JPH10209604A - プリント配線基板の製造方法並びにそれに用いる粗化液及び粗化液の調製方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】導体層と感光性フィルムとの密着性を高め、特
に導体幅が６０μｍ以下の微細配線パターンの形成が可
能なプリント配線基板の製造方法並びにそれに用いる粗
化液及び粗化液の調製方法を提供する。 【解決手段】絶縁基板１０１上に形成された導体層１０
２上に感光性フィルム（ドライフィルムレジスト）を張
り合わせて、配線回路形成用マスクを介して感光性フィ
ルムを露光し、現像して基板上に導体パターン１０６を
形成するに際し、感光性フィルムを導体層１０２上に張
り合わせる前に、導体層表面を導体腐食抑制剤を含有す
る粗化液で処理して粗化面１０４を形成する。粗化液に
過硫酸塩を含む場合には、ｐＨ４以下の酸性溶液とし、
室温〜４０℃の溶液温度で処理することが望ましい。ま
た、粗化液に銅濃度にして５〜３５ｇ／リットルの銅も
しくは銅化合物を溶解すると更に密着性が向上し好まし
い。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、プリント配線基板
の製造に係わり、特に配線パターン形成時の導体粗化面
を形成した導体と感光性フィルムとの密着性を高め、導
体回路形成に好適なプリント配線基板の製造方法並びに
それに用いる粗化液及び粗化液の調製方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】プリント配線基板を製造するにあたり、
銅張り積層板を用い、銅箔の表面に回路形成をおこなう
必要がある。この回路形成は、銅箔の表面に一般にドラ
イフィルムレジストと称されている感光性フィルムから
なるエッチングレジストを、熱圧着により張り合わせ
（ラミネート）、回路パターンが形成されたマスクを介
して露光し、現像をおこなった後に、得られたレジスト
パターンをマスクとして銅エッチング液に浸漬すること
によっておこなわれる。そしてこのように銅箔の表面に
エッチングレジストをラミネートする工程の前に、銅箔
の表面を整面処理することがおこなわれている。

【０００３】従来技術については、例えば特開平３−１
４０４８３号公報に詳細に記載させれおり、整面処理は
銅箔の表面の酸化物などの不純物や汚れなどを除去する
と共に銅箔の表面に微細な粗面を形成させるためにおこ
なわれるものであり、銅箔の表面へのエッチングレジス
トの密着性を高めるための処理である。

【０００４】そしてこの銅箔の整面処理は、＃３００〜
＃１００程度の羽布ロールやブラシロールを使用した整
面研磨機やスクラブ研磨機、センチュリー研磨機を用
い、銅張り積層板の表面をこの羽布ロールやブラシロー
ルや砥粒で機械的に研磨することによって行われるのが
一般的である。この他、化学的な研磨方法としては、例
えば特開平３−１４０４８３号公報に開示されているよ
うな方法が提案されている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかし、このように羽
布ロールやブラシロールなどを用いて機械的研磨で整面
処理するにあたって、銅張り積層板の厚みが０．２ｍｍ
以下程度の薄い板を用いた場合、薄い銅張り板は腰が弱
く強度が低いために研磨時に銅張り板が曲がって羽布ロ
ールやブラシロールに引っ掛かったりして、工程の途中
でトラブルが多発するという問題があった。

【０００６】また、このように銅張り板が薄いと羽布ロ
ールやブラシロールによって銅張り板に付加される研磨
圧で基板変形したり不均一な研磨が行われるなどの問題
があった。しかも羽布ロールによる研磨の場合には、羽
布ロールを構成する不織布とＡｌ₂Ｏ₃やＳｉＯ₂など研
磨材の大きさのバラツキなどによって銅箔の表面に深い
研磨傷が発生する等、不均一な凹凸面となって高ファイ
ンパターンで回路を形成することができなくなるという
問題もあった。

【０００７】一方、特開平３−１４０４８３号公報に記
載されている化学的な研磨方法では、銅箔の表面形状が
緩やかで、ドライフィルムレジストとの密着性が不足し
て、現像によるレジストのパターン形成時や、エッチン
グによる銅箔の回路形成時にドライフィルムレジストと
銅箔間で剥離が生じ易く、６０μｍ幅以下の微細配線を
歩留まり良く製造することが困難であった。すなわち、
このような微細配線になると例えば線幅が局部的に狭く
なったり、はなはだしくは断線に至るという問題もあっ
た。

【０００８】高ファインパターンで回路を形成する技術
としては、パターン形成面に感光性レジスト液を塗布し
てレジストパターンを形成する方法がよく知られてい
る。しかし、プリント配線基板のように大面積のパター
ンを形成には、この感光性レジスト液を塗布する方法よ
りもドライフィルムレジストを張り合わせる方が均一な
膜厚のレジストパターンが得られ易く、しかもフィルム
をパターン形成面に熱圧着するだけで済むので工程短縮
が可能であるなど経済的にも優れている。したがって、
パターン形成面に対するレジストの密着性さえ改善され
ればプリント配線基板の製造には、ドライフィルムレジ
ストの使用が格段に優れている。

【０００９】したがって、本発明は上記の点に鑑みて為
されたものであり、従来の羽布ロールやブラシロールな
どを用いた機械的研磨及び化学的な研磨の場合のような
問題がなく、加えて、ドライフィルムレジストとの密着
性を高め、特に導体幅が６０μｍ以下の微細配線パター
ンの形成が可能なプリント配線基板の製造方法並びにそ
れに用いる粗化液及び粗化液の調製方法を提供すること
を目的としたものである。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明に係わるプリント
配線基板の製造方法は、銅張り積層板を用いて配線パタ
ーンを形成するに際し、銅箔上に感光性フィルム（ドラ
イフィルムレジスト）を張り合わせる前工程として、銅
箔表面を銅腐食抑制剤を含有した粗化液を作用させて表
面に緻密、かつ複雑な凹凸形状を有する粗化表面を形成
し、ドライフィルムレジストの密着性を格段に向上させ
ることを特徴とするものである。

【００１１】以下本発明を詳細に説明する。本発明者等
は、配線パターン形成に際し銅箔とドライフィルムレジ
ストとの密着性を高めるために種々実験検討した結果、
導体層表面の粗化処理には導体腐食抑制剤を含有してな
る粗化液で銅箔を表面をエッチングすることが有効で、
密着性が飛躍的に向上することを見出した。すなわち、
この粗化処理により導体上に表面積の大きな複雑な形状
をした粗化表面が作られ、この上形成したドライフィル
ムレジストが強固に密着する。

【００１２】好ましい粗化液としては、例えば過硫酸塩
／銅腐食抑制剤系、過硫酸塩／酸／銅腐食抑制剤系、硫
酸／過酸化水素／銅腐食抑制剤系、塩化第二鉄／銅腐食
抑制剤系、塩化第二銅／銅腐食抑制剤系、塩化テトラア
ンミン銅／銅腐食抑制剤系等が挙げられる。

【００１３】いずれの粗化液も導体層をエッチングする
粗化成分と導体層の表面に部分的に吸着して導体の腐食
を部分的に抑制する成分（これを導体腐食抑制剤と云
う）を有していることが特徴である。このような、粗化
液中では導体腐食抑制剤が導体表面に部分的に吸着し、
その吸着された部分の導体のエッチングを防ぐため、極
めて複雑な粗化面が得られると推定される。

【００１４】粗化液中の導体腐食抑制剤としては、導体
層を構成する金属材料に適した腐食抑制剤を使用するこ
とであり、以下、導体として通常使用される銅の場合を
例に説明すると、好ましい銅腐食抑制剤としは、例えば
ベンゾトリアゾール誘導体〔１，２，３−ベンゾトリア
ゾール、４−ｏｒ５−メチルベンゾトリアゾール、４−
ｏｒ５−アミノベンゾトリアゾールなど〕、チアゾール
誘導体〔ベンゾチアゾール、２−メルカプトベンゾチア
ゾール、２−メチルベンゾチアゾール、２−フェニルチ
アゾールなど〕、イミダゾール誘導体〔イミダゾール、
ベンゾイミダゾール、２−メチルベンゾイミダゾール、
２−エチル−５−メチルベンゾイミダゾール、２−メル
カプトベンゾイミダゾールなど〕、インダゾール類〔６
−アミノインダゾール〕、メラミン誘導体〔メラミン、
Ｎ，Ｎ’−ジアリルメラミン、２−Ｎ−ｎ−ブチルメラ
ミンなど〕、トリアジン誘導体〔２，４−ジアミノ−６
−フェニルトリアジン、２，４−ジアミノ−６−メチル
−ｓ−トリアジン、２−ビニル−４，６−ジアミノ−ｓ
−トリアジンなど〕、ピリミジン誘導体〔ジアミノピリ
ミジン、トリアミノピリミジン、テトラアミノピリミジ
ン、ジアミノメルカプトピリミジンなど〕、３，５−ジ
アミノ−１，２，４−トリアゾール、アルカンチオール
類〔Ｃ_nＨ_2n+1ＳＨ〕、アルキルアミン類〔メチルアミ
ン、エチルアミン、プロピルアミン、ブチルアミンな
ど〕、チオ尿素誘導体〔チオ尿素、１−フェニル−２−
チオ尿素、エチレンチオ尿素など〕、エタノールチオー
ル、ドデシルメルカプタン、２−メルカプトエタノール
などが挙げられる。

【００１５】特に好ましくは、２−メルカプトベンゾイ
ミダゾール、６−アミノインダゾール、２，４−ジアミ
ノ−６−フェニルトリアジン、２−ビニル−４，６−ジ
アミノ−ｓ−トリアジン、２−メチルベンゾチアゾー
ル、メラミン、２−Ｎ−ｎ−ブチルメラミンである。

【００１６】また、粗化液中の銅腐食抑制剤の濃度とし
ては０．０１〜１０ｇ／リットル、好ましくは０．１〜
２ｇ／リットルの範囲が良好である。

【００１７】また、上記粗化液の中で過硫酸塩／銅腐食
抑制剤系や過硫酸塩／酸／銅腐食抑制剤系等の過硫酸塩
を含む溶液を調製する場合には、建浴後４０〜８０℃で
１０分〜５時間程度加熱して、粗化液の水素イオン濃度
ｐＨを４以下、好ましくは０．５〜４、更に好ましくは
１．０〜２．５の範囲にすると更に良好な複雑な形状を
した粗化面の得られる粗化液を調製することができる。

【００１８】さらにまた、過硫酸塩／銅腐食抑制剤系や
過硫酸塩／酸／銅腐食抑制剤系粗化液に銅または銅化合
物、例えば硫酸銅等を銅濃度に換算して５〜３５ｇ／リ
ットル溶解すると、粗化面態が良好で、かつ、粗化液使
用時のｐＨ変動の少ない安定な粗化液が得られる。粗化
液建浴後の加熱および銅を溶解することにより、銅箔は
勿論のこと、絶縁層上に形成した電気銅めっき層の粗化
も容易にできる。

【００１９】なお、銅箔の表面粗化処理工程において
は、室温〜４０℃の溶液温度で処理することが望まし
い。

【００２０】以上述べてきたように、銅箔に粗化処理を
行うことにより微細配線が可能なプリント配線基板の製
造が可能となる。導体層とドライフィルムレジストとの
密着性を高めるために、本発明では導体腐食抑制剤を含
有した粗化液で導体表面をエッチングする。これは粗化
液中の導体腐食抑制剤が導体表面に部分的に吸着し、固
有のエッチング速度が低下し、導体表面が不均一にエッ
チングされるため、導体上に表面積の大きな極めて複雑
な形状をした粗化表面が得られるためと考えられる。

【００２１】前述した従来の方法では、本発明で得られ
るような複雑な表面形状の粗化面は得られない。また、
このような複雑な導体表面を形成することで、ドライフ
ィルムレジストとの密着性を向上させ、レジストの現像
工程や導体回路を形成するエッチング工程でのレジスト
の剥離を防止することで、微細配線を安定して形成する
ことが可能となり、配線密度の高いプリント配線基板が
製造できる。

【００２２】

【発明の実施の形態】以下、図１および図２、図３に示
した製造工程図にしたがって、本発明をさらに詳しく説
明する。図１は、セミアディティブ法式、図２、図３は
導体回路（配線パターン）形成工程と層間絶縁膜形成工
程とを交互に複数回繰り返して積層する所謂ビルドアッ
プ法式であり、これらを例に挙げて説明するが、この他
のプリント配線板製造方式においても、微細な導体回路
パターン形成に本発明は適用できる。

【００２３】図１はセミアディティブ法式に関して、具
体的には下記の（Ａ）記載の工程を、またビルドアップ
方式に関しては、下記の（Ｂ〜Ｅ）記載の代表的な工程
を任意に組み合わせて、要求される導体回路層間に種々
の接続構成がとれる多層配線基板が製造できる。

【００２４】（Ａ）工程：銅張り積層板１００→貫通孔
形成１０３→導体表面粗化１０４→めっき触媒付与１０
５→エッチングレジスト→導体回路形成１０６→絶縁層
形成（永久レジスト）１０７・パターニング１０８→銅
めっき１０９、もしくは銅張り積層板１００→導体表面
粗化１０４→めっき触媒付与１０５→エッチングレジス
ト→導体回路形成１０６→貫通孔形成１０３→絶縁層形
成（永久レジスト）１０７・パターニング１０８→銅め
っき１０９。

【００２５】（Ｂ）工程：銅張り積層板２００→貫通孔
形成２０３→導体表面粗化２０４→エッチングレジスト
→導体回路形成２０５→絶縁層形成２０６・パターニン
グ２０７、もしくは銅張り積層板２００→導体表面粗化
２０４→エッチングレジスト→導体回路形成２０５→貫
通孔形成２０３→絶縁層形成２０６・パターニング２０
７。

【００２６】（Ｃ）工程：絶縁層粗化３０７→表面劣化
層除去３０８、３０９→めっき触媒付与３１１→銅めっ
き３１２→導体表面粗化３１３→エッチングレジスト→
導体回路形成３１４→絶縁層形成・パターニング３１
５。

【００２７】（Ｄ）工程：銅張り積層板３００→導体表
面粗化３０３→エッチングレジスト→導体回路形成３０
４→絶縁層形成・パターニング３１５。

【００２８】（Ｅ）工程：貫通孔形成３１０→絶縁層粗
化３０７→表面劣化層除去３０９→めっき触媒付与３１
１→銅めっき３１２→導体表面粗化３１３→エッチング
レジスト→導体回路形成３１４→絶縁層形成・パターニ
ング３１５。

【００２９】

【実施例】

＜実施例１＞この実施例は、上記（Ａ）工程に従い２層
（片面１層）の両面配線基板を製造した例について説明
するものであり、以下、図１の断面工程図に従って順次
説明する。

【００３０】図１（ａ）工程：ガラスエポキシ積層板１
０１の両面に銅箔１０２（３５μｍ）を張り合わせた銅
張り積層板を基板１００として準備する。 図１（ｂ）工程：基板１００にドリルで貫通孔１０３を
あける。

【００３１】図１（ｃ）工程：この基板の導体表面を過
硫酸塩／銅腐食抑制剤系の粗化液で処理し、導体粗化面
１０４を形成した。用いた粗化液および粗化条件は、次
の通りである。

【００３２】（１）粗化液の組成：過硫酸塩としてＮａ
₂Ｓ₂Ｏ₈（２００ｇ／リットル）、銅腐食抑制剤として
メラミン（０．５ｇ／リットル）を純水に溶解し、５０
℃、２時間加熱後、２５℃に冷却する（粗化液のｐＨ
１．８）。

【００３３】（２）粗化条件：液温２５℃で５０秒間ス
プレーエッチングする。

【００３４】図１（ｄ）工程：貫通孔内にめっき触媒１
０５を塗布する。 図１（ｅ）工程：基板両面にドライフィルムレジストを
熱圧着によりラミネートし、この上に予め所定の回路パ
ターンが形成されたネガマスクをあて露光、現像してレ
ジストの抜きパターンを形成した。これをエッチングレ
ジストとして銅箔をエッチングして導体回路１０６を形
成した後レジストを除去した。

【００３５】図１（ｆ）工程：この基板上にスプレー塗
布により絶縁層１０７を形成した。用いた絶縁樹脂は、
エポキシアクリレート系感光性樹脂である。 図１（ｇ）工程：上記の絶縁層１０６を８０℃３０分間
乾燥し、図示されていない所定のマスクを介して露光
し、溶剤現像を行って絶縁樹脂１０７を選択的にエッチ
ングしてパターニングする。 図１（ｈ）工程：貫通孔部に電気銅めっき層１０９を３
０μｍ形成を形成した。 このようにして、図１（ｉ）
に示したような両面配線基板を得た。

【００３６】このような製造方法で作成したプリント配
線基板のめっき銅箔上でのセロテープのピール強度（ｇ
／ｃｍ）、ドライフィルムレジストとの密着性（ＪＩＳ
Ｋ５４００−１９７９）、および得られた最小導体回
路の幅（μｍ）を測定し、その結果を表１に表示した。
表中には後述する比較例の結果についても示した。

【００３７】この表からも明らかなように、ドライフィ
ルムレジストと強固に密着し、本実施例のピール強度は
４２０ｇ／ｃｍを示しており、比較例（最高のもので２
７５ｇ／ｃｍ）と対比して向上している。また、得られ
た最小導体回路幅は５０μｍを示しており、比較例（最
小のもので７５μｍ）と対比して優れており、微細配線
可能なプリント配線基板が実現された。

【００３８】＜実施例２＞上記実施例１と基本的には同
一の製造方法で両面配線基板を製造した。ただし、粗化
液としては実施例１の組成に硫酸銅を銅濃度として１５
ｇ／リットル添加した。その結果を表１に示すが、ピー
ル強度は５８６を示しており、実施例１（４２０）と対
比して更に向上している。また、得られた最小導体回路
幅は３５を示しており、これも実施例１（５０）と対比
して優れており、粗化液への銅の添加の有効性が確認さ
れた。なお、銅の添加は硫酸銅に限らず、粗化液に溶解
するその他の銅化合物もしくは銅金属を溶解しても同様
の結果を得ることができる。

【００３９】＜実施例３＞この実施例は、上記（Ｂ）工
程と（Ｃ）工程とを組み合わせて両面合計４層（片面２
層）の多層配線基板を製造した例について説明するもの
であり、以下、図２の断面工程図にしたがって順次説明
する。

【００４０】図２（ａ）工程：ガラスエポキシ積層板２
０１の両面に銅箔２０２を張り合わせた銅張り積層板を
基板２００として準備する。 図２（ｂ）工程：基板２００にドリルで貫通孔２０３を
あける。

【００４１】図２（ｃ）工程：この基板の導体表面を過
硫酸塩／酸／銅腐食抑制剤系の粗化液で処理し、導体粗
化面２０４を形成した。用いた粗化液および粗化条件
は、次の通りである。

【００４２】（１）粗化液の組成：過硫酸塩としてＮａ
₂Ｓ₂Ｏ₈（２００ｇ／リットル）、銅腐食抑制剤として
メラミン（１．０ｇ／リットル）を水に溶解し、６０℃
で１時間加熱後２５℃に冷却する（粗化液のｐＨ２．
０）。 （２）粗化条件：液温２５℃で５０秒間スプレーエッチ
ングする。

【００４３】図２（ｄ）工程：次に、基板両面に図示さ
れていないドライフィルムレジストを熱圧着によりラミ
ネートし、この上に予め所定の回路パターンが形成され
たネガマスクをあて露光、現像してレジストの抜きパタ
ーンを形成した。これをエッチングレジストとして銅箔
をエッチングして導体回路２０５を形成した後レジスト
を除去した。

【００４４】図２（ｅ）工程：この基板上にスプレー塗
布により絶縁層２０６を形成した。用いた絶縁樹脂は、
エポキシアクリレート系感光性樹脂である。

【００４５】図２（ｆ）工程：上記の絶縁層２０６を８
０℃３０分間乾燥し、２層目の導体回路形成に備えて、
図示されていない所定のマスクを介して露光し、溶剤現
像を行って絶縁樹脂２０６を選択的にエッチングしてパ
ターニング２０７し、電気的接続に必要な下地導体回路
２０５の所定領域を露出させ、さらに絶縁樹脂の膜質を
高めるため１５０℃で３０分間加熱した。

【００４６】次いで、パターニングされた上記絶縁樹脂
層２０７の表面をアルカリ性の過マンガン酸塩の水溶液
で粗化し、粗化面２０８を形成した。粗化工程で基板表
面に付着した二酸化マンガン２０９を３％塩酸ヒドロキ
シルアミン水溶液で溶解し、次に絶縁層表面に生じた劣
化層２１０を界面活性剤の水溶液を用いて除去した。

【００４７】図２（ｇ）工程：次に、粗化面を活性化す
るため、めっき触媒液２１１に浸漬し、下地導電膜を無
電解めっきで０．２μｍ形成した後、厚付け電気銅めっ
きを２５μｍ施し、銅めっき層２１２を形成した。いず
れも処理液は市販品を使用し、周知のめっき方法にて行
ったものである。

【００４８】図２（ｈ）工程：再度図２（ｃ）、図２
（ｄ）工程と同じ方法を繰り返す。すなわち、銅めっき
層２１２表面を導体腐食抑制剤を含有する粗化液で粗化
２１３し、この上にエッチングレジストを形成し、露
光、現像、エッチング、レジスト剥離の工程を経て、導
体回路２１４を形成する。

【００４９】図２（ｉ）工程：最後に再度図２（ｅ）工
程を繰り返し、絶縁層（ソルダレジストとする）を形成
してから、図２（ｆ）工程と同様の方法でパターニング
２１５を行い接続に必要な導体回路２１４を露出させ
る。このようにして、図示したような２層積層構造の配
線基板を得た。

【００５０】このような方法で造られたプリント配線基
板のめっき銅箔上でのセロテープのピール強度（ｇ／ｃ
ｍ）、ドライフィルムレジストとの密着性、および得ら
れた最小導体回路の幅（μｍ）を測定し、その結果を表
１に表示した。ドライフィルムレジストと強固に密着
し、本実施例のピール強度は５２０を示しており、比較
例（最高のもので２７５）と対比して向上している。ま
た、得られた最小導体回路幅は４５を示しており、比較
例（最小のもので７５）と対比して優れており、微細配
線可能なプリント配線基板が実現された。

【００５１】＜実施例４＞この例は片面３層、両面合計
６層の多層配線板を製造したものである。すなわち、実
施例３で得られた配線板上に、さらに両面共に導体層と
絶縁層とを１層づつ積層したものである。その分だけパ
ターン形成の繰り返し工程が増加した。先ず、実施例３
の最終工程〔図２（ｉ）工程〕の後に、図２（ｅ）工程
の絶縁層表面の粗化処理から図２（ｉ）工程までを繰り
返し、基本的には実施例３と同様の工程で処理した。

【００５２】なお、材料および処理方法で実施例３と異
なる点を工程順に述べると、以下の通りである。図２
（ｃ）、（ｈ）の導体２０４、２１３の表面粗化工程に
おいて、粗化液中の銅腐食抑制剤「メラミン」を２−メ
ルカプトベンゾイミダゾールに変更した。２−メルカプ
トベンゾイミダゾールの添加量は０．７ｇ／リットルで
ある。

【００５３】このような方法で造られたプリント配線基
板のめっき銅箔上でのセロテープのピール強度（ｇ／ｃ
ｍ）、ドライフィルムレジストとの密着性、および得ら
れた最小導体回路の幅（μｍ）を測定し、その結果を表
１に表示した。ドライフィルムレジストと強固に密着
し、本実施例のピール強度は５３７で、比較例（最高の
もので２７５）と対比して向上している。また、得られ
た最小導体回路幅は４０で、比較例（最小のもので７
５）と対比して優れており、微細配線可能なプリント配
線基板が実現された。

【００５４】＜実施例５＞実施例１と基本的に同一工程
により片面１層の両面配線基板を製造した。この実施例
で実施例１と異なる点は、以下の通りである。図１
（ｃ）の導体層１０４の表面粗化処理工程において、粗
化液中の銅腐食抑制剤「メラミン」を２−Ｎ−ｎ−ブチ
ルメラミン（０．５ｇ／リットル）に変更した。このよ
うな方法で造られたプリント配線基板のめっき銅箔上で
のセロテープのピール強度（ｇ／ｃｍ）、ドライフィル
ムレジストとの密着性、および得られた最小導体回路の
幅（μｍ）を測定し、その結果を表１に表示した。

【００５５】ドライフィルムレジストと強固に密着し、
本実施例のピール強度は５４１で、比較例（最高のもの
で２７５）と対比して向上している。また、得られた最
小導体回路幅は４０で、比較例（最小のもので７５）と
対比して優れており、微細配線可能なプリント配線基板
が実現された。

【００５６】＜実施例６＞実施例１と基本的に同一工程
により片面１層の両面配線基板を製造した。この実施例
で実施例１と異なる点は、以下の通りである。図１
（ｃ）の導体層１０４の表面粗化処理工程において、粗
化液中の銅腐食抑制剤「メラミン」を６−アミノインダ
ゾール（０．５ｇ／リットル）に変更した。このような
方法で造られたプリント配線基板のめっき銅箔上でのセ
ロテープのピール強度（ｇ／ｃｍ）、ドライフィルムレ
ジストとの密着性、および得られた最小導体回路の幅
（μｍ）を測定し、その結果を表１に表示した。

【００５７】ドライフィルムレジストと強固に密着し、
本実施例のピール強度は４６８で、比較例（最高のもの
で２７５）と対比して向上している。また、得られた最
小導体回路幅は４５で、比較例（最小のもので７５）と
対比して優れており、微細配線可能なプリント配線基板
が実現された。

【００５８】＜実施例７＞実施例１と基本的に同一工程
により片面１層の両面配線基板を製造した。この実施例
で実施例１と異なる点は、以下の通りである。図１
（ｃ）の導体層１０４の表面粗化処理工程において、粗
化液中の銅腐食抑制剤「メラミン」を６−ビニル−４，
６−ジアミノ−ｓ−トリアジン（０．２ｇ／リットル）
に変更した。このような方法で造られたプリント配線基
板のめっき銅箔上でのセロテープのピール強度（ｇ／ｃ
ｍ）、ドライフィルムレジストとの密着性、および得ら
れた最小導体回路の幅（μｍ）を測定し、その結果を表
１に表示した。

【００５９】ドライフィルムレジストと強固に密着し、
本実施例のピール強度は４２０で、比較例（最高のもの
で２７５）と対比して向上している。また、得られた最
小導体回路幅は５０で、比較例（最小のもので７５）と
対比して優れており、微細配線可能なプリント配線基板
が実現された。

【００６０】＜実施例８＞実施例１と基本的に同一工程
により片面１層の両面配線基板を製造した。この実施例
で実施例１と異なる点は、以下の通りである。図１
（ｃ）の導体層１０４の表面粗化処理工程において、粗
化液中の銅腐食抑制剤「メラミン」を２−メチルベンゾ
チアゾール（０．３ｇ／リットル）に変更した。このよ
うな方法で造られたプリント配線基板のめっき銅箔上で
のセロテープのピール強度（ｇ／ｃｍ）、ドライフィル
ムレジストとの密着性、および得られた最小導体回路の
幅（μｍ）を測定し、その結果を表１に表示した。

【００６１】ドライフィルムレジストと強固に密着し、
本実施例のピール強度は５６８で、比較例（最高のもの
で２７５）と対比して向上している。また、得られた最
小導体回路幅は３５で、比較例（最小のもので７５）と
対比して優れており、微細配線可能なプリント配線基板
が実現された。

【００６２】＜実施例９＞実施例１と基本的に同一工程
により片面１層の両面配線基板を製造した。この実施例
で実施例１と異なる点は、以下の通りである。図１
（ｃ）の導体層１０４の表面粗化処理工程において、粗
化液中の銅腐食抑制剤「メラミン」を２，４−ジアミノ
−６−フェニルトリアジン（１．２ｇ／リットル）に変
更した。このような方法で造られたプリント配線基板の
めっき銅箔上でのセロテープのピール強度（ｇ／ｃ
ｍ）、ドライフィルムレジストとの密着性、および得ら
れた最小導体回路の幅（μｍ）を測定し、その結果を表
１に表示した。

【００６３】ドライフィルムレジストと強固に密着し、
本実施例のピール強度は５２０で、比較例（最高のもの
で２７５）と対比して向上している。また、得られた最
小導体回路幅は４０で、比較例（最小のもので７５）と
対比して優れており、微細配線可能なプリント配線基板
が実現された。

【００６４】＜実施例１０＞実施例１と基本的に同一工
程により片面１層の両面配線基板を製造した。この実施
例で実施例１と異なる点は、以下の通りである。図１
（ｃ）の導体層１０４の表面粗化処理工程において、粗
化液中の主成分である「Ｎａ₂Ｓ₂Ｏ₈」を（ＮＨ₄）₂Ｓ₂
Ｏ₈に変更した。このような方法で造られたプリント配
線基板のめっき銅箔上でのセロテープのピール強度（ｇ
／ｃｍ）、ドライフィルムレジストとの密着性、および
得られた最小導体回路の幅（μｍ）を測定し、その結果
を表１に表示した。

【００６５】ドライフィルムレジストと強固に密着し、
本実施例のピール強度は５１５で、比較例（最高のもの
で２７５）と対比して向上している。また、得られた最
小導体回路幅は４０で、比較例（最小のもので７５）と
対比して優れており、微細配線可能なプリント配線基板
が実現された。

【００６６】＜実施例１１＞この実施例は、上記工程Ｄ
と工程Ｅとを組み合わせて両面合計４層（片面２層背２
積層）の多層配線板を製造した例について説明するもの
であり、以下図３の断面工程図に従って順次説明する。
なお、この例も基本的には、実施例３に示した図２の各
工程と同一である。ただし、貫通孔２０３を開けるタイ
ミングと、処理方法の一部を変更している。

【００６７】図３（ａ）工程：実施例３の図２（ａ）工
程と同一工程で、ガラスエポキシ積層基板３０１の両面
に銅箔を張り合わせた銅張り積層板を基板３００として
準備する。 図３（ｂ）工程：この基板の導体表面を過硫酸塩／腐食
抑制剤系の粗化液で処理し、導体粗化面３０３を形成し
た。用いた粗化液および粗化条件は、次の通りである。

【００６８】（１）粗化液の組成：過硫酸塩としてＮａ
₂Ｓ₂Ｏ₈（２００ｇ／リットル）、銅腐食抑制剤として
２−メルカプトベンゾチアゾール（０．５ｇ／リット
ル）を純水に溶解し、７０℃、２０分間加熱後、２５℃
に冷却する（粗化液のｐＨ２．５）。 （２）粗化条件：液温２５℃で５０秒間スプレーエッチ
ングする。

【００６９】図３（ｃ）工程：次に、基板両面に図示さ
れていないドライフィルムレジストを熱圧着によりラミ
ネートし、この上に図示されていない予め所定の回路パ
ターンが形成されたネガマスクをあて露光、現像してレ
ジストの抜きパターンを形成した。これをエッチングレ
ジストとして銅箔をエッチングして導体回路３０４を形
成した後レジストを除去した。

【００７０】図３（ｄ）工程：この基板上にスプレー塗
布により絶縁層３０５を形成した。用いた絶縁樹脂は、
エポキシアクリレート系感光性樹脂である。

【００７１】図３（ｅ）工程：上記の絶縁層３０５を８
０℃３０分間乾燥し、２層目の導体回路形成に備えて、
図示されていない所定のマスクを介して露光し、溶剤現
像を行って絶縁樹脂３０５を選択的にエッチングしてパ
ターニング３０６し、電気的接続に必要な下地導体回路
３０４の所定領域を露出させ、さらに絶縁樹脂の膜質を
高めるため１５０℃で３０分間加熱した。

【００７２】次いで、パターニングされた上記絶縁樹脂
層３０６の表面をアルカリ性の過マンガン酸塩の水溶液
で粗化し、粗化面３０７を形成した。粗化工程で基板表
面に付着した二酸化マンガン３０８を３％塩酸ヒドロキ
シルアミン水溶液で溶解し、次に絶縁層表面に生じた劣
化層３０９を界面活性剤の水溶液を用いて除去した。

【００７３】図３（ｆ）工程：実施例３の図２（ｂ）に
該当する工程で、基板３００のスルーホール形成領域に
ドリルで貫通孔３１０をあける。

【００７４】図３（ｇ）工程：次に、粗化面を活性化す
るため、めっき触媒液３１１に浸漬し、下地導電膜を無
電解めっきで０．２μｍ形成した後、厚付け電気銅めっ
きを２５μｍ施し、銅めっき層３１２を形成した。いず
れも処理液は市販品を使用し、周知のめっき方法にて行
ったものである。

【００７５】図３（ｈ）工程：再度図３（ｂ）、図３
（ｃ）工程と同じ方法を繰り返す。すなわち、銅めっき
層３１２表面を前述の銅腐食抑制剤を含有する粗化液で
粗化処理３１３し、この上にエッチングレジストを形成
し、露光、現像、エッチング、レジスト剥離の工程を経
て、導体回路３１４を形成する。

【００７６】図３（ｉ）工程：最後に図３（ｄ）工程を
繰り返し、絶縁層（ソルダレジストとする）を形成して
から、パターニング３１５を行い接続に必要な導体回路
を露出させる。このようにして、図示したような２層積
層構造の配線基板を得た。

【００７７】このような方法で造られたプリント配線基
板のめっき銅箔上でのセロテープのピール強度（ｇ／ｃ
ｍ）、ドライフィルムレジストとの密着性、および得ら
れた最小導体回路の幅（μｍ）を測定し、その結果を表
１に表示した。

【００７８】ドライフィルムレジストと強固に密着し、
本実施例のピール強度は５３５で、比較例（最高のもの
で２７５）と対比して向上している。また、得られた最
小導体回路幅は４０で、比較例（最小のもので７５）と
対比して優れており、微細配線可能なプリント配線基板
が実現された。

【００７９】＜実施例１２＞この実施例は、実施例４と
同様に片面３層、両面合計６層の積層体から構成される
多層配線基板の製造例を示したものであるが、ドリルに
より貫通孔を形成する工程のタイミングが異なってい
る。実施例１１に示した図３の工程に比較的類似してい
るので、以下、図３を引用して説明する。

【００８０】先ず、図３（ａ）〜図３（ｄ）工程まで
は、実施例１１と同様に処理する。次に図３（ｆ）のド
リルによる貫通孔の形成工程と、図３（ｅ）工程の絶縁
樹脂層３０６のパターン形成からその表面粗化処理３０
７、３０８、３０９までの工程を入れ変え、先に図３
（ｆ）工程のドリルによる貫通孔形成を行ない、その後
に図３（ｅ）の工程〔図２（ｆ）に該当する工程〕を実
施する。以後の工程は、実施例１１の図３（ｇ）〜図３
（ｉ）工程と同一である。

【００８１】このようにして片面２層の積層構造を得た
後、さらに図３（ｅ）工程における絶縁樹脂層の表面粗
化処理、および図３（ｇ）〜図３（ｉ）工程を繰り返す
ことにより、片面３層、両面合計６層構造の配線基板を
得た。

【００８２】ただし、導体層３０４、３１１の表面粗化
処理工程における粗化液および処理条件は実施例１１の
場合と異なり、以下のようにした。過硫酸塩として（Ｎ
Ｈ₄）₂Ｓ₂Ｏ₈（２００ｇ／リットル）、酸として９８％
Ｈ₂ＳＯ₄１ミリリットル／リットル）、銅腐食抑制剤と
して２−メチルベンゾチアゾール（０．５ｇ／リット
ル）：液温２５℃で６０秒スプレーエッチングした。

【００８３】このような方法で造られたプリント配線基
板のめっき銅箔上でのセロテープのピール強度（ｇ／ｃ
ｍ）、ドライフィルムレジストとの密着性、および得ら
れた最小導体回路の幅（μｍ）を測定し、その結果を表
１に表示した。

【００８４】ドライフィルムレジストと強固に密着し、
本実施例のピール強度は５０３で、比較例（最高のもの
で２７５）と対比して向上している。また、得られた最
小導体回路幅は４０で、比較例（最小のもので７５）と
対比して優れており、微細配線可能なプリント配線基板
が実現された。

【００８５】＜実施例１３＞実施例１１と基本的に同一
工程により、片面２層、両面合計４層の両面配線基板を
製造した。この実施例で実施例１０と異なる点は以下の
通りである。

【００８６】図３（ｂ）（ｈ）工程の導体層の表面粗化
処理工程３０３，３１３における粗化液および処理条件
は実施例１０の場合と異なり、以下のようにした。 （１）粗化液：９８％Ｈ₂ＳＯ₄（１２０ミリリットル／
リットル）、３５％Ｈ₂O₂（８０ミリリットル／リット
ル）、２−メルカプトベンゾイミダゾール（０．５ｇ／
リットル）の水溶液。 （２）化条件：液温３０℃で６０秒間スプレーエッチン
グ。

【００８７】このような方法で造られたプリント配線基
板のめっき銅箔上でのセロテープのピール強度（ｇ／ｃ
ｍ）、ドライフィルムレジストとの密着性、および得ら
れた最小導体回路の幅（μｍ）を測定し、その結果を表
１に表示した。

【００８８】ドライフィルムレジストと強固に密着し、
本実施例のピール強度は５４６で、比較例（最高のもの
で２７５）と対比して向上している。また、得られた最
小導体回路幅は４０で、比較例（最小のもので７５）と
対比して優れており、微細配線可能なプリント配線基板
が実現された。

【００８９】＜実施例１４＞実施例１１と基本的に同一
工程により、片面２層、両面合計４層の両面配線基板を
製造した。この実施例で実施例１１と異なる点は以下の
通りである。

【００９０】図３（ｂ）、図３（ｈ）工程の導体層の表
面粗化処理工程３０３、３１３における粗化液および処
理条件は実施例１０の場合と異なり、以下のようにし
た。 （１）粗化液：ＦｅＣｌ₃（３７０ｇ／リットル）、メ
ラミン（０．５ｇ／リットル）の水溶液。

【００９１】（２）粗化条件：液温２５℃で５０秒間ス
プレーエッチング。

【００９２】このような方法で造られたプリント配線基
板のめっき銅箔上でのセロテープのピール強度（ｇ／ｃ
ｍ）、ドライフィルムレジストとの密着性、および得ら
れた最小導体回路の幅（μｍ）を測定し、その結果を表
１に表示した。

【００９３】ドライフィルムレジストと強固に密着し、
本実施例のピール強度は４２８で、比較例（最高のもの
で２７５）と対比して向上している。また、得られた最
小導体回路幅は５０で、比較例（最小のもので７５）と
対比して優れており、微細配線可能なプリント配線基板
が実現された。

【００９４】＜実施例１５＞実施例１１と基本的に同一
工程により、片面２層、両面合計４層の両面配線基板を
製造した。この実施例で実施例１１と異なる点は以下の
通りである。

【００９５】図３（ｂ）、図３（ｈ）工程の導体層の表
面粗化処理工程３０３、３１３における粗化液および処
理条件は実施例１１の場合と異なり、以下のようにし
た。 （１）粗化液：ＣｕＣｌ₂（２５０ｇ／リットル）、３
６％ＨＣｌ（１３０ミリリットル／リットル）、６−ア
ミノインダゾール（０．５ｇ／リットル）の水溶液。 （２）粗化条件：液温２５℃で５０秒間スプレーエッチ
ング。

【００９６】このような方法で造られたプリント配線基
板のめっき銅箔上でのセロテープのピール強度（ｇ／ｃ
ｍ）、ドライフィルムレジストとの密着性、および得ら
れた最小導体回路の幅（μｍ）を測定し、その結果を表
１に表示した。

【００９７】ドライフィルムレジストと強固に密着し、
本実施例のピール強度は５７１で、比較例（最高のもの
で２７５）と対比して向上している。また、得られた最
小導体回路幅は３５で、比較例（最小のもので７５）と
対比して優れており、微細配線可能なプリント配線基板
が実現された。

【００９８】＜実施例１６＞実施例１１と基本的に同一
工程により、片面２層、両面合計４層の両面配線基板を
製造した。この実施例で実施例１１と異なる点は以下の
通りである。

【００９９】図３（ｂ）、図３（ｈ）工程の導体層の表
面粗化処理工程３０３、３１３における粗化液および処
理条件は実施例１１の場合と異なり、以下のようにし
た。 （１）粗化液：Ｃｕ（ＮＨ₄）₄Ｃｌ₂（４５０ｇ／リッ
トル）、ＮＨ₄Ｃｌ（１００ｇ／リットル）、２８％ア
ンモニア水（５ミリリットル／リットル）、２，４−ジ
アミノ−６−フェニルトリアジン（０．５ｇ／リット
ル）の水溶液。 （２）粗化条件：液温２５℃で５０秒間スプレーエッチ
ング。

【０１００】このような方法で造られたプリント配線基
板のめっき銅箔上でのセロテープのピール強度（ｇ／ｃ
ｍ）、ドライフィルムレジストとの密着性、および得ら
れた最小導体回路の幅（μｍ）を測定し、その結果を表
１に表示した。

【０１０１】ドライフィルムレジストと強固に密着し、
本実施例のピール強度は５１１で、比較例（最高のもの
で２７５）と対比して向上している。また、得られた最
小導体回路幅は４０で、比較例（最小のもので７５）と
対比して優れており、微細配線可能なプリント配線基板
が実現された。

【０１０２】＜実施例１７＞実施例１１と基本的に同一
工程により、片面２層、両面合計４層の両面配線基板を
製造した。この実施例で実施例１１と異なる点は以下の
通りである。

【０１０３】図３（ｂ）、図３（ｈ）工程の導体層の表
面粗化処理工程３０３、３１３における粗化液および処
理条件は実施例１１の場合と異なり、以下のようにし
た。 （１）粗化液：Ｎａ₂Ｓ₂Ｏ₈（２００ｇ／リットル）、
９８％Ｈ₂ＳＯ₄（１ミリリットル／リットル）、２，４
−ジアミノ−６−フェニルトリアジン（２．０ｇ／リッ
トル）の水溶液。 （２）粗化条件：液温４０℃の粗化槽に浸漬、エアーブ
ロー撹拌・揺動により６０秒間エッチングする。

【０１０４】このような方法で造られたプリント配線基
板のめっき銅箔上でのセロテープのピール強度（ｇ／ｃ
ｍ）、ドライフィルムレジストとの密着性、および得ら
れた最小導体回路の幅（μｍ）を測定し、その結果を表
１に表示した。

【０１０５】ドライフィルムレジストと強固に密着し、
本実施例のピール強度は５０７で、比較例（最高のもの
で２７５）と対比して向上している。また、得られた最
小導体回路幅は４０で、比較例（最小のもので７５）と
対比して優れており、微細配線可能なプリント配線基板
が実現された。

【０１０６】＜比較例１＞この例は、実施例１の各工程
の中で導体表面の粗化処理工程〔図１（ｂ）工程〕を省
略して製造したものであり、その結果を表１に表示し
た。銅箔１０２とドライフィルムレジストとの密着性が
悪く、ピール強度は１４５と劣り、また、ラインの欠損
等を生じないで形成できた最小導体幅も１１０μｍと劣
っていた。

【０１０７】＜比較例２＞この例は、実施例３の各工程
の中で導体表面の粗化処理工程〔図２（ｂ）工程〕を機
械的研磨法のスクラブ研磨に変えて製造したものであ
り、その結果を表１に表示した。銅箔２０２とドライフ
ィルムレジストとの密着性が悪く、ピール強度は２３７
と劣り、また、ラインの欠損等を生じないで形成できた
最小導体幅も８０μｍと劣っていた。

【０１０８】＜比較例３＞この例は、実施例１３の各工
程の中で導体表面の粗化処理工程〔図３（ｂ）、図３
（ｈ）〕で粗化液中の銅腐食抑制剤を削除（無添加）し
て製造したものであり、その結果を表１に表示した。銅
箔３０２とドライフィルムレジストとの密着性が悪く、
ピール強度は２７５と劣り、また、ラインの欠損等を生
じないで形成できた最小導体幅も７５μｍと劣ってい
た。

【０１０９】

【表１】

【０１１０】

【発明の効果】以上詳述したように、本発明により所期
の目的を達成することができた。すなわち、配線基板の
製造において、銅箔とドライフィルムレジストとの密着
性が優れ、線幅６０μｍ以下の微細配線パターンを容易
に製造することができ、産業上に寄与する効果は極めて
大きい。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例となる配線基板の製造工程を
示す断面工程図。

【図２】本発明の他の実施例となる配線基板の製造工程
を示す断面工程図。

【図３】本発明の他の実施例となる配線基板の製造工程
を示す断面工程図。

【符号の説明】

１００…両面銅張り積層基板、 １０１…基板（積層板）、 １０２…銅箔、 １０３…貫通孔、 １０４…導体の粗化面、 １０５…めっき触媒、 １０６…導体回路、 １０７…絶縁層、 １０８…絶縁層パターニング、 ２００…両面銅張り積層基板、 ２０１…基板（積層板）、 ２０２…銅箔、 ２０３…貫通孔、 ２０４…導体の粗化面、 ２０５…導体回路、 ２０６…絶縁層、 ２０７…絶縁層パターニング、 ２０８…絶縁層の粗化、 ２０９…二酸化マンガン（除去）、 ２１０…劣化層（除去）、 ２１１…めっき触媒、 ２１２…銅めっき ２１３…導体の粗化面、 ２１４…導体回路、 ２１５…絶縁層パターニング、 ３００…両面銅張り積層基板、 ３０１…基板（積層板）、 ３０２…銅箔、 ３０３…導体の粗化面、 ３０４…導体回路、 ３０５…絶縁層、 ３０６…絶縁層パターニング、 ３０７…絶縁層の粗化、 ３０８…二酸化マンガン（除去） ３０９…劣化層（除去）、 ３１０…貫通孔 ３１１…めっき触媒、 ３１２…銅めっき ３１３…導体の粗化面、 ３１４…導体回路、 ３１５…絶縁層パターニング。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 ＦＩ Ｈ０５Ｋ 3/46 Ｈ０５Ｋ 3/46 Ｅ (72)発明者 杉山 寿 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 浜岡 伸夫 神奈川県横浜市戸塚区戸塚町216番地 株 式会社日立製作所情報通信事業部内 (72)発明者 橋本 悟 神奈川県横浜市戸塚区戸塚町216番地 株 式会社日立製作所情報通信事業部内 (72)発明者 村松 善徳 神奈川県横浜市戸塚区戸塚町216番地 株 式会社日立製作所情報通信事業部内

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】絶縁基板上に形成された導体層上に感光性
   フィルムを張り合わせ、配線パターン形成用マスクを介
   して感光性フィルムを露光し、現像して基板上に配線パ
   ターンを形成するプリント配線基板の製造工程におい
   て、導体層上に感光性フィルムを張り合わせる前工程と
   して、導体層表面を導体腐食抑制剤を含有する粗化液で
   化学的に処理する表面粗化処理工程を有して成るプリン
   ト配線基板の製造方法。
2. 【請求項２】上記表面粗化処理工程においては、粗化液
   に銅濃度にして５〜３５ｇ／リットルの銅もしくは銅化
   合物を溶解した粗化液で処理する工程として成る請求項
   １記載のプリント配線基板の製造方法。
3. 【請求項３】上記表面粗化処理工程においては、室温〜
   ４０℃の溶液温度で処理する工程として成る請求項１も
   しくは２記載のプリント配線基板の製造方法。
4. 【請求項４】上記導体腐食抑制剤を含有する粗化液を、
   過硫酸塩／銅腐食抑制剤系、過硫酸塩／酸／銅腐食抑制
   剤系、硫酸／過酸化水素／銅腐食抑制剤系、塩化第二鉄
   ／銅腐食抑制剤系、塩化第二銅／銅腐食抑制剤系、およ
   び塩化テトラアンミン銅／銅腐食抑制剤系のいずれか一
   つの水溶液で構成して成る請求項１乃至３の何れか一つ
   に記載のプリント配線基板の製造方法。
5. 【請求項５】上記粗化液に過硫酸塩を含む場合には、粗
   化液をｐＨ４以下の酸性溶液とし、室温〜４０℃の溶液
   温度で処理する工程として成る請求項１乃至４の何れか
   一つに記載のプリント配線基板の製造方法。
6. 【請求項６】上記粗化液中の導体腐食抑制剤の濃度を
   ０．０１〜１０ｇ／リットルとして成る請求項１乃至４
   の何れか一つに記載のプリント配線基板の製造方法。
7. 【請求項７】上記導体腐食抑制剤を、２−メルカプトベ
   ンゾイミダゾール、６−アミノインダゾール、２，４−
   ジアミノ−６−フェニルトリアジン、２−ビニル−４、
   ６−ジアミノ−Ｓ−トリアジン、２−メチルベンゾチア
   ゾール、メラミン、２−Ｎ−ｎ−ブチルメラミンの少な
   くとも１種で構成して成る請求項１乃至６の何れか一つ
   に記載のプリント配線基板の製造方法。
8. 【請求項８】上記絶縁基板上に形成された導体層を、銅
   箔で構成して成る請求項１乃至７の何れか一つに記載の
   プリント配線基板の製造方法。
9. 【請求項９】過硫酸塩／銅腐食抑制剤系、過硫酸塩／酸
   ／銅腐食抑制剤系、硫酸／過酸化水素／銅腐食抑制剤
   系、塩化第二鉄／銅腐食抑制剤系、塩化第二銅／銅腐食
   抑制剤系、および塩化テトラアンミン銅／銅腐食抑制剤
   系のいずれか一つの水溶液で構成すると共に、前記水溶
   液に銅濃度にして５〜３５ｇ／リットルの銅もしくは銅
   化合物を溶解して成る銅を導体層とするプリント配線基
   板の導体層表面粗化処理用粗化液。
10. 【請求項１０】上記粗化液に過硫酸塩を含む場合には、
    ｐＨ４以下の酸性溶液として成る請求項９記載のプリン
    ト配線基板の導体層表面粗化処理用粗化液。
11. 【請求項１１】過硫酸塩／銅腐食抑制剤系もしくは過硫
    酸塩／酸／銅腐食抑制剤系からなるプリント配線基板の
    導体層表面粗化処理用粗化液の調製法であって、粗化液
    の建浴後、４０〜８０℃で１０分〜５時間加熱すると共
    に、粗化液をｐＨ４以下の酸性溶液とする粗化液の調製
    方法。