JPH0783071B2 - マイクロ波集積回路 - Google Patents
マイクロ波集積回路Info
- Publication number
- JPH0783071B2 JPH0783071B2 JP59264557A JP26455784A JPH0783071B2 JP H0783071 B2 JPH0783071 B2 JP H0783071B2 JP 59264557 A JP59264557 A JP 59264557A JP 26455784 A JP26455784 A JP 26455784A JP H0783071 B2 JPH0783071 B2 JP H0783071B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- integrated circuit
- dielectric substrate
- semiconductor substrate
- transmission line
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
Landscapes
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Waveguide Connection Structure (AREA)
- Waveguides (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は誘電体基板と半導体基板とを用いたマイクロ波
集積回路の構成に関するものである。
集積回路の構成に関するものである。
（従来の技術） 従来この種の装置は第４図に示すように誘電体基板３の
間に半導体基板５を挿入し、各基板上に設けたマイクロ
ストリップ線路4,7を金属シート８を用いて接続する構
成であった。６は各基板の表面の高さを等しくして接続
部の不連続を無くするためのものであり、通常導体が用
いられている。
間に半導体基板５を挿入し、各基板上に設けたマイクロ
ストリップ線路4,7を金属シート８を用いて接続する構
成であった。６は各基板の表面の高さを等しくして接続
部の不連続を無くするためのものであり、通常導体が用
いられている。
（発明が解決しようとする問題点） 本構成では、誘電体基板と半導体基板の厚みの差が大き
い場合、基板を設置するための導体６の突起部の高さが
高くなるため、基板接続部の不連続成分が増大し、接続
損失が増加する欠点があった。また、このため半導体基
板の厚さを誘電体基板に比較して小さくできず、この基
板上の回路の寸法の大きさが制限されてしまう問題があ
る。逆に、薄い半導体基板を用いた場合、誘電体基板の
厚さを薄くする必要があるが、これは機械工作上誘電体
基板の大きさを大きくできず、誘電体基板上に配置する
回路の大きさが制限されていまう問題があった。本発明
はこれらの欠点を改善することを目的とする。
い場合、基板を設置するための導体６の突起部の高さが
高くなるため、基板接続部の不連続成分が増大し、接続
損失が増加する欠点があった。また、このため半導体基
板の厚さを誘電体基板に比較して小さくできず、この基
板上の回路の寸法の大きさが制限されてしまう問題があ
る。逆に、薄い半導体基板を用いた場合、誘電体基板の
厚さを薄くする必要があるが、これは機械工作上誘電体
基板の大きさを大きくできず、誘電体基板上に配置する
回路の大きさが制限されていまう問題があった。本発明
はこれらの欠点を改善することを目的とする。
（問題点を解決するための手段） 本発明によれば、誘電体基板と、この誘電体基板上に設
けられておりマイクロ波領域でインピーダンス設計して
形成されたマイクロ波集積回路用の第１の伝送線路と、
半導体基板と、この半導体基板上に設けられておりマイ
クロ波領域でインピーダンス設計して形成されたマイク
ロ波集積回路用の第２の伝送線路とを有するマイクロ波
集積回路であって、誘電体基板が裏面に貫通しない穴を
有しており、この穴に半導体素子を搭載する半導体基板
が取り付けられており、誘導体基板上の第１の伝送線路
と半導体基板上の第２の伝送線路とが互いに接続されて
いるマイクロ波集積回路が提供される。
けられておりマイクロ波領域でインピーダンス設計して
形成されたマイクロ波集積回路用の第１の伝送線路と、
半導体基板と、この半導体基板上に設けられておりマイ
クロ波領域でインピーダンス設計して形成されたマイク
ロ波集積回路用の第２の伝送線路とを有するマイクロ波
集積回路であって、誘電体基板が裏面に貫通しない穴を
有しており、この穴に半導体素子を搭載する半導体基板
が取り付けられており、誘導体基板上の第１の伝送線路
と半導体基板上の第２の伝送線路とが互いに接続されて
いるマイクロ波集積回路が提供される。
また、誘導体基板と、この誘電体基板上に設けられてお
りマイクロ波領域でインピーダンス設計して形成された
マイクロ波集積回路用の第１の伝送線路と、半導体基板
と、この半導体基板上に設けられておりマイクロ波領域
でインピーダンス設計して形成されたマイクロ波集積回
路用の第２の伝送線路とを有するマイクロ波集積回路で
あって、誘電体基板が裏面に貫通しない複数の穴を有し
ており、こられの各穴に半導体素子を搭載する半導体基
板が取り付けられており、誘電体基板上の第１の伝送線
路と半導体基板上の第２の伝送線路とが互いに接続され
ており、誘電体基板には第１の伝送線路で接続される周
辺回路が搭載されているマイクロ波集積回路が提供され
る。
りマイクロ波領域でインピーダンス設計して形成された
マイクロ波集積回路用の第１の伝送線路と、半導体基板
と、この半導体基板上に設けられておりマイクロ波領域
でインピーダンス設計して形成されたマイクロ波集積回
路用の第２の伝送線路とを有するマイクロ波集積回路で
あって、誘電体基板が裏面に貫通しない複数の穴を有し
ており、こられの各穴に半導体素子を搭載する半導体基
板が取り付けられており、誘電体基板上の第１の伝送線
路と半導体基板上の第２の伝送線路とが互いに接続され
ており、誘電体基板には第１の伝送線路で接続される周
辺回路が搭載されているマイクロ波集積回路が提供され
る。
（作用） 誘電体基板の非貫通穴内に半導体基板を設け表面の高さ
が等しくなるように設定する。接地導体又は外部導体は
誘電体基板の下面又は誘電体基板及び半導体基板の上面
に設けることができるので、半導体基板の下面には導体
が不要となり、従ってこの部分で特性インピーダンスが
不連続となり不整合となる等の不都合が生ぜず、両基板
を低損失で接続したマイクロ波伝送線路が得られる。
が等しくなるように設定する。接地導体又は外部導体は
誘電体基板の下面又は誘電体基板及び半導体基板の上面
に設けることができるので、半導体基板の下面には導体
が不要となり、従ってこの部分で特性インピーダンスが
不連続となり不整合となる等の不都合が生ぜず、両基板
を低損失で接続したマイクロ波伝送線路が得られる。
（実施例） 第１図は本発明の実施例であり、1,2は信号入出力ポー
ト、３は誘電体基板、20は半導体基板、4,21はマイクロ
ストリップ線路、８はマイクロストリップ線路を接続す
るための金属シート、17は誘電体基板内に設けた穴であ
る。
ト、３は誘電体基板、20は半導体基板、4,21はマイクロ
ストリップ線路、８はマイクロストリップ線路を接続す
るための金属シート、17は誘電体基板内に設けた穴であ
る。
穴17の深さは基板20の厚みと一致させ、マイクロストリ
ップ線路の接続部の段差を無くし、不連続成分を無くす
ることができる。そのため、本構成では不連続部による
接続損失の増加を少なくすることができる。また、不連
続部の影響は周波数の増大とともに増加する傾向がある
ため、本構成は高周波帯で動作させる回路に適してい
る。
ップ線路の接続部の段差を無くし、不連続成分を無くす
ることができる。そのため、本構成では不連続部による
接続損失の増加を少なくすることができる。また、不連
続部の影響は周波数の増大とともに増加する傾向がある
ため、本構成は高周波帯で動作させる回路に適してい
る。
第４図の従来例では半導体基板５の下面に接地導体23を
設けて導体部６との電気的接続を図っているが、第１図
の実施例では半導体基板20の下面に接地導体が不要であ
り、製造工程の簡素化が図られている。
設けて導体部６との電気的接続を図っているが、第１図
の実施例では半導体基板20の下面に接地導体が不要であ
り、製造工程の簡素化が図られている。
本構成では半導体基板20の厚みを十分薄くすることがで
き、基板上の回路パターンを小さくできる利点がある。
また、誘電体基板の厚みを薄くする必要がなく、そのた
め面積の大きな基板を用いることができ、誘電体基板上
に種々の回路を配置できる利点がある。
き、基板上の回路パターンを小さくできる利点がある。
また、誘電体基板の厚みを薄くする必要がなく、そのた
め面積の大きな基板を用いることができ、誘電体基板上
に種々の回路を配置できる利点がある。
第２図は本発明の他の実施例であり、９は誘電体基板18
の上に設けたコプレナー線路、11はその中心導体、12,1
3は外部導体であり、10は半導体基板19上のコプレナー
線路、14はその中心導体、15,16は外部導体である。17
は誘電体基板内に設けた穴であり、８は各基板上のコプ
レナー線路接続するための金属シートである。
の上に設けたコプレナー線路、11はその中心導体、12,1
3は外部導体であり、10は半導体基板19上のコプレナー
線路、14はその中心導体、15,16は外部導体である。17
は誘電体基板内に設けた穴であり、８は各基板上のコプ
レナー線路接続するための金属シートである。
コプレナー線路は第１図のマイクロストリップ線路４と
異り、基板の裏面には接地導体22が無く、そのかわり基
板の上面に中心導体と外部導体（これはマイクロストリ
ップ線路の接地導体と同様の働きをする）を同時に配置
している。そのため、このような共平面線路（通常、コ
プレナー線路等の接地導体が基板の上面にある線路をこ
のようによんでいる）を有する基板を第４図に示した導
体６を用いる構成で接続する場合、基板の下面に導体が
存在することになり、伝送線路の特性インピーダンスが
変化してしまう欠点がある。ところが、第２図に示す本
発明による構成では半導体基板を誘電体基板内に設けた
穴の中に埋め込んで接続するため、半導体基板の下面に
は導体が存在せず特性インピーダンスが変化せず、特性
の劣化がない。
異り、基板の裏面には接地導体22が無く、そのかわり基
板の上面に中心導体と外部導体（これはマイクロストリ
ップ線路の接地導体と同様の働きをする）を同時に配置
している。そのため、このような共平面線路（通常、コ
プレナー線路等の接地導体が基板の上面にある線路をこ
のようによんでいる）を有する基板を第４図に示した導
体６を用いる構成で接続する場合、基板の下面に導体が
存在することになり、伝送線路の特性インピーダンスが
変化してしまう欠点がある。ところが、第２図に示す本
発明による構成では半導体基板を誘電体基板内に設けた
穴の中に埋め込んで接続するため、半導体基板の下面に
は導体が存在せず特性インピーダンスが変化せず、特性
の劣化がない。
したがって、本発明はコプレナー線路等の共平面線路を
用いる回路を配置した誘電体基板及び半導体基板を接続
するのに適した構成法である。
用いる回路を配置した誘電体基板及び半導体基板を接続
するのに適した構成法である。
第３図は本発明の他の実施例であり、24,25は入出力ポ
ート、26は低域通過フィルタ、27は方向性結合器、28は
ダミー、29は誘電体共振器、30,31は半導体基板であ
る。このように種々の機能を有する周辺回路を誘電体基
板上に配置することによって半導体基板を有効に使用す
ることができ、集積回路の低価格化を図ることのできる
利点がある。
ート、26は低域通過フィルタ、27は方向性結合器、28は
ダミー、29は誘電体共振器、30,31は半導体基板であ
る。このように種々の機能を有する周辺回路を誘電体基
板上に配置することによって半導体基板を有効に使用す
ることができ、集積回路の低価格化を図ることのできる
利点がある。
（発明の効果） 以上説明したように、誘電体基板内に設けた穴の中に半
導体基板を組み込んで各基板上の伝送線路を接続してい
るため、半導体基板を薄くすることができ、そのための
基板上の回路パターンを小さくでき、基板上に多数の回
路を設けることができるとともに、誘電体基板を薄くす
る必要がないため基板の面積を大きくでき、そのためこ
の基板上に種々の回路を配置できる利点がある。また、
本発明はコプレナー線路等の共平面線路を用いた各基板
を回路の特性劣化をともなわずに接続できる利点もあ
る。さらに、複数の半導体基板を実装し、誘電体基板上
に周辺回路を設けることにより経済的な集積回路を実現
できる利点もある。
導体基板を組み込んで各基板上の伝送線路を接続してい
るため、半導体基板を薄くすることができ、そのための
基板上の回路パターンを小さくでき、基板上に多数の回
路を設けることができるとともに、誘電体基板を薄くす
る必要がないため基板の面積を大きくでき、そのためこ
の基板上に種々の回路を配置できる利点がある。また、
本発明はコプレナー線路等の共平面線路を用いた各基板
を回路の特性劣化をともなわずに接続できる利点もあ
る。さらに、複数の半導体基板を実装し、誘電体基板上
に周辺回路を設けることにより経済的な集積回路を実現
できる利点もある。
特に本発明によれば、マイクロ波領域でインピーダンス
設計して形成されたマイクロ波集積回路用の第１の伝送
線路を有する誘電体基板の、裏面に非貫通の単数又は複
数の穴に、マイクロ波領域でインピーダンス設計して形
成されたマイクロ波集積回路用の第２の伝送線路を有す
る半導体基板が取り付けられているため、接地導体又は
外部導体を誘電体基板の下面又は誘電体基板及び半導体
基板の上面に設けることができる。このため半導体基板
の下面には導体が不要となり、この部分で特性インピー
ダンスが変化してマイクロ波的に不連続となる不都合を
防止できる。従って、誘電体基板と半導体基板との厚さ
が異なる場合にも、両者の接続部分でインピーダンスの
不整合が生ぜず、反射損失、挿入損失の増大を確実に防
止したマイクロ波伝送線路を得ることができる。
設計して形成されたマイクロ波集積回路用の第１の伝送
線路を有する誘電体基板の、裏面に非貫通の単数又は複
数の穴に、マイクロ波領域でインピーダンス設計して形
成されたマイクロ波集積回路用の第２の伝送線路を有す
る半導体基板が取り付けられているため、接地導体又は
外部導体を誘電体基板の下面又は誘電体基板及び半導体
基板の上面に設けることができる。このため半導体基板
の下面には導体が不要となり、この部分で特性インピー
ダンスが変化してマイクロ波的に不連続となる不都合を
防止できる。従って、誘電体基板と半導体基板との厚さ
が異なる場合にも、両者の接続部分でインピーダンスの
不整合が生ぜず、反射損失、挿入損失の増大を確実に防
止したマイクロ波伝送線路を得ることができる。
第１図は本発明の特許請求の範囲（１）の実施例を示す
図、第２図は本発明の他の実施例であり、第３図は特許
請求の範囲（２）の実施例、第４図は従来の集積回路の
構成例である。 1,2,24,25……入出力ポート、 3,18……誘電体基板、 4,7,21……マイクロストリップ線路、 5,19,20,30,31……半導体基板、 ６……導体部、 ８……金属シート、 9,10……コプレナー線路、 11,14……中心導体、 12,13,15,16……外部導体、 17……穴、 22,23……接地導体、 26……低域通過フィルタ、 27……方向性結合器、 28……ダミー、 29……誘電体共振器。
図、第２図は本発明の他の実施例であり、第３図は特許
請求の範囲（２）の実施例、第４図は従来の集積回路の
構成例である。 1,2,24,25……入出力ポート、 3,18……誘電体基板、 4,7,21……マイクロストリップ線路、 5,19,20,30,31……半導体基板、 ６……導体部、 ８……金属シート、 9,10……コプレナー線路、 11,14……中心導体、 12,13,15,16……外部導体、 17……穴、 22,23……接地導体、 26……低域通過フィルタ、 27……方向性結合器、 28……ダミー、 29……誘電体共振器。
Claims (2)
- 【請求項１】誘電体基板と、該誘電体基板上に設けられ
ておりマイクロ波領域でインピーダンス設計して形成さ
れたマイクロ波集積回路用の第１の伝送線路と、半導体
基板と、該半導体基板上に設けられておりマイクロ波領
域でインピーダンス設計して形成されたマイクロ波集積
回路用の第２の伝送線路とを有するマイクロ波集積回路
であって、前記誘電体基板が裏面に貫通しない穴を有し
ており、該穴に半導体素子を搭載する前記半導体基板が
取り付けられており、前記誘導体基板上の前記第１の伝
送線路と前記半導体基板上の前記第２の伝送線路とが互
いに接続されていることを特徴とするマイクロ波集積回
路。 - 【請求項２】誘電体基板と、該誘電体基板上に設けられ
ておりマイクロ波領域でインピーダンス設計して形成さ
れたマイクロ波集積回路用の第１の伝送線路と、半導体
基板と、該半導体基板上に設けられておりマイクロ波領
域でインピーダンス設計して形成されたマイクロ波集積
回路用の第２の伝送線路とを有するマイクロ波集積回路
であって、前記誘電体基板が裏面に貫通しない複数の穴
を有しており、該各穴に半導体素子を搭載する前記半導
体基板が取り付けられており、前記誘電体基板上の前記
第１の伝送線路と前記半導体基板上の前記第２の伝送線
路とが互いに接続されており、前記誘電体基板には前記
第１の伝送線路で接続される周辺回路が搭載されている
ことを特徴とするマイクロ波集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59264557A JPH0783071B2 (ja) | 1984-12-17 | 1984-12-17 | マイクロ波集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59264557A JPH0783071B2 (ja) | 1984-12-17 | 1984-12-17 | マイクロ波集積回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61142803A JPS61142803A (ja) | 1986-06-30 |
| JPH0783071B2 true JPH0783071B2 (ja) | 1995-09-06 |
Family
ID=17404929
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59264557A Expired - Fee Related JPH0783071B2 (ja) | 1984-12-17 | 1984-12-17 | マイクロ波集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0783071B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006222797A (ja) * | 2005-02-10 | 2006-08-24 | Tdk Corp | 低域通過フィルタ、モジュール部品、及び、低域通過フィルタの製造方法 |
| US7528792B2 (en) * | 2005-06-06 | 2009-05-05 | Raytheon Company | Reduced inductance interconnect for enhanced microwave and millimeter-wave systems |
| JP4885618B2 (ja) * | 2006-06-06 | 2012-02-29 | 株式会社豊田中央研究所 | 高周波回路チップの実装構造を有した電子装置 |
| JP2011061387A (ja) * | 2009-09-08 | 2011-03-24 | Toshiba Corp | 高周波モジュール |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS512792A (en) * | 1974-06-28 | 1976-01-10 | Toyo Soda Mfg Co Ltd | Pp suchirensurupponsananmoniumujugotaino seizohoho |
-
1984
- 1984-12-17 JP JP59264557A patent/JPH0783071B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61142803A (ja) | 1986-06-30 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |