JPH0784266A

JPH0784266A - 液晶表示素子の製造方法

Info

Publication number: JPH0784266A
Application number: JP22874093A
Authority: JP
Inventors: Shinji Murai; 伸次村井; Yoshihiko Nakano; 義彦中野; Yasushi Kawada; 靖川田
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1993-09-14
Filing date: 1993-09-14
Publication date: 1995-03-31

Abstract

(57)【要約】【構成】透明基板（１１₁ ）の主面上に設けられた透
明電極（１２₁ ）上にポリシラン薄膜を成膜し、このポ
リシラン薄膜にグレーティング状のパターン光照射を施
すことにより、液晶配向膜（１９₁ ）を形成する。【効果】基板等の汚染を生じることなく、液晶分子に
対して充分な配向能を有する液晶配向膜を容易に形成す
ることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ディスプレイ等に使用
される液晶表示素子の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来から液晶表示素子は、小型のフラッ
トパネルディスプレイ、電卓、時計等に広く使用されて
いる。また、最近では、自動車用ディスプレイ、パーソ
ナルコンピューター用ディスプレイとしても使用され、
さらに、小型液晶テレビのように動画用ディスプレイに
も応用され始めている。

【０００３】このような液晶表示素子を構成する液晶セ
ルとしては、ツイストネマティック型液晶セル（以下、
ＴＮ型液晶セルと省略する）が知られている。このＴＮ
型液晶セルは、２枚の透明基板の表面にそれぞれ透明電
極と液晶分子を配向させるための配向処理が施された液
晶配向膜とを順次積層形成し、２枚の透明基板を互いに
９０°ねじって配置して一定の基板間隔を保つように２
枚の透明基板間にスペーサーを挟み、その透明基板間の
空間にネマティック液晶材料を注入し、透明基板のまわ
りをシール材で固定してなるものである。ここで液晶配
向膜に施された配向処理は、液晶分子を透明基板に対し
て平行に配列（ホモジニアス配列）させるためのもので
あり、液晶分子の配向を制御するうえで重要である。現
在この配向処理には、ポリイミド，ポリビニルアルコー
ル等からなる高分子膜を透明電極上に形成した後、その
表面をベルベット等の布を取り付けたローラーを用いて
擦ることにより表面に配向能を付与するラビング法が最
も頻繁に使用されている。

【０００４】しかしながら、ＴＮ型液晶セルにおいてラ
ビング法を適用する場合、以下のような問題点があり、
配向処理において不良率が高くなる。まず第１に、布を
直接接触させて擦るため、糸屑等が基板及びその周辺に
付着して汚染される。第２に、高分子が誘電体であるた
めに、布で高分子を摩擦することにより液晶配向膜上に
大量の静電気が発生し、ごみを吸着してその表面上にギ
ャップが形成され、これにより表面の均一性が低下す
る。さらに、アクティブマトリクス型の液晶表示素子で
は静電気によりＴＦＴ（薄膜トランジスタ）が破壊され
てしまう。第３に、布で擦することにより表面に傷が発
生し、これが画像欠陥となり液晶表示素子の表示品質を
低下させる。

【０００５】従って、ラビング法に代わる配向処理が強
く要望されており、これまでに以下のような幾つかの研
究結果が報告されている。すなわち、一定の間隔をおい
て形成した直線状の溝を有する基板上に液晶分子をおい
た場合、その溝の沿った方向に液晶分子が配向する事実
が確認されており、H.V.ケネルによるPhysical Review
A24(5)2713(1981)、A.SugiyamaらによるJpn.J.Appl.Phy
s 20(7)1343(1981) 等に記載されている。この事実に基
づき、例えば、特開昭６０−６０６２４号公報では、２
つのレーザー光を干渉させて感光性ポリビニルアルコー
ルや感光性ポリイミドからなる高分子膜の表面に照射す
ることにより、光照射部における架橋反応を利用して高
分子膜にグレーティング状の凹凸を形成し配向処理を施
す方法が開示されている。しかしながら、光照射部のみ
を上述したような架橋反応により精度よく体積収縮させ
ることができず、微細な凹凸パターンを有する液晶配向
膜を形成することは極めて困難であるため、これでは液
晶分子に対する充分な配向能を付与することはできな
い。また特開平１−２１０９３２号公報には、紫外線を
ポリイミド膜表面にパターン照射し、ポリイミド膜表面
で発生したオゾンによりポリイミドを酸化、気化せしめ
てグレーティング状の凹凸を形成する技術が示されてい
る。然るにこのような技術においても、光照射部以外で
のポリイミドの酸化を抑えることが容易ではなく、やは
り微細な凹凸パターンを形成することは難しいという問
題がある。さらに特開昭６３−１４２３２７号公報，特
開平２−１９６２１９号公報等では、高分子膜の表面に
レーザー光を縞状に照射することにより、レーザー光照
射部の高分子を飛散せしめて高分子膜にグレーティング
状の凹凸を形成することが試みられているが、この場合
は極めて強いパワーのレーザー光を照射する必要がある
ため、装置が大型化する等の点で好ましくない。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】上述したように、ラビ
ング法に代わる液晶配向膜の配向処理がこれまで数多く
検討されているが、いずれも液晶分子に対する配向能等
が不充分なため、いまだ実用化には至っていない。

【０００７】本発明はこのような問題に鑑み、基板等の
汚染を生じることなく、液晶分子に対して充分な配向能
を有する液晶配向膜を容易に形成できる液晶表示素子の
製造方法を提供することを目的としている。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明は、対向する１対
の透明基板と、これら透明基板の対向する主面上に設け
られた透明電極と、この透明電極上に形成された液晶配
向膜と、前記透明基板間に前記透明電極及び液晶配向膜
を介して封入された液晶材料とを具備する液晶表示素子
の製造方法であって、前記透明電極上にポリシラン薄膜
を成膜しこのポリシラン薄膜にグレーティング状のパタ
ーン光照射を施すことにより前記液晶配向膜を形成する
工程を備えた液晶表示素子の製造方法である。すなわち
本発明の液晶表示素子の製造方法は、ポリシラン薄膜へ
のグレーティング状のパターン光照射により、液晶配向
膜の配向処理が施されることを特徴としている。

【０００９】以下、本発明を詳細に説明する。本発明に
おいて、液晶配向膜に使用されるポリシランとしては特
に限定されることなく、例えば下記一般式で示される反
復単位を有するものが挙げられる。なおこのようなポリ
シランは、重量平均分子量が5,000 〜1,000,000 、さら
には10,000〜100,000 であることが好ましい。この理由
は、ポリシランの重量平均分子量が小さすぎると、得ら
れる液晶配向膜の膜強度が不充分となるおそれがあり、
逆にポリシランの重量平均分子量が大きすぎると、溶媒
可溶性が低下して成膜が困難となるからである。

【００１０】

【化１】

【００１１】また本発明では、成膜されるポリシラン薄
膜の膜厚は０．０１〜１μｍ程度であることが好まし
い。これは、ポリシラン薄膜の膜厚が０．０１μｍ未満
に薄い場合は、膜厚を均一化することが困難となり、逆
にポリシラン薄膜の膜厚が１μｍを越えて厚いと、液晶
表示素子の駆動電圧が上昇するおそれがあるからであ
る。なおこのときのポリシラン薄膜の成膜法としては、
ロールコーター法，スピンコーター法，ＬＢ法（ラング
ミュアーブロジェット法）等が挙げられる。

【００１２】本発明においては、上述したようなポリシ
ラン薄膜にグレーティング状のパターン光照射を施すこ
とにより、液晶分子に対する配向能を有する液晶配向膜
が形成される。このときのパターン光の光源としては、
紫外光，Ｘ線，ＥＢ等を用いることができ、またグレー
ティング状のパターン光照射を施すには、具体的には複
数の光ビームを干渉させることにより発生する干渉縞ま
たはビーム径を絞りこんだ光ビームを走査して直接照射
するか、あるいは所定のラインアンドスペースパターン
が形成されたフォトマスクを介して光を照射すればよ
い。こうして得られる液晶配向膜は、光照射部でポリシ
ラン薄膜が体積膨張することに伴い表面に微細な凹凸パ
ターンが形成されるため、液晶分子に対し優れた配向能
を有する。

【００１３】なおここで、ポリシラン薄膜への照射光
は、１０μｍ以下の微細なピッチを有するグレーティン
グ状のパターン光であることが好ましい。これは、この
ピッチが１０μｍを越えると、得られる液晶表示素子に
おいて液晶分子が異方向に配向される領域が生じるおそ
れがあるからである。さらに本発明では、液晶配向膜の
表面に形成される微細な凹凸パターンの凹部の幅が０．
５〜５μｍ，凸部の幅が０．１〜５μｍであることが好
ましい。何となれば、凹部の幅が０．５μｍ未満である
と液晶分子に対する配向能が低下し、凹部の幅が５μｍ
を越えると凹部上方における液晶分子の配向性がほとん
どなくなってしまう。また凸部の幅が０．１μｍ未満で
あるとやはり液晶分子に対する配向能が低下し、凸部の
幅が５μｍを越えると凸部上方における液晶分子の配向
性がほとんどなくなってしまうからである。

【００１４】また本発明において、上述したようなポリ
シラン薄膜への照射光は照射部での照射量が１０〜５０
０ｍＪ／ｃｍ² に設定されることが好ましい。この理由
は、照射量がこの範囲を外れるとポリシラン薄膜の表面
に微細な凹凸パターンを精度よく形成することが困難と
なるためである。

【００１５】さらに本発明では、液晶配向膜の形成に当
って、下記一般式で示される反復単位を有するポリシラ
ンを使用し、ＬＢ法によりポリシラン薄膜を成膜するこ
とが特に好ましい。

【００１６】

【化２】

【００１７】上記一般式で示される反復単位を有するポ
リシランは、Ｓｉ−Ｓｉ結合からなる主鎖に対し、一方
の側鎖のには親水基Ｘを有し、他方の側鎖には疎水基Ｒ
³ を有しているので、液面上に容易に単分子膜が展開さ
れ、ＬＢ法により好適にポリシラン薄膜を成膜できる。
ここで、このようなポリシランの具体例を以下に示す。

【００１８】

【化３】

【００１９】

【化４】

【００２０】

【化５】

【００２１】

【化６】

【００２２】

【化７】

【００２３】

【化８】

【００２４】

【化９】

【００２５】

【化１０】

【００２６】

【化１１】

【００２７】

【化１２】

【００２８】

【化１３】

【００２９】

【化１４】

【００３０】

【化１５】

【００３１】

【化１６】

【００３２】

【化１７】

【００３３】

【化１８】

【００３４】

【化１９】

【００３５】

【化２０】

【００３６】

【化２１】

【００３７】

【化２２】

【００３８】

【化２３】

【００３９】

【化２４】

【００４０】

【化２５】

【００４１】こうして成膜されたポリシラン薄膜は、液
面上に展開された単分子膜を基板上に移しとる際に、Ｓ
ｉ−Ｓｉ主鎖が液面からの基板の引上げ方向に強く配列
されるため、高い配向性を有している。従ってこのポリ
シラン薄膜に対し、そのＳｉ−Ｓｉ主鎖の配列方向と略
平行のグレーティング状のパターン光を照射すれば、上
述したような微細な凹凸パターンを特に精度よく形成す
ることが可能となる。さらに、例えば光源とポリシラン
薄膜の間に偏光素子を介在せしめ、Ｓｉ−Ｓｉ主鎖の配
列方向の略平行な方向の振動成分のみを有するグレーテ
ィング状のパターン光を照射することにより、ポリシラ
ン薄膜の表面に微細な凹凸パターンを効率よく形成する
こともできる。

【００４２】次に、本発明で得られる液晶表示素子の構
造について、図面を参照して説明する。図１は、本発明
で得られる液晶表示素子の一例について、その画素部の
構造を示す縦断面図である。なおここでは、アクティブ
マトリクス型表示形式に適用される液晶表示素子を示し
たが、本発明は単純マトリクス型表示形式の液晶表示素
子にも適用可能である。同図において、１１₁ 及び１１
₂ はガラス等の素材で形成された透明基板であり、夫々
の対向面には、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の素材か
らなる透明電極１２₁ （表示電極）及び１２₂ （走査電
極）が形成されている。また、一方の透明基板１１₁ 上
には、透明電極１２₁ に接する形でＴＦＴ１３が実装さ
れている。このＴＦＴ１３では、まず透明基板１１₁ 上
にゲート電極１４が設けられており、ゲート電極１４は
ゲート絶縁膜１５で被覆されている。ゲート絶縁膜１５
上には半導体層１６が形成されており、さらに半導体層
１６上の所定領域には、ソース電極１７およびドレイン
電極１８が接続している。透明電極１２₁ 及びＴＦＴ１
３の表面には液晶配向膜１９₁ が形成され、これらに対
向する透明基板１１₂ 上には、透明電極１２₂ を介して
液晶配向膜１９₂ が形成されており、液晶配向膜１９₁
及び１９₂ の間には、液晶材料２０が封入されている。

【００４３】ただしこの液晶表示素子では、液晶配向膜
１９₁ を介したソース電極１７とドレイン電極１８との
導通を防ぐため、半導体層１６の上方の液晶配向膜１９
₁ において、光照射等によりポリシランを全面的にシロ
キサン化して絶縁性を高めることが好ましい。また本発
明においては、このような光照射を液晶配向膜１９₁形
成の際のポリシラン薄膜へのグレーティング状のパター
ン光照射と同時に行なってもよい。なお、液晶配向膜１
９₁ を介したソース電極１７とドレイン電極１８との導
通を防ぐ方法はこれに限定されず、例えば少なくとも半
導体層１６の上方に予めポリイミド等の絶縁性高分子膜
を成膜した後に液晶配向膜１９₁ を形成することや、半
導体層１６の上方を除く領域に液晶配向膜１９₁ を形成
すること等が採用され得る。

【００４４】さらに、上述したような液晶表示素子の液
晶配向膜１９₁ 及び１９₂ の間に封入される液晶材料２
０としては、Ｐ型液晶分子，Ｎ型液晶分子のいずれであ
ってもよく、分子量等についても特に限定されることな
く使用可能である。

【００４５】

【作用】本発明の液晶表示素子の製造方法においては、
グレーティング状のパターン光をポリシラン薄膜に照射
することにより、光照射部でポリシラン薄膜が体積膨張
し、表面に凹凸パターンを有する液晶配向膜が形成され
る。このとき本発明では、光照射部のポリシランが光化
学反応によって低分子量化した後、例えば空気中の酸素
を取りこんでシロキサン化することにより、光照射部で
ポリシラン薄膜が体積膨張する。すなわち、ポリシラン
の光酸化反応に伴う体積変化を利用して上述したような
凹凸パターンが形成されるので、比較的低エネルギーの
パターン光の照射で照射されたパターン光に応じた微細
な凹凸パターンを精度よく得ることができる。

【００４６】ここで、本発明における液晶配向膜上の液
晶分子の配列状態を図２に模式的に示す。図示されるよ
うに本発明では、液晶配向膜１９₁ の凹部に沿って液晶
分子２１が配向する。このとき液晶配向膜１９₁ は、上
述した通り表面に極めて微細な凹凸パターンが形成され
ているので、液晶分子２１に対して優れた配向能を有し
ている。

【００４７】さらに本発明において、ＬＢ法によりポリ
シラン薄膜を成膜し、得られる高配向のポリシラン薄膜
におけるＳｉ−Ｓｉ主鎖の配列方向と略平行のグレーテ
ィング状のパターン光を照射した場合は、液晶配向膜の
表面の凹凸パターンを特に精度よく形成することができ
る。しかもこのとき、光未照射部に配列したポリシラン
のＳｉ−Ｓｉ主鎖中で電子が非局在化されることに基づ
き、液晶配向膜の光未照射部では双極子モーメントが誘
起され、誘電異方性を有する液晶分子との間に電子的な
相互作用が生じる。従って、液晶配向膜の表面の凹凸パ
ターンを特に精度よく形成できることと相俟って、液晶
分子に対し極めて優れた配向能を有する液晶配向膜を得
ることが可能となる。

【００４８】また上述したような液晶配向膜では、光未
照射部に配列したポリシランの側鎖に導入された置換基
が凹部表面に一定間隔で存在する。これに伴い、液晶配
向膜の凹部上方の液晶分子は一定間隔で存在するポリシ
ラン側鎖の置換基の影響を受けるので、この場合は液晶
配向膜上で配向した液晶分子に対し所定のチルト角を付
与することも可能である。

【００４９】さらに本発明においては、液晶配向膜の形
成に当って半導電性を有するポリシランが使用されるの
で、得られる液晶表示素子への駆動電圧印加時に液晶配
向膜への電荷の蓄積が低減されてチャージアップの発生
が防止され、ひいては液晶分子の配向乱れが抑えられ
る。しかも、ポリシランにおいては可視光領域における
光の吸収がないため、光の透過性の優れた液晶配向膜を
形成することができる。

【００５０】

【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。実施例１〜５表面に透明電極としてＩＴＯが蒸着された硬質ガラスＮ
Ａ−４５（（株）ＨＯＹＡ製）をウェハ状に切出し、過
酸化水素水及び硫酸の混合物で処理した。これを水洗
後、リンサードライヤーにより乾燥し、さらに１５０
℃、３０分間乾燥して、透明基板を形成した。

【００５１】次に、このＩＴＯ付き透明基板上にＴＦＴ
を実装した後、そのＴＦＴ及びＩＴＯ面上に予め２．５
μｍのフィルターで濾過したブチル（ｍ−ヒドロキシフ
ェニル）ポリシラン（分子量150,000 ）の２．５ｗｔ％
シクロヘキサノン溶液（室温：２２℃）をスピンコート
し（スピナー回転数：５００ｒｐｍ．５秒，２５００ｒ
ｐｍ．２５秒）、１５０℃、３０分間乾燥して膜厚０．
３μｍのポリシラン薄膜を成膜した。続いて水銀ランプ
を具備する平行露光機（ニコン（株）製，ＰＬＡ−１０
５）を光源とし、夫々表１に示したラインアンドスペー
スパターンが形成されたフォトマスクを介して得られた
ポリシラン薄膜にグレーティング状のパターン光照射を
施し（照射量：４４ｍＪ／ｃｍ² ）、液晶配向膜を形成
した。

【００５２】一方、ガラス透明基板上にカラーフィルタ
ー、透明電極が順次形成され、さらに保護膜をオーバー
コートしてなるカラーフィルター基板を用いた以外は全
く同様にして、ポリシラン薄膜の成膜及びパターン光照
射を行ない、液晶配向膜を形成した。

【００５３】次いで、上述したようにして液晶配向膜が
形成されたＩＴＯ付き透明基板及びカラーフィルター基
板について、同様のフォトマスクを介してパターン光照
射が施されたものを夫々組み合わせ、常法に従い液晶セ
ルの作製及び液晶材料の封入を行なった。ただし、液晶
材料としては４−ｎ−ペンチル−４′−シアノビフェニ
ル（メルク製、５ＣＢ）を用いた。続いて、得られた液
晶表示素子における液晶分子の配向状態を夫々評価し
た。なおここでは、ポリイミドからなる高分子膜にラビ
ング法を適用して形成された液晶配向膜を有する液晶表
示素子の表示特性を１００とし、夫々の表示特性をこれ
を比較として評価した。結果を表１に併せて示す。表１
から、本実施例１〜５の液晶表示素子においては、液晶
分子に対し充分な配向能を有する液晶配向膜が、ラビン
グ法によることなく極めて容易に形成されていることが
判る。

【００５４】

【表１】

【００５５】実施例６〜１０予め０．２μｍフィルターで濾過したブチル（ｍ−ヒド
ロキシフェニル）ポリシラン（分子量200,000 ）の０．
２２４ｗｔ％シクロヘキサノン溶液（ｐＨ＝７．０）を
１５．２〜１５．３℃の水面上に滴下して（室温：２１
〜２３℃）、ポリシラン単分子膜を展開し、表面圧を２
０ｄｙｎ／ｃｍに調整した。続いて、実施例１〜５と同
様のＩＴＯ付き透明基板及びカラーフィルター基板に対
しヘキサメチルジシラザンで疎水処理を施し、それぞれ
水面に対して垂直方向に５ｍｍ／ｃｍの速度で浸漬させ
た後、５ｍｍ／ｃｍの速度で水面上に引き上げた。この
操作を繰り返すことによって、すなわちＬＢ法のプロセ
スに従い、ＩＴＯ付き透明基板及びカラーフィルター基
板上に夫々表２に示す累積数のポリシラン薄膜を成膜し
た。次に、水銀ランプを具備する平行露光機（ニコン
（株）製，ＰＬＡ−１０５）を光源とし、ライン１μ
ｍ，スペース１μｍのラインアンドスペースパターンが
形成されたフォトマスクを介して、得られたポリシラン
薄膜全てにポリシラン薄膜成膜時の基板の引き上げ方向
と平行なグレーティング状のパターン光照射を施し（照
射量：４４ｍＪ／ｃｍ² ）、液晶配向膜を形成した。

【００５６】次いで、上述したようにして液晶配向膜が
形成されたＩＴＯ付き透明基板及びカラーフィルター基
板について、ポリシラン単分子膜の累積数が同じものを
夫々組み合わせ、常法に従い液晶セルの作製及び液晶材
料の封入を行なった。ただし、液晶材料としては４−ｎ
−ペンチル−４′−シアノビフェニル（メルク製、５Ｃ
Ｂ）を用いた。続いて、得られた液晶表示素子における
液晶分子の配向状態を夫々実施例１〜５と同様の方法で
評価した。結果を表２に併せて示す。表２から、本実施
例６〜１０の液晶表示素子においても、液晶分子に対し
充分な配向能を有する液晶配向膜が、ラビング法による
ことなく極めて容易に形成されていることが判る。

【００５７】

【表２】

【００５８】実施例１１〜１３予め０．２μｍのフィルターで濾過したブチル（ｍ−ヒ
ドロキシフェニル）ポリシラン（分子量200,000 ）の
０．０４ｗｔ％シクロヘキサノン溶液（ｐＨ＝７．０）
を１５．２〜１５．３℃の水面上に滴下して（室温：２
１〜２３℃）、ポリシラン単分子膜を展開し、表面圧を
２０ｄｙｎ／ｃｍに調整した。続いて、実施例１〜５と
同様のＩＴＯ付き透明基板及びカラーフィルター基板に
対しヘキサメチルジシラザンで疎水処理を施し、それぞ
れ水面に対して垂直方向に５ｍｍ／ｃｍの速度で浸漬さ
せた後、５ｍｍ／ｃｍの速度で水面上に引き上げ、この
操作を繰り返すことによって、累積数１０のポリシラン
薄膜を成膜した。次に、水銀ランプを具備する平行露光
機（ニコン（株）製、ＰＬＡ−１０５）を光源とし、ラ
イン１μｍ、スペース１μｍのラインアンドスペースパ
ターンが形成されたフォトマスクを介して、ポリシラン
薄膜にポリシラン薄膜成膜時の基板の引き上げ方向と平
行なグレーティング状のパターン光照射を施し（照射量
４２０ｍＪ／ｃｍ² ）、液晶配向膜を形成した。

【００５９】次いで、上述したようにして液晶配向膜が
形成されたＩＴＯ付き透明基板及びカラーフィルター基
板を組み合わせ、常法に従い液晶セルの作製及び液晶材
料の封入を行なった。ただし、液晶材料としては４−ｎ
−ペンチル−４′−シアノビフェニル（メルク製、５Ｃ
Ｂ）を用いた。続いて、得られた液晶表示素子における
液晶分子の配向状態を実施例１〜５と同様の方法で評価
した。さらに、ブチル（ｍ−ヒドロキシフェニル）ポリ
シランのかわりに４−ヒドロキシペンチルヘキシルポリ
シラン（分子量300,000 ）またはビス（５−エトキシペ
ンチル）ポリシラン（分子量200,000 ）を用いた以外は
全く同様の液晶表示素子について、それぞれ液晶分子の
配向状態を同様に評価した。結果を表３に示す。表３か
ら、本実施例１１〜１３の液晶表示素子においても、液
晶分子に対し充分な配向能を有する液晶配向膜が、ラビ
ング法によることなく極めて容易に形成されていること
が判る。

【００６０】

【表３】

【００６１】

【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、基
板等の汚染を生じることなく、液晶分子に対して充分な
配向能を有する液晶配向膜を容易に形成することがで
き、ひいては表示特性の優れた液晶表示素子を歩留まり
よく製造することが可能となり、その工業的価値は大な
るものがある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明で得られる液晶表示素子の一例におけ
る画素部の構造を示す縦断面図。

【図２】本発明における液晶配向膜上の液晶分子の配
列状態を示す模式図。

【符号の説明】

１１₁ ，１１₂ …透明基板、１２₁ ，１２₂ …透明電
極、１３…ＴＦＴ、１４…ゲート電極、１５…ゲート絶
縁膜、１６…半導体層、１７…ソース電極、１８…ドレ
イン電極、１９₁ ，１９₂ …液晶配向膜、２０…液晶材
料、２１…液晶分子。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】対向する１対の透明基板と、これら透明
基板の対向する主面上に設けられた透明電極と、この透
明電極上に形成された液晶配向膜と、前記透明基板間に
前記透明電極及び液晶配向膜を介して封入された液晶材
料とを具備する液晶表示素子の製造方法であって、前記
透明電極上にポリシラン薄膜を成膜しこのポリシラン薄
膜にグレーティング状のパターン光照射を施すことによ
り前記液晶配向膜を形成する工程を備えたことを特徴と
する液晶表示素子の製造方法。