JPH0785505A

JPH0785505A - 光ディスク及びそのフォーカシングとトラッキングの制御方法

Info

Publication number: JPH0785505A
Application number: JP5250947A
Authority: JP
Inventors: Kajiro Ushio; 嘉次郎潮
Original assignee: Nikon Corp
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 1993-09-14
Filing date: 1993-09-14
Publication date: 1995-03-31

Abstract

(57)【要約】【目的】Ｃ／Ｎ比の低下を防止しつつ、光学ヘッドの
作製を容易にし、しかもスポット径よりも小さい情報単
位で記録・再生をすることができる光ディスク及びその
フォーカシングとトラッキングの制御方法を得る。【構成】基板上のトラックに沿って点在して、又は基
板上の全面に、読み出し光照射時の熱発光により該読み
出し光とは異なる波長の光を発光する発光層を配設し、
前記発光層からの熱発光強度をフォーカシング信号又は
トラッキング信号として検出することを特徴とする光デ
ィスク及びそのフォーカシングとトラッキングの制御方
法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、光ディスク及びそのフ
ォーカシングとトラッキングの制御方法に関するもので
ある。

【０００２】

【従来の技術】コンピュータ、通信、映像機器をはじめ
とする情報機器の高機能化やパーソナル化の進歩にとも
ない、その処理すべき情報が増大しており、そのため記
録装置や媒体の高性能化は近年大きな開発ターゲットと
なっている。特に、記録の高密度化及び大容量化は、来
るべき画像情報のデジタル化時代を鑑みても、非常に大
きな要請であるといえる。そして、記録媒体（光ディス
ク）からの記録情報の読出し方法としての光学的方法
は、今後とも高密度及び大容量メモリーに関しての有力
な方法であることは間違いないところである。

【０００３】光記録読み出し方法を用いた製品は、現在
すでに音楽用ＣＤやＣＤ−ＲＯＭ、ＬＤあるいは光磁気
ディスクなどとして広く提供されている。これらにおい
ては、光源（読み出し装置小型化のため半導体レーザが
用いられることが多い。）からの照射光（プローブ光）
を記録媒体である回転ディスク上に集光し、ディスク上
の記録情報をそのプローブ光の反射光によって検出して
いる。

【０００４】記録情報としては、ＣＤなどではディスク
上に設けた凹凸であり、そこからの反射光の大小が再生
情報となる。また光磁気ディスクでは、記録媒体の磁化
の向きが情報となり、磁化の向きによるプローブ光の反
射光（あるいは透過光）の偏光面の変化によりその情報
を読み出している。

【０００５】このように光記録読み出し方法において
は、記録ディスク上のプローブ光を小さく集光すること
により情報単位をその大きさにまで小さくすることがで
き、このため非常に大きな記録密度が実現されている。
現在、光磁気ディスクにおいて約１０⁸ マーク／cm² 程
度である。

【０００６】尚、こうした光読み出し用の光学ヘッド
は、一般的に、半導体レーザなどの光源や、レンズ、ミ
ラーなどの集光光学系により主に構成されており、フォ
ーカシングやトラッキングのためのサーボ制御（最適化
駆動制御）を行っている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ような光を利用した情報の記録読み出し方法において
は、プローブ光の反射光を情報信号として用いるため、
前記情報信号の取り出しのためにプローブ光と反射光と
の光路を分割する必要がある。また、光源には、一般的
に干渉性の良い光波長を持つレーザ光が使用されること
が多いため、前記光源への戻り光の影響を回避するため
にプローブ光と反射光との完全な分離が要求されてい
る。このため、光学素子（アイソレータなど）の用意と
配置が必要となり、光学ヘッドが複雑化するという問題
点があった。

【０００８】また、一般的に、プローブ光の反射光の強
度分布を用いて、様々なサーボ系の制御（最適化制御）
が行われているが、そのために、前記反射光を位置分割
光センサにアライメント良く入射させることが必要とな
り、そのための組み立てに手間がかかるという問題点が
あった。

【０００９】また、記録媒体を設けた光ディスクにおい
ては、反射光を検出する時に、反射光の強度や位相を制
御するため、記録媒体（一般的には薄膜層）の膜厚制御
及び反射増加や反射防止のための層形成が必要になり、
光ディスクの作製が煩雑となる問題点があった。

【００１０】また、一般的に反射光には、読み出し情報
である光量（光磁気記録媒体の読み出しでは偏光成分の
光量）の変化（交流成分）以外に、光量の直流成分が重
畳されており、この直流成分は反射光による情報信号の
Ｃ／Ｎ（搬送波雑音）比を低下させる原因となる。従っ
て、例えば光磁気記録媒体の読み出しの場合には、偏光
成分の差分を取り出すことにより、Ｃ／Ｎ比の低下を防
止しなければならないという問題点があった。

【００１１】更に、従来の光ディスクにおいては、読み
出し光の集光の度合い（スポット径）が情報単位の大き
さが記録密度を決定しているが、このスポット径の最小
値は、光源の波長および集光レンズ系の開口数によって
制限され、回折限界以下に小さくすることはでず、記録
密度をあげようとした場合、光学系を改造して大きな開
口数を得るか、短波長の光源を得るかが考えられるが、
どちらも装置の巨大化及び高価格化を伴うという問題点
があった。

【００１２】本発明は、上記課題を鑑みてなされたもの
であり、Ｃ／Ｎ比の低下を防止しつつ、光学ヘッドの作
製を容易にし、しかもスポット径よりも小さい情報単位
で記録・再生をすることができる光ディスク及びそのフ
ォーカシングとトラッキングの制御方法を提供すること
を目的とする。

【００１３】

【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明に
係る光ディスクは、上記目的を達成するために、基板上
のトラックに沿って、読み出し光照射時の熱発光により
該読み出し光とは異なる波長の光を発光する発光層を点
在させ、この発光層を情報単位として、この情報単位の
有無又は長さによって情報を表すことを特徴とするもの
である。

【００１４】また、請求項２に記載の発明に係る光ディ
スクは、基板上に、読み出し光照射時の熱発光により該
読み出し光とは異なる波長の光を発光する発光層を全面
的に設け、該発光層の読み出し光照射側に、トラックに
沿って光反射層又は光吸収層を点在させ、これらの光反
射層又は光吸収層を情報単位として、この情報単位の有
無又は長さによって情報を表すことを特徴とするもので
ある。

【００１５】また、請求項３に記載の発明に係る光ディ
スクでは、請求項１又は２に記載の光ディスクにおい
て、前記発光層の読み出し光照射側又はその反対側に熱
反射層を設けたことを特徴とするものである。

【００１６】また、請求項４に記載の発明に係る光ディ
スクでは、請求項１又は２に記載の光ディスクにおい
て、前記発光層の読み出し光照射側又はその反対側に断
熱層を設けたことを特徴とするものである。

【００１７】また、請求項５に記載の発明に係る光ディ
スクでは、請求項３又は４に記載の光ディスクにおい
て、前記熱反射層又は断熱層が光反射層としての機能を
有することを特徴とするものである。

【００１８】また、請求項６に記載の発明に係る光ディ
スクでは、請求項１〜４に記載の光ディスクにおいて、
前記発光層の読み出し光照射側の反対側に光反射層を設
けたことを特徴とするものである。

【００１９】また、請求項７に記載の発明に係るフォー
カシング制御方法では、請求項１〜６に記載した光ディ
スクにおいて、前記光ディスクの発光層からの熱発光強
度をフォーカシングエラー信号として検出することを特
徴とするものである。

【００２０】また、請求項８に記載の発明に係るトラッ
キング制御方法では、請求項１〜６に記載した光ディス
クにおいて、前記光ディスクの発光層からの熱発光強度
をトラッキングエラー信号として検出することを特徴と
するものである。

【００２１】

【作用】上記のように構成された本発明に係る光ディス
クは、基板上のトラックに沿って点在させた発光層や、
基板上の全面に設けた発光層に対向して読み出し光側に
点在させて設けた光反射層又は光吸収層が情報単位とな
る。情報単位の有無又は長さが情報を表している。

【００２２】ここで、前記発光層は、前記読み出し光の
照射による加熱の効果により、前記読み出し光とは異な
る波長領域の光を発する。尚、この現象をサーモルミネ
ッセンスという。また、前記発光層には、常温での発光
を防止するため、高温時にのみ発光する有機高分子材料
あるいは無機材料のものが適用される。

【００２３】具体的には、有機高分子材料にあっては、
ＰＥＥＫ（ポリエーテルエーテルケトン）であり、無機
材料にあっては、α−Ａｌ₂ Ｏ₃ や、該α−Ａｌ₂ Ｏ₃
に添加物（Ｔｉなど）を加えたものなど適用される。
尚、前記ＰＥＥＫは１５０℃程度の熱によりで発光し、
前記α−Ａｌ₂ Ｏ₃ や、該α−Ａｌ₂ Ｏ₃ に添加物（Ｔ
ｉなど）を加えたものなどは２００℃程度の熱で発光す
る。

【００２４】また、前記情報は、紫外線、Ｘ線、あるい
はγ線などの短波長を前記発光層に露光することにより
情報が記録される。そして、前記記録情報は、有限回の
読み出し（発光）で消滅する。

【００２５】つまり、基板上のトラックに沿って発光層
を点在させた光ディスクにおいては、前記記録情報の消
滅後に、前記短波長光を全面露光することにより再生専
用の光ディスクとして利用される。また、基板上の全面
に発光層を設けた光ディスクにおいては、前記記録情報
の消滅後に、新たにパターン露光をすることにより、書
き換え可能な光ディスクとして利用される。

【００２６】また、本発明に係る光ディスクでは、熱反
射層又は断熱層が、前記発光層の読み出し光照射側又は
その反対側に設けられている。ここで、前記熱反射層又
は断熱層は、前記読み出し光の照射によって加熱される
前記発光層を効果的に加熱する。

【００２７】また、本発明に係る光ディスクでは、光反
射層が、前記発光層の読み出し光照射側の反対側に設け
られている。ここで、前記光反射層は、前記読み出し光
の照射によって加熱される前記発光層、及び前記熱反射
層又は断熱層の加熱を促進する。

【００２８】また、本発明に係る光ディスクでは、前記
熱反射層又は断熱層が、前記光反射層とされる。即ち、
前記熱反射層又は断熱層が、前記光反射層として構成さ
れることにより、光ディスクの製造工程が短縮される。

【００２９】また、上記のように構成された本発明に係
るフォーカシング制御方法は、前記光ディスクの発光層
からの熱発光強度を検出してフィードバック信号（エラ
ー信号）として、前記光ディスクのフォーカシングのた
めの最適化制御を行う方法である。

【００３０】また、上記のように構成された本発明に係
るトラッキング制御方法は、前記光ディスクの発光層か
らの熱発光強度を検出してフィードバック信号（エラー
信号）として、前記光ディスクのトラッキングのための
最適化制御を行う方法である。

【００３１】以下、本発明の光ディスク及びそのフォー
カシングとトラッキングの制御方法の原理を図１〜図４
を参照して説明する。図１は、本発明に係る光ディスク
に読み出し光を照射し、発光層から発せられた光を検出
している状態を示す説明図である。図１に示すように集
光レンズ１により集光された読み出し光４が、基板２上
に照射されると、予め短波長露光された発光層３（３
Ａ）は、前記読み出し光４の加熱の効果により加熱さ
れ、熱発光（矢印５）する。

【００３２】ここで、前記発光層３（３Ａ）から発せら
れる光５は、前記読み出し光４の波長と異なる波長の光
を発するため、フォトディテクター６により、読み出し
光４の反射光あるいは散乱光と識別され、該発光５の熱
発光強度が検出される。

【００３３】そして、前記フォトディテクター６により
熱発光強度が検出された検出信号７をフィードバック信
号７（エラー信号）として、該フィードバック信号の強
度（高周波成分）が最大となるように（包絡線検波；回
路図示せず）することにより、フォーカシングの最適化
制御が行われ、前記フィードバック信号７の低周波成分
が一定となるように（包絡線検波；回路図示せず）する
ことによりトラッキングの最適化制御が行われる。

【００３４】この結果、読み出し光４のスポット４Ａの
中央部は、情報が記録された発光層３Ａに位置するよう
になる。これは、読み出し光４のスポット内の熱強度
は、図２（ｂ）に示す熱強度分布図８から分かるよう
に、中央部ほど大きく（所謂、ガウス分布）なってお
り、発光層３（３Ａ）から発せられる光５（図１参照）
の熱発光強度が最大となるのは図２（ｂ）に示す熱発光
強度分布図９から分かるように、前記スポット４Ａの中
央部が位置した時だからである。

【００３５】従って、図２（ａ）に示すように、照射光
の強度を調節すれば、前記スポット４Ａの光強度分布は
中心部程強い（ガウス分布）ため、中心部付近の情報単
位のみをより高温にすることができ、発光強度に大きな
差をつけることができ、記録情報の高密度化が実現され
る。また場合によっては発光のための温度のしきい値近
傍に光強度制御を行うことにより、スポット４Ａ内の一
部（中央付近）の情報単位のみを発光させることもでき
る。

【００３６】尚、図１、図２において、光ディスクは、
基板２と発光層３のみを示した。更に、前記発光層３内
には、短波長露光によって情報が記録されている部分３
Ａと情報が記録されていない部分３Ｂとを示した。

【００３７】また、フォトディテクタ６において、発光
した光５のみを検出するのは、光フィルターや回折格子
などを用いたり、適当な感度波長域の光センサ材料を用
いることで簡単に行われる。これにより、読み出し光４
の反射光や散乱光による影響（信号のＣ／Ｎ比劣化）は
除くことができる。また、発光の有無を検出するため、
信号に直流成分はのりにくく、Ｃ／Ｎ比も向上する。ま
た、図１において、フォトディテクタ６を集光レンズ１
と光ディスクとの間に配設したが、この場合、読み出し
光４をあまり遮蔽しない程度の大きさで前記フォトディ
テクタ６を構成することが好ましい。

【００３８】また、発光５の集光の光学系については、
読み出し光４の集光の光学系１で兼用しても良い。厳密
な集光は、読み出し光４と発光の波長が異なるため困難
であるが、発光５の強度のみを検出するため、発光５の
集光の光学系と読み出し光４の集光の光学系１とを兼用
することが可能となる。

【００３９】図３は、本発明に係る光ディスクに熱反射
層又は断熱層１０を設けた場合の概念図である。図３に
示すように、熱反射層又は断熱層１０が発光層３を介在
して形成されている。これにより、前記読み出し光４に
より加熱された前記発光層３の熱の低下が防止され、前
記発光層３の加熱が効率的に行われる。尚、前記熱反射
層又は断熱層１０は、読み出し光照射側、その反対側の
一方のみに設けても良い。但し、読み出し光照射側に設
ける場合には、この層１０により、読み出し光４が大き
く吸収されたり、反射されたりしないことが必要とされ
る。

【００４０】尚、前記熱反射層１０としては、赤外線反
射膜として知られるＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−ＴｉｎＯ
ｘｉｄｅ）やＺｎＯ、ＴｉＯ₂ 等が適用され、また、断
熱層１０としては、ＳｉＯ₂ や、ＺｎＳ−ＳｉＯ₂ 、Ｓ
ｉＮなどが適用される。また、前記熱反射層又は断熱層
１０は、読み出し光４の波長を透過する層であるため、
前記読み出し光４は、前記発光層３に達する。

【００４１】また、図３において、光ディスクは、基板
２、熱反射層又は断熱層１０、発光層３（情報が記録さ
れている部分３Ａ、情報が記録されていない部分３Ｂ）
から構成され、図中の矢印５は、発光層３（情報が記録
されている部分３Ａ）から発せられる光を示す。

【００４２】図４は、本発明に係る光ディスクに光反射
層１１を設けた場合の概念図である。図４に示すよう
に、光反射層１１が、光ディスクの読み出し光４の照射
側の反対側に設けられている。これにより、基板２、熱
反射層又は断熱層１０、発光層３を透過した読み出し光
４が、前記光反射層１１で反射して、発光層３の加熱の
効果を促進することができる。

【００４３】この結果、図１において示したフォトディ
テクタ６への熱発光強度を更に強くすることができる。
また、読み出し光４によって加熱された発光層３（３
Ａ）から発せられた光が前記反射層１１で反射すれば、
更に前記フォトディテクタ６への熱発光強度を更に強く
することができる。尚、前記光反射層１１が、前記熱反
射層または断熱層１０を兼ねた材料であると、ディスク
の製造工程を短縮することができる。また、このような
材料としては、Ｉｎ−Ｓｂ合金などを適用することが望
ましい。

【００４４】

【実施例】図５は、本発明の一実施例に係る光ディスク
（書き換え可能型）の構成を示す説明図であり、トラッ
ク方向に平行な概略断面図である。図５に示すように、
本実施例に係る光ディスクは、第１の保護膜（断熱層）
１４、発光層１５、第２の第２の保護膜（断熱層）１
６、基板１７より構成されている。前記基板２は、ガラ
ス等からなる直径５インチ、厚さ１mmの円形の基板であ
る。第１の保護膜（断熱層）１４は、ＺｎＳ−ＳｉＯ₂
からなり、スパッタ法（ＲＦマグネトロンスパッタ）に
より基板１７上の全面に約５０ｎｍの厚さで形成されて
いる。

【００４５】また、前記発光層１５は、Ｔｉを0.05重量
％添加したα−Ａｌ₂ Ｏ₃ からなり、この発光層１５を
前記第１の保護膜（断熱層）１４上に形成するには、前
記基板１７上に第１の保護膜（断熱層）１４を形成した
のと同様なスパッタ法により前記第１の保護膜（断熱
層）１４上の全面に該発光層１５を約５０ｎｍ形成す
る。その後、ＫｒＦエキシマレーザ露光機により信号原
版（最小マークサイズ長０. ４μｍ，マーク間隔０. ４
μｍ、トラック間隔１．２μｍの信号列）のとおりに露
光を行う。積算露光パワーは約５〜１０Ｊ／cm² であ
る。信号原版は、使用波長４００〜５００ｎｍのレーザ
カッティングマシーンで作成した。

【００４６】その後さらに、ＳｉＯ₂ からなる第２の保
護膜（断熱層）１６を前記同様のスパッタ法により前記
発光層１５の全面に約１００ｎｍ形成し、書き換え可能
な光ディスクを形成した。尚、本実施例において、第１
の保護膜１４及び第２の保護膜１６を断熱層として形成
したが、どちらか一方あるいは両方を熱反射層として形
成しても良い。更に、前記第１の保護膜１４及び第２の
保護膜１６に光を反射する光反射的機能を備えても良
い。

【００４７】図６は、上述のように形成された光ディス
ク（発光層１５）の熱発光特性を示すグラフであり、
（ａ）は温度特性を示すグラフであり、（ｂ）は波長特
性を示すグラフである。尚、（ａ）において、縦軸は光
量、横軸は温度［℃］であり、（ｂ）において、縦軸は
光量、横軸は波長［ｎｍ］を示す。

【００４８】図６（ａ）に示すように、本実施例に係る
光ディスクは、Ａ地点（１００℃付近）で光量が第１の
ピーク値となり、次にＢ地点（２００℃付近）で光量が
第２のピーク値となっている。

【００４９】一方、図６（ｂ）に示す波長特性は、
（ａ）に示したＡ，Ｂ地点でのそれぞれの波長特性であ
る。（ｂ）に示すように、（ａ）において示したＡ，Ｂ
地点での波長は、それぞれ４２５ｎｍ付近で光量がピー
ク値（第１のピーク値）となっている。

【００５０】つまり、光ディスクに読み出し光を照射し
た場合において、Ａ地点での温度（１００℃付近）であ
っても、Ｂ地点での温度（２００℃付近）であっても、
前記光ディスクの熱発光波長に差がないことが分かる。

【００５１】従って、光ディスク（発光層１５）の加熱
は、極力低温（光ディスクに悪影響を及ぼさないた
め。）で、且つ、常温で発光しない（記録情報は有限回
の発光でで消滅するため。）温度での加熱が好ましく、
この結果、光ディスクに照射される読み出し光の温度と
しては、１００℃付近の温度が最適であることになる。

【００５２】また、光ディスク（発光層１５）を加熱し
た際に発する光（発光）の波長は、図６（ｂ）に示すよ
うに約４２５ｎｍであるため、読み出し光の波長域は、
４２５ｎｍ以外の波長領域が望ましく、従って、本実施
例では、図７に示すように、読み出し光として半導体レ
ーザ２０（波長７８０ｎｍ、レーザーパワー５ｍＷ）を
用い、開口数０．５の集光レンズ１により集光を行うと
ともに、該ビームが７ｍ／ｓｅｃ程度の定線速度で図７
に示す矢印２６方向に移動するように光ディスクを回転
させ、記録情報の読み出しを行った。尚、図７におい
て、光ディスクは基板１７と発光層１５のみを示した。

【００５３】前記光ディスクを回転系によって回転し、
光源２０からの読み出し光４を集光レンズ１により集光
してディスク（基板１７）上の発光層１５に照射した。
この時、発光層１５から発光された光５の強度を発光検
出用発光検出用フォトディテクタ２２により検出してフ
ィードバック信号とし（エラー信号の検出）、フォーカ
シングやトラッキングのための最適化制御をサーボ回路
２３により行った。

【００５４】即ち、検出した発光の強度（高周波成分）
が最大となるように（包絡線検波）してフォーカシング
２４を、また検出した発光の低周波数成分が一定となる
ように（包絡線検波）してトラッキング２５を最適化制
御した。この結果、集光レンズ１を通過した読み出し光
４は、発光層１５Ａの中央部に位置するようなスポット
４Ａに集光される。

【００５５】集光された読み出し光４のスポット４Ａ内
の読み出し強度は、スポット４Ａの中心部が大きいの
で、スポット４Ａ内の発光強度も中央部（発光層１５Ａ
がある部分）だけが大きくなる。従って、読み出し光４
のスポット４Ａ径よりも小さな情報単位のみを読み出す
ことができる。

【００５６】尚、発光層１５Ａからの発光は、４２５ｎ
ｍ程度の波長を示したので、この波長よりも長波長のカ
ットフィルターを前記発光検出用フォトディテクタ２２
に一体形成することにより、読み出し光４の反射光や散
乱光を分離することができる。また、読み出し時のＣ／
Ｎ比は、４５ｄＢ以上であった。

【００５７】また、信号読み出し後、再びエキシマレー
ザ露光で別信号の記録を行うことにより、その読み取り
が行われる。

【００５８】また、本実施例において、発光検出用フォ
トディテクタ２２は、ビームスプリッタ２１により前記
発光５を受光するようにしたが、集光レンズ１と光ディ
スクとの間に配設しても良い。但し、この場合、読み出
し光４をあまり遮蔽しない程度の大きさで前記発光検出
用フォトディテクタ２２を構成することが好ましい。

【００５９】図８は、本発明の光ディスクの別の実施例
に係る光ディスク（再生専用型）の構成を示す説明図で
あり、トラック方向に平行な概略断面図である。図８に
示すように、本第２の実施例に係る光ディスクは、第１
の保護膜（断熱層）１４、発光層１５、第２の第２の保
護膜（断熱層）１６、基板１７、光反射層２７より構成
されている。前記基板２は、ガラス等からなる直径５イ
ンチ、厚さ１mmの円形の基板である。第１の保護膜（断
熱層）１４は、ＺｎＳ−ＳｉＯ₂ からなり、スパッタ法
（ＲＦマグネトロンスパッタ）により基板１７上の全面
に約５０ｎｍの厚さで形成されている。

【００６０】また、光反射膜２７は、Ａｌからなり、こ
の光反射層２７を前記第１の保護膜１４上に形成するに
は、前記基板１７上に第１の保護膜１４を形成した時と
同様なスパッタ法により前記第１の保護膜１４上の全面
に該光反射層２７を約５０ｎｍの厚さで形成し、その
後、この光反射膜２７上に、一旦レジスト（図示せず）
を塗布し、前記第１の実施例で使用した信号原版を用
い、エキシマレーザ露光、Ａｒイオンエッチングにより
光反射層２７のみをパターニングする。この結果、前記
反射層２７は、前記第１の保護膜１４上に選択的に残
り、凹部には、前記第１の保護膜１４が露出する。

【００６１】また、前記発光層１５は、Ｔｉを0.05重量
％添加したα−Ａｌ₂ Ｏ₃ からなり、この発光層１５を
前記第１の保護膜（断熱層）１４及び反射層２７上に形
成するには、前記基板１７上に第１の保護膜（断熱層）
１４を形成したのと同様なスパッタ法により前記第１の
保護膜（断熱層）１４及び反射層２７上に該発光層１５
を約５０ｎｍ形成する。

【００６２】その後さらに、ＳｉＯ₂ からなる第２の第
２の保護膜（断熱層）１６を前記同様のスパッタ法によ
り前記発光層１５の全面に約１００ｎｍ形成し、再生専
用の光ディスクを形成した。尚、本第２の実施例におい
て、第１の保護膜１４及び第２の保護膜１６を断熱層と
して形成したが、どちらか一方あるいは両方を熱反射層
として形成しても良い。

【００６３】上記のように形成された光ディスクを図９
に示す再生装置により記録情報の読み出しを行う。尚、
図９に示す再生装置と第１の実施例において示した再生
装置（図７参照）との最大の相違点は、光ディスクに光
反射層２７を形成したことにより、半導体レーザ光源２
０から照射された読み出し光４の反射光を利用して、フ
ォーカシングやトラッキングのための最適化制御を行っ
た点にある。

【００６４】即ち、前記光反射層２７を情報単位とし
て、フォーカシングやトラッキングのための最適化制御
を行っている。従って、反射光検出用フォトディテクタ
２９を設け、光反射層２７によって反射された読み出し
光４の反射光１２を前記反射光検出用フォトディテクタ
２９により検出して、該検出結果をフィードバック信号
とし（エラー信号の検出）、フォーカシングやトラッキ
ングのための最適化制御をサーボ回路３０により行う。
尚、第１の実施例と同一部分については、同一符号を付
し、説明を省略する。

【００６５】また、信号読み出し後、再びエキシマレー
ザ露光で記録を行うことにより、その読み取りが行われ
る。

【００６６】また、本実施例において、発光検出用フォ
トディテクタ２２は、ビームスプリッタ２１により前記
発光５を受光するようにしたが、集光レンズ１と光ディ
スクとの間に配設しても良い。但し、この場合、読み出
し光４をあまり遮蔽しない程度の大きさで前記発光検出
用フォトディテクタ２２を構成することが好ましい。

【００６７】

【発明の効果】本発明は以上説明したとおり、読み出し
光の加熱による発光を検出するため、大きくＣ／Ｎ比を
上昇させることができ、光源波長、開口数の変更をする
ことなく高密度な光記録読み出しを行うことができると
いう効果がある。また、短波長光の露光により情報の書
き込みを行うことができるので、効率のよい一括書き込
みを行うことができるという効果もある。

【００６８】更に、本発明の光ディスクのフォーカシン
グ制御方法及びトラッキングの制御方法によれば、読み
出し光の反射光を読み出さないので、正確なアライメン
トが要求される位置分割センサが不要となり、光学ヘッ
ドの作製が容易になるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る光ディスク及びそのフォーカシン
グとトラッキングの制御方法の原理図を示す説明図であ
る。

【図２】本発明に係る光ディスク及びそのフォーカシン
グとトラッキングの制御方法の原理図を示す説明図であ
る。

【図３】本発明に係る光ディスク及びそのフォーカシン
グとトラッキングの制御方法の原理図を示す説明図であ
る。

【図４】本発明に係る光ディスク及びそのフォーカシン
グとトラッキングの制御方法の原理図を示す説明図であ
る。

【図５】本発明の一実施例に係る光ディスク（書き換え
可能型）の構成を示す説明図である。

【図６】前図（図５）において示した光ディスクの熱発
光特性を示すグラフであり、（ａ）は温度特性を示すグ
ラフであり、（ｂ）は波長特性を示すグラフである。

【図７】前図（図５）において示した光ディスクを再生
する再生装置の概略構成を示す説明図である。

【図８】本発明の光ディスクの別の実施例に係る光ディ
スク（再生専用型）の構成を示す説明図である。

【図９】前図（図８）において示した光ディスクを再生
する再生装置の概略構成を示す説明図である。

【符号の説明】

１…集光レンズ２，１７…基板３，１５…発光層４…読み出し光４Ａ…読み出し光スポット５…発光６…フォトディテクター８…熱強度分布図９…熱発光強度分布図１０…熱反射層（断熱層）１１，２７…光反射層１４…第１の保護膜１６…第２の保護膜２０…半導体レーザ（照射光光源）２１…ビームスプリッター２２…発光検出用フォトディテクター２３，３０…サーボ用回路２９…反射光検出用フォトディテクター

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上のトラックに沿って、読み出し光
照射時の熱発光により該読み出し光とは異なる波長の光
を発光する発光層を点在させ、この発光層を情報単位と
して、この情報単位の有無又は長さによって情報を表す
ことを特徴とする光ディスク。
【請求項２】基板上に、読み出し光照射時の熱発光に
より該読み出し光とは異なる波長の光を発光する発光層
を全面的に設け、該発光層の読み出し光照射側に、トラ
ックに沿って光反射層又は光吸収層を点在させ、これら
の光反射層又は光吸収層を情報単位として、この情報単
位の有無又は長さによって情報を表すことを特徴とする
光ディスク。
【請求項３】前記発光層の読み出し光照射側又はその
反対側に熱反射層を設けたことを特徴とする請求項１又
は２に記載の光ディスク。
【請求項４】前記発光層の読み出し光照射側又はその
反対側に断熱層を設けたことを特徴とする請求項１又は
２に記載の光ディスク。
【請求項５】前記熱反射層又は断熱層が光反射層とし
ての機能も有することを特徴とする請求項３又は４に記
載の光ディスク。
【請求項６】前記発光層の読み出し光照射側の反対側
に光反射層を設けたことを特徴とする請求項１〜４に記
載の光ディスク。
【請求項７】前記光ディスクの発光層からの熱発光強
度をフォーカシングエラー信号として検出することを特
徴とする請求項１〜６に記載の光ディスクのフォーカシ
ング制御方法。
【請求項８】前記光ディスクの発光層からの熱発光強
度をトラッキングエラー信号として検出することを特徴
とする請求項１〜６に記載の光ディスクのトラッキング
制御方法。