JPH0785425A - 磁気抵抗効果型ヘッド - Google Patents
磁気抵抗効果型ヘッドInfo
- Publication number
- JPH0785425A JPH0785425A JP5227038A JP22703893A JPH0785425A JP H0785425 A JPH0785425 A JP H0785425A JP 5227038 A JP5227038 A JP 5227038A JP 22703893 A JP22703893 A JP 22703893A JP H0785425 A JPH0785425 A JP H0785425A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- lead
- element layer
- magnetoresistive
- degrees
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 動作範囲を大きく取ることができるととも
に、動作範囲のばらつきを小さくして、小型化や歩留ま
りの良い磁気抵抗効果型ヘッドを提供することを目的と
する。 【構成】 ＭＲ素子層５の面内方向とリード層３６ａ，
３６ｂの対向面３６ｃ，３６ｄの傾斜角Ｌを１５度以上
とした。
に、動作範囲のばらつきを小さくして、小型化や歩留ま
りの良い磁気抵抗効果型ヘッドを提供することを目的と
する。 【構成】 ＭＲ素子層５の面内方向とリード層３６ａ，
３６ｂの対向面３６ｃ，３６ｄの傾斜角Ｌを１５度以上
とした。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気記録再生装置等に
用いられる磁気抵抗効果型ヘッドに関するものである。
用いられる磁気抵抗効果型ヘッドに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図９は従来の磁気抵抗効果型ヘッド（以
下ＭＲ型ヘッドと略す）を示す正面図である。
下ＭＲ型ヘッドと略す）を示す正面図である。
【０００３】図９において、１はセラミック等の無機材
料で構成された基板で、基板１の膜積層面は鏡面加工が
施されている。２は基板１の膜積層面上に形成された絶
縁層で、絶縁層はＳｉＯ2等の絶縁材料によって構成さ
れている。３は絶縁層２の上に形成され、軟磁性材料等
によって形成されたシールド層、４はシールド層３の上
に形成された絶縁層で、絶縁層４はＳｉＯ2等の絶縁材
料によって構成されている。５は絶縁層４の上に形成さ
れたＭＲ素子層で、ＭＲ素子層５は図１０に示す様に絶
縁層４側から軟磁性体層１０、中間層１１、ＭＲ層１２
を順に積層した構成となっている。軟磁性体層１０はＣ
ｏ系のアモルファス磁性材料等によって構成され、中間
層１１はＴｉ等の材料によって構成され、ＭＲ層１２は
磁気抵抗効果現象を示す材料で構成されている。
料で構成された基板で、基板１の膜積層面は鏡面加工が
施されている。２は基板１の膜積層面上に形成された絶
縁層で、絶縁層はＳｉＯ2等の絶縁材料によって構成さ
れている。３は絶縁層２の上に形成され、軟磁性材料等
によって形成されたシールド層、４はシールド層３の上
に形成された絶縁層で、絶縁層４はＳｉＯ2等の絶縁材
料によって構成されている。５は絶縁層４の上に形成さ
れたＭＲ素子層で、ＭＲ素子層５は図１０に示す様に絶
縁層４側から軟磁性体層１０、中間層１１、ＭＲ層１２
を順に積層した構成となっている。軟磁性体層１０はＣ
ｏ系のアモルファス磁性材料等によって構成され、中間
層１１はＴｉ等の材料によって構成され、ＭＲ層１２は
磁気抵抗効果現象を示す材料で構成されている。
【０００４】６ａ，６ｂはそれぞれＭＲ素子層５の両端
部に接合し、しかも絶縁層４上に形成されたリードで、
リード６ａ，６ｂとＭＲ素子層５の接続関係は図１１に
示すようになっている。さらにリード６ａ，６ｂは複数
構造となっており、ＭＲ素子層５側から、反強磁性体バ
イアス層１３、密着性強化層１４、導電性リード１５、
密着強化層１６を順に積層した構成となっている。密着
強化層１４，１６は例えばタンタルより構成されてお
り、導電性リード１５は銅や金等の導電性材料によって
構成されている。
部に接合し、しかも絶縁層４上に形成されたリードで、
リード６ａ，６ｂとＭＲ素子層５の接続関係は図１１に
示すようになっている。さらにリード６ａ，６ｂは複数
構造となっており、ＭＲ素子層５側から、反強磁性体バ
イアス層１３、密着性強化層１４、導電性リード１５、
密着強化層１６を順に積層した構成となっている。密着
強化層１４，１６は例えばタンタルより構成されてお
り、導電性リード１５は銅や金等の導電性材料によって
構成されている。
【０００５】７はＭＲ素子層５及びリード６ａ，６ｂを
覆うように設けられた絶縁層で、絶縁層７はＳｉＯ2等
の絶縁材料によって構成されている。８は絶縁層７の上
に設けられたシールド層で、シールド層８はセンダスト
等の軟磁性材料によって構成される。９はシールド層８
の上に形成された絶縁層で、絶縁層９はＳｉＯ2等の絶
縁材料によって構成されている。
覆うように設けられた絶縁層で、絶縁層７はＳｉＯ2等
の絶縁材料によって構成されている。８は絶縁層７の上
に設けられたシールド層で、シールド層８はセンダスト
等の軟磁性材料によって構成される。９はシールド層８
の上に形成された絶縁層で、絶縁層９はＳｉＯ2等の絶
縁材料によって構成されている。
【０００６】１７は絶縁層９の上に形成された下部コア
層で、下部コア層１７はセンダストやパーマロイ等の軟
磁性材料で構成されている。１８は下部コア層１７の上
に形成されたギャップ層で、ギャップ層はＳｉＯ2等の
非磁性材料によって構成されている。１９はギャップ層
１８の上に設けられ、下部コア層１７とともに磁気回路
を形成する上部コア層であり、上部コア層１９はセンダ
ストやパーマロイ等の軟磁性材料で構成される。２０は
上記各層を覆う様に形成された対候性に優れたＳｉＯ2
等で構成された保護層である。
層で、下部コア層１７はセンダストやパーマロイ等の軟
磁性材料で構成されている。１８は下部コア層１７の上
に形成されたギャップ層で、ギャップ層はＳｉＯ2等の
非磁性材料によって構成されている。１９はギャップ層
１８の上に設けられ、下部コア層１７とともに磁気回路
を形成する上部コア層であり、上部コア層１９はセンダ
ストやパーマロイ等の軟磁性材料で構成される。２０は
上記各層を覆う様に形成された対候性に優れたＳｉＯ2
等で構成された保護層である。
【０００７】以上の様に構成されたＭＲ型ヘッドは、Ｍ
Ｒ素子層５によって磁気記録媒体上の磁気データを再生
してデータを読みだし、また上部コア層１９と下部コア
層１７の間に設けられたコイル層（図示せず）に記録電
流を流す事によって下部コア層１７及び上部コア層１９
の間に流れる磁束によって、磁気記録媒体上に磁気デー
タを記録する。
Ｒ素子層５によって磁気記録媒体上の磁気データを再生
してデータを読みだし、また上部コア層１９と下部コア
層１７の間に設けられたコイル層（図示せず）に記録電
流を流す事によって下部コア層１７及び上部コア層１９
の間に流れる磁束によって、磁気記録媒体上に磁気デー
タを記録する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら前記従来
の構成では、ＭＲ素子層５の面内方向に対するリード層
６ａ，６ｂそれぞれの対向面６ｃ，６ｄそれぞれの傾斜
角Ｍが１０度以下となっていたために、リード層６ａ，
６ｂそれぞれの前記対向面部分の厚さが薄くなり、それ
にともなって前記対向面部分の電気抵抗が大きくなると
いう問題点があった。この事は、ＭＲ型ヘッドの小型化
にとって非常に問題であり以下の様な不具合が生じる。
即ち対向面部分が電気抵抗が大きくなると、ＭＲ素子層
５に十分なセンス電流を流す事が出来ずに特性が非常に
悪くなる。従ってＭＲ素子層５に接合しているリード層
６ａとリード層６ｂの間の距離を狭くし、各リード層の
電気抵抗がより小さい部分（各リード層の厚さの厚い部
分）をＭＲ素子層５に接触させるようにしていた。しか
しながらこれでは、リード層６ａ，６ｂ間の距離Ｋが小
さくなってしまい、ＭＲ素子層５の動作範囲が小さくな
って特性が悪くなる。従ってＭＲ素子層５の動作範囲を
大きくするためには、ＭＲ素子層５自体を大きくしかも
広く形成する必要があり、小型化の妨げとなっていた。
の構成では、ＭＲ素子層５の面内方向に対するリード層
６ａ，６ｂそれぞれの対向面６ｃ，６ｄそれぞれの傾斜
角Ｍが１０度以下となっていたために、リード層６ａ，
６ｂそれぞれの前記対向面部分の厚さが薄くなり、それ
にともなって前記対向面部分の電気抵抗が大きくなると
いう問題点があった。この事は、ＭＲ型ヘッドの小型化
にとって非常に問題であり以下の様な不具合が生じる。
即ち対向面部分が電気抵抗が大きくなると、ＭＲ素子層
５に十分なセンス電流を流す事が出来ずに特性が非常に
悪くなる。従ってＭＲ素子層５に接合しているリード層
６ａとリード層６ｂの間の距離を狭くし、各リード層の
電気抵抗がより小さい部分（各リード層の厚さの厚い部
分）をＭＲ素子層５に接触させるようにしていた。しか
しながらこれでは、リード層６ａ，６ｂ間の距離Ｋが小
さくなってしまい、ＭＲ素子層５の動作範囲が小さくな
って特性が悪くなる。従ってＭＲ素子層５の動作範囲を
大きくするためには、ＭＲ素子層５自体を大きくしかも
広く形成する必要があり、小型化の妨げとなっていた。
【０００９】さらに、各リード層の膜厚が薄くなってし
まうと、成膜条件の違いやちょっとした不純物が混入す
る等の自体が生じると、電気抵抗が大きく変わって来る
ので、図１１に示す動作範囲Ｋについてもかなりのばら
つきを生じていた。
まうと、成膜条件の違いやちょっとした不純物が混入す
る等の自体が生じると、電気抵抗が大きく変わって来る
ので、図１１に示す動作範囲Ｋについてもかなりのばら
つきを生じていた。
【００１０】本発明は前記従来の課題を解決するもの
で、リード層の電気抵抗が大きくならず、しかも小型化
を行う事ができ、さらに動作範囲のばらつきを小さな磁
気抵抗効果型ヘッドを提供することを目的とする。
で、リード層の電気抵抗が大きくならず、しかも小型化
を行う事ができ、さらに動作範囲のばらつきを小さな磁
気抵抗効果型ヘッドを提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、ＭＲ素子層の面内方向に対するリード層の接合部の
対向面の傾斜角を１５度以上とした。
に、ＭＲ素子層の面内方向に対するリード層の接合部の
対向面の傾斜角を１５度以上とした。
【００１２】
【作用】この構成により、リード層対向部の膜厚を厚く
することができ、電気抵抗が大きくなるのを防止でき
る。
することができ、電気抵抗が大きくなるのを防止でき
る。
【００１３】
【実施例】図１は本発明の一実施例におけるＭＲ型ヘッ
ドを示す正面図である。図において、１は基板、２は絶
縁層、３はシールド層、４は絶縁層、５はＭＲ素子層
で、ＭＲ素子層５は、図１０に示す様に軟磁性体層１
０、中間層１１、ＭＲ層１２を積層して構成される。７
は絶縁層、８はシールド層、９は絶縁層、１７は下部コ
ア層、１８はギャップ層、１９は上部コア層、２０は保
護層でこれらは従来の構成と同じである。３６ａ，３６
ｂはそれぞれリード層で、リード層３６ａ，３６ｂはそ
れぞれ複数層を積層して構成されており、前記各リード
は図２に示す様にＭＲ素子層５の上に反強磁性バイアス
層３７、密着性強化層３８、導電性リード３９、密着性
強化層４０を順に積層して構成される。密着強化層３
８，４０はそれぞれタンタル等で構成され、導電性リー
ド３９は金等の導電性材料で構成される。従来例のリー
ド層と異なるのは、ＭＲ素子層５の面内方向に対してリ
ード層３６ａ，３６ｂそれぞれの対向部３６ｃ，３６ｂ
の傾斜角Ｌが１５度以上ということである（各リード層
の先端部のＭＲ素子層５の面内方向に対する傾斜角が１
５以上）。この傾斜角Ｌは３０度以上が好ましく、さら
には７０度以上が好ましい。
ドを示す正面図である。図において、１は基板、２は絶
縁層、３はシールド層、４は絶縁層、５はＭＲ素子層
で、ＭＲ素子層５は、図１０に示す様に軟磁性体層１
０、中間層１１、ＭＲ層１２を積層して構成される。７
は絶縁層、８はシールド層、９は絶縁層、１７は下部コ
ア層、１８はギャップ層、１９は上部コア層、２０は保
護層でこれらは従来の構成と同じである。３６ａ，３６
ｂはそれぞれリード層で、リード層３６ａ，３６ｂはそ
れぞれ複数層を積層して構成されており、前記各リード
は図２に示す様にＭＲ素子層５の上に反強磁性バイアス
層３７、密着性強化層３８、導電性リード３９、密着性
強化層４０を順に積層して構成される。密着強化層３
８，４０はそれぞれタンタル等で構成され、導電性リー
ド３９は金等の導電性材料で構成される。従来例のリー
ド層と異なるのは、ＭＲ素子層５の面内方向に対してリ
ード層３６ａ，３６ｂそれぞれの対向部３６ｃ，３６ｂ
の傾斜角Ｌが１５度以上ということである（各リード層
の先端部のＭＲ素子層５の面内方向に対する傾斜角が１
５以上）。この傾斜角Ｌは３０度以上が好ましく、さら
には７０度以上が好ましい。
【００１４】図３，図４はそれぞれリード層３６ａ，３
６ｂとＭＲ素子層５の接合状態を示す平面図及び部分断
面図である。この図から判るように、本実施例では、傾
斜角Ｌを１５度以上とすることによって、ＭＲ素子層５
にはリード３６ｂのＢ側に近い部分からＭＲ素子層５に
電流が流れ込んでいることが判る。従って図３に示す動
作範囲Ｐにばらつきが小さくなるとともに、電気抵抗も
小さくなるので、各リード層とＭＲ素子層５の接触面積
も小さくて済むので動作範囲Ｐも大きくとれる。比較の
ために図５に従来のＭＲ型ヘッドの部分断面図を示す。
図から判るように角度Ｍが１０度以下のために、先端部
が非常に膜厚が薄くなっているので、リード層６ｂのＡ
側に近い側から徐々にＭＲ素子層５に電流が流れ込み始
めるので、動作範囲Ｐのばらつき量が多くなり、ＭＲ型
ヘッドの歩留まりも悪くなる。更に、先端部の電気抵抗
も大きくなるので、各リード層とＭＲ素子層５の接触面
積を大きくしなければならないので、動作範囲Ｐは小さ
くなってしまう。
６ｂとＭＲ素子層５の接合状態を示す平面図及び部分断
面図である。この図から判るように、本実施例では、傾
斜角Ｌを１５度以上とすることによって、ＭＲ素子層５
にはリード３６ｂのＢ側に近い部分からＭＲ素子層５に
電流が流れ込んでいることが判る。従って図３に示す動
作範囲Ｐにばらつきが小さくなるとともに、電気抵抗も
小さくなるので、各リード層とＭＲ素子層５の接触面積
も小さくて済むので動作範囲Ｐも大きくとれる。比較の
ために図５に従来のＭＲ型ヘッドの部分断面図を示す。
図から判るように角度Ｍが１０度以下のために、先端部
が非常に膜厚が薄くなっているので、リード層６ｂのＡ
側に近い側から徐々にＭＲ素子層５に電流が流れ込み始
めるので、動作範囲Ｐのばらつき量が多くなり、ＭＲ型
ヘッドの歩留まりも悪くなる。更に、先端部の電気抵抗
も大きくなるので、各リード層とＭＲ素子層５の接触面
積を大きくしなければならないので、動作範囲Ｐは小さ
くなってしまう。
【００１５】次に傾斜角Ｌによる効果について説明す
る。まず本実施例の様に傾斜角Ｌを１５度以上（１７度
程度）に設定したＭＲ型ヘッドと従来例の様に傾斜角Ｌ
を１０度以下（５度程度）に設定したＭＲ型ヘッドにつ
いて、それぞれリード層の抵抗を測定したところ、本実
施例では１７Ωで、従来例では２０Ωであり、本実施例
の方が小さかった（リード層とＭＲ素子層の接触面積は
同じとした）。更に電気抵抗が小さい分、本実施例では
Ｓ／Ｎ比は３６ｄＢであり、従来例では３５ｄＢであ
り、本実施例の方が良かった。さらに動作範囲Ｐを５μ
ｍに設定してリードを作製した結果、本実施例では４．
９μｍで、従来例は５．５μｍで、本実施例の方がその
誤差は小さかった。
る。まず本実施例の様に傾斜角Ｌを１５度以上（１７度
程度）に設定したＭＲ型ヘッドと従来例の様に傾斜角Ｌ
を１０度以下（５度程度）に設定したＭＲ型ヘッドにつ
いて、それぞれリード層の抵抗を測定したところ、本実
施例では１７Ωで、従来例では２０Ωであり、本実施例
の方が小さかった（リード層とＭＲ素子層の接触面積は
同じとした）。更に電気抵抗が小さい分、本実施例では
Ｓ／Ｎ比は３６ｄＢであり、従来例では３５ｄＢであ
り、本実施例の方が良かった。さらに動作範囲Ｐを５μ
ｍに設定してリードを作製した結果、本実施例では４．
９μｍで、従来例は５．５μｍで、本実施例の方がその
誤差は小さかった。
【００１６】この様に本実施例では、傾斜角Ｌが１５度
以上であれば十分に上記効果を得ることができ、好まし
くは３０度以上、更に７０度以上にする事が好ましいこ
とが判った。
以上であれば十分に上記効果を得ることができ、好まし
くは３０度以上、更に７０度以上にする事が好ましいこ
とが判った。
【００１７】次にリード層の形成方法について説明す
る。まず図６に示す様にＭＲ素子層５まで積層して、次
にＭＲ素子層５の上にレジスト３８を所定の形状で膜付
けする。この時リード層の傾斜角Ｌはこのレジスト３８
の高さＨに依存するので、傾斜角Ｌが１５度以上となる
ように高さＨを設定する。次に図７に示す様に、リード
層３６ａ，３６ｂを構成する膜、即ち反強磁性体バイア
ス層、密着性強化層、導電性リード、密着性強化層を順
に積層し、その後に図８に示す様にレジスト３８を取り
除いてリード層３６ａ，３６ｂを形成する。
る。まず図６に示す様にＭＲ素子層５まで積層して、次
にＭＲ素子層５の上にレジスト３８を所定の形状で膜付
けする。この時リード層の傾斜角Ｌはこのレジスト３８
の高さＨに依存するので、傾斜角Ｌが１５度以上となる
ように高さＨを設定する。次に図７に示す様に、リード
層３６ａ，３６ｂを構成する膜、即ち反強磁性体バイア
ス層、密着性強化層、導電性リード、密着性強化層を順
に積層し、その後に図８に示す様にレジスト３８を取り
除いてリード層３６ａ，３６ｂを形成する。
【００１８】以上の様に、本実施例では傾斜角Ｌを１５
度以上に設定することによって、動作範囲Ｐを精度良く
行える。さらに動作範囲Ｐを大きく取ることが出来るの
で、ＭＲ素子層５を大きく形成しなくても良いので、小
型化を行う事ができる。
度以上に設定することによって、動作範囲Ｐを精度良く
行える。さらに動作範囲Ｐを大きく取ることが出来るの
で、ＭＲ素子層５を大きく形成しなくても良いので、小
型化を行う事ができる。
【００１９】
【発明の効果】本発明は、ＭＲ素子層の面内方向に対す
るリード層の接合部の対向面の傾斜角を１５度以上とし
た事により、リード層対向部の膜厚を厚くすることがで
き、電気抵抗が大きくなるのを防止できるので、動作範
囲を大きく取れるとともに、動作範囲のばらつきを抑え
る事ができる。
るリード層の接合部の対向面の傾斜角を１５度以上とし
た事により、リード層対向部の膜厚を厚くすることがで
き、電気抵抗が大きくなるのを防止できるので、動作範
囲を大きく取れるとともに、動作範囲のばらつきを抑え
る事ができる。
【図１】本発明の一実施例におけるＭＲ型ヘッドを示す
正面図
正面図
【図２】本発明の一実施例におけるＭＲ型ヘッドを示す
部分断面図
部分断面図
【図３】本発明の一実施例におけるＭＲ型ヘッドを示す
平面図
平面図
【図４】本発明の一実施例におけるＭＲ型ヘッドを示す
部分平面図
部分平面図
【図５】従来のＭＲ型ヘッドの部分断面図
【図６】本発明の一実施例におけるＭＲ型ヘッドの製造
工程を示す正面図
工程を示す正面図
【図７】本発明の一実施例におけるＭＲ型ヘッドの製造
工程を示す正面図
工程を示す正面図
【図８】本発明の一実施例におけるＭＲ型ヘッドの製造
工程を示す正面図
工程を示す正面図
【図９】従来のＭＲ型ヘッドを示す正面図
【図１０】従来のＭＲ型ヘッドを示す部分拡大図
【図１１】従来のＭＲヘッドを示す平面図
５ ＭＲ素子層 ３６ａ リード層 ３６ｂ リード層
Claims (5)
- 【請求項１】磁気抵抗効果素子層と、前記磁気抵抗効果
素子層にセンス電流を供給するリード層とを備え、前記
リード層の磁気抵抗効果素子層に接合している先端部を
前記磁気抵抗効果素子層の面内方向に対して１５度以上
傾斜させた事を特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。 - 【請求項２】リード層の磁気抵抗効果素子層に接合して
いる先端部を前記磁気抵抗効果素子層の面内方向に対し
て３０度以上傾斜させた事を特徴とする請求項１記載の
磁気抵抗効果型ヘッド。 - 【請求項３】リード層の磁気抵抗効果素子層に接合して
いる先端部を前記磁気抵抗効果素子層の面内方向に対し
て７０度以上傾斜させた事を特徴とする請求項１記載の
磁気抵抗効果型ヘッド。 - 【請求項４】一対のリード層を磁気抵抗効果素子層の両
端部にそれぞれ接続した事を特徴とする請求項１記載の
磁気抵抗効果型ヘッド。 - 【請求項５】磁気抵抗効果素子層の上に記録用の素子膜
を設けた事を特徴とする請求項１記載の磁気抵抗効果型
ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5227038A JPH0785425A (ja) | 1993-09-13 | 1993-09-13 | 磁気抵抗効果型ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5227038A JPH0785425A (ja) | 1993-09-13 | 1993-09-13 | 磁気抵抗効果型ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0785425A true JPH0785425A (ja) | 1995-03-31 |
Family
ID=16854559
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5227038A Pending JPH0785425A (ja) | 1993-09-13 | 1993-09-13 | 磁気抵抗効果型ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0785425A (ja) |
-
1993
- 1993-09-13 JP JP5227038A patent/JPH0785425A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7221547B2 (en) | Magnetoresistive effect element, a magnetic head, and a magnetic reproducing apparatus therewith | |
| US7672084B2 (en) | Composite thin-film magnetic head with non-magnetic conductive layer electrically connected with lower pole layer to increase counter electrode area | |
| US5796564A (en) | Magnetic head having a recessed portion corresponding to a magnetic path and method of manufacturing the same | |
| JPH0785425A (ja) | 磁気抵抗効果型ヘッド | |
| JP2001084511A (ja) | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 | |
| JP2000251227A (ja) | 複合型薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 | |
| JP2000155914A (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPH04337509A (ja) | 磁気ヘッド及びその製造方法 | |
| JP3934801B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法ならびに薄膜磁気ヘッド用素材およびその製造方法 | |
| JP3160947B2 (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド | |
| JP3530023B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 | |
| JP2906004B2 (ja) | 磁気ヘッド | |
| JP2002208114A (ja) | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 | |
| JP2832562B2 (ja) | 磁気ヘッド用薄膜導体コイルチップと、それを用いた磁気ヘッド | |
| JPH11126312A (ja) | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 | |
| JP3510165B2 (ja) | ヨーク型ｍｒ読み取り磁気ヘッドおよびその製造方法並びに磁気記録再生装置 | |
| JPH08287407A (ja) | 複合型磁気ヘッドとその製造方法 | |
| JP2000182220A (ja) | 録再分離型磁気ヘッド | |
| JP3538028B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 | |
| JP2000155913A (ja) | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 | |
| JPH07302410A (ja) | 複合型薄膜磁気ヘッド | |
| JPH07121839A (ja) | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 | |
| JPH0773418A (ja) | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド | |
| JPH0817019A (ja) | 磁気抵抗効果ヘッド | |
| US5870261A (en) | Magnetoresistive head |