JPH0782156B2 - 記録光学系 - Google Patents
記録光学系Info
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- JPH0782156B2 JPH0782156B2 JP61117390A JP11739086A JPH0782156B2 JP H0782156 B2 JPH0782156 B2 JP H0782156B2 JP 61117390 A JP61117390 A JP 61117390A JP 11739086 A JP11739086 A JP 11739086A JP H0782156 B2 JPH0782156 B2 JP H0782156B2
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- laser
- diameter
- signal
- beam diameter
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- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N1/00—Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
- H04N1/40—Picture signal circuits
- H04N1/40025—Circuits exciting or modulating particular heads for reproducing continuous tone value scales
- H04N1/40043—Circuits exciting or modulating particular heads for reproducing continuous tone value scales using more than one type of modulation, e.g. pulse width modulation and amplitude modulation
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- G06K15/00—Arrangements for producing a permanent visual presentation of the output data, e.g. computer output printers
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、レーザビーム走査による記録光学系に係り、
特に、記録中に記録ビームスポツト径を変化可能な光学
系に関し、レーザビームプリンタ装置において中間調記
録を行うのに好適である。
特に、記録中に記録ビームスポツト径を変化可能な光学
系に関し、レーザビームプリンタ装置において中間調記
録を行うのに好適である。
レーザビーム走査により、画像を形成・記録する場合に
は多数の画素の集合で画面を構成する。
は多数の画素の集合で画面を構成する。
記録面は通常、感光性材料や光導電性材料が表面に塗布
されていて、画素寸法は走査時におけるクロツク時間当
たりの露光領域で決定される。
されていて、画素寸法は走査時におけるクロツク時間当
たりの露光領域で決定される。
従来装置では、レーザビームプリンタの例として、例え
ばアイビーエム，リサーチアンドデベロツプメント，第
21巻頁479〜頁483（1977年）（IBM J.Res.Dev.vol21
（1977）p.p.479−483）に記載のように、走査・記録中
のビームスポツト径すなわち画素径は一定の値に保持さ
れる。また、走査面でのスポツト径を補正する方式とし
て、レーザ光源または光路中のレンズの位置を変動させ
る（特開昭58−65410,特開昭58−121145）、あるいは、
収束レンズへの入射ビーム径を絞りで調整する（特開昭
60−220309）などの手段が提案されている。いづれの手
段も記録中で走査面上のビームスポツト径を一定に保持
することを目的としたものである。
ばアイビーエム，リサーチアンドデベロツプメント，第
21巻頁479〜頁483（1977年）（IBM J.Res.Dev.vol21
（1977）p.p.479−483）に記載のように、走査・記録中
のビームスポツト径すなわち画素径は一定の値に保持さ
れる。また、走査面でのスポツト径を補正する方式とし
て、レーザ光源または光路中のレンズの位置を変動させ
る（特開昭58−65410,特開昭58−121145）、あるいは、
収束レンズへの入射ビーム径を絞りで調整する（特開昭
60−220309）などの手段が提案されている。いづれの手
段も記録中で走査面上のビームスポツト径を一定に保持
することを目的としたものである。
上記従来技術は、いずれも走査中のスポツト径を変化さ
せる点については考慮がなされていなかつた。
せる点については考慮がなされていなかつた。
本発明の目的は、走査中のビームスポツト径を任意に所
定の値に高速、高精度に変化可能なレーザビーム走査記
録光学系を実現することにある。
定の値に高速、高精度に変化可能なレーザビーム走査記
録光学系を実現することにある。
これにより、一走査線上の画素密度を任意に変化させた
り、中間調表現の高精細化が可能となり、一画面上での
表現パターンの多様化，高品質化が容易となる。さらに
は、レーザスポツト径の均一化のための補正も容易に行
えるなどの利点もあり、レーザ走査記録装置として、従
来には見られない高機能化，高画質化が図れる。
り、中間調表現の高精細化が可能となり、一画面上での
表現パターンの多様化，高品質化が容易となる。さらに
は、レーザスポツト径の均一化のための補正も容易に行
えるなどの利点もあり、レーザ走査記録装置として、従
来には見られない高機能化，高画質化が図れる。
上記目的は、走査面にビームスポツトを形成するための
収束用レンズへの入射ビームの、走査方向に対し直角方
向のビーム径の変調と光強度パルス幅変調とを組合せる
ことにより、達成される。
収束用レンズへの入射ビームの、走査方向に対し直角方
向のビーム径の変調と光強度パルス幅変調とを組合せる
ことにより、達成される。
この場合、走査面上で、レーザ光走査方法（ｘ方向とす
る）のビームスポツト径dxは画素間隔に対して十分短い
一定値に保つておき、走査と直角方向（ｙ方向とする）
のビームスポツト径dyのみが可能となる。さらに、ビー
ムスポツト径dyの変調と同期させて、レーザ光のオンオ
フ変調時にオン時間（或いは、オフ時間）幅を変化さ
せ、ｘ方向の露光幅Pxを制御する。
る）のビームスポツト径dxは画素間隔に対して十分短い
一定値に保つておき、走査と直角方向（ｙ方向とする）
のビームスポツト径dyのみが可能となる。さらに、ビー
ムスポツト径dyの変調と同期させて、レーザ光のオンオ
フ変調時にオン時間（或いは、オフ時間）幅を変化さ
せ、ｘ方向の露光幅Pxを制御する。
このようにして、走査線上で所定の画素位置における露
光面積を高速に変調でき、したがつて、画素寸法を変化
することが可能となる。
光面積を高速に変調でき、したがつて、画素寸法を変化
することが可能となる。
走査面上のビームスポツト径ｄと収束レンズへの入射ビ
ーム径Ｄとの関係は、レンズの焦点距離ｆ、使用レーザ
光の波長をλとすると、 で与えられる。ｋはレーザビーム断面の強度分布に依存
する定数である。従つて、ｙ方向のスポツト径dyに対応
する入射ビーム径Dyを変化させれば、 なる関係より、dyを変調できる。
ーム径Ｄとの関係は、レンズの焦点距離ｆ、使用レーザ
光の波長をλとすると、 で与えられる。ｋはレーザビーム断面の強度分布に依存
する定数である。従つて、ｙ方向のスポツト径dyに対応
する入射ビーム径Dyを変化させれば、 なる関係より、dyを変調できる。
一方、走査方向のビームスポツト径dxを画素間隔にくら
べ十分小とすれば、走査方向の露光幅Pxは、走査面上の
走査速度をｖ、露光時間をηとすれば、Pxｖηで与え
られる。よつて、露光パルス幅を変調してPxを変化でき
る。
べ十分小とすれば、走査方向の露光幅Pxは、走査面上の
走査速度をｖ、露光時間をηとすれば、Pxｖηで与え
られる。よつて、露光パルス幅を変調してPxを変化でき
る。
以上から、Dyとηとを同期させて変化させれば、走査線
上での各画素の面積Px×dyの変調が可能となる。
上での各画素の面積Px×dyの変調が可能となる。
以下、本発明の実施例を説明する。第１図は、電子写真
感光体あるいはフイルム上にレーザビーム走査により記
録する場合などに、本発明を適用したときの光学系の構
成を示す。
感光体あるいはフイルム上にレーザビーム走査により記
録する場合などに、本発明を適用したときの光学系の構
成を示す。
光源１は、半導体レーザのようにそれ自体で変調可能
な、あるいは、超音波光変調器のような外部変調器を有
するレーザ発振器である。この光源１からのレーザ光
は、出力パターン発生回路11からの信号にもとづいて光
強度のオンオフ変調を受けると共に、走査方向（ｘ方
向）の画素径（dx−Px）に対応して露光パルス幅の変調
を受ける。光源１から出たレーザ光は、ビーム整形光学
系２に入射する。ここで、レーザビームは、走査面上で
最大解像度のスポツト径に相当するビーム径Do（最大ビ
ーム径に相当する）に変換された後、ビーム径可変素子
３に入射する。ここで、ビーム径可変素子３は、入射レ
ーザビームのｘ方向の径は不変（Dx＝Do）であるが、ｙ
方向の径（Dy）のみ変化できる。従つて、ビーム径可変
素子３を出力パターン情報に基づいてビーム径変調回路
12により動作させ、ｙ方向の径Dyを変化させた後、光偏
向機、例えば、回転多面鏡４、および走査、収束用レン
ズ、例えば、Ｆθレンズ５を通過させ、走査面上６でレ
ーザビームのｙ方向スポツト径を出力パターンに対応し
て可変させる。それと共に、ｘ方向に一定速度で走査さ
せる。又、走査開始位置附近に、光ビーム位置検出用の
光検知器８が配置してあり、この信号を各走査線に対す
る同期基準として使用して走査線上の所定の画素位置に
レーザスポツトを形成，露光する。一方、走査面６は定
速でｙ方向に移動しており、各走査線の集合で、目的と
する出力パターンや画像を形成，記録できる。
な、あるいは、超音波光変調器のような外部変調器を有
するレーザ発振器である。この光源１からのレーザ光
は、出力パターン発生回路11からの信号にもとづいて光
強度のオンオフ変調を受けると共に、走査方向（ｘ方
向）の画素径（dx−Px）に対応して露光パルス幅の変調
を受ける。光源１から出たレーザ光は、ビーム整形光学
系２に入射する。ここで、レーザビームは、走査面上で
最大解像度のスポツト径に相当するビーム径Do（最大ビ
ーム径に相当する）に変換された後、ビーム径可変素子
３に入射する。ここで、ビーム径可変素子３は、入射レ
ーザビームのｘ方向の径は不変（Dx＝Do）であるが、ｙ
方向の径（Dy）のみ変化できる。従つて、ビーム径可変
素子３を出力パターン情報に基づいてビーム径変調回路
12により動作させ、ｙ方向の径Dyを変化させた後、光偏
向機、例えば、回転多面鏡４、および走査、収束用レン
ズ、例えば、Ｆθレンズ５を通過させ、走査面上６でレ
ーザビームのｙ方向スポツト径を出力パターンに対応し
て可変させる。それと共に、ｘ方向に一定速度で走査さ
せる。又、走査開始位置附近に、光ビーム位置検出用の
光検知器８が配置してあり、この信号を各走査線に対す
る同期基準として使用して走査線上の所定の画素位置に
レーザスポツトを形成，露光する。一方、走査面６は定
速でｙ方向に移動しており、各走査線の集合で、目的と
する出力パターンや画像を形成，記録できる。
次にビーム径可変素子３について説明する。第２図は、
その構成の一例で電気光学効果を利用した場合を示す。
LiNbO3,KH2PO4,LiTaO3,SrxBa1_xNb2O6などの電気光学結
晶20の一方の面に共通透明電極21、他の面に221,222,…
22mのようにそれぞれ絶縁された多数の透明電極が隣接
して設けられている。これら複数の電極221,222…22
mは、２個１組とし、各組とも光軸に対し対称になるよ
う配置されている。又、各組毎、電気的に接続され、そ
れぞれの信号印加端子を外側より、a,b…ｍとしてあ
る。レーザ光25は直線偏光したものを使用するか、或い
は偏光板23を光学結晶20の前方に配置し、該偏光板を通
過させたのち、電極面に入射させる。また、出射側には
アナライザ用の偏光板24を光学結晶20に電圧が印加され
ないときレーザ光が透過する方向に配置してある。この
ような構成で、各電極に選択的に光学結晶および結晶寸
法で決まる直流電圧を印加すると電気光学効果により入
射レーザ光の電圧印加部のみの偏光成分が回転し、偏光
板24で遮断される。従つて、例えば、電極221の組およ
び222の組に電圧を印加すると、入射円形ビーム26に対
して、これら電極より中心側のビーム断面図のみが透過
するので、ｙ方向のビーム径を変化することが可能とな
る。又、ｘ方向のビーム径は、上記の電極印加に対して
は、不変である。印加する電圧は、入射ビームの偏光方
向に対しπ/2回転させるような値が好ましい。
その構成の一例で電気光学効果を利用した場合を示す。
LiNbO3,KH2PO4,LiTaO3,SrxBa1_xNb2O6などの電気光学結
晶20の一方の面に共通透明電極21、他の面に221,222,…
22mのようにそれぞれ絶縁された多数の透明電極が隣接
して設けられている。これら複数の電極221,222…22
mは、２個１組とし、各組とも光軸に対し対称になるよ
う配置されている。又、各組毎、電気的に接続され、そ
れぞれの信号印加端子を外側より、a,b…ｍとしてあ
る。レーザ光25は直線偏光したものを使用するか、或い
は偏光板23を光学結晶20の前方に配置し、該偏光板を通
過させたのち、電極面に入射させる。また、出射側には
アナライザ用の偏光板24を光学結晶20に電圧が印加され
ないときレーザ光が透過する方向に配置してある。この
ような構成で、各電極に選択的に光学結晶および結晶寸
法で決まる直流電圧を印加すると電気光学効果により入
射レーザ光の電圧印加部のみの偏光成分が回転し、偏光
板24で遮断される。従つて、例えば、電極221の組およ
び222の組に電圧を印加すると、入射円形ビーム26に対
して、これら電極より中心側のビーム断面図のみが透過
するので、ｙ方向のビーム径を変化することが可能とな
る。又、ｘ方向のビーム径は、上記の電極印加に対して
は、不変である。印加する電圧は、入射ビームの偏光方
向に対しπ/2回転させるような値が好ましい。
第３図は、他のビーム径可変素子３の例である。第２図
の例と同様な原理で電気光学効果を用いるが、電界の加
え方が光路と直角方向から印加する点が相違する。光学
結晶27のレーザ光25の入射面28に直角な面の一方に共通
電極29を、この面に対向する面上に結晶27の中央部附近
を中心にｙ方向に対称に位置する対の電極301,302…30m
のｍ組が隣接して設けてある。該結晶の入射側および出
射側には、それぞれの偏光光透過方向を一致させた偏光
板31および32が配置してある。さらに、入射光25は、図
中、ｘ方向にのみ収束された偏平ビーム33として結晶27
の入射面28に入射させるための円筒レンズ34と、結晶か
ら出射後、ｘ方向ビーム径を入射以前の値か、或いは目
的とする他の値に変更するための円筒レンズ35とが配置
してある。
の例と同様な原理で電気光学効果を用いるが、電界の加
え方が光路と直角方向から印加する点が相違する。光学
結晶27のレーザ光25の入射面28に直角な面の一方に共通
電極29を、この面に対向する面上に結晶27の中央部附近
を中心にｙ方向に対称に位置する対の電極301,302…30m
のｍ組が隣接して設けてある。該結晶の入射側および出
射側には、それぞれの偏光光透過方向を一致させた偏光
板31および32が配置してある。さらに、入射光25は、図
中、ｘ方向にのみ収束された偏平ビーム33として結晶27
の入射面28に入射させるための円筒レンズ34と、結晶か
ら出射後、ｘ方向ビーム径を入射以前の値か、或いは目
的とする他の値に変更するための円筒レンズ35とが配置
してある。
このような構成により、結晶厚を減少でき印加電圧も第
２図の例より少なくて良い利点がある。
２図の例より少なくて良い利点がある。
この素子に、電圧を印加すると、第２図の場合と同様
に、電圧印加部のみレーザ光が局所的に遮断されるの
で、適当な電極に選択的に電圧を加えることにより、結
晶出射後のレーザ光のｙ方向ビーム径を変化できる。
尚、レーザ光が偏光している場合には、ポラライザ用偏
光板31は使用しなくともよい。又、ｘ方向のビーム径は
電圧印加の有無には関係しない。
に、電圧印加部のみレーザ光が局所的に遮断されるの
で、適当な電極に選択的に電圧を加えることにより、結
晶出射後のレーザ光のｙ方向ビーム径を変化できる。
尚、レーザ光が偏光している場合には、ポラライザ用偏
光板31は使用しなくともよい。又、ｘ方向のビーム径は
電圧印加の有無には関係しない。
第４図は他のビーム径可変素子３の実施例である。液晶
セル或いはPLZT｛（PbxLa1_x）（ZryTi1_y）O3或いは、
これに他の微量の元素を含むもの｝のように電界によつ
て入射光の偏光面が変化する光学的活性媒体40を用い
る。この媒体40の一方の面上に透明共通電極41を設ける
と共に、他の対向面上に、２個１組とする、それぞれが
絶縁されたｍ組の透明電極421〜42mを光軸附近を中心に
ｙ方向に対称に配置する。これに、一定方向に偏光した
レーザ光45を入射させる。また、レーザ光の出射側には
レーザ偏光方向を透過方向とする偏光板43を配置する。
このような素子構成として、電極部に電圧印加すると、
レーザ光は該媒体中で、電圧印加部のみが局所的に偏光
面の回転が生じ、この部分が偏光板43で遮光される。し
たがつて、電極を選択して印加することにより、出射ビ
ーム径のｙ方向を変化できる。このとき、ｘ方向ビーム
径は変化しない。従つて、走査面上でｙ方向のビームス
ポツト径を、該素子への電圧印加により変化することが
可能となる。
セル或いはPLZT｛（PbxLa1_x）（ZryTi1_y）O3或いは、
これに他の微量の元素を含むもの｝のように電界によつ
て入射光の偏光面が変化する光学的活性媒体40を用い
る。この媒体40の一方の面上に透明共通電極41を設ける
と共に、他の対向面上に、２個１組とする、それぞれが
絶縁されたｍ組の透明電極421〜42mを光軸附近を中心に
ｙ方向に対称に配置する。これに、一定方向に偏光した
レーザ光45を入射させる。また、レーザ光の出射側には
レーザ偏光方向を透過方向とする偏光板43を配置する。
このような素子構成として、電極部に電圧印加すると、
レーザ光は該媒体中で、電圧印加部のみが局所的に偏光
面の回転が生じ、この部分が偏光板43で遮光される。し
たがつて、電極を選択して印加することにより、出射ビ
ーム径のｙ方向を変化できる。このとき、ｘ方向ビーム
径は変化しない。従つて、走査面上でｙ方向のビームス
ポツト径を、該素子への電圧印加により変化することが
可能となる。
次に、走査面上でのビームスポツト径を変化させながら
記録する場合の信号回路系および信号の時間チヤートに
ついて説明する。
記録する場合の信号回路系および信号の時間チヤートに
ついて説明する。
第５図は、第１図の実施例から信号回路系のみをとりだ
したブロツク図である。計算機（CPU）10からの情報に
もとづき出力パターン発生回路11から印刷パターン情報
が画素信号として送出され、制御系装置13−１内で走査
線毎に一時記憶される。このパターン情報は、レーザビ
ーム位置検出部８からの信号をトリガーとして、クロツ
ク信号13−２に合わせて、画素信号処理装置13−３に送
られる。ここで、画素信号はレーザオン・オフ変調およ
びパルス幅変調用信号とビーム径変調信号とに分離さ
れ、それぞれ強度パルス幅変調回路14、ビーム径変調回
路12に印加される。画素径をｎ段階に変調するとすれ
ば、ビーム径可変素子３は、（ｎ−１）組の電極を有
し、印刷パターン情報に含まれる画素径寸法情報に応じ
て各電極に信号が印加される。
したブロツク図である。計算機（CPU）10からの情報に
もとづき出力パターン発生回路11から印刷パターン情報
が画素信号として送出され、制御系装置13−１内で走査
線毎に一時記憶される。このパターン情報は、レーザビ
ーム位置検出部８からの信号をトリガーとして、クロツ
ク信号13−２に合わせて、画素信号処理装置13−３に送
られる。ここで、画素信号はレーザオン・オフ変調およ
びパルス幅変調用信号とビーム径変調信号とに分離さ
れ、それぞれ強度パルス幅変調回路14、ビーム径変調回
路12に印加される。画素径をｎ段階に変調するとすれ
ば、ビーム径可変素子３は、（ｎ−１）組の電極を有
し、印刷パターン情報に含まれる画素径寸法情報に応じ
て各電極に信号が印加される。
いずれの電極にも信号が印加されていない状態は、走査
面上でのｙ方向ビームスポツト径は最小となり、中央部
に対し最外側から順次電圧をａ→ｎに印加するにつれス
ポツト径は増大し、すべての電極に信号が印加されたと
き最大となる。ｘ方向のスポツト径は、ビーム走査速度
とレーザ照射時間で決まるので、画素径の変調階数に合
わせて、ｎ段階のパルス幅変調を行う。この場合、画素
径に対応させ、ビーム径可変素子３への印加信号とレー
ザパルス幅信号は、レーザビーム走査速度に基づいて適
正値に決めてある。完全な白地（陰画のときは黒地）を
表わすときには、レーザ光をオフ状態にすればよい。
面上でのｙ方向ビームスポツト径は最小となり、中央部
に対し最外側から順次電圧をａ→ｎに印加するにつれス
ポツト径は増大し、すべての電極に信号が印加されたと
き最大となる。ｘ方向のスポツト径は、ビーム走査速度
とレーザ照射時間で決まるので、画素径の変調階数に合
わせて、ｎ段階のパルス幅変調を行う。この場合、画素
径に対応させ、ビーム径可変素子３への印加信号とレー
ザパルス幅信号は、レーザビーム走査速度に基づいて適
正値に決めてある。完全な白地（陰画のときは黒地）を
表わすときには、レーザ光をオフ状態にすればよい。
第６図に、一走査線上で画素径を可変して記録する場合
のタイムチヤートの一例を示す。画素径をφ１〜φ４の
４段階に変化させる場合の例を示す。50は一本の走査線
を示し，各画素位置を中心に、径の異なつた画素を記録
する。画素間隔は、レーザビーム走査速度とクロツク信
号間隔で決まる。信号52はレーザ変調信号を示し、ｘ方
向ビーム径を変化させるため、パルス幅を変調を行う。
信号53,54,55はビーム径可変素子への印加信号を示し、
信号53は最外側電極用端子ａへのまた信号54,55は順次
内側の電極用端子b,cへの信号のタイムチヤートをそれ
ぞれ表わす。最小画素径の場合には、いずれの電極にも
信号は印加されない。また、最大画素径の場合にはすべ
ての電極に信号が印加される。
のタイムチヤートの一例を示す。画素径をφ１〜φ４の
４段階に変化させる場合の例を示す。50は一本の走査線
を示し，各画素位置を中心に、径の異なつた画素を記録
する。画素間隔は、レーザビーム走査速度とクロツク信
号間隔で決まる。信号52はレーザ変調信号を示し、ｘ方
向ビーム径を変化させるため、パルス幅を変調を行う。
信号53,54,55はビーム径可変素子への印加信号を示し、
信号53は最外側電極用端子ａへのまた信号54,55は順次
内側の電極用端子b,cへの信号のタイムチヤートをそれ
ぞれ表わす。最小画素径の場合には、いずれの電極にも
信号は印加されない。また、最大画素径の場合にはすべ
ての電極に信号が印加される。
尚、52と53〜55の信号は、印刷パターン情報に基づいて
求められ、一つの画素寸法に対しては、各信号とも一定
の相互関係にある。
求められ、一つの画素寸法に対しては、各信号とも一定
の相互関係にある。
本発明に用いるビーム径可変素子として、電気光学効果
を利用した例を実施例として示したが、この外に光音響
効果や光導は路光スイツチ方式などを適用して同様の効
果が得られる。
を利用した例を実施例として示したが、この外に光音響
効果や光導は路光スイツチ方式などを適用して同様の効
果が得られる。
本発明によれば、レーザ走査記録中に、画素径寸法を高
速高精度に変化させて記録することが可能となり、一走
査線上の印字ドツト密度を変えて記録したり、高精細中
間調画像の記録ができるなど、画像の高品質化と記録の
高性能化が図れる。
速高精度に変化させて記録することが可能となり、一走
査線上の印字ドツト密度を変えて記録したり、高精細中
間調画像の記録ができるなど、画像の高品質化と記録の
高性能化が図れる。
第１図は本発明による記録光学系の全体構成図、第２
図，第３図，第４図はそれぞれ本光学系に用いるビーム
径可変素子の構成図、第５図は本発明に使用する信号系
のブロツク図、第６図はその信号タイムチヤートであ
る。 １……レーザ光源、３……ビーム径可能素子、４……回
転多面鏡、５……走査用レンズ、６……走査面、７……
感光ドラム、20,27……電気光学結晶、221〜22m,301〜3
0n,421〜42n……電極、50……走査線の画素径分布の一
式、51……クロツク信号、52……レーザ変調信号、53〜
54……ビーム径可変素子への入力信号。
図，第３図，第４図はそれぞれ本光学系に用いるビーム
径可変素子の構成図、第５図は本発明に使用する信号系
のブロツク図、第６図はその信号タイムチヤートであ
る。 １……レーザ光源、３……ビーム径可能素子、４……回
転多面鏡、５……走査用レンズ、６……走査面、７……
感光ドラム、20,27……電気光学結晶、221〜22m,301〜3
0n,421〜42n……電極、50……走査線の画素径分布の一
式、51……クロツク信号、52……レーザ変調信号、53〜
54……ビーム径可変素子への入力信号。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭54−50344（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−179052（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−158418（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−93466（ＪＰ，Ａ) 特開 昭52−119331（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−66467（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−81620（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−231520（ＪＰ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】レーザ光源、前記光源からのレーザ光強度
を変調する手段、レーザビームの断面形状を最大ビーム
径に整形するビーム整形手段、前記整形手段で整形した
レーザビーム径を走査面上において、走査方向に対して
直角方向（副走査方向）のレーザビームサイズを可変す
る電気光学効果を用いたビーム径可変素子と、前記ビー
ム径可変素子を制御する制御手段と、走査面上に収束、
走査するための偏向・集光手段より構成されたことを特
徴とする記録光学系。 - 【請求項２】特許請求の範囲第１項において、前記制御
手段は副走査方向のビームサイズに同調してレーザ露光
時間を変化させることを特徴とする記録光学系。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61117390A JPH0782156B2 (ja) | 1986-05-23 | 1986-05-23 | 記録光学系 |
| US07/052,883 US4768043A (en) | 1986-05-23 | 1987-05-22 | Optical system for changing laser beam spot size during scanning of scanning line |
| DE19873717367 DE3717367A1 (de) | 1986-05-23 | 1987-05-22 | Optisches aufzeichnungssystem |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61117390A JPH0782156B2 (ja) | 1986-05-23 | 1986-05-23 | 記録光学系 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62275214A JPS62275214A (ja) | 1987-11-30 |
| JPH0782156B2 true JPH0782156B2 (ja) | 1995-09-06 |
Family
ID=14710465
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61117390A Expired - Lifetime JPH0782156B2 (ja) | 1986-05-23 | 1986-05-23 | 記録光学系 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4768043A (ja) |
| JP (1) | JPH0782156B2 (ja) |
| DE (1) | DE3717367A1 (ja) |
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-
1986
- 1986-05-23 JP JP61117390A patent/JPH0782156B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1987
- 1987-05-22 DE DE19873717367 patent/DE3717367A1/de active Granted
- 1987-05-22 US US07/052,883 patent/US4768043A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
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| US4768043A (en) | 1988-08-30 |
| DE3717367C2 (ja) | 1989-09-21 |
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