JPH0785462A - 磁気ディスク媒体 - Google Patents
磁気ディスク媒体Info
- Publication number
- JPH0785462A JPH0785462A JP23311193A JP23311193A JPH0785462A JP H0785462 A JPH0785462 A JP H0785462A JP 23311193 A JP23311193 A JP 23311193A JP 23311193 A JP23311193 A JP 23311193A JP H0785462 A JPH0785462 A JP H0785462A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic disk
- magnetic
- center line
- protective layer
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Abstract
(57)【要約】
【目的】
【構成】 半径方向表面粗さをＰｃ（＋１００Ａ）
≧３０（左辺：粗さ曲線の中心線の上側１００Ａに中心
線と平行なピークカウントレベル（ＰＣ）を設けたとき
中心線と粗さ曲線が交差する２点間でＰＣと粗さ曲線と
の交差点が１回以上存在する場合一山とし、基準長（２
５０μｍ）内の山の合計数）とし、保護層が１５３０〜
１６００ｃｍ-1と１３５０〜１４００ｃｍ-1にラマンピ
−クＩ，ＩＩを有し強度比（ＩＩ／Ｉ）≦０．８の非晶
質カ−ボンよりなる磁気記録媒体。 【効果】 耐久性、信頼性に優れた磁気ディスク媒
体が得られる。
≧３０（左辺：粗さ曲線の中心線の上側１００Ａに中心
線と平行なピークカウントレベル（ＰＣ）を設けたとき
中心線と粗さ曲線が交差する２点間でＰＣと粗さ曲線と
の交差点が１回以上存在する場合一山とし、基準長（２
５０μｍ）内の山の合計数）とし、保護層が１５３０〜
１６００ｃｍ-1と１３５０〜１４００ｃｍ-1にラマンピ
−クＩ，ＩＩを有し強度比（ＩＩ／Ｉ）≦０．８の非晶
質カ−ボンよりなる磁気記録媒体。 【効果】 耐久性、信頼性に優れた磁気ディスク媒
体が得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、固定磁気ディスク装置
に用いられる磁気ディスクに関するものである。
に用いられる磁気ディスクに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に磁気ディスクは、アルミニウム合
金などからなる非磁性の表面をアルマイト処理、または
ニッケル−リン無電解メッキ処理等により硬化し、その
表面を所定の粗さに研磨した後、磁性層の特性を向上さ
せるための下地層、次いで磁性層、保護層を連続して形
成し、さらに潤滑層を設けて作製される。
金などからなる非磁性の表面をアルマイト処理、または
ニッケル−リン無電解メッキ処理等により硬化し、その
表面を所定の粗さに研磨した後、磁性層の特性を向上さ
せるための下地層、次いで磁性層、保護層を連続して形
成し、さらに潤滑層を設けて作製される。
【０００３】磁気ディスク装置においては、磁気ヘッド
と磁気ディスク間の微小な空隙を安定に維持するため
に、磁気ディスク停止時には磁気ヘッドが磁気ディスク
上に接触して停止しており、回転起動時にその面上を摺
動し浮上走行するいわゆるコンタクト・スタート・スト
ップ（Ｃ．Ｓ．Ｓ．）方式が採用されている。このＣ．
Ｓ．Ｓ．方式では、磁気ディスク装置の起動と停止時に
発生する磁気ディスクと磁気ヘッド間の、摺動摩擦係数
を十分小さく維持しうる耐久性が必要とされる。このた
め、基板上の非磁性表面層に微小な凹凸を形成し、磁気
ディスクと磁気ヘッド間の摩擦係数を低下させるテクス
チャリング加工や、その表面粗さの制御、さらには、保
護層としてカ−ボン等が用いられ、その表面に潤滑剤を
塗布することが従来から行われてきた。
と磁気ディスク間の微小な空隙を安定に維持するため
に、磁気ディスク停止時には磁気ヘッドが磁気ディスク
上に接触して停止しており、回転起動時にその面上を摺
動し浮上走行するいわゆるコンタクト・スタート・スト
ップ（Ｃ．Ｓ．Ｓ．）方式が採用されている。このＣ．
Ｓ．Ｓ．方式では、磁気ディスク装置の起動と停止時に
発生する磁気ディスクと磁気ヘッド間の、摺動摩擦係数
を十分小さく維持しうる耐久性が必要とされる。このた
め、基板上の非磁性表面層に微小な凹凸を形成し、磁気
ディスクと磁気ヘッド間の摩擦係数を低下させるテクス
チャリング加工や、その表面粗さの制御、さらには、保
護層としてカ−ボン等が用いられ、その表面に潤滑剤を
塗布することが従来から行われてきた。
【０００４】しかしながら、近年のハ−ドディスク大容
量化に伴い、ディスクの高記録密度を達成する（高線記
録密度化、高トラック密度化）ため、磁気ヘッドとして
は従来のフェライトヘッドにかわり薄膜ヘッドが使用さ
れるようになった。薄膜ヘッドのスライダ−材質は一般
にＡｌＴｉＣからなり、その硬度はフェライトに比べて
大きいため、ディスク装置の動作時において、保護層に
傷が入ってデ−タが破壊されるなどの問題が生じ始めて
いる。すなわち、従来のフェライトヘッドでは十分であ
った耐久性（Ｃ．Ｓ．Ｓ．特性）が不十分となり、この
ため薄膜ヘッド対応の高硬度保護層が必要となってきて
いる。
量化に伴い、ディスクの高記録密度を達成する（高線記
録密度化、高トラック密度化）ため、磁気ヘッドとして
は従来のフェライトヘッドにかわり薄膜ヘッドが使用さ
れるようになった。薄膜ヘッドのスライダ−材質は一般
にＡｌＴｉＣからなり、その硬度はフェライトに比べて
大きいため、ディスク装置の動作時において、保護層に
傷が入ってデ−タが破壊されるなどの問題が生じ始めて
いる。すなわち、従来のフェライトヘッドでは十分であ
った耐久性（Ｃ．Ｓ．Ｓ．特性）が不十分となり、この
ため薄膜ヘッド対応の高硬度保護層が必要となってきて
いる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、薄膜
ヘッドに対して耐久性に優れ、信頼性の高い磁気記録媒
体を提供することにある。
ヘッドに対して耐久性に優れ、信頼性の高い磁気記録媒
体を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決するために鋭意検討を行った結果、磁気ディスク
基板の半径方向における表面粗さが、基準長さ２５０μ
ｍの間において、 Ｐｃ（＋１００Ａ）≧３０ （但し、Ｐｃ（＋１００Ａ）とは、粗さ曲線の中心線に
対し上側に１００オングストロームの位置に、中心線に
対して平行な１本のピークカウントレベルを設けたと
き、中心線と粗さ曲線が交差する２点間において、ピー
クカウントレベルと粗さ曲線が交差する点が１回以上存
在する場合一山とし、基準長さにおいての山の合計数を
表す）に制御し、かつ保護層が非晶質カ−ボン膜により
構成されている磁気記録媒体を見出し、本発明を完成す
るに至った。
を解決するために鋭意検討を行った結果、磁気ディスク
基板の半径方向における表面粗さが、基準長さ２５０μ
ｍの間において、 Ｐｃ（＋１００Ａ）≧３０ （但し、Ｐｃ（＋１００Ａ）とは、粗さ曲線の中心線に
対し上側に１００オングストロームの位置に、中心線に
対して平行な１本のピークカウントレベルを設けたと
き、中心線と粗さ曲線が交差する２点間において、ピー
クカウントレベルと粗さ曲線が交差する点が１回以上存
在する場合一山とし、基準長さにおいての山の合計数を
表す）に制御し、かつ保護層が非晶質カ−ボン膜により
構成されている磁気記録媒体を見出し、本発明を完成す
るに至った。
【０００７】以下、本発明を図面に基づいて説明する。
【０００８】図１は、本発明による磁気記録媒体の断面
図を示す一例である。同図においては、アルミニウム基
板上にニッケル−リン（Ｎｉ−Ｐ）メッキが施されてお
り、次いで例えばクロム等からなる下地層、次いでコバ
ルト−１２クロム−２タンタル（Ｃｏ−１２Ｃｒ−２Ｔ
ａ）等からなる磁性層、その上に上記非晶質カーボン等
からなる保護層が、スパッタリング法等の成膜法を用い
て、順次積層されている。更に保護層の上にはフッ素化
合物の液体潤滑剤が塗布された構造になっている。
図を示す一例である。同図においては、アルミニウム基
板上にニッケル−リン（Ｎｉ−Ｐ）メッキが施されてお
り、次いで例えばクロム等からなる下地層、次いでコバ
ルト−１２クロム−２タンタル（Ｃｏ−１２Ｃｒ−２Ｔ
ａ）等からなる磁性層、その上に上記非晶質カーボン等
からなる保護層が、スパッタリング法等の成膜法を用い
て、順次積層されている。更に保護層の上にはフッ素化
合物の液体潤滑剤が塗布された構造になっている。
【０００９】図２は、Ｐｃ（＋１００Ａ）を説明するた
めの磁気ディスク表面の一部断面図である。同図におい
て、ａは基準長さを示し、ｂは粗さ曲線の中心線、ｃは
上側ピークカウントレベルをそれぞれ示し、同図で一山
として示される山の合計数がこのピークカウントレベル
における山数として計算され、即ちＰｃ（＋１００Ａ）
を意味する。
めの磁気ディスク表面の一部断面図である。同図におい
て、ａは基準長さを示し、ｂは粗さ曲線の中心線、ｃは
上側ピークカウントレベルをそれぞれ示し、同図で一山
として示される山の合計数がこのピークカウントレベル
における山数として計算され、即ちＰｃ（＋１００Ａ）
を意味する。
【００１０】表面の粗さを制御するための装置として
は、一般に用いられているものが使用でき、その一例を
図３に示す。１は本発明のテクスチャリングが施される
磁気ディスク基板を示す。テクスチャリングを２段階で
行う場合、第１段めは、研削液を吐出口３より吐出しな
がら固定砥粒である研磨テープ２で、第２段めは、砥粒
が研削液に混合分散された遊離砥粒をスラリー吐出口３
´より吐出しながらバフテープ２´でそれぞれ行うこと
が好ましい。４は研磨テープまたはバフテープを基板表
面に圧着接触させるための加圧用ゴムローラを示す。な
お、このテクスチャリング加工において、上述のＰｃ
（＋１００Ａ）による規定のほかに、磁気ディスク基板
の半径方向における表面粗さが、中心線平均粗さで５０
〜９０オングストロームにあると耐久性のみならず、グ
ライド特性についてもヘッドのフライングハイトが１．
５マイクロインチで安定なヘッド浮上特性が得られるな
ど、より好ましい結果が得られる。
は、一般に用いられているものが使用でき、その一例を
図３に示す。１は本発明のテクスチャリングが施される
磁気ディスク基板を示す。テクスチャリングを２段階で
行う場合、第１段めは、研削液を吐出口３より吐出しな
がら固定砥粒である研磨テープ２で、第２段めは、砥粒
が研削液に混合分散された遊離砥粒をスラリー吐出口３
´より吐出しながらバフテープ２´でそれぞれ行うこと
が好ましい。４は研磨テープまたはバフテープを基板表
面に圧着接触させるための加圧用ゴムローラを示す。な
お、このテクスチャリング加工において、上述のＰｃ
（＋１００Ａ）による規定のほかに、磁気ディスク基板
の半径方向における表面粗さが、中心線平均粗さで５０
〜９０オングストロームにあると耐久性のみならず、グ
ライド特性についてもヘッドのフライングハイトが１．
５マイクロインチで安定なヘッド浮上特性が得られるな
ど、より好ましい結果が得られる。
【００１１】本発明の保護層は、非晶質カ−ボン膜より
構成される。このような非晶質カ−ボン膜は、例えば、
カ−ボンタ−ゲットを用いてＤＣスパッタリングする
際、スパッタリング雰囲気ガスとして、アルゴン／メタ
ン混合ガスを用いることにより膜中に水素が導入されて
得ることができる。アルゴン／メタン混合ガスの全ガス
圧は１〜２０ｍｔｏｒｒ、アルゴン／メタンの混合比
（体積比）は９８／２〜６０／４０が好ましい。なお、
成膜方法は特にＤＣスパッタ法に限定されない。
構成される。このような非晶質カ−ボン膜は、例えば、
カ−ボンタ−ゲットを用いてＤＣスパッタリングする
際、スパッタリング雰囲気ガスとして、アルゴン／メタ
ン混合ガスを用いることにより膜中に水素が導入されて
得ることができる。アルゴン／メタン混合ガスの全ガス
圧は１〜２０ｍｔｏｒｒ、アルゴン／メタンの混合比
（体積比）は９８／２〜６０／４０が好ましい。なお、
成膜方法は特にＤＣスパッタ法に限定されない。
【００１２】このようにして得られた非晶質カ−ボン膜
のうち、好ましい膜組成としては、この膜をラマン散乱
分光分析したときのスペクトルピーク（ラマンシフト）
が、１５３０〜１６００ｃｍ-1および１３５０〜１４０
０ｃｍ-1にあり、かつそのピ−ク強度比（１３５０〜１
４００ｃｍ-1／１５３０〜１６００ｃｍ-1）が０．８以
下のものである。ピ−ク強度比は０．８以下であれば耐
久性は得られるが、好ましくは、０．６〜０．８に調整
することによってさらに良好な特性が得られる。硬度に
ついては水素の導入によりカ−ボン膜中の四面体構造炭
素を増やし、膜の実質の硬度が（ビッカ−ス硬度：７０
０〜１０００から１３００以上）増加する。このとき、
メタンガスのかわりに水素ガスを使用しても同様の効果
が得られる。
のうち、好ましい膜組成としては、この膜をラマン散乱
分光分析したときのスペクトルピーク（ラマンシフト）
が、１５３０〜１６００ｃｍ-1および１３５０〜１４０
０ｃｍ-1にあり、かつそのピ−ク強度比（１３５０〜１
４００ｃｍ-1／１５３０〜１６００ｃｍ-1）が０．８以
下のものである。ピ−ク強度比は０．８以下であれば耐
久性は得られるが、好ましくは、０．６〜０．８に調整
することによってさらに良好な特性が得られる。硬度に
ついては水素の導入によりカ−ボン膜中の四面体構造炭
素を増やし、膜の実質の硬度が（ビッカ−ス硬度：７０
０〜１０００から１３００以上）増加する。このとき、
メタンガスのかわりに水素ガスを使用しても同様の効果
が得られる。
【００１３】また、潤滑層に、精製された弗素系ルブリ
カントを使用することで、さらに安定な耐久性が得られ
る。
カントを使用することで、さらに安定な耐久性が得られ
る。
【００１４】潤滑層の厚さは、１５〜２６オングストロ
ーム、好ましくは、１８〜２４オングストロームであ
り、ディッピング法などにより磁気ディスク表面に塗布
すればよい。
ーム、好ましくは、１８〜２４オングストロームであ
り、ディッピング法などにより磁気ディスク表面に塗布
すればよい。
【００１５】
【実施例】以下、本発明を実施例をもって更に詳細に説
明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
なお、実施例、比較例における各種測定は、以下の方法
によった。
明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
なお、実施例、比較例における各種測定は、以下の方法
によった。
【００１６】表面粗さは、（株）小坂研究所製の微細形
状測定器モデルＥＴ−３０ＨＫを用い、ダイヤモンド触
針方式でスタイラス半径０．５μｍの条件で測定を行っ
た。Ｒａｍａｎ分散分光分析は、Ｊｏｂｉｎ−Ｙｖｏｎ
社製、Ｒａｍａｎｏｌ Ｕ−１０００を用いて評価をお
こなった。
状測定器モデルＥＴ−３０ＨＫを用い、ダイヤモンド触
針方式でスタイラス半径０．５μｍの条件で測定を行っ
た。Ｒａｍａｎ分散分光分析は、Ｊｏｂｉｎ−Ｙｖｏｎ
社製、Ｒａｍａｎｏｌ Ｕ−１０００を用いて評価をお
こなった。
【００１７】ＣＳＳ特性は、クボタコンプス社製、ウェ
アーテスターを用い、垂直荷重９．０ｇ、回転数３６０
０ｒｐｍ、測定半径２１ｍｍ、ＣＳＳ測定回数６０００
０回の条件で評価を実施した。磁気ヘッドは薄膜ヘッド
を用い、ＣＳＳ終了後直ちにヘッド−ディスク間の動摩
擦係数を０．２ｒｐｍで測定した。
アーテスターを用い、垂直荷重９．０ｇ、回転数３６０
０ｒｐｍ、測定半径２１ｍｍ、ＣＳＳ測定回数６０００
０回の条件で評価を実施した。磁気ヘッドは薄膜ヘッド
を用い、ＣＳＳ終了後直ちにヘッド−ディスク間の動摩
擦係数を０．２ｒｐｍで測定した。
【００１８】実施例１ 直径３．５インチのアルミニウム合金の表面に、ニッケ
ル−リン合金の無電解メッキ処理を施こした後、表面層
の中心線平均粗さＲａが２０〜２５オングストロームに
なるように鏡面研磨加工を施した。
ル−リン合金の無電解メッキ処理を施こした後、表面層
の中心線平均粗さＲａが２０〜２５オングストロームに
なるように鏡面研磨加工を施した。
【００１９】次にこの基板のニッケル−リン合金表面層
に対して、図３に示した装置を用いて、平均粒径３μｍ
のアルミナ砥粒がテープに固着された研磨テープ２（マ
イポックス社製、商品名「ＴＯＹ−＃４０００」）を用
い、該テープを加圧用ゴムローラ４にてディスク基板１
に押し当て、純水により５容量％に薄めた研削液（マイ
ポックス社製、商品名「スーパールブＮｏ．６５Ｙ」）
を吐出口３から滴下させつつ，該テープを送りながらデ
ィスクを回転させて研削加工を施した。
に対して、図３に示した装置を用いて、平均粒径３μｍ
のアルミナ砥粒がテープに固着された研磨テープ２（マ
イポックス社製、商品名「ＴＯＹ−＃４０００」）を用
い、該テープを加圧用ゴムローラ４にてディスク基板１
に押し当て、純水により５容量％に薄めた研削液（マイ
ポックス社製、商品名「スーパールブＮｏ．６５Ｙ」）
を吐出口３から滴下させつつ，該テープを送りながらデ
ィスクを回転させて研削加工を施した。
【００２０】続いて、このディスク基板の同一表面に、
平均粒径１．０μｍの酸化アルミニウムパウダー（バイ
コウスキージャパン社製、商品名「バイカロックス
１．０ＣＲ」）を研削液（マイポックス社製、商品名
「スーパールブＮｏ．６５Ｙ」）に０．４ｇ／ｌの濃度
で混合攪拌したスラリー液を、２０ｍｌ／ｍｉｎの滴下
量で吐出口３´から滴下しながら、植毛布からなるバフ
テープ２´（千代田株式会社製、商品名「ＳＰＤ ２５
０１−ＥＧ」）を用いて前段と同様に研削加工を施し
た。
平均粒径１．０μｍの酸化アルミニウムパウダー（バイ
コウスキージャパン社製、商品名「バイカロックス
１．０ＣＲ」）を研削液（マイポックス社製、商品名
「スーパールブＮｏ．６５Ｙ」）に０．４ｇ／ｌの濃度
で混合攪拌したスラリー液を、２０ｍｌ／ｍｉｎの滴下
量で吐出口３´から滴下しながら、植毛布からなるバフ
テープ２´（千代田株式会社製、商品名「ＳＰＤ ２５
０１−ＥＧ」）を用いて前段と同様に研削加工を施し
た。
【００２１】このディスク基板上にスパッタリング法
で、クロム下地層２０００オングストローム、コバルト
−クロム−タンタル（クロム：１２原子％，タンタル：
２原子％，残部がコバルト）磁性層５００オングストロ
ームを順次成膜した後、磁性層上に対して、カ−ボンタ
−ゲットを用い、アルゴン／メタンガス圧比が６０／４
０でかつ、全ガス圧が５ｍｔｏｒｒの条件でスパッタリ
ングを行って非晶質カーボン保護層を２００オングスト
ローム積層した。ディスクの中心から２１ｍｍの位置の
半径方向の表面粗さ（Ｐｃ（＋１００Ａ））は、３０で
あった。
で、クロム下地層２０００オングストローム、コバルト
−クロム−タンタル（クロム：１２原子％，タンタル：
２原子％，残部がコバルト）磁性層５００オングストロ
ームを順次成膜した後、磁性層上に対して、カ−ボンタ
−ゲットを用い、アルゴン／メタンガス圧比が６０／４
０でかつ、全ガス圧が５ｍｔｏｒｒの条件でスパッタリ
ングを行って非晶質カーボン保護層を２００オングスト
ローム積層した。ディスクの中心から２１ｍｍの位置の
半径方向の表面粗さ（Ｐｃ（＋１００Ａ））は、３０で
あった。
【００２２】つづいて、以下の精製したパーフルオロポ
リエーテル系の液体潤滑剤を、ディッピング法により２
０オングストロームの厚さで塗布して潤滑層を形成し
た。
リエーテル系の液体潤滑剤を、ディッピング法により２
０オングストロームの厚さで塗布して潤滑層を形成し
た。
【００２３】本実施例の潤滑剤は、市販のパ−フルオロ
ポリエ−テル系潤滑剤（アウジモント社製、商品名「フ
ォンブリン（Ｆｏｍｂｌｉｎ）−Ｚ−ＡＭ２００１」、
分子量２８００、分子量分布２．７８）を精製し、分子
量３５００、分子量分布１．７６としたものである。
ポリエ−テル系潤滑剤（アウジモント社製、商品名「フ
ォンブリン（Ｆｏｍｂｌｉｎ）−Ｚ−ＡＭ２００１」、
分子量２８００、分子量分布２．７８）を精製し、分子
量３５００、分子量分布１．７６としたものである。
【００２４】実施例２〜３ ディスクの中心から２１ｍｍの位置の半径方向の表面粗
さ（Ｐｃ（＋１００Ａ））を、４４（実施例２）、５２
（実施例３）とした他は、実施例１と同様にして磁気デ
ィスクを作製した。
さ（Ｐｃ（＋１００Ａ））を、４４（実施例２）、５２
（実施例３）とした他は、実施例１と同様にして磁気デ
ィスクを作製した。
【００２５】実施例４〜６ ディスクの中心から２１ｍｍの位置の半径方向の表面粗
さ（Ｐｃ（＋１００Ａ））を、４４とし、非晶質カ−ボ
ン保護層を形成する際の全ガス圧を１ｍｔｏｒｒ（実施
例４）、２ｍｔｏｒｒ（実施例５）、３ｍｔｏｒｒ（実
施例６）とし、アルゴン／メタンガス圧比を８０／２０
とした他は、実施例１と同様にして磁気ディスクを作製
した。
さ（Ｐｃ（＋１００Ａ））を、４４とし、非晶質カ−ボ
ン保護層を形成する際の全ガス圧を１ｍｔｏｒｒ（実施
例４）、２ｍｔｏｒｒ（実施例５）、３ｍｔｏｒｒ（実
施例６）とし、アルゴン／メタンガス圧比を８０／２０
とした他は、実施例１と同様にして磁気ディスクを作製
した。
【００２６】比較例１〜２ 実施例１と同様に、平均粒径３μｍの研磨テープを用
い、前段の研削を行った後、続いてこのディスク基板の
同一表面に、実施例１と同様な装置を用い平均粒径０．
５μｍのダイヤモンドパウダー（東名ダイヤモンド社
製、商品名「ＩＲＭ．０／１」）が混合攪拌されたダイ
ヤモンドスラリー液を用いて後段研削加工を行い、更に
下地層、磁性層、保護層を積層した。このような磁気デ
ィスクを２種類作製し、それらのディスクの磁気ディス
ク基板の中心から２１ｍｍの位置の半径方向の表面粗さ
（Ｐｃ（＋１００Ａ））を、それぞれ２２（比較例
１）、２６（比較例２）とした他は、実施例１と同様に
して磁気ディスクを作成した。
い、前段の研削を行った後、続いてこのディスク基板の
同一表面に、実施例１と同様な装置を用い平均粒径０．
５μｍのダイヤモンドパウダー（東名ダイヤモンド社
製、商品名「ＩＲＭ．０／１」）が混合攪拌されたダイ
ヤモンドスラリー液を用いて後段研削加工を行い、更に
下地層、磁性層、保護層を積層した。このような磁気デ
ィスクを２種類作製し、それらのディスクの磁気ディス
ク基板の中心から２１ｍｍの位置の半径方向の表面粗さ
（Ｐｃ（＋１００Ａ））を、それぞれ２２（比較例
１）、２６（比較例２）とした他は、実施例１と同様に
して磁気ディスクを作成した。
【００２７】比較例３ ディスクの中心から２１ｍｍの位置の半径方向の表面粗
さ（Ｐｃ（＋１００Ａ））を、４４とし、非晶質カ−ボ
ン保護層を形成する際の全ガス圧を５ｍｔｏｒｒとし、
アルゴンガスのみでスパッタを行った以外は、実施例１
と同様にして磁気ディスクを作製した。
さ（Ｐｃ（＋１００Ａ））を、４４とし、非晶質カ−ボ
ン保護層を形成する際の全ガス圧を５ｍｔｏｒｒとし、
アルゴンガスのみでスパッタを行った以外は、実施例１
と同様にして磁気ディスクを作製した。
【００２８】実施例１〜６及び比較例１〜３で得られた
磁気ディスクについて表面粗さ（Ｒａ，Ｐｃ（＋１００
Ａ）），ＣＳＳ特性，ピ−ク強度比（１３５０〜１４０
０ｃｍ-1／１５３０〜１６００ｃｍ-1）を測定した結果
を表１に示す。実施例１〜６、比較例１〜２より、Ｐｃ
（＋１００Ａ）が３０以上で、かつピ−ク強度比が０．
８以下であれば、動摩擦係数は０．４以下であり、実用
上の使用に十分耐えられるものとなるが、Ｐｃ（＋１０
０Ａ）が３０未満であるとその動摩擦係数は、０．５よ
り大きくなって実用上の使用に耐えられるものでないこ
とがわかる。また、比較例３より、従来のカーボン保護
層では薄膜ヘッドの使用に耐えられないことがわかる。
磁気ディスクについて表面粗さ（Ｒａ，Ｐｃ（＋１００
Ａ）），ＣＳＳ特性，ピ−ク強度比（１３５０〜１４０
０ｃｍ-1／１５３０〜１６００ｃｍ-1）を測定した結果
を表１に示す。実施例１〜６、比較例１〜２より、Ｐｃ
（＋１００Ａ）が３０以上で、かつピ−ク強度比が０．
８以下であれば、動摩擦係数は０．４以下であり、実用
上の使用に十分耐えられるものとなるが、Ｐｃ（＋１０
０Ａ）が３０未満であるとその動摩擦係数は、０．５よ
り大きくなって実用上の使用に耐えられるものでないこ
とがわかる。また、比較例３より、従来のカーボン保護
層では薄膜ヘッドの使用に耐えられないことがわかる。
【００２９】図４に実施例１にて作成された保護層のラ
マン分散分光分析結果を示す。得られたスペクトルは波
形分離によって２種類のピークに分離でき、強度比はピ
ーク高さの比を計算したものである。
マン分散分光分析結果を示す。得られたスペクトルは波
形分離によって２種類のピークに分離でき、強度比はピ
ーク高さの比を計算したものである。
【００３０】
【表１】
【００３１】
【発明の効果】以上述べた通り本発明によれば、従来の
磁気ディスクに比べ、安定した耐久性を備えた磁気ディ
スクを提供することが可能となった。
磁気ディスクに比べ、安定した耐久性を備えた磁気ディ
スクを提供することが可能となった。
【図１】 磁気ディスク媒体の構造の一例を示す図であ
る。
る。
【図２】 Ｐｃ（＋１００Ａ）を説明するための磁気デ
ィスク基板表面の一部断面図を示す。
ィスク基板表面の一部断面図を示す。
【図３】 本発明を実施し得る装置の一例を示す模式図
である。
である。
【図４】 実施例１で得られた保護層のラマンスペクト
ルを示す図である。
ルを示す図である。
【符号の説明】 １ …ディスク基板 ２ …研磨テープ ２´…バフテープ ３ …研削液吐出口 ３´…スラリー液吐出口 ４ …加圧用ゴムローラ
Claims (1)
- 【請求項１】 非磁性基板の表面にテクスチャリング加
工を施し、さらに磁性層、保護層、潤滑層を形成してな
る磁気ディスクにおいて、磁気ディスクの半径方向にお
ける表面粗さが、基準長さ２５０μｍの間において、 Ｐｃ（＋１００Ａ）≧３０ （但し、Ｐｃ（＋１００Ａ）とは、粗さ曲線の中心線に
対し上側に１００オングストロームの位置に、中心線に
対して平行な１本のピークカウントレベルを設けたと
き、中心線と粗さ曲線が交差する２点間において、ピー
クカウントレベルと粗さ曲線が交差する点が１回以上存
在する場合一山とし、基準長さにおいての山の合計数を
表す）であり、かつ保護層が非晶質カ−ボン膜により構
成されていることを特徴とする磁気ディスク媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23311193A JPH0785462A (ja) | 1993-09-20 | 1993-09-20 | 磁気ディスク媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23311193A JPH0785462A (ja) | 1993-09-20 | 1993-09-20 | 磁気ディスク媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0785462A true JPH0785462A (ja) | 1995-03-31 |
Family
ID=16949948
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23311193A Pending JPH0785462A (ja) | 1993-09-20 | 1993-09-20 | 磁気ディスク媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0785462A (ja) |
-
1993
- 1993-09-20 JP JP23311193A patent/JPH0785462A/ja active Pending
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