JPH0783016B2 - 変調方式を用いるプラズマ発生装置及び方法 - Google Patents

変調方式を用いるプラズマ発生装置及び方法

Info

Publication number
JPH0783016B2
JPH0783016B2 JP2201077A JP20107790A JPH0783016B2 JP H0783016 B2 JPH0783016 B2 JP H0783016B2 JP 2201077 A JP2201077 A JP 2201077A JP 20107790 A JP20107790 A JP 20107790A JP H0783016 B2 JPH0783016 B2 JP H0783016B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
voltage
plasma
generator
magnetic field
current
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP2201077A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0448726A (ja
Inventor
太赫 安
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Electronics Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Electronics Co Ltd filed Critical Samsung Electronics Co Ltd
Publication of JPH0448726A publication Critical patent/JPH0448726A/ja
Publication of JPH0783016B2 publication Critical patent/JPH0783016B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32192—Microwave generated discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32192—Microwave generated discharge
    • H01J37/32211—Means for coupling power to the plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32357—Generation remote from the workpiece, e.g. down-stream
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32623—Mechanical discharge control means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3266—Magnetic control means
    • H01J37/32678—Electron cyclotron resonance

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、変調方式を用いるプラズマ発生装置および方
法に関するもので、半導体製造工程のうちエッチングや
成膜工程に応用されるECR（電子サイクロトロン共鳴）
方式を用いる装置やECR方式を用いるプラズマ発生装置
においてプラズマの内部均一度を向上するるための装置
および方法に関する。
［従来の技術］ 一般に商業的な目的で製造されている半導体装置は半導
体基板の表面に成膜、エッチングなどの処理を施して製
造されている。
プラズマを利用した半導体基板の処理装置では磁場を回
転させることによって形成した高密度のプラズマの均一
性を改善したり、また、導波管と、矩形モードのマイク
ロ波を円形モードに変換する矩形／円形変換手段を備え
て、プラズマ生成密度の不均一を改善するプラズマ反応
装置が開発され、実用化されている。
第３図は従来のECR（電子サイクロトロン共鳴:Electron
Cyclotron Resonance）によるプラズマ発生装置の構造
を示す断面図であり、１は磁場形成コイル、２は導波
管、３は石英窓、４はチェンバー壁、５はプラズマ接続
リング、６は試料支持台、７は試料を示している。
電子サイクロトロン共鳴を利用したプラズマ発生装置
は、磁場形成コイルによって発生する磁場により回転運
動をする電子の回転周波数と、外部から導入するマイク
ロ波の周波数を一致させ、回転する電子の回転周波数と
の間で共鳴を生ずるとき、電子サイクロトロン中におけ
る電子の運動と同様にマイクロ波のエネルギーを効率よ
く電子に吸収させるもので、このときプラズマ発生効率
は最大となる。例えば、第３図の装置において導波管２
から2.45GHzの周波数のマイクロ波を供給する場合に
は、磁場形成コイル１によって形成される磁場の磁束密
度が875ガウスであればECRの条件が成立して共鳴が生ず
る。
ところが、磁場形成コイルによって形成される磁場の磁
束密度は中央部分が大きいので、共鳴が生ずる部分は限
定される。このため、プラズマの中央部分のイオン密度
は高く、周辺が低くなるのが一般的であった。
［発明が解決しようとする課題］ このようにして作られた従来のプラズマはプラズマ接続
リング５を通じて半導体のウエハ等の試料７に到達し、
エッチングまたは化学的気相成長（CVD）の処理がなさ
れるようになっているが、第３図においてＣで示されて
いるウエハの中央部と同図のＬおよびＲで示されている
ような周辺部のエッチング速度または成膜速度の差が大
きくなるという不均一性の問題が発生するなどの欠点が
あった。
［課題を解決するための手段］ 本発明は、上記のような従来の欠点を解消するため、プ
ラズマが発生する発生室の内部に電子サイクロトロン共
鳴が生ずる高密度イオン発生部分を磁場形成コイルに供
給する電流を変調することによって移動させることによ
りウエハ上での平均エッチング速度の均一性を高めるの
ものである。
また、本発明の装置は２個以上の磁場形成コイルと、多
数個の出力波形の電流を発生する関数電圧発生器と、固
定電流方式から可変電流方式へ変更するための変調用の
関数電圧発生器の出力電圧と基準電圧を合成して変調さ
れた電圧波形を作る電圧合成器とを有し、上記電圧合成
器の出力電圧の変化によって電流を可変する電源から構
成されたプラズマ発生装置である。
［作用］ 本発明は、電子サイクロトロン共鳴を利用したプラズマ
発生装置において、関数電圧発生器と関数電圧発生器の
出力電圧と基準電圧を合成して変調された電圧波形を作
る電圧合成器と、電子に回転力を与える２個以上の磁場
形成コイルの電流を上記電圧合成器の出力電圧によって
可変する電源装置からなる変調方式を用いるプラズマ発
生装置およびプラズマ発生方法であって、電子に回転力
を与える磁場形成コイルに供給する電流を可変してプラ
ズマの均一性を高めるものである。
［実施例］ 以下に本発明の実施例を示し更に詳細に説明する。
本発明は、従来の電子サイクロトロン共鳴によるプラズ
マ発生装置において、磁場発生に用いる２個以上のコイ
ルに供給される電流を固定電流から変調された可変電流
へ変更するもので、このために変調用の関数電圧発生器
の出力電圧と基準電圧を合成して変調された電圧波形を
作る電圧合成器から構成されており、上記電圧合成器を
利用して基準電圧と関数電圧発生器の電圧を変調し、変
調した電圧を入力電圧の変化によって出力電流が可変さ
れる電流供給装置に入力して最終的に２個以上の磁場形
成コイルに供給される電流ｉを変調波形とするものであ
る。とくに、本発明は、磁場形成のためのコイルを第１
図に示すような従来の単一コイル方式ではなく、２個以
上のコイルからなる複合コイル方式から構成されている
ことを特徴としている。そして、第２図に示すように上
下に分かれた複合コイル方式を使用した場合には、上部
コイル21に供給する電流i1と下部コイル22に供給する電
流i2を互いにそれぞれ制御できるようにし、それぞれの
コイルに供給する可変電流の位相を相互に反転させる場
合には更に効果を大きくすることができる。
本発明の磁場形成用の電流の電源装置は第５図に示すよ
うに、関数電圧発生器８、および基準電圧発生器９の出
力電圧を合成して変調された電圧を出力する電圧合成器
10、電圧合成器の出力電圧によって磁場形成コイル１へ
の供給電流を可変する電流供給装置11から構成されてお
り、関数電流発生器および基準電圧発生器には制御装置
からの制御信号12が与えられる。
本発明の電流供給装置は、入力電圧の変化に基づいて出
力電流を変化するものであれば任意のものを使用するこ
とができるが、通常はOVないし10Vまで変化する入力電
圧V1により出力電流ｉが可変される機能を有するものを
使用しており、磁場形成コイルに電流を供給し、所定の
磁場を作っている。
第４図は従来のECR装置において磁場形成用電流の電源
装置のV1入力ポートにシステムのアナログ出力信号を印
加し、電子サイクロトロン共鳴を生成する条件の一定値
の電流を得ていることを示しているが、従来の装置では
一般に、プラズマの中央部分に共鳴が生ずるように調整
するため、このときのプラズマイオン密度分布は第６図
に示すように、中央部が高く周辺部は低くなる。
本発明は電源装置の入力ポートV1に電圧合成器の出力電
圧を接続し、電圧合成器は通常の関数電圧発生器の出力
ポートの電圧V2（第７図（ａ）ないし第７図（ｄ））と
システムの基準電圧V3を合成したものであるので、電源
装置の出力電流は、第８図（ａ）ないし第８図（ｄ）の
ように変調された電流ｉ（ｔ）が得られる。なお、本発
明の電圧合成器は多数個の能動素子との組合せ回路で構
成することができる。
関数電圧発生器の出力電圧V2が第７図（ａ）ないし第７
図（ｄ）で表されるように変化する結果、第９図に示す
ような電流が磁場形成コイルに供給され、０ないしt1時
間の範囲の電圧変化に対応した部分に電子サイクロトロ
ン共鳴が生じる875ガウスの磁場が形成され、中央部分
は875ガウスより強いために、中央部分にプラズマ密度
は小さくなりその結果ドーナツ状となり、第９図のＦの
ようなイオン密度分布を得るようになる。
一方、t1ないしt2の時間の範囲では中央部が875ガウス
近くとなり、中央部のイオン密度が最も高い状態（第９
図のＥ）を有する。
このとき、t1、t2のデューティサイクルと周波数Ｔを適
切に設定する場合、第９図のＥとＦのイオン密度分布を
有するようになり、これによってエッチング時の蝕刻速
度の均一度が向上し、まら成膜工程に応用されるときに
は、成膜速度の均一性が向上する。
この場合、デューティサイクルであるt1／t2は0.1ない
し0.9の範囲が可能であり、周波数Ｔはコイルのインダ
クタンスを考慮して、0.1ないし10Hzの範囲が使用可能
である。
なお、磁場形成コイルの電流を可変する手段について、
関数電圧発生器の出力電圧によって変調した信号電圧に
よって可変することについて述べたが、電流の可変の手
段は関数電圧発生器の出力に基づかなくとも可能なこと
は言うまでもない。
［発明の効果］ 本発明は電子サイクロトロン共鳴（ECR）を利用したプ
ラズマ発生装置のプラズマイオン密度分布を均一にする
ために、２個以上の磁場形成用コイルを使用し、それぞ
れの磁場形成用コイルに変調した電流を供給し、電子サ
イクロトロン共鳴が生ずる高密度イオンの部分を放射状
の形態に移動させており、従来の固定電流方式と比べて
プラズマイオン密度分布が均一である面積が広くなり、
ウェーハ面における蝕刻速度または浸漬速度の均一性を
向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は磁場形成コイルに変調させた電流を供給する電
子サイクロトロン共鳴を利用したプラズマ発生装置の断
面図を示し、第２図には磁場形成用コイルを分割した電
子サイクロトロン共鳴を利用したプラズマ発生装置の断
面図を示し、第３図には従来の電子サイクロトロン共鳴
を利用したプラズマ発生装置を示し、第４図は第３図の
磁場形成コイルに流れる電流を示し、第５図は磁場形成
コイルに電流を供給する電源装置のブロック図であり、
第６図は従来の電子サイクロトロン共鳴により発生され
たプラズマ内部のイオン密度分布図、第７図は第５図の
電源装置の関数電圧発生器が作り出す電圧波形を示す
図、第８図は第５図の電源装置により作られた変調され
た電流波形を示す図、第９図は本発明による電子サイク
ロトロン共鳴による発生されたプラズマ内部のイオン密
度分布を示す。 １…磁場形成コイル、２…導波管、３…石英窓、４…チ
ェンバー壁、５…プラズマ接続リング、６…試料支持
台、７…試料、８…関数電圧発生器、９…基準電圧発生
器、10…電圧合成器、11…電流供給装置、12…制御信
号、21…上部コイル、22…下部コイル

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】電子サイクロトロン共鳴を利用したプラズ
    マ発生装置において、関数電圧発生器、関数電圧発生器
    の出力電圧と基準電圧を合成して変調される電圧波形を
    作る電圧合成器、電子に回転力を与える２個以上の磁場
    形成コイル、およびそれぞれの磁場形成コイルの電流を
    該電圧合成器の出力電圧によって変化させる電流供給装
    置を有することを特徴とする変調方式を用いるプラズマ
    発生装置。
  2. 【請求項２】電子サイクロトロン共鳴を利用したプラズ
    マ発生方法において、関数電圧発生器の出力電圧と基準
    電圧を電圧合成器で合成して得られた変調された電圧に
    よって、電子に回転力を与える２個以上の磁場形成コイ
    ルへの供給電流を変化させ、形成されるプラズマの均一
    性を高めることを特徴とする変調方式を用いるプラズマ
    発生方法。
  3. 【請求項３】関数電圧発生器のデューティー比が0.1な
    いし0.9であり、周波数は0.1Hzないし10Hzであることを
    特徴とする請求項２記載の変調方式を用いるプラズマ発
    生方法。
  4. 【請求項４】関数電圧発生器のデューティー比および周
    波数を調整して、ウエハの全面に対して平均化されたイ
    オン密度分布を形成することを特徴とする請求項２記載
    の変調方式を用いるプラズマ発生方法。
  5. 【請求項５】関数電圧発生器の出力波形が矩形波、鋸歯
    状波、三角波、正弦波であることを特徴とする請求項２
    ないし４記載の変調方式を用いるプラズマ発生方法。
JP2201077A 1990-06-18 1990-07-27 変調方式を用いるプラズマ発生装置及び方法 Expired - Lifetime JPH0783016B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR8939 1990-06-18
KR1019900008939A KR930004713B1 (ko) 1990-06-18 1990-06-18 변조방식을 이용한 플라즈마 발생장치 및 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0448726A JPH0448726A (ja) 1992-02-18
JPH0783016B2 true JPH0783016B2 (ja) 1995-09-06

Family

ID=19300212

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2201077A Expired - Lifetime JPH0783016B2 (ja) 1990-06-18 1990-07-27 変調方式を用いるプラズマ発生装置及び方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US5087857A (ja)
JP (1) JPH0783016B2 (ja)
KR (1) KR930004713B1 (ja)
DE (1) DE4027341A1 (ja)
GB (1) GB2245416B (ja)
HK (1) HK89997A (ja)
TW (1) TW198764B (ja)

Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2546405B2 (ja) * 1990-03-12 1996-10-23 富士電機株式会社 プラズマ処理装置ならびにその運転方法
JP2584389B2 (ja) * 1992-06-10 1997-02-26 栄電子工業 株式会社 Ｅｃｒプラズマエッチング加工方法
JP2933802B2 (ja) * 1992-06-22 1999-08-16 松下電器産業株式会社 ドライエッチング方法およびその装置
JPH06342769A (ja) * 1992-08-21 1994-12-13 Nissin Electric Co Ltd エッチング方法及び装置
JP2584396B2 (ja) * 1992-10-08 1997-02-26 栄電子工業 株式会社 Ｅｃｒプラズマ処理方法
JP2693899B2 (ja) * 1992-10-09 1997-12-24 栄電子工業株式会社 Ｅｃｒプラズマ加工方法
JP3252507B2 (ja) * 1993-01-29 2002-02-04 ソニー株式会社 プラズマ処理装置
JP3036296B2 (ja) * 1993-05-25 2000-04-24 富士通株式会社 プラズマディスプレイ装置の電源装置
US5534108A (en) * 1993-05-28 1996-07-09 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for altering magnetic coil current to produce etch uniformity in a magnetic field-enhanced plasma reactor
KR100327346B1 (ko) 1999-07-20 2002-03-06 윤종용 선택적 폴리머 증착을 이용한 플라즈마 식각방법 및 이를이용한 콘택홀 형성방법
US6566272B2 (en) 1999-07-23 2003-05-20 Applied Materials Inc. Method for providing pulsed plasma during a portion of a semiconductor wafer process
US8617351B2 (en) * 2002-07-09 2013-12-31 Applied Materials, Inc. Plasma reactor with minimal D.C. coils for cusp, solenoid and mirror fields for plasma uniformity and device damage reduction
US8048806B2 (en) * 2000-03-17 2011-11-01 Applied Materials, Inc. Methods to avoid unstable plasma states during a process transition
US20070048882A1 (en) * 2000-03-17 2007-03-01 Applied Materials, Inc. Method to reduce plasma-induced charging damage
US6472822B1 (en) 2000-04-28 2002-10-29 Applied Materials, Inc. Pulsed RF power delivery for plasma processing
JP4009087B2 (ja) * 2001-07-06 2007-11-14 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 半導体製造装置における磁気発生装置、半導体製造装置および磁場強度制御方法
US7374636B2 (en) * 2001-07-06 2008-05-20 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for providing uniform plasma in a magnetic field enhanced plasma reactor
TWI283899B (en) * 2002-07-09 2007-07-11 Applied Materials Inc Capacitively coupled plasma reactor with magnetic plasma control
US7458335B1 (en) 2002-10-10 2008-12-02 Applied Materials, Inc. Uniform magnetically enhanced reactive ion etching using nested electromagnetic coils
US7422654B2 (en) * 2003-02-14 2008-09-09 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for shaping a magnetic field in a magnetic field-enhanced plasma reactor
US6942813B2 (en) * 2003-03-05 2005-09-13 Applied Materials, Inc. Method of etching magnetic and ferroelectric materials using a pulsed bias source
US7179754B2 (en) * 2003-05-28 2007-02-20 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for plasma nitridation of gate dielectrics using amplitude modulated radio-frequency energy
US7521000B2 (en) * 2003-08-28 2009-04-21 Applied Materials, Inc. Process for etching photomasks
US7879510B2 (en) * 2005-01-08 2011-02-01 Applied Materials, Inc. Method for quartz photomask plasma etching
US7829243B2 (en) * 2005-01-27 2010-11-09 Applied Materials, Inc. Method for plasma etching a chromium layer suitable for photomask fabrication
US8293430B2 (en) * 2005-01-27 2012-10-23 Applied Materials, Inc. Method for etching a molybdenum layer suitable for photomask fabrication
US7790334B2 (en) * 2005-01-27 2010-09-07 Applied Materials, Inc. Method for photomask plasma etching using a protected mask
EP1753011B1 (de) * 2005-08-13 2012-10-03 HÜTTINGER Elektronik GmbH + Co. KG Verfahren zur Erzeugung von Ansteuersignalen für HF-Leistungsgeneratoren
DE102006052061B4 (de) * 2006-11-04 2009-04-23 Hüttinger Elektronik Gmbh + Co. Kg Verfahren zur Ansteuerung von zumindest zwei HF-Leistungsgeneratoren
US7786019B2 (en) * 2006-12-18 2010-08-31 Applied Materials, Inc. Multi-step photomask etching with chlorine for uniformity control
US10460913B2 (en) * 2016-09-28 2019-10-29 Hitachi High-Technologies Corporation Plasma processing apparatus and plasma processing method
KR102821516B1 (ko) 2022-02-28 2025-06-17 한국전자기술연구원 목표 농도 조절 주입을 지원하는 약물 투여 장치 및 방법

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2217415A (en) * 1939-12-29 1940-10-08 Gen Electric Discharge apparatus
FR65027E (fr) * 1952-02-05 1956-01-25 Int Standard Electric Corp Méthodes et dispositifs magnéto-optiques
FR91221E (ja) * 1963-03-08 1968-08-28
GB1525394A (en) * 1974-10-02 1978-09-20 Daido Steel Co Ltd Heat treating apparatus and method
DE3580953D1 (de) * 1984-08-31 1991-01-31 Anelva Corp Entladungsvorrichtung.
JPS6393881A (ja) * 1986-10-08 1988-04-25 Anelva Corp プラズマ処理装置
JPH0620048B2 (ja) * 1987-01-30 1994-03-16 富士電機株式会社 乾式薄膜加工装置
US4818916A (en) * 1987-03-06 1989-04-04 The Perkin-Elmer Corporation Power system for inductively coupled plasma torch
DE3810197A1 (de) * 1987-03-27 1988-10-13 Mitsubishi Electric Corp Plasma-bearbeitungseinrichtung
US4911814A (en) * 1988-02-08 1990-03-27 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Thin film forming apparatus and ion source utilizing sputtering with microwave plasma
JPH0233187A (ja) * 1988-07-22 1990-02-02 Mitsubishi Electric Corp ラスター水平位置制御装置
JPH02174229A (ja) * 1988-12-27 1990-07-05 Sumitomo Metal Ind Ltd プラズマ装置およびその使用方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR930004713B1 (ko) 1993-06-03
GB9022039D0 (en) 1990-11-21
DE4027341A1 (de) 1991-12-19
KR920001640A (ko) 1992-01-30
TW198764B (ja) 1993-01-21
GB2245416A (en) 1992-01-02
HK89997A (en) 1997-08-01
JPH0448726A (ja) 1992-02-18
GB2245416B (en) 1994-11-16
US5087857A (en) 1992-02-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0783016B2 (ja) 変調方式を用いるプラズマ発生装置及び方法
US7879186B2 (en) Method and apparatus for shaping a magnetic field in a magnetic field-enhanced plasma reactor
EP0140294A2 (en) Plasma processing method and apparatus for carrying out the same
US5880034A (en) Reduction of semiconductor structure damage during reactive ion etching
TWI293855B (en) Plasma reactor coil magnet system
JPH01149965A (ja) プラズマ反応装置
JPH0216732A (ja) プラズマ反応装置
EP1936658A2 (en) Method for shaping a magnetic field in a magnetic field-enhanced plasma reactor
EP1936657A2 (en) Method for shaping a magnetic field in a magnetic field-enhanced plasma reactor
US5366586A (en) Plasma formation using electron cyclotron resonance and method for processing substrate by using the same
US5324388A (en) Dry etching method and dry etching apparatus
JPH03162583A (ja) 真空プロセス装置
JP3186689B2 (ja) プラズマ処理方法およびその装置
JPH07288191A (ja) プラズマ処理方法およびその装置
JP2790878B2 (ja) ドライプロセス装置
EP0154078A3 (en) Plasma treatment apparatus
JP2812477B2 (ja) 半導体処理装置
JP3205542B2 (ja) プラズマ装置
JP3510951B2 (ja) プラズマ発生装置
JP2725327B2 (ja) プラズマ付着装置
JPH0294628A (ja) プラズマ発生装置
JPH09270299A (ja) プラズマ処理装置
KR950000858B1 (ko) 다선솔레노이드를 이용한 전자기공명 플라즈마 발생장치 및 방법
JPH0252855B2 (ja)
JP2689126B2 (ja) マイクロ波プラズマ処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080906

Year of fee payment: 13

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080906

Year of fee payment: 13

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090906

Year of fee payment: 14

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100906

Year of fee payment: 15

EXPY Cancellation because of completion of term