JPH0678189B2 - 非還元性高誘電率系誘電体磁器組成物 - Google Patents
非還元性高誘電率系誘電体磁器組成物Info
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- JPH0678189B2 JPH0678189B2 JP59220745A JP22074584A JPH0678189B2 JP H0678189 B2 JPH0678189 B2 JP H0678189B2 JP 59220745 A JP59220745 A JP 59220745A JP 22074584 A JP22074584 A JP 22074584A JP H0678189 B2 JPH0678189 B2 JP H0678189B2
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- dielectric constant
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、ニッケル内部電極を有する積層型磁器コンデ
ンサの誘電体磁器組成物に関するもので、より詳細には
前記ニッケル内部電極に使用されている金属ニッケル微
粒子が酸化せず、優れた誘電体特性を有するようにした
非還元性高誘電率系誘電体磁器組成物に関するものであ
る。
ンサの誘電体磁器組成物に関するもので、より詳細には
前記ニッケル内部電極に使用されている金属ニッケル微
粒子が酸化せず、優れた誘電体特性を有するようにした
非還元性高誘電率系誘電体磁器組成物に関するものであ
る。
従来の技術 一般に、積層型磁器コンデンサは薄層の誘電体の表面に
内部電極を形成したものを複数枚積層し、内部電極を交
互に外部接続用電極に並列に接続するようにして一体的
に同時焼成している。このような積層型磁器コンデンサ
は、近年のエレクトロニクスの進展に伴い、電子部品の
小型化が急速に進行し、積層型磁器コンデンサにおいて
も容量効率が高い高誘電率系磁器コンデンサが広汎な電
子回路に使われるようになってきている。
内部電極を形成したものを複数枚積層し、内部電極を交
互に外部接続用電極に並列に接続するようにして一体的
に同時焼成している。このような積層型磁器コンデンサ
は、近年のエレクトロニクスの進展に伴い、電子部品の
小型化が急速に進行し、積層型磁器コンデンサにおいて
も容量効率が高い高誘電率系磁器コンデンサが広汎な電
子回路に使われるようになってきている。
しかしながら、従来の積層型磁器コンデンサは、内部電
極材料として高価な金属であるパラジウムまたはその合
金が使用されていたため、特に静電容量が大きい部品で
はコスト高となる。また容量効率が高く、その他誘電体
特性に優れかつ高信頼性であるにも拘わらず価格面がそ
の進展に大きな障壁となっていた。従って、高価なパラ
ジウム、またはその合金を使用することなく、卑金属た
とえばニッケルで内部電極を構成する積層型磁器コンデ
ンサに適した誘電体磁器組成物が強く望まれている。
極材料として高価な金属であるパラジウムまたはその合
金が使用されていたため、特に静電容量が大きい部品で
はコスト高となる。また容量効率が高く、その他誘電体
特性に優れかつ高信頼性であるにも拘わらず価格面がそ
の進展に大きな障壁となっていた。従って、高価なパラ
ジウム、またはその合金を使用することなく、卑金属た
とえばニッケルで内部電極を構成する積層型磁器コンデ
ンサに適した誘電体磁器組成物が強く望まれている。
このようなニッケルなどの卑金属を内部電極とするには
次のような問題がある。誘電体とニッケルなどの卑金属
内部電極とを同時焼成するために、前記卑金属が酸化す
ることなく金属膜として焼結する条件はNi/NiOの平衡酸
素分圧が1300℃において約３×10-7atmであるから、そ
れ以下の酸素分圧でなければならない。しかしながら、
チタン酸バリウムまたはその固溶体からなる誘電体は、
一方上記の酸素分圧下では誘電体自体が還元されてしま
い、実用的に価値がある程度の大きさの比誘電率、小さ
い誘電損失および高い絶縁抵抗といつた誘電体特性を維
持できなくなる。
次のような問題がある。誘電体とニッケルなどの卑金属
内部電極とを同時焼成するために、前記卑金属が酸化す
ることなく金属膜として焼結する条件はNi/NiOの平衡酸
素分圧が1300℃において約３×10-7atmであるから、そ
れ以下の酸素分圧でなければならない。しかしながら、
チタン酸バリウムまたはその固溶体からなる誘電体は、
一方上記の酸素分圧下では誘電体自体が還元されてしま
い、実用的に価値がある程度の大きさの比誘電率、小さ
い誘電損失および高い絶縁抵抗といつた誘電体特性を維
持できなくなる。
一方、ニッケルなどの内部電極を有する積層型コンデン
サとして使用できる非還元性誘電体磁器組成物として、
チタン酸バリウム固溶体（Ba,Ca,Sr）TiO3において塩基
性酸化物である（Ba,Ca,Sr）Ｏを酸性酸化物であるTiO2
に対して化学量論比より過剰とすることにより、非還元
性を得る試みが特公昭57-42588等において提案されてい
る。
サとして使用できる非還元性誘電体磁器組成物として、
チタン酸バリウム固溶体（Ba,Ca,Sr）TiO3において塩基
性酸化物である（Ba,Ca,Sr）Ｏを酸性酸化物であるTiO2
に対して化学量論比より過剰とすることにより、非還元
性を得る試みが特公昭57-42588等において提案されてい
る。
一般に、ABO3型結晶においては、酸素八面体（ペロブス
カイト）構造の中心に位置するＢイオン（カチオン）に
対して、Ｂイオンより大きい酸素に対して12配位をとる
Ａイオンが化学量論比より過剰である場合、結晶が酸素
原子を束縛し、還元され難いことが知られている。上記
特許公報に記載された発明は、この化学量論比のずれに
立脚し、誘電体の非還元性を向上させようとするもので
ある。しかしながら、チタン酸バリウムまたはその固溶
体においてはバリウム（Ba）とチタン（Ti）の原子数比
において、Ba/Ti＞１の場合、化学量論組成に対する結
晶の誘電的性質よりキューリ温度が低温側に移行すると
共に、キューリ温度での比誘電率が低下する。したがつ
て化学量論比に対してバリウム（Ba）が過剰な組成にお
いて、キューリ温度を室温近くに位置すべく固溶体の形
をとった場合、化学量論組成よりも比誘電率が低下して
しまい、上記公報においても比誘電率が比較的小さく約
8000程度である。
カイト）構造の中心に位置するＢイオン（カチオン）に
対して、Ｂイオンより大きい酸素に対して12配位をとる
Ａイオンが化学量論比より過剰である場合、結晶が酸素
原子を束縛し、還元され難いことが知られている。上記
特許公報に記載された発明は、この化学量論比のずれに
立脚し、誘電体の非還元性を向上させようとするもので
ある。しかしながら、チタン酸バリウムまたはその固溶
体においてはバリウム（Ba）とチタン（Ti）の原子数比
において、Ba/Ti＞１の場合、化学量論組成に対する結
晶の誘電的性質よりキューリ温度が低温側に移行すると
共に、キューリ温度での比誘電率が低下する。したがつ
て化学量論比に対してバリウム（Ba）が過剰な組成にお
いて、キューリ温度を室温近くに位置すべく固溶体の形
をとった場合、化学量論組成よりも比誘電率が低下して
しまい、上記公報においても比誘電率が比較的小さく約
8000程度である。
発明が解決しようとする問題点 本発明者等は、上記現状に鑑み鋭意研究の結果、BaTi
O3、BaZrO3および（Ca,Sr）ZrO3の固溶体において、ABO
3構造をとる結晶格子のA/Bの比を１とし、Y2O3と、MnO
と、Al2O3と、NiOとを適量添加することにより、1300℃
〜1340℃における酸素分圧３〜８×10-9atmの雰囲気で
焼成しても還元することなく高い絶縁性を有し、かつ高
い比誘電率を有することを知見した。
O3、BaZrO3および（Ca,Sr）ZrO3の固溶体において、ABO
3構造をとる結晶格子のA/Bの比を１とし、Y2O3と、MnO
と、Al2O3と、NiOとを適量添加することにより、1300℃
〜1340℃における酸素分圧３〜８×10-9atmの雰囲気で
焼成しても還元することなく高い絶縁性を有し、かつ高
い比誘電率を有することを知見した。
したがって、本発明においては、ニッケルなどの卑金属
粉末粒子が酸化することなく金属として焼結可能な酸素
分圧３〜８×10-9atmの雰囲気において焼成しても、高
い比誘電率と優れた絶縁性を有し、極めて経済性の高い
卑金属内部電極を有する高誘電率系積層型磁器コンデン
サの磁器組成物を提供することを目的とする。
粉末粒子が酸化することなく金属として焼結可能な酸素
分圧３〜８×10-9atmの雰囲気において焼成しても、高
い比誘電率と優れた絶縁性を有し、極めて経済性の高い
卑金属内部電極を有する高誘電率系積層型磁器コンデン
サの磁器組成物を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段 本発明は、組成式が、 （１−ｘ−ｙ）BaTiO3＋xBaZrO3＋ｙ（Ca（１−α）,Sr
α）ZrO3 ただし、０≦ｘ≦0.16 0.01≦ｙ≦0.10 ０≦α≦１ で表される組成物100重量部に対して、Y2O3と、MnOと、
Al2O3と、NiOとをそれぞれ以下に示す範囲で添加する非
還元性高誘電率系誘電体磁器組成物である。
α）ZrO3 ただし、０≦ｘ≦0.16 0.01≦ｙ≦0.10 ０≦α≦１ で表される組成物100重量部に対して、Y2O3と、MnOと、
Al2O3と、NiOとをそれぞれ以下に示す範囲で添加する非
還元性高誘電率系誘電体磁器組成物である。
0.2重量部＜Y2O3＜1.0重量部 0.06重量部＜MnO＜0.6重量部 0.1重量部＜Al2O3＜1.0重量部 0.1重量部＜NiO＜1.0重量部 作用 BaTiO3またはその固溶体が還元して絶縁性を失ない半導
体化した場合、ｎ型半導体即ち金属イオン過剰型半導体
となる。即ち、Tiが過剰になりそれ自身がドナーとなる
ものと考えられる。前述のBa/Ti＞１なる組成において
還元し難くなるのは結晶が雰囲気から酸素をとられ、Ti
過剰となると、もとから過剰に存在するBaと結合し、そ
の際雰囲気から酸素を奪うことにより、結果として結晶
から酸素が出ていくことを抑制するためであると考えて
よい。
体化した場合、ｎ型半導体即ち金属イオン過剰型半導体
となる。即ち、Tiが過剰になりそれ自身がドナーとなる
ものと考えられる。前述のBa/Ti＞１なる組成において
還元し難くなるのは結晶が雰囲気から酸素をとられ、Ti
過剰となると、もとから過剰に存在するBaと結合し、そ
の際雰囲気から酸素を奪うことにより、結果として結晶
から酸素が出ていくことを抑制するためであると考えて
よい。
本発明は上述の理論的根拠に依るものでなく、ｄ殻に電
子をもつ遷移金属の酸化物を添加することによって、Ba
TiO3固溶体結晶が還元して出来るドナー電子を遷移金属
酸化物が還元してできる正孔によって中和し、結果とし
て結晶の半導体化を抑制する技術思想に立脚するもので
ある、と推測される。
子をもつ遷移金属の酸化物を添加することによって、Ba
TiO3固溶体結晶が還元して出来るドナー電子を遷移金属
酸化物が還元してできる正孔によって中和し、結果とし
て結晶の半導体化を抑制する技術思想に立脚するもので
ある、と推測される。
またBaTiO3にMnOを添加して還元を抑制することは知ら
れているが、還元雰囲気にて焼結して十分な絶縁性を得
るためには、１モル％以上の添加量が必要である。その
場合キューリ温度での比誘電率は大きく低下してしま
う。本発明の基本とするところはMnOを可能な限り少な
くするために、ジルコン酸塩との固溶体とすること、
NiOとの添加によって正孔濃度を増加させることの２
点である。このとき酸素分圧３〜８×10-9atmではMnOと
異なり、NiOはBaTiO3の比誘電率を低下させないという
ことが重要である。
れているが、還元雰囲気にて焼結して十分な絶縁性を得
るためには、１モル％以上の添加量が必要である。その
場合キューリ温度での比誘電率は大きく低下してしま
う。本発明の基本とするところはMnOを可能な限り少な
くするために、ジルコン酸塩との固溶体とすること、
NiOとの添加によって正孔濃度を増加させることの２
点である。このとき酸素分圧３〜８×10-9atmではMnOと
異なり、NiOはBaTiO3の比誘電率を低下させないという
ことが重要である。
一方、Al2O3はTi4+に対して低原子価で絶縁抵抗の酸素
分圧依存性を大きくし、非還元性を向上する立場からは
好ましくないが、ジルコン酸塩との固溶体において液相
を形成し、結晶格子の移動を促進し、焼結性を向上して
比誘電率が向上する効果がある。しかしながら、結晶粒
成長が過大になると比誘電率は増大するが誘電損失が大
きくなり、絶縁破壊強度が低下するため、特に積層型磁
器コンデンサの誘電体磁器としては好ましくない。した
がって、Al2O3の添加に併せて、粒子成長を抑制する金
属酸化物の添加が重要である。この金属酸化物として
は、酸素との結合が強いY2O3が選ばれる。
分圧依存性を大きくし、非還元性を向上する立場からは
好ましくないが、ジルコン酸塩との固溶体において液相
を形成し、結晶格子の移動を促進し、焼結性を向上して
比誘電率が向上する効果がある。しかしながら、結晶粒
成長が過大になると比誘電率は増大するが誘電損失が大
きくなり、絶縁破壊強度が低下するため、特に積層型磁
器コンデンサの誘電体磁器としては好ましくない。した
がって、Al2O3の添加に併せて、粒子成長を抑制する金
属酸化物の添加が重要である。この金属酸化物として
は、酸素との結合が強いY2O3が選ばれる。
次に、前記組成範囲を限定した理由は、0.16＜ｘのと
き、0.10＜ｙのとき、BaTiO3，BaZrO3，CaZrO3および／
またはSrZrO3（以下「主要成分」という）100重量部に
対し、Y2O3≦0.2重量部のとき、MnO≧0.6重量部のと
き、Al2O3≦0.1重量部またはAl2O3≧1.0重量部のとき、
およびNiO≧1.0重量部のときは、比誘電率が小さく実用
的でないからである。
き、0.10＜ｙのとき、BaTiO3，BaZrO3，CaZrO3および／
またはSrZrO3（以下「主要成分」という）100重量部に
対し、Y2O3≦0.2重量部のとき、MnO≧0.6重量部のと
き、Al2O3≦0.1重量部またはAl2O3≧1.0重量部のとき、
およびNiO≧1.0重量部のときは、比誘電率が小さく実用
的でないからである。
また、ｙ＜0.01のとき、主要成分100重量部に対し、Y2O
3≧1.0重量部のとき、MnO≦0.06重量部のとき、およびN
iO≦0.1重量部のとき、絶縁抵抗が小さくコンデンサ材
料として不適である。尚、組成式において、（Ca
（１−α）,Srα）ZrO3は０≦α≦１の範囲で全率固溶
ではなく、実際は（１−α）CaZrO3＋αSrZrO3である
が、便宜上、上述のごとく記述した。
3≧1.0重量部のとき、MnO≦0.06重量部のとき、およびN
iO≦0.1重量部のとき、絶縁抵抗が小さくコンデンサ材
料として不適である。尚、組成式において、（Ca
（１−α）,Srα）ZrO3は０≦α≦１の範囲で全率固溶
ではなく、実際は（１−α）CaZrO3＋αSrZrO3である
が、便宜上、上述のごとく記述した。
実施例 BaCO3、CaCO3、SrCO3、TiO2およびZrO2を出発原料とし
て、BaTiO3、BaZrO3および（Ca（１−α）,Srα）ZrO3
をそれぞれ1200℃、1220℃および1220℃にて固相反応に
依り合成し、微粉砕した。合成粉末BaTiO3、BaZrO3およ
びCaZrO3をそれぞれ秤量し、その合計重量が1kgで、か
つ第１表の割合になるようにした。さらにこれにY2O3、
MnCO3、Al2O3およびNiOを第１表の割合になるように添
加し、分散剤および分散媒とともにボールミルにて混合
して同時に原料スラリーを調製する。この原料スラリー
に可塑剤とともに有機バインダを加え、充分攪拌、真空
脱泡ののち、ドクターブレード法に依って肉厚33μｍの
フイルム状に成形して、縦約130mm、横100mmに切断し、
10枚を積み重ねてホットプレスし、得られた厚さ約0.5m
mの板状試料を約10mm平方の角板状に切断する。この角
板試料を酸素分圧約５×10-9atmに制御し、キャリアガ
スをN2ガスとして、温度1300℃〜1340℃にて２時間焼成
した。このように焼成した角板試料の上下両面にIn-Ga
合金を全面に塗布し、第１表に示す評価試料１〜30とし
た。
て、BaTiO3、BaZrO3および（Ca（１−α）,Srα）ZrO3
をそれぞれ1200℃、1220℃および1220℃にて固相反応に
依り合成し、微粉砕した。合成粉末BaTiO3、BaZrO3およ
びCaZrO3をそれぞれ秤量し、その合計重量が1kgで、か
つ第１表の割合になるようにした。さらにこれにY2O3、
MnCO3、Al2O3およびNiOを第１表の割合になるように添
加し、分散剤および分散媒とともにボールミルにて混合
して同時に原料スラリーを調製する。この原料スラリー
に可塑剤とともに有機バインダを加え、充分攪拌、真空
脱泡ののち、ドクターブレード法に依って肉厚33μｍの
フイルム状に成形して、縦約130mm、横100mmに切断し、
10枚を積み重ねてホットプレスし、得られた厚さ約0.5m
mの板状試料を約10mm平方の角板状に切断する。この角
板試料を酸素分圧約５×10-9atmに制御し、キャリアガ
スをN2ガスとして、温度1300℃〜1340℃にて２時間焼成
した。このように焼成した角板試料の上下両面にIn-Ga
合金を全面に塗布し、第１表に示す評価試料１〜30とし
た。
これらの評価試料１〜30を焼成後室温にて放置し、48時
間経過後に周波数1.00KHz、信号レベル1.0Vrmsにて静電
容量および誘電損失を測定し、その後直流50Vを１分間
印加し、そのときの絶縁抵抗値を絶縁抵抗計を用いて測
定した。
間経過後に周波数1.00KHz、信号レベル1.0Vrmsにて静電
容量および誘電損失を測定し、その後直流50Vを１分間
印加し、そのときの絶縁抵抗値を絶縁抵抗計を用いて測
定した。
第１表から明らかなように組成式が、 （１−ｘ−ｙ）BaTiO3＋xBaZrO3＋ｙ（Ca１−αSrα）Z
rO3 但し０≦ｘ≦0.16 0.01≦ｙ≦0.10 ０≦α≦１ で表わされる組成物100重量部に対してY2O3、MnO、Al2O
3、NiOをそれぞれ以下に示す範囲で添加して成る誘電体
組成物を、酸素分圧３〜８×10-9atmの雰囲気中で1300
℃〜1340℃で焼成した。このとき焼結した誘電体磁器
は、高い絶縁抵抗を有し、比誘電率が8000以上と高く
（望ましい組成比では比誘電率が12750）、誘電正接がt
anδ＜1.03％と小さく、また絶縁抵抗が2.9×104ＭΩ以
上と大きく、高誘電率系誘電体磁器として優れた特性を
有していることが理解される。
rO3 但し０≦ｘ≦0.16 0.01≦ｙ≦0.10 ０≦α≦１ で表わされる組成物100重量部に対してY2O3、MnO、Al2O
3、NiOをそれぞれ以下に示す範囲で添加して成る誘電体
組成物を、酸素分圧３〜８×10-9atmの雰囲気中で1300
℃〜1340℃で焼成した。このとき焼結した誘電体磁器
は、高い絶縁抵抗を有し、比誘電率が8000以上と高く
（望ましい組成比では比誘電率が12750）、誘電正接がt
anδ＜1.03％と小さく、また絶縁抵抗が2.9×104ＭΩ以
上と大きく、高誘電率系誘電体磁器として優れた特性を
有していることが理解される。
0.2重量部＜Y2O3＜1.0重量部 0.06重量部＜MnO＜0.6重量部 0.1重量部＜Al2O3＜1.0重量部 0.1重量部＜NiO＜1.0重量部 またニツケルを内部電極とする積層型磁器コンデンサの
誘電体磁器は、ニツケル金属電極と同時に焼成するため
に、ニツケルが酸化することなく金属膜として焼結する
雰囲気で焼成することができ、かつ焼結磁器の誘電特性
は磁器コンデンサの誘電体として具備すべき特性を当然
満足していなければならない。したがつてNi/NiOの平衡
酸素圧は1300℃において約３×10-7atmであるからそれ
以下の酸素分圧の雰囲気中で焼結する必要があり、実用
的に価値ある程度の大きさの比誘電率と小さい誘電損失
と高い絶縁抵抗とを有している必要がある。そこで酸素
分圧が３〜８×10-9atmである還元性雰囲気で焼成する
ことにより、たとえば約0.7μｍの金属ニツケル微粒子
が酸化することなく、優れた誘電体特性が保たれること
が理解されるに至つた。
誘電体磁器は、ニツケル金属電極と同時に焼成するため
に、ニツケルが酸化することなく金属膜として焼結する
雰囲気で焼成することができ、かつ焼結磁器の誘電特性
は磁器コンデンサの誘電体として具備すべき特性を当然
満足していなければならない。したがつてNi/NiOの平衡
酸素圧は1300℃において約３×10-7atmであるからそれ
以下の酸素分圧の雰囲気中で焼結する必要があり、実用
的に価値ある程度の大きさの比誘電率と小さい誘電損失
と高い絶縁抵抗とを有している必要がある。そこで酸素
分圧が３〜８×10-9atmである還元性雰囲気で焼成する
ことにより、たとえば約0.7μｍの金属ニツケル微粒子
が酸化することなく、優れた誘電体特性が保たれること
が理解されるに至つた。
Claims (1)
- 【請求項１】組成式が、 （１−ｘ−ｙ）BaTiO3＋xBaZrO3＋ｙ（Ca（１−α）,Sr
α）ZrO3 ただし、０≦ｘ≦0.16 0.01≦ｙ≦0.10 ０≦α≦１ で表される組成物100重量部に対して、Y2O3と、MnOと、
Al2O3と、NiOとをそれぞれ以下に示す範囲で添加するこ
とを特徴とする非還元性高誘電率系誘電体磁器組成物。 0.2重量部＜Y2O3＜1.0重量部 0.06重量部＜MnO＜0.6重量部 0.1重量部＜Al2O3＜1.0重量部 0.1重量部＜NiO＜1.0重量部
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59220745A JPH0678189B2 (ja) | 1984-10-20 | 1984-10-20 | 非還元性高誘電率系誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59220745A JPH0678189B2 (ja) | 1984-10-20 | 1984-10-20 | 非還元性高誘電率系誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61101459A JPS61101459A (ja) | 1986-05-20 |
| JPH0678189B2 true JPH0678189B2 (ja) | 1994-10-05 |
Family
ID=16755866
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59220745A Expired - Fee Related JPH0678189B2 (ja) | 1984-10-20 | 1984-10-20 | 非還元性高誘電率系誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0678189B2 (ja) |
Families Citing this family (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0825795B2 (ja) * | 1986-10-21 | 1996-03-13 | 京セラ株式会社 | 非還元性誘電体磁器組成物 |
| JPH0766895B2 (ja) * | 1989-05-11 | 1995-07-19 | 松下電器産業株式会社 | 積層セラミックコンデンサの製造方法 |
| JPH0614497B2 (ja) * | 1990-05-16 | 1994-02-23 | 太陽誘電株式会社 | 磁器コンデンサ及びその製造方法 |
| JPH0614496B2 (ja) * | 1990-05-16 | 1994-02-23 | 太陽誘電株式会社 | 磁器コンデンサ及びその製造方法 |
| JPH0614498B2 (ja) * | 1990-05-16 | 1994-02-23 | 太陽誘電株式会社 | 磁器コンデンサ及びその製造方法 |
| JPH0614501B2 (ja) * | 1990-06-20 | 1994-02-23 | 太陽誘電株式会社 | 磁器コンデンサ及びその製造方法 |
| JPH0614499B2 (ja) * | 1990-06-20 | 1994-02-23 | 太陽誘電株式会社 | 磁器コンデンサ及びその製造方法 |
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