JPH0781190B2 - めつき液再生装置 - Google Patents
めつき液再生装置Info
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- JPH0781190B2 JPH0781190B2 JP16913586A JP16913586A JPH0781190B2 JP H0781190 B2 JPH0781190 B2 JP H0781190B2 JP 16913586 A JP16913586 A JP 16913586A JP 16913586 A JP16913586 A JP 16913586A JP H0781190 B2 JPH0781190 B2 JP H0781190B2
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- JP
- Japan
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- plating solution
- chamber
- cathode
- electrode
- metal mesh
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/1601—Process or apparatus
- C23C18/1617—Purification and regeneration of coating baths
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- Chemically Coating (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はめっき液の再生装置に関し、詳しくは化学めっ
き液中の化学めっき反応阻害成分を選択的に除去して、
化学銅めっき液を再生する装置に関するものである。
き液中の化学めっき反応阻害成分を選択的に除去して、
化学銅めっき液を再生する装置に関するものである。
銅イオン，銅イオンの錯化剤，銅イオンの還元剤,pH調
整剤を主成分として含む化学銅めっき液では、長時間の
使用によって、めっき液中に化学めっき反応を阻害する
成分が蓄積される。すなわち、化学めっき反応によって
消費される銅イオンは、その最適濃度を維持ずるため
に、不足分の銅イオンが補給される。この場合、補給さ
れる銅イオンは、銅化合物の水溶液として補給される。
従って、この補給がくり返されると、銅化合物の銅イオ
ンの対陰イオンがめっき液中に蓄積されることになる。
この銅化合物としては、主として硫酸銅が用いられるの
で、硫酸イオンが蓄積される。銅イオンの還元剤として
は，ホルムアルデヒドが用いられるが、この酸化反応生
成物イオンは、ギ酸イオンでありめっき液の長時間使用
による銅イオンの還元剤（ホルムアルデヒド）の補給に
伴って蓄積される。これらの蓄積イオンは、めっき液の
イオン強度を増大し、２価銅イオンを捕捉するので、め
っき液の安定性を損ない、めっき液を分解し、めっき皮
膜の機械的性質を低下させる。めっき液中のこれらの蓄
積イオンを除去し、めっき液を再生する方法及び装置が
アメリカ合衆国特許第4,289,597号（1981年９月15日）
によって提案されている。すなわち同特許によると１つ
の電解槽を２つの陰イオン交換樹脂膜によってアノード
室，めっき液再生室，及びカソード室の３つの部屋に区
切り、それぞれの部屋には、硫酸水溶液，再生するめっ
き液，水酸化ナトリウム水溶液をそれぞれ入れる。アノ
ード室およびカソード室にそれぞれ電極を浸漬し、この
両電極間に直流電圧を印加するとめっき液再生室のめっ
き液中に蓄積している硫酸イオン，ギ酸イオンは陰イオ
ン交換樹脂膜を通過して、アノード室に移動し、めっき
液中の硫酸イオン，ギ酸イオンの濃度は減少してめっき
液が再生される。なおめっき液中の銅イオンの錯化剤
（例えばエチレンジアミン四酢酸塩）は、銅イオンと陰
イオンの錯イオンを形成して存在するが、硫酸イオン，
ギ酸イオンの分子量より大きいため、陰イオン交換樹脂
膜は通過できず、めっき液中からは、硫酸イオン，ギ酸
イオンを選択的に除去できる。
整剤を主成分として含む化学銅めっき液では、長時間の
使用によって、めっき液中に化学めっき反応を阻害する
成分が蓄積される。すなわち、化学めっき反応によって
消費される銅イオンは、その最適濃度を維持ずるため
に、不足分の銅イオンが補給される。この場合、補給さ
れる銅イオンは、銅化合物の水溶液として補給される。
従って、この補給がくり返されると、銅化合物の銅イオ
ンの対陰イオンがめっき液中に蓄積されることになる。
この銅化合物としては、主として硫酸銅が用いられるの
で、硫酸イオンが蓄積される。銅イオンの還元剤として
は，ホルムアルデヒドが用いられるが、この酸化反応生
成物イオンは、ギ酸イオンでありめっき液の長時間使用
による銅イオンの還元剤（ホルムアルデヒド）の補給に
伴って蓄積される。これらの蓄積イオンは、めっき液の
イオン強度を増大し、２価銅イオンを捕捉するので、め
っき液の安定性を損ない、めっき液を分解し、めっき皮
膜の機械的性質を低下させる。めっき液中のこれらの蓄
積イオンを除去し、めっき液を再生する方法及び装置が
アメリカ合衆国特許第4,289,597号（1981年９月15日）
によって提案されている。すなわち同特許によると１つ
の電解槽を２つの陰イオン交換樹脂膜によってアノード
室，めっき液再生室，及びカソード室の３つの部屋に区
切り、それぞれの部屋には、硫酸水溶液，再生するめっ
き液，水酸化ナトリウム水溶液をそれぞれ入れる。アノ
ード室およびカソード室にそれぞれ電極を浸漬し、この
両電極間に直流電圧を印加するとめっき液再生室のめっ
き液中に蓄積している硫酸イオン，ギ酸イオンは陰イオ
ン交換樹脂膜を通過して、アノード室に移動し、めっき
液中の硫酸イオン，ギ酸イオンの濃度は減少してめっき
液が再生される。なおめっき液中の銅イオンの錯化剤
（例えばエチレンジアミン四酢酸塩）は、銅イオンと陰
イオンの錯イオンを形成して存在するが、硫酸イオン，
ギ酸イオンの分子量より大きいため、陰イオン交換樹脂
膜は通過できず、めっき液中からは、硫酸イオン，ギ酸
イオンを選択的に除去できる。
しかし、上述の従来技術ではめっき液の再生時に、カソ
ード室とめっき液再生室間に介挿した陰イオン交換樹脂
膜のめっき液の接触面に化学銅めっきが析出されやす
く、めっき液中の硫酸イオン，ギ酸イオンの除去効率が
徐々に減少する欠点があった。
ード室とめっき液再生室間に介挿した陰イオン交換樹脂
膜のめっき液の接触面に化学銅めっきが析出されやす
く、めっき液中の硫酸イオン，ギ酸イオンの除去効率が
徐々に減少する欠点があった。
本発明の目的はかかる従来技術の欠点を除去しためっき
液再生装置を提供することにある。
液再生装置を提供することにある。
本発明のめっき液再生装置は、槽内を２枚の陰イオン交
換樹脂膜によってアノード室，めっき液再生室，カソー
ド室の３つに仕切られた電解槽とカソード室とめっき液
再生室間の陰イオン交換樹脂膜のめっき液再生室面に金
属メッシュを接触配置し、かつアノード室及びカソード
室にそれぞれ配置されたアノード電極とカソード電極間
に直流電圧を印加する電源と、上記金属メッシュと上記
カソード電極の間に金属メッシュをカソード電極より貴
の電位に保持する直流電源とを備えたことを特徴とし、
さらには、めっき液再生液を一定量自動採取し、めっき
液中の所望のイオン濃度を検出する機構をも備えたこと
をも特徴とする。
換樹脂膜によってアノード室，めっき液再生室，カソー
ド室の３つに仕切られた電解槽とカソード室とめっき液
再生室間の陰イオン交換樹脂膜のめっき液再生室面に金
属メッシュを接触配置し、かつアノード室及びカソード
室にそれぞれ配置されたアノード電極とカソード電極間
に直流電圧を印加する電源と、上記金属メッシュと上記
カソード電極の間に金属メッシュをカソード電極より貴
の電位に保持する直流電源とを備えたことを特徴とし、
さらには、めっき液再生液を一定量自動採取し、めっき
液中の所望のイオン濃度を検出する機構をも備えたこと
をも特徴とする。
本発明のめっき液再生装置の電解槽の材質としては、ポ
リプロピレン樹脂、塩化ビニル樹脂等のプラスチックを
用いる。アノード電極としては過酸化鉛電極，白金めっ
きチタン電極等を用いる。カソード電極にはステンレス
電極，白金めっきチタン電極等を用いる。金属メッシュ
の材質として、ステンレス，銅，白金めっきチタンを用
いる。
リプロピレン樹脂、塩化ビニル樹脂等のプラスチックを
用いる。アノード電極としては過酸化鉛電極，白金めっ
きチタン電極等を用いる。カソード電極にはステンレス
電極，白金めっきチタン電極等を用いる。金属メッシュ
の材質として、ステンレス，銅，白金めっきチタンを用
いる。
本発明のめっき液再生装置の電解槽のアノード室の電解
液には10〜50g/L濃度の硫酸水溶液または20〜50g/L濃度
の水酸化ナトリウム水溶液が適当である。またカソード
室の電解液には20〜50g/L濃度の水酸化ナトリウム水溶
液が適当である。アノード電極とカソード電極間には10
〜20Vの直流電圧を印加し、またカソード電極と金属メ
ッシュ間には４〜5Vの直流電圧を印加し、化学銅めっき
液を再生することができる。カソード電極と金属メッシ
ュ間の印加電圧が4Vより低い場合には、めっき液の再生
時にカソード室とめっき液再生室間に配設した陰イオン
交換樹脂膜のめっき液接触面側に化学銅めっきを析出す
ることを防止する効果が減少する。またカソード電極と
金属メッシュ間の印加電圧が5Vを超えると金属メッシュ
（例えばステンレス，銅の場合）の溶解及び酸素が発生
し、めっき液の汚染やアノード電極とカソード電極間の
必要印加電圧の増加をもたらす。また、めっき液再生液
中の所望のイオン濃度を検出する機構としてはイオンク
ロマトグラフィーを使用する。イオンクロマトグラフィ
ーによりめっき液再生液中の所望のイオン、例えば硫酸
イオン，ギ酸イオンの濃度が検出され、これらイオン濃
度が所望の濃度以下になると電解槽のアノード電極とカ
ソード電極間の直流電圧の印加を切り、めっき液の再生
を完了する。
液には10〜50g/L濃度の硫酸水溶液または20〜50g/L濃度
の水酸化ナトリウム水溶液が適当である。またカソード
室の電解液には20〜50g/L濃度の水酸化ナトリウム水溶
液が適当である。アノード電極とカソード電極間には10
〜20Vの直流電圧を印加し、またカソード電極と金属メ
ッシュ間には４〜5Vの直流電圧を印加し、化学銅めっき
液を再生することができる。カソード電極と金属メッシ
ュ間の印加電圧が4Vより低い場合には、めっき液の再生
時にカソード室とめっき液再生室間に配設した陰イオン
交換樹脂膜のめっき液接触面側に化学銅めっきを析出す
ることを防止する効果が減少する。またカソード電極と
金属メッシュ間の印加電圧が5Vを超えると金属メッシュ
（例えばステンレス，銅の場合）の溶解及び酸素が発生
し、めっき液の汚染やアノード電極とカソード電極間の
必要印加電圧の増加をもたらす。また、めっき液再生液
中の所望のイオン濃度を検出する機構としてはイオンク
ロマトグラフィーを使用する。イオンクロマトグラフィ
ーによりめっき液再生液中の所望のイオン、例えば硫酸
イオン，ギ酸イオンの濃度が検出され、これらイオン濃
度が所望の濃度以下になると電解槽のアノード電極とカ
ソード電極間の直流電圧の印加を切り、めっき液の再生
を完了する。
以下本発明について図面を用いて説明する。
第１図は本発明の第１実施例を示すめっき液再生装置の
回路図付きの断面図である。図中、10はポリプロピレン
等の合成樹脂製の電解槽、電解槽10は陰イオン交換樹脂
膜40a,40bの仕切り配設により、カソード室50,めっき液
再生室60およびアノード室70の３つの小部屋に分割され
る。カソード室50側に配設された陰イオン交換樹脂膜40
aのめっき液の接触面、すなわちめっき液再生室60側の
面には前述のステンレス等の金属メッシュ３が電極とし
て接触配置される。E1は例えばステンレス電極を使用し
たカソード電極１と過酸化鉛電極等のアノード電極２か
らそれぞれ導出されたリード線４により接続された直流
電源、またE2はカソード電極１と金属メッシュ３間をリ
ード線４で接続された直流電源である。
回路図付きの断面図である。図中、10はポリプロピレン
等の合成樹脂製の電解槽、電解槽10は陰イオン交換樹脂
膜40a,40bの仕切り配設により、カソード室50,めっき液
再生室60およびアノード室70の３つの小部屋に分割され
る。カソード室50側に配設された陰イオン交換樹脂膜40
aのめっき液の接触面、すなわちめっき液再生室60側の
面には前述のステンレス等の金属メッシュ３が電極とし
て接触配置される。E1は例えばステンレス電極を使用し
たカソード電極１と過酸化鉛電極等のアノード電極２か
らそれぞれ導出されたリード線４により接続された直流
電源、またE2はカソード電極１と金属メッシュ３間をリ
ード線４で接続された直流電源である。
次に第１図により本発明のめっき液再生装置の使用方法
を説明する。
を説明する。
まずカソード室50に40g/L濃度の水酸化ナトリウム水溶
液11を入れ、アノード室70に20g/L濃度の硫酸水溶液12
を入れる。次いでエチレンジアミン四酢酸30g/L,硫酸銅
（CuSO4・5H2O）10g/L,硫酸ナトリウム（Na2SO4）20g/
L,ギ酸ナトリウム（HCOONa）30g/L、ホルムアルデヒド2
g/Lを含むpH＝12の化学銅めっき液13をめっき再生室60
に入れ、直流電源E1によりアノード電極２とカソード電
極１の間に直流電圧17Vを印加する。また直流電源E2に
よりカソード電極１と金属メッシュ３間に金属メッシュ
３側がアノード（貴な電位）になるように直流電圧4.5V
を印加して化学銅めっき液13を10時間再生する。なお陰
イオン交換樹脂膜40a,40bには徳山曹達株式会社製の陰
イオン交換樹脂膜ACLE−5Pを使用し陰イオン交換樹脂膜
の化学銅めっき液13の接地面積は600cm2、陰イオン交換
樹脂膜の電流密度は10mA/cm2、化学銅めっき液13の体積
は6Lとした。化学銅めっき液13を12時間再生後の化学銅
めっき液13中の硫酸イオン（SO4 2-）の濃度減少は10.6g
/L、ギ酸イオン（HCOO-）の濃度減少は6.6g/Lでありほ
ぼ100％の電流効率で化学銅めっき液13中から硫酸イオ
ン及びギ酸イオンを除去することができる。また金属メ
ッシュ３の接触している陰イオン交換樹脂膜40aには化
学銅めっきの析出が起こらず、本発明の実用性が立証さ
れた。
液11を入れ、アノード室70に20g/L濃度の硫酸水溶液12
を入れる。次いでエチレンジアミン四酢酸30g/L,硫酸銅
（CuSO4・5H2O）10g/L,硫酸ナトリウム（Na2SO4）20g/
L,ギ酸ナトリウム（HCOONa）30g/L、ホルムアルデヒド2
g/Lを含むpH＝12の化学銅めっき液13をめっき再生室60
に入れ、直流電源E1によりアノード電極２とカソード電
極１の間に直流電圧17Vを印加する。また直流電源E2に
よりカソード電極１と金属メッシュ３間に金属メッシュ
３側がアノード（貴な電位）になるように直流電圧4.5V
を印加して化学銅めっき液13を10時間再生する。なお陰
イオン交換樹脂膜40a,40bには徳山曹達株式会社製の陰
イオン交換樹脂膜ACLE−5Pを使用し陰イオン交換樹脂膜
の化学銅めっき液13の接地面積は600cm2、陰イオン交換
樹脂膜の電流密度は10mA/cm2、化学銅めっき液13の体積
は6Lとした。化学銅めっき液13を12時間再生後の化学銅
めっき液13中の硫酸イオン（SO4 2-）の濃度減少は10.6g
/L、ギ酸イオン（HCOO-）の濃度減少は6.6g/Lでありほ
ぼ100％の電流効率で化学銅めっき液13中から硫酸イオ
ン及びギ酸イオンを除去することができる。また金属メ
ッシュ３の接触している陰イオン交換樹脂膜40aには化
学銅めっきの析出が起こらず、本発明の実用性が立証さ
れた。
第２図は本発明の第２実施例を示すめっき液再生装置の
回路図付断面図である。図中10はポリプロピレン等の合
成樹脂製の電解槽、20はめっき液槽、30は純水槽であ
る。電解槽10は陰イオン交換樹脂膜40a,40bの仕切り配
設によりカソード室50、めっき液再生室60およびアノー
ド室70の３つの小部屋に分割される。カソード室50側に
配設された陰イオン交換樹脂膜40aのめっき液の接触
面、すなわちめっき液再生室60側の面には前述のステン
レス等の金属メッシュ３が電極として接触配置される。
E1は例えばステンレス電極を使用したカソード電極１と
過酸化鉛電極等のアノード電極２からそれぞれ導出され
たリード線４により接続された直流電源、またE2はカソ
ード電極１と金属メッシュ３間をリード線４で接続され
た直流電源である。電解槽10とめっき液槽20は配管５に
よりポンプP1,P2に連結され、また、Ｂはイオンクロマ
トグラフで純水槽30及びめっき液槽20にそれぞれポンプ
P3,P4を介して配管５に連結される。Ｃは制御装置であ
りイオンクロマトグラフＢ及びポンプP3,P4に接続され
る。
回路図付断面図である。図中10はポリプロピレン等の合
成樹脂製の電解槽、20はめっき液槽、30は純水槽であ
る。電解槽10は陰イオン交換樹脂膜40a,40bの仕切り配
設によりカソード室50、めっき液再生室60およびアノー
ド室70の３つの小部屋に分割される。カソード室50側に
配設された陰イオン交換樹脂膜40aのめっき液の接触
面、すなわちめっき液再生室60側の面には前述のステン
レス等の金属メッシュ３が電極として接触配置される。
E1は例えばステンレス電極を使用したカソード電極１と
過酸化鉛電極等のアノード電極２からそれぞれ導出され
たリード線４により接続された直流電源、またE2はカソ
ード電極１と金属メッシュ３間をリード線４で接続され
た直流電源である。電解槽10とめっき液槽20は配管５に
よりポンプP1,P2に連結され、また、Ｂはイオンクロマ
トグラフで純水槽30及びめっき液槽20にそれぞれポンプ
P3,P4を介して配管５に連結される。Ｃは制御装置であ
りイオンクロマトグラフＢ及びポンプP3,P4に接続され
る。
次に第２図により本発明のめっき液再生装置の使用方法
を説明する。
を説明する。
まずカソード室50に40g/L濃度の水酸化ナトリウム水溶
液11を入れ、アノード室70に20g/L濃度の硫酸水溶液12
を入れる。次いでエチレンジアミン四酢酸30g/L,硫酸銅
（CuSO4・5H2O）10g/L,硫酸ナトリウム（Na2SO4）20g/
L,ギ酸ナトリウム（HCOONa）30g/L、ホルムアルデヒド2
g/Lを含むpH＝12の化学銅めっき液21をめっき液槽20に
入れ、ポンプP2によりめっき液再生室60に送り、直流電
源E1によりアノード電極２とカソード電極１の間に直流
電圧17Vを印加する。また直流電源E2によりカソード電
極１と金属メッシュ３間に金属メッシュ３側がアノード
（貴な電位）になるように直流電圧4.5Vを印加して、化
学銅めっき液13,21を再生しながらポンプP1,P2によりめ
っき液槽20との間を循環させた。化学銅めっき液21は制
御装置ＣによりポンプP4で一定量自動採取されポンプP3
で純水31により500倍に希釈されイオンクロマトグラフ
Ｂに入り硫酸イオン濃度とギ酸イオン濃度が自動測定さ
れる。なお陰イオン交換樹脂膜40a,40bには徳山曹達株
式会社製の陰イオン交換樹脂膜ACLE−5Pを使用し陰イオ
ン交換樹脂膜の電流密度は10mA/cm2、化学銅めっき液1
3,21の体積は6Lとした。イオンクロマトグラフＢでの化
学銅めっき液21中の硫酸イオン及びギ酸イオン濃度の分
析値（めっき液中の濃度換算）がそれぞれ4.85g/L、及
び11.9g/Lになった時点（再生時間12時間）でアノード
電極２とカソード電極１間の直流電圧を切り、化学銅め
っき液13,21の再生を終了した。
液11を入れ、アノード室70に20g/L濃度の硫酸水溶液12
を入れる。次いでエチレンジアミン四酢酸30g/L,硫酸銅
（CuSO4・5H2O）10g/L,硫酸ナトリウム（Na2SO4）20g/
L,ギ酸ナトリウム（HCOONa）30g/L、ホルムアルデヒド2
g/Lを含むpH＝12の化学銅めっき液21をめっき液槽20に
入れ、ポンプP2によりめっき液再生室60に送り、直流電
源E1によりアノード電極２とカソード電極１の間に直流
電圧17Vを印加する。また直流電源E2によりカソード電
極１と金属メッシュ３間に金属メッシュ３側がアノード
（貴な電位）になるように直流電圧4.5Vを印加して、化
学銅めっき液13,21を再生しながらポンプP1,P2によりめ
っき液槽20との間を循環させた。化学銅めっき液21は制
御装置ＣによりポンプP4で一定量自動採取されポンプP3
で純水31により500倍に希釈されイオンクロマトグラフ
Ｂに入り硫酸イオン濃度とギ酸イオン濃度が自動測定さ
れる。なお陰イオン交換樹脂膜40a,40bには徳山曹達株
式会社製の陰イオン交換樹脂膜ACLE−5Pを使用し陰イオ
ン交換樹脂膜の電流密度は10mA/cm2、化学銅めっき液1
3,21の体積は6Lとした。イオンクロマトグラフＢでの化
学銅めっき液21中の硫酸イオン及びギ酸イオン濃度の分
析値（めっき液中の濃度換算）がそれぞれ4.85g/L、及
び11.9g/Lになった時点（再生時間12時間）でアノード
電極２とカソード電極１間の直流電圧を切り、化学銅め
っき液13,21の再生を終了した。
化学銅めっき液13,21の再生効率はほぼ100％でありまた
金属メッシュ３の接触している陰イオン交換樹脂膜40a
には化学銅めっきの析出が起こらず、本発明の実用性が
立証された。
金属メッシュ３の接触している陰イオン交換樹脂膜40a
には化学銅めっきの析出が起こらず、本発明の実用性が
立証された。
以上本発明により、化学銅めっき液中の蓄積イオン（SO
4 2-,HCOO-）が長時間効率良く除去することができる効
果がある。
4 2-,HCOO-）が長時間効率良く除去することができる効
果がある。
第１図および第２図は、本発明のめっき液再生装置の第
１および第２実施例及びその使用方法を示す断面図であ
る。 １……カソード電極,2……アノード電極， ３……金属メッシュ,4……リード線,5……配管， 10……電解槽,11……水酸化ナトリウム水溶液， 12……硫酸水溶液,13……化学銅めっき液， 20……めっき液槽,21……化学銅めっき液， 30……純水槽,31……純水， 40a,40b……陰イオン交換樹脂膜， 50……カソード室,60……めっき液再生室， 70……アノード室,E1,E2……直流電源， P1,P2,P3,P4……ポンプ， Ｂ……イオンクロマトグラフ,C……制御装置。
１および第２実施例及びその使用方法を示す断面図であ
る。 １……カソード電極,2……アノード電極， ３……金属メッシュ,4……リード線,5……配管， 10……電解槽,11……水酸化ナトリウム水溶液， 12……硫酸水溶液,13……化学銅めっき液， 20……めっき液槽,21……化学銅めっき液， 30……純水槽,31……純水， 40a,40b……陰イオン交換樹脂膜， 50……カソード室,60……めっき液再生室， 70……アノード室,E1,E2……直流電源， P1,P2,P3,P4……ポンプ， Ｂ……イオンクロマトグラフ,C……制御装置。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大田 広徳 東京都港区芝５丁目33番１号 日本電気株 式会社内 (72)発明者 岸 正勝 東京都港区芝５丁目33番１号 日本電気株 式会社内 (72)発明者 佐藤 高雄 東京都港区芝５丁目33番１号 日本電気株 式会社内 (56)参考文献 特開 昭62−280373（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−108868（ＪＰ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】槽内を陰イオン交換樹脂膜によって仕切ら
れたアノード室，めっき液再生室，カソード室からなる
電解槽と前記カソード室とめっき液再生室間に介挿され
た陰イオン交換樹脂膜のめっき液再生室面側に接触配置
した金属メッシュと前記アノード室及びカソード室にそ
れぞれアノード電極とカソード電極を配置し、かつ前記
両電極間に直流電圧を印加する直流電源と、前記金属メ
ッシュと前記カソード電極の間に金属メッシュをカソー
ド電極より貴の電位に保持する直流電源とを備えたこと
を特徴とするめっき液再生装置。 - 【請求項２】前記めっき液再生装置において、めっき液
再生液を一定自動採取し、めっき液中の所望のイオン濃
度を検出する機構をさらに追加したことを特徴とする特
許請求の範囲第（１）項記載のめっき液再生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16913586A JPH0781190B2 (ja) | 1986-07-17 | 1986-07-17 | めつき液再生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16913586A JPH0781190B2 (ja) | 1986-07-17 | 1986-07-17 | めつき液再生装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6326377A JPS6326377A (ja) | 1988-02-03 |
| JPH0781190B2 true JPH0781190B2 (ja) | 1995-08-30 |
Family
ID=15880931
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16913586A Expired - Lifetime JPH0781190B2 (ja) | 1986-07-17 | 1986-07-17 | めつき液再生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0781190B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05306471A (ja) * | 1991-05-17 | 1993-11-19 | Hitachi Kasei Techno Plant Kk | 無電解銅めっき液の生成方法及び生成装置 |
-
1986
- 1986-07-17 JP JP16913586A patent/JPH0781190B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6326377A (ja) | 1988-02-03 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |