、この組成の液晶組成物をもちいて作成した液晶
パネルの配向状態は非常に良好であった。
転移温度 Ch相のピッチ；無限大 SmC＊相のピッチ；無限大 発明の効果 以上のように本発明は自発分極の大きい強誘電性液晶材
料に非カイラルの液晶材料を混合するかあるいは、自発
分極の大きい強誘電性液晶材料に逆ねじれの液晶材料を
混合してピッチをのばしたものに非カイラルの液晶材料
を混合することにより、自発分極の大きい高速応答可能
な強誘電性液晶材料を提供するものである。
料に非カイラルの液晶材料を混合するかあるいは、自発
分極の大きい強誘電性液晶材料に逆ねじれの液晶材料を
混合してピッチをのばしたものに非カイラルの液晶材料
を混合することにより、自発分極の大きい高速応答可能
な強誘電性液晶材料を提供するものである。
第１図は本発明の実施例１における混合系の相図、第２
図は本発明の実施例１における強誘電性液晶セルの応答
速度と自発分極の濃度依存の特性図、第３図は本発明の
実施例２における混合系の相図、第４図は本発明の実施
例２における強誘電性液晶セルの応答速度と自発分極の
濃度依存の特性図、第５図は本発明の実施例５における
混合系の相図、第６図は本発明の実施例５における強誘
電性液晶セルの応答速度と自発分極の濃度依存の特性
図、第７図は本発明の実施例７における混合系の相図、
第８図は本発明の実施例７における強誘電性液晶セルの
応答特性図、第９図はカイラル物質に非カイラル物質を
混合した時の自発分極の濃度依存の特性図、第10図は強
誘電性液晶セルの構成図、第11図は強誘電性液晶の模式
図、第12図は強誘電性液晶の動作原理を示した模式図で
ある。 １……偏光板、２……上下のガラス基板、３……透明電
極、４……配向処理を施した有機配向膜、５……強誘電
性液晶相、６……セル厚を一定に保つためのスペーサ
ー、７……強誘電性液晶分子、８……自発分極、９……
Ｃダイレクター、10……コーン、11……層、12……層法
線、13……分子の層法線に対する傾き角θ、14……層法
線に対して分子の長軸が＋θ傾いた液晶分子、15……層
法線に対して分子の長軸が−θ傾いた液晶分子、16……
紙面表方向を向いている双極子モーメント、17……紙面
裏方向を向いている双極子モーメント、18……２枚の偏
光板の方向。
図は本発明の実施例１における強誘電性液晶セルの応答
速度と自発分極の濃度依存の特性図、第３図は本発明の
実施例２における混合系の相図、第４図は本発明の実施
例２における強誘電性液晶セルの応答速度と自発分極の
濃度依存の特性図、第５図は本発明の実施例５における
混合系の相図、第６図は本発明の実施例５における強誘
電性液晶セルの応答速度と自発分極の濃度依存の特性
図、第７図は本発明の実施例７における混合系の相図、
第８図は本発明の実施例７における強誘電性液晶セルの
応答特性図、第９図はカイラル物質に非カイラル物質を
混合した時の自発分極の濃度依存の特性図、第10図は強
誘電性液晶セルの構成図、第11図は強誘電性液晶の模式
図、第12図は強誘電性液晶の動作原理を示した模式図で
ある。 １……偏光板、２……上下のガラス基板、３……透明電
極、４……配向処理を施した有機配向膜、５……強誘電
性液晶相、６……セル厚を一定に保つためのスペーサ
ー、７……強誘電性液晶分子、８……自発分極、９……
Ｃダイレクター、10……コーン、11……層、12……層法
線、13……分子の層法線に対する傾き角θ、14……層法
線に対して分子の長軸が＋θ傾いた液晶分子、15……層
法線に対して分子の長軸が−θ傾いた液晶分子、16……
紙面表方向を向いている双極子モーメント、17……紙面
裏方向を向いている双極子モーメント、18……２枚の偏
光板の方向。
フロントページの続き (72)発明者 櫻井 孝男 神奈川県川崎市川崎区鈴木町１番１号 味 の素株式会社中央研究所内 (72)発明者 樋口 量一 神奈川県川崎市川崎区鈴木町１番１号 味 の素株式会社中央研究所内
Claims (11)
- 【請求項１】強誘電性を示すスメクチック液晶に於て、
一般式 （但し、式中ＸはＲ−,RO−,RCOO−,ROCOO−のいずれか
であり、Ｒはアルキル基を示す）で表されるカイラル部
がラセミ体をなさない液晶化合物と非カイラルなスメク
チックＣ相を示す液晶化合物をそれぞれ１種類以上含有
することを特徴とする液晶組成物。 - 【請求項２】非カイラルなスメクチックＣ相を示す液晶
化合物の少なくとも１種類が、一般式 （但し、式中R,R′はそれぞれアルキル基またはアルコ
キシ基を示す）で表されることを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の液晶組成物。 - 【請求項３】非カイラルなスメクチックＣ相を示す液晶
化合物の少なくとも１種類が、一般式 （但し、式中R,R′はそれぞれアルキル基またはアルコ
キシ基を示す）で表されることを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の液晶組成物。 - 【請求項４】非カイラルなスメクチックＣ相を示す液晶
化合物が、少なくとも一般式（II）で表される化合物及
び一般式（III）で表される化合物であることを特徴と
する特許請求の範囲第１項 第２項 第３項のいずれか
に記載の液晶組成物。 - 【請求項５】強誘電性を示すスメクチック液晶に於て、
一般式 （但し、式中ＸはＲ−,RO−,RCOO−,ROCOO−のいずれか
であり、Ｒはアルキル基を示す）で表されるカイラル部
がラセミ体をなさない液晶化合物に前記化合物とらせん
の捩れ方向が逆である化合物を混合してなる液晶組成物
と非カイラルなスメクチックＣ相を示す液晶化合物をそ
れぞれ１種類以上含有することを特徴とする液晶組成
物。 - 【請求項６】非カイラルなスメクチックＣ相を示す液晶
化合物の少なくとも１種類が、一般式 （但し、式中R,R′はそれぞれアルキル基またはアルコ
キシ基を示す）で表されることを特徴とする特許請求の
範囲第５項記載の液晶組成物。 - 【請求項７】非カイラルなスメクチックＣ相を示す液晶
化合物の少なくとも１種類が、一般式 （但し、式中R,R′はそれぞれアルキル基またはアルコ
キシ基を示す）で表されることを特徴とする特許請求の
範囲第５項記載の液晶組成物。 - 【請求項８】非カイラルなスメクチックＣ相を示す液晶
化合物が、少なくとも一般式（II）で表される化合物及
び一般式（III）で表される化合物であることを特徴と
する特許請求の範囲第５項 第６項 第７項のいずれか
に記載の液晶組成物。 - 【請求項９】非カイラルなスメクチックＣ相を示す液晶
化合物の少なくとも１種類が、一般式 （但し、式中R,R′はそれぞれアルキル基またはアルコ
キシ基を示す）で表され、一般式（Ｉ）で表される化合
物とらせんのねじれ方向が逆の化合物の少なくとも１種
類が、一般式 （但し、式中Ｒはアルキル基、又はアルコキシ基を示
す）で表されるカイラル部がラセミ体をなさない液晶化
合物であることを特徴とする特許請求の範囲第５項第６
項のいずれかに記載の液晶組成物。 - 【請求項１０】非カイラルなスメクチックＣ相を示す液
晶化合物の少なくとも１種類が、一般式 （ただし、式中Ｒ″,Rはそれぞれアルキル基またはア
ルコキシ基を示す）で表され、一般式（Ｉ）で表される
化合物とらせんのねじれ方向が逆の化合物の少なくとも
１種類が一般式 （但し、式中Ｒはアルキル基、アルコキシ基を示す）で
表されるカイラル部がラセミ体をなさない液晶化合物で
あることを特徴とする特許請求の範囲第５項 第７項の
いずれかに記載の液晶組成物。 - 【請求項１１】非カイラルなスメクチックＣ相を示す液
晶化合物が、少なくとも一般式（II）で表される化合物
及び一般式（III）で表される化合物であることを特徴
とする特許請求の範囲第９項 第10項のいずれかに記載
の液晶組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61182221A JPH0781143B2 (ja) | 1986-08-01 | 1986-08-01 | 液晶組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61182221A JPH0781143B2 (ja) | 1986-08-01 | 1986-08-01 | 液晶組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6337188A JPS6337188A (ja) | 1988-02-17 |
| JPH0781143B2 true JPH0781143B2 (ja) | 1995-08-30 |
Family
ID=16114461
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61182221A Expired - Lifetime JPH0781143B2 (ja) | 1986-08-01 | 1986-08-01 | 液晶組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0781143B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63254421A (ja) * | 1987-04-13 | 1988-10-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置 |
| JPS63256688A (ja) * | 1987-04-13 | 1988-10-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶組成物 |
| JPH01101390A (ja) * | 1987-10-15 | 1989-04-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 強誘電性液晶組成物 |
-
1986
- 1986-08-01 JP JP61182221A patent/JPH0781143B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6337188A (ja) | 1988-02-17 |
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