JPH0784270A - 液晶表示基板の製造方法 - Google Patents
液晶表示基板の製造方法Info
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- JPH0784270A JPH0784270A JP22987393A JP22987393A JPH0784270A JP H0784270 A JPH0784270 A JP H0784270A JP 22987393 A JP22987393 A JP 22987393A JP 22987393 A JP22987393 A JP 22987393A JP H0784270 A JPH0784270 A JP H0784270A
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- Japan
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- signal line
- liquid crystal
- insulating film
- transparent substrate
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 製造工数の低減を図る。
【構成】 液晶を介して互いに対向する透明基板のうち
一方の透明基板の液晶側の面に形成された、透明画素電
極と、この透明画素電極を駆動させるための走査信号線
と映像信号線と、この走査信号線と映像信号線との間に
介在される絶縁膜と、該走査信号線と映像信号線のうち
上層に位置づけられる信号線を被うようにして形成され
る保護膜とを備えた液晶表示装置において、前記絶縁膜
を透明基板面の全域に形成する工程と、前記保護膜を透
明基板面の全域に形成した後、前記透明画素電極および
走査信号線と映像信号線のそれぞれの端子を露呈させる
ための孔開けを行なう工程と、を含む。
一方の透明基板の液晶側の面に形成された、透明画素電
極と、この透明画素電極を駆動させるための走査信号線
と映像信号線と、この走査信号線と映像信号線との間に
介在される絶縁膜と、該走査信号線と映像信号線のうち
上層に位置づけられる信号線を被うようにして形成され
る保護膜とを備えた液晶表示装置において、前記絶縁膜
を透明基板面の全域に形成する工程と、前記保護膜を透
明基板面の全域に形成した後、前記透明画素電極および
走査信号線と映像信号線のそれぞれの端子を露呈させる
ための孔開けを行なう工程と、を含む。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示基板の製造方
法に係り、たとえば、いわゆるアクティブ・マトリック
ス方式の液晶表示基板の製造方法に関する。
法に係り、たとえば、いわゆるアクティブ・マトリック
ス方式の液晶表示基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】アクティブ・マトリックス方式の液晶表
示基板は、マトリックス状に配列された複数の画素電極
のそれぞれに対応して非線形素子（スイッチング素子）
を設けたものである。
示基板は、マトリックス状に配列された複数の画素電極
のそれぞれに対応して非線形素子（スイッチング素子）
を設けたものである。
【０００３】各画素における液晶は理論的には常時駆動
（デューティ比１．０）されているので、時分割方式を
採用している、いわゆる単純マトリックス方式と比べて
アクティブ方式はコントラストがよく、特にカラー液晶
表示装置では欠かせない技術となりつつある。スイッチ
ング素子として代表的なものとしては薄膜トランジスタ
（ＴＦＴ）がある。
（デューティ比１．０）されているので、時分割方式を
採用している、いわゆる単純マトリックス方式と比べて
アクティブ方式はコントラストがよく、特にカラー液晶
表示装置では欠かせない技術となりつつある。スイッチ
ング素子として代表的なものとしては薄膜トランジスタ
（ＴＦＴ）がある。
【０００４】そして、このような液晶表示基板における
マトリックス状に配置された各画素電極は、ゲート信号
線の電圧供給によりオンする薄膜トランジスタを介して
ドレイン信号線からの信号電圧が印加されるように構成
されている。
マトリックス状に配置された各画素電極は、ゲート信号
線の電圧供給によりオンする薄膜トランジスタを介して
ドレイン信号線からの信号電圧が印加されるように構成
されている。
【０００５】ここで、画素電極は透明導電材料から構成
され、従来では、その形成を独立に、すなわち周知のフ
ォトリソグラフィ技術を用いて形成していた。
され、従来では、その形成を独立に、すなわち周知のフ
ォトリソグラフィ技術を用いて形成していた。
【０００６】なお、薄膜トランジスタを使用したアクテ
ィブ・マトリックス方式の液晶表示装置は、たとえば特
開昭６３−３０９９２１号公報や、「冗長構成を採用し
た１２．５型アクティブ・マトリクス方式カラー液晶デ
ィスプレィ」、日経エレクトロニクス、頁１９３〜２１
０、１９８６年１２月１５日、日経マグロウヒル社発
行、で知られている。
ィブ・マトリックス方式の液晶表示装置は、たとえば特
開昭６３−３０９９２１号公報や、「冗長構成を採用し
た１２．５型アクティブ・マトリクス方式カラー液晶デ
ィスプレィ」、日経エレクトロニクス、頁１９３〜２１
０、１９８６年１２月１５日、日経マグロウヒル社発
行、で知られている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな液晶表示基板は製造においては、その製造工数が極
めて多いという問題が指摘され、その大幅な低減がなさ
れることが要望されるに到った。
うな液晶表示基板は製造においては、その製造工数が極
めて多いという問題が指摘され、その大幅な低減がなさ
れることが要望されるに到った。
【０００８】本発明は、このような事情に基づいてなさ
れたものであり、その目的とするところのものは、製造
工数の大幅な低減を図った液晶表示基板の製造方法を提
供することにある。
れたものであり、その目的とするところのものは、製造
工数の大幅な低減を図った液晶表示基板の製造方法を提
供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明は、基本的には、液晶を介して互いに
対向する透明基板のうち一方の透明基板の液晶側の面に
形成された、透明画素電極と、この透明画素電極を駆動
させるための走査信号線と映像信号線と、この走査信号
線と映像信号線との間に介在される絶縁膜と、該走査信
号線と映像信号線のうち上層に位置づけられる信号線を
被うようにして形成される保護膜とを備えた液晶表示装
置において、前記絶縁膜を透明基板面の全域に形成する
工程と、前記保護膜を透明基板面の全域に形成した後、
前記透明画素電極および走査信号線と映像信号線のそれ
ぞれの端子を露呈させるための孔開けを行なう工程と、
を含むことを特徴とするものである。
るために、本発明は、基本的には、液晶を介して互いに
対向する透明基板のうち一方の透明基板の液晶側の面に
形成された、透明画素電極と、この透明画素電極を駆動
させるための走査信号線と映像信号線と、この走査信号
線と映像信号線との間に介在される絶縁膜と、該走査信
号線と映像信号線のうち上層に位置づけられる信号線を
被うようにして形成される保護膜とを備えた液晶表示装
置において、前記絶縁膜を透明基板面の全域に形成する
工程と、前記保護膜を透明基板面の全域に形成した後、
前記透明画素電極および走査信号線と映像信号線のそれ
ぞれの端子を露呈させるための孔開けを行なう工程と、
を含むことを特徴とするものである。
【００１０】
【作用】このように構成した液晶表示基板の製造方法に
よれば、透明基板面の全域に形成した保護膜に、透明画
素電極および走査信号線と映像信号線のそれぞれの端子
を露呈させるための孔開けを行なう場合に、この保護膜
の下層に前記絶縁膜が存在している場合がある。
よれば、透明基板面の全域に形成した保護膜に、透明画
素電極および走査信号線と映像信号線のそれぞれの端子
を露呈させるための孔開けを行なう場合に、この保護膜
の下層に前記絶縁膜が存在している場合がある。
【００１１】通常は、この絶縁膜は保護膜と同材料とな
っているが、たとえ異なる場合においても同一のマスク
によってそのまま該絶縁膜の選択除去によって孔開けを
続行させることができ、その下層の材料を露呈させるこ
とができるようになる。
っているが、たとえ異なる場合においても同一のマスク
によってそのまま該絶縁膜の選択除去によって孔開けを
続行させることができ、その下層の材料を露呈させるこ
とができるようになる。
【００１２】保護膜の下層に前記絶縁膜が存在していな
い場合には、該保護膜のみの選択除去によって孔開けが
なされるが、それによって露呈された下層の材料はスト
ッパの機能を有することとなり、上述の絶縁膜の孔開け
のみをそのまま続行させることができるようになる。
い場合には、該保護膜のみの選択除去によって孔開けが
なされるが、それによって露呈された下層の材料はスト
ッパの機能を有することとなり、上述の絶縁膜の孔開け
のみをそのまま続行させることができるようになる。
【００１３】このことから、前記絶縁膜にそれ独自の選
択除去の工程を必要としなくなることから、製造工数の
大幅な低減を達成することができるようになる。
択除去の工程を必要としなくなることから、製造工数の
大幅な低減を達成することができるようになる。
【００１４】
【実施例】図２は、本発明による液晶表示基板ＡＲの等
価回路とその周辺回路の結線図を示した図である。
価回路とその周辺回路の結線図を示した図である。
【００１５】同図は回路図ではあるが、実際の幾何学的
配置に対応して描かれている。液晶表示基板ＡＲは複数
の画素を二次元状に配列したマトリクス・アレイであ
る。
配置に対応して描かれている。液晶表示基板ＡＲは複数
の画素を二次元状に配列したマトリクス・アレイであ
る。
【００１６】図中、Ｘは映像信号線（ドレイン信号線）
ＤＬを意味し、添字Ｇ、ＢおよびＲがそれぞれ緑、青お
よび赤画素に対応して付加されている。Ｙは走査信号線
（ゲート信号線）ＧＬを意味し、添字１，２，３，…，
endは走査タイミングの順序に従って付加されている。
ＤＬを意味し、添字Ｇ、ＢおよびＲがそれぞれ緑、青お
よび赤画素に対応して付加されている。Ｙは走査信号線
（ゲート信号線）ＧＬを意味し、添字１，２，３，…，
endは走査タイミングの順序に従って付加されている。
【００１７】映像信号線Ｘ（添字省略）は交互に上側
（または奇数）映像信号駆動回路Ｈｅ、下側（または偶
数）映像信号駆動回路Ｈｏに接続されている。
（または奇数）映像信号駆動回路Ｈｅ、下側（または偶
数）映像信号駆動回路Ｈｏに接続されている。
【００１８】走査信号線Ｙ（添字省略）は垂直走査回路
Ｖに接続されている。
Ｖに接続されている。
【００１９】ＳＵＰは１つの電圧源から複数の分圧した
安定化された電圧源を得るための電源回路やホスト（上
位演算処理装置）からのＣＲＴ（陰極線管）用の情報を
ＴＦＴ液晶表示装置用の情報に交換する回路を含む回路
である。
安定化された電圧源を得るための電源回路やホスト（上
位演算処理装置）からのＣＲＴ（陰極線管）用の情報を
ＴＦＴ液晶表示装置用の情報に交換する回路を含む回路
である。
【００２０】図３は、本発明による液晶表示基板ＡＲの
一実施例を示す平面図である。同図において、下部透明
基板ＳＵＢ１があり、この下部透明基板ＳＵＢ１の上面
には上部透明基板ＳＵＢ２が配置されている。
一実施例を示す平面図である。同図において、下部透明
基板ＳＵＢ１があり、この下部透明基板ＳＵＢ１の上面
には上部透明基板ＳＵＢ２が配置されている。
【００２１】上部透明基板ＳＵＢ２は下部透明基板ＳＵ
Ｂ１よりも面積が小さく、該下部透明基板ＳＵＢ１の周
辺部を露呈させた状態で配置されている。
Ｂ１よりも面積が小さく、該下部透明基板ＳＵＢ１の周
辺部を露呈させた状態で配置されている。
【００２２】なお、下部透明基板ＳＵＢ１と上部透明基
板ＳＵＢ２の間には液晶が介在されているとともに、該
上部透明基板ＳＵＢ２の周辺に配置されたスペーサＳＬ
によって該液晶の封入がなされるようになっている。
板ＳＵＢ２の間には液晶が介在されているとともに、該
上部透明基板ＳＵＢ２の周辺に配置されたスペーサＳＬ
によって該液晶の封入がなされるようになっている。
【００２３】上部透明基板ＳＵＢ２から露呈された下部
透明基板ＳＵＢ１の周辺には、前記図２の回路図に対応
させて、その図中縦方向の辺部にはゲート信号端子群Ｇ
Ｂが配置され、また横方向の辺部にはドレイン信号端子
群ＤＢが配置されている。
透明基板ＳＵＢ１の周辺には、前記図２の回路図に対応
させて、その図中縦方向の辺部にはゲート信号端子群Ｇ
Ｂが配置され、また横方向の辺部にはドレイン信号端子
群ＤＢが配置されている。
【００２４】図４は、図３のIV−IV線における断面を示
した図である。ただし、図４において上部透明基板ＳＵ
Ｂ２と液晶は省略している。
した図である。ただし、図４において上部透明基板ＳＵ
Ｂ２と液晶は省略している。
【００２５】図４において、下部透明基板ＳＵＢ１の液
晶側の面には、シリコン酸化膜ＳＩＯが全域に形成さ
れ、このシリコン酸化膜ＳＩＯの表面にはゲート信号線
ＧＬが形成されている。このゲート信号線ＧＬは、たと
えばＡｌ等からなる導電膜ＧＴから構成されている。
晶側の面には、シリコン酸化膜ＳＩＯが全域に形成さ
れ、このシリコン酸化膜ＳＩＯの表面にはゲート信号線
ＧＬが形成されている。このゲート信号線ＧＬは、たと
えばＡｌ等からなる導電膜ＧＴから構成されている。
【００２６】このゲート信号線ＧＬは、その一部におい
て後述する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のゲート電極を
構成するとともに、その端部において前記スペーサＳＬ
の外側にまで延在されて前記ゲート信号端子群ＧＢのう
ちの一つであるゲート信号端子ＧＢ１を構成している。
て後述する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のゲート電極を
構成するとともに、その端部において前記スペーサＳＬ
の外側にまで延在されて前記ゲート信号端子群ＧＢのう
ちの一つであるゲート信号端子ＧＢ１を構成している。
【００２７】そして、このゲート信号線ＧＬを含んでた
とえばシリコン窒化膜からなる絶縁膜ＧＩが形成され、
この絶縁膜ＧＩは前記薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の形
成領域においてはゲート絶縁膜を構成し、それ以外の領
域においては該ゲート信号線ＧＬと後述するドレイン信
号線ＤＬとの交差部における層間絶縁膜としての機能を
有するようになっている。
とえばシリコン窒化膜からなる絶縁膜ＧＩが形成され、
この絶縁膜ＧＩは前記薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の形
成領域においてはゲート絶縁膜を構成し、それ以外の領
域においては該ゲート信号線ＧＬと後述するドレイン信
号線ＤＬとの交差部における層間絶縁膜としての機能を
有するようになっている。
【００２８】さらに、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の形
成領域に形成されたゲート絶縁膜（絶縁膜ＧＩの一部）
の上面には、たとえばポリシリコンからなる半導体層Ａ
Ｓが形成され、この半導体層ＡＳの上面には、図示しな
いドレイン信号線（図５では符号ＤＬで示している）と
同工程で形成されるドレイン電極ＳＤ２およびソース電
極ＳＤ１が形成されている。
成領域に形成されたゲート絶縁膜（絶縁膜ＧＩの一部）
の上面には、たとえばポリシリコンからなる半導体層Ａ
Ｓが形成され、この半導体層ＡＳの上面には、図示しな
いドレイン信号線（図５では符号ＤＬで示している）と
同工程で形成されるドレイン電極ＳＤ２およびソース電
極ＳＤ１が形成されている。
【００２９】該ドレイン電極ＳＤ２は、図３のV−V線に
おける断面図である図５に示すように、ドレイン信号線
ＤＬと一体に形成され、このドレイン信号線ＤＬはスペ
ーサＳＬの外側にまで延在されて前記ドレイン信号端子
群ＤＢのうちの一つであるドレイン信号端子ＤＢ１を構
成している。
おける断面図である図５に示すように、ドレイン信号線
ＤＬと一体に形成され、このドレイン信号線ＤＬはスペ
ーサＳＬの外側にまで延在されて前記ドレイン信号端子
群ＤＢのうちの一つであるドレイン信号端子ＤＢ１を構
成している。
【００３０】また、ソース電極ＳＤ１は前記絶縁膜ＧＩ
の表面に形成された透明導電膜からなる透明画素電極Ｉ
ＴＯに接続されている。
の表面に形成された透明導電膜からなる透明画素電極Ｉ
ＴＯに接続されている。
【００３１】さらに、たとえばシリコン窒化膜からなる
保護膜（絶縁膜）ＰＳＶが形成され、この保護膜ＰＳＶ
は、前記透明画素電極ＩＴＯの形成領域、ゲート信号端
子ＧＢ１の形成領域、およびドレイン信号端子ＤＢ１の
形成領域のそれぞれに開口がなされたものとなってい
る。
保護膜（絶縁膜）ＰＳＶが形成され、この保護膜ＰＳＶ
は、前記透明画素電極ＩＴＯの形成領域、ゲート信号端
子ＧＢ１の形成領域、およびドレイン信号端子ＤＢ１の
形成領域のそれぞれに開口がなされたものとなってい
る。
【００３２】そして、このように開口がなされた保護膜
ＰＳＶの表面には配向膜ＯＲＩ１が形成されている。
ＰＳＶの表面には配向膜ＯＲＩ１が形成されている。
【００３３】次に、このように構成された液晶表示基板
の製造方法の一実施例を説明する。
の製造方法の一実施例を説明する。
【００３４】ここで、図４に対応する製造工程を図１
に、また図５に対応する製造工程を図６に示す。
に、また図５に対応する製造工程を図６に示す。
【００３５】工程１．（図１（ａ），図６（ａ）） 下部透明基板ＳＵＢ１の表面の全域にシリコン酸化膜Ｓ
ＩＯを形成し、このシリコン酸化膜ＳＩＯの表面全域
に、たとえばＡｌ等からなる導電膜ＧＩを形成し、ゲー
ト信号線ＧＬおよびそのゲート信号端子ＧＢ１を構成す
る。
ＩＯを形成し、このシリコン酸化膜ＳＩＯの表面全域
に、たとえばＡｌ等からなる導電膜ＧＩを形成し、ゲー
ト信号線ＧＬおよびそのゲート信号端子ＧＢ１を構成す
る。
【００３６】なお、この場合の導電膜ＧＩは、Ａｌのみ
に限らず他の金属であってもよく、また多種の金属から
なる積層体であってもよいことはいうまでもない。
に限らず他の金属であってもよく、また多種の金属から
なる積層体であってもよいことはいうまでもない。
【００３７】そして、このように加工された下部透明基
板ＳＵＢ１の表面の全域にたとえばシリコン窒化膜から
なる絶縁膜ＧＩを形成する。
板ＳＵＢ１の表面の全域にたとえばシリコン窒化膜から
なる絶縁膜ＧＩを形成する。
【００３８】この場合の絶縁膜ＧＩはこの工程において
は全く選択エッチングはなされず、後述する工程４．で
保護膜ＰＶＳの選択エッチングと同時になされるように
なっている。
は全く選択エッチングはなされず、後述する工程４．で
保護膜ＰＶＳの選択エッチングと同時になされるように
なっている。
【００３９】さらに、この絶縁膜ＧＩの表面の画素領域
に相当する領域に透明導電膜からなる画素電極ＩＴＯを
形成する。
に相当する領域に透明導電膜からなる画素電極ＩＴＯを
形成する。
【００４０】その後、この絶縁膜ＧＩ上に前記ゲート信
号線ＧＬの一領域に重畳するように半導体層ＡＳを形成
する。
号線ＧＬの一領域に重畳するように半導体層ＡＳを形成
する。
【００４１】工程２．（図１（ｂ），図６（ｂ）） たとえばＡｌからなる導電膜によってドレイン信号線Ｄ
Ｌを形成する。この場合、このドレイン信号線ＤＬの製
造と同工程で、該ドレイン信号線ＤＬと接続されドレイ
ン電極ＳＤ２、および画素電極ＩＴＯと接続されたソー
ス電極ＳＤ１を形成する。
Ｌを形成する。この場合、このドレイン信号線ＤＬの製
造と同工程で、該ドレイン信号線ＤＬと接続されドレイ
ン電極ＳＤ２、および画素電極ＩＴＯと接続されたソー
ス電極ＳＤ１を形成する。
【００４２】工程３．（図１（ｃ），図６（ｃ）） このように加工された下部透明基板ＳＵＢ１の表面の全
域にシリコン窒化膜からなる保護膜ＰＳＶを形成する。
域にシリコン窒化膜からなる保護膜ＰＳＶを形成する。
【００４３】工程４．（図１（ｄ），図６（ｄ）） 前記保護膜ＰＳＶを周知のフォトエッチング技術を用い
て孔開けし、画素電極ＩＴＯの形成領域、ゲート信号端
子ＧＢ１の形成領域、およびドレイン信号端子ＤＢ１の
形成領域を露呈させる。
て孔開けし、画素電極ＩＴＯの形成領域、ゲート信号端
子ＧＢ１の形成領域、およびドレイン信号端子ＤＢ１の
形成領域を露呈させる。
【００４４】このように構成した液晶表示基板の製造方
法によれば、透明基板ＳＵＢ１面の全域に形成した保護
膜ＰＶＳに、透明画素電極ＩＴＯおよびゲート信号線Ｇ
Ｌとドレイン信号線ＤＬのそれぞれの端子ＧＢ１、ＤＢ
１を露呈させるための孔開けを行なう場合に、この保護
膜ＰＶＳの下層に前記絶縁膜ＧＩが存在している場合が
ある。
法によれば、透明基板ＳＵＢ１面の全域に形成した保護
膜ＰＶＳに、透明画素電極ＩＴＯおよびゲート信号線Ｇ
Ｌとドレイン信号線ＤＬのそれぞれの端子ＧＢ１、ＤＢ
１を露呈させるための孔開けを行なう場合に、この保護
膜ＰＶＳの下層に前記絶縁膜ＧＩが存在している場合が
ある。
【００４５】通常は、この絶縁膜ＧＩは保護膜ＰＶＳと
同材料となっているが、たとえ異なる場合においても同
一のマスクによってそのまま該絶縁膜ＧＩの選択除去に
よって孔開けを続行させることができ、その下層の材料
（たとえば図１においてゲート信号端子ＧＢ１）を露呈
させることができるようになる。
同材料となっているが、たとえ異なる場合においても同
一のマスクによってそのまま該絶縁膜ＧＩの選択除去に
よって孔開けを続行させることができ、その下層の材料
（たとえば図１においてゲート信号端子ＧＢ１）を露呈
させることができるようになる。
【００４６】保護膜ＰＶＳの下層に前記絶縁膜ＧＩが存
在していない場合には、該保護膜ＰＶＳのみの選択除去
によって孔開けがなされるが、それによって露呈された
下層の材料（たとえば図６においてドレイン信号端子Ｄ
Ｂ１および透明画素電極ＩＴＯ）はストッパの機能を有
することとなり、上述の絶縁膜ＧＩの孔開けのみをその
まま続行させることができるようになる。
在していない場合には、該保護膜ＰＶＳのみの選択除去
によって孔開けがなされるが、それによって露呈された
下層の材料（たとえば図６においてドレイン信号端子Ｄ
Ｂ１および透明画素電極ＩＴＯ）はストッパの機能を有
することとなり、上述の絶縁膜ＧＩの孔開けのみをその
まま続行させることができるようになる。
【００４７】このことから、前記絶縁膜にそれ独自の選
択除去の工程を必要としなくなることから、製造工数の
大幅な低減を達成することができるようになる。
択除去の工程を必要としなくなることから、製造工数の
大幅な低減を達成することができるようになる。
【００４８】
【発明の効果】以上説明したことから明らかなように、
本発明による液晶表示基板の製造方法によれば、製造工
数を大幅に低減できるようになる。
本発明による液晶表示基板の製造方法によれば、製造工
数を大幅に低減できるようになる。
【図１】本発明による液晶表示基板の製造方法の一実施
例を示す工程図で、図３のIV−IV線における断面図を示
している。
例を示す工程図で、図３のIV−IV線における断面図を示
している。
【図２】本発明による製造方法が適用される液晶表示基
板の一実施例を示す回路図である。
板の一実施例を示す回路図である。
【図３】本発明による製造方法が適用される液晶表示基
板の一実施例を示す平面図である。
板の一実施例を示す平面図である。
【図４】図３のIV−IV線における断面図である。
【図５】図３のV−V線における断面図である。
【図６】本発明による液晶表示基板の製造方法の一実施
例を示す工程図で、図３のV−V線における断面図を示し
ている。
例を示す工程図で、図３のV−V線における断面図を示し
ている。
ＧＩ 絶縁膜 ＰＳＶ 保護膜 ＩＴＯ 画素電極 ＧＢ１ ゲート信号線 ＤＢ１ ドレイン信号線
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 折付 良二 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所電子デバイス事業部内 (72)発明者 香西 甲矢夫 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所電子デバイス事業部内 (72)発明者 箭内 雅弘 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所電子デバイス事業部内 (72)発明者 堀井 寿一 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所電子デバイス事業部内 (72)発明者 橋本 雄一 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所電子デバイス事業部内 (72)発明者 松田 正昭 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所電子デバイス事業部内
Claims (1)
- 【請求項１】 液晶を介して互いに対向する透明基板の
うち一方の透明基板の液晶側の面に形成された、透明画
素電極と、この透明画素電極を駆動させるための走査信
号線と映像信号線と、この走査信号線と映像信号線との
間に介在される絶縁膜と、該走査信号線と映像信号線の
うち上層に位置づけられる信号線を被うようにして形成
される保護膜とを備えた液晶表示装置において、 前記絶縁膜を透明基板面の全域に形成する工程と、前記
保護膜を透明基板面の全域に形成した後、前記透明画素
電極および走査信号線と映像信号線のそれぞれの端子を
露呈させるための孔開けを行なう工程と、を含むことを
特徴とする液晶表示基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22987393A JPH0784270A (ja) | 1993-09-16 | 1993-09-16 | 液晶表示基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22987393A JPH0784270A (ja) | 1993-09-16 | 1993-09-16 | 液晶表示基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0784270A true JPH0784270A (ja) | 1995-03-31 |
Family
ID=16899047
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22987393A Pending JPH0784270A (ja) | 1993-09-16 | 1993-09-16 | 液晶表示基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0784270A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000194003A (ja) * | 1998-12-28 | 2000-07-14 | Fujitsu Ltd | 液晶表示装置用基板及びその製造方法 |
| US6989881B2 (en) | 1999-03-25 | 2006-01-24 | Hitachi, Ltd. | Display device with signal line extended from display area to peripheral area being covered in peripheral area |
| JP2008216954A (ja) * | 2007-03-05 | 2008-09-18 | Samsung Sdi Co Ltd | 表示装置及び表示装置の製造方法 |
-
1993
- 1993-09-16 JP JP22987393A patent/JPH0784270A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000194003A (ja) * | 1998-12-28 | 2000-07-14 | Fujitsu Ltd | 液晶表示装置用基板及びその製造方法 |
| US6989881B2 (en) | 1999-03-25 | 2006-01-24 | Hitachi, Ltd. | Display device with signal line extended from display area to peripheral area being covered in peripheral area |
| KR100779204B1 (ko) * | 1999-03-25 | 2007-11-26 | 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 | 액정표시장치 |
| JP2008216954A (ja) * | 2007-03-05 | 2008-09-18 | Samsung Sdi Co Ltd | 表示装置及び表示装置の製造方法 |
| US7723134B2 (en) | 2007-03-05 | 2010-05-25 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Method of manufacturing display device |
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