JPH0783829A - 微弱発光測定装置 - Google Patents
微弱発光測定装置Info
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- JPH0783829A JPH0783829A JP23155893A JP23155893A JPH0783829A JP H0783829 A JPH0783829 A JP H0783829A JP 23155893 A JP23155893 A JP 23155893A JP 23155893 A JP23155893 A JP 23155893A JP H0783829 A JPH0783829 A JP H0783829A
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- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 13
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 claims description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 6
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 claims description 5
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 2
- 206010047571 Visual impairment Diseases 0.000 abstract description 3
- 230000004304 visual acuity Effects 0.000 abstract 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
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Landscapes
- Investigating, Analyzing Materials By Fluorescence Or Luminescence (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 一次元あるいは二次元の位置情報を取り出す
ことのできる微弱発光測定装置を提供する。 【構成】 本発明によれば、イメージ管の螢光面上に堆
積されたメタルバック電極から検出タイミングが得られ
るので、位置信号を得るためのアノードから検出タイミ
ングを求めるのと等価になる。また、螢光面の残像特性
を利用して、電子管の外部に設けた光電変換型撮像デバ
イスで位置信号を求め得る。
ことのできる微弱発光測定装置を提供する。 【構成】 本発明によれば、イメージ管の螢光面上に堆
積されたメタルバック電極から検出タイミングが得られ
るので、位置信号を得るためのアノードから検出タイミ
ングを求めるのと等価になる。また、螢光面の残像特性
を利用して、電子管の外部に設けた光電変換型撮像デバ
イスで位置信号を求め得る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は一次元あるいは二次元位
置情報を出力することのできる高速タイミング微弱発光
測定装置に関する。
置情報を出力することのできる高速タイミング微弱発光
測定装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、このような分野の技術として、例
えば特開昭６１−２６６９４２号公報のものが知られて
いる。これは、単一光子レベルのサブナノ秒領域での発
光現象を、単一光子計数法により測定するものである。
えば特開昭６１−２６６９４２号公報のものが知られて
いる。これは、単一光子レベルのサブナノ秒領域での発
光現象を、単一光子計数法により測定するものである。
【０００３】この従来例は、試料を励起する光源と、励
起タイミングを求める手段と、試料からの微弱発光を検
出することにより検出タイミングと検出位置情報を求め
る検出手段と、励起タイミングと検出タイミングの時間
差情報および上記の検出位置情報を多数回の励起ごとに
集積する処理手段を備えている。
起タイミングを求める手段と、試料からの微弱発光を検
出することにより検出タイミングと検出位置情報を求め
る検出手段と、励起タイミングと検出タイミングの時間
差情報および上記の検出位置情報を多数回の励起ごとに
集積する処理手段を備えている。
【０００４】ここで、検出手段は光電面、マイクロチャ
ンネルプレート（ＭＣＰ）および電子入射型の半導体入
射位置検出器（ＰＳＤ）を含む光電子増倍管を有してい
る。そして、検出タイミングは上記ＭＣＰの電位変化か
ら求め、位置情報は上記ＰＳＤの出力から得ている。
ンネルプレート（ＭＣＰ）および電子入射型の半導体入
射位置検出器（ＰＳＤ）を含む光電子増倍管を有してい
る。そして、検出タイミングは上記ＭＣＰの電位変化か
ら求め、位置情報は上記ＰＳＤの出力から得ている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記の従来技
術では、半導体入射位置検出素子を電子管（光電子増倍
管）の内部に組み込むことが必要になってしまう。この
ため、システムが高価になりがちで、半導体入射位置検
出素子に欠陥が生じたときには、この素子のみを取り換
えることも不可能になる。
術では、半導体入射位置検出素子を電子管（光電子増倍
管）の内部に組み込むことが必要になってしまう。この
ため、システムが高価になりがちで、半導体入射位置検
出素子に欠陥が生じたときには、この素子のみを取り換
えることも不可能になる。
【０００６】また、検出タイミング信号は位置情報を求
める素子とは別のＭＣＰより得られているため、適切な
タイミング調整も必要になる。ここで、半導体入射位置
検出素子の出力から検出タイミングを求めることも考え
られるが、高速タイミングの測定ではジッタを増大させ
る要因となる。
める素子とは別のＭＣＰより得られているため、適切な
タイミング調整も必要になる。ここで、半導体入射位置
検出素子の出力から検出タイミングを求めることも考え
られるが、高速タイミングの測定ではジッタを増大させ
る要因となる。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の微弱発光測定装
置は、上記の課題を解決するためになされたもので、励
起されて微弱発光する試料に励起光パルスを入射するパ
ルス光源と、励起光パルスの入射タイミングに同期した
基準時間パルスを発生する基準時間パルス発生手段と、
空間的な拡がりをもって入射された前記微弱発光を単一
光子レベルで検出することにより、検出タイミングに同
期した検出時間パルスと、微弱発光の検出された空間的
位置に応じた位置信号とを出力する微弱発光検出手段
と、基準時間パルスと前記検出時間パルスのタイミング
の時間差に対応した時間差信号を出力する時間差信号出
力手段と、パルス光源による多数回の励起ごとに、位置
信号と時間差信号を対応させて集積するデータ処理手段
とを備え、特に上記の微弱発光検出手段は、微弱発光に
応答して光電子を放出する光電面と、この光電子を位置
情報を保持した状態で増倍する増倍手段と、増倍電子の
入射により発光する螢光面と、この螢光面の前面に堆積
されたメタルバック電極とを含むイメージ管を有し、検
出時間パルスはメタルバック電極の電位変化にもとづき
出力され、位置信号は螢光面における光学像を光電変換
することにより出力されるよう構成されている。
置は、上記の課題を解決するためになされたもので、励
起されて微弱発光する試料に励起光パルスを入射するパ
ルス光源と、励起光パルスの入射タイミングに同期した
基準時間パルスを発生する基準時間パルス発生手段と、
空間的な拡がりをもって入射された前記微弱発光を単一
光子レベルで検出することにより、検出タイミングに同
期した検出時間パルスと、微弱発光の検出された空間的
位置に応じた位置信号とを出力する微弱発光検出手段
と、基準時間パルスと前記検出時間パルスのタイミング
の時間差に対応した時間差信号を出力する時間差信号出
力手段と、パルス光源による多数回の励起ごとに、位置
信号と時間差信号を対応させて集積するデータ処理手段
とを備え、特に上記の微弱発光検出手段は、微弱発光に
応答して光電子を放出する光電面と、この光電子を位置
情報を保持した状態で増倍する増倍手段と、増倍電子の
入射により発光する螢光面と、この螢光面の前面に堆積
されたメタルバック電極とを含むイメージ管を有し、検
出時間パルスはメタルバック電極の電位変化にもとづき
出力され、位置信号は螢光面における光学像を光電変換
することにより出力されるよう構成されている。
【０００８】ここで、微弱発光検出手段の受光面の前面
に、微弱発光を空間的に分光するプリズム等の分光手段
を設ける構成としてもよい。
に、微弱発光を空間的に分光するプリズム等の分光手段
を設ける構成としてもよい。
【０００９】
【作用】本発明によれば、螢光面上に堆積されたメタル
バック電極から検出タイミングが得られるので、位置信
号を得るためのアノードから検出タイミングを求めるの
と等価になる。また、螢光面の残像特性を利用して、電
子管の外部に設けた光電変換型の撮像デバイスで位置信
号を求め得る。
バック電極から検出タイミングが得られるので、位置信
号を得るためのアノードから検出タイミングを求めるの
と等価になる。また、螢光面の残像特性を利用して、電
子管の外部に設けた光電変換型の撮像デバイスで位置信
号を求め得る。
【００１０】
【実施例】以下、添付図面により、本発明の一実施例を
説明する。
説明する。
【００１１】図１は実施例の構成を示すブロック図であ
り、図２は要部を分解して示す斜視図である。実施例の
装置は、試料１を励起する励起光学系と、試料１からの
微弱発光を波長に応じて空間分解する螢光光学系と、こ
の微弱発光を検出する光検出系と、これらの出力信号を
処理する処理系から構成されている。
り、図２は要部を分解して示す斜視図である。実施例の
装置は、試料１を励起する励起光学系と、試料１からの
微弱発光を波長に応じて空間分解する螢光光学系と、こ
の微弱発光を検出する光検出系と、これらの出力信号を
処理する処理系から構成されている。
【００１２】まず、図１のように励起光学系は励起光パ
ルスを生成するパルスレーザ光源２１を有し、この出力
光はハーフミラー２２および集光レンズ２３を介して試
料１に入射される。螢光光学系は試料１の微弱発光を集
光する集光レンズ３１を有し、この集光された検出光は
分光器３２に入射される。分光器３２はスリット３３を
有するスリット板３４に入射され、プリズム３５で分光
されて波長ごとに空間分解される。すなわち、検出光に
波長λ1 ，λ2 の光が含まれていると、図２のように波
長ごとに位置情報を持たされる。なお、図示しないＮＤ
フィルタなどにより、検出光は単一光子レベルまで減光
されている。
ルスを生成するパルスレーザ光源２１を有し、この出力
光はハーフミラー２２および集光レンズ２３を介して試
料１に入射される。螢光光学系は試料１の微弱発光を集
光する集光レンズ３１を有し、この集光された検出光は
分光器３２に入射される。分光器３２はスリット３３を
有するスリット板３４に入射され、プリズム３５で分光
されて波長ごとに空間分解される。すなわち、検出光に
波長λ1 ，λ2 の光が含まれていると、図２のように波
長ごとに位置情報を持たされる。なお、図示しないＮＤ
フィルタなどにより、検出光は単一光子レベルまで減光
されている。
【００１３】光検出系は例えばイメージインテンシファ
イヤ管（Ｉ・Ｉ管）と呼ばれるイメージ管４で構成さ
れ、このイメージ管４は受光面に形成された光電面４１
と、この放出光電子を増倍するマイクロチャンネルプレ
ート４２と、出力面に形成された螢光面４３とを有し、
この螢光面４３上にはメタルバック電極４４が堆積され
ている。このメタルバック電極４４は蒸着などによる薄
い金属膜であり、螢光面４３の光がマイクロチャンネル
プレート４２にフィードバックするのを防止している。
イヤ管（Ｉ・Ｉ管）と呼ばれるイメージ管４で構成さ
れ、このイメージ管４は受光面に形成された光電面４１
と、この放出光電子を増倍するマイクロチャンネルプレ
ート４２と、出力面に形成された螢光面４３とを有し、
この螢光面４３上にはメタルバック電極４４が堆積され
ている。このメタルバック電極４４は蒸着などによる薄
い金属膜であり、螢光面４３の光がマイクロチャンネル
プレート４２にフィードバックするのを防止している。
【００１４】このようなイメージ管４によれば、図２に
示すように、光電面４１に入射した波長λ1 ，λ2 の光
に応じて光電子ｅ1 ，ｅ2 が放出され、マイクロチャン
ネルプレート４２の増倍率ｍ（およそ１０6 ）倍に増大
されて螢光面４３に入射される。ここで、光電面４１、
マイクロチャンネルプレート４２および螢光面４３上の
メタルバック電極４４にはバイアス電圧Ｅ1 ，Ｅ2 ，Ｅ
3 が印加されており、また電子レンズ系（図示せず）も
設けられている。
示すように、光電面４１に入射した波長λ1 ，λ2 の光
に応じて光電子ｅ1 ，ｅ2 が放出され、マイクロチャン
ネルプレート４２の増倍率ｍ（およそ１０6 ）倍に増大
されて螢光面４３に入射される。ここで、光電面４１、
マイクロチャンネルプレート４２および螢光面４３上の
メタルバック電極４４にはバイアス電圧Ｅ1 ，Ｅ2 ，Ｅ
3 が印加されており、また電子レンズ系（図示せず）も
設けられている。
【００１５】この構成によると、メタルバック電極４４
に増倍電子が入射されたタイミングで電位が変化するの
で、このアノードと等価のメタルバック電極４４の電位
変化が検出時間タイミングとして利用できる。また、こ
のタイミングと同期して螢光面４３が発光し、これがイ
メージセンサ５に撮像される。ここで、イメージセンサ
５は分光器３２による波長ごとの空間分解の方向に位置
分解能を有しているので、入射位置情報を電気信号とし
て出力できる。
に増倍電子が入射されたタイミングで電位が変化するの
で、このアノードと等価のメタルバック電極４４の電位
変化が検出時間タイミングとして利用できる。また、こ
のタイミングと同期して螢光面４３が発光し、これがイ
メージセンサ５に撮像される。ここで、イメージセンサ
５は分光器３２による波長ごとの空間分解の方向に位置
分解能を有しているので、入射位置情報を電気信号とし
て出力できる。
【００１６】処理系はタイミング処理系と、入射位置情
報の処理系と、これらデータの集積処理系に大別され
る。まず、タイミング処理系はホトダイオード６１を有
し、この出力すなわち励起パルス光の入射タイミングに
同期した基準時間パルスが、第１のコンスタントフラク
ション弁別器（ＣＦＤ1 ）６２を経由して時間電圧変換
器（ＴＡＣ）６３のスタート端子に入力される。一方、
メタルバック電極４４の電位変化はアンプ６４から第２
のコンスタントフラクション弁別器（ＣＤＦ2 ）６５を
経由して、上記の時間電圧変換器６６のストップ端子に
入力される。時間電圧変換器６６はスタート・ストップ
間の時間差を求め、時間差信号として出力する。
報の処理系と、これらデータの集積処理系に大別され
る。まず、タイミング処理系はホトダイオード６１を有
し、この出力すなわち励起パルス光の入射タイミングに
同期した基準時間パルスが、第１のコンスタントフラク
ション弁別器（ＣＦＤ1 ）６２を経由して時間電圧変換
器（ＴＡＣ）６３のスタート端子に入力される。一方、
メタルバック電極４４の電位変化はアンプ６４から第２
のコンスタントフラクション弁別器（ＣＤＦ2 ）６５を
経由して、上記の時間電圧変換器６６のストップ端子に
入力される。時間電圧変換器６６はスタート・ストップ
間の時間差を求め、時間差信号として出力する。
【００１７】一方、位置情報処理系は位置検出回路７１
を有し、イメージセンサ５の出力を演算して位置情報信
号を出力する。ここで、タイミング信号発生回路８は検
出時間タイミングにもとづく第２の弁別器６５の出力に
もとづきタイミング同期のための信号を求め、これをＡ
Ｄコンバータ（ＡＤＣ1 ，ＡＤＣ2 ）７２，６６に与え
る。これに従い、ＡＤコンバータ６６は時間電圧変換器
６３からの時間差信号をディジタル化してメモリ９１に
与え、ＡＤコンバータ７２は位置検出回路７１からの位
置情報信号をディジタル化してメモリ９１に与える。
を有し、イメージセンサ５の出力を演算して位置情報信
号を出力する。ここで、タイミング信号発生回路８は検
出時間タイミングにもとづく第２の弁別器６５の出力に
もとづきタイミング同期のための信号を求め、これをＡ
Ｄコンバータ（ＡＤＣ1 ，ＡＤＣ2 ）７２，６６に与え
る。これに従い、ＡＤコンバータ６６は時間電圧変換器
６３からの時間差信号をディジタル化してメモリ９１に
与え、ＡＤコンバータ７２は位置検出回路７１からの位
置情報信号をディジタル化してメモリ９１に与える。
【００１８】集積処理系としてのメモリ９１は、ＣＰＵ
９２のコントロールに従い、励起ごとの位置情報信号と
時間差信号の集積を行う。すなわち、パルスレーザ光源
２１による試料１の励起が多数回にわたって繰り返さ
れ、各々の励起ごとに得られた位置情報信号と時間差信
号をペアとして、メモリ９１に記憶していく。
９２のコントロールに従い、励起ごとの位置情報信号と
時間差信号の集積を行う。すなわち、パルスレーザ光源
２１による試料１の励起が多数回にわたって繰り返さ
れ、各々の励起ごとに得られた位置情報信号と時間差信
号をペアとして、メモリ９１に記憶していく。
【００１９】これにより、単一電子計数法による微弱発
光の観測がなされるが、この観測では波長に応じて一次
元の位置分解がされているので、波長ごとの微弱発光計
測が実現される。そして、必要に応じてＣＲＴなどで表
示される。
光の観測がなされるが、この観測では波長に応じて一次
元の位置分解がされているので、波長ごとの微弱発光計
測が実現される。そして、必要に応じてＣＲＴなどで表
示される。
【００２０】上記実施例によれば、ＭＣＰ−ＰＭＴを用
いた場合と同様の、５０ｐｓ以下の時間分解特性を得る
ことができる。また、位置情報は螢光面４３の発光から
得るため、螢光体の残光特性を利用でき、正確なタイミ
ング信号を必要とせずに正確な位置情報を得ることがで
きる。すなわち、従来のように位置情報を光ではなく電
気信号で取り出すときは、適当なタイミングを必要とす
る。さらに、ＭＣＰ−ＰＭＴを用いた場合と違って、本
発明では位置情報（実施例では波長）も同時に得ること
ができる。
いた場合と同様の、５０ｐｓ以下の時間分解特性を得る
ことができる。また、位置情報は螢光面４３の発光から
得るため、螢光体の残光特性を利用でき、正確なタイミ
ング信号を必要とせずに正確な位置情報を得ることがで
きる。すなわち、従来のように位置情報を光ではなく電
気信号で取り出すときは、適当なタイミングを必要とす
る。さらに、ＭＣＰ−ＰＭＴを用いた場合と違って、本
発明では位置情報（実施例では波長）も同時に得ること
ができる。
【００２１】
【発明の効果】以上の通り、本発明の微弱発光測定装置
では、螢光面上に堆積されたメタルバック電極から検出
タイミングが得られるので、位置信号を得るためのアノ
ードから検出タイミングを求めるのと等価になる。ま
た、螢光面の残像特性を利用して、電子管の外部に設け
た光電変換型の撮像デバイスで位置信号を求め得る。以
上の結果として、時間分解特性の優れた高速タイミング
信号を得ることができる。
では、螢光面上に堆積されたメタルバック電極から検出
タイミングが得られるので、位置信号を得るためのアノ
ードから検出タイミングを求めるのと等価になる。ま
た、螢光面の残像特性を利用して、電子管の外部に設け
た光電変換型の撮像デバイスで位置信号を求め得る。以
上の結果として、時間分解特性の優れた高速タイミング
信号を得ることができる。
【図１】実施例に係る微弱発光測定装置のブロック図。
【図２】実施例の要部の斜視図。
【符号の説明】 １…試料、２１…パルスレーザ光源、３２…分光器、４
…イメージ管、４１…光電面、４２…マイクロチャンネ
ルプレート、４３…螢光面、４４…メタルバック電極、
５…イメージセンサ、６６…時間電圧変換器、７１…位
置検出回路、８…タイミング信号発生回路、９２…ＣＰ
Ｕ。
…イメージ管、４１…光電面、４２…マイクロチャンネ
ルプレート、４３…螢光面、４４…メタルバック電極、
５…イメージセンサ、６６…時間電圧変換器、７１…位
置検出回路、８…タイミング信号発生回路、９２…ＣＰ
Ｕ。
Claims (2)
- 【請求項１】 励起されて微弱発光する試料に励起光パ
ルスを入射するパルス光源と、 前記励起光パルスの入射タイミングに同期した基準時間
パルスを発生する基準時間パルス発生手段と、 空間的な拡がりをもって入射された前記微弱発光を単一
光子レベルで検出することにより、検出タイミングに同
期した検出時間パルスと、前記微弱発光の検出された空
間的位置に応じた位置信号とを出力する微弱発光検出手
段と、 前記基準時間パルスと前記検出時間パルスのタイミング
の時間差に対応した時間差信号を出力する時間差信号出
力手段と、 前記パルス光源による多数回の励起ごとに、前記位置信
号と前記時間差信号を対応させて集積するデータ処理手
段とを備え、 前記微弱発光検出手段は、 前記微弱発光に応答して光電子を放出する光電面と、こ
の光電子を位置情報を保持した状態で増倍する増倍手段
と、増倍電子の入射により発光する螢光面と、この螢光
面の前面に堆積されたメタルバック電極とを含むイメー
ジ管を有し、 前記検出時間パルスは前記メタルバック電極の電位変化
にもとづき出力され、 前記位置信号は前記螢光面における光学像を光電変換す
ることにより出力されるよう構成されていることを特徴
とする微弱発光測定装置。 - 【請求項２】 前記微弱発光検出手段の受光面の前面
に、前記微弱発光を空間的に分光する分光手段を更に備
える請求項１記載の微弱発光測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23155893A JP3315212B2 (ja) | 1993-09-17 | 1993-09-17 | 微弱発光測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23155893A JP3315212B2 (ja) | 1993-09-17 | 1993-09-17 | 微弱発光測定装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0783829A true JPH0783829A (ja) | 1995-03-31 |
| JP3315212B2 JP3315212B2 (ja) | 2002-08-19 |
Family
ID=16925393
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23155893A Expired - Fee Related JP3315212B2 (ja) | 1993-09-17 | 1993-09-17 | 微弱発光測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3315212B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09210907A (ja) * | 1996-02-06 | 1997-08-15 | Bunshi Bio Photonics Kenkyusho:Kk | 走査型蛍光検出装置 |
| JP2007501934A (ja) * | 2003-08-12 | 2007-02-01 | ライカ ミクロジュステムス ツェーエムエス ゲーエムベーハー | 光ビームの光子検出装置 |
-
1993
- 1993-09-17 JP JP23155893A patent/JP3315212B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09210907A (ja) * | 1996-02-06 | 1997-08-15 | Bunshi Bio Photonics Kenkyusho:Kk | 走査型蛍光検出装置 |
| JP2007501934A (ja) * | 2003-08-12 | 2007-02-01 | ライカ ミクロジュステムス ツェーエムエス ゲーエムベーハー | 光ビームの光子検出装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3315212B2 (ja) | 2002-08-19 |
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