JPH0784018A - 高感度磁場検出装置 - Google Patents
高感度磁場検出装置Info
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- JPH0784018A JPH0784018A JP5231762A JP23176293A JPH0784018A JP H0784018 A JPH0784018 A JP H0784018A JP 5231762 A JP5231762 A JP 5231762A JP 23176293 A JP23176293 A JP 23176293A JP H0784018 A JPH0784018 A JP H0784018A
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- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims abstract description 7
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims abstract description 7
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- 238000013016 damping Methods 0.000 claims description 6
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 claims description 4
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 磁束変化に対してより大きな電圧変化を実現
することすることができ。すなわち、磁束電圧変換効率
ｄＶ／ｄφを向上させ、高感度磁場検出装置の雑音特性
や周波数特性を向上させる。 【構成】 高感度磁場検出装置において、バイアス電流
供給回路４は定電流回路２と、信号電圧を電流に変換し
てバイアス電流に加算する電圧電流変換手段３とで構成
した。ＤＣ−ＳＱＵＩＤ１の信号電圧は電圧増幅回路５
で増幅され帰還回路８へ伝達され、帰還電流は帰還コイ
ル９により帰還磁束としてＤＣ−ＳＱＵＩＤ１へ帰還さ
れる。一方、電圧増幅器５の出力は電圧電流変換手段３
で電流変換され、定電流回路２からの定電流に加算され
ＤＣ−ＳＱＵＩＤ１に供給される。上記のような構成に
より、ＤＣ−ＳＱＵＩＤ１に供給されるバイアス電流は
ＤＣ−ＳＱＵＩＤ１の電圧の増加にともない増加し、そ
れに伴って、出力電圧の最大値も増加し、磁束電圧変換
効率が向上する。
することすることができ。すなわち、磁束電圧変換効率
ｄＶ／ｄφを向上させ、高感度磁場検出装置の雑音特性
や周波数特性を向上させる。 【構成】 高感度磁場検出装置において、バイアス電流
供給回路４は定電流回路２と、信号電圧を電流に変換し
てバイアス電流に加算する電圧電流変換手段３とで構成
した。ＤＣ−ＳＱＵＩＤ１の信号電圧は電圧増幅回路５
で増幅され帰還回路８へ伝達され、帰還電流は帰還コイ
ル９により帰還磁束としてＤＣ−ＳＱＵＩＤ１へ帰還さ
れる。一方、電圧増幅器５の出力は電圧電流変換手段３
で電流変換され、定電流回路２からの定電流に加算され
ＤＣ−ＳＱＵＩＤ１に供給される。上記のような構成に
より、ＤＣ−ＳＱＵＩＤ１に供給されるバイアス電流は
ＤＣ−ＳＱＵＩＤ１の電圧の増加にともない増加し、そ
れに伴って、出力電圧の最大値も増加し、磁束電圧変換
効率が向上する。
Description
【産業上の利用分野】本発明はＤＣ−ＳＱＵＩＤ（直流
駆動型超伝導量子干渉素子）を用いた高感度磁場検出装
置に関する。
駆動型超伝導量子干渉素子）を用いた高感度磁場検出装
置に関する。
【従来の技術】従来、ＤＣ−ＳＱＵＩＤ駆動回路装置の
一部を構成するバイアス電流供給回路は定電流回路によ
って構成されていた。図８は従来の高感度磁場検出装置
の構成を表した図である。１はＤＣ−ＳＱＵＩＤ、２は
定電流回路、５は電圧増幅回路、６は積分回路、７は電
圧電流変換回路で、８の点線で囲んだ部分が帰還回路で
ある。ＤＣ−ＳＱＵＩＤ１は定電流回路２からバイアス
電流が供給される。ＤＣ−ＳＱＵＩＤ１の信号電圧は電
圧増幅回路５で増幅され帰還回路８へ伝達され、帰還電
流は帰還コイル９により帰還磁束としてＤＣ−ＳＱＵＩ
Ｄ１へ帰還される。図９は従来例によるＤＣ−ＳＱＵＩ
Ｄの電流−電圧特性とバイアス電流の関係を示した図で
ある。ＤＣ−ＳＱＵＩＤの電流−電圧特性において、超
伝導臨界電流はＤＣ−ＳＱＵＩＤへの入力磁束の大きさ
に応じてΔＩ変化する。定電流回路を用いて最大超伝導
臨界電流値と同じ大きさのバイアス電流を供給した場
合、図９に示すように入力磁束の大きさに応じて最大で
ΔＶ１の電圧変化が得られる。
一部を構成するバイアス電流供給回路は定電流回路によ
って構成されていた。図８は従来の高感度磁場検出装置
の構成を表した図である。１はＤＣ−ＳＱＵＩＤ、２は
定電流回路、５は電圧増幅回路、６は積分回路、７は電
圧電流変換回路で、８の点線で囲んだ部分が帰還回路で
ある。ＤＣ−ＳＱＵＩＤ１は定電流回路２からバイアス
電流が供給される。ＤＣ−ＳＱＵＩＤ１の信号電圧は電
圧増幅回路５で増幅され帰還回路８へ伝達され、帰還電
流は帰還コイル９により帰還磁束としてＤＣ−ＳＱＵＩ
Ｄ１へ帰還される。図９は従来例によるＤＣ−ＳＱＵＩ
Ｄの電流−電圧特性とバイアス電流の関係を示した図で
ある。ＤＣ−ＳＱＵＩＤの電流−電圧特性において、超
伝導臨界電流はＤＣ−ＳＱＵＩＤへの入力磁束の大きさ
に応じてΔＩ変化する。定電流回路を用いて最大超伝導
臨界電流値と同じ大きさのバイアス電流を供給した場
合、図９に示すように入力磁束の大きさに応じて最大で
ΔＶ１の電圧変化が得られる。
【発明が解決しようとする課題】上記従来の高感度磁場
検出装置ではΔＶ１の値はＤＣ−ＳＱＵＩＤ固有の値で
あり、さらに大きくすることはできなかった。接続した
ＤＣ−ＳＱＵＩＤの電圧変化ΔＶ１が小さい場合、磁束
電圧変換効率ｄＶ／ｄφが劣化し、高感度磁場検出装置
の雑音特性や周波数特性を劣化させる問題があった。
検出装置ではΔＶ１の値はＤＣ−ＳＱＵＩＤ固有の値で
あり、さらに大きくすることはできなかった。接続した
ＤＣ−ＳＱＵＩＤの電圧変化ΔＶ１が小さい場合、磁束
電圧変換効率ｄＶ／ｄφが劣化し、高感度磁場検出装置
の雑音特性や周波数特性を劣化させる問題があった。
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の課題を
解決するため、ＤＣ−ＳＱＵＩＤ駆動回路装置の一部を
構成するバイアス電流供給回路には、定電流回路に加
え、信号電圧を電流に変換してバイアス電流に加算する
電圧電流変換手段を設置した。あるいは、バイアス電流
供給回路は、定電圧回路と、定電圧回路の出力電圧と信
号電圧を加算する電圧加算回路と、電圧加算回路の出力
電圧を電流に変換する電圧電流変換手段とで構成した。
解決するため、ＤＣ−ＳＱＵＩＤ駆動回路装置の一部を
構成するバイアス電流供給回路には、定電流回路に加
え、信号電圧を電流に変換してバイアス電流に加算する
電圧電流変換手段を設置した。あるいは、バイアス電流
供給回路は、定電圧回路と、定電圧回路の出力電圧と信
号電圧を加算する電圧加算回路と、電圧加算回路の出力
電圧を電流に変換する電圧電流変換手段とで構成した。
【作用】上記のような高感度磁場検出装置では、接続し
たＤＣ−ＳＱＵＩＤの電流−電圧特性上で電圧変化ΔＶ
１が小さい場合でも、磁束変化に対してより大きな電圧
変化を実現することができ、すなわち磁束電圧変換効率
ｄＶ／ｄφを向上させることができる。
たＤＣ−ＳＱＵＩＤの電流−電圧特性上で電圧変化ΔＶ
１が小さい場合でも、磁束変化に対してより大きな電圧
変化を実現することができ、すなわち磁束電圧変換効率
ｄＶ／ｄφを向上させることができる。
【実施例】以下に本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。図１は本発明の第１実施例を示す高感度磁
場検出装置の構成を表した図である。１はＤＣ−ＳＱＵ
ＩＤ、５は電圧増幅回路、６は積分回路、７は電圧電流
変換回路で、８の点線で囲んだ部分が帰還回路である。
４の部分はバイアス電流供給回路で本発明により設置し
た電圧電流変換手段３と定電流回路２とからなる。ＤＣ
−ＳＱＵＩＤ１の信号電圧は電圧増幅回路５で増幅され
帰還回路８へ伝達され、帰還電流は帰還コイル９により
帰還磁束としてＤＣ−ＳＱＵＩＤ１へ帰還される。一
方、電圧増幅器５の出力は電圧電流変換手段３で電流変
換され、定電流回路２からの定電流に加算されＤＣ−Ｓ
ＱＵＩＤ１に供給される。上記のような高感度磁場検出
装置の構成によれば、ＤＣ−ＳＱＵＩＤ１に供給される
バイアス電流はＤＣ−ＳＱＵＩＤ１の電圧の増加にとも
ない増加する。図６は本発明の第一実施例によるＤＣ−
ＳＱＵＩＤの電流−電圧特性とバイアス電流の関係を示
した図である。超伝導臨界電流はＤＣ−ＳＱＵＩＤへの
入力磁束の変化に応じてΔＩ変化する。定電流回路２の
電流値を最大超伝導臨界電流値と同じ大きさに設定した
場合、ＤＣ−ＳＱＵＩＤ１に供給されるバイアス電流は
図６中に示したように電圧の増加とともに増加する。従
って、出力電圧の最大値は図中のΔＶ２で示す大きさと
なり、図９の従来例で示した出力電圧ΔＶ１より大きな
電圧変化を実現できる。上記のような高感度磁場検出装
置では、ＤＣ−ＳＱＵＩＤの定電流バイアス時の電圧変
化が小さい場合、信号電圧を電流に変換してバイアス電
流に加算する電圧電流変換手段を設置することにより、
磁束変化に対してより大きな電圧変化を実現でき、磁束
電圧変換効率ｄＶ／ｄφを向上させ、高感度磁場検出装
置の雑音特性や周波数特性を向上させることが可能であ
る。図２は本発明の第２実施例を示す高感度磁場検出装
置の構成を表した図である。図１に示した実施例とは電
圧電流変換手段３の電圧検出位置が異なる。図１に示し
た実施例は、電圧電流変換手段３によって電圧増幅回路
５の出力電圧が検出され電流に変換される構成である
が、本実施例は電圧電流変換手段３はＤＣ−ＳＱＵＩＤ
１の電圧を直接検出して電流に変換し、定電流回路３の
電流と加算する構成である。その他の構成は図１に示し
た実施例と同様である。上記のような高感度磁場検出装
置の構成による作用および効果は増幅前の電圧を電流に
変換することを除いて前の実施例と変わるところはな
い。図３は本発明の第３実施例を示す高感度磁場検出装
置のバイアス電流供給部分の構成を表した図である。１
２は電圧加算回路、１３は定電圧回路である。前の実施
例とは、定電圧回路１３の出力電圧と電圧増幅回路５の
出力である信号電圧を、電圧加算回路１２であらかじめ
加算してから電圧電流手段３でバイアス電流に変換する
ところが異なる。上記のような高感度磁場検出装置の構
成による作用および効果はあらかじめ電圧加算してから
バイアス電流に変換することを除いて前の実施例と変わ
るところはない。図４は本発明の第４実施例を示す高感
度磁場検出装置のバイアス電流供給部分の構成を表した
図である。前の実施例とは、バイアス電流をＤＣ−ＳＱ
ＵＩＤ１のダンピング抵抗１０を介して供給するところ
が異なる。バイアス電流をダンピング抵抗１０を介して
供給することによりバイアス電流に含まれる高周波雑音
を低減できる。さらに、電流−電圧特性において、ダン
ピング抵抗値Ｒｄの４分の１の抵抗値と電流値の積で表
される電圧が増加する。図７は本発明の第４実施例によ
るＤＣ−ＳＱＵＩＤの電流−電圧特性とバイアス電流の
関係を示した図である。電流−電圧特性において、ダン
ピング抵抗値Ｒｄの４分の１の抵抗値と電流値の積で表
される電圧増加分、特性は右へ（電圧側へ）傾きが増加
する。従来の定電流バイアスでは、入力磁束の大きさに
応じて得られる最大の電圧変化は図９の従来例に示した
ΔＶ１と変わりない。本発明によるバイアス電流供給回
路４の構成によれば、出力電圧の最大値は図中のΔＶ３
で示す大きさとなり、図６で示した出力電圧ΔＶ２より
さらに大きな電圧変化を実現できる。上記のような高感
度磁場検出装置の構成によれば、磁束変化に対してより
大きな電圧変化を実現でき、その作用および効果は前の
実施例と変わるところはない。図５は本発明の第５実施
例を示す高感度磁場検出装置のバイアス電流供給部分の
構成を表した図である。前の実施例とは、バイアス電流
を抵抗１１を介してＤＣ−ＳＱＵＩＤ１に供給するとこ
ろが異なる。バイアス電流を抵抗１１を介して供給する
ことによりバイアス電流に含まれる高周波雑音を低減で
きる。さらに、電流−電圧特性において、抵抗１１の１
個の抵抗値Ｒの２倍の抵抗値と電流値の積で表される電
圧が増加する。上記のような高感度磁場検出装置の構成
による作用および効果は前の実施例と変わるところはな
い。図５では抵抗１１を２個配置した例を示したが、抵
抗１１を１個としても本発明によるバイアス供給回路４
を用いた高感度磁場検出装置の構成による作用および効
果は前の実施例と変わるところはない。上記実施例は無
変調型の高感度磁場検出装置を示したが、帰還回路８を
変調型とした高感度磁場検出装置においてそのバイアス
供給回路４を上記のように電圧電流変換手段３と定電流
回路２で構成してもその作用および効果は前の実施例と
変わるところはない。また、帰還回路８を変調型とした
高感度磁場検出装置においてそのバイアス供給回路４を
図３に示した本発明の第３実施例のように、定電圧回路
１３と、定電圧回路１３の出力電圧と信号電圧を加算す
る電圧加算回路１２と、電圧加算回路の出力電圧を電流
に変換する電圧電流変換手段３とで構成してもその作用
および効果は前の実施例と変わるところはない。ＤＣ−
ＳＱＵＩＤ１としては超伝導リングを１個有する従来型
のＤＣ−ＳＱＵＩＤの他に、特開平４−２９７９に示さ
れるような直列結合型のＤＣ−ＳＱＵＩＤや特開平４−
２９８０に示されるような並列結合型のＤＣ−ＳＱＵＩ
Ｄも用いられる。
て説明する。図１は本発明の第１実施例を示す高感度磁
場検出装置の構成を表した図である。１はＤＣ−ＳＱＵ
ＩＤ、５は電圧増幅回路、６は積分回路、７は電圧電流
変換回路で、８の点線で囲んだ部分が帰還回路である。
４の部分はバイアス電流供給回路で本発明により設置し
た電圧電流変換手段３と定電流回路２とからなる。ＤＣ
−ＳＱＵＩＤ１の信号電圧は電圧増幅回路５で増幅され
帰還回路８へ伝達され、帰還電流は帰還コイル９により
帰還磁束としてＤＣ−ＳＱＵＩＤ１へ帰還される。一
方、電圧増幅器５の出力は電圧電流変換手段３で電流変
換され、定電流回路２からの定電流に加算されＤＣ−Ｓ
ＱＵＩＤ１に供給される。上記のような高感度磁場検出
装置の構成によれば、ＤＣ−ＳＱＵＩＤ１に供給される
バイアス電流はＤＣ−ＳＱＵＩＤ１の電圧の増加にとも
ない増加する。図６は本発明の第一実施例によるＤＣ−
ＳＱＵＩＤの電流−電圧特性とバイアス電流の関係を示
した図である。超伝導臨界電流はＤＣ−ＳＱＵＩＤへの
入力磁束の変化に応じてΔＩ変化する。定電流回路２の
電流値を最大超伝導臨界電流値と同じ大きさに設定した
場合、ＤＣ−ＳＱＵＩＤ１に供給されるバイアス電流は
図６中に示したように電圧の増加とともに増加する。従
って、出力電圧の最大値は図中のΔＶ２で示す大きさと
なり、図９の従来例で示した出力電圧ΔＶ１より大きな
電圧変化を実現できる。上記のような高感度磁場検出装
置では、ＤＣ−ＳＱＵＩＤの定電流バイアス時の電圧変
化が小さい場合、信号電圧を電流に変換してバイアス電
流に加算する電圧電流変換手段を設置することにより、
磁束変化に対してより大きな電圧変化を実現でき、磁束
電圧変換効率ｄＶ／ｄφを向上させ、高感度磁場検出装
置の雑音特性や周波数特性を向上させることが可能であ
る。図２は本発明の第２実施例を示す高感度磁場検出装
置の構成を表した図である。図１に示した実施例とは電
圧電流変換手段３の電圧検出位置が異なる。図１に示し
た実施例は、電圧電流変換手段３によって電圧増幅回路
５の出力電圧が検出され電流に変換される構成である
が、本実施例は電圧電流変換手段３はＤＣ−ＳＱＵＩＤ
１の電圧を直接検出して電流に変換し、定電流回路３の
電流と加算する構成である。その他の構成は図１に示し
た実施例と同様である。上記のような高感度磁場検出装
置の構成による作用および効果は増幅前の電圧を電流に
変換することを除いて前の実施例と変わるところはな
い。図３は本発明の第３実施例を示す高感度磁場検出装
置のバイアス電流供給部分の構成を表した図である。１
２は電圧加算回路、１３は定電圧回路である。前の実施
例とは、定電圧回路１３の出力電圧と電圧増幅回路５の
出力である信号電圧を、電圧加算回路１２であらかじめ
加算してから電圧電流手段３でバイアス電流に変換する
ところが異なる。上記のような高感度磁場検出装置の構
成による作用および効果はあらかじめ電圧加算してから
バイアス電流に変換することを除いて前の実施例と変わ
るところはない。図４は本発明の第４実施例を示す高感
度磁場検出装置のバイアス電流供給部分の構成を表した
図である。前の実施例とは、バイアス電流をＤＣ−ＳＱ
ＵＩＤ１のダンピング抵抗１０を介して供給するところ
が異なる。バイアス電流をダンピング抵抗１０を介して
供給することによりバイアス電流に含まれる高周波雑音
を低減できる。さらに、電流−電圧特性において、ダン
ピング抵抗値Ｒｄの４分の１の抵抗値と電流値の積で表
される電圧が増加する。図７は本発明の第４実施例によ
るＤＣ−ＳＱＵＩＤの電流−電圧特性とバイアス電流の
関係を示した図である。電流−電圧特性において、ダン
ピング抵抗値Ｒｄの４分の１の抵抗値と電流値の積で表
される電圧増加分、特性は右へ（電圧側へ）傾きが増加
する。従来の定電流バイアスでは、入力磁束の大きさに
応じて得られる最大の電圧変化は図９の従来例に示した
ΔＶ１と変わりない。本発明によるバイアス電流供給回
路４の構成によれば、出力電圧の最大値は図中のΔＶ３
で示す大きさとなり、図６で示した出力電圧ΔＶ２より
さらに大きな電圧変化を実現できる。上記のような高感
度磁場検出装置の構成によれば、磁束変化に対してより
大きな電圧変化を実現でき、その作用および効果は前の
実施例と変わるところはない。図５は本発明の第５実施
例を示す高感度磁場検出装置のバイアス電流供給部分の
構成を表した図である。前の実施例とは、バイアス電流
を抵抗１１を介してＤＣ−ＳＱＵＩＤ１に供給するとこ
ろが異なる。バイアス電流を抵抗１１を介して供給する
ことによりバイアス電流に含まれる高周波雑音を低減で
きる。さらに、電流−電圧特性において、抵抗１１の１
個の抵抗値Ｒの２倍の抵抗値と電流値の積で表される電
圧が増加する。上記のような高感度磁場検出装置の構成
による作用および効果は前の実施例と変わるところはな
い。図５では抵抗１１を２個配置した例を示したが、抵
抗１１を１個としても本発明によるバイアス供給回路４
を用いた高感度磁場検出装置の構成による作用および効
果は前の実施例と変わるところはない。上記実施例は無
変調型の高感度磁場検出装置を示したが、帰還回路８を
変調型とした高感度磁場検出装置においてそのバイアス
供給回路４を上記のように電圧電流変換手段３と定電流
回路２で構成してもその作用および効果は前の実施例と
変わるところはない。また、帰還回路８を変調型とした
高感度磁場検出装置においてそのバイアス供給回路４を
図３に示した本発明の第３実施例のように、定電圧回路
１３と、定電圧回路１３の出力電圧と信号電圧を加算す
る電圧加算回路１２と、電圧加算回路の出力電圧を電流
に変換する電圧電流変換手段３とで構成してもその作用
および効果は前の実施例と変わるところはない。ＤＣ−
ＳＱＵＩＤ１としては超伝導リングを１個有する従来型
のＤＣ−ＳＱＵＩＤの他に、特開平４−２９７９に示さ
れるような直列結合型のＤＣ−ＳＱＵＩＤや特開平４−
２９８０に示されるような並列結合型のＤＣ−ＳＱＵＩ
Ｄも用いられる。
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、高
感度磁場検出装置において、信号電圧を電流に変換して
バイアス電流に加算する電圧電流変換手段を設置するこ
とにより、接続したＤＣ−ＳＱＵＩＤの定電流バイアス
時の電圧変化が小さい場合でも、磁束変化に対してより
大きな電圧変化を実現することすることができ、磁束電
圧変換効率ｄＶ／ｄφを向上させ、高感度磁場検出装置
の雑音特性や周波数特性を向上させることが可能であ
る。
感度磁場検出装置において、信号電圧を電流に変換して
バイアス電流に加算する電圧電流変換手段を設置するこ
とにより、接続したＤＣ−ＳＱＵＩＤの定電流バイアス
時の電圧変化が小さい場合でも、磁束変化に対してより
大きな電圧変化を実現することすることができ、磁束電
圧変換効率ｄＶ／ｄφを向上させ、高感度磁場検出装置
の雑音特性や周波数特性を向上させることが可能であ
る。
【図１】本発明の第１実施例を示す高感度磁場検出装置
の構成図である。
の構成図である。
【図２】本発明の第２実施例を示す高感度磁場検出装置
の構成図である。
の構成図である。
【図３】本発明の第３実施例を示す高感度磁場検出装置
のバイアス電流供給部分の構成図である。
のバイアス電流供給部分の構成図である。
【図４】本発明の第４実施例を示す高感度磁場検出装置
のバイアス電流供給部分の構成図である。
のバイアス電流供給部分の構成図である。
【図５】本発明の第５実施例を示す高感度磁場検出装置
のバイアス電流供給部分の構成図である。
のバイアス電流供給部分の構成図である。
【図６】本発明の実施例によるＤＣ−ＳＱＵＩＤの電流
−電圧特性とバイアス電流の関係を示した図である。
−電圧特性とバイアス電流の関係を示した図である。
【図７】本発明の第４実施例によるＤＣ−ＳＱＵＩＤの
電流−電圧特性とバイアス電流の関係を示した図であ
る。
電流−電圧特性とバイアス電流の関係を示した図であ
る。
【図８】従来の高感度磁場検出装置の構成を表した図で
ある。
ある。
【図９】従来例によるＤＣ−ＳＱＵＩＤの電流−電圧特
性とバイアス電流の関係を示した図である。
性とバイアス電流の関係を示した図である。
１ ＤＣ−ＳＱＵＩＤ ２ 定電流回路 ３ 電圧電流変換手段 ４ バイアス電流供給回路 ５ 電圧増幅回路 ６ 積分回路 ７ 電圧電流変換回路 ８ 帰還回路 ９ 帰還コイル １０ ダンピング抵抗 １１ 抵抗 １２ 電圧加算回路 １３ 定電圧回路
Claims (4)
- 【請求項１】 ＤＣ−ＳＱＵＩＤ（直流駆動型超伝導量
子干渉素子）と前記ＤＣ−ＳＱＵＩＤにバイアス電流を
供給するバイアス電流供給回路と、前記ＤＣ−ＳＱＵＩ
Ｄの信号電圧を増幅する電圧増幅回路と、信号電圧を積
分し電圧電流変換して前記ＤＣ−ＳＱＵＩＤに帰還をか
けるための帰還回路からなる高感度磁場検出装置におい
て、前記バイアス電流供給回路を定電流回路と、信号電
圧を電流に変換してバイアス電流に加算する電圧電流変
換手段とで構成したことを特徴とする高感度磁場検出装
置。 - 【請求項２】 前記バイアス電流供給回路は、定電圧回
路と、前記定電圧回路の出力電圧と信号電圧を加算する
電圧加算回路と、前記電圧加算回路の出力電圧を電流に
変換する電圧電流変換手段とで構成したことを特徴とす
る請求項１記載の高感度磁場検出装置。 - 【請求項３】 前記ＤＣ−ＳＱＵＩＤのバイアス電流供
給線はＤＣ−ＳＱＵＩＤのダンピング抵抗に接続されて
いることを特徴とする請求項１記載の高感度磁場検出装
置。 - 【請求項４】 前記ＤＣ−ＳＱＵＩＤのバイアス電流供
給線は抵抗を介してＤＣ−ＳＱＵＩＤに接続されている
ことを特徴とする請求項１記載の高感度磁場検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23176293A JP3148479B2 (ja) | 1993-09-17 | 1993-09-17 | 高感度磁場検出装置 |
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|---|---|---|---|---|
| CN104422903A (zh) * | 2013-08-23 | 2015-03-18 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 用于采用超导量子干涉器件的传感器的调试系统及方法 |
| CN110032236A (zh) * | 2019-04-30 | 2019-07-19 | 成都新欣神风电子科技有限公司 | 一种任意偏置电压输出的直流传感器电路 |
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1993
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN104422903A (zh) * | 2013-08-23 | 2015-03-18 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 用于采用超导量子干涉器件的传感器的调试系统及方法 |
| CN110032236A (zh) * | 2019-04-30 | 2019-07-19 | 成都新欣神风电子科技有限公司 | 一种任意偏置电压输出的直流传感器电路 |
| CN110032236B (zh) * | 2019-04-30 | 2024-01-23 | 成都新欣神风电子科技有限公司 | 一种任意偏置电压输出的直流传感器电路 |
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